JP2014047192A - 化合物、並びに、該化合物を含有する有機半導体材料、有機半導体素子 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明の目的は、ｎ型半導体特性を有する新規化合物の提供、及び、該化合物を含有する有機半導体材料、有機半導体素子の提供にある。
【解決手段】式（１）で表される化合物、該化合物を含有する有機半導体材料、有機半導体素子、有機太陽電池及び有機トランジスタを提供する。
【化１】

（式中、Ｚ¹及びＺ²は酸素原子、＝Ｃ（Ｒ¹）（Ｒ²）又は＝Ｎ（Ｒ^３）を、Ｅ¹は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、−Ｎ（Ｒ⁵）−又は−Ｃ（Ｒ⁶）＝Ｃ（Ｒ⁷）−を、環Ａ¹は芳香族炭素環又は複素環を、Ｂは、アリーレン基、２価の複素環基又は−Ｃ≡Ｃ−を、ｎは０以上の整数を、それぞれ示す。〕
【選択図】なし

Description

本発明は、化合物、並びに、該化合物を含有する有機半導体材料、有機半導体素子に関する。

電荷（電子又はホール）輸送性を有する有機半導体材料は、有機太陽電池、有機トランジスタ、有機エレクトロルミネッセンス素子等の有機半導体素子への適用が期待されている。

無機半導体材料を含む半導体素子は真空蒸着法を用いて製造されていた。一方、有機半導体素子は、有機半導体材料を溶媒に溶解させた溶液を用いて印刷法で作製することができ、製造コストの低下が期待されるため、有機半導体材料の研究開発が盛んに行われている。

一般に有機半導体材料のＨＯＭＯ（最高占有軌道）の値は、有機半導体素子の電極として通常用いられる金などの金属の仕事関数の値に近く、電極から有機半導体材料へのホール注入が容易となり、多くの有機半導体材料はｐ型半導体特性を有する。一方、従来の有機半導体材料のＬＵＭＯ（最低非占有軌道）の絶対値は小さく、電極から有機半導体材料への電子の注入が困難であり、ＬＵＭＯの絶対値が大きいｎ型半導体特性を有する有機半導体材料の開発が求められている。

ｎ型半導体特性を有する有機半導体材料としては、例えば、下記化合物が提案されている（非特許文献１）。

ケミカル コミュニケイションズ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）、２０１１年、第４７巻、ｐ．１１８４０-１１８４２

有機半導体素子の特性を向上させるため、ｎ型半導体特性を有する新規化合物が求められていた。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、ｎ型半導体特性を有する新規化合物を提供することを目的とする。また、該化合物を含有する有機半導体材料、有機半導体素子を提供することを目的とする。

本発明は、以下の化合物、並びに、該化合物を含有する有機半導体材料、有機半導体素子を提供する。

［１］ 式（１）で表される化合物。

〔式中、
Ｚ¹及びＺ²は、それぞれ独立に、酸素原子、＝Ｃ（Ｒ¹）（Ｒ²）で表される基又は＝Ｎ（Ｒ^３）で表される基である。
Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は、それぞれ独立に、シアノ基又は−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ⁴で表される基である。
Ｒ⁴は、水素原子、ヒドロキシル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい複素環基である。
各々のＺ¹は互いに同一でも異なってもよい。各々のＺ²は互いに同一でも異なってもよい。
Ｅ¹は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、−Ｎ（Ｒ⁵）−で表される基又は−Ｃ（Ｒ⁶）＝Ｃ（Ｒ⁷）−で表される基である。
Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁷は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい複素環基、ハロゲン原子又はシアノ基である。Ｒ⁶及びＲ⁷は互いに結合してそれぞれが結合している炭素原子と共に五員環又は六員環を形成してもよい。
各々のＥ¹は互いに同一でも異なってもよい。
環Ａ¹は、置換基を有していてもよい芳香族炭素環又は置換基を有していてもよい複素環である。
各々のＡ¹は、互いに同一でも異なってもよい。
Ｂは、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい２価の複素環基、又は−Ｃ≡Ｃ−で表される基である。
Ｂが複数個ある場合、各々のＢは互いに同一でも異なってもよい。
ｎは、環Ａ¹がベンゼン環又はチオフェン環である場合、３以上の整数である。それ以外の場合、ｎは０以上の整数である。〕
［２］ 環Ａ¹が、ピリジン環、チアゾール環又はオキサゾール環である、上記［１］に記載の化合物。
［３］ 式（２）で表される、上記［１］に記載の化合物。

〔式中、Ｚ¹、Ｚ²、Ｅ¹、Ｂ及びｎは、前記と同じ意味を表す。〕
［４］ 式（３）で表される、上記［１］に記載の化合物。

〔式中、Ｚ¹、Ｚ²、Ｅ¹、Ｂ及びｎは、前記と同じ意味を表す。〕
［５］ Ｚ¹及びＺ²が、酸素原子である、上記［１］〜［４］のいずれか一項に記載の化合物。
［６］ Ｅ¹が、−Ｎ（Ｒ⁵）−で表される基である、上記［１］〜［５］のいずれか一項に記載の化合物。
［７］ 下記式で表される化合物。

［８］ 下記式で表される化合物。

［９］ 下記式で表される化合物。

［１０］ 上記［１］〜［９］のいずれか一項に記載の化合物を含有する、有機半導体材料。
［１１］ 上記［１０］に記載の有機半導体材料を含有する有機層を有する、有機半導体素子。
［１２］ 一対の電極と、上記［１０］に記載の有機半導体材料を含む層とを備え、該有機半導体材料を含む層は該一対の電極の間に位置する有機太陽電池。
［１３］ ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極及び活性層を有し、該活性層に［１０］に記載の有機半導体材料を含有する、有機トランジスタ。

本発明は、ｎ型半導体特性を有する新規化合物、該化合物を含有する有機半導体材料、並びにこの有機半導体材料を含有する有機層を有する有機半導体素子、特に有機太陽電池及び有機トランジスタを提供するため、本発明は極めて有用である。

図１は、本発明の有機トランジスタの第１の例の構成を模式的に示す断面図である。 図２は、本発明の有機トランジスタの第２の例の構成を模式的に示す断面図である。 図３は、本発明の有機トランジスタの第３の例の構成を模式的に示す断面図である。 図４は、本発明の有機トランジスタの第４の例の構成を模式的に示す断面図である。 図５は、本発明の有機トランジスタの第５の例の構成を模式的に示す断面図である。 図６は、本発明の有機トランジスタの第６の例の構成を模式的に示す断面図である。 図７は、本発明の有機トランジスタの第７の例の構成を模式的に示す断面図である。 図８は、本発明の有機トランジスタの第８の例の構成を模式的に示す断面図である。 図９は、本発明の有機トランジスタの第９の例の構成を模式的に示す断面図である。

以下、必要に応じて図面を参照することにより、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

本明細書中、「置換基を有していてもよい」とは、その直後に記載された化合物又は基を構成する水素原子の一部又は全部が置換基で置換されていてもよいことを意味する。別途明確な記載のない限り、上記置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、ニトロ基及びシアノ基が挙げられる。これらの置換基の中でも、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の複素環基、アリールオキシ基、アリールチオ基、ハロゲン原子又はシアノ基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、１価の複素環基、アリールオキシ基又はハロゲン原子がより好ましく、アルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子が更に好ましい。アルキル基、アルコキシ基及びアルキルチオ基はそれぞれ、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれであってもよい。

＜本発明の化合物＞
本発明の化合物は、式（１）で表される化合物である。

式（１）中、Ｚ¹及びＺ²は、それぞれ独立に、酸素原子、＝Ｃ（Ｒ¹）（Ｒ²）で表される基又は＝Ｎ（Ｒ³）で表される基である。Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は、それぞれ独立に、シアノ基又は−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ⁴で表される基である。Ｒ⁴は、水素原子、ヒドロキシル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい複素環基である。各々のＺ¹は互いに同一でも異なってもよい。各々のＺ²は互いに同一でも異なってもよい。

本明細書において、アルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよく、環状であってもよい。アルキル基の炭素原子数は、通常１〜３０であり、１〜２０が好ましい。なお、上記の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。

アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、ヘキサデシル基等の直鎖アルキル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基等の分岐アルキル基、及び、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。

アルキル基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、アルコキシ基、アリール基、及びハロゲン原子が挙げられる。置換基を有しているアルキル基の例としては、メトキシエチル基、ベンジル基、トリフルオロメチル基、及びパーフルオロヘキシル基が挙げられる。

本明細書において、アルコキシ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、環状であってもよい。アルコキシ基の炭素原子数は、通常１〜３０であり、１〜２０が好ましい。なお、上記の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。

アルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基等の直鎖アルコキシ基、イソプロピルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基等の分岐アルコキシ基、及び、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等のシクロアルコキシ基が挙げられる。

アルコキシ基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、アルコキシ基、アリール基、及びハロゲン原子が挙げられる。

本明細書において、アリール基とは、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味し、縮合環を有する基、ベンゼン環及び縮合環からなる群から選ばれる２個以上の環が直接結合した基も含む。アリール基の炭素原子数は、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜２０であり、更に好ましくは６〜１０である。なお、上記の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。アリール基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、アルコキシ基、アルキルチオ基、複素環基、及びハロゲン原子が挙げられる。

置換基を有していてもよいアリール基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、４−フェニルフェニル基、４−ヘキサデシルフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、及びペンタフルオロフェニル基が挙げられる。アリール基としては、アルキル基で置換されたフェニル基が好ましい。

本明細書において、複素環基とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子に結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味し、縮合環である複素環を有する基、独立した単環の複素環及び縮合環である複素環からなる群から選ばれる２個以上の環が直接結合した基を含む。複素環式化合物とは、環式構造を持つ有機化合物であって、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ヒ素原子等のヘテロ原子を環内に含む有機化合物をいう。複素環基の炭素原子数は、好ましくは２〜３０であり、より好ましくは２〜２０であり、更に好ましくは２〜１０である。なお、上記の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。複素環基の例としては、２−フリル基、３−フリル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、２−オキサゾリル基、２−チアゾリル基、２−イミダゾリル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２−ベンゾフリル基、２−ベンゾチエニル基、２−チエノチエニル基、及び４−（２，１，３−ベンゾチアジアゾリル）基が挙げられる。

複素環基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、及びハロゲン原子が挙げられる。置換基を有している複素環基としては、例えば、５−オクチル−２−チエニル基、及び５−フェニル−２−フリル基が挙げられる。複素環基が置換基を有する場合、置換基としてはアルキル基が好ましい。複素環基としては、芳香族複素環基が好ましい。

本明細書において、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。

本発明の化合物の合成の容易さの観点から、Ｚ¹としては、酸素原子が好ましい。

本発明の化合物の合成の容易さの観点から、Ｚ²としては、酸素原子が好ましい。

式（１）中、Ｅ¹は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、−Ｎ（Ｒ⁵）−で表される基又は−Ｃ（Ｒ⁶）＝Ｃ（Ｒ⁷）−で表される基である。Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁷は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい複素環基、ハロゲン原子又はシアノ基である。Ｒ⁶及びＲ⁷は互いに結合してそれぞれが隣接する炭素原子と共に五員環又は六員環を形成してもよい。各々のＥ^１は互いに同一でも異なってもよい。

本明細書において、アルキルチオ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、環状であってもよい。アルキルチオ基の炭素原子数は、通常１〜３０（分岐アルキルチオ基及びシクロアルキルチオ基の場合、通常３〜３０）であり、１〜２０（分岐アルキルチオ基及びシクロアルキルチオ基の場合、３〜２０）が好ましい。なお、上記の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。

アルキルチオ基の例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基、ヘキサデシルチオ基等の直鎖アルキルチオ基、イソプロピルチオ基、イソブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基等の分岐アルキルチオ基、及び、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等のシクロアルキルチオ基が挙げられる。

アルキルチオ基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、アルコキシ基、アリール基、及びハロゲン原子が挙げられる。

Ｒ⁶及びＲ⁷が互いに結合してそれぞれが結合している炭素原子と共に五員環又は六員環を形成する場合、該五員環の例としては、フラン環、チオフェン環、ピロール環、及びチアゾール環が挙げられ、該六員環の例としては、ベンゼン環及びピリジン環が挙げられる。

該五員環及び六員環は置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリール基、及びハロゲン原子が挙げられる。

本発明の化合物の有機溶媒への溶解性を向上させる観点から、Ｅ¹としては、−Ｎ（Ｒ⁵）−で表される基及び−Ｃ（Ｒ⁶）＝Ｃ（Ｒ⁷）−で表される基が好ましく、−Ｎ（Ｒ⁵）−で表される基がより好ましい。

Ｒ⁵はアルキル基であることが好ましい。

式（１）中、環Ａ¹は、置換基を有していてもよい芳香族炭素環又は置換基を有していてもよい複素環である。各々のＡ¹は互いに同一でも相異なってもよい。

環Ａ¹で表される芳香族炭素環は、ベンゼン環であっても縮合環であってもよい。
芳香族炭素環の炭素原子数は、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜２０であり、更に好ましくは６〜１０である。なお、上記の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。

芳香族炭素環の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、ペンタセン環、及びフルオレン環が挙げられる。

芳香族炭素環は置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよい複素環基、及びハロゲン原子が挙げられる。芳香族炭素環が置換基を有する場合、置換基としては、置換基を有していてもよいアルキル基、及びハロゲン原子が好ましい。

環Ａ¹で表される複素環は、単環であっても縮合環であってもよい。

複素環の炭素原子数は、好ましくは２〜３０であり、より好ましくは３〜２０であり、更に好ましくは３〜１０である。なお、上記の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。

複素環の例としては、フラン環、チオフェン環、ピロール環、オキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、ピリジン環、ベンゾチオフェン環、及び２，１，３−ベンゾチアジアゾール環が挙げられる。

複素環は置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよい複素環基、及びハロゲン原子が挙げられる。複素環が置換基を有する場合、置換基としては、置換基を有していてもよいアルキル基、及びハロゲン原子が好ましい。

本発明の化合物のＬＵＭＯの絶対値を大きくする観点から、環Ａ¹としては、複素環が好ましく、ピリジン環、オキサゾール環、チアゾール環及びイミダゾール環がより好ましく、ピリジン環、及びチアゾール環が更に好ましく、ピリジン環が特に好ましい。

式（１）中、Ｂは、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい２価の複素環基、又は−Ｃ≡Ｃ−で表される基である。Ｂが複数個ある場合、各々のＢは互いに同一でも異なってもよい。

本明細書において、アリーレン基とは、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。該アリーレン基の炭素原子数は好ましくは６〜６０であり、より好ましくは６〜２０である。なお、上記の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。

アリーレン基には、ベンゼン環を有する基、縮合環を有する基、独立したベンゼン環及び縮合環からなる群から選ばれる２個以上の環が直接結合した基、並びに、独立したベンゼン環及び縮合環からなる群から選ばれる２個以上の環がビニレン等の基を介して結合した基も含まれる。

アリーレン基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよい複素環基、ハロゲン原子及び式（４）で表される基が挙げられる。

〔式中、環Ａ¹、Ｚ¹、Ｚ²及びＥ¹は、前記と同じ意味を表す。〕

置換基を有していてもよいアリーレン基としては、例えば、式１〜式１２で表される基が挙げられる。

〔式１〜式１２中、Ｒ''は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい複素環基又はハロゲン原子である。各々のＲ''は互いに同一でも異なっていてもよい。〕

本明細書において、２価の複素環基とは、複素環式化合物から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団である。２価の複素環基の炭素原子数は好ましくは２〜３０であり、より好ましくは３〜２０である。なお、上記の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。２価の複素環基としては、２価の芳香族複素環基であることが好ましい。
２価の複素環基には、縮合環である複素環を有する基、独立した単環の複素環及び縮合環である複素環からなる群から選ばれる２個以上の環が直接結合した基も含まれる。
２価の複素環基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアリール基、ハロゲン原子及び式（４）で表される基が挙げられる。

置換基を有していてもよい２価の複素環基としては、例えば、式１３〜式６５で表される２価の複素環基が挙げられる。

式１３〜式６５中、Ｒ''は、前記と同じ意味を表す。ａ及びｂは、それぞれ独立に、０〜５の整数である。

式４９〜５３中、ａ及びｂは、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０〜１の整数である。

本発明の化合物の電子輸送性を高める観点からは、Ｂとしては、置換基を有していてもよい２価の複素環基及び−Ｃ≡Ｃ−で表される基が好ましく、置換基を有していてもよい２価の複素環基がより好ましく、式２６、式３０、式３６、式３８〜式４０、式４２、式４９〜式５４、式５７〜式６０、及び式６２〜式６３で表される置換基を有していてもよい２価の複素環基が更に好ましい。

式（１）中、ｎは、環Ａ¹がベンゼン環又はチオフェン環である場合、３以上の整数の整数であり、それ以外の場合、０以上の整数である。本発明の化合物の合成の容易さの観点から、ｎは、０〜５の整数が好ましく、１〜５の整数がより好ましく、１〜３の整数が更に好ましい。

本発明の化合物のＬＵＭＯの絶対値を大きくする観点から、式（１）で表される化合物としては、式（２）で表される化合物、及び、式（３）で表される化合物が好ましい。

式（１）で表される化合物としては、式（１−１）〜式（１−３８）で表される化合物が好ましく、式（１−１）〜式（１−３４）で表される化合物がより好ましく、式（１−１）〜式（１−３２）で表される化合物が更に好ましい。

本発明の化合物の他の態様は、下記化合物である。

本発明の化合物の更に他の態様は、下記化合物である。

本発明の化合物の更にまた他の態様は、下記化合物である。

＜本発明の化合物の製造方法＞
次に、本発明の化合物の好ましい製造方法について、例を用いて説明する。

本発明の化合物は、いかなる方法で製造してもよいが、例えば、式（Ｓ１）で表される化合物と、式（Ｓ２）で表される化合物とを、必要に応じて有機溶媒に溶解させ、必要に応じて塩基を加え、適切な触媒を用いた公知のアリールカップリング（Ｓｕｚｕｋｉカップリング、Ｓｔｉｌｌｅカップリング等）により製造することができる。

〔式（Ｓ１）及び式（Ｓ２）中、Ｅ¹、Ｚ¹、Ｚ²及び環Ａ¹は、前記と同じ意味を表す。Ｘ¹¹及びＸ¹²は、それぞれ独立に、カップリング反応しうる基である。〕

カップリング反応しうる基としては、例えば、ハロゲン原子、ホウ酸エステル残基、ジヒドロキシボリル基（−Ｂ（ＯＨ）₂）、及び３個のアルキル基で置換されたスタンニル基が挙げられる。

カップリング反応しうる基であるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

カップリング反応しうる基であるホウ酸エステル残基とは、ホウ酸ジエステルから水酸基を除去した基を意味し、例えば、下記式で示される基が挙げられる。

カップリング反応しうる基である３個のアルキル基で置換されたスタンニル基としては、３個のメチル基で置換されたスタンニル基、及び３個のブチル基で置換されたスタンニル基が挙げられる。

Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応等のニッケル触媒又はパラジウム触媒を用いる反応の場合のカップリング反応しうる基としては、例えば、ハロゲン原子、ホウ酸エステル残基、及びジヒドロキシボリル基が挙げられる。カップリング反応の簡便さの観点からは、臭素原子、ヨウ素原子、及びホウ酸エステル残基が好ましい。

Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応等のパラジウム触媒を用いる場合のカップリング反応しうる基としては、例えば、ハロゲン原子、及び３個のアルキル基で置換されたスタンニル基が挙げられる。カップリング反応の簡便さの観点からは、臭素原子、ヨウ素原子、及び３個のアルキル基で置換されたスタンニル基が好ましい。

アリールカップリングに用いられる有機溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、テトラヒドロフラン、及びジオキサンが挙げられる。これらの有機溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

アリールカップリングに用いられる塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、リン酸三カリウム等の無機塩基、フッ化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の有機塩基が挙げられる。

アリールカップリングに用いられる触媒としては、例えば、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、パラジウムアセテート、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム等のパラジウム錯体等の遷移金属錯体と、必要に応じて、トリフェニルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン等の配位子とからなる触媒が挙げられる。これらの触媒は、予め合成された触媒を用いてもよいし、反応系中で調製された触媒をそのまま用いてもよい。これらの触媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

アリールカップリングの反応温度は、好ましくは０〜２００℃であり、より好ましくは０〜１５０℃であり、更に好ましくは０〜１２０℃である。

アリールカップリングの反応時間は、通常、１時間以上であり、好ましくは２時間〜５００時間である。

アリールカップリングの後処理は、公知の方法で行うことができ、例えば、再結晶、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の方法にて精製することが好ましい。

＜有機半導体材料＞
本発明の有機半導体材料は、本発明の化合物を１種類単独で含んでいてもよく、２種類以上を含んでいてもよい。本実施形態の有機半導体材料は、本発明の化合物に加え、キャリア輸送性を有する化合物（低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。）を更に含んでいてもよい。本発明の有機半導体材料が、本発明の化合物以外の成分を含む場合は、本発明の化合物を３０重量％以上含むことが好ましく、５０重量％以上含むことがより好ましく、７０重量％以上含むことが更に好ましい。

キャリア輸送性を有する化合物の例としては、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、オキサジアゾール誘導体、フラーレン及びその誘導体等の低分子化合物、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、並びに、ポリフルオレン及びその誘導体が挙げられる。

有機半導体材料は、その特性を向上させるため、高分子化合物材料を高分子バインダーとして含有していてもよい。高分子バインダーは、キャリア輸送性を過度に低下させない高分子バインダーであることが好ましい。

高分子バインダーの例としては、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、及びポリシロキサンが挙げられる。

＜有機半導体素子＞
本発明の化合物は、高い移動度を有することから、本発明の有機半導体材料を有機半導体素子に用いた場合、電極から注入された電子やホール、或いは、光吸収によって発生した電荷を輸送することができる。これらの特性を活かして、本発明の化合物は、光電変換素子、有機トランジスタ、有機エレクトロルミネッセンス素子等の種々の有機半導体素子に好適に用いることができる。以下、これらの素子について個々に説明する。

（光電変換素子）
本発明の化合物を含む光電変換素子は、一対の電極と、本発明の有機半導体材料を含む層とを備えている。本発明の光電変換素子においては、本発明の有機半導体材料を含む層は一対の電極の間に位置する。すなわち、本発明の光電変換素子は、一対の電極間に、本発明の化合物を含む１層以上の活性層を有する。

本発明の化合物を含む光電変換素子の好ましい形態としては、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、ｐ型の有機半導体とｎ型の有機半導体との組成物から形成される活性層を有する。本発明の化合物は、ｎ型の有機半導体として用いることが好ましい。

本発明の化合物を用いて製造される光電変換素子は、通常、基板上に形成される。該基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよい。基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコンが挙げられる。不透明な基板の場合には、反対の電極（即ち、基板から遠い方の電極）が透明又は半透明であることが好ましい。

本発明の化合物を有する光電変換素子の他の態様は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極間に、本発明の化合物を含む第１の活性層と、該第１の活性層に隣接して、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）等の電子供与性化合物を含む第２の活性層を含む光電変換素子である。

上記の透明又は半透明の電極材料の例としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられる。透明又は半透明の電極材料としては、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（以下、「ＩＴＯ」ということがある。）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性材料を用いて作製された膜、ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅等を用いて作製された膜が挙げられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズ等を用いて作製された膜が好ましい。電極の作製方法の例としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、及びメッキ法が挙げられる。電極材料として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。

一方の電極は透明でなくてもよく、該電極の電極材料の例としては、金属、導電性高分子等を用いることができる。電極材料の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれらのうち２つ以上の合金、又は、１種以上の前記金属と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン及びスズからなる群から選ばれる１種以上の金属との合金、グラファイト、グラファイト層間化合物、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体が挙げられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、及びカルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。

光電変換効率を向上させるための手段として活性層以外の付加的な中間層を使用してもよい。中間層の材料の例としては、フッ化リチウム等のアルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、酸化チタン等の酸化物、及びＰＥＤＯＴ（ポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン）が挙げられる。

活性層は、本発明の化合物を一種単独で含んでいても二種以上を組み合わせて含んでいてもよい。活性層中に電子供与性化合物及び／又は電子受容性化合物として、本発明の化合物以外の化合物を混合して用いることもできる。なお、電子供与性化合物、電子受容性化合物は、これらの化合物のエネルギー準位から相対的に決定される。

電子供与性化合物としては、例えば、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン残基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体が挙げられる。

電子受容性化合物としては、例えば、炭素材料、酸化チタン等の金属酸化物、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バソクプロイン）等のフェナントレン誘導体、フラーレン、フラーレン誘導体が挙げられ、好ましくは、酸化チタン、カーボンナノチューブ、フラーレン又はフラーレン誘導体であり、より好ましくはフラーレン又はフラーレン誘導体である。

フラーレンの例としてはＣ₆₀フラーレン、Ｃ₇₀フラーレン、Ｃ₇₆フラーレン、Ｃ₇₈フラーレン及びＣ₈₄フラーレンが挙げられる。フラーレンの誘導体の構造の例を以下に示す。

また、フラーレン誘導体の例としては、[６，６]フェニル−Ｃ６１酪酸メチルエステル（Ｃ６０ＰＣＢＭ、［６，６］−Ｐｈｅｎｙｌ Ｃ６１ ｂｕｔｙｒｉｃ ａｃｉｄ ｍｅｔｈｙｌ ｅｓｔｅｒ）、［６，６］フェニル−Ｃ７０酪酸メチルエステル（Ｃ７０ＰＣＢＭ、［６，６］−Ｐｈｅｎｙｌ Ｃ７０ ｂｕｔｙｒｉｃ ａｃｉｄ ｍｅｔｈｙｌ ｅｓｔｅｒ）、［６，６］フェニル−Ｃ８４酪酸メチルエステル（Ｃ８４ＰＣＢＭ、［６，６］−Ｐｈｅｎｙｌ Ｃ８４ ｂｕｔｙｒｉｃ ａｃｉｄ ｍｅｔｈｙｌ ｅｓｔｅｒ）及び［６，６］チエニル−Ｃ６０酪酸メチルエステル（［６，６］−Ｔｈｉｅｎｙｌ C６０ ｂｕｔｙｒｉｃ ａｃｉｄ ｍｅｔｈｙｌ ｅｓｔｅｒ）が挙げられる。

活性層中に本発明の化合物とポリ（３−ヘキシルチオフェン）等の電子供与性化合物とを含む場合、活性層中の電子供与性化合物の量は、本発明の化合物１００重量部に対して、１０〜１０００重量部であることが好ましく、２０〜５００重量部であることがより好ましい。

活性層の厚さは、通常、１ｎｍ〜１００μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜１０００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜５００ｎｍであり、更に好ましくは２０ｎｍ〜２００ｎｍである。

活性層は、如何なる方法で製造してもよい。活性層の製造方法としては例えば、本発明の化合物を含む溶液からの成膜、及び、真空蒸着法による成膜方法が挙げられる。

光電変換素子の好ましい製造方法は、第１の電極と第２の電極とを有し、該第１の電極と該第２の電極との間に活性層を有する光電変換素子の製造方法であって、該第１の電極上に本発明の化合物と溶媒とを含む溶液(インク)を塗布法により塗布して活性層を形成する工程、該活性層上に第２の電極を形成する工程を有する素子の製造方法である。

溶液からの成膜に用いる溶媒は、本発明の化合物を溶解させる溶媒であればよい。該溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ビシクロヘキシル、ｎ−ブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン等の不飽和炭化水素溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素溶媒、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化不飽和炭化水素溶媒、及び、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエーテル溶媒が挙げられる。本発明の化合物は、通常、前記溶媒に０．１重量％以上溶解させることができる。

溶液を用いて成膜する場合、スリットコート法、ナイフコート法、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法、ノズルコート法、キャピラリーコート法等の塗布法を用いてもよい。塗布法としては、スリットコート法、キャピラリーコート法、グラビアコート法、マイクログラビアコート法、バーコート法、ナイフコート法、ノズルコート法、インクジェット印刷法、及びスピンコート法が好ましい。

成膜性の観点からは、２５℃における溶媒の表面張力が１５ｍＮ／ｍより大きいことが好ましく、１５ｍＮ／ｍより大きく１００ｍＮ／ｍよりも小さいことがより好ましく、２５ｍＮ／ｍより大きく６０ｍＮ／ｍよりも小さいことが更に好ましい。

（有機薄膜太陽電池）
本発明の化合物を用いた光電変換素子は、透明又は半透明の電極から太陽光等の光を照射することにより、電極間に光起電力が発生し、有機薄膜太陽電池として動作させることができる。有機薄膜太陽電池を複数集積することにより有機薄膜太陽電池モジュールとして用いることもできる。

電極間に電圧を印加した状態、あるいは無印加の状態で、透明又は半透明の電極から光を照射することにより、光電流が流れ、有機光センサーとして動作させることができる。有機光センサーを複数集積することにより有機イメージセンサーとして用いることもできる。

有機薄膜太陽電池は、従来の太陽電池モジュールと基本的には同様のモジュール構造をとりうる。太陽電池モジュールは、一般的には金属、セラミック等の支持基板の上にセルが構成され、その上を充填樹脂や保護ガラス等で覆い、支持基板の反対側から光を取り込む構造をとるが、支持基板に強化ガラス等の透明材料を用い、その上にセルを構成してその透明の支持基板側から光を取り込む構造とすることも可能である。このような構造としては、例えば、スーパーストレートタイプ、サブストレートタイプ、ポッティングタイプと呼ばれるモジュール構造、アモルファスシリコン太陽電池などで用いられる基板一体型モジュール構造等が知られている。本発明の化合物を用いて製造される有機薄膜太陽電池も使用目的や使用場所及び環境により、適宜これらのモジュール構造を選択できる。

代表的なスーパーストレートタイプあるいはサブストレートタイプのモジュールは、片側又は両側が透明で反射防止処理を施された支持基板の間に一定間隔にセルが配置され、隣り合うセル同士が金属リード又はフレキシブル配線等によって接続され、外縁部に集電電極が配置されており、発生した電力を外部に取り出される構造となっている。基板とセルの間には、セルの保護や集電効率向上のため、目的に応じエチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）等様々な種類のプラスチック材料をフィルム又は充填樹脂の形で用いてもよい。外部からの衝撃が少ないところなど表面を硬い素材で覆う必要のない場所において使用する場合には、表面保護層を透明プラスチックフィルムで構成し、又は上記充填樹脂を硬化させることによって保護機能を付与し、片側の支持基板をなくすことが可能である。支持基板の周囲は、内部の密封及びモジュールの剛性を確保するため金属製のフレームでサンドイッチ状に固定し、支持基板とフレームの間は封止材料で密封シールする。セルそのもの、支持基板、充填材料及び封止材料のいずれかの素材として可撓性の素材を用いれば、曲面の上に太陽電池を構成することもできる。

ポリマーフィルム等のフレキシブル支持体を用いた太陽電池の場合、ロール状の支持体を送り出しながら順次セルを形成し、所望のサイズに切断した後、周縁部をフレキシブルで防湿性のある素材でシールすることにより電池本体を作製できる。Ｓｏｌａｒ Ｅｎｅｒｇｙ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ Ｓｏｌａｒ Ｃｅｌｌｓ，４８，ｐ３８３−３９１記載の「ＳＣＡＦ」と呼ばれるモジュール構造とすることもできる。フレキシブル支持体を用いた太陽電池は曲面ガラス等に接着固定して使用することもできる。

（有機エレクトロルミネッセンス素子）
本発明の化合物は、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」ということがある。）に用いることもできる。有機ＥＬ素子は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極間に発光層を有する。有機ＥＬ素子は、発光層の他にも、正孔輸送層、電子輸送層を含んでいてもよい。該発光層、正孔輸送層、電子輸送層のいずれかの層中に本発明の化合物が含まれる。発光層中には、本発明の化合物の他にも、電荷輸送材料（電子輸送材料と正孔輸送材料の総称を意味する）を含んでいてもよい。有機ＥＬ素子の例としては、陽極と発光層と陰極とを有する素子、更に陰極と発光層の間に、該発光層に隣接して電子輸送材料を含有する電子輸送層を有する、陽極と発光層と電子輸送層と陰極とを有する素子、更に陽極と発光層の間に、該発光層に隣接して正孔輸送材料を含む正孔輸送層を有する、陽極と正孔輸送層と発光層と陰極とを有する素子、陽極と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と陰極とを有する素子等が挙げられる。

（有機トランジスタ）
有機トランジスタの例としては、ソース電極及びドレイン電極と、これらの電極間の電流経路となり、本発明の化合物を含む活性層と、該電流経路を通る電流量を制御するゲート電極とを有する有機トランジスタが挙げられる。このような構成を有する有機トランジスタの例としては、電界効果型有機トランジスタ及び静電誘導型有機トランジスタが挙げられる。

電界効果型有機トランジスタは、通常、ソース電極及びドレイン電極と、これらの電極間の電流経路となり、本発明の化合物を含む活性層と、該電流経路を通る電流量を制御するゲート電極と、活性層とゲート電極との間に配置される絶縁層とを有する有機トランジスタである。電界効果型有機トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極が、活性層に接して設けられており、更に活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられている電界効果型有機トランジスタが好ましい。

静電誘導型有機トランジスタは、通常、ソース電極及びドレイン電極と、これらの電極間の電流経路であり、本発明の化合物を含む活性層と、該電流経路を通る電流量を制御するゲート電極とを有し、該ゲート電極が活性層中に設けられている有機トランジスタである。静電誘導型有機トランジスタは、ソース電極、ドレイン電極及び前記ゲート電極が、前記活性層に接して設けられている静電誘導型有機トランジスタが好ましい。

ゲート電極は、ソース電極からドレイン電極へ流れる電流経路が形成でき、かつ、ゲート電極に印加した電圧で該電流経路を流れる電流量が制御できる構造であればよく、例えば、くし型電極である。

図１は、本発明の有機トランジスタ（電界効果型有機トランジスタ）の第１の例の構成を模式的に示す断面図である。図１に示す有機トランジスタ１００は、基板１と、基板１上に所定の間隔で離間するように設けられたソース電極５及びドレイン電極６と、ソース電極５及びドレイン電極６にまたがっており、かつソース電極５及びドレイン電極６と一体的に基板１上に設けられた活性層２と、活性層２上に設けられた絶縁層３と、ソース電極５とドレイン電極６との間の絶縁層３の領域を覆うように、基板１の厚さ方向から見たときにソース電極５及びドレイン電極６にまたがるように絶縁層３上に設けられたゲート電極４とを備える。

図２は、本発明の有機トランジスタ（電界効果型有機トランジスタ）の第２の例の構成を模式的に示す断面図である。図２に示す有機トランジスタ１１０は、基板１と、基板１の主面の一部領域に設けられたソース電極５と、ソース電極５を覆うようにして基板１上に設けられた活性層２と、ソース電極５と所定の間隔で離間するように活性層２上に設けられたドレイン電極６と、基板１の厚さ方向から見たときに活性層２及びドレイン電極６にまたがるように設けられた絶縁層３と、ソース電極５とドレイン電極６との間の絶縁層３の領域を覆うように、基板１の厚さ方向から見たときにソース電極５及びドレイン電極６にまたがるように絶縁層３上に形成されたゲート電極４とを備える。なお、ソース電極５及びドレイン電極６は、活性層２と一体的に設けられている。

図３は、本発明の有機トランジスタ（電界効果型有機トランジスタ）の第３の例の構成を模式的に示す断面図である。図３に示す有機トランジスタ１２０は、基板１と、基板１の一方の主面に設けられたゲート電極４と、ゲート電極４を覆うように基板１上に設けられた絶縁層３と、基板１の厚さ方向から見たときにゲート電極４にまたがるように、絶縁層３の一部領域を覆うように、かつ、所定の間隔で離間するように絶縁層３上に設けられたソース電極５及びドレイン電極６と、ソース電極５及びドレイン電極６の一部領域を覆うように絶縁層３上に形成された活性層２とを備える。

図４は、本発明の有機トランジスタ（電界効果型有機トランジスタ）の第４の例の構成を模式的に示す断面図である。図４に示す有機トランジスタ１３０は、基板１と、基板１の一方の主面の一部領域に設けられたゲート電極４と、ゲート電極４を覆うように基板１上に設けられた絶縁層３と、基板１の厚さ方向から見たときにゲート電極４にまたがるように、絶縁層３の一部領域を覆うように絶縁層３上に形成されたソース電極５と、ソース電極５の一部領域を覆うように絶縁層３上に形成された活性層２と、基板１の厚さ方向から見たときにゲート電極４にまたがるように、活性層２の一部領域を覆うように、かつソース電極５と所定の間隔で離間するように絶縁層３上に設けられたドレイン電極６とを備える。

図５は、本発明の有機トランジスタ（静電誘導型有機トランジスタ）の第５の例の構成を模式的に示す断面図である。図５に示す有機トランジスタ１４０は、基板１と、基板１の一方の主面に設けられたソース電極５と、ソース電極５上に設けられた活性層２と、活性層２上に所定の間隔で離間するように設けられた複数のゲート電極４と、全てのゲート電極４を覆うように活性層２上に設けられた活性層２ａ（活性層２ａを構成する材料は、活性層２を構成する材料と同一でも異なっていてもよい）と、活性層２ａ上に、基板１の厚さ方向から見たときに全てのゲート電極４にまたがるように設けられたドレイン電極６とを備える。

図６は、本発明の有機トランジスタ（電界効果型有機トランジスタ）の第６の例の構成を模式的に示す断面図である。図６に示す有機トランジスタ１５０は、基板１と、基板１上に設けられた活性層２と、活性層２上に所定の間隔で離間するように、かつ活性層２と一体的に設けられたソース電極５及びドレイン電極６と、ソース電極５及びドレイン電極６にまたがるように、ソース電極５及びドレイン電極６の一部領域を覆うように活性層２上に設けられた絶縁層３と、基板１の厚み方向から見たときにソース電極５及びドレイン電極６にまたがるように絶縁層３の一部領域を覆うように設けられたゲート電極４とを備える。

図７は、本発明の有機トランジスタ（電界効果型有機トランジスタ）の第７の例の構成を模式的に示す模式断面図である。図７に示す有機トランジスタ１６０は、基板１と、基板１の一方の主面の一部領域に設けられたゲート電極４と、ゲート電極４を覆うように基板１上に設けられた絶縁層３と、基板１の厚さ方向から見たときにゲート電極４の一部にまたがるように、絶縁層３の一部領域を覆うように設けられた活性層２と、基板１の厚さ方向から見たときに活性層２の一部領域を覆うように活性層２上に形成されたソース電極５と、基板１の厚さ方向から見たときに、ゲート電極４の一部にまたがるように、ソース電極５と所定の間隔で離間するように、活性層２の一部領域を覆うように、かつ活性層２上に設けられたドレイン電極６とを備える。

図８は、本発明の有機トランジスタ（電界効果型有機トランジスタ）の第８の例を模式的に示す断面図である。図８に示す有機トランジスタ１７０は、ゲート電極４と、ゲート電極４の一方の主面に設けられた絶縁層３と、絶縁層３上に設けられた活性層２と、活性層２上に互いに所定の間隔を持って設けられたソース電極５及びドレイン電極６とを備える。なお、ゲート電極４は基板１を兼ねている。

図９は、本発明の有機トランジスタ（電界効果型有機トランジスタ）の第９の例を模式的に示す断面図である。図９に示す有機トランジスタ１８０は、ゲート電極４と、ゲート電極４の一方の主面に設けられた絶縁層３と、絶縁層３上に互いに所定の間隔で離間するように設けられたソース電極５及びドレイン電極６と、ソース電極５及びドレイン電極６の一部領域を覆うように絶縁層３上に設けられた活性層２とを備える。

上述した本発明の有機トランジスタにおいては、活性層２及び／又は活性層２ａは、本発明の化合物を含有する膜によって構成され、ソース電極５とドレイン電極６との間の電流通路（チャネル）となる。ゲート電極４は、電圧を印加することにより電流通路（チャネル）を通る電流量を制御する。

このような電界効果型有機トランジスタは、公知の方法、例えば特開平５−１１００６９号公報記載の方法により製造することができる。静電誘導型有機トランジスタは、特開２００４−００６４７６号公報に記載の方法等の公知の方法により製造することができる。

基板１の材料は、有機トランジスタの特性を阻害しない材料であればよい。基板としては、ガラス基板、フレキシブルなフィルム基板、プラスチック基板を用いることができる。

絶縁層３の材料は、電気の絶縁性が高い材料であればよく、例えば、ＳｉＯ_x、ＳｉＮ_x、Ｔａ₂Ｏ₅、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、有機ガラス又はフォトレジストを用いることができるが、低電圧化の観点からは、誘電率の高い材料を用いることが好ましい。

絶縁層３の上に活性層２を形成する場合は、絶縁層３と活性層２の界面特性を改善するため、シランカップリング剤等の表面処理剤で絶縁層３の表面を処理して表面改質した後に活性層２を形成することも可能である。

電界効果型有機トランジスタの場合、電子、ホール等の電荷は、一般に絶縁層と活性層の界面付近を通過する。従って、この界面の状態がトランジスタの電界効果移動度に大きな影響を与える。そこで、界面状態を改良して特性を向上させる方法として、シランカップリング剤による界面の制御が提案されている（例えば、表面科学、２００７年、第２８巻、第５号、ｐ．２４２−２４８）。

シランカップリング剤の例としては、アルキルクロロシラン類（オクチルトリクロロシラン（ＯＴＳ）、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＤＴＳ）、フェニルエチルトリクロロシラン等）、アルキルアルコキシシラン類、フッ素化アルキルクロロシラン類、フッ素化アルキルアルコキシシラン類、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等のシリルアミン化合物が挙げられる。表面処理剤で処理する前に、絶縁層表面をオゾンＵＶ処理、Ｏ₂プラズマ処理してもよい。

このような処理によって、絶縁層として用いられるシリコン酸化膜等の表面エネルギーを制御することができる。また、表面処理により、活性層を構成している膜の絶縁層上での配向性が向上し、より高い電界効果移動度が得られる。

ゲート電極４には、金、白金、銀、銅、クロム、パラジウム、アルミニウム、インジウム、モリブデン、低抵抗ポリシリコン、低抵抗アモルファスシリコン等の金属や、スズ酸化物、酸化インジウム、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）等の材料を用いることができる。これらの材料は、１種を単独で用いても２種以上を併用してもよい。なお、ゲート電極４としては、高濃度に不純物がドープされたシリコン基板を用いることも可能である。高濃度に不純物がドープされたシリコン基板は、ゲート電極としての性能とともに、基板としての性能も併有する。このような基板としての性能も有するゲート電極４を用いる場合には、基板１とゲート電極４とが接している有機トランジスタにおいて、基板１を省略してもよい。

ソース電極５及びドレイン電極６は、低抵抗の材料から構成されることが好ましく、金、白金、銀、銅、クロム、パラジウム、アルミニウム、インジウム、モリブデン等の低抵抗の材料から構成されることがより好ましい。これらの材料は１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

上記有機トランジスタにおいて、ソース電極５及びドレイン電極６と、活性層２との間には、更に他の化合物から構成された層が介在していてもよい。このような層を構成する化合物の例としては、電子輸送性を有する低分子化合物、ホール輸送性を有する低分子化合物、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、これらの金属と有機化合物との錯体、ヨウ素、臭素、塩素、塩化ヨウ素等のハロゲン、硫酸、無水硫酸、二酸化硫黄、硫酸塩等の酸化硫黄化合物、硝酸、二酸化窒素、硝酸塩等の酸化窒素化合物、過塩素酸、次亜塩素酸等のハロゲン化化合物、及び、アルキルチオール化合物、芳香族チオール類、フッ素化アルキル芳香族チオール類等の芳香族チオール化合物が挙げられる。

上記のような有機トランジスタを作製した後には、有機トランジスタを保護するため、有機トランジスタ上に保護膜を形成することが好ましい。これにより、有機トランジスタが大気から遮断され、有機トランジスタの特性の低下を抑制することができる。有機トランジスタの上に駆動する表示デバイスを形成する場合、その形成工程における有機トランジスタへの影響も該保護膜により低減することができる。

保護膜を形成する方法の例としては、有機トランジスタを、ＵＶ硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機のＳｉＯＮ_x膜等で覆う方法が挙げられる。大気との遮断を効果的に行うため、有機トランジスタを作製後、有機トランジスタを大気にさらすことなく（例えば、乾燥した窒素ガス雰囲気中、真空中等で）保護膜を形成することが好ましい。

このように構成された有機トランジスタの一種である電界効果型トランジスタは、アクティブマトリックス駆動方式の液晶ディスプレイや有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの画素駆動スイッチング素子等として適用できる。そして、上述した本実施形態の電界効果型トランジスタは、活性層として本発明の化合物を含有し、そのことにより移動度に優れた活性層を備えているため、高い電界効果移動度を有する。したがって、十分な応答速度を持つディスプレイの製造等に有用である。

以下、本発明を更に詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（測定条件等）
核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトルは、ＪＥＯＬ（日本電子株式会社）製の商品名ＪＭＮ−２７０（１Ｈ測定時２７０ＭＨｚ）、又は同社製の商品名ＪＭＮＬＡ−６００（１３Ｃ測定時１５０ＭＨｚ）を用いて測定した。ケミカルシフトは百万分率（ｐｐｍ）で表している。内部標準０ｐｐｍとして、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いた。結合定数（Ｊ）は、ヘルツで示しており、略号ｓ、ｄ、ｔ、ｑ、ｍ及びｂｒは、それぞれ、一重線（ｓｉｎｇｌｅｔ)、二重線（ｄｏｕｂｌｅｔ）、三重線（ｔｒｉｐｌｅｔ）、四重線（ｑｕａｒｔｅｔ）、多重線（ｍｕｌｔｉｐｌｅｔ）及び広幅線（ｂｒｏａｄ）を表す。

サイクリックボルタンメトリー（以下、「ＣＶ」という。）は、ＢＡＳ社製の装置を使用し、作用電極としてＢＡＳ社製Ｐｔ電極、対電極としてＰｔ線、参照電極としてＡｇ線を用いて測定した。この測定時の掃引速度は１００ｍＶ／秒、走査電位領域は−２．８Ｖ〜１．６Ｖであった。還元電位及び酸化電位の測定は、塩化メチレンに、測定される化合物を１×１０^‐3ｍｏｌ／Ｌの濃度で溶解させ、支持電解質としてテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェートを０．１ｍｏｌ／Ｌの濃度で溶解させた溶液を用いて行った。

合成例１
＜化合物Ａの合成＞
ねじ口試験管に、化合物Ｂを１．００ｇ（３．２２ｍｍｏｌ）、トリメチルシリルアセチレンを１．５８ｇ（１６．１ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅を６１ｍｇ（０．３２ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を２２６ｍｇ（０．３２２ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを５ｍＬ、トリエチルアミンを５ｍＬ入れ、ねじ口試験管内の空気を窒素ガスで置換し、１２時間還流させた。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、ヘキサンとクロロホルムとを等量混合した溶媒を展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、淡黄色固体の化合物Ａを１．０５ｇ得た。化合物Ａの収率は９９％であった。

化合物Ａの分析結果は以下の通りである。
ＴＬＣ Ｒ_f＝０．３（ヘキサン／クロロホルム＝１／１）。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ７．８７（ｓ、１Ｈ）、７．７５（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝８．２Ｈｚ）、７．７４（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝８．２Ｈｚ）、３．６５（ｔ、２Ｈ、Ｊ＝７．３Ｈｚ)、１．６４（ｍ、２Ｈ)、１．２９（ｍ、６Ｈ）、０．８６（ｔ、３Ｈ、Ｊ＝６．９Ｈｚ）、０．２６（ｓ、９Ｈ）。

合成例２
＜化合物Ｃの合成＞
ナス型フラスコに、化合物Ａを３００ｍｇ（０．９１６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを５ｍＬ、メタノールを２ｍＬ、炭酸カリウムを２５２ｍｇ（１．８３ｍｍｏｌ）入れ、１時間撹拌を行った。その後、反応液のセライト濾過を行い、エバポレーターを用いて減圧濃縮した後、ヘキサンと酢酸エチルとを酢酸エチルに対するヘキサンの体積比が１０となるように混合した溶媒を展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、淡黄色固体の化合物Ｃを２００ｍｇ得た。化合物Ｃの収率は８６％であった。

化合物Ｃの分析結果は以下の通りである。
ＴＬＣ Ｒ_f＝０．５（ヘキサン／酢酸エチル＝１０／１）。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）：δ７．９０（ｓ、１Ｈ）、７．７８（ｓ、２Ｈ）、３．６６（ｔ、２Ｈ、Ｊ＝７．３Ｈｚ)、１．６５（ｍ、２Ｈ)、１．３０（ｍ、６Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ、Ｊ＝６．８Ｈｚ）。

実施例１
＜化合物Ｄの合成＞
ねじ口試験管に、４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾールを７３ｍｇ（０．２５ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅を２．３ｍｇ（０．０１２ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を１４ｍｇ（０．０１２ｍｍｏｌ）、化合物Ｃを１４０ｍｇ（０．５５ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを３ｍＬ、トリエチルアミンを３ｍＬ加え、ねじ口試験管中の空気を窒素ガスで置換し、１２時間還流させた。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、ヘキサンと酢酸エチルとを酢酸エチルに対するヘキサンの体積比が５となるように混合した溶媒を展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、黄色固体の化合物Ｄを９７ｍｇ得た。化合物Ｄの収率は６１％であった。

化合物Ｄの分析結果は以下の通りである。
ＴＬＣ Ｒ_f＝０．２（ヘキサン／酢酸エチル＝５／１）。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ８．０１（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝１．４Ｈｚ）、７．９７（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝６．８、１．４Ｈｚ）、７．８８（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝６．８Ｈｚ）、７．８６（ｓ、２Ｈ）、３．６９（ｔ、４Ｈ、Ｊ＝７．３Ｈｚ)、１．６８（ｍ、４Ｈ)、１．３１（ｍ、１２Ｈ）、０．８８（ｔ、６Ｈ、Ｊ＝６．４Ｈｚ）。

合成例３
＜化合物Ｅの合成＞
ねじ口試験管に、４−ブロモフタル酸無水物を４．００ｇ（１７．６ｍｍｏｌ）、ジメチルホルムアミドを１００ｍＬ、ｎ−ドデシルアミンを３．２６ｇ（１７．６ｍｍｏｌ）入れ、１４０℃で１２時間撹拌した。反応液を室温まで冷却後、水を加え、酢酸エチルを用いて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを用いて有機層を乾燥させた。エバポレーターを用いて乾燥させた有機層を減圧濃縮し、ヘキサンと酢酸エチルとを酢酸エチルに対するヘキサンの体積比が１０となるように混合した溶媒を展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、淡黄色固体の化合物Ｅを４．７４ｇ得た。化合物Ｅの収率は６８％であった。

化合物Ｅの分析結果は以下の通りである。
ＴＬＣ Ｒ_f＝０．４（ヘキサン／酢酸エチル＝１０／１）。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ７．９５（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝１．６Ｈｚ）、７．８２（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝７．８、１．６Ｈｚ）、７．６８（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）、３．６５（ｔ、２Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ)、１．６４（ｍ、２Ｈ)、１．２５（ｍ、１８Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）。

合成例４
＜化合物Ｆの合成＞
ねじ口試験管に、化合物Ｅを１．００ｇ（２．５３ｍｍｏｌ）、トリメチルシリルアセチレンを１．２３ｇ（１２．６ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅を４８ｍｇ（０．２５３ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を１７７ｍｇ（０．２５３ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを５ｍＬ、トリエチルアミンを５ｍＬ入れ、ねじ口試験管の空気を窒素ガスで置換し、１２時間還流させた。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、ヘキサンとクロロホルムとを等量混合した溶媒を展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、淡黄色固体の化合物Ｆを１．２０ｇ得た。化合物Ｆの収率は９８％であった。

化合物Ｆの分析結果は以下の通りである。
ＴＬＣ Ｒ_f＝０．４（ヘキサン／クロロホルム＝１／１）。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ７．８８（ｓ、１Ｈ）、７．７５（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝８．２Ｈｚ）、７．７４（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝８．２Ｈｚ）、３．６５（ｔ、２Ｈ、Ｊ＝７．３Ｈｚ)、１．６５（ｍ、２Ｈ)、１．２８（ｍ、１８Ｈ）、０．８６（ｔ、３Ｈ、Ｊ＝６．８Ｈｚ）、０．２６（ｓ、９Ｈ）。

合成例５
＜化合物Ｇの合成＞
ナス型フラスコに化合物Ｆを４００ｍｇ（０．９７１ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを４ｍＬ、メタノールを１ｍＬ、炭酸カリウムを２６８ｍｇ（１．９４ｍｍｏｌ）入れ、１時間撹拌を行った。その後、反応液のセライト濾過を行い、エバポレーターを用いて減圧濃縮した後、ヘキサンと酢酸エチルとを酢酸エチルに対するヘキサンの体積比が１０となるように混合した溶媒を展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、淡黄色固体の化合物Ｇを２８８ｍｇ得た。化合物Ｇの収率は８７％であった。

化合物Ｇの分析結果は以下の通りである。
ＴＬＣ Ｒ_f＝０．３（ヘキサン／酢酸エチル＝１０／１）。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ７．９０（ｓ、１Ｈ）、７．７８（ｓ、２Ｈ）、３．６６（ｔ、２Ｈ、Ｊ＝７．３Ｈｚ)、１．６５（ｍ、２Ｈ)、１．２６（ｍ、１８Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ、Ｊ＝７．３Ｈｚ）。

実施例２
＜化合物Ｈの合成＞
ねじ口試験管に、４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾールを１００ｍｇ（０．３４０ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅を６ｍｇ（０．０３４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を３９ｍｇ（０．０３４ｍｍｏｌ）、化合物Ｇを２５４ｍｇ（０．７５０ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを７ｍＬ、ジイソプロピルエチルアミンを０．７ｍＬ加え、ねじ口試験管中の空気を窒素ガスで置換し、１２時間還流させた。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、クロロホルムを展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、粗生成物を得た後、再結晶により黄色固体の化合物Ｈを１６３ｍｇ得た。化合物Ｈの収率は５９％であった。再結晶において、クロロホルムとアセトンを用いた二層法で結晶を得た後、ヘキサン及びアセトンで結晶を洗浄した。

化合物Ｈの分析結果は以下の通りである。
ＴＬＣ Ｒ_f＝０．２（クロロホルム）。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ８．０１（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝１．４Ｈｚ）、７．９７（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．８、１．４Ｈｚ）、７．８６（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）、７．８５（ｓ、２Ｈ）、３．６９（ｔ、４Ｈ、Ｊ＝７．３Ｈｚ)、１．６８（ｍ、４Ｈ)、１．２７（ｍ、３６Ｈ）、０．８７（ｔ、６Ｈ、Ｊ＝６．４Ｈｚ）。

合成例６
＜化合物Ｉの合成＞
ねじ口試験管に、４−ブロモフタル酸無水物を２．００ｇ（８．８１ｍｍｏｌ）、ジメチルホルムアミドを５０ｍＬ、２−エチルヘキシルアミンを１．１３ｇ（８．８１ｍｍｏｌ）入れ、１４０℃で１２時間撹拌した。反応液を室温まで冷却後、水を加え、酢酸エチルを用いて有機層を抽出し、硫酸マグネシウムを用いて有機層を乾燥させた。エバポレーターを用いて乾燥させた有機層を減圧濃縮し、ヘキサンと酢酸エチルとを酢酸エチルに対するヘキサンの体積比が１０となるように混合した溶媒を展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、淡黄色油状の化合物Ｉを２．２４ｇ得た。化合物Ｉの収率は７５％であった。

化合物Ｉの分析結果は以下の通りである。
ＴＬＣ Ｒ_f＝０．４（ヘキサン／酢酸エチル＝１０／１）。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ７．９５（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝１．８Ｈｚ）、７．８３（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝７．８、１．８Ｈｚ）、７．６９（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）、３．５６（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝６．９Ｈｚ)、１．８１（ｍ、１Ｈ)、１．２８（ｍ、８Ｈ）、０．８８（ｍ、６Ｈ）。

合成例７
＜化合物Ｊの合成＞
ねじ口試験管に、化合物Ｉを１．００ｇ（２．９５ｍｍｏｌ）、トリメチルシリルアセチレンを１．４４ｇ（１４．７ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅を５６ｍｇ（０．２９５ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を２０７ｍｇ（０．３０ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを５ｍＬ、トリエチルアミンを５ｍＬ入れ、ねじ口試験管内の空気を窒素ガスで置換し、１２時間還流させた。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、ヘキサンとクロロホルムとを等量混合した溶媒を展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、淡黄色油状の化合物Ｊを１．０２ｇ得た。化合物Ｊの収率は９７％であった。

化合物Ｊの分析結果は以下の通りである。
ＴＬＣ Ｒ_f＝０．３（ヘキサン／クロロホルム＝１／１）。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ７．８７（ｓ、１Ｈ）、７．７５（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）、７．７３（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）、３．６５（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝５．６Ｈｚ)、１．８１（ｍ、１Ｈ)、１．２９（ｍ、８Ｈ）、０．８８（ｍ、６Ｈ）、０．２６（ｓ、９Ｈ）。

合成例８
＜化合物Ｋの合成＞
ナス型フラスコに、化合物Ｊを４００ｍｇ（１．１２ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを４ｍＬ、メタノールを１ｍＬ、炭酸カリウムを３０９ｍｇ（２．２４ｍｍｏｌ）入れ、１時間撹拌を行った。その後、反応液のセライト濾過を行い、エバポレーターを用いて減圧濃縮した後、ヘキサンと酢酸エチルとを酢酸エチルに対するヘキサンの体積比が１０となるように混合した溶媒を展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、淡黄色油状の化合物Ｋを２１０ｍｇ得た。化合物Ｋの収率は６６％であった。

化合物Ｋの分析結果は以下の通りである。
ＴＬＣ Ｒ_f＝０．５（ヘキサン／酢酸エチル＝１０／１）。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ７．９０（ｓ、１Ｈ）、７．７８（ｓ、２Ｈ）、３．５６（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ)、１．８１（ｍ、１Ｈ)、１．２９（ｍ、８Ｈ）、０．８８（ｍ、６Ｈ）。

実施例３
＜化合物Ｌの合成＞
ねじ口試験管に、４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾールを８９ｍｇ（０．３０ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅を５ｍｇ（０．０３ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を３９ｍｇ（０．０３０ｍｍｏｌ）、化合物Ｋを１８９ｍｇ（０．６７４ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを６ｍＬ、ジイソプロピルエチルアミンを０．６ｍＬ加え、ねじ口試験管中の空気を窒素ガスで置換し、１２時間還流させた。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、クロロホルムを展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、粗生成物を得た後、再結晶により黄色固体の化合物Ｌを１８９ｍｇ得た。化合物Ｌの収率は８９％であった。再結晶において、クロロホルムとアセトンを用いた二層法で結晶を得た後、ヘキサン及びアセトンで結晶を洗浄した。

化合物Ｌの分析結果は以下の通りである。
ＴＬＣ Ｒ_f＝０．２（クロロホルム）。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）：δ８．０９（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝１．４Ｈｚ）、７．９７（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝８．２、１．４Ｈｚ）、７．８７（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝８．２Ｈｚ）、７．８６（ｓ、２Ｈ）、３．５９（ｄ、４Ｈ、Ｊ＝８．７Ｈｚ)、１．８４（ｍ、２Ｈ)、１．２９（ｍ、１６Ｈ）、０．９０（ｍ、１２Ｈ）。

合成例９
＜化合物Ｍの合成＞
ナス型フラスコに、５−ブロモチオフェン−２，３−ジカルボン酸を５００ｍｇ（１．９９ｍｍｏｌ）、無水酢酸を８ｍＬ入れ、１４０℃で１２時間撹拌した。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、トルエンを用いた再結晶により白色固体の化合物Ｍを２６４ｍｇ得た。化合物Ｍの収率は５７％であった。

化合物Ｍの分析結果は以下の通りである。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ）：δ７．７７（ｓ、１Ｈ）。

合成例１０
＜化合物Ｎ及びＯの合成＞
ねじ口試験管に、５−ブロモチオフェン−２，３−ジカルボン酸無水物（化合物Ｍ）を２６４ｍｇ（１．１３ｍｍｏｌ）、トルエンを１６ｍＬ、ヘキシルアミンを１２０ｇ（１．１９ｍｍｏｌ）入れ、２０時間還流させた。反応液を室温まで冷却後、生成した沈殿を濾取し、ヘキサン及び５重量％塩酸で洗浄し、白色固体である化合物Ｎと化合物Ｏとの混合物を３２４ｍｇ得た。化合物Ｎと化合物Ｏとの混合物の収率は８６％であった。

合成例１１
＜化合物Ｐの合成＞
ナス型フラスコに、化合物Ｎと化合物Ｏとの混合物を１．５１ｇ（４．５２ｍｍｏｌ）、塩化チオニルを９０ｍＬ入れ、３時間還流させた。反応液を室温まで冷却後、エバポレーターを用いて減圧濃縮し、ヘキサンと酢酸エチルとを酢酸エチルに対するヘキサンの体積比が１９となるように混合した溶媒を展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、白色固体の化合物Ｐを１．３３ｇ得た。化合物Ｐの収率は９３％であった。

化合物Ｐの分析結果は以下の通りである。
ＴＬＣ Ｒ_f＝０．２（ヘキサン／酢酸エチル＝１９／１）。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ７．２９（ｓ、１Ｈ）、３．５６（ｔ、２Ｈ、Ｊ＝７．３Ｈｚ）、１．６１（ｍ、２Ｈ）、１．２９（ｍ、６Ｈ)、０．８７（ｔ、３Ｈ、Ｊ＝６．９Ｈｚ）。

合成例１２
＜化合物Ｑの合成＞
ナス型フラスコに、４，７−ビス（トリメチルシリルエチニル）ベンゾ［ｃ］［１，２、５］チアジアゾールを３００ｍｇ（０．９１３ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを４ｍＬ、メタノールを１ｍＬ、炭酸カリウムを５０４ｍｇ（３．６５ｍｍｏｌ）入れ、１時間撹拌を行った。その後、反応液のセライト濾過を行い、エバポレーターを用いて減圧濃縮した後、ヘキサンと酢酸エチルとを酢酸エチルに対するヘキサンの体積比が１０となるように混合した溶媒を展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、淡黄色油状の化合物Ｑを１５５ｍｇ得た。化合物Ｑの収率は９２％であった。

化合物Ｑの分析結果は以下の通りである。
ＴＬＣ Ｒ_f＝０．４（ヘキサン／酢酸エチル＝１０／１）。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ７．７５（ｓ、２Ｈ）、３．６７（ｓ、２Ｈ）。

実施例４
＜化合物Ｒの合成＞
ねじ口試験管に、化合物Ｑを１００ｍｇ（０．５４３ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅を１０ｍｇ（０．０５４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を６３ｍｇ（０．０５４ｍｍｏｌ）、化合物Ｐを３７６ｍｇ（１．１９ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを１０ｍＬ、ジイソプロピルエチルアミンを１ｍＬ加え、ねじ口試験管内の空気を窒素ガスで置換し、１７時間還流させた。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、クロロホルムを展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、粗生成物を得た後、再結晶により黄色固体の化合物Ｒを１７４ｍｇ得た。化合物Ｒの収率は３３％であった。再結晶において、クロロホルムとアセトンを用いた二層法で結晶を得た後、ヘキサン及びアセトンで結晶を洗浄した。

化合物Ｒの分析結果は以下の通りである。
ＴＬＣ Ｒ_f＝０．３（クロロホルム）。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ７．８６（ｓ、２Ｈ）、７．５５（ｓ、２Ｈ）、３．６１（ｔ、４Ｈ、Ｊ＝８．４Ｈｚ）、１．６５（ｍ、４Ｈ)、１．３１（ｍ、１２Ｈ）、０．８９（ｔ、６Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）。

合成例１３
＜化合物Ｓ及びＴの合成＞
ねじ口試験管に、５−ブロモチオフェン−２，３−ジカルボン酸無水物（化合物Ｍ）を１．００ｇ（４．２９ｍｍｏｌ）、トルエンを４０ｍＬ、２−エチルヘキシルアミンを５５５ｍｇ（４．２９ｍｍｏｌ）入れ、２０時間還流させた。反応液を室温まで冷却後、水を加え、酢酸エチルで有機層を抽出し、５重量％塩酸で有機層を洗浄した。その後、無水硫酸ナトリウムで有機層を乾燥させ、濃縮し、淡黄色固体である化合物Ｓと化合物Ｔとの混合物を１．２０ｇ得た。化合物Ｓと化合物Ｔとの混合物の収率は７７％であった。

合成例１４
＜化合物Ｕの合成＞
ナス型フラスコに、化合物Ｓと化合物Ｔとの混合物を１．２０ｇ（３．３１ｍｍｏｌ）、塩化チオニルを５０ｍＬ入れ、３時間還流させた。反応液を室温まで冷却後、エバポレーターを用いて減圧濃縮し、ヘキサンと酢酸エチルとを酢酸エチルに対するヘキサンの体積比が１９となるように混合した溶媒を展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、白色固体の化合物Ｕを７７８ｍｇ得た。化合物Ｕの収率は６８％であった。

化合物Ｕの分析結果は以下の通りである。
ＴＬＣ Ｒ_f＝０．３（ヘキサン／酢酸エチル＝１９／１）。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ７．２９（ｓ、１Ｈ）、３．４７（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）、１．７５（ｍ、１Ｈ）、１．２７（ｍ、８Ｈ)、０．８９（ｍ、６Ｈ）。

実施例５
＜化合物Ｖの合成＞
ねじ口試験管に、化合物Ｑを８５ｍｇ（０．４６ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅を８ｍｇ（０．０５ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を５４ｍｇ（０．０４７ｍｍｏｌ）、化合物Ｕを３５１ｍｇ（１．０２ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを８ｍＬ、ジイソプロピルエチルアミンを０．８ｍＬ加え、ねじ口試験管内の空気を窒素ガスで置換し、１７時間還流させた。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、クロロホルムを展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、粗生成物を得た後、再結晶により黄色固体の化合物Ｖを３０１ｍｇ得た。化合物Ｖの収率は９１％であった。再結晶において、クロロホルムとアセトンを用いた二層法で結晶を得た後、ヘキサン及びアセトンで結晶を洗浄した。

化合物Ｖの分析結果は以下の通りである。
ＴＬＣ Ｒ_f＝０．５（クロロホルム）。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ７．８５（ｓ、２Ｈ）、７．５５（ｓ、２Ｈ）、３．５２（ｄ、４Ｈ、Ｊ＝７．３Ｈｚ）、１．７９（ｍ、２Ｈ)、１．３２（ｍ、１６Ｈ）、０．９０（ｍ、１２Ｈ）。

合成例１５
＜化合物Ｗの合成＞
ねじ口試験管に、化合物Ｘを１．００ｇ（２．５７ｍｍｏｌ）、トリメチルシリルアセチレンを１．２５ｇ（１２．８ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅を４８ｍｇ（０．２６ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を１８０ｍｇ（０．２５７ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを５ｍＬ、トリエチルアミンを５ｍＬ入れ、ねじ口試験管中の空気を窒素ガスで置換し、１２時間還流させた。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、ヘキサンとクロロホルムとを等量混合した溶媒を展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、淡黄色固体の化合物Ｗを１．００ｇ得た。化合物Ｗの収率は９６％であった。

化合物Ｗの分析結果は以下の通りである。
ＴＬＣ Ｒ_f＝０．３（ヘキサン／クロロホルム＝１／１）。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ８．６２（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝３．６Ｈｚ）、８．６０（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝３．６Ｈｚ）、８．５０（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）、７．８８（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）、７．８１（ｔ、１Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）、４．１０（ｍ、２Ｈ)、１．９４（ｍ、１Ｈ)、１．３４（ｍ、８Ｈ）、０．９２（ｔ、３Ｈ、Ｊ＝７．６Ｈｚ）、０．８６（ｔ、３Ｈ、Ｊ＝７．５Ｈｚ）、０．３５（ｓ、９Ｈ）。

合成例１６
＜化合物Ｙの合成＞
ナス型フラスコに、化合物Ｗを４００ｍｇ（０．９８６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを４ｍＬ、メタノールを１ｍＬ、炭酸カリウムを２７２ｍｇ（１．９７ｍｍｏｌ）入れ、１時間撹拌を行った。その後、反応液のセライト濾過を行い、エバポレーターを用いて減圧濃縮した後、ヘキサンと酢酸エチルとを酢酸エチルに対するヘキサンの体積比が１０となるように混合した溶媒を展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、淡黄色固体の化合物Ｙを３１８ｍｇ得た。化合物Ｙの収率は９７％であった。

化合物Ｙの分析結果は以下の通りである。
ＴＬＣ Ｒ_f＝０．３（ヘキサン／酢酸エチル＝１０／１）。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ８．６５（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝８．２、１．４Ｈｚ）、８．６２（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝８．２、１．４Ｈｚ）、８．５２（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）、７．９３（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）、７．８２（ｔ、１Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）、４．１１（ｍ、２Ｈ)、１．９３（ｍ、１Ｈ)、１．３４（ｍ、８Ｈ）、０．９２（ｔ、３Ｈ、Ｊ＝７．６Ｈｚ）、０．８６（ｔ、３Ｈ、Ｊ＝７．５Ｈｚ）。

実施例６
＜化合物Ｚの合成＞
ねじ口試験管に、４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾールを１２３ｍｇ（０．４１７ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅を８ｍｇ（０．０４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を４８ｍｇ（０．０４２ｍｍｏｌ）、化合物Ｙを３０６ｍｇ（０．９１８ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを８ｍＬ、ジイソプロピルエチルアミンを０．８ｍＬ加え、ねじ口試験管内の空気を窒素ガスで置換し、１５時間還流させた。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、クロロホルムを展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、粗生成物を得た後、再結晶により橙色固体の化合物Ｚを２９０ｍｇ得た。化合物Ｚの収率は９８％であった。再結晶において、クロロホルムとアセトンを用いた二層法で結晶を得た後、ヘキサン及びアセトンで結晶を洗浄した。

化合物Ｚの分析結果は以下の通りである。
ＴＬＣ Ｒ_f＝０．３（クロロホルム）。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ９．０４（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝８．２、１．４Ｈｚ）、８．６８（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝８．２、１．４Ｈｚ）、８．６０（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．２Ｈｚ）、８．１０（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．２Ｈｚ）、８．００（ｓ、２Ｈ）、７．９４（ｔ、２Ｈ、Ｊ＝７．２Ｈｚ）、４．１３（ｍ、４Ｈ)、１．９５（ｍ、２Ｈ)、１．３６（ｍ、１６Ｈ）、０．９４（ｔ、６Ｈ、Ｊ＝７．３Ｈｚ）、０．８８（ｔ、６Ｈ、Ｊ＝６．９Ｈｚ）。

合成例１７
＜化合物ＡＡの合成＞
ナス型フラスコに、５−ブロモピリジン−２，３−ジカルボン酸を４９５ｍｇ（２．０１ｍｍｏｌ）、無水酢酸を１０ｍＬ入れ、１２時間還流させた。その後、反応液を減圧濃縮し、酢酸を４ｍＬ、エチルヘキシルアミンを３４０ｍｇ（２．６２ｍｍｏｌ）加え、５時間還流させた。その後、エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、水を注ぎ、トルエンで有機層を抽出した。次いで、ヘキサンとクロロホルムとを等量混合した溶媒を展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより有機層を精製し、白色固体の化合物ＡＡを２８８ｍｇ得た。化合物ＡＡの収率は４２％であった。

化合物ＡＡの分析結果は以下の通りである。
ＴＬＣ Ｒ_f＝０．２（ヘキサン／クロロホルム＝１／１）。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ９．００（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝１．８Ｈｚ）、８．２６（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝１．８Ｈｚ）、３．６３（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝６．７Ｈｚ）、１．８３（ｍ、１Ｈ）、１．３０（ｍ、８Ｈ）、０．８８（ｍ、６Ｈ）。

実施例７
＜化合物ＡＢの合成＞
ねじ口試験管に、化合物Ｑを７１ｍｇ（０．３９ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅を７ｍｇ（０．０４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を４５ｍｇ（０．０３９ｍｍｏｌ）、化合物ＡＡを２８８ｍｇ（０．８４８ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを８ｍＬ、ジイソプロピルエチルアミンを０．８ｍＬ加え、ねじ口試験管中の空気を窒素ガスで置換し、１７時間還流させた。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、クロロホルムを展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、粗生成物を得た後、再結晶により黄色固体の化合物ＡＢを１７１ｍｇ得た。化合物ＡＢの収率は６３％であった。再結晶において、クロロホルムとアセトンを用いた二層法で結晶を得た後、ヘキサン及びアセトンで結晶を洗浄した。

化合物ＡＢの分析結果は以下の通りである。
ＴＬＣ Ｒ_f＝０．２（クロロホルム）。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ９．１７（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝１．８Ｈｚ）、８．３６（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝１．８Ｈｚ）、７．９１（ｓ、２Ｈ）、３．６６（ｄ、４Ｈ、Ｊ＝６．９Ｈｚ）、１．８７（ｍ、２Ｈ)、１．３０（ｍ、１６Ｈ）、０．９０（ｍ、１２Ｈ）。

合成例１８
＜化合物ＡＣの合成＞
ナス型フラスコに、６−ブロモピリジン−３，４−ジカルボン酸、無水酢酸を入れ、１２時間還流させる。その後、反応液を減圧濃縮し、酢酸、エチルヘキシルアミンを入れて５時間還流させる。その後、エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、水を注ぎ、トルエンで有機層を抽出する。次いでシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより有機層を精製し、化合物ＡＣを得る。

実施例８
＜化合物ＡＤの合成＞
ねじ口試験管に、化合物Ｑ、ヨウ化銅、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、化合物ＡＣ、テトラヒドロフラン、ジイソプロピルエチルアミンを加え、ねじ口試験管内の空気を窒素ガスで置換し、１７時間還流させる。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、粗生成物を得、再結晶により化合物ＡＤを得る。

合成例１９
＜化合物ＡＥの合成＞
ナス型フラスコに、６−ブロモピリジン−１，２−ジカルボン酸、無水酢酸を入れ、１２時間還流させる。その後、反応液を減圧濃縮し、酢酸、エチルヘキシルアミンを入れて５時間還流させる。その後、エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、水を注ぎ、トルエンで有機層を抽出する。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより有機層を精製し、化合物ＡＥを得る。

実施例９
＜化合物ＡＦの合成＞
ねじ口試験管に、化合物Ｑ、ヨウ化銅、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、化合物ＡＥ、テトラヒドロフラン、ジイソプロピルエチルアミンを加え、ねじ口試験管中の空気を窒素ガスで置換し、１７時間還流させる。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、粗生成物を得、再結晶により化合物ＡＦを得る。

実施例１０
＜化合物ＡＰの合成＞
試験管に５，５’−ビス（トリブチルスタニル）−２，２’−ビチオフェンを３００ｍｇ（０．４０３ｍｍｏｌ）、化合物Ｂを２９９ｍｇ（０．９６５ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を４６ｍｇ（０．０４０ｍｍｏｌ）、トルエンを５ｍＬ入れ、マイクロウェーブ照射下、１８０℃で５分反応させた。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、アルミナカラムクロマトグラフィーで精製し、粗生成物を得た。アルミナカラムクロマトグラフィーの展開溶媒には、最初へキサンを用い、次いで、クロロホルムを用いた。その後、ゲル浸透クロマトグラフィーで黄色固体の化合物ＡＰを単離した。化合物ＡＰの得量を１８６ｍｇであり、化合物ＡＰの収率は７４％であった。

化合物ＡＰの分析結果は以下の通りである。
ＴＬＣ Ｒ_f＝０．２（ヘキサン／クロロホルム＝１／１）。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ８．０４（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝１．８Ｈｚ）、７．７８（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．９、１．８Ｈｚ）、７．８３（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）、７．４３（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．４Ｈｚ）、７．２７（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．４Ｈｚ）、３．６８（ｔ、４Ｈ、Ｊ＝８．２Ｈｚ）、１．６８（ｐ、４Ｈ、Ｊ＝８．２Ｈｚ)、１．３１（ｍ、１２Ｈ）、０．８８（ｔ、６Ｈ、Ｊ＝６．９Ｈｚ）。

実施例１１
＜化合物ＡＲの合成＞
試験管に、５，５’−ビス（トリブチルスタニル）−２，２’−ビチオフェンを３００ｍｇ（０．４０３ｍｍｏｌ）、化合物Ｉを３２７ｍｇ（０．９６７ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を４６ｍｇ（０．０４０ｍｍｏｌ）、トルエンを５ｍＬ入れ、マイクロウェーブ照射下、１８０℃で５分反応させた。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、得られた固体をジクロロメタン、次いでエーテルで洗浄し、黒色固体の化合物ＡＲを単離した。化合物ＡＲの得量は２２５ｍｇであり、収率は８２％であった。

化合物ＡＲの分析結果は以下の通りである。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ８．０４（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝１．４Ｈｚ）、７．８９（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．８、１．４Ｈｚ）、７．８３（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）、７．４３（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝３．８Ｈｚ）、７．２７（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝３．８Ｈｚ）、３．５３（ｔ、４Ｈ、Ｊ＝７．３Ｈｚ）、１．８４（ｍ、２Ｈ)、１．３２（ｍ、１６Ｈ）、０．９１（ｍ、１２Ｈ）。

実施例１２
＜化合物ＡＴの合成＞
試験管に、５，５’−ビス（トリブチルスタニル）−２，２’−ビチオフェン、化合物ＡＡ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、トルエンを入れ、マイクロウェーブ照射下、１８０℃で５分反応させる。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、得られる固体をジクロロメタン、次いでエーテルで洗浄し、化合物ＡＴを単離する。

実施例１３
＜化合物ＡＶの合成＞
試験管に、５，５’−ビス（トリブチルスタニル）−２，２’−ビチオフェン、化合物ＡＣ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、トルエンを入れ、マイクロウェーブ照射下、１８０℃で５分反応させる。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、得られる固体をジクロロメタン、次いでエーテルで洗浄し、化合物ＡＶを単離する。

実施例１４
＜化合物ＡＸの合成＞
試験管に、５，５’−ビス（トリブチルスタニル）−２，２’−ビチオフェン、化合物ＡＥ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、トルエンを入れマイクロウェーブ照射下、１８０℃で５分反応させる。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、得られる固体をジクロロメタン、次いでエーテルで洗浄し、化合物ＡＸを単離する。

実施例１５
＜化合物ＡＺの合成＞
試験管に、５，５’−ビス（トリブチルスタニル）−２，２’−ビチオフェン、化合物Ｕ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、トルエンを入れ、マイクロウェーブ照射下、１８０℃で５分反応させる。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、得られる固体をジクロロメタン、次いでエーテルで洗浄し、化合物ＡＺを単離する。

実施例１６
＜化合物ＢＢの合成＞
試験管に、５，５’−ビス（トリブチルスタニル）−２，２’−ビチオフェン、化合物Ｘ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、トルエンを入れ、マイクロウェーブ照射下、１８０℃で５分反応させる。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、得られる固体をジクロロメタン、次いでエーテルで洗浄し、化合物ＢＢを単離する。

実施例１７
＜化合物ＢＤの合成＞
試験管に、４，７−ビス（５−（トリブチルスタニル）チオフェン−２−イル）ベンゾ［ｃ］［１、２、５］チアジアゾールを１００ｍｇ（０．１５２ｍｍｏｌ）、化合物Ｂを１１２ｍｇ（０．３６４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を１７ｍｇ（０．０１５ｍｍｏｌ）、トルエンを５ｍＬ入れ、マイクロウェーブ照射下、１８０℃で５分反応させた。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、ヘキサンとクロロホルムとを等量混合した溶媒を展開溶媒として用いたアルミナカラムクロマトグラフィーで精製し、粗生成物を得た後、ゲル浸透クロマトグラフィーで赤色固体の化合物ＢＤを単離した。化合物ＢＤの得量は６５ｍｇであり、収率は５７％であった。

化合物ＢＤの分析結果は以下の通りである。
ＴＬＣ Ｒ_f＝０．２（ヘキサン／クロロホルム＝１／１）。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ８．１６（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝３．８Ｈｚ）、８．１５（ｓ、２Ｈ）、８．００（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）、７．９６（ｓ、２Ｈ）、７．８６（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）、７．５９（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝３．８Ｈｚ）、３．７０（ｔ、４Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）、１．６９（ｐ、４Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ)、１．３２（ｍ、１２Ｈ）、０．８９（ｔ、６Ｈ、Ｊ＝８．６Ｈｚ）。

実施例１８
＜化合物ＢＦの合成＞
試験管に、４，７−ビス（５−（トリブチルスタニル）チオフェン−２−イル）ベンゾ［ｃ］［１，２，５］チアジアゾールを１００ｍｇ（０．１５２ｍｍｏｌ）、化合物Ｉを１２８ｍｇ（０．３８１ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を１８ｍｇ（０．０１６ｍｍｏｌ）、トルエンを５ｍＬ入れ、マイクロウェーブ照射下、１８０℃で５分反応させた。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、エーテルで洗浄して粗生成物を得た後、ゲル浸透クロマトグラフィーで赤色固体の化合物ＢＦを単離した。化合物ＢＦの得量は９０ｍｇであり、収率は７０％であった。

化合物ＢＦの分析結果は以下の通りである。
^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）：δ８．１５（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝５．５Ｈｚ）、８．１５（ｓ、２Ｈ）、８．００（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）、７．９６（ｓ、２Ｈ）、７．８５（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）、７．５９（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝５．５Ｈｚ）、３．６０（ｄ、４Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）、１．８５（ｍ、２Ｈ)、１．３０（ｍ、１６Ｈ）、０．９１（ｍ、１２Ｈ）。

実施例１９
＜化合物ＢＨの合成＞
試験管に、４，７−ビス（５−（トリブチルスタニル）チオフェン−２−イル）ベンゾ［ｃ］［１，２，５］チアジアゾール、化合物ＡＡ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、トルエンを入れ、マイクロウェーブ照射下、１８０℃で５分反応させる。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、エーテルで洗浄して粗生成物を得、ゲル浸透クロマトグラフィーで赤色固体の化合物ＢＨを単離する。

実施例２０
＜化合物ＢＪの合成＞
試験管に、４，７−ビス（５−（トリブチルスタニル）チオフェン−２−イル）ベンゾ［ｃ］［１、２、５］チアジアゾール、化合物ＡＣ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、トルエンを入れ、マイクロウェーブ照射下、１８０℃で５分反応させる。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、エーテルで洗浄して粗生成物を得、ゲル浸透クロマトグラフィーで赤色固体の化合物ＢＪを単離する。

実施例２１
＜化合物ＢＬの合成＞
試験管に、４，７−ビス（５−（トリブチルスタニル）チオフェン−２−イル）ベンゾ［ｃ］［１，２，５］チアジアゾール、化合物ＡＥ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、トルエンを入れ、マイクロウェーブ照射下、１８０℃で５分反応させる。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、エーテルで洗浄して粗生成物を得、ゲル浸透クロマトグラフィーで赤色固体の化合物ＢＬを単離する。

実施例２２
＜化合物ＢＮの合成＞
試験管に、４，７−ビス（５−（トリブチルスタニル）チオフェン−２−イル）ベンゾ［ｃ］［１，２，５］チアジアゾール、化合物Ｕ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、トルエンを入れ、マイクロウェーブ照射下、１８０℃で５分反応させる。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、エーテルで洗浄して粗生成物を得、ゲル浸透クロマトグラフィーで赤色固体の化合物ＢＮを単離する。

実施例２３
＜化合物ＢＰの合成＞
試験管に、４，７−ビス（５−（トリブチルスタニル）チオフェン−２−イル）ベンゾ［ｃ］［１，２，５］チアジアゾールを３００ｍｇ（０．４７９ｍｍｏｌ）、化合物Ｘを４４２ｍｇ（１．１４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を５５ｍｇ（０．０４８ｍｍｏｌ）、トルエンを５ｍＬ入れ、マイクロウェーブ照射下、１８０℃で５分反応させた。エバポレーターを用いて反応液を減圧濃縮し、エーテル、次いでジクロロメタンで洗浄して赤色固体の化合物ＢＰを単離した。化合物ＢＰを４００ｍｇであり、収率は９１％であった。

化合物ＢＰの分析結果は以下の通りである。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ８．７５（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝８．４、０．９Ｈｚ）、８．６７（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝８．４、０．９Ｈｚ）、８．６４（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．３Ｈｚ）、８．２６（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝３．７Ｈｚ）、８．０２（ｓ、２Ｈ）、７．９４（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝７．３Ｈｚ）、７．８０（ｔｄ、２Ｈ、Ｊ＝８．４、０．９Ｈｚ）、７．４７（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝３．７Ｈｚ）、４．１５（ｍ、４Ｈ）、１．９７（ｍ、２Ｈ)、１．３５（ｍ、１６Ｈ）、０．９５（ｔ、６Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）、０．８９（ｔ、６Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）。

実施例２４
ＣＶ測定の結果、化合物ＡＢは、−１．３３Ｖの還元電位Ｅ_1/2を示した。これから、化合物ＥのＬＵＭＯは−３．４７ｅＶと算出した。

１…基板、
２、２ａ…活性層、
３…絶縁層、
４…ゲート電極、
５…ソース電極、
６…ドレイン電極、
１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０、１８０…有機トランジスタ。

Claims (13)

1. 式（１）で表される化合物。
   

   

   〔式中、
   Ｚ¹及びＺ²は、それぞれ独立に、酸素原子、＝Ｃ（Ｒ¹）（Ｒ²）で表される基又は＝Ｎ（Ｒ³）で表される基である。
   Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は、それぞれ独立に、シアノ基又は−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ⁴で表される基である。
   Ｒ⁴は、水素原子、ヒドロキシル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい複素環基である。
   各々のＺ¹は互いに同一でも異なってもよい。各々のＺ²は互いに同一でも異なってもよい。
   Ｅ¹は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、−Ｎ（Ｒ⁵）−で表される基又は−Ｃ（Ｒ⁶）＝Ｃ（Ｒ⁷）−で表される基である。
   Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁷は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい複素環基、ハロゲン原子又はシアノ基である。Ｒ⁶及びＲ⁷は互いに結合してそれぞれが結合している炭素原子と共に五員環又は六員環を形成してもよい。
   各々のＥ^１は互いに同一でも異なってもよい。
   環Ａ¹は、置換基を有していてもよい芳香族炭素環又は置換基を有していてもよい複素環である。
   各々のＡ¹は互いに同一でも相異なってもよい。
   Ｂは、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい２価の複素環基、又は−Ｃ≡Ｃ−で表される基である。
   Ｂが複数個ある場合、各々のＢは互いに同一でも異なってもよい。
   ｎは、環Ａ¹がベンゼン環又はチオフェン環である場合、３以上の整数である。それ以外の場合、ｎは０以上の整数である。〕
2. 環Ａ¹が、ピリジン環、オキサゾール環、チアゾール環又はイミダゾール環である、請求項１に記載の化合物。
3. 式（２）で表される、請求項１に記載の化合物。
   

   

   〔式中、Ｚ¹、Ｚ²、Ｅ¹、Ｂ及びｎは、前記と同じ意味を表す。〕
4. 式（３）で表される、請求項１に記載の化合物。
   

   

   〔式中、Ｚ¹、Ｚ²、Ｅ¹、Ｂ及びｎは、前記と同じ意味を表す。〕
5. Ｚ¹及びＺ²が、酸素原子である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の化合物。
6. Ｅ¹が、−Ｎ（Ｒ⁵）−で表される基である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物。
7. 下記式で示される化合物。
   

   
8. 下記式で示される化合物。
   

   
9. 下記式で示される化合物。
   

   
10. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の化合物を含有する、有機半導体材料。
11. 請求項１０に記載の有機半導体材料を含有する有機層を有する、有機半導体素子。
12. 一対の電極と、請求項１０に記載の有機半導体材料を含む層とを備え、該有機半導体材料を含む層は該一対の電極の間に位置する有機太陽電池。
13. ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極及び活性層を有し、該活性層に請求項１０に記載の有機半導体材料を含有する、有機トランジスタ。

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