JP2014046326A - 流路部材およびこれを用いた電子装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】流路部材10は、内部に流体が流れる流路1aを有するセラミックス焼結体からなる基体1と、該基体上に設けられたニッケルを主成分とする第1金属部材2と、第1金属部材2上に設けられたアルミニウムを主成分とする第2金属部材3とを有し、基体1と第1金属部材2と、第1金属部材2と第2金属部材3とのそれぞれが金属ろう材4a、4bにて接合されている。
【選択図】図1
Description
また、大気雰囲気で焼成できることから製造コストも安価にすることが可能である。なお、主成分とは、構成する成分のうち80質量%以上の割合で占める成分のことをいい、以下同意である。
であることが好ましい。この厚みの範囲であれば、セラミックス焼結体からなる基体1と各金属部材との接合強度を維持しながら、基体1上に各金属部材を形成した後に一括で熱処理した場合でも、各金属部材が熱処理の際に生じる膨張および収縮の影響が小さくできる。それにより、基体1に対して反りの発生を抑制できるとともに、セラミックス焼結体からなる基体1と第1金属部材2および第2金属部材3との熱膨張係数の違いによって生じる応力を緩和することができる。
とが好ましい。この厚みの範囲であれば、金属ろう材からなる層4a,4bにおける熱抵抗を小さくしながら、基体1と第1金属部材2と、第1金属部材2と第2金属部材3とのそれぞれの接合性を高めることができるので、冷却および発熱を繰り返す環境における熱的信頼性を向上することができる。
との接合性を高めることができる。特に、基体1がアルミナを主成分とするセラミック焼結体であれば、基体1に含まれるアルミナと金属ろう材4aに含まれるアルミニウムとが反応することにより、基体1と第1金属部材2との接合性を高めることができる。
配置されている断面図である。この様な構成とすれば、流路部材20cに対し樹脂やガラスをモールド処理することによって形成される保護層との接触面積を増やすことができるので、接合性を高めることができ、外部からの衝撃に対する信頼性を向上することができる。
下内側に配置されていることが好ましい。この範囲であれば、他の部材との接合性を保ちつつ、樹脂やガラスとの接合性を高めることができる。
また、図3(c)に示すように、第1金属部材2および第2金属部材3がその他の部材より内側に配置されるためには、基体1の幅よりも狭い第1金属部材2および第2金属部材3を用意し接合して作製すればよい。
1a:流路,1b:供給口,1c:排出口
2:第1金属部材
3:第2金属部材
4a,4b:金属ろう材
10,20a〜20c:流路部材
30:電子装置
31:電子部品
Claims (6)
- 内部に流体が流れる流路を有するセラミックス焼結体からなる基体と、
該基体上に設けられたニッケルを主成分とする第1金属部材と、
該第1金属部材上に設けられたアルミニウムを主成分とする第2金属部材とを有し、
前記基体と前記第1金属部材と、前記第1金属部材と前記第2金属部材とのそれぞれが金属ろう材にて接合されていることを特徴とする流路部材。 - 前記第1金属部材の厚みが、前記第2金属部材の厚みよりも厚いことを特徴とする請求項1に記載の流路部材。
- 前記金属ろう材がアルミニウムを含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の流路部材。
- 前記金属ろう材がニッケルを含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の流路部材。
- 前記流路部材の厚み方向における断面視において、前記第1金属部材、前記第2金属部材および前記基体のうち少なくとも1つが、他の部材よりも内側に配置されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の流路部材。
- 請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の流路部材の前記第2金属部材上に電子部品が搭載されていることを特徴とする電子装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160119839A (ko) * | 2014-03-25 | 2016-10-14 | 쿄세라 코포레이션 | 유로 부재 및 반도체 모듈 |
WO2017038700A1 (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-09 | 京セラ株式会社 | 流路部材 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02196075A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-02 | Sumitomo Cement Co Ltd | 接合構造体 |
JP2008024561A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Toshiba Corp | セラミックス−金属接合部品およびその製造方法 |
JP2010052015A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Nhk Spring Co Ltd | 異材接合体の製造方法およびその方法による異材接合体 |
JP2012028561A (ja) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPWO2011136362A1 (ja) * | 2010-04-28 | 2013-07-22 | 株式会社豊田自動織機 | 放熱装置および半導体装置 |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02196075A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-02 | Sumitomo Cement Co Ltd | 接合構造体 |
JP2008024561A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Toshiba Corp | セラミックス−金属接合部品およびその製造方法 |
JP2010052015A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Nhk Spring Co Ltd | 異材接合体の製造方法およびその方法による異材接合体 |
JPWO2011136362A1 (ja) * | 2010-04-28 | 2013-07-22 | 株式会社豊田自動織機 | 放熱装置および半導体装置 |
JP2012028561A (ja) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160119839A (ko) * | 2014-03-25 | 2016-10-14 | 쿄세라 코포레이션 | 유로 부재 및 반도체 모듈 |
KR101910358B1 (ko) * | 2014-03-25 | 2018-10-22 | 쿄세라 코포레이션 | 유로 부재 및 반도체 모듈 |
US10262917B2 (en) | 2014-03-25 | 2019-04-16 | Kyocera Corporation | Flow passage member and semiconductor module |
WO2017038700A1 (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-09 | 京セラ株式会社 | 流路部材 |
JPWO2017038700A1 (ja) * | 2015-08-28 | 2018-07-26 | 京セラ株式会社 | 流路部材 |
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