JP2014053511A - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
炭化珪素半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】反応炉内に、原料ガス、添加ガス、ドーピングガスおよびキャリアガスを導入する(ステップS5)。次に、原料ガス、添加ガス、ドーピングガスおよびキャリアガスを用いて、CVD法により4H−SiC基板の表面にSiCエピタキシャル膜を成長させSiC単結晶基板を作製する(ステップS6)。原料ガスとして、Siを含むガスおよびCを含むガスを用いる。添加ガスとして、Clを含むガスおよびFを含むガスを用いる。キャリアガスとして、H2ガスを用いる。また、Siを含むガス中のSi原子の数に対してCl原子の数の比が2.0以上5.0以下となる範囲内でClを含むガスを添加する。キャリアガス中のH原子の数に対してF原子の数の比が0.1以上0.2未満となる範囲内でFを含むガスを添加する。
【選択図】図1−1
Description
実施の形態1にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法について、半導体材料として炭化珪素の四層周期六方晶(4H−SiC)を用いた半導体装置を作製(製造)する場合を例に説明する。図1−1は、実施の形態1にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。図1−2は、実施の形態1にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。まず、4H−SiCからなる基板(4H−SiC基板)1を用意し、一般的な有機洗浄法やRCA洗浄法により洗浄する(ステップS1)。
実施の形態2にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法が実施の形態1にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法と異なる点は、SiCエピタキシャル膜2の成膜条件として、添加ガスであるClを含むガスの流量の好適な範囲を設定している点である。
2 SiCエピタキシャル膜
Claims (6)
- 原料ガスとして珪素を含むガスおよび炭素を含むガスを用い、前記原料ガスに塩素を含むガスおよびフッ素を含むガスを添加し、キャリアガスとして水素ガスを用いて、炭化珪素半導体基板上に炭化珪素半導体膜を成長させる工程を含み、
前記珪素を含むガス中の珪素原子の数に対して塩素原子の数の比が2.0以上5.0以下となる範囲内で前記塩素を含むガスを添加し、
前記キャリアガス中の水素原子の数に対してフッ素原子の数の比が0.1以上0.2未満となる範囲内で前記フッ素を含むガスを添加することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記炭化珪素半導体膜中に残る硫黄の含有量は0.02ppm以下であることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記炭化珪素半導体膜中に残る塩素の含有量は0.1ppm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記塩素を含むガスは、塩化水素ガスまたは塩素ガスであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記フッ素を含むガスは、四フッ化炭素ガスであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 化学気相成長により単結晶からなる前記炭化珪素半導体膜を成長させることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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JP2020009940A (ja) * | 2018-07-10 | 2020-01-16 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
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