JP2014054002A - 駆動対象スイッチング素子の駆動装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体集積回路（ドライブＩＣ２０）を小型化すること。
【解決手段】スイッチング素子Ｓ￥＃のゲートは、高電圧側端子ＴＨ６を介してクランプ用スイッチング素子４０に接続されており、クランプ用スイッチング素子４０は、高電圧側端子ＴＨ４を介してスイッチング素子Ｓ￥＃のエミッタに接続されている。クランプ用スイッチング素子４０のゲート電圧は、オペアンプ４２によって、ゲート電圧Ｖｇｅが電源４６の端子電圧であるクランプ電圧以下となるように操作される。クランプ電圧Ｖｃは、調整用抵抗体６４の抵抗値によって指示される。抵抗値に応じた電流は、調整信号ａｉとして、フォトカプラ６６を介して低電圧領域から高電圧領域へと伝達される。
【選択図】 図２

Description

本発明は、駆動対象とするスイッチング素子である駆動対象スイッチング素子に接続される集積回路を備えた駆動対象スイッチング素子の駆動装置に関する。

たとえば下記特許文献１には、車載主機用インバータを構成するＩＧＢＴを駆動対象スイッチング素子とし、これを駆動する駆動回路に集積回路を備えるものも提案されている。この技術では、各ＩＧＢＴの操作信号を生成する制御装置から、フォトカプラを介して集積回路に操作信号を入力している。

特開２０１２−１６１１０号公報

ところで、フォトカプラ等を集積回路に対して外付けするよりも、これらをも集積回路に含めた方が、制御システム全体の小型化に寄与する可能性がある。ここで、フォトカプラのような絶縁通信手段をも集積回路に取り込むと、集積回路内でＩＧＢＴのゲートに接続される高電圧側領域と、操作信号が入力される低電圧側領域とを集積回路内において絶縁する必要が生じる。そして、この場合、駆動回路の様々な機能を満たす上で、高電圧側領域に接続される端子として要求される数が、低電圧側領域に接続される端子として要求される数よりも多くなる傾向がある。したがって、集積回路の冗長設計がなされることとなるなど、絶縁通信手段を集積回路に取り込むことで新たな不都合が生じることが見出された。

本発明は、上記課題を解決する過程でなされたものであり、その目的は、駆動対象とするスイッチング素子である駆動対象スイッチング素子に接続される集積回路を備えるものにあって、集積回路内に絶縁通信手段を備えた新たな駆動対象スイッチング素子の駆動装置を提供することにある。

以下、上記課題を解決するための手段、およびその作用効果について記載する。

請求項１記載の発明は、駆動対象とするスイッチング素子である駆動対象スイッチング素子について、その電流の流通経路を開閉すべく電子操作されて且つ開閉制御端子に接続される高電圧側領域と、該高電圧側領域に対して絶縁されて且つ、外部の制御装置から出力された前記駆動対象スイッチング素子の操作信号が入力される低電圧側領域とを備える単一の集積回路を備え、前記集積回路は、前記高電圧側領域に接続される高電圧側端子と、前記低電圧側領域に接続される低電圧側端子と、前記低電圧側領域および前記高電圧側領域間を絶縁しつつ前記低電圧側領域から前記高電圧側領域に電気信号を伝達させる絶縁通信手段と、を備え、前記低電圧側端子に接続されて且つ、前記高電圧側領域内の回路の動作を定める動作パラメータの調整情報を出力する出力手段と、前記調整情報に基づき、前記高電圧側領域内における動作パラメータを調整する調整手段と、を備え、前記出力手段から前記低電圧側端子に出力される前記調整情報が前記絶縁通信手段を介して前記高電圧側領域内の前記調整手段に伝達されるようにしたことを特徴とする。

上記発明では、出力手段による調整情報の出力対象を低電圧側端子とすることで、高電圧側端子の数を低減することができ、ひいては高電圧側端子と低電圧側端子との数の不均衡を抑制することができる。

なお、本発明にかかる以下の代表的な実施形態に関する概念の拡張については、代表的な実施形態の後の「その他の実施形態」の欄に記載してある。

第１の実施形態にかかるシステム構成図。 同実施形態にかかるドライブユニットの回路構成を示す回路図。 同実施形態にかかるソフト遮断処理の手順を示す流れ図。 同実施形態にかかるクランプ処理の手順を示す流れ図。 同実施形態にかかるクランプ電圧の調整処理の手順を示す流れ図。 同実施形態の効果を示す図。 第２の実施形態にかかる調整指令信号の出力処理の手順を示す流れ図。 第３の実施形態にかかるドライブユニットの回路構成を示す回路図。 同実施形態にかかる調整情報の異常診断処理の手順を示す流れ図。 第４の実施形態にかかるドライブユニットの回路構成を示す回路図。 第５の実施形態にかかるソフト遮断用閾値電圧の調整処理の手順を示す流れ図。 第６の実施形態にかかるドライブユニットの回路構成を示す回路図。 同実施形態にかかるゲート抵抗体の抵抗値の調整処理の手順を示す流れ図。

＜第１の実施形態＞
以下、本発明にかかる駆動対象スイッチング素子の駆動回路を車載主機に接続される電力変換回路に適用した第１の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。

図１に、本実施形態にかかる制御システムの全体構成を示す。モータジェネレータ１０は、車載主機であり、図示しない駆動輪に機械的に連結されている。モータジェネレータ１０は、インバータＩＮＶを介して高電圧バッテリ１２に接続されている。インバータＩＮＶは、スイッチング素子Ｓｕｐ，Ｓｕｎの直列接続体と、スイッチング素子Ｓｖｐ，Ｓｖｎの直列接続体と、スイッチング素子Ｓｗｐ，Ｓｗｎの直列接続体とを備えており、これら各直列接続体の接続点がモータジェネレータ１０のＵ，Ｖ，Ｗ相にそれぞれ接続されている。これらスイッチング素子Ｓ￥＃（￥＝ｕ，ｖ，ｗ；＃＝ｐ，ｎ）として、本実施形態では、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）が用いられている。そして、これらにはそれぞれ、ダイオードＤ￥＃が逆並列に接続されている。

制御装置１４は、低電圧バッテリ１６を電源とする制御装置である。制御装置１４は、モータジェネレータ１０を制御対象とし、その制御量を所望に制御すべく、インバータＩＮＶを操作する。詳しくは、インバータＩＮＶのスイッチング素子Ｓ￥＃を操作すべく、操作信号ｇ￥＃をドライブユニットＤＵに出力する。ここで、高電位側の操作信号ｇ￥ｐと、対応する低電位側の操作信号ｇ￥ｎとは、互いに相補的な信号となっている。換言すれば、高電位側のスイッチング素子Ｓ￥ｐと、対応する低電位側のスイッチング素子Ｓ￥ｎとは、交互にオン状態とされる。なお、制御装置１４は、本実施形態において、制御手段を構成する。

図２に、上記ドライブユニットＤＵの構成を示す。

図示されるように、ドライブユニットＤＵは、１チップ化された半導体集積回路であるドライブＩＣ２０を備えている。ドライブＩＣ２０は、端子電圧Ｖｏｍを有する直流電圧源２２を備え、直流電圧源２２の端子は、高電圧側端子ＴＨ１、定電流源２４、充電用スイッチング素子２６、高電圧側端子ＴＨ２を介してスイッチング素子Ｓ￥＃の開閉制御端子（ゲート）に接続されている。

一方、スイッチング素子Ｓ￥＃のゲートは、ゲート抵抗体２８、高電圧側端子ＴＨ３、放電用スイッチング素子３０を介して高電圧側端子ＴＨ４に接続されている。そして、高電圧側端子ＴＨ４は、スイッチング素子Ｓ￥＃の流通経路（エミッタおよびコレクタ間）の一方の端部である基準端部（エミッタ）に接続されている。

上記充電用スイッチング素子２６および放電用スイッチング素子３０は、ドライブＩＣ２０内の駆動制御部３２によって操作される。すなわち、駆動制御部３２では、上記操作信号ｇ￥＃に基づき、充電用スイッチング素子２６と放電用スイッチング素子３０とを交互にオン・オフすることでスイッチング素子Ｓ￥＃を駆動する。詳しくは、操作信号ｇ￥＃がオン操作指令となることで、放電用スイッチング素子３０をオフして且つ充電用スイッチング素子２６をオンする。一方、操作信号ｇ￥＃がオフ操作指令となることで、充電用スイッチング素子２６をオフして且つ放電用スイッチング素子３０をオンする。

ここで、先の図１に示した制御装置１４から出力された操作信号ｇ￥＃は、フォトカプラ３４を介して駆動制御部３２に入力される。これは、本実施形態において、高電圧バッテリ１２を備える高電圧システムと、制御装置１４を備える低電圧システムとが絶縁されているための設定である。このため、ドライブＩＣ２０は、低電圧システムを構成する低電圧側領域と高電圧システムを構成する高電圧領域とを備えている。これら２つの領域を絶縁しつつ、操作信号ｇ￥＃を低電圧側領域から高電圧側領域に伝達させるべく、絶縁通信手段としてのフォトカプラ３４が用いられる。ここで、フォトカプラ３４は、その１次側であるフォトダイオードのアノードおよびカソードのそれぞれに低電圧側端子ＴＬ１，ＴＬ２が接続されている。また、２次側であるフォトトランジスタのコレクタは、直流電圧源２２に接続され、エミッタは、抵抗体３６を介してスイッチング素子Ｓ￥＃のエミッタと同電位とされる。こうした構成によれば、抵抗体３６の電圧降下量を、操作信号ｇ￥＃に応じた論理信号として駆動制御部３２に取り込むことができる。

上記高電圧側端子ＴＨ３は、ソフト遮断用抵抗体４８およびソフト遮断用スイッチング素子５０を介して高電圧側端子ＴＨ４に接続されている。

また、スイッチング素子Ｓ￥＃のゲートは、高電圧側端子ＴＨ６に接続されており、高電圧側端子ＴＨ６は、NチャネルMOS電界効果トランジスタ（クランプ用スイッチング素子４０）を介して高電圧側端子ＴＨ４に接続されている。クランプ用スイッチング素子４０のゲートには、オペアンプ４２の出力電圧が印加され、オペアンプ４２の反転入力端子には、電源４６のクランプ電圧Ｖｃが印加され、非反転入力端子には、高電圧側端子ＴＨ６を介してスイッチング素子Ｓ￥＃のゲート電圧Ｖｇｅが印加される。ここで、オペアンプ４２に対する直流電圧源２２による給電は、電源用スイッチング素子４４によってオン・オフされる。なお、クランプ用スイッチング素子４０、オペアンプ４２、電源用スイッチング素子４４、および電源４６は、本実施形態において、制限手段を構成する。

一方、上記スイッチング素子Ｓ￥＃は、その流通経路（エミッタおよびコレクタ間）に流れる電流（コレクタ電流）と相関を有する微少電流を出力するセンス端子Ｓｔを備えている。そして、センス端子Ｓｔは、センス抵抗体３８を介してエミッタに電気的に接続されている。これにより、センス端子Ｓｔから出力される電流によってセンス抵抗体３８に電圧降下が生じるため、センス抵抗体３８による電圧降下量（センス電圧Ｖｓｅ）を、スイッチング素子Ｓ￥＃の流通経路を流れる電流と相関を有する電気的な状態量とすることができる。

上記センス電圧Ｖｓｅは、高電圧側端子ＴＨ５を介して、駆動制御部３２に取り込まれる。駆動制御部３２では、センス電圧Ｖｓｅに基づき、電源用スイッチング素子４４やソフト遮断用スイッチング素子５０を操作する。以下、これについて説明する。

図３に、上記センス電圧Ｖｓｅに基づき行われる処理のうち、特に、スイッチング素子Ｓ￥＃に流れる電流を遮断する処理の手順を示す。

この一連の処理では、まずステップＳ１０において、操作信号ｇ￥＃がオン操作指令であるか否かを判断する。そしてオン操作指令であると判断される場合、ステップＳ１２において、センス電圧Ｖｓｅがソフト遮断用閾値電圧Ｖｓｆｔ以上であるか否かを判断する。この処理は、スイッチング素子Ｓ￥＃に異常に大きい電流が流れているか否かを判断するためのものである。ソフト遮断用閾値電圧Ｖｓｆｔは、スイッチング素子Ｓ￥＃の通常駆動時において流れる電流の最大値よりも大きい電流に対応する値に設定されている。なお、ステップＳ１２の処理は、本実施形態において判断手段を構成する。

そして、ステップＳ１２において肯定判断される場合、ステップＳ１４において、ステップＳ１２において肯定判断されている時間を計時するカウンタＴ１がソフト遮断用閾値時間Ｔｓｆｔ以上であるか否かを判断する。この処理は、スイッチング素子Ｓ￥＃を強制的にオフ操作する条件が成立したか否かを判断するためのものである。ここで、ソフト遮断用閾値時間Ｔｓｆｔは、ノイズによって上記条件が成立したと誤判断することを回避することができる値に設定される。

ステップＳ１４において否定判断される場合、ステップＳ１６において、カウンタＴ１をインクリメントする。また、上記ステップＳ１２においてセンス電圧Ｖｓｅがソフト遮断用閾値電圧Ｖｓｆｔ未満であると判断される場合、ステップＳ２０において、カウンタＴ１を初期化する。ステップＳ１６，Ｓ２０の処理が完了する場合、ステップＳ１０に戻る。

これに対し、ステップＳ１４において肯定判断される場合、ステップＳ１８において、ソフト遮断用スイッチング素子５０をオン操作し、充電用スイッチング素子２６をオフ操作する。また、駆動制御部３２から制御装置１４にフェール信号ＦＬを出力する。これは、先の図２に示すフォトカプラ５２を介して行われる。

すなわち、フォトカプラ５２の１次側（フォトダイオード）のアノードは、スイッチング素子５４を介して直流電圧源２２に接続されており、カソードは、抵抗体によってスイッチング素子Ｓ￥＃のエミッタ電位にプルダウンされる。これにより、フェール信号ＦＬを出力すべくスイッチング素子５４がオン操作されることで、フォトカプラ５２がオン状態となり、２次側（フォトトランジスタ）に接続される低電圧側端子ＴＬ３，ＴＬ４を介してフェール信号ＦＬが制御装置１４に出力される。

なお、ステップＳ１８の処理が完了する場合や、ステップＳ１０において否定判断される場合には、この一連の処理を一旦終了する。

図４に、上記センス電圧Ｖｓｅに基づき行われる処理のうち、特に、スイッチング素子Ｓ￥＃に電流が流れることを許容しつつも、その電流量を制限すべく、ゲート電圧Ｖｇｅの大きさを制限する制限処理の手順を示す。

この一連の処理では、まずステップＳ３０において、操作信号ｇ￥＃がオフ操作指令からオン操作指令に切り替った時点であるか否かを判断する。そして切り替った時点であると判断される場合、ステップＳ３２において、切り替った時点からの時間を計時するカウンタＴ２がクランプ時間Ｔｃｍｐ以下であるか否かを判断する。この処理は、スイッチング素子Ｓ￥＃のオン状態への切り替え初期において、スイッチング素子Ｓ￥＃に急激に大きい電流が流れる事態を回避すべく、ゲート電圧Ｖｇｅをクランプ電圧Ｖｃでガード処理する期間であるか否かを判断するためのものである。クランプ時間Ｔｃｍｐは、正常時において、ゲート電圧Ｖｇｅが上記クランプ電圧Ｖｃまで上昇するのに要する時間程度に設定される。

ステップＳ３２において否定判断される場合、ステップＳ３６において、センス電圧Ｖｓｅがクランプ用閾値電圧Ｖｃｍｐ（＞Ｖｓｆｔ）以上であるか否かを判断する。この処理は、スイッチング素子Ｓ￥＃に流れる電流が過度に大きくなったか否かを判断するためのものである。ここで、クランプ用閾値電圧Ｖｃｍｐの値は、上側アームのスイッチング素子Ｓ￥ｐと下側アームのスイッチング素子Ｓ￥ｎとの双方がオン状態となることでそれらに流れる短絡電流を検出することを狙って設定される。

ステップＳ３２において肯定判断される場合や、ステップＳ３６において肯定判断される場合には、ステップＳ３４において、電源用スイッチング素子４４をオン操作する。これにより、スイッチング素子Ｓ￥＃のゲート電圧Ｖｇｅは、クランプ電圧Ｖｃ以下に制限される。

そして、ステップＳ３４の処理が完了する場合や、ステップＳ３６において否定判断される場合には、ステップＳ３８において、カウンタＴ２をインクリメントする。続くステップＳ４０においては、操作信号ｇ￥＃がオン操作指令からオフ操作指令に切り替ったか否かを判断する。そしてステップＳ４０において否定判断される場合、ステップＳ３２の処理に戻る。これに対し、ステップＳ４０において肯定判断される場合、ステップＳ４２においてカウンタＴ２を初期化する。

なお、ステップＳ４２の処理が完了する場合や、ステップＳ３０において否定判断される場合には、この一連の処理を一旦終了する。

上記フェール信号ＦＬは、スイッチング素子Ｓ￥＃に過度に大きい電流が流れる場合に加えて、スイッチング素子Ｓ￥＃の温度Ｔｊが過度に高い場合にも出力される。すなわち、先の図２に示すように、スイッチング素子Ｓ￥＃付近には、その温度を感知する感温ダイオードＳＤが設けられている。感温ダイオードＳＤのカソードは、高電圧側端子ＴＨ８を介してスイッチング素子Ｓ￥＃のエミッタと同電位とされる。これに対し、感温ダイオードＳＤのアノードは、高電圧側端子ＴＨ７を介して定電流源５６に接続されている。そして、駆動制御部３２では、感温ダイオードＳＤの順方向の電圧降下量を、スイッチング素子Ｓ￥＃の温度の検出信号として取り込む。これは、感温ダイオードＳＤに流す電流が一定である場合、電圧降下量と温度との間に１対１の対応関係があることに鑑みたものである。駆動制御部３２では、電圧降下量から把握されるスイッチング素子Ｓ￥＃の温度Ｔｊが過度に高い場合、フォトカプラ５２を介して制御装置１４にフェール信号ＦＬを出力する。

ところで、ドライブＩＣ２０の低電圧側領域と制御装置１４等を結ぶ通信線は、操作信号ｇ￥＃の伝送経路や、フェール信号ＦＬの伝送経路というように限られたものとなっている。これに対し、ドライブＩＣ２０の高電圧側領域と外部とを接続する電気経路は多くなりやすい。これは、ドライブユニットＤＵが、高電圧側システム内の電子部品を駆動するものであることが１つの理由であるが、高精度化したり汎用性を持たせたりすることを狙う場合には、こうした事情がより顕著に現れる。

すなわちたとえば、スイッチング素子Ｓ￥＃がオン状態からオフ状態に切り替る速度を高精度に制御する上では、ゲート抵抗体２８の抵抗値を高精度に定める必要が生じる。ここで、ドライブＩＣ２０内に抵抗体の抵抗値を高精度に設定することは、ドライブＩＣ２０の外部の抵抗体の抵抗値を高精度に設定することよりも困難となりやすい。また、スイッチング素子Ｓ￥＃の仕様にかかわらず、同一のドライブＩＣ２０を用いる場合、放電速度を調整するうえでは、ゲート抵抗体２８はドライブＩＣ２０に対して外付けすることが望ましくなる。一方、本実施形態のように、ゲート抵抗体２８等を外部に設ける場合、充電用の高電圧側端子ＴＨ２と放電用の高電圧側端子ＴＨ３とを各別に備える必要が生じる。

スイッチング素子Ｓ￥＃に汎用性を持たせる上では、さらに、クランプ電圧Ｖｃ自体も調整対象となり得る。これは、スイッチング素子Ｓ￥＃の定格電流が仕様によって相違することや、スイッチング素子Ｓ￥＃のゲート電圧Ｖｇｅとコレクタ電流Ｉｃの最大値との関係が仕様によって相違することなどのためである。ここで、クランプ電圧Ｖｃの値を指示する情報（調整情報）は、高電圧側領域に伝達する必要がある。ただし、調整情報をドライブＩＣ２０の高電圧側端子ＴＨｉ（ｉ＝１，２，３，…）から入力したのでは、高電圧側端子ＴＨｉの数が増大し、ひいては、ドライブＩＣ２０の設計が冗長となり、ひいてはドライブＩＣ２０が大型化するおそれがある。これは、高電圧側端子ＴＨｉと低電圧側端子ＴＬｉ（ｉ＝１，２，３，…）とは互いに絶縁する必要があるため、それらを同一の辺に設けることが困難なためである。このため、ドライブＩＣ２０の冗長さを抑制し、ドライブＩＣ２０を極力小型化するうえでは、高電圧側端子ＴＨｉの数と低電圧側端子ＴＬｉの数との差を低減することが望ましい。

そこで本実施形態では、クランプ電圧Ｖｃの調整情報を、低電圧側端子ＴＬ５，ＴＬ６を介して取り込み、フォトカプラ６６を用いて高電圧側領域（駆動制御部３２）に伝達させる。すなわち、低電圧側電源６０は、調整用スイッチング素子６２、調整用抵抗体６４、および低電圧側端子ＴＬ５を介してフォトカプラ６６のフォトダイオードのアノードに接続されている。また、フォトダイオードのカソードは、低電圧側端子ＴＬ６を介して低電圧側の基準電位（車体電位）とされている。一方、フォトカプラ６６の２次側（フォトトランジスタ）のコレクタには、直流電圧源２２が接続されており、エミッタは、抵抗体６８を介してスイッチング素子Ｓ￥＃のエミッタと同電位とされている。これにより、フォトトランジスタに流れる電流は、フォトダイオードに流れる電流に応じて変化するものとなる。このため、フォトダイオードに流れる電流を操作することで、フォトトランジスタに流れる電流を、クランプ電圧Ｖｃの調整信号ａｉとして駆動制御部３２に伝達することができる。このため、図に模式的に示すように、レーザによって調整用抵抗体６４における電流の流路面積を調整することで、調整信号ａｉに重畳された調整情報を加工することが可能となる。

このため、制御装置１４が調整用スイッチング素子６２を調整指令信号ａｓによってオン状態とする都度、クランプ電圧Ｖｃを、調整用抵抗体６４によって表現されたものとするための調整信号ａｉを高電圧側領域に伝達することができる。本実施形態では、インバータＩＮＶを起動する都度、調整信号ａｉを高電圧側領域に伝達すべく、調整指令信号ａｓを制御装置１４から出力する。なお、本実施形態において、クランプ電圧Ｖｃは、高電圧側領域内の回路（クランプ用スイッチング素子４０等を備える回路）の動作を定めて且つ、調整対象となる動作パラメータである。また、本実施形態において、調整用抵抗体６４は、動作パラメータの調整情報を出力する出力手段を構成する。

図５に、本実施形態にかかるクランプ電圧の調整処理の手順を示す。この処理は、駆動制御部３２によって実行される。なお、この処理は、本実施形態における調整手段の処理である。すなわち、本実施形態では、駆動制御部３２が、調整手段を構成する。

この一連の処理では、まずステップＳ５０において、ドライブＩＣ２０の電源がオン状態となったか否かを判断する。すなわち、ドライブＩＣ２０に直流電圧源２２の電力が供給される状態に切り替ったか否かを判断する。この処理は、たとえば、直流電圧源２２が低電圧バッテリ１６等を電源とするフライバックコンバータを備えて構成されるものであるなら、フライバックコンバータが駆動されることで、ドライブＩＣ２０に電力の供給が開始されたか否かの判断となる。

そしてステップＳ５０において肯定判断される場合、ステップＳ５２において、調整信号ａｉが入力されたか否かを判断する。この処理は、制御装置１４によって調整指令信号ａｓが出力され、調整情報が正常に入力されたか否かを確認するためのものである。そして、入力されたと判断される場合、ステップＳ５４において、調整信号ａｉに基づき、クランプ電圧Ｖｃを調整する。詳しくは、たとえば、調整信号ａｉの電流量の大きさに応じてクランプ電圧Ｖｃを調整する。これに対し、ステップＳ５２において否定判断される場合、ステップＳ５６において、クランプ電圧Ｖｃをデフォルト値Ｖｃ０とする。デフォルト値Ｖｃ０は、先の図２に示した記憶手段（メモリ７０）に記憶されたものである。メモリ７０は、ＲＯＭ等、不揮発性メモリである。

なお、ステップＳ５４，Ｓ５６の処理が完了する場合や、ステップＳ５０において否定判断される場合には、この一連の処理を一旦終了する。

図６（ａ）に、本実施形態の効果を示し、図６（ｂ）に比較例を示す。

図示されるように、本実施形態では、調整用抵抗体６４を低電圧側端子ＴＬ５，ＴＬ６に接続することで、高電圧側端子ＴＨｉの数が増大することを極力抑制した。このため、ドライブＩＣ２０の高電圧側端子ＴＨｉと低電圧側端子ＴＬｉとのそれぞれが形成される辺の長さを極力短くすることができ、ひいてはドライブＩＣ２０を極力小型化することができる。

これに対し、調整用抵抗体６４を高電圧側領域に接続する図６（ｂ）の場合、ドライブＩＣ２０が大型化し、また、半導体基板ＳＳの高電圧側領域ＨＶＣＡの面積が大きくなる。このため、低電圧側領域ＬＶＣＡの面積が小さくなり、ひいてはレイアウト上の制約が大きくなる。なお、高電圧側領域ＨＶＣＡと低電圧側領域ＬＶＣＡとの間や、高電圧側領域ＨＶＣＡ同士の間には、絶縁領域ＩＡを設ける必要があるため、高電圧側領域ＨＶＣＡが拡大することで、絶縁領域ＩＡの面積が大きくなり、ひいては低電圧側領域ＬＶＣＡの面積が低減しやすい。

以上説明した本実施形態によれば、以下の効果が得られる。

（１）ドライブＩＣ２０の高電圧側領域内の回路の動作パラメータの調整情報を、低電圧側端子ＴＬｉから入力するようにした。これにより、ドライブＩＣ２０において有効に利用されている高電圧側端子ＴＨｉの数と有効に利用されている低電圧側端子ＴＬｉの数との差を低減することができ、ひいてはドライブＩＣ２０を小型化することができる。

（２）動作パラメータの調整情報を出力する出力手段（調整用抵抗体６４）を、制御装置１４とは別のハードウェア手段とした。これにより、動作パラメータの調整情報を、制御装置１４が存在しない時点であっても、保持することができる。このため、調整情報の生成工程をどのタイミングにおいて設けるかについて自由度が向上する。

（３）高電圧側領域に電源が投入される都度、調整信号ａｉが高電圧側領域に伝達されるようにした。これにより、調整情報の信頼性を向上することができる。また、高電圧側領域に、給電の有無にかかわらずデータを保持する電気的書き換え可能な不揮発性メモリ等を備える必要も生じない。

（４）調整信号ａｉが入力されないと判断される場合、デフォルト値Ｖｃ０をクランプ電圧Ｖｃとした。これにより、調整信号ａｉの入力の有無にかかわらず、クランプ電圧Ｖｃによるガード処理を実行することができる。

（５）調整信号ａｉを伝達するための絶縁通信手段を、調整信号ａｉの伝達用の専用の手段（フォトカプラ６６）とした。これにより、他の信号線に影響を与えることなく調整信号ａｉを伝達することができる。
＜第２の実施形態＞
以下、第２の実施形態について、先の第１の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。

本実施形態では、ドライブユニットＤＵに電力が供給されている期間において、所定周期で調整信号ａｉを伝達させる。

図７に、本実施形態にかかる調整信号ａｉの伝達処理の手順を示す。この処理は、制御装置１４によって、たとえば所定周期でくり返し実行される。

この一連の処理では、まずステップＳ６０において、ドライブユニットＤＵの電源が投入されている状態か否かを判断する。そして投入されている状態であると判断される場合、ステップＳ６２において、調整信号ａｉが駆動制御部３２に伝達されてからの経過時間を計時するカウンタＴａをインクリメントする。続くステップＳ６４においては、カウンタＴａが閾値時間Ｔａｔｈ以上であるか否かを判断する。この処理は、調整信号ａｉを伝達するタイミングであるか否かを判断するものである。そして、ステップＳ６４において肯定判断される場合、ステップＳ６６において、調整指令信号ａｓを用いてスイッチング素子６２をオン操作し、カウンタＴａを初期化する。

なお、ステップＳ６６の処理が完了する場合や、ステップＳ６０，Ｓ６４において否定判断される場合には、この一連の処理を一旦終了する。

ちなみに、駆動制御部３２では、先の図５に示した処理のうち、ステップＳ５０の処理を変更した処理を実行することで、クランプ電圧Ｖｃを調整すればよい。これはたとえば、クランプ電圧Ｖｃを調整したタイミングからの経過時間を計時するカウンタを備え、ステップＳ５０の処理を、カウンタの値が閾値時間Ｔａｔｈ以上となるか否かを判断する処理に代えることで行うことができる。
＜第３の実施形態＞
以下、第３の実施形態について、先の第１の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。

本実施形態では、制御装置１４において、ドライブＩＣ２０が正しい調整情報を取得したか否かを判断する。

図８に、本実施形態にかかるドライブユニットＤＵの構成を示す。なお、図８において、先の図２に示した部材に対応するものについては、便宜上同一の符号を付している。

図示されるように、調整用抵抗体６４を流れる電流信号は、調整信号ａｉＬとして、低電圧側端子ＴＬ５に入力される。そして、調整信号ａｉＬは、フォトカプラ６６を介して駆動制御部３２に入力される。これに対し、駆動制御部３２では、調整信号ａｉＬの受信結果に応じた信号を調整信号ａｉＨとして、フォトカプラ７２を介して制御装置１４に出力する。ここで、フォトカプラ７２は、その１次側であるフォトダイオードに駆動制御部３２からの調整信号ａｉＨが入力可能であり、２次側が低電圧側端子ＴＬ７，ＴＬ８に接続されている。

図９に、調整信号ａｉＨの受信に関し制御装置１４が行う処理の手順を示す。この処理は、たとえば所定周期でくり返し実行される。

この一連の処理では、まずステップＳ７０において、調整指令信号ａｓを出力した後、所定時間が経過したか否かを判断する。この処理は、調整信号ａｉＬの伝達処理が正常になされているなら調整信号ａｉＨの受信が完了すると想定される時間の経過の有無を判断するためのものである。ここで所定時間は、調整信号ａｉＬの伝達処理が正常になされているなら調整信号ａｉＨが受信されると想定される時間に設定される。ステップＳ７０において肯定判断される場合、ステップＳ７２において、調整信号ａｉＨを受信したか否かを判断する。

そしてステップＳ７２において肯定判断される場合、ステップＳ７４において、調整信号ａｉＬによって伝達されたクランプ電圧Ｖｃの値ｆ（ａｉＬ）と、調整信号ａｉＨに重畳された情報であるクランプ電圧Ｖｃの値ｆ（ａｉＨ）との差の絶対値が規定値Δａｉ以下であるか否かを判断する。この処理は、ドライブＩＣ２０の高電圧領域（駆動制御部３２）に、クランプ電圧Ｖｃについての正しい調整情報が伝達されたか否かを判断するためのものである。なお、値ｆ（ａｉＬ）は、制御装置１４に調整信号ａｉＬを受信する機能を搭載することで制御装置１４によって算出可能である。

ステップＳ７４において肯定判断される場合、ステップＳ７６において調整情報の伝達が正常である旨判断する。これに対し、ステップＳ７２，Ｓ７４において否定判断される場合、ステップＳ７８において、調整情報の伝達に異常があると判断し、調整指令信号ａｓを再度出力することで、調整信号ａｉＬを再度出力する。

なお、ステップＳ７６，Ｓ７８の処理が完了する場合や、ステップＳ７０において否定判断される場合には、この一連の処理を一旦終了する。

以上説明した本実施形態によれば、先の第１の実施形態の上記（１）〜（５）の効果に加えて、さらに以下の効果が得られる。

（６）高電圧側領域において受信された調整情報の内容を調整信号ａｉＨとして出力することで、制御装置１４に調整情報の受信内容を通知ことを可能とした。これにより、制御装置１４において、ドライブＩＣ２０が正しい調整情報を受信しているか否かを監視することができる。
＜第４の実施形態＞
以下、第４の実施形態について、先の第３の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。

本実施形態では、調整信号ａｉＬを高電圧側領域に伝達させるための絶縁通信手段として、フォトカプラ３４を流用し、調整信号ａｉＨを低電圧側領域に伝達させるための絶縁通信手段として、フォトカプラ５２を流用する。

図１０に、本実施形態にかかるドライブユニットＤＵの構成を示す。なお、図１０において、先の図２に示した部材に対応するものについては、便宜上同一の符号を付している。

図示されるように、フォトカプラ３４のフォトダイオードのアノードは、切替回路８０によって、操作信号ｇ￥＃が入力される低電圧側端子ＴＬ１と、調整用抵抗体６４に接続される低電圧側端子ＴＬ５とのいずれか一方に接続される。切替回路８０は、低電圧側端子ＴＬ７を介して入力される操作信号ｍに基づき操作される。これにより、切替回路８０によって低電圧側端子ＴＬ１が選択される場合には、フォトカプラ３４を介して操作信号ｇ￥＃が低電圧側領域から高電圧側領域に伝達される。これに対し、切替回路８０によって低電圧側端子ＴＬ５が選択される場合には、フォトカプラ３４を介して調整信号ａｉＬが低電圧側領域から高電圧側領域に伝達される。

また、フォトカプラ５２のフォトダイオードのアノードは、切替回路８４によって、駆動制御部３２が調整信号ａｉＨを出力する端子と、直流電圧源２２とのいずれか一方に接続される。これにより、切替回路８４によって直流電圧源２２が選択される場合には、フォトカプラ５２によってフェール信号ＦＬが高電圧側領域から低電圧側領域に伝達される。これに対し、切替回路８２によって調整信号ａｉＨを出力する端子が選択される場合、フォトカプラ５２によって調整信号ａｉＨが高電圧側領域から低電圧側領域に伝達される。なお、フェール信号ＦＬを出力する状況にない正常時であって且つ調整信号ａｉＨを出力するタイミング以外の場合、フォトカプラ５２のフォトダイオードをいずれにも接続しない状態としてもよく、また、調整信号ａｉＨを出力する端子をハイインピーダンスとして且つ、これにフォトダイオードを接続してもよい。

以上説明した本実施形態によれば、先の第１の実施形態の上記（１）〜（４）の効果や、第２の実施形態の上記（６）の効果に加えて、さらに以下の効果が得られる。

（７）調整信号ａｉＬを低電圧側領域から高電圧側領域に伝達させるために用いる絶縁通信手段として、操作信号ｇ￥＃を伝達するためのフォトカプラ３４を流用した。これにより部品点数の増加を抑制することができる。また、調整信号ａｉＬの伝達タイミングを、スイッチング素子Ｓ￥＃の駆動前とすることで、操作信号ｇ￥＃の伝達に制約を生じさせることもない。

（８）調整信号ａｉＨを高電圧側領域から低電圧側領域に伝達させるための絶縁通信手段として、フェール信号ＦＬを伝達させるためのフォトカプラ５２を流用した。これにより部品点数の増加を抑制することができる。また、調整信号ａｉＨの伝達タイミングを、スイッチング素子Ｓ￥＃の駆動前とすることで、フェール信号ＦＬの伝達に制約を生じさせることもない。
＜第５の実施形態＞
以下、第５の実施形態について、先の第１の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。

本実施形態では、調整対象となる動作パラメータを、ソフト遮断用閾値電圧Ｖｓｆｔとする。

図１１に、本実施形態にかかるソフト遮断用閾値電圧Ｖｓｆｔの調整処理の手順を示す。この処理は、駆動制御部３２によって実行される。なお、図１１において、先の図５に示した処理に対応するものについては、便宜上同一のステップ番号を付している。

この一連の処理では、ステップＳ５２において肯定判断される場合、ステップＳ５４ａにおいて、調整信号ａｉに基づき、ソフト遮断用閾値電圧Ｖｓｆｔを調整する。これに対し、ステップＳ５２において否定判断される場合、ステップＳ５６ａにおいて、ソフト遮断用閾値電圧Ｖｓｆｔを、先の図２に示したメモリ７０に記憶されたデフォルト値Ｖｓｆｔ０とする。
＜第６の実施形態＞
以下、第６の実施形態について、先の第１の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。

図１２に、本実施形態にかかるドライブユニットＤＵの構成を示す。なお、図１２において、先の図２に示した部材に対応するものについては、便宜上同一の符号を付している。

図示されるように、本実施形態では、スイッチング素子Ｓ￥＃のゲートは、高電圧側端子ＴＨ２、ゲート抵抗体２７および充電用スイッチング素子２６を介して高電圧側端子ＴＨ１に接続され、また、高電圧側端子ＴＨ２、ゲート抵抗体２８ａおよび放電用スイッチング素子３０を介して端子ＴＨ４に接続される。このように、本実施形態では、スイッチング素子Ｓ￥＃をオン状態とするための電荷の充電用のゲート抵抗体２７と、放電用のゲート抵抗体２８ａとを、ドライブＩＣ２０に内蔵することで、これらのそれぞれを備える充電経路と放電経路とで単一の高電圧側端子ＴＨ２を共有する。

そして、これらゲート抵抗体２７，２８ａを可変抵抗として且つ、それらの抵抗値を、調整信号ａｉ１，ａｉ２のそれぞれによって調整する。ここで、調整信号ａｉ１は、調整用抵抗体６４を流れる電流信号によって生成され、フォトカプラ６６によって伝達される。一方、調整信号ａｉ２は、調整用抵抗体９４を流れる電流信号によって生成され、フォトカプラ９０によって伝達される。すなわち、低電圧側電源６０は、スイッチング素子９２、調整用抵抗体９４、低電圧側端子ＴＬ７，フォトカプラ９０のフォトダイオード、および低電圧側端子ＴＬ８を介して車体電位とされる。また、フォトカプラ９０のフォトトランジスタのコレクタは、直流電圧源２２に接続され、エミッタは、抵抗体９６を介してスイッチング素子Ｓ￥＃のエミッタに接続される。そして、フォトトランジスタを流れる電流信号が調整信号ａｉ２として駆動制御部３２に取り込まれる。

ちなみに、本実施形態では、クランプ電圧Ｖｃは、直流電圧源２２の端子電圧が抵抗体１００，１０２によって分圧されることで生成された高電圧側端子ＴＨ９の印加電圧とされる。

図１３に、本実施形態にかかるゲート抵抗体２７，２８ａの抵抗値Ｒｃ，Ｒｄの調整処理の手順を示す。この処理は、駆動制御部３２によって実行される。

この一連の処理では、まずステップＳ８０において、ドライブＩＣ２０の電源がオン状態となったか否かを判断する。この処理は、先の図５のステップＳ５０の処理と同趣旨のものである。

ステップＳ８０において肯定判断される場合、ステップＳ８２において、調整信号ａｉ１が入力されたか否かを判断する。この処理は、制御装置１４によって調整指令信号ａｓが出力され、ゲート抵抗体２７の抵抗値Ｒｃに関する調整情報が正常に入力されたか否かを確認するためのものである。そして、入力されたと判断される場合、ステップＳ８４において、調整信号ａｉ１に基づき、抵抗値Ｒｃを調整する。これに対し、ステップＳ８２において否定判断される場合、ステップＳ８６において、抵抗値Ｒｃを、先の図２に示したメモリ７０に記憶されたデフォルト値Ｒｃ０とする。

ステップＳ８４，Ｓ８６の処理が完了する場合、ステップＳ８８に移行する。ステップＳ８８においては、調整信号ａｉ２が入力されたか否かを判断する。この処理は、制御装置１４によって調整指令信号ａｓが出力され、ゲート抵抗体２８ａの抵抗値Ｒｄに関する調整情報が正常に入力されたか否かを確認するためのものである。そして、入力されたと判断される場合、ステップＳ９０において、調整信号ａｉ２に基づき、抵抗値Ｒｄを調整する。これに対し、ステップＳ８８において否定判断される場合、ステップＳ９２において、抵抗値Ｒｄを、先の図２に示したメモリ７０に記憶されたデフォルト値Ｒｄ０とする。

なお、ステップＳ９０，Ｓ９２の処理が完了する場合や、ステップＳ８０において否定判断される場合には、この一連の処理を一旦終了する。

以上説明した本実施形態によれば、先の第１の実施形態に準じた効果に加えて、さらに以下の効果が得られるようになる。

（９）スイッチング素子Ｓ￥＃をオン状態とするための電荷をゲートに充電するためのゲート抵抗体２７、および放電するためのゲート抵抗体２８ａを、ドライブＩＣ２０内に搭載し、それらの抵抗値を調整可能な機能を搭載した。これにより、上記電荷の充電経路と放電経路とで、高電圧側端子ＴＨ２を共有することができ、ひいては高電圧側端子ＴＨｉの数を低減することができる。
＜その他の実施形態＞
なお、上記各実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。

「調整情報の伝達手法について」
調整信号ａｉ，ａｉ１，ａｉ２を電流値に調整情報を重畳した信号とするものに限らない。たとえば、低電圧側電源６０の端子電圧を２つの抵抗体によって分圧した分圧値がＰＷＭ処理された２値信号であってもよい。この場合、論理Ｈおよび論理Ｌの一周期に対する論理Ｈの時間の時比率が調整情報を表現する。

またたとえば、フォトカプラとして、発光ダイオードの発光量に応じて抵抗値を変化させるものを用い、調整情報を抵抗値として高電圧側領域に伝達させるものであってもよい。

「絶縁通信手段について」
フォトカプラとしては、２次側がフォトトランジスタのみから構成されるものに限らず、受光ダイオードを備えるものであってもよい。また、「調整情報の伝達手法について」の欄に記載したものであってもよい。

また、光絶縁素子に限らず、たとえば、フライングキャパシタであってもよい。この場合、調整手段をコンデンサを備えて構成するなら、フライングキャパシタの印加電圧をコンデンサの充電電圧とすることができ、ひいては、コンデンサの充電電圧の大きさを調整情報として利用することができる。

「出力手段について」
「調整情報の伝達手法について」の欄に記載したように、ＰＷＭ信号をドライブＩＣ２０に出力するものであってもよい。

制御装置１４に対して外付けされた部材とする代わりに、制御装置１４によって構成してもよい。

「調整手段について」
たとえば、「調整情報の伝達手法について」の欄に記載したようにＰＷＭ信号によって調整情報を伝達する場合、周波数電圧変換回路等、時比率から調整情報を復調する手段を備えて調製手段を構成すればよい。

「動作パラメータについて」
ａ）数について
上記第１の実施形態において、たとえばクランプ電圧Ｖｃおよびソフト遮断用閾値電圧Ｖｓｆｔの２つを動作パラメータとしてもよい。上記各実施形態では、低電圧側領域から高電圧側領域へと調整情報を伝達させる動作パラメータが１つまたは２つである例を示したが、これに限らない。数が多いほど、本発明を適用しないことで高電圧側端子ＴＨｉの数が増加しやすいため、本発明の適用がいっそう有効である。

ｂ）種類について
たとえばアクティブゲート制御を行うためのコレクタ電流Ｉｃやゲート電圧Ｖｇｅの閾値を動作パラメータとしてもよい。すなわちたとえば、放電用抵抗体および放電用スイッチング素子の直列接続体を２個備えて且つ、スイッチング素子Ｓ￥＃をオフ操作するに際して、放電用スイッチング素子を２つオンするか、１つオンするかをセンス電圧Ｖｓｅの値と閾値との大小比較に基づき定めるものにおいて、閾値を動作パラメータとしてもよい。

「制限手段について」
先の図２等に示したものに限らない。たとえば１または複数のダイオードとクランプ用スイッチング素子との直列接続体を複数備えるものであってもよい。この場合、ダイオードの順方向電圧降下に応じてクランプ電圧が定まる。このため、調整情報に基づき、いくつのダイオードに直列接続されたクランプ用スイッチング素子をオン操作するかを決定することで、クランプ電圧を調整することができる。

「駆動対象スイッチング素子について」
ＩＧＢＴに限らない。たとえばＭＯＳ電界効果トランジスタであってもよい。ここで、Ｎチャネルのものを用いてもよいがＰチャネルのものを用いてもよい。この場合であっても、電流の流通経路（ソースおよびドレイン間）の開閉は、流通経路の一方の端部である基準端部（ソース）に対する開閉制御端子（ゲート）の電位差の操作によってなされる。

「そのほか」
クランプ用閾値電圧Ｖｃｍｐとソフト遮断用閾値電圧Ｖｓｆｔとを同一としてもよい。

２０…ドライブＩＣ（集積回路の一実施形態）、６４…調整用抵抗体、６６…フォトカプラ（絶縁通信手段の一実施形態）。

Claims (14)

1. 駆動対象とするスイッチング素子である駆動対象スイッチング素子（Ｓ￥＃）について、その電流の流通経路を開閉すべく電子操作されて且つ開閉制御端子に接続される高電圧側領域と、該高電圧側領域に対して絶縁されて且つ、外部の制御装置（１４）から出力された前記駆動対象スイッチング素子の操作信号が入力される低電圧側領域とを備える単一の集積回路を備え、
   前記集積回路（２０）は、
   前記高電圧側領域に接続される高電圧側端子（ＴＨ１〜ＴＨ８）と、
   前記低電圧側領域に接続される低電圧側端子（ＴＬ１〜ＴＬ８）と、
   前記低電圧側領域および前記高電圧側領域間を絶縁しつつ前記低電圧側領域から前記高電圧側領域に電気信号を伝達させる絶縁通信手段（３４，６６）と、
   を備え、
   前記低電圧側端子に接続されて且つ、前記高電圧側領域内の回路の動作を定める動作パラメータの調整情報を出力する出力手段（６４）と、
   前記調整情報に基づき、前記高電圧側領域内における動作パラメータを調整する調整手段（３２）と、
   を備え、
   前記出力手段から前記低電圧側端子に出力される前記調整情報が前記絶縁通信手段を介して前記高電圧側領域内の前記調整手段に伝達されるようにしたことを特徴とする駆動対象スイッチング素子の駆動装置。
2. 前記出力手段は、前記制御装置とは別のハードウェア手段を備えて構成されることを特徴とする請求項１記載の駆動対象スイッチング素子の駆動装置。
3. 前記高電圧側領域に電源が投入されている期間に少なくとも１度、前記調整情報が前記出力手段から出力されることを特徴とする請求項１または２記載の駆動対象スイッチング素子の駆動装置。
4. 前記高電圧側領域の起動時に前記調整情報が前記出力手段から出力されることを特徴とする請求項３記載の駆動対象スイッチング素子の駆動装置。
5. 前記高電圧側領域に電源が投入されている期間において定期的に前記調整情報が前記出力手段から出力されることを特徴とする請求項３記載の駆動対象スイッチング素子の駆動装置。
6. 前記調整手段は、前記調整情報についてのデフォルト値に関する情報を記憶する記憶手段を備え、前記出力手段からの前記調整情報が受信できない場合、前記記憶されたデフォルト値に基づき前記動作パラメータを調整することを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に記載の駆動対象スイッチング素子の駆動装置。
7. 前記調整情報を前記低電圧側領域から前記高電圧側領域に伝達する前記絶縁通信手段は、前記調整情報を伝達させる専用の手段であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の駆動対象スイッチング素子の駆動装置。
8. 前記操作信号を前記低電圧側領域から前記高電圧側領域に伝達する絶縁通信手段（３４）を備えて且つ、該絶縁通信手段を、前記調整情報を前記低電圧側領域から前記高電圧側領域に伝達する前記絶縁通信手段として流用したことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の駆動対象スイッチング素子の駆動装置。
9. 前記高電圧側領域および前記低電圧側領域間を絶縁しつつ前記調整手段が受信した前記調整情報を前記高電圧側領域から前記低電圧側領域へと伝送する絶縁通信手段（７２，５４）を備え、
   前記制御装置に、前記調整手段が受信した前記調整情報の内容を通知することを可能としたことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の駆動対象スイッチング素子の駆動装置。
10. 前記調整手段が受信した前記調整情報を前記高電圧側領域から前記低電圧側領域へと伝送する絶縁通信手段（７２）は、該受信した前記調整情報を伝達させる専用の手段であることを特徴とする請求項９記載の駆動対象スイッチング素子の駆動装置。
11. 前記高電圧側領域は、前記駆動対象スイッチング素子の駆動に関する異常の有無を判断する判断手段と、該判断手段の判断結果に応じてフェール信号を生成する手段とを備え、
    前記高電圧側領域および前記低電圧側領域間を絶縁しつつ前記フェール信号を前記高電圧側領域から前記低電圧側領域に伝達する絶縁通信手段（５４）を備えて且つ、該絶縁通信手段を、前記受信した調整情報を前記高電圧側領域から前記低電圧側領域に伝達する前記絶縁通信手段として流用したことを特徴とする請求項９記載の駆動対象スイッチング素子の駆動装置。
12. 前記高電圧側領域は、前記駆動対象スイッチング素子を流れる電流が閾値電流以上であるか否かを判断する判断手段を備え、
    前記調整手段は、前記閾値電流を調整する手段であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の駆動対象スイッチング素子の駆動装置。
13. 前記駆動対象スイッチング素子は、前記流通経路の一方の端部である基準端部と開閉制御端子との間の電位差に応じて前記流通経路を開閉するものであり、
    前記電位差の絶対値を規定値に制限する制限手段（４０〜４６）を備え、
    前記調整手段は、前記規定値を調整する手段であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の駆動対象スイッチング素子の駆動装置。
14. 前記駆動対象スイッチング素子は、前記流通経路の一方の端部である基準端部と開閉制御端子との間の電位差に応じて前記流通経路を開閉するものであり、
    前記駆動対象スイッチング素子をオン状態とするための電荷を前記開閉制御端子に充電する充電経路と、前記電荷を前記開閉制御端子から放電するための放電経路とを備え、
    前記充電経路は、抵抗値を調整可能な充電用抵抗体（２７）を備え、
    前記放電経路は、抵抗値を調整可能な放電用抵抗体（２８ａ）を備え、
    前記集積回路は、前記充電用抵抗体および前記放電用抵抗体を備え、
    前記調整手段は、前記充電用抵抗体および前記放電用抵抗体の抵抗値を調整する手段であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の駆動対象スイッチング素子の駆動装置。

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