JP2014045028A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus capable of avoiding stress concentration in a peripheral part of a substrate and improving substrate processing quality.SOLUTION: A substrate processing apparatus includes a spin chuck 2 which holds and rotates a substrate W. The spin chuck 2 includes a spin base 6 which is rotated around a rotation axis L1 and a plurality of holding bases 7 provided on the spin base 6. Each holding base 7 is displaceable between a holding position at which the substrate W is held and a releasing position at which holding of the substrate W is released. A fixing pin 28 and a movable pin 29 are supported on the holding base 7. The fixing pin 28 includes a fixed contact part 32 in which a relative position to the holding base 7 is fixed. The movable pin 29 includes a movable contact part 33 which can relatively move to the holding base 7. The movable pin 29 is elastically biased toward a peripheral end surface of the substrate W by biasing means.

Description

この発明は、基板の周端面に接触するピンによって基板を保持し、その保持された基板を処理液で処理する基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。   The present invention relates to a substrate processing apparatus that holds a substrate by pins that come into contact with a peripheral end surface of the substrate and processes the held substrate with a processing liquid. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, photo Mask substrates, ceramic substrates, solar cell substrates and the like are included.

半導体ウエハのような基板を処理する基板処理装置の一例は、特許文献1に開示されている。この基板処理装置は、一枚の基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板に処理液を供給するノズルとを含む。スピンチャックは、スピンベースと、その周縁部近傍に等間隔で配置された3つの保持部材とを含む。各保持部材は、複数の保持ピンおよび水平支持ピンを上面に備え、スピンベースに回転自在に取り付けられた軸部を下面に有している。軸部は、スピンベースに内蔵された連動リンク機構によって、その軸線まわりに回動される。軸部の回動によって保持部材が回動し、それに応じて、一対の保持ピンが円弧状の軌道に沿って回動する。これにより、保持ピンを基板の周縁に対して接近または離間させることができ、基板を保持または解放できる。   An example of a substrate processing apparatus for processing a substrate such as a semiconductor wafer is disclosed in Patent Document 1. The substrate processing apparatus includes a spin chuck that horizontally holds and rotates a single substrate, and a nozzle that supplies a processing liquid to the substrate held by the spin chuck. The spin chuck includes a spin base and three holding members disposed at equal intervals in the vicinity of the peripheral edge thereof. Each holding member has a plurality of holding pins and a horizontal support pin on the upper surface, and has a shaft portion rotatably attached to the spin base on the lower surface. The shaft is rotated about its axis by an interlocking link mechanism built in the spin base. The holding member is rotated by the rotation of the shaft portion, and accordingly, the pair of holding pins are rotated along an arcuate track. Accordingly, the holding pins can be moved closer to or away from the peripheral edge of the substrate, and the substrate can be held or released.

一対の保持ピンが基板にそれぞれ当接して基板を保持する構造であるので、保持ピンから基板に加えられる応力が分散し、それによって、基板の破損を防止できる。   Since the pair of holding pins is configured to hold the substrate by contacting the substrate, the stress applied to the substrate from the holding pins is dispersed, thereby preventing the substrate from being damaged.

特開2006−253210号公報JP 2006-253210 A

しかし、特許文献1の構成では、一対の保持ピンは、いずれも保持部材に対して固定されており、保持部材に対して相対移動しない。そのため、一対の保持ピンのいずれか一方のみが基板に当接し、他方の保持ピンは基板から離間した状態となるおそれがある。より具体的には、加工精度上の限界のために保持ピンの配置に誤差が生じる場合がある。また、基板のサイズおよび形状にばらつきがある場合もある。これらの場合には、一対の保持ピンの両方が基板の周端面に当接するとは限らない。   However, in the configuration of Patent Document 1, each of the pair of holding pins is fixed to the holding member and does not move relative to the holding member. For this reason, only one of the pair of holding pins may come into contact with the substrate, and the other holding pin may be separated from the substrate. More specifically, an error may occur in the arrangement of the holding pins due to a limit on processing accuracy. There may also be variations in the size and shape of the substrate. In these cases, both of the pair of holding pins do not necessarily contact the peripheral end surface of the substrate.

よって、特許文献1の構成では、基板の周縁部において一方の保持ピンが当接した箇所に応力が集中し、基板に悪影響を与えたり、基板が破損したりするおそれがある。
加えて、一対の保持ピンの両方が基板に当接することを前提に設計された保持ピンは、その一方のみで基板を保持するときには、強度が不充分になるおそれもある。各保持ピンを十分に大きく形成すれば強度の問題は克服できるかもしれないが、大きな保持ピンは基板からの処理液の排出を妨げるので、保持ピンの近傍の基板表面に対する処理品質が悪くなるおそれがある。具体的には、保持ピンと基板との接触部近傍における処理液の置換効率が悪くなったり、乾燥処理後に保持ピン近傍の基板表面に処理液が残り、乾燥不良が生じたりするおそれがある。
Therefore, in the configuration of Patent Document 1, stress concentrates on the place where one holding pin is in contact with the peripheral edge of the substrate, which may adversely affect the substrate or damage the substrate.
In addition, the holding pins designed on the assumption that both of the pair of holding pins abut against the substrate may have insufficient strength when holding the substrate with only one of them. If each holding pin is formed sufficiently large, the strength problem may be overcome, but the large holding pin prevents the processing liquid from being discharged from the substrate, so that the processing quality on the substrate surface in the vicinity of the holding pin may be deteriorated. There is. Specifically, the replacement efficiency of the processing liquid in the vicinity of the contact portion between the holding pin and the substrate may be deteriorated, or the processing liquid may remain on the surface of the substrate in the vicinity of the holding pin after the drying process, resulting in poor drying.

そこで、この発明の目的は、基板周縁部での応力集中を回避でき、かつ基板処理品質を向上できる基板処理装置を提供することである。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of avoiding stress concentration at the peripheral edge of the substrate and improving the substrate processing quality.

この発明の基板処理装置は、基板(W)を保持して処理液で処理する基板処理装置であって、基板が保持される保持位置と基板の保持が解除される解除位置との間で変位可能な保持ベース(7,43,52,64)と、前記保持ベースに対する相対位置が固定された固定当接部(32)を有し、前記保持ベースが前記保持位置にあるときに前記固定当接部が基板の周端面に当接し、前記保持ベースが前記解除位置にあるときに前記固定当接部が基板の周端面から離間するように前記保持ベースに支持された固定ピン(28)と、前記保持ベースに対して相対移動可能な可動当接部(33,44)を有し、前記解除位置よりも前記保持位置に近い中間位置から前記保持位置までの当接範囲に前記保持ベースがあるときに前記可動当接部が基板の周端面に当接し、前記保持ベースが解除位置にあるときに前記可動当接部が基板の周端面から離間するように前記保持ベースに支持された可動ピン(29,42,53,63)と、前記当接範囲において前記可動当接部を基板の周端面に向けて弾性的に付勢する付勢手段(37,46)とを含む(請求項1)。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等を表すが、特許請求の範囲を実施形態に限定する趣旨ではない。以下、この項において同じ。   The substrate processing apparatus of the present invention is a substrate processing apparatus that holds a substrate (W) and processes it with a processing liquid, and is displaced between a holding position where the substrate is held and a release position where the holding of the substrate is released. A holding base (7, 43, 52, 64) which is possible and a fixed abutting portion (32) whose relative position with respect to the holding base is fixed, and when the holding base is in the holding position, A fixing pin (28) supported by the holding base so that the contact portion comes into contact with the peripheral end surface of the substrate and the fixed contact portion is separated from the peripheral end surface of the substrate when the holding base is in the release position; And a movable contact portion (33, 44) movable relative to the holding base, and the holding base is in a contact range from an intermediate position closer to the holding position than the release position to the holding position. When the movable contact portion is A movable pin (29, 42, 53, 63) supported by the holding base so as to be in contact with an end surface and so that the movable contact portion is separated from the peripheral end surface of the substrate when the holding base is in a release position; And a biasing means (37, 46) for resiliently biasing the movable abutting portion toward the peripheral end surface of the substrate in the abutting range. In addition, although the alphanumeric character in a parenthesis represents the corresponding component etc. in below-mentioned embodiment, it is not the meaning which limits a claim to embodiment. The same applies hereinafter.

この構成によれば、保持ベースは、保持位置と解除位置との間で変位可能である。保持ベースには、固定ピンおよび可動ピンが支持されており、これらは、保持ベースが変位されると、それに伴って変位する。保持ベースが解除位置にあるとき、固定ピンの固定当接部および可動ピンの可動当接部は、いずれも基板の周端面から離間している。保持ベースが解除位置から保持位置まで変位するとき、中間位置で可動当接部が基板の周端面に当接し、保持位置で固定当接部が基板の周端面に当接する。中間位置から保持位置までの当接範囲では、付勢手段が可動当接部を基板の周端面に向けて弾性的に付勢する。   According to this configuration, the holding base can be displaced between the holding position and the release position. A fixed pin and a movable pin are supported on the holding base, and these are displaced along with the displacement of the holding base. When the holding base is in the release position, the fixed contact portion of the fixed pin and the movable contact portion of the movable pin are both separated from the peripheral end surface of the substrate. When the holding base is displaced from the release position to the holding position, the movable contact portion contacts the peripheral end surface of the substrate at the intermediate position, and the fixed contact portion contacts the peripheral end surface of the substrate at the holding position. In the contact range from the intermediate position to the holding position, the biasing means elastically biases the movable contact portion toward the peripheral end surface of the substrate.

よって、保持ベースが保持位置に到達した状態では、固定ピンおよび可動ピンの両方が基板の周端面に確実に当接している。これにより、基板の周端面にかかる応力を分散できるので、大きな応力による基板への悪影響や基板の破損を回避できる。しかも、固定ピンおよび可動ピンの両方を基板の周端面に確実に当接させることができるので、固定ピンおよび可動ピンはそれぞれ大きな強度を有している必要がない。そのため、それらを比較的小さく設計することができる。これにより、基板を処理液で処理する場合であっても、固定ピンおよび可動ピンと基板との間において、処理液の置換効率が悪くなったり、処理液残りが生じたりすることを抑制または防止できる。したがって、品質の高い基板処理を実現できる。   Therefore, in a state where the holding base has reached the holding position, both the fixed pin and the movable pin are reliably in contact with the peripheral end surface of the substrate. As a result, the stress applied to the peripheral end surface of the substrate can be dispersed, so that adverse effects on the substrate and damage to the substrate due to large stress can be avoided. In addition, since both the fixed pin and the movable pin can be reliably brought into contact with the peripheral end surface of the substrate, the fixed pin and the movable pin do not need to have great strength. Therefore, they can be designed relatively small. Accordingly, even when the substrate is processed with the processing liquid, it is possible to suppress or prevent the replacement efficiency of the processing liquid from being deteriorated or the remaining processing liquid from occurring between the fixed pin and the movable pin and the substrate. . Therefore, high-quality substrate processing can be realized.

この発明の一実施形態においては、前記可動ピンが前記保持ベースに対して相対移動可能に支持されており、前記付勢手段は、前記可動ピンと前記保持ベースとの間に配置された弾性部材(37)を含む(請求項2)。
この構成によれば、弾性部材によって可動ピンを基板の周端面に向けて弾性的に付勢することにより、可動当接部を基板の周端面に押し付けることができる。したがって、簡単な構成で、固定ピンの固定当接部および可動ピンの可動当接部の両方を、確実に基板の周端面に当接させることができる。
In one embodiment of the present invention, the movable pin is supported so as to be movable relative to the holding base, and the biasing means is an elastic member (between the movable pin and the holding base). 37) (claim 2).
According to this configuration, the movable contact portion can be pressed against the peripheral end surface of the substrate by elastically biasing the movable pin toward the peripheral end surface of the substrate by the elastic member. Accordingly, both the fixed contact portion of the fixed pin and the movable contact portion of the movable pin can be reliably brought into contact with the peripheral end surface of the substrate with a simple configuration.

また、この発明の他の実施形態においては、前記可動ピンは、前記保持ベースに固定された固定部(45)を含み、前記付勢手段は、前記固定部と前記可動当接部とを相対変位可能に結合する弾性結合部材(46)を含む(請求項3)。
この構成によれば、可動ピンに組み込まれた弾性結合部材の働きにより、可動当接部は、保持ベースに対して相対的に変位できる。これにより、一層簡単な構成で、固定ピンの固定当接部および可動ピンの可動当接部両方を、基板の周端面に確実に当接させることができる。
In another embodiment of the present invention, the movable pin includes a fixed portion (45) fixed to the holding base, and the urging means makes the fixed portion and the movable contact portion relative to each other. An elastic coupling member (46) that couples displaceably is included (claim 3).
According to this configuration, the movable contact portion can be displaced relative to the holding base by the action of the elastic coupling member incorporated in the movable pin. Accordingly, both the fixed contact portion of the fixed pin and the movable contact portion of the movable pin can be reliably brought into contact with the peripheral end surface of the substrate with a simpler configuration.

図1は、この発明の第1実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す側面図である。FIG. 1 is a side view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 図2は、前記第1実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment. 図3Aは、前記第1実施形態に係る保持ベースおよびこれに関連する構成を示す模式的な拡大上面図であり、保持ベースが保持位置にある状態を示す。FIG. 3A is a schematic enlarged top view showing the holding base and the configuration related thereto according to the first embodiment, and shows a state where the holding base is in the holding position. 図3Bは、前記第1実施形態に係る保持ベースおよびこれに関連する構成を示す模式的な拡大上面図であり、保持ベースが解除位置にある状態を示す。FIG. 3B is a schematic enlarged top view showing the holding base according to the first embodiment and a configuration related thereto, and shows a state where the holding base is in the release position. 図3Cは、前記第1実施形態に係る保持ベースおよびこれに関連する構成を示す模式的な拡大上面図であり、保持ベースが中間位置にある状態を示す。FIG. 3C is a schematic enlarged top view showing the holding base according to the first embodiment and a configuration related thereto, and shows a state where the holding base is in an intermediate position. 図4Aおよび図4Bは、前記第1実施形態に係る保持ベースおよび保持ベース上に配置された固定ピンの構成および動作を示す模式的な拡大側面図である。4A and 4B are schematic enlarged side views showing the configuration and operation of the holding base and the fixing pins arranged on the holding base according to the first embodiment. 図5Aおよび図5Bは、前記第1実施形態に係る保持ベースおよび保持ベース上に配置された可動ピンの構成および動作を示す模式的な拡大側面図である。5A and 5B are schematic enlarged side views showing the configuration and operation of the holding base and the movable pins arranged on the holding base according to the first embodiment. 図6は、前記第1実施形態に係る基板処理装置による処理の一例を示す工程図である。FIG. 6 is a process diagram showing an example of processing by the substrate processing apparatus according to the first embodiment. 図7は、乾燥時間と、基板および保持ピンの当接幅との背反を説明するためのグラフである。FIG. 7 is a graph for explaining the contradiction between the drying time and the contact width between the substrate and the holding pin. 図8は、この発明の第2実施形態に係る基板処理装置の保持ベースおよび可動ピンの構成を示す模式的な拡大側面図である。FIG. 8 is a schematic enlarged side view showing the configuration of the holding base and the movable pin of the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention. 図9は、この発明の第3実施形態に係る基板処理装置の保持ベースの模式的な拡大上面図である。FIG. 9 is a schematic enlarged top view of the holding base of the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention. 図10は、この発明の第4実施形態に係る基板処理装置の保持ベースの模式的な拡大上面図である。FIG. 10 is a schematic enlarged top view of the holding base of the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の第1実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す側面図であり、図2は、その平面図である。
この基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円形の基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置である。基板処理装置1は、基板Wを水平に保持して当該基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線L1まわりに回転させるスピンチャック2(基板保持手段)と、スピンチャック2に保持された基板Wに処理液を供給する処理液供給機構3(処理液供給手段)とを含む。スピンチャック2は、図示しない隔壁によって区画された処理室4内に収容されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a side view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view thereof.
The substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type substrate processing apparatus that processes circular substrates W such as semiconductor wafers one by one. The substrate processing apparatus 1 includes a spin chuck 2 (substrate holding means) that holds a substrate W horizontally and rotates it around a vertical rotation axis L1 passing through the center of the substrate W, and a substrate W held on the spin chuck 2. And a processing liquid supply mechanism 3 (processing liquid supply means) for supplying the processing liquid. The spin chuck 2 is accommodated in a processing chamber 4 partitioned by a partition wall (not shown).

スピンチャック2は、回転軸線L1に沿って鉛直に延びる筒状の回転軸5と、回転軸5の上端に水平に取り付けられた円盤状のスピンベース6と、このスピンベース6上に配置された複数の保持ベース7と、回転軸5を回転軸線L1まわりに回転させるスピンモータ8(チャック回転駆動機構)とを含む。スピンチャック2は、基板Wを水平方向に挟んで当該基板Wを水平に保持する挟持式のチャックである。   The spin chuck 2 is disposed on the spin base 6, a cylindrical rotary shaft 5 that extends vertically along the rotational axis L 1, a disc-shaped spin base 6 that is horizontally attached to the upper end of the rotary shaft 5, and the spin base 6. A plurality of holding bases 7 and a spin motor 8 (chuck rotation drive mechanism) that rotates the rotation shaft 5 around the rotation axis L1 are included. The spin chuck 2 is a clamping chuck that holds the substrate W horizontally with the substrate W held in the horizontal direction.

この実施形態では、4つの保持ベース7が、スピンベース6の上面周縁部において基板Wの外周形状に対応する円周に沿って適当な間隔をあけて配置されている。なお、保持ベースは3つ以上配置されていればよく、たとえば、6つの保持ベースがスピンベース6上に配置されていてもよい。
スピンチャック2は、各保持ベース7に支持された複数の保持ピン9を基板Wの周端面に当接させることにより、基板Wを水平方向に挟み込んで保持することができる。これにより、基板Wが、スピンベース6の上面から上方に間隔を開けた状態で水平に保持される。スピンチャック2は、スピンベース6上に水平支持ピン10を有している。スピンチャック2と基板搬送ロボット(図示せず)との間で基板Wを受け渡しするときは、水平支持ピン10が基板Wの下面に接して、当該基板Wを受け渡し高さで支持する。基板Wを回転させて処理するときには、保持ピン9を基板Wの周端面に当接させることにより、基板Wを水平支持ピン10の上方に離間させて、受け渡し高さよりも高い処理高さで基板Wが保持される。基板Wが処理高さで保持された状態で、スピンモータ8の駆動力が回転軸5に入力されることにより、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線L1まわりに基板Wが回転する。
In this embodiment, the four holding bases 7 are arranged at appropriate intervals along the circumference corresponding to the outer peripheral shape of the substrate W at the peripheral edge of the upper surface of the spin base 6. Note that three or more holding bases may be arranged. For example, six holding bases may be arranged on the spin base 6.
The spin chuck 2 can sandwich and hold the substrate W in the horizontal direction by bringing a plurality of holding pins 9 supported by the holding bases 7 into contact with the peripheral end surface of the substrate W. As a result, the substrate W is horizontally held in a state of being spaced upward from the upper surface of the spin base 6. The spin chuck 2 has a horizontal support pin 10 on the spin base 6. When the substrate W is delivered between the spin chuck 2 and the substrate transport robot (not shown), the horizontal support pins 10 are in contact with the lower surface of the substrate W and support the substrate W at the delivery height. When processing by rotating the substrate W, the holding pins 9 are brought into contact with the peripheral end surface of the substrate W, thereby separating the substrate W above the horizontal support pins 10 and processing the substrate at a processing height higher than the delivery height. W is held. In a state where the substrate W is held at the processing height, the driving force of the spin motor 8 is input to the rotation shaft 5, whereby the substrate W rotates around the vertical rotation axis L <b> 1 passing through the center of the substrate W.

処理液供給機構3は、スピンチャック2に保持された基板Wの上面に処理液を供給する上面処理液供給機構11を含む。上面処理液供給機構11は、薬液ノズル12と、第1薬液供給配管13と、第1薬液バルブ14とを含む。さらに、上面処理液供給機構11は、リンス液ノズル15と、第1リンス液供給配管16と、第1リンス液バルブ17とを含む。第1薬液供給配管13は、薬液ノズル12に接続されている。第1薬液バルブ14は、第1薬液供給配管13に介装されている。また、第1リンス液供給配管16は、リンス液ノズル15に接続されている。また、第1リンス液バルブ17は、第1リンス液供給配管16に介装されている。   The processing liquid supply mechanism 3 includes an upper surface processing liquid supply mechanism 11 that supplies the processing liquid to the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 2. The upper surface processing liquid supply mechanism 11 includes a chemical liquid nozzle 12, a first chemical liquid supply pipe 13, and a first chemical liquid valve 14. Further, the upper surface treatment liquid supply mechanism 11 includes a rinse liquid nozzle 15, a first rinse liquid supply pipe 16, and a first rinse liquid valve 17. The first chemical liquid supply pipe 13 is connected to the chemical liquid nozzle 12. The first chemical liquid valve 14 is interposed in the first chemical liquid supply pipe 13. The first rinse liquid supply pipe 16 is connected to the rinse liquid nozzle 15. The first rinse liquid valve 17 is interposed in the first rinse liquid supply pipe 16.

第1薬液バルブ14が開かれると、第1薬液供給配管13から薬液ノズル12に薬液が供給される。また、第1薬液バルブ14が閉じられると、第1薬液供給配管13から、薬液ノズル12への薬液の供給が停止される。薬液ノズル12から吐出された薬液は、スピンチャック2に保持された基板Wの上面中央部に供給される。同様に、第1リンス液バルブ17が開かれると、第1リンス液供給配管16からリンス液ノズル15にリンス液が供給される。また、第1リンス液バルブ17が閉じられると、第1リンス液供給配管16からリンス液ノズル15へのリンス液の供給が停止される。リンス液ノズル15から吐出されたリンス液は、スピンチャック2に保持された基板Wの上面中央部に供給される。   When the first chemical solution valve 14 is opened, the chemical solution is supplied from the first chemical solution supply pipe 13 to the chemical solution nozzle 12. Further, when the first chemical liquid valve 14 is closed, supply of the chemical liquid from the first chemical liquid supply pipe 13 to the chemical liquid nozzle 12 is stopped. The chemical solution discharged from the chemical solution nozzle 12 is supplied to the center of the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 2. Similarly, when the first rinse liquid valve 17 is opened, the rinse liquid is supplied from the first rinse liquid supply pipe 16 to the rinse liquid nozzle 15. When the first rinse liquid valve 17 is closed, the supply of the rinse liquid from the first rinse liquid supply pipe 16 to the rinse liquid nozzle 15 is stopped. The rinse liquid discharged from the rinse liquid nozzle 15 is supplied to the center of the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 2.

また、処理液供給機構3は、スピンチャック2に保持された基板Wの下面に処理液を供給する下面処理液供給機構18を含む。下面処理液供給機構18は、スピンチャック2に保持された基板Wの下面に向けて処理液を吐出する下面ノズル19と、回転軸5内で上下に延びる第1処理液供給配管20と、第1処理液供給配管20に連結された第2処理液供給配管21とを含む。さらに、下面処理液供給機構18は、第2処理液供給配管21に連結された第2薬液供給配管22および第2リンス液供給配管23と、第2薬液供給配管22に介装された第2薬液バルブ24と、第2リンス液供給配管23に介装された第2リンス液バルブ25とを含む。   The processing liquid supply mechanism 3 includes a lower surface processing liquid supply mechanism 18 that supplies the processing liquid to the lower surface of the substrate W held by the spin chuck 2. The lower surface processing liquid supply mechanism 18 includes a lower surface nozzle 19 that discharges the processing liquid toward the lower surface of the substrate W held by the spin chuck 2, a first processing liquid supply pipe 20 that extends vertically in the rotation shaft 5, A second processing liquid supply pipe 21 connected to the first processing liquid supply pipe 20. Further, the lower surface treatment liquid supply mechanism 18 includes a second chemical liquid supply pipe 22 and a second rinse liquid supply pipe 23 connected to the second treatment liquid supply pipe 21, and a second chemical liquid supply pipe 22. A chemical liquid valve 24 and a second rinse liquid valve 25 interposed in the second rinse liquid supply pipe 23 are included.

下面ノズル19は、スピンチャック2に保持された基板Wの下面の中央領域に対向する対向部26を含む。対向部26は、スピンベース6より上方に配置されている。対向部26は、たとえば、水平面に沿って配置された円盤状である。対向部26の中心付近には、スピンチャック2に保持された基板Wの下面中央に向けて処理液を吐出する処理液吐出口27が形成されている。   The lower surface nozzle 19 includes a facing portion 26 that faces the central region of the lower surface of the substrate W held by the spin chuck 2. The facing portion 26 is disposed above the spin base 6. The facing portion 26 has, for example, a disc shape arranged along a horizontal plane. In the vicinity of the center of the facing portion 26, a processing liquid discharge port 27 that discharges the processing liquid toward the center of the lower surface of the substrate W held by the spin chuck 2 is formed.

第2薬液バルブ24が開かれると、第2処理液供給配管21を介して、第1処理液供給配管20から下面ノズル19に薬液が供給される。また、第2薬液バルブ24が閉じられると、下面ノズル19への薬液の供給が停止される。下面ノズル19に供給された薬液は、処理液吐出口27から上方に吐出される。これにより、スピンチャック2に保持された基板Wの下面中央部に薬液が供給される。同様に、第2リンス液バルブ25が開かれると、第2処理液供給配管21を介して、第1処理液供給配管20から下面ノズル19にリンス液が供給される。また、第2リンス液バルブ25が閉じられると、下面ノズル19へのリンス液の供給が停止される。下面ノズル19に供給されたリンス液は、処理液吐出口27から上方に吐出され、スピンチャック2に保持された基板Wの下面中央部に供給される。   When the second chemical liquid valve 24 is opened, the chemical liquid is supplied from the first processing liquid supply pipe 20 to the lower surface nozzle 19 via the second processing liquid supply pipe 21. Further, when the second chemical liquid valve 24 is closed, the supply of the chemical liquid to the lower surface nozzle 19 is stopped. The chemical liquid supplied to the lower surface nozzle 19 is discharged upward from the processing liquid discharge port 27. As a result, the chemical solution is supplied to the center of the lower surface of the substrate W held by the spin chuck 2. Similarly, when the second rinsing liquid valve 25 is opened, the rinsing liquid is supplied from the first processing liquid supply pipe 20 to the lower surface nozzle 19 via the second processing liquid supply pipe 21. When the second rinse liquid valve 25 is closed, the supply of the rinse liquid to the lower surface nozzle 19 is stopped. The rinse liquid supplied to the lower surface nozzle 19 is discharged upward from the processing liquid discharge port 27 and is supplied to the center of the lower surface of the substrate W held by the spin chuck 2.

処理液供給機構3から基板Wに供給される薬液としては、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、BHF(Buffered Hydrogen Fluoride:バッファードフッ酸)、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸(たとえばクエン酸、蓚酸など)、有機アルカリ(たとえばTMAH:テトラチメルアンモニウムハイドロオキサイドなど)、界面活性剤、腐食防止剤のうちすくなくとも一つを含む液を例示することができる。また、処理液供給機構3から基板Wに供給されるリンス液としては、純水(脱イオン水)、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水や、希釈濃度(たとえば10〜100ppm程度)の塩酸水などを例示することができる。   Chemical solutions supplied from the processing solution supply mechanism 3 to the substrate W include sulfuric acid, acetic acid, nitric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, BHF (Buffered Hydrogen Fluoride), ammonia water, hydrogen peroxide water, organic acid ( Examples thereof include a liquid containing at least one of citric acid, oxalic acid, etc., organic alkali (eg, TMAH: tetrathylammonium hydroxide, etc.), surfactant, and corrosion inhibitor. The rinse liquid supplied from the processing liquid supply mechanism 3 to the substrate W includes pure water (deionized water), carbonated water, electrolytic ion water, hydrogen water, ozone water, and a diluted concentration (for example, about 10 to 100 ppm). Examples thereof include hydrochloric acid water.

図3A、図3Bおよび図3Cは、保持ベース7およびこれに関連する構成を示す模式的な拡大上面図である。
図3Aでは、保持ベース7が保持位置にあって、基板Wが固定ピン28と可動ピン29とで保持されている状態が示されており、図3Bでは、保持ベース7が解除位置にあって、基板Wが水平支持ピン10により支持されている状態が示されている。図3Cでは、保持ベース7が保持位置と解除位置との間の中間位置にあるときの状態が示されている。
3A, 3B, and 3C are schematic enlarged top views showing the holding base 7 and the configuration related thereto.
3A shows a state in which the holding base 7 is in the holding position and the substrate W is held by the fixed pin 28 and the movable pin 29. In FIG. 3B, the holding base 7 is in the release position. A state in which the substrate W is supported by the horizontal support pins 10 is shown. FIG. 3C shows a state where the holding base 7 is in an intermediate position between the holding position and the release position.

保持ベース7上には、単一の固定ピン28と複数の可動ピン29とを含む複数の保持ピン9と、水平支持ピン10とが配置されている。この実施形態では、複数の保持ピン9は、単一の固定ピン28と二つの可動ピン29とを含む。保持ベース7は、この実施形態では、楕円形状に形成されており、鉛直方向に沿って下方に延びた回転軸30を楕円形状の長軸の一端部近傍に有している。この回転軸30は、保持ベース回動機構31(図4Aおよび図4B参照)に連結されている。   On the holding base 7, a plurality of holding pins 9 including a single fixed pin 28 and a plurality of movable pins 29 and a horizontal support pin 10 are arranged. In this embodiment, the plurality of holding pins 9 include a single fixed pin 28 and two movable pins 29. In this embodiment, the holding base 7 is formed in an elliptical shape, and has a rotating shaft 30 extending downward along the vertical direction in the vicinity of one end portion of the elliptical long axis. The rotating shaft 30 is connected to a holding base rotating mechanism 31 (see FIGS. 4A and 4B).

保持ベース7は、保持ベース回動機構31により、回転軸30と共軸の鉛直な回動軸線L2まわりに回動変位させられる。具体的には、保持ベース7は、固定ピン28および可動ピン29を基板Wの周端面に当接させて当該基板を保持する保持位置(図3Aの位置)と、固定ピン28および可動ピン29が基板Wの周端面から離間した解除位置(図3Bの位置)との間で変位させられる。保持ベース7が解除位置にあるとき、基板Wは水平支持ピン10により下方から支持される。   The holding base 7 is rotationally displaced about a vertical rotation axis L2 coaxial with the rotation shaft 30 by the holding base rotation mechanism 31. Specifically, the holding base 7 has a holding position (position in FIG. 3A) that holds the substrate by bringing the fixed pin 28 and the movable pin 29 into contact with the peripheral end surface of the substrate W, and the fixed pin 28 and the movable pin 29. Is displaced from the release position (position of FIG. 3B) separated from the peripheral end surface of the substrate W. When the holding base 7 is in the release position, the substrate W is supported from below by the horizontal support pins 10.

また、保持ベース7は、スピンチャック2の上面から上方に所定の間隔を開けて配置されている(図4Aおよび図4B参照)。これにより、保持ベース7が回動変位させられる場合でも、保持ベース7とスピンチャック2との間には摺動部がないため、パーティクルの発生を抑制できる。
固定ピン28は、保持ベース7に対する相対位置が固定された固定当接部32を有している。保持ベース7が保持位置にあるときには、固定当接部32が基板Wの周端面に当接する(図3A参照)。一方、保持ベース7が解除位置にあるときには、固定当接部32は基板Wの周端面から離間している(図3B参照)。
Further, the holding base 7 is disposed at a predetermined interval upward from the upper surface of the spin chuck 2 (see FIGS. 4A and 4B). Thereby, even when the holding base 7 is rotationally displaced, since there is no sliding portion between the holding base 7 and the spin chuck 2, the generation of particles can be suppressed.
The fixed pin 28 has a fixed contact portion 32 whose relative position to the holding base 7 is fixed. When the holding base 7 is in the holding position, the fixed contact portion 32 contacts the peripheral end surface of the substrate W (see FIG. 3A). On the other hand, when the holding base 7 is in the release position, the fixed contact portion 32 is separated from the peripheral end surface of the substrate W (see FIG. 3B).

二つの可動ピン29は、基板Wの周方向に関して固定ピン28を挟んで配置されており、保持ベース7に対して相対移動可能な可動当接部33をそれぞれ有している。より具体的には、二つの可動当接部33は、基板Wの周方向に沿って、固定当接部32からそれぞれ所定の間隔を開けて配置されている。さらに具体的には、固定当接部32および二つの可動当接部33の全てが基板Wの周端面に当接した状態において、二つの可動当接部33の各当接位置は、固定当接部32の当接位置からそれぞれ所定距離以上離間している。   The two movable pins 29 are arranged with the fixed pin 28 sandwiched in the circumferential direction of the substrate W, and each has a movable contact portion 33 that can move relative to the holding base 7. More specifically, the two movable contact portions 33 are arranged at predetermined intervals from the fixed contact portion 32 along the circumferential direction of the substrate W. More specifically, in a state where all of the fixed contact portion 32 and the two movable contact portions 33 are in contact with the peripheral end surface of the substrate W, the contact positions of the two movable contact portions 33 are fixed. The contact portions 32 are spaced apart from each other by a predetermined distance or more.

可動当接部33は、解除位置よりも保持位置に近い中間位置(図3C参照)から保持位置までの所定の当接範囲に保持ベース7があるときに、基板Wの周端面に当接する。保持ベース7が前記当接範囲よりも解除位置側にあるときには、可動当接部33は基板Wの周端面から離間している。したがって、保持ベース7が解除位置にあるときには、可動当接部33は基板Wの周端面から離間している。可動ピン29は、解除位置から保持位置へと向かって保持ベース7が変位するときに、固定ピン28に先行して基板Wに向かって変位するように配置されている。また、この実施形態では、二つの可動ピン29は、解除位置から保持位置へと向かって保持ベース7が変位する過程で、前記中間位置においてほぼ同時に基板Wの周端面に当接するように配置されている。したがって、図3Cに示すように、保持ベース7が中間位置にあるとき、二つの可動ピン29の可動当接部33が基板Wの周端面に当接しており、固定ピン28の固定当接部32は基板Wの周端面から離間している。   The movable contact portion 33 contacts the peripheral end surface of the substrate W when the holding base 7 is in a predetermined contact range from an intermediate position (see FIG. 3C) closer to the holding position than the release position to the holding position. When the holding base 7 is on the release position side of the contact range, the movable contact portion 33 is separated from the peripheral end surface of the substrate W. Therefore, when the holding base 7 is in the release position, the movable contact portion 33 is separated from the peripheral end surface of the substrate W. The movable pin 29 is arranged to be displaced toward the substrate W prior to the fixed pin 28 when the holding base 7 is displaced from the release position toward the holding position. In this embodiment, the two movable pins 29 are arranged so as to contact the peripheral end surface of the substrate W almost simultaneously at the intermediate position in the process of displacement of the holding base 7 from the release position toward the holding position. ing. Therefore, as shown in FIG. 3C, when the holding base 7 is in the intermediate position, the movable contact portions 33 of the two movable pins 29 are in contact with the peripheral end surface of the substrate W, and the fixed contact portion of the fixed pin 28 is fixed. 32 is separated from the peripheral end surface of the substrate W.

水平支持ピン10は、可動ピン29よりも基板Wの回転軸線L1に近い位置に配置されている。より具体的には、水平支持ピン10は、保持ベース7が解除位置にあるときでも、平面視において、基板Wの周端面の内側に位置している。したがって、保持ベース7が解除位置にあって、固定ピン28および可動ピン29が基板Wの周端面から離間しているときには、基板Wは水平支持ピン10により水平に支持される。水平支持ピン10は、回動軸線L2上に配置されていてもよい。この場合、水平支持ピン10が回動中心となるため、水平支持ピン10の基板Wに対する位置は固定されている。したがって、保持ベース7が回動変位するとき、水平支持ピン10と基板Wの相対位置が不変に保たれるので、水平支持ピン10による基板Wの支持位置が変化せず、それらの間の擦れが発生しない。また、この場合、固定ピン28および可動ピン29は水平支持ピン10を回動中心として、回動変位させられることになる。   The horizontal support pin 10 is disposed at a position closer to the rotation axis L <b> 1 of the substrate W than the movable pin 29. More specifically, the horizontal support pins 10 are located inside the peripheral end surface of the substrate W in plan view even when the holding base 7 is in the release position. Therefore, when the holding base 7 is in the release position and the fixed pin 28 and the movable pin 29 are separated from the peripheral end surface of the substrate W, the substrate W is supported horizontally by the horizontal support pins 10. The horizontal support pin 10 may be disposed on the rotation axis L2. In this case, since the horizontal support pin 10 is the center of rotation, the position of the horizontal support pin 10 relative to the substrate W is fixed. Therefore, when the holding base 7 is rotationally displaced, the relative position between the horizontal support pins 10 and the substrate W is kept unchanged, so that the support position of the substrate W by the horizontal support pins 10 does not change, and rubbing between them. Does not occur. In this case, the fixed pin 28 and the movable pin 29 are rotationally displaced with the horizontal support pin 10 as the rotational center.

この実施形態では、スピンベース6に備えられた全ての保持ベース7が同様に構成されている。したがって、基板Wを保持して回転すべきときには、全ての保持ベース7が保持位置に配置されることによって、基板Wの周端面は全ての保持ベース7にそれぞれ備えられた固定ピン28および可動ピン29により保持される。また、基板搬送ロボット(図示せず)とスピンチャック2との間で基板Wを受け渡しするときには、全ての保持ベース7が解除位置に配置されることによって、基板Wの周縁部の下面が、全ての保持ベース7にそれぞれ備えられた水平支持ピン10に当接し、それらの水平支持ピン10によって基板Wが下方から支持される。   In this embodiment, all the holding bases 7 provided in the spin base 6 are similarly configured. Therefore, when the substrate W is to be rotated while being held, all the holding bases 7 are arranged in the holding position, so that the peripheral end surfaces of the substrate W are fixed pins 28 and movable pins respectively provided on all the holding bases 7. 29. Further, when the substrate W is transferred between the substrate transfer robot (not shown) and the spin chuck 2, all the holding bases 7 are arranged at the release position, so that the lower surface of the peripheral edge of the substrate W is all The holding base 7 is in contact with the horizontal support pins 10 provided respectively, and the substrate W is supported by the horizontal support pins 10 from below.

図4Aおよび図4Bは、保持ベース7および固定ピン28の構成および動作を示す模式的な拡大側面図である。
図4Aでは、保持ベース7が解除位置にあって、基板Wが水平支持ピン10により水平に支持されている状態が示されており、図4Bでは、保持ベース7が保持位置にあって、基板Wが固定ピン28により水平に保持されている状態が示されている。
4A and 4B are schematic enlarged side views showing the configuration and operation of the holding base 7 and the fixing pin 28. FIG.
4A shows a state in which the holding base 7 is in the release position and the substrate W is horizontally supported by the horizontal support pins 10. In FIG. 4B, the holding base 7 is in the holding position and the substrate The state where W is held horizontally by the fixing pin 28 is shown.

保持ベース回動機構31は、保持ベース7に設けられた回転軸30に連結されている。保持ベース回動機構31は、たとえば、スピンチャック2内に収容されている。保持ベース回動機構31の駆動力が保持ベース7の回転軸30に入力されることにより、保持ベース7は、固定ピン28および可動ピン29の各当接部32,33が基板Wの周端面に接触して基板Wが保持される保持位置(図3Aおよび図4B参照)と、各当接部32,33が基板Wの周端面から離れた解除位置(図3Bおよび図4A参照)との間で変位する。   The holding base rotation mechanism 31 is connected to a rotating shaft 30 provided on the holding base 7. The holding base rotation mechanism 31 is accommodated in the spin chuck 2, for example. When the driving force of the holding base rotating mechanism 31 is input to the rotating shaft 30 of the holding base 7, the holding base 7 has the contact portions 32 and 33 of the fixed pin 28 and the movable pin 29 at the peripheral end surface of the substrate W. Between the holding position (see FIGS. 3A and 4B) where the substrate W is held and the release position (see FIGS. 3B and 4A) where the contact portions 32 and 33 are separated from the peripheral end surface of the substrate W. Displace between.

水平支持ピン10は、ほぼ半球状の頭部を有している。したがって、保持ベース7が解除位置にあるとき、水平支持ピン10は、基板Wの周縁部の下面に点接触する。これにより、基板Wは、下面側から水平支持ピン10により水平に支持される(図4A参照)。
固定ピン28は、柱状に形成されており、基板Wの回転軸線L1に向かって水平方向に開いたV字状の固定当接部32を有している。したがって、保持ベース7が解除位置から保持位置に向かって回動させられると、水平支持ピン10上に載置された基板Wは、その周端面がV字状の固定当接部32の下側傾斜面32bによって案内されながら、受け渡し高さから処理高さへとせり上がる。そして、保持ベース7が保持位置に到達したとき、基板Wは、固定ピン28に形成された固定当接部32に入り込み、その周端部がV字状の固定当接部32の上側傾斜面32aと下側傾斜面32bとに挟まれることにより、水平に保持される(図4B参照)。
The horizontal support pin 10 has a substantially hemispherical head. Therefore, when the holding base 7 is in the release position, the horizontal support pins 10 make point contact with the lower surface of the peripheral edge of the substrate W. Thereby, the board | substrate W is horizontally supported by the horizontal support pin 10 from the lower surface side (refer FIG. 4A).
The fixing pin 28 is formed in a columnar shape, and has a V-shaped fixed contact portion 32 that opens in the horizontal direction toward the rotation axis L <b> 1 of the substrate W. Therefore, when the holding base 7 is rotated from the release position toward the holding position, the substrate W placed on the horizontal support pin 10 is below the fixed contact portion 32 whose peripheral end surface is V-shaped. While being guided by the inclined surface 32b, it rises from the delivery height to the processing height. When the holding base 7 reaches the holding position, the substrate W enters the fixed abutting portion 32 formed on the fixing pin 28, and the peripheral end portion is the upper inclined surface of the V-shaped fixed abutting portion 32. It is held horizontally by being sandwiched between 32a and the lower inclined surface 32b (see FIG. 4B).

図5Aおよび図5Bは、保持ベース7および可動ピン29の構成および動作を示す模式的な拡大側面図である。図5Aおよび図5Bにおいて、図4Aおよび図4Bに示す各部に相当する部分には、それらの各部に付した参照符号と同一の参照符号を付し、それらの部分については説明を省略する。
図5Aでは、保持ベース7が解除位置にあって、基板Wが水平支持ピン10により水平に支持されている状態が示されており、図5Bでは、保持ベース7が保持位置にあって、基板Wが可動ピン29の可動当接部33により水平に保持されている状態が示されている。
5A and 5B are schematic enlarged side views showing the configuration and operation of the holding base 7 and the movable pin 29. FIG. 5A and 5B, parts corresponding to the parts shown in FIGS. 4A and 4B are denoted by the same reference numerals as those given to the respective parts, and description thereof will be omitted.
5A shows a state in which the holding base 7 is in the release position and the substrate W is horizontally supported by the horizontal support pins 10. In FIG. 5B, the holding base 7 is in the holding position and the substrate The state where W is held horizontally by the movable contact portion 33 of the movable pin 29 is shown.

可動ピン29は、柱状に形成されており、基板Wの回転軸線L1に向かって水平方向に開いたV字状の可動当接部33を有している。
可動ピン29は、下方に延びた可動支持部35を一体的に有している。可動支持部35は、可動ピン29の下方において保持ベース7内に設けられた可動機構収容凹部34に挿入されている。可動機構収容凹部34には、付勢手段としての弾性部材37と、ストッパ38とを含む可動機構36が収容されている。可動機構収容凹部34は、図5Aおよび図5Bの例では、スピンベース6の回転半径方向(回転軸線L1に垂直な方向)に対向する一対の側面34a,34cと、それらの側面34a,34c間を結合する底面34bとにより区画されている。
The movable pin 29 is formed in a column shape, and has a V-shaped movable contact portion 33 that opens in the horizontal direction toward the rotation axis L <b> 1 of the substrate W.
The movable pin 29 integrally has a movable support portion 35 extending downward. The movable support portion 35 is inserted into the movable mechanism accommodating recess 34 provided in the holding base 7 below the movable pin 29. The movable mechanism accommodating recess 34 accommodates a movable mechanism 36 including an elastic member 37 as a biasing means and a stopper 38. In the example of FIGS. 5A and 5B, the movable mechanism accommodating recess 34 is formed between a pair of side surfaces 34a and 34c facing the rotational radius direction (direction perpendicular to the rotation axis L1) of the spin base 6 and the side surfaces 34a and 34c. And a bottom surface 34b for joining the two.

弾性部材37は、コイルばね、板ばねなどであってもよい。図5Aおよび図5Bには、弾性部材37の一例としてのコイルばねを示す。このコイルばねは、可動機構収容凹部34の外方側の側面34aと可動支持部35との間に配置された圧縮コイルばねである。これにより、可動支持部35は、基板Wの回転軸線L1側に向かう方向に付勢されている。また、可動機構収容凹部34の底面34bには、ストッパ38が突設されている。ストッパ38は、弾性部材37の付勢力に抗して、可動支持部35の回転軸線L1側への移動を規制する。したがって、可動支持部35は、外側の側面34aとストッパ38との間で変位可能であり、それに応じて、可動ピン29は、保持ベース7に対して相対移動可能である。   The elastic member 37 may be a coil spring, a leaf spring, or the like. 5A and 5B show a coil spring as an example of the elastic member 37. FIG. This coil spring is a compression coil spring disposed between the outer side surface 34 a of the movable mechanism housing recess 34 and the movable support portion 35. Thereby, the movable support part 35 is urged | biased in the direction which goes to the rotation axis L1 side of the board | substrate W. Further, a stopper 38 protrudes from the bottom surface 34 b of the movable mechanism housing recess 34. The stopper 38 restricts the movement of the movable support portion 35 toward the rotation axis L <b> 1 against the urging force of the elastic member 37. Therefore, the movable support portion 35 can be displaced between the outer side surface 34 a and the stopper 38, and the movable pin 29 can be moved relative to the holding base 7 accordingly.

保持ベース7が保持位置から解除位置に向かって変位するとき、可動支持部35は、可動機構収容凹部34の側面34cから一定距離だけ離間した位置で停止し、それによって基板Wの周端面から離間する。解除位置よりも保持位置に近い中間位置から保持位置までの当接範囲に保持ベース7があるときには、可動当接部33は、基板Wの周端面に当接している。このとき、可動ピン29(可動支持部35)は、基板Wから押圧されるので、弾性部材37を圧縮する。それにより、可動ピン29は、弾性部材37が発生する付勢力によって、基板Wの回転軸線L1側に付勢され、基板Wの周端面に押し付けられる。   When the holding base 7 is displaced from the holding position toward the release position, the movable support portion 35 stops at a position spaced apart from the side surface 34c of the movable mechanism housing recess 34 by a certain distance, thereby being separated from the peripheral end surface of the substrate W. To do. When the holding base 7 is in the contact range from the intermediate position closer to the holding position than the release position to the holding position, the movable contact portion 33 is in contact with the peripheral end surface of the substrate W. At this time, since the movable pin 29 (movable support portion 35) is pressed from the substrate W, the elastic member 37 is compressed. Accordingly, the movable pin 29 is urged toward the rotation axis L1 side of the substrate W by the urging force generated by the elastic member 37 and is pressed against the peripheral end surface of the substrate W.

保持ベース7が解除位置から保持位置に向かって回動させられると、水平支持ピン10上に載置された基板Wは、その周端面がV字状の可動当接部33の下側傾斜面33bによって案内されながら、受け渡し高さから処理高さへとせり上がる。そして、保持ベース7が保持位置に到達したとき、基板Wは、可動当接部33に入り込み、その周端部がV字状の可動当接部33の上側傾斜面33aと下側傾斜面33bとに挟まれることにより、水平に保持される。   When the holding base 7 is rotated from the release position toward the holding position, the substrate W placed on the horizontal support pin 10 has a lower inclined surface of the movable contact portion 33 whose peripheral end surface is V-shaped. While being guided by 33b, it rises from the delivery height to the processing height. When the holding base 7 reaches the holding position, the substrate W enters the movable contact portion 33, and the peripheral end portions thereof are the upper inclined surface 33a and the lower inclined surface 33b of the V-shaped movable contact portion 33. Is held horizontally.

図6は、基板処理装置1による処理の一例を示す工程図である。
処理対象の基板Wは、基板搬送ロボットからスピンチャック2に渡される(基板搬入工程)。このとき、スピンチャック2は回転停止状態に制御されており、全ての保持ベース7は解除位置にある。よって、基板Wは、保持ベース7上の水平支持ピン10に載置されて水平に支持されることになる。その後、基板搬送ロボットが退避し、保持ベース回動機構31は、保持ベース7を解除位置から保持位置へと回動変位させる。これにより、各保持ベース7の保持ピン9(固定ピン28および可動ピン29)が基板Wの周端面に当接し、基板Wは水平支持ピン10から上方へと離間して、複数の保持ベース7にそれぞれ設けられた保持ピン9によって挟持される。
FIG. 6 is a process diagram showing an example of processing by the substrate processing apparatus 1.
The substrate W to be processed is transferred from the substrate transfer robot to the spin chuck 2 (substrate loading step). At this time, the spin chuck 2 is controlled to be in a rotation stop state, and all the holding bases 7 are in the release position. Therefore, the substrate W is placed on the horizontal support pins 10 on the holding base 7 and supported horizontally. Thereafter, the substrate transfer robot retracts, and the holding base rotation mechanism 31 rotates and displaces the holding base 7 from the release position to the holding position. As a result, the holding pins 9 (the fixed pins 28 and the movable pins 29) of each holding base 7 abut against the peripheral end surface of the substrate W, and the substrate W is separated upward from the horizontal support pins 10, so that the plurality of holding bases 7. Are held by holding pins 9 respectively.

この状態で、スピンモータ8が駆動されることにより、スピンベース6が所定の液処理速度で回転され、それによって、基板Wが回転軸線L1まわりに回転する(基板回転工程)。さらに、薬液バルブ14,24が開かれることにより、薬液ノズル12および下面ノズル19から基板Wの上面および下面にそれぞれ薬液が供給される。供給された薬液は、遠心力によって基板Wの上面および下面の全域に拡がり、その化学的作用によって基板全面を処理する(薬液処理工程)。   When the spin motor 8 is driven in this state, the spin base 6 is rotated at a predetermined liquid processing speed, whereby the substrate W is rotated around the rotation axis L1 (substrate rotation process). Further, by opening the chemical liquid valves 14 and 24, the chemical liquid is supplied from the chemical liquid nozzle 12 and the lower surface nozzle 19 to the upper surface and the lower surface of the substrate W, respectively. The supplied chemical solution spreads over the entire upper and lower surfaces of the substrate W by centrifugal force, and the entire surface of the substrate is processed by the chemical action (chemical solution processing step).

所定の薬液処理時間に渡って薬液を供給した後、薬液バルブ14,24が閉じられ、薬液の供給が停止される。代わって、リンス液バルブ17,25が開かれることによって、リンス液ノズル15および下面ノズル19から基板Wの上面および下面にそれぞれリンス液が供給される。供給されたリンス液は、遠心力によって基板Wの上面および下面の全域に拡がり、基板全面の薬液を置換して洗い流す(リンス工程)。   After supplying the chemical solution over a predetermined chemical solution processing time, the chemical valves 14 and 24 are closed, and the supply of the chemical solution is stopped. Instead, the rinse liquid valves 17 and 25 are opened, so that the rinse liquid is supplied from the rinse liquid nozzle 15 and the lower surface nozzle 19 to the upper surface and the lower surface of the substrate W, respectively. The supplied rinsing liquid spreads over the entire area of the upper and lower surfaces of the substrate W by centrifugal force, and the chemical liquid on the entire surface of the substrate is replaced and washed away (rinsing step).

所定のリンス処理時間に渡ってリンス液を供給した後、リンス液バルブ17,25が閉じられ、リンス液の供給が停止される。次いで、スピンベース6の回転速度が、液処理速度からそれよりも高速な乾燥速度まで加速される。これにより、基板Wの表面の液成分を遠心力によって振り切るスピンドライが実行される(乾燥工程)。
所定の乾燥処理時間にわたってスピンドライが実行された後、スピンモータ8が停止されて、スピンベース6の回転が停止される。その後、全ての保持ベース7が解除位置へと回動させられる。それによって、基板Wの挟持が解かれ、基板Wは保持ベース7の水平支持ピン10上に載置された状態となる。この状態で、基板搬送ロボットは、スピンチャック2から処理済みの基板Wを搬出する(基板搬出工程)。
After supplying the rinsing liquid over a predetermined rinsing time, the rinsing liquid valves 17 and 25 are closed, and the supply of the rinsing liquid is stopped. Next, the rotation speed of the spin base 6 is accelerated from the liquid processing speed to a higher drying speed. Thereby, spin dry is performed in which the liquid component on the surface of the substrate W is shaken off by centrifugal force (drying step).
After spin drying is executed for a predetermined drying processing time, the spin motor 8 is stopped and the rotation of the spin base 6 is stopped. Thereafter, all the holding bases 7 are rotated to the release position. As a result, the holding of the substrate W is released, and the substrate W is placed on the horizontal support pins 10 of the holding base 7. In this state, the substrate transport robot unloads the processed substrate W from the spin chuck 2 (substrate unloading process).

図7は、乾燥時間と、保持ピンの当接幅との背反を説明するためのグラフである。保持ベース7を保持位置に導いて平面視円形の保持ピン9を基板Wの周端面に当接させたときに、平面視において、保持ピン9の外形円は、基板Wの外形がなす円の一部(円弧)を切り取る。その円弧の長さ(より正確には当該円弧の両端を結ぶ弦の長さ)によって「当接幅」が定義される。   FIG. 7 is a graph for explaining the contradiction between the drying time and the contact width of the holding pin. When the holding base 7 is guided to the holding position and the circular holding pin 9 in plan view is brought into contact with the peripheral end surface of the substrate W, the outer circle of the holding pin 9 is a circle formed by the outer shape of the substrate W in plan view. Cut out a part (arc). The “contact width” is defined by the length of the arc (more precisely, the length of the string connecting both ends of the arc).

図7のグラフを作成するに当たり、当接幅がそれぞれ6.0mm、5.5mm、2.3mmになるように形成された複数種類の保持ピンを用意した。各種類の保持ピンに関して、基板の周端面に沿って等間隔に設定した4箇所に1本ずつ配置された同種の4本の保持ピンで基板を保持するスピンチャック(比較例)を製作した。それぞれのスピンチャックを用いて、基板に処理液を供給する液処理を行い、その後にスピンドライ処理を行って、処理液の乾燥時間を調べた。乾燥時間とは、基板上に残留する処理液量が許容量まで減少するのに要する時間である。より具体的には、基板と保持ピンとの当接部位における残留処理液が目視では確認できなくなるまでの時間である。スピンドライ時の基板の回転数は2500rpmとした。   In preparing the graph of FIG. 7, a plurality of types of holding pins formed to have contact widths of 6.0 mm, 5.5 mm, and 2.3 mm were prepared. For each type of holding pin, a spin chuck (comparative example) was manufactured in which the substrate was held by four holding pins of the same type arranged one by one at four locations set at equal intervals along the peripheral end surface of the substrate. Using each of the spin chucks, a liquid process for supplying a processing liquid to the substrate was performed, and then a spin dry process was performed to examine the drying time of the processing liquid. The drying time is the time required for the amount of processing liquid remaining on the substrate to be reduced to an allowable amount. More specifically, it is the time until the residual treatment liquid at the contact portion between the substrate and the holding pin cannot be visually confirmed. The rotation speed of the substrate during spin drying was 2500 rpm.

測定の結果によると、当接幅が6.0mmの場合の乾燥時間は約80秒であり、当接幅が5.5mmの場合の乾燥時間は約60秒であり、当接幅が2.3mmの場合の乾燥時間は約20秒であった。
たとえば、標準乾燥時間(乾燥工程での最長許容時間)が25秒だとすると、当接幅は2.5mm以下としなければならない。ところが、保持ピンの径を小さくして当接幅を小さくすると、保持ピンの強度が問題となる。具体的には、当接幅が5.0mm以上(ピンの耐久性が確保できる領域)では保持ピンの耐久性を確保することができるが、当接幅2.5mm以下では保持ピンが十分な強度を有することができない。しかし、当接幅が5.0mm以上の領域では、保持ピンの周辺における処理液残りが顕著に表れ、乾燥時間が標準乾燥時間である25secを大きく超えている。
According to the measurement results, the drying time when the contact width is 6.0 mm is about 80 seconds, the drying time when the contact width is 5.5 mm is about 60 seconds, and the contact width is 2. The drying time in the case of 3 mm was about 20 seconds.
For example, if the standard drying time (the longest allowable time in the drying process) is 25 seconds, the contact width must be 2.5 mm or less. However, if the diameter of the holding pin is reduced to reduce the contact width, the strength of the holding pin becomes a problem. Specifically, the durability of the holding pin can be ensured when the contact width is 5.0 mm or more (the region where the durability of the pin can be ensured), but the holding pin is sufficient when the contact width is 2.5 mm or less. Cannot have strength. However, in the region where the contact width is 5.0 mm or more, the remaining treatment liquid around the holding pin appears remarkably, and the drying time greatly exceeds the standard drying time of 25 sec.

結局、図7に表れているように、25sec以下での乾燥可能領域とピン耐久性が確保できる領域とに重なり部分はなく、各保持位置に一つの保持ピンを配置した構成のスピンチャックでは、短時間の乾燥と保持ピンの十分な強度とを両立できない。
第1実施形態では、一つの保持ベース7には複数の保持ピン9(29,28)が間隔を開けて配置されており、これらの全部が基板Wの周端面に当接する。したがって、たとえば、それらの複数の保持ピン9(28,29)の各当接幅が2.5mm以下になるようにしながら、複数の保持ピン9(28,29)の当接幅の合計が5.0mm以上になるような設計が可能である。これにより、一つの保持ベース7に備えられた複数の保持ピン9(28,29)は、それら全体で、必要な強度を有することができる。そして、個々の保持ピン9(28,29)の当接幅が十分に小さいので、標準乾燥時間以下の乾燥時間で基板Wを十分に乾燥して処理液残りを解消できる。また、複数の保持ピン9(28,29)が間隔を開けて配置されているので、保持ピン9(28,29)が一体となって処理液を堰き止めるようなこともなく、遠心力による処理液のスムーズな排出を実現できる。このことも、乾燥時間の短縮および処理液置換効率の向上に寄与している。
After all, as shown in FIG. 7, there is no overlapping portion between the region that can be dried in 25 sec or less and the region where pin durability can be ensured, and in the spin chuck of the configuration in which one holding pin is arranged at each holding position, It is impossible to achieve both short-time drying and sufficient strength of the holding pin.
In the first embodiment, a plurality of holding pins 9 (29, 28) are arranged at intervals on one holding base 7, and all of these abut against the peripheral end surface of the substrate W. Therefore, for example, the total contact width of the plurality of holding pins 9 (28, 29) is 5 while the contact width of each of the plurality of holding pins 9 (28, 29) is 2.5 mm or less. It can be designed to be 0 mm or more. Thereby, the plurality of holding pins 9 (28, 29) provided in one holding base 7 can have a necessary strength as a whole. Since the contact widths of the individual holding pins 9 (28, 29) are sufficiently small, the substrate W can be sufficiently dried in a drying time equal to or shorter than the standard drying time to eliminate the remaining processing liquid. In addition, since the plurality of holding pins 9 (28, 29) are arranged at intervals, the holding pins 9 (28, 29) are not united to block the processing liquid, and are caused by centrifugal force. Smooth discharge of processing liquid can be realized. This also contributes to shortening the drying time and improving the treatment liquid replacement efficiency.

以上のように、この実施形態によれば、各保持ベース7に設けられた複数の保持ピン9は、一つの固定ピン28と複数の可動ピン29とを含むので、全部の保持ピン9を確実に基板Wの周端面に当接させた状態で基板Wを保持することができる。そのため、基板Wに加わる応力が分散するので、応力集中による基板Wへの悪影響や基板Wの破損を回避できる。しかも、保持ベース7に備えられた全ての保持ピン9を基板Wの周端面に確実に当接させることができるので、各保持ピン9は大きな強度を有している必要がない。そのため、それらを比較的小さく設計することができる。それにより、各保持ピン9の近傍における処理液置換効率が良好になり、処理液残りが生じたりすることを抑制または防止しながら基板Wを乾燥できる。したがって、品質の高い基板処理を実現できる。   As described above, according to this embodiment, the plurality of holding pins 9 provided on each holding base 7 include one fixed pin 28 and a plurality of movable pins 29, so that all the holding pins 9 can be securely connected. The substrate W can be held in a state where it is in contact with the peripheral end surface of the substrate W. Therefore, since the stress applied to the substrate W is dispersed, adverse effects on the substrate W due to stress concentration and damage to the substrate W can be avoided. In addition, since all the holding pins 9 provided on the holding base 7 can be reliably brought into contact with the peripheral end surface of the substrate W, each holding pin 9 does not need to have high strength. Therefore, they can be designed relatively small. Thereby, the treatment liquid replacement efficiency in the vicinity of each holding pin 9 is improved, and the substrate W can be dried while suppressing or preventing the remaining of the treatment liquid. Therefore, high-quality substrate processing can be realized.

図8は、この発明の第2実施形態に係る基板処理装置41の保持ベースおよび可動ピンの構成を示す模式的な拡大側面図である。図8において、図4Aおよび図4Bに示す各部に相当する部分には、それらの各部に付した参照符号と同一の参照符号を付し、それらの部分については説明を省略する。
第2実施形態に係る基板処理装置41では、可動ピン42が、保持ベース43上に固定されて支持されている。より具体的には、可動ピン42は、基板Wの周端面に当接する可動当接部44と、保持ベース43に固定された固定部45と、固定部45と可動当接部44とを結合する弾性結合部46とを一体的に有している。可動ピン42は、柱状に構成されている。
FIG. 8 is a schematic enlarged side view showing the configuration of the holding base and movable pins of the substrate processing apparatus 41 according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 8, parts corresponding to the parts shown in FIGS. 4A and 4B are denoted by the same reference numerals as those given to the respective parts, and description of those parts is omitted.
In the substrate processing apparatus 41 according to the second embodiment, the movable pin 42 is fixed and supported on the holding base 43. More specifically, the movable pin 42 combines the movable contact portion 44 that contacts the peripheral end surface of the substrate W, the fixed portion 45 fixed to the holding base 43, and the fixed portion 45 and the movable contact portion 44. The elastic coupling portion 46 is integrally provided. The movable pin 42 is configured in a column shape.

固定部45は、保持ベース43に対して相対変位しないように固定されて支持されている。弾性結合部46は、可動ピン42の側面にスピンベース6の回転半径外方側から切り欠きを形成して構成されている。すなわち、弾性結合部46は、断面積を小さくすることによって、弾性変形するように構成されている。この弾性結合部46の上方に可動当接部44が結合されている。可動当接部44を基板Wの周端面に押し付けられると、弾性結合部46が弾性的に変形することによって、可動当接部44は固定部45に対して基板Wの回転軸線L1から離れる方向に相対的に変位する。このときは、弾性結合部46の変形量に応じて当該弾性結合部46が発生する復元力によって、可動当接部44が基板Wの周端面に向けて付勢される。すなわち、弾性結合部46は、可動当接部44を基板Wの周端面に向けて付勢する付勢手段としての役割を有する。   The fixing portion 45 is fixed and supported so as not to be displaced relative to the holding base 43. The elastic coupling portion 46 is configured by forming a notch on the side surface of the movable pin 42 from the outer side of the rotation radius of the spin base 6. That is, the elastic coupling portion 46 is configured to be elastically deformed by reducing the cross-sectional area. A movable contact portion 44 is coupled above the elastic coupling portion 46. When the movable contact portion 44 is pressed against the peripheral end surface of the substrate W, the elastic coupling portion 46 is elastically deformed so that the movable contact portion 44 moves away from the rotation axis L1 of the substrate W with respect to the fixed portion 45. Is relatively displaced. At this time, the movable contact portion 44 is urged toward the peripheral end surface of the substrate W by the restoring force generated by the elastic coupling portion 46 according to the deformation amount of the elastic coupling portion 46. That is, the elastic coupling portion 46 serves as a biasing unit that biases the movable contact portion 44 toward the peripheral end surface of the substrate W.

この構成によれば、可動ピン42は、保持ベース43に対する相対位置が固定されているが、可動当接部44が保持ベース43に対して相対的に変位することができる。その結果、第1実施形態のような可動機構収容凹部34およびそれに収容される可動機構36を設けなくとも、より一層簡単な構成で、可動ピン42を構成することができる。これにより、簡単な構成で、固定ピン28および可動ピン42の両方を基板Wの周端面に確実に当接させることができる。この結果、基板処理装置1と同様の効果を達成することができる。   According to this configuration, the movable pin 42 has a fixed relative position with respect to the holding base 43, but the movable contact portion 44 can be displaced relative to the holding base 43. As a result, the movable pin 42 can be configured with a simpler configuration without providing the movable mechanism accommodating recess 34 and the movable mechanism 36 accommodated therein as in the first embodiment. Thereby, both the fixed pin 28 and the movable pin 42 can be reliably brought into contact with the peripheral end surface of the substrate W with a simple configuration. As a result, the same effect as the substrate processing apparatus 1 can be achieved.

図9は、この発明の第3実施形態に係る基板処理装置51の保持ベースの模式的な拡大上面図である。図9において、図3Aおよび図3Bに示す各部に相当する部分には、それらの各部に付した参照符号と同一の参照符号を付し、それらの部分については説明を省略する。
第3実施形態に係る基板処理装置51では、保持ベース52を解除位置から保持位置まで変位させるときに、保持ベース52上に配置された二つの可動ピン53(53a,53b)の内の一方の可動ピン53が、他方の可動ピン53よりも基板Wの周端面に先に当接する位置に配置されている。図9では、回動軸線L2に近い側の可動ピン53aが、回動軸線L2から遠い側の可動ピン53bよりも基板Wの周端面に先に当接する位置に配置されている。これにより、保持ベース52が解除位置から保持位置まで回動変位するときに、一方の可動ピン53aが基板Wの周端面に最初に当接し、次に他方の可動ピン53bが基板Wの周端面に当接し、最後に固定ピン28が基板Wの周端面に当接する。保持ベース52が保持位置から解除位置まで回動変位するときには、固定ピン28が基板Wの周端面から離間し、次に可動ピン53bが基板Wの周端面から離間し、最後に可動ピン53aが基板Wの周端面から離間する。このように、複数の可動ピン53b,53bが、順次、基板Wの周端面に対して当接/離間する構成とすることもできる。
FIG. 9 is a schematic enlarged top view of the holding base of the substrate processing apparatus 51 according to the third embodiment of the present invention. In FIG. 9, parts corresponding to the parts shown in FIGS. 3A and 3B are denoted by the same reference numerals as those given to those parts, and the description of those parts is omitted.
In the substrate processing apparatus 51 according to the third embodiment, when the holding base 52 is displaced from the release position to the holding position, one of the two movable pins 53 (53a, 53b) arranged on the holding base 52 is used. The movable pin 53 is disposed at a position that comes into contact with the peripheral end surface of the substrate W earlier than the other movable pin 53. In FIG. 9, the movable pin 53a on the side close to the rotation axis L2 is disposed at a position where the movable pin 53a comes into contact with the peripheral end surface of the substrate W earlier than the movable pin 53b on the side far from the rotation axis L2. Thereby, when the holding base 52 is rotationally displaced from the release position to the holding position, one movable pin 53a first contacts the peripheral end surface of the substrate W, and then the other movable pin 53b is the peripheral end surface of the substrate W. Finally, the fixing pin 28 comes into contact with the peripheral end surface of the substrate W. When the holding base 52 is rotationally displaced from the holding position to the release position, the fixed pin 28 is separated from the peripheral end surface of the substrate W, then the movable pin 53b is separated from the peripheral end surface of the substrate W, and finally the movable pin 53a is moved. The substrate W is separated from the peripheral end surface. As described above, the plurality of movable pins 53b and 53b may be configured to sequentially contact / separate from the peripheral end surface of the substrate W.

なお、図9には、回動軸線L2に近い可動ピン53aが可動ピン53bよりも基板Wの周端面に先に当接するように配置された構成を示しているが、回動軸線L2から遠い側の可動ピン53bが近い側の可動ピン53aよりも基板Wの周端面に先に当接する配置としてもよい。
図10は、この発明の第4実施形態に係る基板処理装置61の保持ベースの模式的な拡大上面図である。図10において、図3Aおよび図3Bに示す各部に相当する部分には、それらの各部に付した参照符号と同一の参照符号を付し、それらの部分については説明を省略する。
FIG. 9 shows a configuration in which the movable pin 53a close to the rotation axis L2 is disposed so as to come into contact with the peripheral end surface of the substrate W earlier than the movable pin 53b, but is far from the rotation axis L2. The movable pin 53b on the side may be placed in contact with the peripheral end surface of the substrate W earlier than the movable pin 53a on the near side.
FIG. 10 is a schematic enlarged top view of the holding base of the substrate processing apparatus 61 according to the fourth embodiment of the present invention. In FIG. 10, parts corresponding to the parts shown in FIGS. 3A and 3B are denoted by the same reference numerals as those given to the respective parts, and description of those parts is omitted.

第4実施形態に係る基板処理装置61では、単一の固定ピン62と一つの可動ピン63とが保持ベース64上に配置されている。このように、可動ピンは、一つだけとすることもできる。
[その他の実施形態]
この発明の実施形態の説明は以上であるが、この発明は、前述の第1〜第4実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。
In the substrate processing apparatus 61 according to the fourth embodiment, a single fixed pin 62 and one movable pin 63 are disposed on a holding base 64. Thus, there can be only one movable pin.
[Other embodiments]
The description of the embodiment of the present invention is as described above, but the present invention is not limited to the contents of the first to fourth embodiments described above, and various modifications are possible within the scope of the claims. .

たとえば、前述の第1実施形態では、単一の固定ピン28を跨ぐように二つの可動ピン29が配置されているが、一つの可動ピン29を挟むように、固定ピン28と他方の可動ピン29とが配置されていてもよい。すなわち、単一の固定ピン28に対して、基板Wの周方向に関する同じ側に複数の可動ピン29が配置されてもよい。また、可動ピン29は、3個以上配置されていてもよい。   For example, in the first embodiment described above, the two movable pins 29 are disposed so as to straddle the single fixed pin 28, but the fixed pin 28 and the other movable pin are sandwiched between the one movable pin 29. 29 may be arranged. That is, a plurality of movable pins 29 may be arranged on the same side in the circumferential direction of the substrate W with respect to the single fixed pin 28. Further, three or more movable pins 29 may be arranged.

また、第1〜第4実施形態では、楕円形状の保持ベース7,43,52,64が用いられているが、楕円形以外の形状、たとえば、円形状や卵形状でもよい。
さらに、前述の実施形態では、保持ベースが回動変位する構成を説明したが、保持ベースがスピンベース6上で基板の周端面に対してスライド変位する構成としてもよい。
また、前述の実施形態では、円形の基板Wを例にとったが、角形の基板に対して処理を施す基板処理装置に対しても、この発明を同様に適用することができる。
In the first to fourth embodiments, the elliptical holding bases 7, 43, 52, and 64 are used. However, shapes other than the elliptical shape, for example, a circular shape or an egg shape may be used.
Furthermore, in the above-described embodiment, the configuration in which the holding base is rotationally displaced has been described, but the holding base may be configured to slide on the spin base 6 with respect to the peripheral end surface of the substrate.
In the above-described embodiment, the circular substrate W is taken as an example. However, the present invention can be similarly applied to a substrate processing apparatus that performs processing on a square substrate.

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の変更を施すことが可能である。   In addition, various modifications can be made within the scope of the matters described in the claims.

1 基板処理装置
7 保持ベース
9 保持ピン
28 固定ピン
29 可動ピン
32 固定当接部
33 可動当接部
37 弾性部材
41 基板処理装置
42 可動ピン
43 保持ベース
44 可動当接部
45 固定部
46 弾性結合部
51 基板処理装置
52 保持ベース
53 可動ピン
61 基板処理装置
62 固定ピン
63 可動ピン
64 保持ベース
W 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 7 Holding base 9 Holding pin 28 Fixed pin 29 Movable pin 32 Fixed contact part 33 Movable contact part 37 Elastic member 41 Substrate processing apparatus 42 Movable pin 43 Holding base 44 Movable contact part 45 Fixed part 46 Elastic coupling Unit 51 Substrate Processing Device 52 Holding Base 53 Movable Pin 61 Substrate Processing Device 62 Fixed Pin 63 Movable Pin 64 Holding Base W Substrate

Claims (3)

基板を保持して処理液で処理する基板処理装置であって、
基板が保持される保持位置と基板の保持が解除される解除位置との間で変位可能な保持ベースと、
前記保持ベースに対する相対位置が固定された固定当接部を有し、前記保持ベースが前記保持位置にあるときに前記固定当接部が基板の周端面に当接し、前記保持ベースが前記解除位置にあるときに前記固定当接部が基板の周端面から離間するように前記保持ベースに支持された固定ピンと、
前記保持ベースに対して相対移動可能な可動当接部を有し、前記解除位置よりも前記保持位置に近い中間位置から前記保持位置までの当接範囲に前記保持ベースがあるときに前記可動当接部が基板の周端面に当接し、前記保持ベースが解除位置にあるときに前記可動当接部が基板の周端面から離間するように前記保持ベースに支持された可動ピンと、
前記当接範囲において前記可動当接部を基板の周端面に向けて弾性的に付勢する付勢手段と
を含む、基板処理装置。
A substrate processing apparatus for holding a substrate and processing with a processing liquid,
A holding base that is displaceable between a holding position where the substrate is held and a release position where the holding of the substrate is released;
A fixed abutting portion whose relative position with respect to the holding base is fixed; and when the holding base is in the holding position, the fixed abutting portion abuts on a peripheral end surface of the substrate, and the holding base is in the release position A fixed pin supported by the holding base so that the fixed contact portion is separated from the peripheral end surface of the substrate when
A movable contact portion that is movable relative to the holding base, and the movable contact portion is located when the holding base is in a contact range from an intermediate position closer to the holding position than the release position to the holding position; A movable pin supported by the holding base so that the contact portion is in contact with the peripheral end surface of the substrate and the movable contact portion is separated from the peripheral end surface of the substrate when the holding base is in the release position;
And a biasing means for resiliently biasing the movable contact portion toward the peripheral end surface of the substrate in the contact range.
前記可動ピンが前記保持ベースに対して相対移動可能に支持されており、
前記付勢手段が前記可動ピンと前記保持ベースとの間に配置された弾性部材を含む、請求項1に記載の基板処理装置。
The movable pin is supported so as to be movable relative to the holding base;
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the urging means includes an elastic member disposed between the movable pin and the holding base.
前記可動ピンが前記保持ベースに固定された固定部を含み、
前記付勢手段が、前記固定部と前記可動当接部とを相対変位可能に結合する弾性結合部材を含む、請求項1に記載の基板処理装置。
The movable pin includes a fixed portion fixed to the holding base;
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the biasing unit includes an elastic coupling member that couples the fixed portion and the movable contact portion so as to be relatively displaceable.
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