JP2014043575A - ニッケル−リン被覆メモリーディスクのためのハイブリッド研磨材を含む研磨組成物 - Google Patents
ニッケル−リン被覆メモリーディスクのためのハイブリッド研磨材を含む研磨組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014043575A JP2014043575A JP2013167969A JP2013167969A JP2014043575A JP 2014043575 A JP2014043575 A JP 2014043575A JP 2013167969 A JP2013167969 A JP 2013167969A JP 2013167969 A JP2013167969 A JP 2013167969A JP 2014043575 A JP2014043575 A JP 2014043575A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alumina particles
- polishing
- alpha alumina
- composition
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 226
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 185
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 223
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 169
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 61
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 21
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 19
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 abstract description 3
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 abstract 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 15
- PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N Niacin Chemical compound OC(=O)C1=CC=CN=C1 PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 9
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 7
- -1 aminoalkyl sulfonic acid Chemical compound 0.000 description 6
- 239000011664 nicotinic acid Substances 0.000 description 6
- 229960003512 nicotinic acid Drugs 0.000 description 6
- 235000001968 nicotinic acid Nutrition 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 5
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 4
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 4
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003115 biocidal effect Effects 0.000 description 3
- 239000006174 pH buffer Substances 0.000 description 3
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 3
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 3
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 2
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 229920000847 nonoxynol Polymers 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Chemical group 0.000 description 2
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- IEORSVTYLWZQJQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-nonylphenoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1OCCO IEORSVTYLWZQJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUUULVAMQJLDSY-UHFFFAOYSA-N 4,5-dihydro-1,2-thiazole Chemical compound C1CC=NS1 GUUULVAMQJLDSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004343 Calcium peroxide Substances 0.000 description 1
- 241000332382 Ceiba Species 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical group C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPAGIJMPHSUYSE-UHFFFAOYSA-N Magnesium peroxide Chemical compound [Mg+2].[O-][O-] SPAGIJMPHSUYSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000047703 Nonion Species 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical group CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- LHJQIRIGXXHNLA-UHFFFAOYSA-N calcium peroxide Chemical compound [Ca+2].[O-][O-] LHJQIRIGXXHNLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019402 calcium peroxide Nutrition 0.000 description 1
- HFNQLYDPNAZRCH-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O.OC(O)=O HFNQLYDPNAZRCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- VTIIJXUACCWYHX-UHFFFAOYSA-L disodium;carboxylatooxy carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)OOC([O-])=O VTIIJXUACCWYHX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 230000009881 electrostatic interaction Effects 0.000 description 1
- BLCTWBJQROOONQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl prop-2-enoate Chemical class C=COC(=O)C=C BLCTWBJQROOONQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229960004995 magnesium peroxide Drugs 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- HXHCOXPZCUFAJI-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoic acid;styrene Chemical class OC(=O)C=C.C=CC1=CC=CC=C1 HXHCOXPZCUFAJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000006254 rheological additive Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229940045872 sodium percarbonate Drugs 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000002463 transducing effect Effects 0.000 description 1
- ZQTYRTSKQFQYPQ-UHFFFAOYSA-N trisiloxane Chemical group [SiH3]O[SiH2]O[SiH3] ZQTYRTSKQFQYPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【課題】小型ハードディスクのメモリーディスクに利用するための、Ｎｉ−Ｐ被覆メモリーディスクの研摩用に用いる埋め込まれた研磨材、微小うねりおよび端部ロールオフを、基材の除去速度を犠牲にすることなく最小化する、メモリーまたは硬質ディスクの研磨のための研磨組成物および方法の提供
【解決手段】（ａ）以下の（ｉ）〜（ｉｖ）を含む研磨材、（ｉ）０．８：１〜１．２：１の平均アスペクト比を有する第１のアルファアルミナ粒子、（ｉｉ）１．２：１より大きな平均アスペクト比を有する第２のアルファアルミナ粒子、（ｉｉｉ）ヒュームドアルミナ粒子、および（ｉｖ）湿式法シリカ粒子、ならびに（ｂ）水、を含む研磨組成物、および、基材、特にはニッケル−リン基材を研磨する方法
【選択図】なし
【解決手段】（ａ）以下の（ｉ）〜（ｉｖ）を含む研磨材、（ｉ）０．８：１〜１．２：１の平均アスペクト比を有する第１のアルファアルミナ粒子、（ｉｉ）１．２：１より大きな平均アスペクト比を有する第２のアルファアルミナ粒子、（ｉｉｉ）ヒュームドアルミナ粒子、および（ｉｖ）湿式法シリカ粒子、ならびに（ｂ）水、を含む研磨組成物、および、基材、特にはニッケル−リン基材を研磨する方法
【選択図】なし
Description
メモリーまたは硬質ディスクの増大した記憶容量への要求ならびに、メモリーまたは硬質ディスクの小型化（例えば、コンピュータ装置中のより小さなハードドライブへの要求のために）への傾向は、最大限の性能を確実にするための、そのようなディスクの平坦化または研磨を含む、メモリーまたは硬質ディスクの製造プロセスの重要性を強調し続けている。
半導体装置製造に関連して、幾つかの化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物および方法が存在しているけれども、ほとんどの慣用のＣＭＰ方法または商業的に入手可能なＣＭＰ組成物は、メモリーもしくは硬質ディスクの平坦化または研磨には適切でない。
用語「メモリーまたは硬質ディスク」は、電磁的な形態で情報を保持するための、いずれかの磁気ディスク、ハードディスク、硬質ディスク、またはメモリーディスクを表している。メモリーまたは硬質ディスクは、典型的にはニッケル−リンを含む表面を有しているか、しかしながらメモリーまたは硬質ディスク表面は、いずれかの他の好適な材料を含むことができる。ディスクドライブの記録ヘッドと、メモリーもしくは硬質ディスクの表面との間の距離は、記録密度が向上し、それがメモリーもしくは硬質ディスクに対して磁気ヘッドのより低い浮上高さを要求するとともに減少してきているので、メモリーまたは硬質ディスクの平坦度は向上されなければならない。磁気ヘッドのより低い浮上高さが許容されるためには、メモリーまたは硬質ディスクの表面仕上げの向上が必要とされる。
磁気ヘッドの浮上高さに影響するメモリーまたは硬質ディスクの表面特性としては、うねり（waviness）および微小うねり（microwaviness）が挙げられる。うねりおよびそり（warp）は、ディスク表面全体に亘る平坦からの全体の偏差である。表面偏差の中間的な形態が、ここでは微小うねりと表され、存在する可能性がある。微小うねりは、トランスデューシングヘッドの長さの水準である波長の範囲のディスク表面のうねりである。最近の技術を用いると、これらの波長は、概ね１０〜５０００ミクロンの範囲である。低い浮上ヘッド高さでは、微小うねりが、エアベアリング共鳴を起こし、それ故にヘッドとディスクの過剰な間隙調整を引き起こす可能性がある。微小うねりからもたらされる間隙調整は、そのディスク表面へのデータの貧弱な上書きを引き起こす可能性があり、そして場合によっては、ヘッドとディスク表面との衝突さえも引き起こし、ディスク表面および／または記録ヘッドの損傷をもたらす可能性がある。
メモリーまたは硬質ディスクの研磨の間に、典型的にはそのディスクの端部は、ディスクの残りの表面よりも、研摩用具からより高い圧力を受け、それがディスクの端部における湾曲した、または丸みのある輪郭を招く。丸みを帯びた端部領域は、当技術分野では、端部ロールオフ（roll-off）、摩擦落ち（rub-off）またはダブオフ（dub-off）として知られている。ディスク上のこのような丸みを帯びた領域は、記録には不適当である。
通常は、メモリーまたは硬質ディスクのための研磨組成物は、基材の除去速度を増大させるための研磨材を含んでいる。また、高い除去速度は、研摩パッドの基材への下方への力の増加によって達成される。しかしながら、下方への力の増加は、研摩剤粒子が、基材表面に埋め込まれるようになることを招き、結果として微小うねりおよび表面粗さに悪影響を与える。
当技術分野では、埋め込まれた研磨材、微小うねりおよび端部ロールオフを、基材の除去速度を犠牲にすることなく最小化する、メモリーまたは硬質ディスクの研磨のための研磨組成物および方法への要求がなお存在している。
本発明は、（ａ）以下の（ｉ）〜（ｉｖ）を含む研磨材、（ｉ）０．８：１〜１．２：１の平均アスペクト比を有する第１のアルファアルミナ粒子、（ｉｉ）１．２：１より大きな平均アスペクト比を有する第２のアルファアルミナ粒子、（ｉｉｉ）ヒュームドアルミナ粒子、および（ｉｖ）湿式法シリカ粒子、ならびに（ｂ）水、を含む研磨組成物を提供する。
本発明は、基材を研磨する方法を提供し、この方法は、（ｉ）基材、特には、ニッケル−リンの少なくとも１層を含む基材を準備すること、（ｉｉ）研磨パッドを準備すること、（ｉｉｉ）本発明の研磨組成物を準備すること、（ｉｖ）この基材の表面を研摩パッドおよび研磨組成物と接触させること、ならびに（ｖ）基材の表面の少なくとも１部を研摩して、基材の少なくとも一部、特にはニッケル−リンの少なくとも一部、を基材の表面からを除去して、そして基材の表面を研磨すること、を含んでいる。
本発明は、研磨材および水を含む、研磨材および水から本質的になる、あるいは、研磨材および水からなる、研磨組成物を提供する。この研磨材は、（ｉ）０．８：１〜１．２：１の平均アスペクト比を有する第１のアルファアルミナ粒子、（ｉｉ）１．２：１より大きな平均アスペクト比を有する第２のアルファアルミナ粒子、（ｉｉｉ）ヒュームドアルミナ粒子、および（ｉｖ）湿式法シリカ粒子、を含む、から本質的になる、あるいは、からなる。
アルファアルミナ粒子は、約５０質量％以上のアルミナのアルファ多形体を含むアルミナ粒子を表しており、その多形体は、典型的には高温、例えば１４００℃超で形成される。
本研磨組成物は、０．８：１〜１．２：１の平均アスペクト比を有する第１のアルファアルミナ粒子を含んでいる。用語、アスペクト比は、研磨材粒子の技術分野において一般的に知られており、そして幅に対する長さの比、または断面（例えば、直径）に対する長さの比、または不規則形状の粒子が問題である場合には、最小の断面寸法に対する最大の断面寸法の比を表している。
第１および第２のアルファアルミナ粒子のアスペクト比は、例えば、随意選択的に、画像解析ソフトウエア、例えば、Media Cybernetic LP（シルヴァースプリング、メリーランド州）によって市販されているIMAGE-PRO PLUS画像解析ソフトウエアに支援された光学顕微鏡を用いて、当業者は容易に測定することができる。例えば、研磨材粒子のアスペクト比の特性を決定するために、一定量の研磨材粒子の代表的な試料の二次元の輪郭を、画像解析に用いることができる。
図１および２は、異なるアスペクト比を有するアルファアルミナ粒子間の物理的な外観の差異を描写している。具体的には、図１は、０．８：１〜１．２：１の平均アスペクト比を有するアルファアルミナ粒子の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像である。図２は、１．２：１より大きな平均アスペクト比を有するアルファアルミナ粒子のＳＥＭ画像である。
第１のアルファアルミナ粒子は、０．８：１以上、０．９：１以上、１：１以上、１．０５：１以上、または１．１：１以上の平均アスペクト比を有することができる。あるいは、もしくは、更には、第１のアルファアルミナ粒子は、１．２：１以下、１．１：１以下、または１：１以下の平均アスペクト比を有することができる。従って、第１のアルファアルミナ粒子は、上記の端点のいずれかの２つによって定められた平均アスペクト比を有することができる。例えば、第１のアルファアルミナ粒子は、０．８：１〜１．１：１、０．９：１〜１：１、または１．０５〜１：１の平均アスペクト比を有することができる。
第１のアルファアルミナ粒子は、いずれかの好適な粒子径を有することができる。概ね球形の粒子の粒子径は、その粒子の直径である。いずれかの非球形の粒子の粒子径は、その粒子を取り囲む最小球形の直径である。第１のアルファアルミナ粒子は、５０ｎｍ以上、１００ｎｍ以上、２００ｎｍ以上、３００ｎｍ以上、４００ｎｍ以上、または４５０ｎｍ以上の平均粒子径（例えば、平均粒子直径）を有することができる。あるいは、もしくは、更には、第１のアルファアルミナ粒子は、８００ｎｍ以下、７００ｎｍ以下、６００ｎｍ以下、５００ｎｍ以下、または４５０ｎｍ以下の平均粒子径を有することができる。従って、第１のアルファアルミナ粒子は、上記の端点のいずれかの２つによって定められる平均粒子径を有することができる。例えば、第１のアルファアルミナ粒子は、５０〜５００ｎｍ、２００〜５００ｎｍ、３００〜６００ｎｍ、３００〜７００ｎｍ、４５０〜６００ｎｍ、または４００〜７００ｎｍの平均粒子径を有することができる。
本研磨組成物は、いずれかの好適な量の第１のアルファアルミナ粒子を含むことができる。本研磨組成物は、０．０１質量％以上、０．０５質量％以上、０．１質量％以上、または０．３質量％以上の第１のアルファアルミナ粒子を含むことができる。あるいは、もしくは、更には、本研磨組成物は、５質量％以下、３質量％以下、１質量％以下、０．８質量％以下、または０．５質量％以下の第１のアルファアルミナ粒子を含むことができる。従って、本研磨組成物は、上記の端点のいずれかの２つで定められる量の第１のアルファアルミナを含むことができる。例えば、本研磨組成物は、０．０１〜５質量％、０．１〜３質量％、０．３〜０．８質量％、または０．１〜０．８質量％の第１のアルファアルミナ粒子を含むことができる。
本研磨組成物は、１．２：１より大きな平均アスペクト比を有する第２のアルファアルミナを含んでいる。第２のアルファアルミナ粒子は、１：２以上、１．３：１以上、１．５：１以上、２：１以上、または２．５：１以上の平均アスペクト比を有することができる。あるいは、もしくは、更には、第２のアルファアルミナ粒子は、５：１以下、４：：１以下、または３：１以下の平均アスペクト比を有することができる。従って、第２のアルファアルミナ粒子は、上記の端点のいずれかの２つで定められる平均アスペクト比を有することができる。例えば、第２のアルファアルミナ粒子は、１．３：１〜５：１、１．３：１〜５：１、または２：１〜４：１の平均アスペクト比を有することができる。
第２のアルファアルミナ粒子は、いずれかの好適な粒子径を有することができる。第２のアルファアルミナ粒子は、２０ｎｍ以下、３０ｎｍ以下、４０ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、または７５ｎｍ以下の平均粒子径（例えば、平均粒子直径）を有することができる。あるいは、もしくは、更には、第２のアルファアルミナ粒子は、５００ｎｍ以下、４００ｎｍ以下、３００ｎｍ以下、２５０ｎｍ以下、または２００ｎｍ以下の平均粒子径を有することができる。従って、第２のアルファアルミナ粒子は、上記の端点のいずれかの２つで定められる平均粒子径を有することができる。例えば、第２のアルファアルミナ粒子は、２０〜５００ｎｍ、３０〜５００ｎｍ、３０〜４００ｎｍ、５０〜３００ｎｍ、５０〜２５０ｎｍ、７５〜２５０ｎｍまたは７５〜２００ｎｍの平均粒子径を有することができる。
本研磨組成物は、いずれかの好適な量の第２のアルファアルミナ粒子を含むことができる。本研磨組成物は、０．０１質量％以上、０．０５質量％以上、０．１質量％以上、または０．３質量％以上の第２のアルファアルミナ粒子を含むことができる。あるいは、もしくは、更には、本研磨組成物は、５質量％以下、３質量％以下、１質量％、０．８質量％以下、または０．５質量％以下の第２のアルファアルミナ粒子を含むことができる。従って、本研磨組成物は、上記の端点のいずれかの２つで定められる量で、第２のアルファアルミナ粒子を含むことができる。例えば、本研磨粒子組成物は、０．０１〜５質量％、０．１〜３質量％、０．３〜０．８質量％、または０．１〜０．８質量％の第２のアルファアルミナ粒子を含むことができる。
研磨材は、０．１：１以上、０．３：１以上、０．５：１以上、または０．７：１以上の、第２のアルファアルミナ粒子に対する第１のアルファアルミナ粒子の質量比を含むことができる。あるいは、もしくは、更には、第２のアルファアルミナ粒子に対する第１のアルファアルミナ粒子の質量比は、１．３：１以下、１．１：１以下、１：１以下、０．９：１以下、または０．８：１以下であることができる。従って、第２のアルファアルミナ粒子に対する第１のアルファアルミナ粒子の質量比は、上記の端点のいずれかの２つによって定めることができる。例えば、第２のアルファアルミナ粒子に対する第１のアルファアルミナ粒子の質量比は、０．１：１〜１：１、０．３：１〜１：１、０．５：１〜１：１、０．５：１〜１．１：１、または０．７：１〜０．９：１であることができる。
本研磨組成物は、ヒュームドアルミナ粒子を含んでいる。ヒュームドアルミナは、酸化アルミニウムの非晶形である。ヒュームドアルミナは、凝集体構造を有しており、それは、概ね球形の一次粒子が、一次粒子の鎖状の凝集体に結合している。一次粒子は、共有結合および静電的相互作用によって、互いに結合しており、そして典型的には、例えば機械的エネルギーの投入、例えば高せん断混合、による分解に抵抗力がある。複数のヒュームドアルミナ凝集体は、集塊の形態に、より緩やかに結合していることができる。集塊は、その成分の凝集体へと、容易に分解される。ヒュームドアルミナの粒子径は、一次粒子の凝集体（個々の一次粒子または複数の凝集体の集塊ではなく）を含む、最小の球形の直径を表している。
ヒュームドアルミナ粒子は、いずれかの好適な平均粒子径（すなわち、平均粒子直径）を有することができる。ヒュームドアルミナ粒子は、３０ｎｍ以上、４０ｎｍ以上、５０ｎｍ以上、７０ｎｍ以上、または１００ｎｍ以上の平均粒子径を有することができる。あるいは、もしくは、更には、ヒュームドアルミナ粒子は、２５０ｎｍ以下、２３０ｎｍ以下、２１０ｎｍ以下、１９０ｎｍ以下、または１５０ｎｍ以下の平均粒子径を有することができる。従って、ヒュームドアルミナ粒子は、上記の端点のいずれかの２つで定められる平均粒子径を有することができる。例えば、ヒュームドアルミナ粒子は、３０〜２５０ｎｍ、３０〜２３０ｎｍ、５０〜１９０ｎｍ、７０〜１５０ｎｍ、または１００〜１５０ｎｍの平均粒子径を有することができる。
本研磨組成物は、いずれかの好適な量のヒュームドアルミナ粒子を含むことができる。本研磨組成物は、０．０１質量％以上、０．０５質量％以上、０．１質量％以上、または０．３質量％のヒュームドアルミナ粒子を含むことができる。あるいは、もしくは、更には、本研磨組成物は、５質量％以下、３質量％以下、１質量％以下、０．８質量％以下、または０．５質量％以下のヒュームドアルミナ粒子を含むことができる。従って、本研磨組成物は、ヒュームドアルミナ粒子について列挙した上記の端点のいずれかの２つで定められる量のヒュームドアルミナ粒子を含むことができる。例えば、本研磨組成物は、０．０１〜５質量％、０．１〜３質量％、０．３〜０．８質量％、または０．１〜０．８質量％のヒュームドアルミナ粒子を含むことができる。
本研磨組成物は、湿式法シリカ粒子（例えば、縮合重合または沈降シリカ粒子）を含んでいる。縮合重合シリカ粒子は、典型的には、Ｓｉ(ＯＨ）４を縮合してコロイド状粒子を形成することによって調製され、コロイド状粒子は、約１ｎｍ〜約１０００ｎｍの範囲の平均粒子径を有すると規定される。このような湿式法シリカ粒子は、米国特許第5,230,833号明細書に従って調製することができ、またはいずれかの種々の商業的に入手可能な製品、例えば、Akzo-Nobel Bindzil 50/80製品、Nalco DVSTS006製品、およびFuso PL 2製品、ならびにDuPont、Bayer、Applied Research、Nissan Chemical、およびClariantから入手可能な他の同様の製品、として得ることができる。
湿式法シリカ粒子は、いずれかの好適な平均粒子径（すなわち、平均粒子直径）を有することができる。湿式法シリカ粒子は、４ｎｍ以上、１０ｎｍ以上、１５ｎｍ以上、２０ｎｍ以上、または２５ｎｍ以上の平均粒子径を有することができる。あるいは、もしくは、更には、湿式法粒子は、１８０ｎｍ以下、１２０ｎｍ以下、１１０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、９０ｎｍ以下、８０ｎｍ以下、７０ｎｍ以下、６０ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、または４０ｎｍ以下の平均粒子径を有することができる。従って、湿式法シリカ粒子は、上記の端点のいずれか２つで定められる平均粒子径を有することができる。例えば、湿式法シリカ粒子は、１０〜１００ｎｍ、２０〜１００ｎｍ、２０〜８０ｎｍ、２０〜６０ｎｍ、または２０〜４０ｎｍの平均粒子径を有することができる。
本研磨組成物は、いずれかの好適な量の湿式法シリカを含むことができる。本研磨組成物は、０．５質量％以上、１質量％以上、２質量％以上、または５質量％以上の湿式法シリカ粒子を含むことができる。あるいは、もしくは、更には、本研磨組成物は、２５質量％以下、２０質量％以下、１５質量％以下、１０質量％以下、８質量％以下、６質量％以下、または５質量％以下の湿式法シリカ粒子を含むことができる。従って、本研磨組成物は、上記の端点のいずれか２つで定められる量の湿式法シリカ粒子を含むことができる。例えば、本研磨組成物は、０．５〜２０質量％、１〜１５質量％、５〜１５質量＆、または０．５〜５質量％の湿式法シリカ粒子を含むことができる。
研磨材は、いずれかの好適な量の第１のアルファアルミナ粒子、第２のアルファアルミナ粒子、ヒュームドアルミナ粒子、および湿式法シリカを含むことができる。例えば、研磨材は、本研磨組成物中の研磨材の総質量を基準として、１〜１０質量％の第１アルファアルミナ粒子、１０〜６０質量％の第２のアルファアルミナ粒子、５〜２０質量％のヒュームドアルミナ粒子、および２０〜６０質量％の湿式法シリカを含むことができる。
本研磨組成物は、好ましくは、いずれかの他の形態のアルミナ、例えば、ここに記載した第１および第２のアルファアルミナ粒子およびヒュームドアルミナ粒子以外のアルミナ粒子、を含まない。同様に、本研磨組成物は、好ましくは、いずれかの他の形態のシリカ、例えば、ここに記載された湿式法シリカ粒子以外のシリカ粒子、を含まない。更に、本研磨組成物は、好ましくは、ここに記載したアルミナおよびシリカ粒子以外のいずれかの研磨材、すなわちここに記載した第１および第２のアルファアルミナ粒子、ヒュームドアルミナ粒子、および湿式シリカ粒子以外の研磨材粒子を含まない。
好ましくは、研磨材は、研磨組成物中でコロイド状に安定である。用語、コロイドは、液状担体（例えば、水）中の粒子の懸濁液を表す。コロイド状に安定とは、時間の経過における懸濁の維持を表している。本発明の文脈では、研磨材が、１００ｍＬのメスシリンダ中に容れて、そして撹拌なしに、２時間に亘って放置し、このメスシリンダの底部５０ｍＬ中の粒子の濃度（ ｇ／ｍＬで[Ｂ] ）と、メスシリンダの上部５０ｍＬ中の粒子の濃度（ｇ／ｍＬで［Ｔ］）との間の差を、研磨材組成物中の粒子の初期濃度（ｇ／ｍＬで［Ｃ］）で割り算した値が、０．５以下である（すなわち、｛［Ｂ］−［Ｔ］｝／［Ｃ］≦０．５）場合には、研磨材はコロイド状に安定であると考えられる。より好ましくは、［Ｂ］−［Ｔ］／［Ｃ］の値は、０．３以下であり、そしてより好ましくは０．１以下である。
本研磨組成物は、いずれかの好適な量の研磨材を含むことができる。本研磨組成物は、０．５質量％以上、１質量％以上、２質量％以上、または５質量％以上の研磨材を含むことができる。あるいは、もしくは、更には、本研磨組成物は、２５質量％以下、２０質量％以下、１５質量％以下、１０質量％以下、８質量％以下、６質量％以下、または５質量％以下の研磨材を含むことができる。従って、本研磨組成物は、上記の端点のいずれかの２つによって定められる量の研磨材を含むことができる。例えば、本研磨組成物は、０．５〜２０質量％、１〜１５質量％、５〜１５質量％、または０．５〜５質量％の研磨材を含むことができる。
本研磨組成物は、水を含んでいる。水は、研摩または平坦化される好適な基材の表面への研磨材粒子の適用を促進するように用いることができる。好ましくは、水は、脱イオン水である。
本研磨組成物は、いずれかの好適なｐＨを有することができる。本研磨組成物は、望ましくは、酸性のｐＨ，すなわち、７未満のｐＨを有している。好ましくは、本研磨組成物は、６以下（例えば、５以下）のｐＨを有している。更により好ましくは、本研磨組成物は、１〜４（例えば２〜４）のｐＨを有している。本研磨組成物は、随意選択的に、ｐＨ調節剤、例えば、水酸化カリウム、水酸化アンモニウムおよび／または硝酸を含んでいる。また、本研磨組成物は、随意選択的にｐＨ緩衝系を含んでいる。多くのそのようなｐＨ緩衝系が、当技術分野では知られている。ｐＨ緩衝剤は、いずれかの好適な緩衝剤、例えば、重炭酸塩炭酸塩緩衝系、アミノアルキルスルホン酸など、であることができる。本研磨組成物は、本研磨組成物のｐＨを、好適な範囲内に達せしめ、および／または維持するのに好適な量が用いられる限り、いずれかの好適な量のｐＨ調節剤および／またはｐＨ緩衝剤を含むことができる。
本研磨組成物は、随意選択的に、少なくとも１種の酸化剤を更に含むことができる。この酸化剤の機能は、基材、例えば、例としてニッケル−リンを含む１つの層もしくは複数の層、の少なくとも一部を酸化することである。酸化剤は、いずれかの好適な酸化剤であることができる。好適な酸化剤の限定するものではない例としては、過酸化水素、過硫酸塩（例えば、過硫酸アンモニウム）、第二鉄塩（例えば、硝酸第二鉄）、過酸化水素の固体形態およびそれらの組合わせ、が挙げられる。過酸化水素の固体形態としては、過炭酸ナトリウム、過酸化カルシウム、および過酸化マグネシウムが挙げられ、それらは、水に溶解した時に、遊離の過酸化水素を放出する。好ましくは、酸化剤は、過酸化水素である。
本研磨組成物は、いずれかの好適な量の酸化剤を含むことができる。本研磨組成物は、０．０１質量％以上、０．５質量％以上、０．１質量％以上、１質量％以上、または１．５質量％以上の酸化剤を含むことができる。あるいは、もしくは、更には、本研磨組成物は、１０質量％以下、５質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、または１．５質量％以下の酸化剤を含むことができる。従って、本研磨組成物は、上記の端点のいずれかの２つで定められる量の酸化剤を含むことができる。例えば、本研磨組成物は、０．０１〜１０質量％、０．５〜５質量％、０．１〜３質量％、１．５〜３質量％、または１．５〜２質量％の量の酸化剤を含むことができる。
本研磨組成物は、随意選択的に、少なくとも１種の、ニッケルに対するキレート化剤を更に含んでいる。このキレート化剤は、ニッケルに対するいずれかの好適なキレート化剤であることができる。好適なキレート化剤の限定するものではない例としては、アミノ酸（例えば、グリシン）および有機カルボン酸（例えば、ニコチン酸および酒石酸）が挙げられる。
本研磨組成物は、いずれかの好適な量のキレート化剤を含むことができる。本研磨組成物は、０．０１質量％以上、０．５質量％以上、０．１質量％以上、１質量％以上、または１．５質量％以上のキレート化剤を含むことができる。あるいは、もしくは、更には、本研磨組成物は、１０質量％以下、５質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、または１．５質量％以下のキレート化剤を含むことができる。従って、本研磨組成物は、上記の端点のいずれかの２つで定められる量のキレート化剤を含むことができる。例えば、本研磨組成物は、０．０１〜１０質量％、０．５〜５質量％、０．１〜３質量％、１．５〜３質量％、または１．５〜２質量％の量のキレート化剤を含むことができる。
本研磨組成物は、随意選択的に、少なくとも１種のノニオン性界面活性剤を更に含むことができる。このノニオン性界面活性剤は、いずれかの好適なノニオン性界面活性剤であることができる。好適なノニオン性界面活性剤としては、シロキサン単位、エチレンオキシド単位および／またはプロピレンオキシド単位を含む共重合体界面活性剤が挙げられ、それらは、直鎖、ペンダントまたはトリシロキサン構造を有することができる。好適なノニオン性界面活性剤の限定するものではない例としては、アルキルフェノールエトキシレート（例えば、ノニルフェノールエトキシレート）、アルコールエトキシレート、シロキサンエトキシレートなど、が挙げられる。好ましくは、ノニオン性界面活性剤としては、ノニルフェノールエトキシレート、例えば、Dow Corning（ミッドランド、ミシガン州）から入手可能なTergitol NPシリーズ、およびシロキサンエトキシレート、例えば、General Electric（スケネクタディ、ニューヨーク州）から入手可能なSilwetシリーズ、が挙げられる。
本研磨組成物は、いずれかの好適な量のノニオン性界面活性剤を含むことができる。本研磨組成物は、０．０１質量％以上、０．５質量％以上、０．１質量％以上、１質量％以上、または１．５質量％以上のノニオン性界面活性剤を含むことができる。あるいは、もしくは、更には、本研磨組成物は、１０質量％以下、５質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、または１．５質量％以下のノニオン性界面活性剤を含むことができる。従って、本研磨組成物は、上記の端点のいずれかの２つで定められる量のノニオン性界面活性剤を含むことができる。例えば、本研磨組成物は、０．０１〜１０質量％、０．５〜５質量％、０．１〜３質量％、１．５〜３質量％、または１．５〜２質量％のノニオン性界面活性剤を含むことができる。
本研磨組成物は、随意選択的に、１種もしくは２種以上の他の添加剤を更に含むことができる。そのような添加剤としては、界面活性剤および／またはレオロジー調節剤、消泡剤、および殺生物剤が挙げられる。添加剤は、本研磨組成物中に、いずれかの好適な濃度で存在することができる。そのような添加剤としては、いずれかの好適な分散剤、例えば、１種もしくは２種以上のアクリル系モノマー、それの組合わせ、およびそれらの塩を含む、単独重合体、またはランダム、ブロックもしくは傾斜アクリレート共重合体（例えば、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ビニルアクリレートおよびスチレンアクリレート）を挙げることができる。殺生物剤は、いずれかの好適な殺生物剤、例えば、イソチアゾリンオン殺生物剤であることができる。
本発明の研磨組成物は、いずれかの好適な技術によって調製することができ、それらの多くが、当業者には知れられている。本研磨組成物は、バッチまたは連続プロセスで調製することができる。通常は、本研磨組成物は、その成分を、いずれかの順番で組み合わせることによって調製することができる。ここで用いられる用語「成分」は、それぞれの原料（例えば、第１のアルファアルミナ粒子、ヒュームドアルミナ粒子、研磨材、水など）ならびに、原料のいずれかの組合わせ（例えば、研磨材、水、酸化剤、キレート化剤など）を包含している。
例えば、研磨材は、水の中に分散されていることができる。酸化剤、キレート化剤、およびノニオン性界面活性剤を、本研磨組成物中にこれらの成分を混合することができるいずれかの方法によって加え、そして混合することができる。基材の研磨をもたらすように除去される１種もしくは２種以上の材料の除去速度を向上させる他の化合物も、本研磨組成物の調製において同様に用いることができる。本研磨組成物は、１種または２種以上の成分、例えばｐＨ調節成分、を本研磨組成物に、使用の直前（例えば、使用の前の約７日間内に、または使用の前の約１時間内に、または使用の前の約１分間内に）加えることによって、使用の前に調製することができる。また、本研磨組成物は、これらの成分を、研摩操作の間に、基材の表面で混合することによって調製することができる。
また、本研磨組成物は、濃縮物とし提供することができ、それは、使用の前に、適当な量の水で希釈されることが意図されている。そのような場合には、本研磨組成物濃縮物は、例えば研磨材および水を、この濃縮物の適当な量の水での希釈によって、本研磨組成物のそれぞれの成分が、研摩組成物中に、それぞれの成分について上記で記載した適切な範囲内の量で存在するように、含有することができる。更には、当業者には理解されるように、この濃縮物は、最終的な研磨組成物中に存在する水の適当な一部を、これらの成分および他の好適な添加剤が、この濃縮物中に少なくとも部分的に、もしくは完全に溶解しているように、含有することができる。
本発明は、（ｉ）基材、例えば少なくとも１つのニッケル−リン層を含む基材、を準備すること、（ｉｉ）研磨パッドを準備すること、（ｉｉｉ）ここに記載したような研磨組成物を準備すること、（ｉｖ）この基材の表面を、研摩パッドおよび研磨組成物と接触させること、ならびに（ｖ）この基材の表面の少なくとも一部を、この基材の表面の少なくとも一部を除去するように、例えば、少なくとも一部のニッケル−リンを、この基材の表面から除去して、そしてこの基材の表面を研磨するように、研摩すること、を含む、基材の研磨方法を提供する。
本発明の研磨方法は、化学機械研磨装置と組合わせての使用に特に好適である。典型的には、この装置は、プラテン（これは、使用時に、作動して、そして軌道の、直線状の、または環状の動きをもたらす速度を有している）、プラテンと接触し、そして動作時にプラテンと共に動く研磨パッド、ならびに基材を研摩パッドの表面に対して接触させ、そして動かすことによって研磨される基材を保持する支持体を含んでいる。基材の研磨は、この基材を、研磨パッドおよび本発明の研磨組成物と接触させ、そして次いでこの研磨パッドを基材に対して動かして、基材の少なくとも一部を研摩して、基材を研磨することによって発生する。
基材は、いずれかの好適な研磨パッド（例えば、研摩表面）とともに研磨組成物で研磨することができる。好適な研磨パッドとしては、例えば、織物および不織研磨パッドが挙げられる。更には、好適な研磨パッドは、種々の密度、硬度、厚さ、圧縮性、圧縮に対する回復の能力、および圧縮弾性率のいずれかの好適なポリマーを含むことができる。好適なポリマーとしては、例えばポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ナイロン、フルオロカーボン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリエーテル、ポリエチレン、ポリアミン、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリプロピレン、それらの共形成された製品（coformed products）、およびそれらの混合物、が挙げられる。硬質ポリウレタン研磨パッドは、本発明の研磨方法に関連して、特に有用である。
望ましくは、化学機械研磨装置は、その場での（in situ）終点検知システムを更に含んでおり、その多くが当技術分野で知られている。研磨されている基材の表面から反射される分析光または他の輻射線によって、研磨プロセスを検査および監視する技術は、当技術分野で知られている。そのような方法は、例えば、米国特許第5,196,353号明細書、第5,433,651号明細書、第5,609,511号明細書、第5,643,046号明細書、第5,658,183号明細書、第5,730,642号明細書、第5,838,447号明細書、第5,872,633号明細書、第5,893,796号明細書、第5,949,927号明細書、および第5,964,643号明細書中に記載されている。望ましくは、研磨されている基材に関する研磨プロセスの進行の検査または監視は、研磨終点の決定、すなわち、特定の基材に対する研磨プロセスを、何時終了するかの決定を可能にする。
以下の例は、本発明を更に説明するが、しかしながら、勿論のこと、その範囲を限定するものとは決して解釈してはならない。
これらの例において示されたこれらの研磨実験は、ＣＲ２００研磨パッド（Ceiba Technologiesから入手可能である）に対して９．５１ｋＰａ（１．３８ｐｓｉ）の下向きの力の圧力で、特に断りのない限り、２０〜３０ｒｐｍのプラテン速度、および２５〜３０ｒｐｍの支持体速度での、商業的に入手可能な研磨装置の使用を含んでいる。
光学表面分析計（ＯＳＡ）アルミナカウントを、斜めおよび直角の入射角に調節した２つの独立したレーザー波長（４０５ｎｍおよび６６０ｎｍ）を用いて、OSA Candela 6100（KLA Tencorから入手可能である）によって、６０秒間に亘る、P2 KISS buffer工程の後に測定した。ＯＳＡアルミナカウントは、埋め込まれたアルミナ粒子の量の間接的な測定である。
ディスク表面の粗さ測定は、Texture Measurement System（ＴＭＳ）によって測定したが、これは６７０ｎｍの波長を有するクラスＩＩレーザーを装備したスキャタロメーターが組み込まれている。
基材の表面の、微小うねり、短い微小うねり、および低周波粗さ（ＬＦ−Ｒａ）測定は、２００〜１４５０μｍ、８０〜５００μｍ、および２０〜２００μｍのそれぞれの波長で、Zygo干渉計を用いて測定した。
例１
研磨組成物を、０．７質量％の、２〜２．７：１の平均アスペクト比を有する第２のアルファアルミナ粒子、０．１８質量％のヒュームドアルミナ粒子、２．６３質量％の、８０ｍ２／ｇの平均表面積を有するコロイド状シリカ粒子、０．８質量％の過酸化水素、および０．０１０８質量％のオルガノシロキサン、そして残りは水で調製した。第２のアルファアルミナ粒子は、３５０ｎｍの平均粒子径を有していた。この研磨組成物は、異なる研磨条件下で、ニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）基材を研磨するのに用いた。研摩パラメータとしては、表１中に示したように、１２秒間の下降（ramp down）時間および下方に向けた力、および水洗浄時間が挙げられる。
研磨組成物を、０．７質量％の、２〜２．７：１の平均アスペクト比を有する第２のアルファアルミナ粒子、０．１８質量％のヒュームドアルミナ粒子、２．６３質量％の、８０ｍ２／ｇの平均表面積を有するコロイド状シリカ粒子、０．８質量％の過酸化水素、および０．０１０８質量％のオルガノシロキサン、そして残りは水で調製した。第２のアルファアルミナ粒子は、３５０ｎｍの平均粒子径を有していた。この研磨組成物は、異なる研磨条件下で、ニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）基材を研磨するのに用いた。研摩パラメータとしては、表１中に示したように、１２秒間の下降（ramp down）時間および下方に向けた力、および水洗浄時間が挙げられる。
ニッケル−リン基材の除去速度（ＲＲ）を、それぞれの研磨条件の組合わせについて測定し、そして表１中に示した。更に、結果として得られたニッケル−リン基材は、埋め込まれたアルミナ粒子（ＯＳＡカウント）、微小うねり、および粗さ（ＴＭＳ Ｒａ）について評価し、その結果を表１中に示した。
表１に示したデータから明らかなように、除去速度は、下向きの力の関数として増加した。例えば、他が同じ条件では、下向きの力が７．２４ｋＰａから９．５１ｋＰａへ、１１．７２ｋＰａへと増加するに連れて、基材の除去速度は、３７．８８オングストローム／分から、４１．４８オングストローム／分へ、４２．８１オングストローム／分へと増加した。しかしながら、他が同じ条件で、下向きの力が、７．２４ｋＰａから９．５１ｋＰａへ、１１．７２ｋＰａへと増加するに連れて、基材中に埋め込まれたアルミナ粒子の数は、望ましくないが、８４７から、１１８７へ、２４７４へと増加した。下向きの力が、９．５１ｋＰａで一定に保持され、そして水での洗浄時間が、１２秒間から、３０秒間へ、６０秒間へと増加した場合には、基材の除去速度は増加し、そして基材中に埋め込まれたアルミナ粒子の数は、基材表面の微小うねりおよび粗さとともに、減少した。
例２
研磨組成物２Ａ〜２Ｈは、表２中に示した量の、１〜１．１：１の平均アスペクト比を有する第１のアルミナ粒子、２〜２．７：１の平均アスペクト比を有する第２のアルファアルミナ粒子、および湿式法シリカ粒子で調製した。更に、研磨組成物２Ａ〜２Ｈは、０．１８質量％の、１３０ｎｍの平均粒子径を有するヒュームドアルミナ粒子、０．８質量％の酒石酸、０．６質量％の過酸化水素、および０．０１０８質量％オルガノシロキサンを含んでいる。
研磨組成物２Ａ〜２Ｈは、表２中に示した量の、１〜１．１：１の平均アスペクト比を有する第１のアルミナ粒子、２〜２．７：１の平均アスペクト比を有する第２のアルファアルミナ粒子、および湿式法シリカ粒子で調製した。更に、研磨組成物２Ａ〜２Ｈは、０．１８質量％の、１３０ｎｍの平均粒子径を有するヒュームドアルミナ粒子、０．８質量％の酒石酸、０．６質量％の過酸化水素、および０．０１０８質量％オルガノシロキサンを含んでいる。
この研磨組成物を、同様の条件下で、ニッケル−リン基材を研磨するのに用いた。結果として得たニッケル−リン基材は、研磨後とバフ研磨後の両方の埋め込まれたアルミナ粒子（ＯＳＡカウント）について評価し、そして表２中に示した。
研磨組成物２Ａ〜２Ｄは、研磨組成物２Ａ〜２Ｄが、３５０ｎｍの平均粒子径の第２のアルファアルミナ粒子を用いているが、一方で研磨組成物２Ｅ〜２Ｈは５００ｎｍの平均粒子径の第２のアルファアルミナ粒子を用いている以外は、それぞれ研磨組成物２Ｅ〜２Ｈと同様である。研摩組成物２Ａ〜２Ｄおよび研磨組成物２Ｅ〜２Ｈのそれぞれの群の中では、１つの研磨組成物だけが、研磨材として、第二のアルファアルミナ粒子およびヒュームドアルミナ粒子を用いており（研磨組成物２Ａおよび２Ｅ）、１つの研磨組成物だけが、研磨材として、第１および第２のアルファアルミナ粒子およびヒュームドアルミナ粒子を用いており（研磨組成物２Ｂおよび２Ｆ）、１つの研磨組成物だけが、研磨材として、第２のアルファアルミナ粒子、ヒュームドアルミナ粒子、および湿式法シリカ粒子を用いており（研磨組成物２Ｃおよび２Ｇ）、そして１つの研磨組成物は、研磨材として、第１および第２のアルファアルミナ粒子、ヒュームドアルミナ粒子、ならびに湿式法シリカ粒子を用いている（研磨組成物２Ｄおよび２Ｈ）。
表２中に示したデータから明らかなように、研磨材が第１のアルファアルミナ粒子を含んでいない場合には、研磨後およびバフ研磨後の基材の欠陥カウントは、研磨材が、ヒュームドアルミナ粒子に加えて、第１のアルファアルミナ粒子および第２のアルファアルミナ粒子の両方を含む場合によりも大きい（研磨組成物２Ａおよび２Ｂ、研磨組成物２Ｃおよび２Ｄ、研磨組成物２Ｅおよび２Ｆ、ならびに研磨組成物２Ｇおよび２Ｈを比較のこと）。更に、研磨材が、湿式法シリカ粒子を含んでいない場合には、研磨後およびバフ研磨後の基材の欠陥カウントは、少なくとも、第２のアルミナ粒子が、３５０ｎｍの平均粒子径を有する場合には、研磨材が、第２のアルファアルミナ粒子およびヒュームドアルミナ粒子に加えて、湿式法シリカ粒子を含む場合よりも大きい（研磨組成物２Ａおよび２Ｃ、ならびに研磨組成物２Ｂおよび２Ｄを比較のこと）。
例３
研磨組成物３Ａ〜３Ｈは、表３Ａ中に示した量の、１〜１．１：１の平均アスペクト比を有する第１のアルファアルミナ粒子、２〜２．７：１の平均アスペクト比を有する第２のアルファアルミナ粒子、および湿式法シリカで調製した。更に、研磨組成物３Ａ〜３Ｈは、０．１８質量％の、１３０ｎｍの平均粒子径を有するヒュームドアルミナ粒子、１質量％の酒石酸、０．６質量％の過酸化水素、および０．０１０８質量％のオルガノシロキサンを含んでいる。
研磨組成物３Ａ〜３Ｈは、表３Ａ中に示した量の、１〜１．１：１の平均アスペクト比を有する第１のアルファアルミナ粒子、２〜２．７：１の平均アスペクト比を有する第２のアルファアルミナ粒子、および湿式法シリカで調製した。更に、研磨組成物３Ａ〜３Ｈは、０．１８質量％の、１３０ｎｍの平均粒子径を有するヒュームドアルミナ粒子、１質量％の酒石酸、０．６質量％の過酸化水素、および０．０１０８質量％のオルガノシロキサンを含んでいる。
これらの研磨組成物を、同様の条件下で、ニッケル−リン基材を研磨するのに用いた。ニッケル−リン基材の除去速度（ＲＲ）を、それぞれの研磨組成物について測定し、そして表３Ｂに示した。更に、結果として得られたニッケル−リン基材を、微小うねり、短い微小うねり、低周波数粗さ、およびロールオフについて評価し、それらの結果を表３Ｂ中に示した。
研磨組成物３Ａ〜３Ｄは、研磨組成物３Ａ〜３Ｄが、３５０ｎｍの平均粒子径を有する第２のアルファアルミナ粒子を用いているが、一方で、研磨組成物３Ｅ〜３Ｈは、５００ｎｍの平均粒子径の第２のアルファアルミナ粒子を用いている以外は、それぞれ研磨組成物３Ｅ〜３Ｈと同様である。研摩組成物３Ａ〜３Ｄおよび研磨組成物３Ｅ〜３Ｈのそれぞれの群の中では、１つの研磨組成物だけが、研磨材として、第二のアルファアルミナ粒子およびヒュームドアルミナ粒子を用いており（研磨組成物３Ａおよび３Ｅ）、１つの研磨組成物だけが、研磨材として、第１および第２のアルファアルミナ粒子およびヒュームドアルミナ粒子を用いており（研磨組成物３Ｂおよび３Ｆ）、１つの研磨組成物だけが、研磨材として、第２のアルファアルミナ粒子、ヒュームドアルミナ粒子、および湿式法シリカ粒子を用いており（研磨組成物３Ｃおよび３Ｇ）、そして１つの研磨組成物が、研磨材として、第１および第２のアルファアルミナ粒子、ヒュームドアルミナ粒子、ならびに湿式法シリカ粒子を用いている（研磨組成物３Ｄおよび３Ｈ）。
表３Ｂ中に示したデータから明らかなように、大きな除去速度が得られたが、しかしながら、研磨材が、５００ｎｍの平均粒子径を有する第２のアルファアルミナ粒子を含む場合には、３５０ｎｍの平均粒子径を有する第２のアルファアルミナ粒子を含む研磨材と対比して、微小うねり、短い微小うねり、および低周波数粗さは増加した（研磨組成物３Ａおよび３Ｅ，研磨組成物３Ｂおよび３Ｆ、研磨組成物３Ｃおよび３Ｇ、ならびに研磨組成物３Ｄおよび３Ｈを比較のこと）。
研磨材が、第１のアルファアルミナ粒子、第２のアルファアルミナ粒子、ヒュームドアルミナ粒子、および湿式法シリカ粒子を含む場合には、結果として得られた基材について、容認可能な微小うねり、短い微小うねり、および低周波数粗さ特性とともに、容認可能な除去速度が得られた。例えば、研磨組成物３Ｄは、研磨組成物３Ａ〜３Ｃに比べて、容認可能な除去速度および研磨された基材の表面特性のバランスを示した。同様に、研磨組成物３Ｈは、研磨組成物３Ｅ〜３Ｇに比べて、容認可能な除去速度および研磨された基材の表面特性のバランスを示した。
例４
研磨組成物４Ａ〜４Ｈは、０．１質量％の、１〜１．１の平均アスペクト比および２００ｎｍの平均粒子径を有する第１のアルファアルミナ粒子、０．８６質量％の、２〜２．７の平均アスペクト比および５００ｎｍの平均粒子径を有する第２のアルファアルミナ粒子、１．６５質量％の、表４に示した表面積を有する湿式法シリカ、０．２４質量％のヒュームドアルミナ粒子、０．１０８質量％のオルガノシロキサン（Silwet L7200）、１質量％のキレート化剤、および２．１質量％の、表４に示した酸化剤で調製した。
研磨組成物４Ａ〜４Ｈは、０．１質量％の、１〜１．１の平均アスペクト比および２００ｎｍの平均粒子径を有する第１のアルファアルミナ粒子、０．８６質量％の、２〜２．７の平均アスペクト比および５００ｎｍの平均粒子径を有する第２のアルファアルミナ粒子、１．６５質量％の、表４に示した表面積を有する湿式法シリカ、０．２４質量％のヒュームドアルミナ粒子、０．１０８質量％のオルガノシロキサン（Silwet L7200）、１質量％のキレート化剤、および２．１質量％の、表４に示した酸化剤で調製した。
これらの研磨組成物を、同様の条件下で、ニッケル−リン基材を研磨するのに用いた。結果として得たニッケル−リン基材を、研磨後の埋め込まれたアルミナ粒子（ＯＳＡカウント）について評価し、そして表４中に示した。
表４に示したデータから明らかなように、研磨組成物が、８０ｍ２／ｇのより小さな表面積を有する湿式法シリカ粒子を含む場合（すなわち、湿式法シリカ粒子が、より大きなサイズである場合）には、１７０ｍ２／ｇのより大きな表面積と対比して（すなわち、より小さなサイズの湿式法粒子と対比して）より少ない欠陥カウントが観察され、研磨後に基材中の埋め込まれたアルミナ粒子がより少ないことを示している。特には、研磨組成物４Ａ〜４Ｄ（８０ｍ２／ｇの表面積を有するシリカを含んでいる）は、他は同じ研磨組成物４Ｅ〜４Ｈ（１７０ｍ２／ｇの表面積を有するシリカを含んでいる）の研磨後の欠陥カウントよりも、それぞれ有意に少ない、研磨後の欠陥カウントを有していた。
更に、これらの研磨組成物中でのキレート化剤としてのニコチン酸の使用は、典型的には、キレート化剤としてグリシンを用いた場合よりも、より小さな研磨後の欠陥カウントをもたらした。例えば、研磨組成物４Ｄ、４Ｇおよび４Ｈ（キレート化剤としてニコチン酸を含んでいる）は、それぞれ１３０、２３６、および２９０の研磨後の欠陥カウントをもたらしたが、これらは研磨組成物４Ｂ、４Ｅおよび４Ｆ（キレート化剤としてグリシンを含んでいる）の使用からもたらされた、それぞれ２２３、３２４、および３７４の研磨後の欠陥カウントよりも少ない。しかしながら、研磨組成物４Ａ（過酸化水素およびグリシンを含んでいる）は、１６１の研磨後の欠陥カウントを示した研磨組成物４Ｃ（過酸化水素およびニコチン酸を含んでいる）よりもより小さい、１３４の研磨後の欠陥カウントを示した。
また、表４中のデータから明らかなように、研磨組成物中での酸化剤としての過酸化水素の使用は、典型的には、酸化剤として過硫酸ナトリウムを用いた場合よりも、より小さな、研磨後の欠陥カウントをもたらした。例えば、研磨組成物４Ａ、４Ｅ、および４Ｇ（酸化剤として過酸化水素を含んでいる）は、それぞれ１３４、３２４、および２３６の研磨後の欠陥カウントをもたらした。対照的に、４Ｂ、４Ｆ、および４Ｈ（酸化剤として過硫酸ナトリウムを含んでいる）は、それぞれ２２３、３７４、および２９０の研磨後の欠陥カウントをもたらした。しかしながら、研磨組成物４Ｃ（ニコチン酸を、過酸化水素と組合わせて含んでいる）は、１３０の研磨後の欠陥カウントをもたらした研磨組成物４Ｄ（ニコチン酸と過硫酸ナトリウムを含んでいる）と対比して、より大きな、１６１の欠陥カウントをもたらした。
例５
研磨組成物５Ａ〜５Ｂを、１．１〜１：１の平均アスペクト比および２００ｎｍの平均粒子径を有する第１のアルファアルミナ粒子、２〜２．７：１の平均アスペクト比および５００ｎｍの平均粒子径を有する第２のアルファアルミナ粒子、ヒュームドアルミナ、湿式法シリカ粒子、キレート化剤、および表５中に示した種類および量の酸化剤で調製した。
研磨組成物５Ａ〜５Ｂを、１．１〜１：１の平均アスペクト比および２００ｎｍの平均粒子径を有する第１のアルファアルミナ粒子、２〜２．７：１の平均アスペクト比および５００ｎｍの平均粒子径を有する第２のアルファアルミナ粒子、ヒュームドアルミナ、湿式法シリカ粒子、キレート化剤、および表５中に示した種類および量の酸化剤で調製した。
これらの研磨組成物を、同様の条件下で、ニッケル‐リン基材を研磨するために用いた。ニッケル−リン基材の除去速度（ＲＲ）を測定して、そして表５中に示した。更に、結果として得たニッケル−リン基材を、微小うねりについて評価し、そして表５中にその結果を示した。
表５に示したデータから明らかなように、本発明の組成物は、容認可能な微小うねりの結果をもたらし、一方で、Ｎｉ−Ｐの高い除去速度をも有していた。
本明細書において引用した、刊行物、特許出願および特許を含めた全ての参照文献を、それぞれの参照文献を、個々に、そして具体的に参照することによって本明細書の内容とし、かつ説明したのと同様に、参照することによって本明細書の内容とする。
本発明を説明する文脈における（特に添付の特許請求の範囲における文脈における）、用語「a」および「an」および「the」ならびに同様の指示語の使用は、特に断りのない限り、そして文脈から明確に否定されない限り、単数および複数の両方を包含すると解釈されなければならない。用語「含む（comprising）」、「有する」、「含む（including）」および「含む（containing）」は、特に断りのない限り、解放型である（すなわち（「が挙げられるが、それらには限定されない」ことを意味する）と解釈されなければならない。本明細書における範囲の列挙は、特に断りのない限り、その範囲内に収まるそれぞれの個々の値を個別に参照するための簡略な方法の役割をすることを意図したものであり、そしてそれぞれの個々の値が、それらが本明細書中に個別に記載されているのと同様に本明細書中に組み込まれる。本明細書に記載された全ての方法は、特に断りのない限り、または文脈から明確に否定されない限り、いずれかの好適な順番で行うことができる。本明細書において与えられる、いずれかの例、および全ての例の使用あるいは、例示的な表現（例えば、「例えば」）は、単に、本発明をより明らかにすることを意図しており、そして特に断りのない限り、本発明の範囲に限定を加えるものではない。本明細書中のいずれの用語も、特許請求していない要素が、本発明の実施に必須であると示していると解釈されてはならない。
本発明の好ましい態様が、本明細書に記載されており、本発明を実施するための、本発明者らによって知られているベストモードが含まれている。これらの好ましい態様の変形が、前述の説明を読めば、当業者には明らかであろう。本発明者らは、当業者が、そのような変形を適切に用いることを想定しており、そして本発明者らは、本発明が、本明細書に具体的に記載したのとは違ったように実施されることを意図している。従って、本発明は、適用可能な法律が許すように、添付の特許請求の範囲に記載さした主題の全ての変更と等価物を含んでいる。更には、それらの可能な全ての変形における上記の要素の全ての組合わせは、特に断りのない限り、あるいは文脈によって明確に否定されない限り、本発明に包含される。
Claims (22)
- （ａ）以下の（ｉ）〜（ｉｖ）を含む研磨材、
（ｉ）第１のアルファアルミナ粒子、該第１のアルファアルミナ粒子は、０．８：１〜１．２：１の平均アスペクト比を有する、
（ｉｉ）第２のアルファアルミナ粒子、該第２のアルファアルミナ粒子は、１．２：１より大きな平均アスペクト比を有する、
（ｉｉｉ）ヒュームドアルミナ粒子、
（ｉｖ）湿式法シリカ粒子、ならびに
（ｂ）水、
を含んでなる研磨組成物。 - 前記第２のアルファアルミナ粒子が、１．３：１〜５：１の平均アスペクト比を有する、請求項１記載の組成物。
- 前記第１のアルファアルミナ粒子の前記第２のアルファアルミナ粒子に対する質量比が、０．１：１〜１：１である、請求項１記載の組成物。
- 前記研磨材が、前記研磨組成物中の該研磨材の総質量を基準として、（ｉ）１〜１０質量％の第１のアルファアルミナ粒子、（ｉｉ）２０〜６０質量％の第２のアルファアルミナ粒子、（ｉｉｉ）５〜２０質量％のヒュームドアルミナ粒子、および（ｉｖ）２０〜６０質量％の湿式法シリカ粒子、を含む、請求項１記載の組成物。
- 前記組成物が、１質量％〜１０質量％の前記研磨材を含む、請求項１記載の組成物。
- 前記組成物が、更に酸化剤を含む、請求項１記載の組成物。
- 前記組成物が、更に、ニッケルに対するキレート化剤を含む、請求項１記載の組成物。
- 前記組成物が、更にノニオン性界面活性剤を含む、請求項１記載の組成物。
- 前記第１のアルファアルミナ粒子が、２００ｎｍ〜６００ｎｍの平均粒子径を有し、かつ前記第２のアルファアルミナ粒子が、１００ｎｍ〜６００ｎｍの平均粒子径を有する、請求項１記載の組成物。
- 前記組成物が、１〜４のｐＨを有する、請求項１記載の組成物。
- 基材の研磨方法であって、該方法が、
（ｉ）基材を準備すること、
（ｉｉ）研磨パッドを準備すること、
（ｉｉｉ）以下の（ａ）および（ｂ）を含む研磨組成物を準備すること、
（ａ）以下の（Ａ）〜（Ｄ）を含む研磨材、
（Ａ）第１のアルファアルミナ粒子、該第１のアルファアルミナ粒子は、０．８１：１〜１．２：１の平均アスペクト比を有する、
（Ｂ）第２のアルファアルミナ粒子、該第２のアルファアルミナ粒子は、１：２より大きな平均アスペクト比を有する、
（Ｃ）ヒュームドアルミナ粒子、
（Ｄ）湿式法シリカ粒子、および
（ｂ）水、
（ｉｖ）該基材の表面を、該研磨パッドおよび該研磨組成物と接触させること、ならびに
（ｖ）該基材の該表面の少なくとも一部を研摩して、該基材の少なくとも一部を除去して、該基材の該表面を研磨すること、
を含んでなる、方法。 - 前記第２のアルファアルミナ粒子が、１．３：１〜５：１の平均アスペクト比を有する、請求項１１記載の方法。
- 前記第１のアルファアルミナ粒子の前記第２のアルファアルミナ粒子に対する質量比が、０．１：１〜１：１である、請求項１１記載の方法。
- 前記研磨材が、前記研磨組成物中の該研磨材の総質量を基準として、（ｉ）１〜１０質量％の第１のアルファアルミナ粒子、（ｉｉ）２０〜６０質量％の第２のアルファアルミナ粒子、（ｉｉｉ）５〜２０質量％のヒュームドアルミナ粒子、および（ｉｖ）２０〜６０質量％の湿式法シリカ粒子、を含む、請求項１１記載の方法。
- 前記組成物が、１質量％〜１０質量％の前記研磨材を含む、請求項１１記載の方法。
- 前記組成物が、更に酸化剤を含む、請求項１１記載の方法。
- 前記組成物が、更に、ニッケルに対するキレート化剤を含む、請求項１１記載の方法。
- 前記組成物が、更にノニオン性界面活性剤を含む、請求項１１記載の方法。
- 前記第１のアルファアルミナ粒子が、２００ｎｍ〜６００ｎｍの平均粒子径を有し、かつ前記第２のアルファアルミナ粒子が、１００ｎｍ〜６００ｎｍの平均粒子径を有する、請求項１１記載の方法。
- 前記組成物が、１〜４のｐＨを有する、請求項１１記載の方法。
- 前記基材が少なくとも１層のニッケル−リンを含み、かつニッケル−リンの少なくとも一部を該基材の前記表面から除去して、該基材の該表面を研磨する、請求項１１記載の方法。
- 前記基材が、ニッケル−リンをコーティングされたアルミニウムメモリーディスクである、請求項２１記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/594,947 | 2012-08-27 | ||
| US13/594,947 US8518135B1 (en) | 2012-08-27 | 2012-08-27 | Polishing composition containing hybrid abrasive for nickel-phosphorous coated memory disks |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014043575A true JP2014043575A (ja) | 2014-03-13 |
| JP5503065B2 JP5503065B2 (ja) | 2014-05-28 |
Family
ID=48999689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013167969A Active JP5503065B2 (ja) | 2012-08-27 | 2013-08-13 | ニッケル−リン被覆メモリーディスクのためのハイブリッド研磨材を含む研磨組成物 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8518135B1 (ja) |
| JP (1) | JP5503065B2 (ja) |
| CN (1) | CN103627327B (ja) |
| MY (1) | MY161744A (ja) |
| SG (1) | SG2013064589A (ja) |
| TW (1) | TWI440677B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017102989A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
| JP2017179217A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、基板の製造方法および研磨方法 |
| JP2021503684A (ja) * | 2017-11-20 | 2021-02-12 | シーエムシー マテリアルズ，インコーポレイティド | 減少した表面スクラッチを示すメモリハードディスクを研磨するための組成物および方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015057433A1 (en) * | 2013-10-18 | 2015-04-23 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition and method for nickel-phosphorous coated memory disks |
| US9303190B2 (en) | 2014-03-24 | 2016-04-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Mixed abrasive tungsten CMP composition |
| US9127187B1 (en) | 2014-03-24 | 2015-09-08 | Cabot Microelectronics Corporation | Mixed abrasive tungsten CMP composition |
| US9401104B2 (en) * | 2014-05-05 | 2016-07-26 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition for edge roll-off improvement |
| CN117625325A (zh) | 2015-01-13 | 2024-03-01 | Cmc材料股份有限公司 | 用于在化学机械抛光后清洁半导体晶片的清洁组合物及方法 |
| MY184933A (en) * | 2015-09-25 | 2021-04-30 | Yamaguchi Seiken Kogyo Co Ltd | Polishing composition and method for polishing magnetic disk substrate |
| JP7457586B2 (ja) * | 2020-06-18 | 2024-03-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物の濃縮液およびこれを用いた研磨方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5527423A (en) * | 1994-10-06 | 1996-06-18 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry for metal layers |
| US5693239A (en) | 1995-10-10 | 1997-12-02 | Rodel, Inc. | Polishing slurries comprising two abrasive components and methods for their use |
| US6294105B1 (en) * | 1997-12-23 | 2001-09-25 | International Business Machines Corporation | Chemical mechanical polishing slurry and method for polishing metal/oxide layers |
| JP3998813B2 (ja) * | 1998-06-15 | 2007-10-31 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| US6896591B2 (en) | 2003-02-11 | 2005-05-24 | Cabot Microelectronics Corporation | Mixed-abrasive polishing composition and method for using the same |
| KR100787191B1 (ko) * | 2006-08-28 | 2007-12-21 | 한국화학연구원 | 각형비가 큰 판상 알파알루미나 결정체 및 이의 제조방법 |
| JP5204226B2 (ja) * | 2008-06-13 | 2013-06-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | アルミニウム酸化物粒子及びそれを含有する研磨用組成物 |
| US8226841B2 (en) * | 2009-02-03 | 2012-07-24 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition for nickel-phosphorous memory disks |
| US9330703B2 (en) * | 2009-06-04 | 2016-05-03 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition for nickel-phosphorous memory disks |
-
2012
- 2012-08-27 US US13/594,947 patent/US8518135B1/en active Active
-
2013
- 2013-08-13 JP JP2013167969A patent/JP5503065B2/ja active Active
- 2013-08-26 MY MYPI2013003135A patent/MY161744A/en unknown
- 2013-08-27 CN CN201310377657.5A patent/CN103627327B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-08-27 TW TW102130586A patent/TWI440677B/zh active
- 2013-08-27 SG SG2013064589A patent/SG2013064589A/en unknown
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017102989A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
| JP2017179217A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、基板の製造方法および研磨方法 |
| JP2021503684A (ja) * | 2017-11-20 | 2021-02-12 | シーエムシー マテリアルズ，インコーポレイティド | 減少した表面スクラッチを示すメモリハードディスクを研磨するための組成物および方法 |
| JP7163387B2 (ja) | 2017-11-20 | 2022-10-31 | シーエムシー マテリアルズ，インコーポレイティド | 減少した表面スクラッチを示すメモリハードディスクを研磨するための組成物および方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI440677B (zh) | 2014-06-11 |
| US8518135B1 (en) | 2013-08-27 |
| TW201348362A (zh) | 2013-12-01 |
| SG2013064589A (en) | 2014-03-28 |
| CN103627327A (zh) | 2014-03-12 |
| MY161744A (en) | 2017-05-15 |
| JP5503065B2 (ja) | 2014-05-28 |
| CN103627327B (zh) | 2015-02-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5503065B2 (ja) | ニッケル−リン被覆メモリーディスクのためのハイブリッド研磨材を含む研磨組成物 | |
| JP5856256B2 (ja) | ニッケル−リン記憶ディスク用の研磨組成物 | |
| JP5508413B2 (ja) | ニッケル−リンの研磨方法 | |
| US9039914B2 (en) | Polishing composition for nickel-phosphorous-coated memory disks | |
| US8557137B2 (en) | Polishing composition for nickel phosphorous memory disks | |
| JP2006306924A (ja) | 研磨液組成物 | |
| US9053736B2 (en) | Method for manufacturing an aluminosilicate glass substrate for hard disks | |
| JP2010170649A (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
| US9534147B2 (en) | Polishing composition and method for nickel-phosphorous coated memory disks | |
| JP5571915B2 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
| JP5571926B2 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20140129 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140218 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140313 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5503065 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |