JP2014060189A - パターン形成方法及び塗布装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】相分離を所望の位置で生じさせ、所望のパターンを得る。
【解決手段】本実施形態によれば、パターン形成方法は、凹凸を有するガイド層の凹部に、第1セグメント及び第2セグメントを有する自己組織化材料を塗布する工程と、前記自己組織化材料を相分離させ、前記第1セグメントを含むシリンダー状又はスフィア状の第1部分と前記第2セグメントを含む第2部分とを有する自己組織化パターンを形成する工程と、を備えている。前記ガイド層の凹部において前記自己組織化材料の膜厚は不均一であり、前記第1部分が形成される位置における前記自己組織化材料の膜厚は、前記自己組織化材料の分子量に対応した膜厚である。
【選択図】図8
【解決手段】本実施形態によれば、パターン形成方法は、凹凸を有するガイド層の凹部に、第1セグメント及び第2セグメントを有する自己組織化材料を塗布する工程と、前記自己組織化材料を相分離させ、前記第1セグメントを含むシリンダー状又はスフィア状の第1部分と前記第2セグメントを含む第2部分とを有する自己組織化パターンを形成する工程と、を備えている。前記ガイド層の凹部において前記自己組織化材料の膜厚は不均一であり、前記第1部分が形成される位置における前記自己組織化材料の膜厚は、前記自己組織化材料の分子量に対応した膜厚である。
【選択図】図8
Description
本発明の実施形態は、パターン形成方法及び塗布装置に関する。
半導体素子の製造工程中のリソグラフィ技術として、ArF液浸露光によるダブルパターニング技術、EUVリソグラフィ、ナノインプリント等が知られている。従来のリソグラフィ技術は、パターンの微細化に伴い、コストの増加、スループットの低下など、様々な問題を含んでいた。
このような状況下で、リソグラフィ技術への自己組織化(DSA: Directed Self-assembly)の適用が期待されている。自己組織化は、エネルギー安定という自発的な挙動によって発生することから、寸法精度の高いパターンを形成できる。特に、高分子ブロック共重合体のミクロ相分離を利用する技術は、簡便な塗布とアニールプロセスで、数〜数百nmの種々の形状の周期構造を形成できる。高分子ブロック共重合体のブロックの組成比によって球状(スフィア)、柱状(シリンダー)、層状(ラメラ)等に形態を変え、分子量によってサイズを変えることにより、様々な寸法のドットパターン、ホール又はピラーパターン、ラインパターン等を形成することができる。
DSAを用いて所望のパターンを広範囲に形成するためには、自己組織化により形成されるポリマー相の発生位置を制御するガイドを設ける必要がある。ガイドとしては、凹凸構造を有し、凹部にミクロ相分離パターンを形成する物理ガイド(grapho-epitaxy)と、DSA材料の下層に形成され、その表面エネルギーの違いに基づいてミクロ相分離パターンの形成位置を制御する化学ガイド(chemical-epitaxy)とが知られている。
物理ガイドを使用する場合、物理ガイドの凹部において膜厚が均一になるようにDSA材料が回転塗布される。しかし、所望の位置とは異なる位置において相分離が生じ、所望のミクロ相分離パターンを形成できないという問題があった。
本発明は、相分離を所望の位置で生じさせ、所望のパターンが得られるパターン形成方法及び塗布装置を提供することを目的とする。
本実施形態によれば、パターン形成方法は、凹凸を有するガイド層の凹部に、第1セグメント及び第2セグメントを有する自己組織化材料を塗布する工程と、前記自己組織化材料を相分離させ、前記第1セグメントを含むシリンダー状又はスフィア状の第1部分と前記第2セグメントを含む第2部分とを有する自己組織化パターンを形成する工程と、を備えている。前記ガイド層の凹部において前記自己組織化材料の膜厚は不均一であり、前記第1部分が形成される位置における前記自己組織化材料の膜厚は、前記自己組織化材料の分子量に対応した膜厚である。
本発明の実施形態の説明に先立ち、発明者らが本発明をなすに至った経緯について説明する。図1〜図4は、自己組織化材料を用いたパターン形成方法の一例を示している。まず、図1に示すように、基板10上に凹凸を有する物理ガイド11を形成する。物理ガイド11はレジストの露光・現像により形成することができる。
次に、図2に示すように、自己組織化材料12を回転塗布し、物理ガイド11の凹部に自己組織化材料12を形成する。自己組織化材料12は、例えば、第1ポリマーブロック鎖及び第2ポリマーブロック鎖が結合したブロックコポリマーである。
次に、図3に示すように、基板10を加熱し、自己組織化材料12をミクロ相分離させ、自己組織化パターン13を形成する。自己組織化パターン13は、第1ポリマーブロック鎖を含むシリンダー状の第1ポリマー部13aと、第2ポリマーブロック鎖を含み、第1ポリマー部13aを囲む連続相の第2ポリマー部13bとを有する。図4は上面図であり、図4のI−I線に沿った断面が図3に対応している。
図2では、物理ガイド11の凹部における自己組織化材料12の膜厚を均一に示しているが、膜厚が均一となるように自己組織化材料12を塗布しても、物理ガイド11の凹部における自己組織化材料12の膜厚は不均一になることが多い。その場合、自己組織化材料12のミクロ相分離後に、シリンダー状の第1ポリマー部13aが所望の位置に形成されないという問題があった。
発明者らは、上記の問題を解決するために、第1ポリマー部13aの形成位置と、自己組織化材料12の膜厚との関係を詳細に調べた。その結果、自己組織化材料12の分子量と、第1ポリマー部13a(ミクロドメイン)が形成される膜厚とに関係があるという知見が得られた。例えば、自己組織化材料12が、ポリスチレン(PS)とポリメチルメタクリレート(PMMA)の比率が7:3のブロック共重合体である場合、ブロック共重合体の分子量と、第1ポリマー部13aが形成される膜厚に、図5に示すような関係があることが分かった。
以下の実施形態においては、自己組織化材料の分子量と、ミクロドメインの形成膜厚との関係を利用して、上記のような課題を解決する。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
(第1の実施形態)第1の実施形態によるパターン形成方法を図6〜図9を用いて説明する。
まず、図6に示すように、基板101上に、膜厚100nmのレジストを回転塗布し、ArFエキシマーレーザにより露光・現像して、ハーフピッチ175nmのライン・アンド・スペースパターン(レジストパターン102)に加工する。基板101は例えばシリコン基板である。このとき、図示はしていないがレジストと基板101との層間に反射防止膜を形成することも可能である。また、基板101上にシリコン酸化膜等の被加工膜を形成し、被加工膜上にレジストを塗布してもよい。このレジストパターン102は、後の工程で形成されるブロックコポリマーがミクロ相分離する際の物理ガイド層としての機能を有する。
次に、図7に示すように、基板101上(レジストパターン102上)に自己組織化材料103をスキージ塗布する。自己組織化材料103には、例えば、ポリメチルメタクリレート(PMMA)(第1セグメント)とポリスチレン(PS)(第2セグメント)の比率が3:7のブロック共重合体(PS−b−PMMA)を用いる。PS−b−PMMAを所定の濃度で含有するポリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)を塗布してもよい。自己組織化材料103は、スキージ104により擦りつけられる。
このことにより、図8に示すように、自己組織化材料103は、レジストパターン102の凹部(スペース部)に形成される(埋め込まれる)。スキージ塗布で埋め込まれた自己組織化材料103は、レジストパターン102の側壁部から、レジストパターン102の凹部の中央に向かって膜厚が徐々に小さくなる。
本実施形態では、スキージ104の移動速度、スキージ104の基板101(又はレジストパターン102)に対する押し付け圧力、及びスキージ104の基板104(又はレジストパターン102)からの高さのうち少なくともいずれか1つを調整し、レジストパターン102の凹部における自己組織化材料103の膜厚分布を制御する。例えば、スキージ104の移動速度(スキャン速度)を10mm/sec〜20mm/sec、スキージ104の押し付け圧力を10N〜20Nの範囲で調整する。このことにより、ミクロドメインを形成すべき位置における自己組織化材料103の膜厚を、自己組織化材料103の分子量から求まるミクロドメインの形成膜厚にすることができる。
例えば、使用する自己組織化材料103の種類、分子量から、ミクロドメインの形成膜厚dを予め求めておき、スキージ104の移動速度、スキージ104の基板101に対する押し付け圧力、及びスキージ104の基板104からの高さのうち少なくともいずれか1つを調整し、レジストパターン102の凹部において、ミクロドメインを形成すべき位置の自己組織化材料103の膜厚がdとなるようにする。
次に、図9に示すように、基板101をホットプレート上において250℃で60秒間加熱する。これにより、自己組織化材料103は、第1ポリマーブロック鎖(例えばPMMA)を含むシリンダー状の第1ポリマー部105aと、第2ポリマーブロック鎖(例えばPS)を含み、第1ポリマー部105aを囲む連続相の第2ポリマー部105bとを有する自己組織化パターン105を形成する。
第1ポリマー部105aを形成すべき位置における自己組織化材料103の膜厚が、自己組織化材料103の分子量から求まる第1ポリマー部105aの形成膜厚となるように自己組織化材料103をスキージ塗布しているため、第1ポリマー部105aを所望の位置に形成することができる。
その後、ウェット現像処理により自己組織化パターン105における第1ポリマー部105aを選択的に除去することで、アスペクト比の高いホールパターンが得られる。そして、レジストパターン(物理ガイド)102及び第2ポリマー部105bをマスクに基板101を加工する。これにより、基板101の所望の位置に、アスペクト比の高いホールパターンを転写することができる。
図10に本実施形態による自己組織化材料の塗布装置のブロック構成を示す。塗布装置は、基板101上に自己組織化材料103を塗布するノズル111と、自己組織化材料103が塗布された基板101の表面を擦り、ガイド層(レジストパターン102)の凹部に自己組織化材料103を埋め込むスキージ104と、スキージ104を平面方向及び鉛直方向に移動させる移動部112と、ノズル111及び移動部112を制御する制御部113と、記憶部114とを備える。
記憶部114は、自己組織化材料の種類や分子量とミクロドメイン形成膜厚との関係についての情報を記憶している。また、記憶部114は、自己組織化材料の種類と、スキージ104の移動速度、スキージ104の基板101に対する押し付け圧力、及びスキージ104の基板101からの高さと、ガイド層の凹部に埋め込まれた自己組織化材料の膜厚分布との関係についての情報を記憶している。
制御部113は、記憶部114に記憶されている情報を参照し、第1ポリマー部105aを形成すべき位置における自己組織化材料103の膜厚が、自己組織化材料103の分子量に対応した膜厚となるように、スキージ104の移動速度、スキージの基板101(レジストパターン102)に対する押し付け圧力、及びスキージ104の基板101(レジストパターン102)からの高さのうち少なくともいずれか1つを調整する。
このように、本実施形態によれば、所望の位置でミクロ相分離が生じるように自己組織化材料の塗布膜厚に分布を持たせることで、所望の位置にのみミクロドメインを形成することができる。
(第2の実施形態)第2の実施形態によるパターン形成方法を図11〜図16を用いて説明する。
まず、図11(a)(b)、図12に示すように、基板201上に、膜厚100nmのレジストを回転塗布し、ArFエキシマーレーザにより露光・現像して、ハーフピッチ175nmのライン・アンド・スペースパターン(レジストパターン202)に加工する。基板201は例えばシリコン基板である。このとき、図示はしていないがレジストと基板201との層間に反射防止膜を形成することも可能である。また、基板201上にシリコン酸化膜等の被加工膜を形成し、被加工膜上にレジストを塗布してもよい。このレジストパターン202は、後の工程で形成されるブロックコポリマーがミクロ相分離する際の物理ガイド層としての機能を有する。
ここで、図12は上面図であり、図11(a)(b)はそれぞれ図12のII−II線、III−III線に沿った断面図である。
図12に示すように、レジストパターン202は、交互に配置された、直線部202Aと、平面形状が半円形の窪み部202Bとを有する。また、レジストパターン202の対向する2つの側面において、窪み部202Bは互い違いに設けられる。
次に、図13(a)(b)、図14に示すように、自己組織化材料203を回転塗布し、レジストパターン202のスペース部(凹部)に自己組織化材料203を形成する。自己組織化材料203には、上記第1の実施形態における自己組織化材料103と同様のものを使用することができる。回転に伴う遠心力により自己組織化材料203がレジストパターン202のスペース部を拡散する。このとき、窪み部202Bでは、自己組織化材料203が滞留し、図13(a)(b)に示すように、直線部202A側よりも窪み部202B側の方が、自己組織化材料203の膜厚が大きくなる。すなわち、レジストパターン202のスペース部の幅方向で、自己組織化材料203に傾斜がつく。
本実施形態では、回転塗布時の回転速度を調整し、レジストパターン202の凹部における自己組織化材料203の膜厚分布を制御する。このことにより、ミクロドメインを形成すべき位置における自己組織化材料203の膜厚を、自己組織化材料203の分子量から求まるミクロドメインの形成膜厚にすることができる。
例えば、使用する自己組織化材料203の種類、分子量から、ミクロドメインの形成膜厚dを予め求めておき、回転速度を調整して自己組織化材料203を回転塗布し、レジストパターン202の凹部において、ミクロドメインを形成すべき位置の自己組織化材料203の膜厚がdとなるようにする。
次に、図15(a)(b)、図16に示すように、基板201をホットプレート上において250℃で60秒間加熱する。これにより、自己組織化材料203は、第1ポリマーブロック鎖(例えばPMMA)を含むシリンダー状の第1ポリマー部205aと、第2ポリマーブロック鎖(例えばPS)を含み、第1ポリマー部205aを囲む連続相の第2ポリマー部205bとを有する自己組織化パターン205を形成する。第1ポリマー部205aは、窪み部202Bに対応して、千鳥状に配置される。
第1ポリマー部205aを形成すべき位置における自己組織化材料203の膜厚が、自己組織化材料203の分子量から求まる第1ポリマー部205aの形成膜厚となるように自己組織化材料203を回転塗布しているため、第1ポリマー部205aを所望の位置に形成することができる。
その後、ウェット現像処理により自己組織化パターン205における第1ポリマー部205aを選択的に除去することで、アスペクト比の高いホールパターンが得られる。そして、レジストパターン(物理ガイド)202及び第2ポリマー部205bをマスクに基板201を加工する。これにより、基板201の所望の位置に、アスペクト比の高いホールパターンを転写することができる。
このように、本実施形態によれば、所望の位置でミクロ相分離が生じるように自己組織化材料の塗布膜厚に分布を持たせることで、所望の位置にのみミクロドメインを形成することができる。
上記第2の実施形態では、窪み部202Bの平面形状は半円形であったが、図17に示すように四角形としてもよい。
また、図18に示すように、窪み部202Bの平面形状を三角形としてもよい。この場合、ミクロドメイン(シリンダー状のパターン205a)とレジストパターン(物理ガイド)202の側壁との間隔が、窪み部202Bの平面形状を半円形又は三角形とした場合と比較して、大きくなる。これは、自己組織化材料203の回転塗布時の、自己組織化材料203の滞留の違いによるものである。従って、ミクロドメインのピッチを狭めることが要求される場合は、窪み部202Bの平面形状を三角形にすることが好ましい。
上記第1、第2の実施形態では、ミクロ相分離により、シリンダー状のパターンが得られる場合について説明したが、スフィア状のパターンが得られるようにしてもよい。
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
101 基板
102 レジストパターン
103 自己組織化材料
104 スキージ
105 自己組織化パターン
102 レジストパターン
103 自己組織化材料
104 スキージ
105 自己組織化パターン
Claims (8)
- 凹凸を有するガイド層の凹部に、第1セグメント及び第2セグメントを有する自己組織化材料を塗布する工程と、
前記自己組織化材料を相分離させ、前記第1セグメントを含むシリンダー状又はスフィア状の第1部分と前記第2セグメントを含む第2部分とを有する自己組織化パターンを形成する工程と、
を備え、
前記ガイド層の凹部において前記自己組織化材料の膜厚は不均一であり、前記第1部分が形成される位置における前記自己組織化材料の膜厚は、前記自己組織化材料の分子量に対応した膜厚であり、
前記ガイド層の凸部の側面には、直線部及び窪み部が交互に設けられ、
前記窪み部の平面形状は三角形をなし、
回転塗布された前記自己組織化材料は、前記窪み部において滞留することを特徴とするパターン形成方法。 - 凹凸を有するガイド層の凹部に、第1セグメント及び第2セグメントを有する自己組織化材料を塗布する工程と、
前記自己組織化材料を相分離させ、前記第1セグメントを含むシリンダー状又はスフィア状の第1部分と前記第2セグメントを含む第2部分とを有する自己組織化パターンを形成する工程と、
を備え、
前記ガイド層の凹部において前記自己組織化材料の膜厚は不均一であり、前記第1部分が形成される位置における前記自己組織化材料の膜厚は、前記自己組織化材料の分子量に対応した膜厚であることを特徴とするパターン形成方法。 - 前記自己組織化材料をスキージ塗布することを特徴とする請求項2に記載のパターン形成方法。
- 前記自己組織化材料の分子量に基づいて、前記スキージの移動速度、前記スキージの前記ガイド層に対する押し付け圧力、及び前記スキージの前記ガイド層からの高さのうち少なくともいずれか1つを調整することを特徴とする請求項3に記載のパターン形成方法。
- 前記ガイド層の凸部の側面には、直線部及び窪み部が交互に設けられ、
回転塗布された前記自己組織化材料は、前記窪み部において滞留することを特徴とする請求項2に記載のパターン形成方法。 - 前記窪み部の平面形状は半円形又は四角形であることを特徴とする請求項5に記載のパターン形成方法。
- 前記窪み部の平面形状は三角形であることを特徴とする請求項5に記載のパターン形成方法。
- 凹凸を有するガイド層を備えた基板上に、第1セグメント及び第2セグメントを有する自己組織化材料を塗布するノズルと、
前記自己組織化材料が塗布された前記基板の表面を擦り、前記ガイド層の凹部に前記自己組織化材料を埋め込むスキージと、
前記スキージを移動させる移動部と、
前記移動部を制御する制御部と、
を備え、
前記自己組織化材料は、前記ガイド層の凹部で相分離することにより、前記第1セグメントを含むシリンダー状又はスフィア状の第1部分と前記第2セグメントを含む第2部分とを有する自己組織化パターンを形成するものであり、
前記制御部は、前記第1部分が形成される位置における前記自己組織化材料の膜厚が前記自己組織化材料の分子量に対応した膜厚となるように、前記スキージの移動速度、前記スキージの前記基板に対する押し付け圧力、及び前記スキージの前記基板からの高さのうち少なくともいずれか1つを調整することを特徴とする塗布装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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