JP2014049758A - 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法 - Google Patents

発光ダイオードパッケージ及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2014049758A
JP2014049758A JP2013172030A JP2013172030A JP2014049758A JP 2014049758 A JP2014049758 A JP 2014049758A JP 2013172030 A JP2013172030 A JP 2013172030A JP 2013172030 A JP2013172030 A JP 2013172030A JP 2014049758 A JP2014049758 A JP 2014049758A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
light emitting
emitting diode
extension
resin molded
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013172030A
Other languages
English (en)
Inventor
Hou-Te Lin
厚徳 林
Chao-Hsiung Chang
超雄 張
Pin-Chuan Chen
濱全 陳
Ryukin Chin
隆欣 陳
文良 ▲會▼
Wen-Liang Tseng
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advanced Optoelectronic Technology Inc
Original Assignee
Advanced Optoelectronic Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Optoelectronic Technology Inc filed Critical Advanced Optoelectronic Technology Inc
Publication of JP2014049758A publication Critical patent/JP2014049758A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)

Abstract

【課題】本発明は、放熱効率に優れた発光ダイオードパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードパッケージは、離間して設置された第一電極及び第二電極と、前記第一電極及び第二電極を覆い、且つ反射カップを含む樹脂成形体と、前記反射カップの底部に設置され、且つ第一電極及び第二電極にそれぞれに接続される発光ダイオードチップと、前記反射カップ内に設置され、且つ発光ダイオードチップを覆う封止層と、を備える。前記第一電極及び第二電極の互いに離れる端部には、外へ延伸する第一延長電極及び第二延長電極がそれぞれ形成され、前記第一電極及び第二電極の底部は、前記樹脂成形体の底部から露出され、前記第一延長電極及び第二延長電極は、前記樹脂成形体の両側から露出される。
【選択図】図2

Description

本発明は、半導体発光素子に関し、特に発光ダイオードパッケージ及びその製造方法に関するものである。
発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)は、電流を特定の波長の光に転換できる半導体素子からできており、高輝度、低駆動電圧、低消費電力、長寿命等の多くの利点を有している。それ故に、LEDは、従来の蛍光灯或いは白熱灯に代わって、ランプの光源として現在広く利用されている。
従来の発光ダイオードパッケージは、一般的に、駆動回路を有するプリント回路基板に取り付けられる。使用時には、発光ダイオードチップから発生した大部分の熱が、発光ダイオードパッケージの電極を介してプリント回路基板に伝導される。しかし、このような熱伝導経路は比較的単一であるため、発光ダイオードパッケージの内部の熱は絶えず蓄積される。従って、発光ダイオードチップの使用寿命に影響を与える。
前記課題を解決するために、本発明は、放熱効率に優れた発光ダイオードパッケージ及びその製造方法を提供する。
本発明に係る発光ダイオードパッケージは、離間して設置された第一電極及び第二電極と、前記第一電極及び第二電極を覆い、且つ反射カップを含む樹脂成形体と、前記反射カップの底部に設置され、且つ前記第一電極及び第二電極にそれぞれに接続される発光ダイオードチップと、前記反射カップ内に設置され、且つ前記発光ダイオードチップを覆う封止層と、を備える。前記第一電極及び第二電極の互いに離れる端部には、外へ延伸する第一延長電極及び第二延長電極がそれぞれ形成され、前記第一電極及び第二電極の底部は、前記樹脂成形体の底部から露出され、前記第一延長電極及び第二延長電極は、前記樹脂成形体の両側から露出される。
本発明に係る発光ダイオードパッケージの製造方法は、複数列の第一電極及び第二電極が配置された回路板を提供し、前記第一電極及び第二電極の互いに離れる端部には、外へ延伸する第一延長電極及び第二延長電極がそれぞれ形成され、各列の前記第一電極は連接バーによって互いに接続され、各列の前記第二電極は連接バーによって互いに接続されるステップと、前記第一電極及び第二電極を覆う樹脂成形体を形成し、前記樹脂成形体は反射カップを備え、前記第一延長電極及び第二延長電極は前記樹脂成形体の両側から露出され、前記第一電極及び第二電極の底部は、前記樹脂成形体の底部から露出されるステップと、前記反射カップの底部に発光ダイオードチップを設置し、且つ前記第一電極及び第二電極にそれぞれ接続するステップと、前記反射カップ内に前記発光ダイオードチップを覆うように封止層を充填するステップと、前記樹脂成形体及び連接バーを切断して複数の発光ダイオードパッケージを形成するステップと、を備える。
従来の技術と比べて、本発明の発光ダイオードパッケージにおいて、第一電極及び第二電極の底部は樹脂成形体の底部から露出され、第一延長電極及び第二延長電極は樹脂成形体の両側から露出されるので、発光ダイオードチップが作動している時に発生する熱は、樹脂成形体の底部から露出される第一電極及び第二電極と、樹脂成形体の両側から露出される第一延長電極及び第二延長電極とを介して放出することができる。従って、発光ダイオードパッケージの放熱効率を効果的に向上することができる。
本発明の実施形態に係る発光ダイオードパッケージの断面図である。 図1に示した発光ダイオードパッケージの平面図である。 図1に示した発光ダイオードパッケージの底面図である。 図1に示した発光ダイオードパッケージの右側面図である。 本発明の実施形態に係る発光ダイオードパッケージの製造方法のフローチャー トである。 本発明の実施形態に係る発光ダイオードパッケージの製造方法における各ステップを示す図である。 本発明の実施形態に係る発光ダイオードパッケージの製造方法における各ステップを示す図である。 本発明の実施形態に係る発光ダイオードパッケージの製造方法における各ステップを示す図である。 本発明の実施形態に係る発光ダイオードパッケージの製造方法における各ステップを示す図である。 本発明の実施形態に係る発光ダイオードパッケージの製造方法における各ステップを示す図である。 本発明の実施形態に係る発光ダイオードパッケージの製造方法における各ステップを示す図である。 本発明の実施形態に係る発光ダイオードパッケージの製造方法における各ステップを示す図である。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
図1〜図4を参照すると、本発明の実施形態に係る発光ダイオードパッケージ100は、離間して設置された第一電極10及び第二電極11と、この第一電極10及び第二電極11を覆い、且つ反射カップ21を有する樹脂成形体20と、反射カップ21の底部に設置され、且つ第一電極10及び第二電極11にそれぞれに接続された発光ダイオードチップ30と、反射カップ21内に設置され、且つ発光ダイオードチップ30を覆う封止層40と、を備える。第一電極10及び第二電極11の底部は、樹脂成形体20の底部から露出している。
第一電極10の一端には、外へ延伸する第一延長電極12が形成され、第二電極11の一端には、外へ延伸する第二延長電極13が形成され、第一延長電極12及び第二延長電極13は樹脂成形体20の両側から露出している。
第一電極10及び第二電極11の厚さ方向に沿った断面の形状は、略「T」字形を呈する。第一電極10は、本体部101及びこの本体部101から発光ダイオードチップ30から離れる下方へ延伸する突出部102を備える。本体部101は矩形の板である。突出部102は、断面の形状が反転した台形である角錐台である。突出部102のサイズは、発光ダイオードチップ30から離れる方向に向かって徐々に小さくなる。第二電極11は、本体部111及びこの本体部111から発光ダイオードチップ30から離れる下方へ延伸する突出部112を備える。本体部111は矩形の板である。突出部112は断面の形状は反転した台形である角錐台である。突出部112のサイズは、発光ダイオードチップ30から離れる方向に向かって徐々に小さくなる。
第一電極10と第二電極11との間には溝14が形成されている。具体的には、この溝14は、上側部分及びこの上側部分に連通する下側部分からなる。溝14の上側部分は細長い溝であり、第一電極10の本体部101及び第二電極11の本体部111によって囲まれて形成されている。溝14の下側部分は、その断面の形状が台形である溝であり、第一電極10の突出部102及び第二電極11の突出部112によって囲まれて形成されている。溝14の上側部分の幅は溝14の下側部分の幅より小さい。この溝14の下側部分は、第一電極10及び第二電極11の底部に近ければ近いほどその幅は広くなる。
第一電極10及び第二電極11は対向する頂面及び底面をそれぞれ備える。第一電極10の頂面と第二電極11の頂面とは同じ平面上にあり、第一電極10の底面と第二電極11の底面とも同じ平面上にある。
第一延長電極12及び第二延長電極13は、それぞれ第一電極10の本体部101及び第二電極11の本体部111の一端から下方へ湾曲して形成される。第一延長電極12及び第二延長電極13は、樹脂成形体20の対向する両側にそれぞれ位置する。具体的には、第一延長電極12及び第二延長電極13は、樹脂成形体20の対向する側壁に設置される。第一延長電極12と第一電極10の突出部102とはスロット103を囲む。また、第二延長電極13と第二電極11の突出部112とはスロット113を囲む。
第一延長電極12及び第二延長電極13は、対向する頂面と底面をそれぞれ備える。本実施形態において、第一延長電極12及び第二延長電極13は、樹脂成形体20の対向する両側に対称的に設置される(図3を参照)。第一延長電極12及び第二延長電極13の断面の形状はそれぞれ矩形を呈する。第一延長電極12及び第二延長電極13の頂面と第一電極10及び第二電極11の頂面とは同じ平面上にあり、第一延長電極12及び第二延長電極13の底面と第一電極10及び第二電極11の底面と樹脂成形体20の底部とは、同じ平面上にある。
樹脂成形体20は第一電極10及び第二電極11上に覆設される。具体的には、樹脂成形体20は、第一電極10及び第二電極11の頂面及び周縁に覆設される。第一電極10の突出部102及び第二電極11の突出部112の底部は樹脂成形体20から露出され、発光ダイオードチップ30が作動している時に発生する熱を放出するために用いられる。
本実施形態において、樹脂成形体20は、第一電極10及び第二電極11を囲み、且つ第一電極10と第二電極11との間の溝14、第一電極10のスロット103及び第二電極11のスロット113内に充填される。これにより、第一電極10及び第二電極11を連接する(図3を参照)。
樹脂成形体20の反射カップ21は、第一電極10及び第二電極11の頂面に設置される。第一電極10及び第二電極11は、この反射カップ21の底部から露出され、発光ダイオードチップ30を設置するために用いられる。発光ダイオードチップ30は、反射カップ21の底部に設置される。具体的には、発光ダイオードチップ30は、反射カップ21の底部の第二電極11上に設置され、且つ導線31、32を介して第一電極10及び第二電極11にそれぞれ接続される。即ち、本実施形態の発光ダイオードチップ30は水平式である。他の実施形態において、発光ダイオードチップ30は、フリップチップや共晶接合の方法によって第一電極10及び第二電極11に接続しても良い。また、発光ダイオードチップ30は、垂直式であっても良い。即ち、発光ダイオードチップ30は、その両側に位置する電極(図示せず)を介して第一電極10及び第二電極11にそれぞれ接続する。
第一延長電極12及び第二延長電極13の端面と、この端面に近く、且つ平行する樹脂成形体20の側面との距離はLである。この距離Lは100マイクロメートルである。
封止層40は、シリコン、エポキシ樹脂又は他の高分子材料からなる。封止層40は、反射カップ21内に収容され、且つ発光ダイオードチップ30を覆う。また、封止層40の内部に、発光ダイオードチップ30からの光に対して所望の色変換を行うために蛍光物質を含ませても良い。
本発明の発光ダイオードパッケージ100において、第一電極10及び第二電極11の底部は樹脂成形体20の底部から露出され、第一延長電極12及び第二延長電極13は樹脂成形体20の対向する側壁から露出されるので、発光ダイオードチップ30が作動している時に発生する熱は、樹脂成形体20の底部から露出された第一電極10及び第二電極11と、樹脂成形体20の側壁上に設置された第一延長電極12及び第二延長電極13とを介して放出することができる。従って、発光ダイオードパッケージ100の熱伝導効率を効果的に向上することができる。
また、第一電極10及び第二電極11の底部は樹脂成形体20の底部から露出されるので、発光ダイオードパッケージ100は、樹脂成形体20の底部から露出された第一電極10及び第二電極11によってプリント回路基板(図示せず)に取り付けることができる。また、第一延長電極12及び第二延長電極13は樹脂成形体20の対向する側壁から露出されるので、発光ダイオードパッケージ100は、樹脂成形体20の側壁の第一延長電極12及び第二延長電極13によってプリント回路基板に取り付けることもできる。従って、発光ダイオードパッケージ100の多面的な取り付けを実現し、異なるプリント回路基板に適応することができる。
また、第一電極10及び第二電極11の断面の形状は「T」字形を呈するので、第一電極10及び第二電極11と樹脂成形体20との間の接触面積を増加することができ、これにより、第一電極10及び第二電極11と、樹脂成形体20との間の接合強度を向上することができる。
図5を参照すると、本発明の実施形態に係る発光ダイオードパッケージ100の製造方法は、以下のステップS101〜ステップS105を備える。
ステップS101において、図6及び図7を参照すると、複数列の第一電極10及び第二電極11が配置された回路板50を提供し、第一電極10及び第二電極11の端部には、外へ延伸する第一延長電極12及び第二延長電極13がそれぞれ形成され、各列の第一電極10は連接バー60によって互いに接続され、各列の第二電極11も連接バー60によって互いに接続される。
連接バー60は第一電極10及び第二電極11に支持力を提供し、且つ第一電極10及び第二電極11を回路板50に固定する。連接バー60は、金、銀、銅などの導電性及び延性に優れた金属材料からなる。連接バー60の厚さは100ミクロンより小さい。
第一電極10は、本体部101及び本体部101から下方へ延伸する突出部102を備える。第二電極11は、本体部111及びこの本体部111から下方へ延伸する突出部112を備える。第一延長電極12及び第二延長電極13は、それぞれ第一電極10の本体部101及び第二電極11の本体部111の一端から下方へ湾曲して形成される。
隣接する第一延長電極12と第二延長電極13との間の距離はGであり、この距離Gは100マイクロメートルである。
ステップS102において、図8及び図9を参照すると、第一電極10及び第二電極11を覆う樹脂成形体20を形成する。この樹脂成形体20は反射カップ21を備え、第一延長電極12及び第二延長電極13は樹脂成形体20の両側から露出され、第一電極10及び第二電極11の底部は樹脂成形体20の底部から露出される。
本実施形態において、樹脂成形体20はプラスチック材料からなり、且つ射出成形によって一体に成形される。
第一電極10及び第二電極11は対向する頂面及び底面をそれぞれ備える。第一電極10の頂面と第二電極11の頂面とは同じ平面上にあり、第一電極10の底面と第二電極11の底面とは同じ平面上にある。
ステップS103において、図10を参照すると、反射カップ21の底部に発光ダイオードチップ30を設置し、且つ導線31及び導線32を介して第一電極10及び第二電極11にそれぞれ接続する。
本実施形態において、発光ダイオードチップ30は第二電極11上に設置され、且つ導線31及び導線32を介して第一電極10及び第二電極11にそれぞれ接続される。他の実施形態において、発光ダイオードチップ30は、フリップチップや共晶接合の方法によって第一電極10及び第二電極11に接続しても良い。
ステップS104において、図11を参照すると、反射カップ21内に発光ダイオードチップ30を覆うように封止層40を充填する。
封止層40は、シリコン、エポキシ樹脂又は他の高分子材料からなる。封止層40は、反射カップ21内に収容され、且つ発光ダイオードチップ30を覆う。また、封止層40の内部に発光ダイオードチップ30からの光に対して所望の色変換を行うために蛍光物質を含ませても良い。
ステップS105において、図12を参照すると、横方向に沿って樹脂成形体20及び連接バー60を切断して複数の発光ダイオードパッケージ100を形成する。
厚さが比較的薄い複数の発光ダイオードパッケージ100を獲得するために、切断線の位置と第一延長電極12及び第二延長電極13の端面との距離Lは、できるだけ短くする。本実施形態において、距離Lは100マイクロメートルより小さい。
切断した時、発光ダイオードパッケージ100の第一延長電極12及び第二延長電極13の端面と、この端面に近く、且つ平行する樹脂成形体20の側面との距離はLである。即ち、この距離は切断線の位置と第一延長電極12及び第二延長電極13の端面との距離Lである。
第一延長電極12及び第二延長電極13の端面と、この端面に近く、且つ平行する樹脂成形体20の側面との間に一定の距離を有しているので、一定の空間を形成することができる。発光ダイオードパッケージ100の側面をプリント回路基板(図示せず)に取り付ける場合、発光ダイオードパッケージ100は、第一延長電極12及び第二延長電極13によってプリント回路基板上に半田付けされる。この際、第一延長電極12及び第二延長電極13の端面に近く、且つ平行する樹脂成形体20の側面は、プリント回路基板の表面に緊密に貼設され、半田付けする過程において、半田は第一延長電極12及び第二延長電極13の端面とプリント回路基板との間の空間に流れ込むことができる。これにより、半田の厚さは増大される。従って、発光ダイオードパッケージ100とプリント回路基板との間の接合強度を向上することができる。
また、連接バー60の厚さが100マイクロメートルより小さいので、実際の切断が比較的容易であり、且つ、このような切断方式は樹脂成形体20の両側の第一延長電極12及び第二延長電極13に影響を与えない。
本発明の発光ダイオードパッケージ100において、発光ダイオードパッケージ100の第一電極10及び第二電極11の底部は樹脂成形体20の底部から露出され、且つ第一延長電極12及び第二延長電極13は樹脂成形体20の両側から露出されるので、発光ダイオードチップ30が作動している時に発生する熱は、第一電極10及び第二電極11と、第一延長電極12及び第二延長電極13とを介して放出することができる。従って、発光ダイオードパッケージ100の熱伝導効率を効果的に向上することができる。また、発光ダイオードパッケージ100の第一電極10及び第二電極11の底部は樹脂成形体20の底部から露出されるので、発光ダイオードパッケージ100は、その底部から露出された第一電極10及び第二電極11によってプリント回路基板に取り付けることができる。また、第一延長電極12及び第二延長電極13も樹脂成形体20の両側から露出されるので、発光ダイオードパッケージ100は、その両側の第一延長電極12及び第二延長電極13によってプリント回路基板に取り付けることができる。従って、発光ダイオードパッケージ100の多面的な取り付けを実現できる。
100 発光ダイオードパッケージ
10 第一電極
101、111 本体部
102、112 突出部
103、113 スロット
11 第二電極
12 第一延長電極
13 第二延長電極
14 溝
20 樹脂成形体
21 反射カップ
30 発光ダイオードチップ
31、32 導線
40 封止層
50 回路板
60 連接バー

Claims (6)

  1. 離間して設置された第一電極及び第二電極と、前記第一電極及び第二電極を覆い、且つ反射カップを含む樹脂成形体と、前記反射カップの底部に設置され、且つ前記第一電極及び第二電極にそれぞれに接続される発光ダイオードチップと、前記反射カップ内に設置され、且つ前記発光ダイオードチップを覆う封止層と、を備える発光ダイオードパッケージにおいて、
    前記第一電極及び第二電極の互いに離れる端部には、外へ延伸する第一延長電極及び第二延長電極がそれぞれ形成され、前記第一電極及び第二電極の底部が、前記樹脂成形体の底部から露出され、前記第一延長電極及び第二延長電極が、前記樹脂成形体の両側から露出されることを特徴とする、発光ダイオードパッケージ。
  2. 前記第一延長電極及び前記第二延長電極の端面と、該端面に近く、且つ平行する前記樹脂成形体の側面との間には一定の距離を有していることを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。
  3. 前記第一電極及び前記第二電極が、本体部及び該本体部から下方へ延伸する突出部をそれぞれ備え、前記突出部の底部が前記樹脂成形体の底部から露出され、前記第一延長電極及び第二延長電極が、それぞれ前記第一電極の本体部及び前記第二電極の本体部の互いに離れる端部から下方へ湾曲して形成され、前記第一延長電極と前記第一電極の突出部とによって囲まれるスロット、及び前記第二延長電極と前記第二電極の突出部とによって囲まれるスロットを有していることを特徴とする、請求項1又は2に記載の発光ダイオードパッケージ。
  4. 前記第一電極及び第二電極の突出部の断面形状が台形を呈し、前記突出部のサイズが、前記発光ダイオードチップから離れる方向に向かって徐々に小さくなることを特徴とする、請求項3に記載の発光ダイオードパッケージ。
  5. 前記第一電極と第二電極との間には溝が形成され、前記溝が上側部分及び該上側部分に連通する下側部分からなり、前記溝の上側部分が細長い溝であり、前記第一電極の本体部及び前記第二電極の本体部によって囲まれ、前記溝の下側部分は断面の形状が台形である溝であり、前記第一電極の突出部及び前記第二電極の突出部によって囲まれることを特徴とする、請求項4に記載の発光ダイオードパッケージ。
  6. 複数列の第一電極及び第二電極が配置される回路板を提供し、前記第一電極及び第二電極の互いに離れる端部には、外へ延伸する第一延長電極及び第二延長電極がそれぞれ形成され、各列の前記第一電極が連接バーによって互いに接続され、各列の前記第二電極が連接バーによって互いに接続されるステップと、
    前記第一電極及び第二電極を覆う樹脂成形体を形成し、前記樹脂成形体が反射カップを備え、前記第一延長電極及び第二延長電極が前記樹脂成形体の両側から露出され、前記第一電極及び第二電極の底部が、前記樹脂成形体の底部から露出されるステップと、
    前記反射カップの底部に発光ダイオードチップを設置し、且つ前記第一電極及び第二電極にそれぞれ接続するステップと、
    前記反射カップ内に前記発光ダイオードチップを覆うように封止層を充填するステップと、
    前記樹脂成形体及び連接バーを切断して複数の発光ダイオードパッケージを形成するステップと、
    を備えることを特徴とする、発光ダイオードパッケージの製造方法。
JP2013172030A 2012-08-30 2013-08-22 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法 Pending JP2014049758A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210314790.1 2012-08-30
CN201210314790.1A CN103682028A (zh) 2012-08-30 2012-08-30 发光二极管封装结构及其制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014049758A true JP2014049758A (ja) 2014-03-17

Family

ID=50186217

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013172030A Pending JP2014049758A (ja) 2012-08-30 2013-08-22 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20140061697A1 (ja)
JP (1) JP2014049758A (ja)
KR (1) KR20140029200A (ja)
CN (1) CN103682028A (ja)
TW (1) TW201409763A (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201517323A (zh) 2013-08-27 2015-05-01 Glo Ab 模製發光二極體封裝及其製造方法
US8999737B2 (en) * 2013-08-27 2015-04-07 Glo Ab Method of making molded LED package
CN110391326A (zh) * 2018-04-17 2019-10-29 展晶科技(深圳)有限公司 侧面发光型发光二极管封装结构
TWM613115U (zh) * 2021-01-20 2021-06-11 長華科技股份有限公司 複合式導線架及高亮度發光二極體的封裝結構

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011003935A (ja) * 2006-04-17 2011-01-06 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
JP2011249807A (ja) * 2010-05-24 2011-12-08 Lg Innotek Co Ltd 発光素子及びこれを含むライトユニット
JP2012069885A (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 Sanken Electric Co Ltd 発光ダイオードの製造方法、発光ダイオード
JP2013106047A (ja) * 2011-11-16 2013-05-30 Lg Innotek Co Ltd 発光素子及びこれを備えた照明装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030075724A1 (en) * 2001-10-19 2003-04-24 Bily Wang Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes
JP2005197329A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造
KR100587020B1 (ko) * 2004-09-01 2006-06-08 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지
JP5122172B2 (ja) * 2007-03-30 2013-01-16 ローム株式会社 半導体発光装置
CN201845808U (zh) * 2010-09-27 2011-05-25 旭丽电子(广州)有限公司 支架组合件、封装结构及其发光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011003935A (ja) * 2006-04-17 2011-01-06 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
JP2011249807A (ja) * 2010-05-24 2011-12-08 Lg Innotek Co Ltd 発光素子及びこれを含むライトユニット
JP2012069885A (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 Sanken Electric Co Ltd 発光ダイオードの製造方法、発光ダイオード
JP2013106047A (ja) * 2011-11-16 2013-05-30 Lg Innotek Co Ltd 発光素子及びこれを備えた照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201409763A (zh) 2014-03-01
US20140061697A1 (en) 2014-03-06
KR20140029200A (ko) 2014-03-10
CN103682028A (zh) 2014-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5279225B2 (ja) 発光モジュールおよびその製造方法
JP5528900B2 (ja) 発光素子モジュール
JP6056336B2 (ja) 発光装置
JP2013239708A (ja) 発光素子、発光素子製造方法、及び照明装置
KR20050092300A (ko) 고출력 발광 다이오드 패키지
JP5991065B2 (ja) 発光装置
JP6090680B2 (ja) 発光モジュール
JP2012049348A (ja) 発光装置
JP2014049764A (ja) 側面型発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
KR101253247B1 (ko) 광 디바이스용 기판
JP2011249737A (ja) リードフレーム、配線板およびそれを用いたledユニット
JP2014049758A (ja) 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
JP2008103401A (ja) 上下電極型発光ダイオード用パッケージおよび上下電極型発光ダイオード用パッケージの製造方法
JP2014064004A (ja) 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
JP2023014090A (ja) 光源装置
JP5833610B2 (ja) 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
JP5721797B2 (ja) 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
WO2012057163A1 (ja) 発光装置及び照明装置
JP6034175B2 (ja) Ledモジュール
JP2013140968A (ja) 発光ダイオードパッケージ
TWI531096B (zh) 側面發光型發光二極體封裝結構及其製造方法
JP5769129B2 (ja) 発光装置及び照明装置
JP6064415B2 (ja) 発光装置
KR100878398B1 (ko) 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
JP2020092155A (ja) 光半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140630

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140630

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140929

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20150126