JP2014038909A - Component mounting board and manufacturing method of the same - Google Patents

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朋紀 木山
Norihito Tanaka
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a new high-density component mounting board and a manufacturing method of it to solve a restriction in circuit design and variation of a component joint shape due to a change in component locations during solder melting.SOLUTION: A manufacturing method of a component mounting board includes the following processes: applying a conductive paste on a plurality of electrodes on a circuit board; arranging a part of at least two electronic components on one electrode with the conductive paste applied; and forming a joint part by jointing the part of at least two electronic components to the one electrode through heat treatment of the conductive paste. The conductive paste includes: solder particles, high-melting point metal particles whose melting point is higher than that of the solder particles, and flux; or composite metal particles with a surface of the high-melting point metal particles plated with a solder, and flux.

Description

本発明は、部品実装基板およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a component mounting board and a manufacturing method thereof.

近年の電子機器の高性能化に伴い、高密度実装技術の発展は目覚しく、単位面積当たりにより多くの電子部品が実装されるようになってきている。従って、基板電極間ギャップ又は部品間ギャップをより狭くするよう基板設計がなされている。また、搭載される電子部品のサイズも著しく小型化しており、例えば受動部品に関しては、従来の1005(1.0mm×0.50mm)サイズ、又は0603(0.60mm×0.30mm)サイズの部品に代わり、近年0402(0.40mm×0.20mm)サイズの部品が多数搭載されるようになり、今後は更に0201(0.20mm×0.10mm)サイズへの小型化が進むことが予想される。   With the recent improvement in performance of electronic devices, the development of high-density mounting technology has been remarkable, and more electronic components have been mounted per unit area. Therefore, the board design is made so that the gap between board electrodes or the gap between parts is made narrower. In addition, the size of electronic components to be mounted has been remarkably reduced. For example, with regard to passive components, conventional 1005 (1.0 mm × 0.50 mm) size or 0603 (0.60 mm × 0.30 mm) size components Instead, in recent years, a large number of 0402 (0.40 mm x 0.20 mm) size components have been mounted, and further miniaturization to 0201 (0.20 mm x 0.10 mm) size is expected in the future. The

これとは別に、一般的な部品実装基板は、図1及び図2の(a)はんだペースト印刷後、(b)部品実装後に示すように、1つの基板電極3に対して1つの電子部品(端子)6がはんだペースト5等の接合材で接合されるため、搭載する部品の端子数に応じた基板電極3を設ける必要がある。この時、基板電極間に一定のギャップを設ける必要があるため、事実上高密度実装に対する設計上での限界がある。   Aside from this, a general component mounting board has one electronic component (for one board electrode 3 (a) after solder paste printing in FIG. 1 and FIG. 2 and (b) after component mounting. Since the terminal 6 is bonded with a bonding material such as the solder paste 5, it is necessary to provide the substrate electrode 3 according to the number of terminals of the component to be mounted. At this time, since it is necessary to provide a certain gap between the substrate electrodes, there is a practical design limit for high-density mounting.

これに対して特許文献1では、1つのはんだペースト塗布部を介して、2つのチップ部品を直列に接合する部品実装方法が提案されており、はんだ粒子の溶融時の表面張力によって、リフロー前後で部品位置を変化させ部品間ギャップを狭める1つの手法が開示されている。   On the other hand, Patent Document 1 proposes a component mounting method in which two chip components are joined in series via one solder paste application part, and before and after reflow due to surface tension at the time of melting of solder particles. One technique for changing the part position and narrowing the gap between parts is disclosed.

特開2000−269628号公報JP 2000-269628 A

しかしながら、特許文献1の部品実装方法は、はんだ溶融時の表面張力を利用してリフロー前後でチップ部品間の距離を狭くする方法であり、リフロー前後で部品の位置が変化しても良い用途でのみ適用が可能となる。また、接合状態を安定化させる観点から、はんだ溶融時の表面張力によって、電子部品が特定の位置に、特定の角度で部品が接合されるように基板および印刷マスクを設計する必要があり、適用できる回路基板の設計に関して限定的であると言える。   However, the component mounting method of Patent Document 1 is a method of narrowing the distance between chip components before and after reflow using the surface tension at the time of melting the solder, and the position of the component may change before and after reflow. Only applicable. Also, from the viewpoint of stabilizing the bonding state, it is necessary to design the substrate and printing mask so that the electronic component is bonded at a specific position and at a specific angle by the surface tension during solder melting. It can be said that the design of the circuit board that can be limited.

また、図3の(a)はんだペースト印刷後、(b)部品実装後、(c)熱処理後に示すように、3個以上の複数の電子部品6を特許文献1のように直列に部品実装しようとした場合、溶融したはんだペースト成分5が表面張力によって部品電極3に濡れあがり、部品間ギャップを狭めようとするが、異なる2箇所で部品間ギャップを狭める力が互いに働くため、(c)に示すように部品の長手方向に電子部品6の実装位置又は接続部の形状がばらつく。特に、直列に実装する部品のサイズ又は種類が異なる場合には、上記現象は顕著となる。そのため、各々の部品接合部の接続安定性にもばらつきが生じる。更に、上述したような熱処理の前後での部品位置のランダムな変化は、熱処理後に部品接合部の外観検査をする際に、基板面のX−Y座標に対して接合部の座標がランダムに変化するため光学検査等が困難となる。   Further, as shown in FIG. 3 (a) after solder paste printing, (b) after component mounting, and (c) after heat treatment, three or more electronic components 6 are mounted in series as in Patent Document 1. In this case, the melted solder paste component 5 wets the component electrode 3 due to surface tension and tries to narrow the gap between components, but the force to narrow the gap between components works at two different locations. As shown, the mounting position of the electronic component 6 or the shape of the connecting portion varies in the longitudinal direction of the component. In particular, the above phenomenon becomes significant when the sizes or types of components mounted in series are different. For this reason, the connection stability of each component joint also varies. Furthermore, the random change in the position of the component before and after the heat treatment as described above is that the coordinates of the joint portion randomly change with respect to the XY coordinates of the board surface when the appearance inspection of the component joint portion is performed after the heat treatment. Therefore, optical inspection or the like becomes difficult.

また、図4(詳細は後述)で示すような電子部品の並列実装方法に関して、一般的なPbフリーはんだペースト(Sn3.0Ag0.5Cu等)を用いた場合には、部品同士が流動するのを効果的に抑制する手法は知られていない。   Moreover, regarding the parallel mounting method of electronic components as shown in FIG. 4 (details will be described later), when a general Pb-free solder paste (Sn3.0Ag0.5Cu or the like) is used, the components flow. There is no known method for effective suppression.

本発明が解決しようとする課題は、上述したような、はんだ溶融時の部品位置が変化することによる回路設計上の制約又は部品接合形状のばらつきを解決し、従来の実装方法では困難とされてきた、新たな高密度部品実装基板の製造方法を提案することである。   The problem to be solved by the present invention is to solve the limitation in circuit design or the variation of the component joint shape due to the change of the component position at the time of melting the solder as described above, and has been considered difficult by the conventional mounting method. In addition, a new method for manufacturing a high-density component mounting board is proposed.

本発明は、以下の方法を用いることによって上記課題を解決するものである。
すなわち本発明は以下の通りである。
The present invention solves the above problems by using the following method.
That is, the present invention is as follows.

[1] 以下の工程:
回路基板上の複数の電極上に導電性ペーストを塗布する工程;
該導電性ペーストが塗布された1つの電極の上に、少なくとも2つの電子部品の一部を配置する工程;及び
該導電性ペーストを熱処理することによって該少なくとも2つの電子部品の一部を、該1つの電極に接合して、接合部を形成する工程;
を含む部品実装基板製造方法であって、
前記導電性ペーストは、はんだ粒子、該はんだ粒子より融点の高い高融点金属粒子、及び、フラックスを含むか、又は、
該高融点金属粒子の表面をはんだめっきした複合金属粒子、及びフラックスを含む前記方法。
[1] The following steps:
Applying a conductive paste on a plurality of electrodes on a circuit board;
Disposing a part of at least two electronic components on one electrode coated with the conductive paste; and heat treating the conductive paste to convert a part of the at least two electronic components to the electrode. Joining to one electrode to form a joint;
A component mounting board manufacturing method including:
The conductive paste contains solder particles, refractory metal particles having a higher melting point than the solder particles, and flux, or
The method comprising: composite metal particles obtained by solder plating the surface of the refractory metal particles, and a flux.

[2] 以下の工程:
基板上の複数の所定領域内の金属面上に導電性ペーストを塗布する工程;
該導電性ペーストが塗布された1つの所定領域内に、少なくとも2つの電子部品の一部を配置する工程;
該導電性ペーストを熱処理することによって該少なくとも2つの電子部品の一部を、該1つの所定領域内の金属面に接合して、接合部を形成する工程;及び
該金属面の所定領域外を選択的にエッチングして、該所定領域内に残存する金属からなる配線パターンを形成する工程;
を含む部品実装基板製造方法であって、
前記導電性ペーストは、はんだ粒子、該はんだ粒子より融点の高い高融点金属粒子、及び、フラックスを含むか、又は、
該高融点金属粒子表面をはんだめっきした複合金属粒子、及びフラックスを含む前記方法。
[2] The following steps:
Applying a conductive paste on a metal surface in a plurality of predetermined regions on the substrate;
Disposing a part of at least two electronic components in one predetermined region to which the conductive paste is applied;
Bonding a part of the at least two electronic components to a metal surface in the one predetermined region by heat-treating the conductive paste to form a joint; and outside the predetermined region of the metal surface; Selectively etching to form a wiring pattern made of metal remaining in the predetermined region;
A component mounting board manufacturing method including:
The conductive paste contains solder particles, refractory metal particles having a higher melting point than the solder particles, and flux, or
The method comprising: composite metal particles obtained by solder plating the surface of the refractory metal particles, and a flux.

[3] 前記電子部品が2端子素子である、[1]又は[2]に記載の部品実装基板製造方法。   [3] The component mounting board manufacturing method according to [1] or [2], wherein the electronic component is a two-terminal element.

[4] 前記2端子素子の両端が、それぞれ異なる前記接合部によって、回路基板上の電極上、又は、金属面に接合される、[3]に記載の部品実装基板製造方法。   [4] The component mounting board manufacturing method according to [3], wherein both ends of the two-terminal element are joined to an electrode on a circuit board or a metal surface by the different joint portions.

[5] 前記高融点金属粒子が、Cu、Ag、Ni及びAuの内の少なくとも1種の金属を含む、融点280℃以上の高融点金属粒子である、[1]〜[4]のいずれか1項に記載の部品実装基板製造方法。   [5] Any one of [1] to [4], wherein the refractory metal particles are refractory metal particles having a melting point of 280 ° C. or higher, including at least one metal selected from Cu, Ag, Ni, and Au. 2. The component mounting board manufacturing method according to item 1.

[6] 前記高融点金属粒子が、In及び/又はGeをさらに含む、[5]に記載の部品実装基板製造方法。   [6] The component mounting board manufacturing method according to [5], wherein the refractory metal particles further include In and / or Ge.

[7] 前記はんだ粒子、又は前記はんだめっきが、Sn組成、又は、Sn及び、Ag、Bi、Cu、Ge、Ga、In、Sb、Ni、Zn、Pb、及びAuから成る群から選ばれる少なくとも1種の金属を含むSn合金組成である、[1]〜[6]のいずれか1項に記載の部品実装基板製造方法。   [7] The solder particles or the solder plating is at least selected from the group consisting of Sn composition, Sn, and Ag, Bi, Cu, Ge, Ga, In, Sb, Ni, Zn, Pb, and Au. The component mounting board manufacturing method according to any one of [1] to [6], which is an Sn alloy composition including one kind of metal.

[8] 前記導電性ペーストは、前記はんだ粒子100質量部に対して、前記高融点金属粒子を17質量部以上含む、[1]〜[7]のいずれか1項に記載の部品実装基板製造方法。   [8] The component mounting board manufacture according to any one of [1] to [7], wherein the conductive paste includes 17 parts by mass or more of the refractory metal particles with respect to 100 parts by mass of the solder particles. Method.

[9] 前記フラックスが、有機酸、アミン化合物、及びハロゲン化合物の内の少なくとも1種を含む、[1]〜[8]のいずれか1項に記載の部品実装基板製造方法。   [9] The component mounting board manufacturing method according to any one of [1] to [8], wherein the flux includes at least one of an organic acid, an amine compound, and a halogen compound.

[10] 前記フラックスが、熱硬化性樹脂をさらに含む、[9]に記載の部品実装基板製造方法。   [10] The component mounting board manufacturing method according to [9], wherein the flux further includes a thermosetting resin.

[11] 前記フラックスが、硬化剤をさらに含む、[10]に記載の部品実装基板製造方法。   [11] The component mounting board manufacturing method according to [10], wherein the flux further includes a curing agent.

[12] 以下の工程:
回路基板上の複数の電極上に導電性ペーストを塗布する工程;
該導電性ペーストが塗布された1つの電極の上に、少なくとも2つの電子部品の一部を配置する工程;及び
該導電性ペーストを熱処理することによって該少なくとも2つの電子部品の一部を、該1つの電極に接合して、接合部を形成する工程;
を含み、
前記導電性ペーストは、はんだ粒子、該はんだ粒子より融点の高い高融点金属粒子、及び、フラックスか、又は、
該前期高融点金属粒子の表面をはんだめっきした複合金属粒子、及びフラックスを含む部品実装基板製造方法により製造された部品実装基板であって、該接合部は、Snを含むはんだマトリクスを有し、該はんだマトリクス中に、Cu、Ag、Ni、及びAuからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属を含む高融点金属粒子を含み、該高融点金属粒子の融点は、前記はんだマトリクスの融点よりも高く、かつ、該高融点金属粒子の表面には、Cu、Ag、Ni、及びAuからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属と、Snを含む金属間化合物相が存在している、前記部品実装基板。
[12] The following steps:
Applying a conductive paste on a plurality of electrodes on a circuit board;
Disposing a part of at least two electronic components on one electrode coated with the conductive paste; and heat treating the conductive paste to convert a part of the at least two electronic components to the electrode. Joining to one electrode to form a joint;
Including
The conductive paste is solder particles, high melting point metal particles having a melting point higher than the solder particles, and flux, or
The component mounting board manufactured by the component mounting board manufacturing method including the composite metal particles obtained by solder plating the surface of the refractory metal particles and the flux, and the joint portion has a solder matrix containing Sn, The solder matrix includes refractory metal particles containing at least one metal selected from the group consisting of Cu, Ag, Ni, and Au, and the melting point of the refractory metal particles is higher than the melting point of the solder matrix. The component having a high and high melting point metal particle has an intermetallic compound phase containing Sn and at least one metal selected from the group consisting of Cu, Ag, Ni, and Au. Mounting board.

[13] 以下の工程:
基板上の複数の所定領域内の金属面上に導電性ペーストを塗布する工程;
該導電性ペーストが塗布された1つの所定領域内に、少なくとも2つの電子部品の一部を配置する工程;
該導電性ペーストを熱処理することによって該少なくとも2つの電子部品の一部を、該1つの所定領域内の金属面に接合して、接合部を形成する工程;及び
該金属面の所定領域外を選択的にエッチングして、該所定領域内に残存する金属からなる配線パターンを形成する工程;
を含み、
前記導電性ペーストは、はんだ粒子、該はんだ粒子より融点の高い高融点金属粒子、及び、フラックスを含むか、又は、
該高融点金属粒子表面をはんだめっきした複合金属粒子、及びフラックスを含む部品実装基板製造方法により製造された部品実装基板であって、該接合部は、Snを含むはんだマトリクスを有し、該はんだマトリクス中に、Cu、Ag、Ni、及びAuからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属を含む高融点金属粒子を含み、該高融点金属粒子の融点は、前記はんだマトリクスの融点よりも高く、かつ、該高融点金属粒子の表面には、Cu、Ag、Ni、及びAuからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属と、Snを含む金属間化合物相が存在している、前記部品実装基板。
[13] The following steps:
Applying a conductive paste on a metal surface in a plurality of predetermined regions on the substrate;
Disposing a part of at least two electronic components in one predetermined region to which the conductive paste is applied;
Bonding a part of the at least two electronic components to a metal surface in the one predetermined region by heat-treating the conductive paste to form a joint; and outside the predetermined region of the metal surface; Selectively etching to form a wiring pattern made of metal remaining in the predetermined region;
Including
The conductive paste contains solder particles, refractory metal particles having a higher melting point than the solder particles, and flux, or
A component mounting board manufactured by a component mounting board manufacturing method including a composite metal particle having a solder plating on the surface of the refractory metal particles and a flux, wherein the joint has a solder matrix containing Sn, and the solder The matrix includes refractory metal particles containing at least one metal selected from the group consisting of Cu, Ag, Ni, and Au, the melting point of the refractory metal particles being higher than the melting point of the solder matrix, In addition, the component mounting board, wherein at least one metal selected from the group consisting of Cu, Ag, Ni, and Au and an intermetallic compound phase containing Sn are present on the surface of the refractory metal particles .

[14] 前記電子部品が2端子素子である、[12]又は[13]に記載の部品実装基板。   [14] The component mounting board according to [12] or [13], wherein the electronic component is a two-terminal element.

[15] 前記2端子素子の両端が、それぞれ異なる前記接合部によって、回路基板上の電極上、又は、金属面に接合された、[14]に記載の部品実装基板。   [15] The component mounting board according to [14], wherein both ends of the two-terminal element are joined to an electrode on a circuit board or a metal surface by the different joints.

[16] 2つ以上の前記2端子素子が、並列に接合された、[15]に記載の部品実装基板。   [16] The component mounting board according to [15], wherein two or more of the two-terminal elements are joined in parallel.

[17] 前記高融点金属粒子が、Cu、Ag、Ni及びAuの内の少なくとも1種以上の金属を含む、融点280℃以上の高融点金属粒子である、[12]〜[16]のいずれか1項に記載の部品実装基板。   [17] Any one of [12] to [16], wherein the refractory metal particles are refractory metal particles having a melting point of 280 ° C. or higher, including at least one metal selected from Cu, Ag, Ni, and Au. The component mounting board according to claim 1.

[18] 前記高融点金属粒子が、In及び/又はGeをさらに含む、[17]に記載の部品実装基板。   [18] The component mounting board according to [17], wherein the refractory metal particles further include In and / or Ge.

[19] 前記はんだマトリクスが、Sn組成、又は、Sn及び、Ag、Bi、Cu、Ge、Ga、In、Sb、Ni、Zn、Pb、及びAuから成る群から選ばれる少なくとも1種の金属を含む、Sn合金組成である、[12]〜[18]のいずれか1項に記載の部品実装基板。   [19] The solder matrix contains Sn composition or at least one metal selected from the group consisting of Sn and Ag, Bi, Cu, Ge, Ga, In, Sb, Ni, Zn, Pb, and Au. The component mounting board according to any one of [12] to [18], which includes an Sn alloy composition.

[20] 前記金属間化合物相が、Cu−Sn、Ni−Sn、Cu−Sn−Ni、Ag−Sn、Au−Sn、Cu−Sn−In、Cu−Sn−Ge又はCu−Sn−In−Geのいずれかを含む、[12]〜[19]のいずれか1項に記載の部品実装基板。   [20] The intermetallic compound phase is Cu—Sn, Ni—Sn, Cu—Sn—Ni, Ag—Sn, Au—Sn, Cu—Sn—In, Cu—Sn—Ge, or Cu—Sn—In—. The component mounting board according to any one of [12] to [19], including any one of Ge.

[21] [12]〜[20]のいずれか1項に記載の部品実装基板を、熱硬化性樹脂でモールドしたモジュール。   [21] A module obtained by molding the component mounting board according to any one of [12] to [20] with a thermosetting resin.

[22] [12]〜[20]のいずれか1項に記載の部品実装基板を積層化することで得られる部品内蔵基板。   [22] A component-embedded substrate obtained by laminating the component mounting substrate according to any one of [12] to [20].

本発明によれば、はんだ溶融時の部品位置が変化することによる回路設計上の制約又は部品接合形状のばらつきの少ない、高密度部品実装基板及びその製造方法を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a high-density component mounting board and a method for manufacturing the same, in which there are few restrictions on circuit design due to changes in the component position at the time of melting the solder or variations in the component bonding shape.

従来の部品実装基板の上面図である。It is a top view of the conventional component mounting board. 従来の部品実装基板の上面図である。It is a top view of the conventional component mounting board. 同一接合部を用いる部品実装例の上面図である。It is a top view of the component mounting example using the same junction part. 本実施の形態の製造方法の一例を示す流れ図である。It is a flowchart which shows an example of the manufacturing method of this Embodiment. 本実施の形態の製造方法の一例を示す流れ図である。It is a flowchart which shows an example of the manufacturing method of this Embodiment. 本実施の形態の製造方法の一例を示す流れ図である。It is a flowchart which shows an example of the manufacturing method of this Embodiment. 本実施の形態の製造方法の一例を示す流れ図である。It is a flowchart which shows an example of the manufacturing method of this Embodiment. 本実施の形態の製造方法の一例を示す流れ図である。It is a flowchart which shows an example of the manufacturing method of this Embodiment. 実施例1〜26及び比較例1〜3の基板、印刷パターン及び部品配置条件を示す概略図である。It is the schematic which shows the board | substrate of Examples 1-26 and Comparative Examples 1-3, a printing pattern, and component arrangement conditions. 部品間Gapの表記方法を示す概略図である。It is the schematic which shows the notation method of the gap between components. 実施例27〜34及び比較例4〜7の基板、印刷パターン及び部品配置条件を示す概略図である。It is the schematic which shows the board | substrate of Examples 27-34 and Comparative Examples 4-7, a printing pattern, and component arrangement conditions. 比較例7の熱処理前後部品実装基板外観を示す撮像図である。It is an imaging figure which shows the components mounting board | substrate appearance before and behind heat processing of the comparative example 7. 実施例34の熱処理前後部品実装基板外観を示す撮像図である。It is an imaging figure which shows the component mounting board | substrate appearance before and behind heat processing of Example 34. 実施例35〜38及び比較例8〜9の基板、印刷パターン及び部品配置条件を示す概略図である。It is the schematic which shows the board | substrate of Examples 35-38 and Comparative Examples 8-9, a printing pattern, and component arrangement conditions. 実施例36及び37並びに比較例9の熱処理後部品実装外観を示す撮像図である。It is an imaging figure which shows the components mounting appearance after heat processing of Examples 36 and 37 and Comparative Example 9. 部品接合形状ばらつきを評価するための接合部分の略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the junction part for evaluating component joining shape dispersion | variation.

以下、本発明を実施するための形態(以下、実施の形態と略記する)を詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で変形して実施することができる。   Hereinafter, modes for carrying out the present invention (hereinafter abbreviated as embodiments) will be described in detail. In addition, this invention is not limited to the following embodiment, It can deform | transform and implement within the range of the summary.

本実施の形態では、回路基板上の複数の電極上に導電性ペーストを塗布する工程、
該導電性ペーストが塗布された1つの電極の上に、少なくとも2つの電子部品の一部を配置する工程、及び、該導電性ペーストを熱処理することによって該少なくとも2つの電子部品の一部を、該1つの電極に接合して、接合部を形成する工程、を含む部品実装基板製造方法であって、前記導電性ペーストは、はんだ粒子、該はんだ粒子より融点の高い高融点金属粒子、及び、フラックスを含むか、又は、該高融点金属粒子の表面をはんだめっきした複合金属粒子、及びフラックスを含む部品実装基板製造方法を提供する。
In the present embodiment, a process of applying a conductive paste on a plurality of electrodes on a circuit board,
Disposing a part of at least two electronic components on one electrode to which the conductive paste is applied, and heat treating the conductive paste to form a part of the at least two electronic components; A component mounting board manufacturing method including a step of bonding to the one electrode to form a bonding portion, wherein the conductive paste includes solder particles, refractory metal particles having a melting point higher than the solder particles, and Provided is a composite metal particle including a flux or solder-plated on the surface of the refractory metal particle, and a component mounting board manufacturing method including the flux.

本実施の形態における接合部とは、少なくとも2つの電子部品の一部を、1つの基板電極又は所定領域内の金属面に接合させる為の特定の接合部を意味する。また、電子部品の接合は、該電子部品の持つ端子を接合するものとする。   The junction in the present embodiment means a specific junction for joining a part of at least two electronic components to one substrate electrode or a metal surface in a predetermined region. Moreover, the joining of an electronic component shall join the terminal which this electronic component has.

尚、上記回路基板上の導通回路又は電極に関しては熱処理後に形成してもよく、すなわち、基板上の複数の所定領域内の金属面上に導電性ペーストを塗布する工程、該導電性ペーストが塗布された1つの所定領域内に、少なくとも2つの電子部品の一部を配置する工程、前記導電性ペーストを熱処理することによって該少なくとも2つの電子部品の一部を、該1つの所定領域内の金属面に接合して、接合部を形成する工程、該金属面の所定領域外を選択的にエッチングして、該所定領域内に残存する金属からなる配線パターンを形成する工程を含む部品実装基板製造方法であって、前記導電性ペーストは、はんだ粒子、該はんだ粒子より融点の高い高融点金属粒子、及び、フラックスを含むか、又は、該高融点金属粒子表面をはんだめっきした複合金属粒子、及びフラックスを含む部品実装基板製造方法にも関する。前記エッチングをする際は、部品が実装されておらず凹凸の少ない金属面の裏面に、レジストを用いて選択的にエッチングするのが好ましい。
以下に、詳細な形態を説明する。
The conductive circuit or electrode on the circuit board may be formed after the heat treatment, that is, a step of applying a conductive paste on a metal surface in a plurality of predetermined regions on the substrate, and the conductive paste is applied. Disposing at least a part of at least two electronic components in one predetermined region, heat treating the conductive paste to convert a part of the at least two electronic components into a metal in the one predetermined region Manufacturing a component mounting board including a step of bonding to a surface to form a bonding portion, and a step of selectively etching outside a predetermined region of the metal surface to form a wiring pattern made of metal remaining in the predetermined region The conductive paste includes solder particles, refractory metal particles having a melting point higher than that of the solder particles, and flux, or the surface of the refractory metal particles is solder-plated. Composite metal particles, and also the component mounting board manufacturing method comprising a flux relates. When performing the etching, it is preferable to selectively etch using a resist on the back surface of a metal surface on which no parts are mounted and there are few irregularities.
A detailed form will be described below.

<導電性ペースト>
本実施の形態に使用する導電性ペーストは、はんだ粒子、該はんだ粒子より融点の高い高融点金属粒子、及び、フラックスを含むか、又は、該高融点金属粒子表面をはんだめっきした複合金属粒子、及びフラックスを含む導電性ペーストである。
<Conductive paste>
The conductive paste used in the present embodiment includes solder particles, refractory metal particles having a melting point higher than that of the solder particles, and a composite metal particle containing a flux or solder-plated on the surface of the refractory metal particles, And a conductive paste containing flux.

該導電性ペーストの熱処理は、該はんだ粒子の融点以上の温度、かつ、該高融点金属粒子より低い温度で熱処理をすることが好ましい。該熱処理によって、はんだ粒子又ははんだめっきを溶融させると共に、溶融したはんだ成分が前記高融点金属粒子との間で金属の拡散現象を起こし、該高融点金属粒子表面に、該はんだ成分の融点より高い金属間化合物相が形成する。そのため、該導電性ペーストを上記条件にて熱処理した場合、熱処理前後で、はんだ溶融時の電子部品の溶融流動を意図的に抑制することが可能となる。従って、回路基板の電極上に前記導電性ペーストを塗布した後、前記導電性ペーストによる1つの接合部を介して、2つ以上の電子部品を1つの電極上に接合させた場合、溶融したはんだ成分が、異なる2つ以上の電子部品の端子に不均一に濡れあがることを抑制でき、また、近接した部品が流動(部品同士が引きつけ合う)することを抑制できる。   The heat treatment of the conductive paste is preferably performed at a temperature higher than the melting point of the solder particles and at a temperature lower than that of the refractory metal particles. The heat treatment melts the solder particles or the solder plating, and the molten solder component causes a metal diffusion phenomenon with the refractory metal particles, and the surface of the refractory metal particles is higher than the melting point of the solder component. An intermetallic phase is formed. Therefore, when the conductive paste is heat-treated under the above-described conditions, it is possible to intentionally suppress the melt flow of the electronic component during solder melting before and after the heat treatment. Therefore, when two or more electronic components are bonded onto one electrode via one bonding portion using the conductive paste after the conductive paste is applied on the electrode of the circuit board, the molten solder It can suppress that a component wets unevenly to the terminal of two or more different electronic components, and can suppress that the components which adjoined flow (parts attract each other).

一方で、回路基板の電極上に一般のはんだ(例えば、Sn−3.5Ag−0.5Cu組成)ペーストを塗布した後、2つ以上の電子部品を、前記はんだペーストによる1つの接合部を介して、1つの電極上に接合さる場合、加熱時に、溶融したはんだ粒子成分の表面張力によって部品位置は流動し、また、溶融したはんだ粒子成分が、異なる2つ以上の電子部品の端子に不均一に濡れあがる。   On the other hand, after applying a general solder (for example, Sn-3.5Ag-0.5Cu composition) paste on the electrode of the circuit board, two or more electronic components are passed through one joint portion by the solder paste. When joining on one electrode, the component position flows due to the surface tension of the molten solder particle component during heating, and the molten solder particle component is unevenly distributed between the terminals of two or more different electronic components. Get wet.

これらのことから、本明細書に記載する導電性ペーストを接合材として用い、かつ、一般的には用いられない部品実装構造を形成することによって、前記一般はんだペーストでは実現できない、高密度実装を実現することが可能となる。尚具体的な、実装構造の例は、図4〜図8にて後述する。   From these facts, by using the conductive paste described in this specification as a bonding material and forming a component mounting structure that is not generally used, high-density mounting that cannot be realized with the general solder paste is achieved. It can be realized. Specific examples of the mounting structure will be described later with reference to FIGS.

[はんだ粒子]
本実施の形態に使用できるはんだ粒子は、溶融したはんだ粒子成分が、後述する高融点金属粒子との間で金属間化合物を形成すれば、はんだ溶融時の部品流動を抑制することができるため、特定の金属組成に限定されるものではなく、Sn組成、又は、Sn及び、Ag、Bi、Cu、Ge、Ga、In、Sb、Ni、Zn、Pb及びAuから成る群から選ばれる少なくとも1種の金属を含むSn合金組成であることが可能となる。また、基板に与える熱ダメージを低減する観点から、本実施に使用するはんだ粒子は、融点280℃未満のものが好ましい。
[Solder particles]
Solder particles that can be used in the present embodiment, if the melted solder particle component forms an intermetallic compound with the refractory metal particles to be described later, because the component flow at the time of melting the solder can be suppressed, It is not limited to a specific metal composition, Sn composition, or at least one selected from the group consisting of Sn and Ag, Bi, Cu, Ge, Ga, In, Sb, Ni, Zn, Pb and Au It is possible to have a Sn alloy composition containing any of these metals. Further, from the viewpoint of reducing thermal damage to the substrate, the solder particles used in the present embodiment preferably have a melting point of less than 280 ° C.

具体的には、Sn−Bi系、Sn−In系、Sn−Cu系、Sn−Zn系、Sn−Ag系、Sn−Au系、Sn−Pb系、Sn−Sb系、Sn−Bi−Ag系、Sn−Ag−Cu系、Sn−Bi−Cu系、Sn−Zn−Bi系、Sn−Bi−In系、Sn−Ag−In系、Sn−Ag−In−Bi系、Sn−Cu−Ni系、Sn−Cu−Ni−Ge系、Sn−Ag−Cu−Ni−Ge系のはんだ粒子が例示できる。はんだペーストの推奨リフローピーク温度が230℃以上の鉛フリーはんだとしては、例えば、Sn−Ag−Cu(例えば、Sn−3.0Ag−0.5Cu)系、Sn−Ag(例えば、Sn−3.5Ag)系、Snなどが好ましい。また、リフローピーク温度が200℃以下推奨の鉛フリーはんだとしては、Snを含み、かつ、Bi又はIn又はZnのいずれかを含む融点200℃以下のSn合金粒子が好ましい。中でも、Sn−58Bi又はSn−57Bi−1Agが特に好ましい。また、Sn合金粒子中にCを1.0wt%以下で僅かに添加することによって、はんだ自身の引っ張り強度又は伸び率を向上させることができるため接続信頼性が向上する。   Specifically, Sn-Bi system, Sn-In system, Sn-Cu system, Sn-Zn system, Sn-Ag system, Sn-Au system, Sn-Pb system, Sn-Sb system, Sn-Bi-Ag Type, Sn-Ag-Cu type, Sn-Bi-Cu type, Sn-Zn-Bi type, Sn-Bi-In type, Sn-Ag-In type, Sn-Ag-In-Bi type, Sn-Cu- Examples thereof include Ni-based, Sn-Cu-Ni-Ge-based, and Sn-Ag-Cu-Ni-Ge-based solder particles. Examples of the lead-free solder having a recommended reflow peak temperature of the solder paste of 230 ° C. or higher include, for example, Sn—Ag—Cu (for example, Sn-3.0Ag-0.5Cu), Sn—Ag (for example, Sn-3. 5Ag), Sn, etc. are preferred. Moreover, as the lead-free solder whose reflow peak temperature is 200 ° C. or lower, Sn alloy particles containing Sn and containing either Bi, In, or Zn and having a melting point of 200 ° C. or lower are preferable. Among these, Sn-58Bi or Sn-57Bi-1Ag is particularly preferable. Moreover, since the tensile strength or elongation rate of the solder itself can be improved by slightly adding C to the Sn alloy particles at 1.0 wt% or less, the connection reliability is improved.

また、使用するはんだ粒子は1種に限定されない。例えば、Sn−58Bi粒子に2種目のはんだ粒子としてSn粒子を添加することによって、160℃程度の低温でSn−58Bi粒子を溶融させることが可能となり、かつ、溶融したSnBi成分とSn粒子へ拡散することによって、熱処理後のはんだ部のBi組成を低減させることが可能である。一般的に、Biは機械的に脆い特性を示すため、前記Sn粒子およびSn合金粒子を添加することによって熱処理後のBi組成を低減させることが可能となり、脆性改善に繋がる。このように、複数のはんだ粒子を添加する場合には、添加量(質量)の多い方のはんだ粒子の融点より10〜30℃程度高いピーク温度で熱処理することが好ましい。   Moreover, the solder particles to be used are not limited to one type. For example, by adding Sn particles as the second kind of solder particles to Sn-58Bi particles, it becomes possible to melt Sn-58Bi particles at a low temperature of about 160 ° C. and to diffuse into the molten SnBi component and Sn particles. By doing so, it is possible to reduce the Bi composition of the solder part after the heat treatment. In general, Bi exhibits mechanically brittle characteristics, and therefore the Bi composition after heat treatment can be reduced by adding the Sn particles and Sn alloy particles, leading to improvement in brittleness. As described above, when a plurality of solder particles are added, it is preferable to perform heat treatment at a peak temperature higher by about 10 to 30 ° C. than the melting point of the solder particles having a larger amount (mass).

また、用いるはんだ粒子の平均粒子径は、0.30〜50μmであることが好ましく、はんだペーストの使用用途に応じて定めることができる。例えば、スクリーン印刷用途では、版抜け性を重視して、粒度分布はブロードにするのが好ましく、平均粒子系は2.0〜40μmであることが好ましい。本実施の形態のはんだペーストは、ディスペンス用途、及びビア充填用途でも使用可能であり、吐出流動性及び穴埋め性を重視して、1.5〜35μmの粒度分布が好ましい。   Moreover, it is preferable that the average particle diameter of the solder particle to be used is 0.30-50 micrometers, and can be defined according to the use application of a solder paste. For example, in the screen printing application, it is preferable to make the particle size distribution broader with emphasis on the plate slipping property, and the average particle size is preferably 2.0 to 40 μm. The solder paste of the present embodiment can be used for dispensing applications and via filling applications, and a particle size distribution of 1.5 to 35 μm is preferable with emphasis on discharge fluidity and hole filling properties.

[高融点金属粒子]
本実施の形態の導電性ペーストが含む高融点金属粒子は、Cu、Ag、Ni及びAuのいずれかを含む融点280℃以上の高融点金属粒子であることが好ましく、溶融したはんだ粒子と高融点金属粒子との金属拡散性の観点から、高融点金属粒子としては、Cu粒子、Cu合金粒子、Ag粒子、又はAg合金粒子、Ni粒子、又はNi合金粒子が好ましい。また、使用する高融点金属粒子は1種に限定されるものではなく、はんだ粒子の溶融成分との間で、金属間化合物相を形成する高融点金属粒子であれば、複数種使用しても効果は得られる。
[High melting point metal particles]
The refractory metal particles contained in the conductive paste of the present embodiment are preferably refractory metal particles having a melting point of 280 ° C. or higher and containing any of Cu, Ag, Ni, and Au. From the viewpoint of metal diffusibility with the metal particles, the high melting point metal particles are preferably Cu particles, Cu alloy particles, Ag particles, Ag alloy particles, Ni particles, or Ni alloy particles. Further, the refractory metal particles to be used are not limited to one kind, and plural kinds of refractory metal particles may be used as long as they form an intermetallic compound phase with the melting component of the solder particles. The effect is obtained.

前記Cu合金粒子としては、Cuに、In、Ni、Sn、Bi、Ag、又はGeの金属のいずれかを添加することによって各種特性を付与することができる。
例えば、Inは、溶融したはんだとCu合金粒子との界面で形成するCu−Sn系の金属間化合物相の結晶粒を微細化する効果を有することから、Cu合金粒子にInが含まれることが好ましい。InのCu合金粒子中の含有量は、安定した合金相を接合部に形成させる観点から、0.10wt%以上が好ましく、より好ましくは、1wt%以上であり、さらに好ましくは3wt%以上である。また、Cu合金粒子中のInの量を一定量以下にすることによって、熱処理後の接合部の耐熱性を高めることができるため、Inの含有量は30wt%以下が好ましく、さらに好ましくは、15wt%以下であり、特に好ましくは10wt%以下である。
As the Cu alloy particles, various properties can be imparted by adding any of In, Ni, Sn, Bi, Ag, and Ge metals to Cu.
For example, since In has the effect of refining the crystal grains of the Cu-Sn intermetallic compound phase formed at the interface between the molten solder and the Cu alloy particles, the Cu alloy particles may contain In. preferable. The content of In in the Cu alloy particles is preferably 0.10 wt% or more, more preferably 1 wt% or more, and further preferably 3 wt% or more, from the viewpoint of forming a stable alloy phase at the joint. . Moreover, since the heat resistance of the joint after heat treatment can be increased by setting the amount of In in the Cu alloy particles to a certain amount or less, the In content is preferably 30 wt% or less, more preferably 15 wt%. % Or less, particularly preferably 10 wt% or less.

Cu合金粒子にSnが添加されることで、溶融したはんだとの濡れ性が良くなるため、Cu合金粒子はSnを2wt%以上含むことが好ましく、より好ましくは、Cu合金粒子中のSnの含有量は、5wt%以上であり、さらに好ましくは10wt%以上である。また、はんだとの間に良好に金属間化合物を生成させる観点から、Cu合金粒子中のSnの含有量は、50wt%以下であることが好ましい。   The addition of Sn to the Cu alloy particles improves the wettability with the melted solder. Therefore, the Cu alloy particles preferably contain 2 wt% or more of Sn, and more preferably contain Sn in the Cu alloy particles. The amount is 5 wt% or more, more preferably 10 wt% or more. Further, from the viewpoint of forming an intermetallic compound satisfactorily with the solder, the content of Sn in the Cu alloy particles is preferably 50 wt% or less.

また、Cu合金粒子にBiが添加されることでも、溶融したはんだとの濡れ性が良くなるため、Cu合金粒子はBiを0.1wt%以上含むことが好ましく、より好ましくは、Cu合金粒子中のBiの含有量は、2wt%以上である。また、Biの含有量を一定以下に抑えることによって、Cu合金粒子の脆性を改善することができるため、Cu合金粒子中のBiの含有量は、20wt%以下が好ましく、より好ましくは10wt%以下である。   Further, even when Bi is added to the Cu alloy particles, the wettability with the molten solder is improved. Therefore, the Cu alloy particles preferably contain 0.1 wt% or more of Bi, and more preferably in the Cu alloy particles. The Bi content is 2 wt% or more. Further, since the brittleness of the Cu alloy particles can be improved by keeping the Bi content below a certain level, the Bi content in the Cu alloy particles is preferably 20 wt% or less, more preferably 10 wt% or less. It is.

また、Agは、溶融したはんだのSn成分と融点の高い金属間化合物を形成し易いので、耐熱性を有する接合部を形成する。そのため、Cu合金粒子は、Agを0.1wt%以上含むことが好ましく、さらに好ましくは、Cu合金粒子中のAgの含有量は、2wt%以上である。また、コストの面から、Cu合金粒子中のAgの含有量は、50wt%以下であることが好ましく、20wt%以下であることがより好ましく、さらに好ましくは10wt%以下である。   Further, Ag forms a heat-resistant joint because it easily forms an intermetallic compound having a high melting point with the Sn component of the molten solder. Therefore, the Cu alloy particles preferably contain 0.1 wt% or more of Ag, and more preferably, the content of Ag in the Cu alloy particles is 2 wt% or more. In view of cost, the content of Ag in the Cu alloy particles is preferably 50 wt% or less, more preferably 20 wt% or less, and even more preferably 10 wt% or less.

Geは、はんだ溶融時に優先的に酸化して、Sn等の他のはんだ成分の酸化を抑制する効果を有するため、Cu合金粒子はGeを0.10wt%以上含むことが好ましい。また、酸化物がはんだ流動を阻害し、接合性に悪影響を与えることを防ぐ観点から、Cu合金粒子中のGeの含有量は、5.0wt%以下が好ましい。   Since Ge is preferentially oxidized when the solder is melted and has an effect of suppressing oxidation of other solder components such as Sn, the Cu alloy particles preferably contain 0.10 wt% or more of Ge. Further, from the viewpoint of preventing the oxide from inhibiting the solder flow and adversely affecting the bondability, the Ge content in the Cu alloy particles is preferably 5.0 wt% or less.

Ag合金粒子及びNi合金粒子としては、溶融したはんだとの濡れ性を向上させる観点から、Snを5wt%以上含むことが好ましく、Snを10wt%以上含むことがより好ましい。また、はんだとの間に良好に金属間化合物を生成させる観点から、Snの含有量は50wt%以下であることが好ましい。さらに、低温での接合性を向上させる観点から、In又はBiとの合金粒子であることが好ましい。   The Ag alloy particles and the Ni alloy particles preferably contain 5 wt% or more of Sn, and more preferably contain 10 wt% or more of Sn from the viewpoint of improving wettability with molten solder. Moreover, it is preferable that content of Sn is 50 wt% or less from a viewpoint of producing | generating an intermetallic compound favorably between solder. Furthermore, from the viewpoint of improving the bondability at a low temperature, alloy particles with In or Bi are preferable.

本実施の形態において、導電性ペースト中に高融点金属粒子を添加することによって、溶融したはんだと高融点金属粒子との界面で、融点の高い金属間化合物相を形成するため、部品接合部形状が安定し、かつ、熱処理時にはんだ粒子が溶融して電子部品が流動するのを抑制できるため、これまで、はんだ溶融時の部品流動によって事実上設計が不可能であった基板回路設計が可能となる。一方で、はんだ粒子に対する高融点金属粒子の割合が多すぎると、接合部がはんだ成分による金属結合の接合割合が減り、高融点金属粒子の点接触による接合が主になるため、接続抵抗値が上昇する。そのため、重視する材料特性に応じてはんだ粒子と高融点金属粒子の割合を決めることができる。例えば、はんだ粒子溶融時の部品流動を抑制する観点から、はんだ粒子100質量部に対して、高融点金属粒子5質量部以上であることが好ましく、より好ましくは17質量部以上であり、さらに好ましくは33質量部以上であり、最も好ましくは53質量部以上である。また、接続抵抗値の観点から、はんだ粒子100質量部に対して900質量部以下が好ましく、より好ましくは300質量部以下であり、186質量部以下であり、最も好ましくは、54質量部以下である。   In this embodiment, by adding refractory metal particles to the conductive paste, an intermetallic compound phase having a high melting point is formed at the interface between the molten solder and the refractory metal particles. This makes it possible to control the circuit board that has been virtually impossible to design by the flow of the components during the melting of the solder. Become. On the other hand, if the ratio of the refractory metal particles to the solder particles is too large, the joint ratio of the metal bonds due to the solder components at the joint portion is reduced, and the junction due to the point contact of the refractory metal particles is mainly used. To rise. Therefore, it is possible to determine the ratio between the solder particles and the refractory metal particles according to the material characteristics to be emphasized. For example, from the viewpoint of suppressing component flow during solder particle melting, it is preferably 5 parts by mass or more, more preferably 17 parts by mass or more, and still more preferably 100 parts by mass of solder particles. Is 33 parts by mass or more, and most preferably 53 parts by mass or more. Further, from the viewpoint of connection resistance value, 900 parts by mass or less is preferable with respect to 100 parts by mass of solder particles, more preferably 300 parts by mass or less, 186 parts by mass or less, and most preferably 54 parts by mass or less. is there.

また、用いる高融点金属粒子の平均粒子径は、溶融したはんだ粒子との拡散反応を短時間で進行させる観点から50μm以下であることが好ましく、さらにスクリーン印刷特性を考慮すると、30μm以下が好ましい。一方平均粒子径が小さいと、比表面積が大きくなるため、溶融したはんだ粒子との濡れ性が低下するため、高融点金属粒子の平均粒子径は1.0μm以上であることが好ましく、より好ましくは、10μm以上である。また、前記はんだ粒子同様、はんだペーストの使用用途に応じて定めることができる。例えば、スクリーン印刷用途では、版抜け性を重視して、粒度分布はブロードにするのが好ましく、平均粒子系は2.0〜40μmであることが好ましい。本実施の形態のはんだペーストは、ディスペンス用途、及びビア充填用途でも使用可能であり、吐出流動性及び穴埋め性を重視して、1.5〜35μmの粒度分布が好ましい。   The average particle size of the refractory metal particles to be used is preferably 50 μm or less from the viewpoint of allowing the diffusion reaction with the molten solder particles to proceed in a short time, and more preferably 30 μm or less in view of screen printing characteristics. On the other hand, when the average particle size is small, the specific surface area is increased, so that the wettability with the molten solder particles is reduced. Therefore, the average particle size of the refractory metal particles is preferably 1.0 μm or more, more preferably. 10 μm or more. Moreover, it can determine according to the use application of a solder paste like the said solder particle. For example, in the screen printing application, it is preferable to make the particle size distribution broader with emphasis on the plate slipping property, and the average particle size is preferably 2.0 to 40 μm. The solder paste of the present embodiment can be used for dispensing applications and via filling applications, and a particle size distribution of 1.5 to 35 μm is preferable with emphasis on discharge fluidity and hole filling properties.

また、溶融して形成する前記金属間化合物相は、Cu−Sn(Cu3Sn、Cu6Sn5)、Ni−Sn、Cu−Sn−Ni、Ag−Sn、Au−Sn(Ag3Sn)、Cu−Sn−In、Cu−Sn−Ge、Cu−Sn−In−Ge等が例示できる。 Further, the intermetallic compound phase formed by melting is Cu—Sn (Cu 3 Sn, Cu 6 Sn 5 ), Ni—Sn, Cu—Sn—Ni, Ag—Sn, Au—Sn (Ag 3 Sn). Cu-Sn-In, Cu-Sn-Ge, Cu-Sn-In-Ge, and the like.

〔はんだめっき〕
本実施の形態に使用する、はんだめっきには、一般的な電解めっき、又は、無電解めっき等のはんだめっきプロセスを用いることができる。はんだ組成としては、Sn組成、又は、Sn及び、Ag、Bi、Cu、Ge、Ga、In、Sb、Ni、Zn、Pb、及びAuから成る群から選ばれる少なくとも1種の金属を含むSn合金組成が好ましい。また、基板に与える熱ダメージを低減する観点から、本実施に使用するはんだめっきは、融点280℃未満の組成のものが好ましい。
[Solder plating]
For the solder plating used in the present embodiment, a general electroplating or a solder plating process such as electroless plating can be used. As a solder composition, Sn alloy or Sn alloy containing at least one metal selected from the group consisting of Sn and Ag, Bi, Cu, Ge, Ga, In, Sb, Ni, Zn, Pb, and Au. Composition is preferred. Further, from the viewpoint of reducing thermal damage to the substrate, the solder plating used in the present embodiment preferably has a composition with a melting point of less than 280 ° C.

[フラックス]
本実施の形態に使用する導電性ペーストに含まれるフラックスは、一般的なはんだペーストに使用されているフラックス作用を有する添加剤のことを意味し、熱処理時の金属フィラー表面酸化膜の清浄化、再酸化の抑制作用を有する。はんだ粒子の溶融、及び熱拡散による合金化を促進する観点から、上記フラックスは、有機酸、アミン化合物、ハロゲン化合物等の活性剤を含むことが好ましい。中でも有機酸を含んでいることが好ましく、例としては、ロジン、変性ロジン、公知のモノカルボン酸、ジカルボン酸、トリカルボン酸等を使用することができる。例えば、グルタル酸、アジピン酸、安息香酸、ステアリン酸、クエン酸、シュウ酸、コハク酸、セバシン酸、マロン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、シトラコン酸、α−ケトグルタル酸、ジグリコール酸、チオジグリコール酸、ジチオジグリコール酸、レブリン酸、5−ケトヘキサン酸、3−ヒドロキシプロピオン酸、4−アミノ酪酸、3−メルカプトプロピオン酸、3−メルカプトイソブチル酸、3−メチルチオプロピオン酸、3−フェニルプロピオン酸、3−フェニルイソブチル酸、4−フェニル酪酸、吉草酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、デカン酸、ノナン酸、オレイン酸、リノール酸、アラキドン酸、ウンデシレン酸、2,2−ジメチル酪酸、α―リノレン酸、パルミトレイン酸、ドコサヘキサエン酸、ミリストレイン酸等が挙げられる。
[flux]
The flux contained in the conductive paste used in the present embodiment means an additive having a flux action used in general solder paste, and cleaning of the metal filler surface oxide film during heat treatment, It has an action to suppress reoxidation. From the viewpoint of promoting melting of solder particles and alloying by thermal diffusion, the flux preferably includes an activator such as an organic acid, an amine compound, or a halogen compound. Among them, an organic acid is preferably contained, and examples thereof include rosin, modified rosin, known monocarboxylic acid, dicarboxylic acid, and tricarboxylic acid. For example, glutaric acid, adipic acid, benzoic acid, stearic acid, citric acid, oxalic acid, succinic acid, sebacic acid, malonic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, citraconic acid, α-ketoglutaric acid, diglycolic acid, Thiodiglycolic acid, dithiodiglycolic acid, levulinic acid, 5-ketohexanoic acid, 3-hydroxypropionic acid, 4-aminobutyric acid, 3-mercaptopropionic acid, 3-mercaptoisobutyric acid, 3-methylthiopropionic acid, 3-phenylpropionic acid On acid, 3-phenylisobutyric acid, 4-phenylbutyric acid, valeric acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octanoic acid, decanoic acid, nonanoic acid, oleic acid, linoleic acid, arachidonic acid, undecylenic acid, 2,2-dimethylbutyric acid , Α-linolenic acid, palmitoleic acid, docosahexaenoic acid, myris And for example, tolenoic acid.

また、ペースト特性を改良するためチクソ剤(例えば、ヒマシ油、水添ヒマシ油、ソルビトール系のチクソ剤)、消泡剤、酸化防止剤、溶剤(例えば、グリコールエーテル系の溶剤)、無機フィラー等、従来のクリームはんだに使用される公知のものを添加することができる。   Also, thixotropic agents (for example, castor oil, hydrogenated castor oil, sorbitol-based thixotropic agents), antifoaming agents, antioxidants, solvents (for example, glycol ether-based solvents), inorganic fillers, etc., for improving paste characteristics Well-known ones used in conventional cream solder can be added.

さらに、前記フラックスは接合強度等の接続信頼性を向上させるために、熱硬化性樹脂を含んでいても良く、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアン酸エステル樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、尿素樹脂、アルキド樹脂、ビニルエステル樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂等を使用することができるが、低温での樹脂硬化特性と密着性の観点から、好ましくはエポキシ樹脂である。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ヒンダート型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂及びこれらをハロゲン化したエポキシ樹脂、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ブタンジオール、ヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタノール等のジグリシジルエーテル等を用いることができる。さらに、分子内にエポキシ基を3個以上有する多官能エポキシ樹脂から選ぶ場合、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ビスAノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン/フェノールエポキシ樹脂、脂環式アミンエポキシ樹脂、脂肪族アミンエポキシ樹脂などが挙げられる。中でも、ペースト化の観点から、比較的低粘度のビスフェノールA型エポキシ樹脂又はビスフェノールF型エポキシ樹脂が好ましい。   Further, the flux may contain a thermosetting resin in order to improve connection reliability such as bonding strength, epoxy resin, phenol resin, cyanate ester resin, melamine resin, polyimide resin, bismaleimide resin, Urea resins, alkyd resins, vinyl ester resins, benzoxazine resins, urethane resins, acrylic resins, and the like can be used, and epoxy resins are preferred from the viewpoint of resin curing characteristics and adhesion at low temperatures. Epoxy resins include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, hindered type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, triphenylmethane type epoxy resin, phenol novolac type epoxy. Resins, cresol novolac type epoxy resins and epoxy resins halogenated from these resins, diglycidyl ethers such as polyethylene glycol, polypropylene glycol, butanediol, hexanediol, and cyclohexanedimethanol can be used. Further, when selecting from polyfunctional epoxy resins having 3 or more epoxy groups in the molecule, for example, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, naphthol novolac type epoxy resin, bis A novolac type epoxy resin, dicyclopentadiene / Phenol epoxy resin, alicyclic amine epoxy resin, aliphatic amine epoxy resin and the like. Among these, from the viewpoint of pasting, a relatively low viscosity bisphenol A type epoxy resin or bisphenol F type epoxy resin is preferable.

また、上記熱硬化性樹脂をフラックスに含む場合には、前記フラックスによって加熱時に熱硬化性樹脂が硬化するため、硬化剤は必須成分ではないが、別途硬化剤を含むことが好ましい。尚、本明細書では、有機酸は硬化剤とは別に扱う。硬化剤としては、一般的なアミン化合物、有機酸ジヒドラジド、りん系化合物、フェノール樹脂、酸無水物及びイミダゾール系硬化剤、スルホニウム塩等のカチオン硬化剤、アニオン硬化剤等公知のものが使用できる。アミン化合物としては、具体的には、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコール性アミン類、又はブチルアミン、ジエチレントリアミン、キシリレンジジアミン、イソホロンジアミン、ノルボルネンジアミン、メタフェニレンジアミン、グアナミン化合物、アミノ基を有するトリアジン系硬化剤(例えば、2,4−ジアミノ−6−メチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−ビニル−s−トリアジン イソシアヌル酸付加物、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−s−トリアジン イソシアヌル酸付加物)、ジフェニルグアニジン等の非アルコール性アミン類、これらの塩化物塩若しくは臭化物塩等のアミン塩類が挙げられるが、中でもトリエタノールアミン、ブチルアミン、又はアミンカルボン酸塩が好ましい。
また、イミダゾール系硬化剤の例として、四国化成社製の製品名(2MZ、C11Z、C17Z、2E4MZ、2PZ、2P4MZ、1B2MZ、1B2PZ、1.2DMZ、2MZ−A、C11Z−A、2E4MZ−A、2MA−OK、2PZ−OK、2MZ−OK、2PHZ、2P4MHZ、TBZ、2E4MZ・BIS、SFZ)等が例示できる。中でも、イソシアヌル酸付加物である、2MA−OK、2PZ−OK、2MZ−OKは、樹脂硬化後の湿熱耐性を向上させる観点から好ましい。
Moreover, when the said thermosetting resin is included in a flux, since a thermosetting resin hardens | cures at the time of a heating with the said flux, although a hardening | curing agent is not an essential component, it is preferable to contain a hardening agent separately. In the present specification, the organic acid is treated separately from the curing agent. As the curing agent, known amine compounds, organic acid dihydrazides, phosphorus compounds, phenol resins, acid anhydrides and imidazole curing agents, cationic curing agents such as sulfonium salts, anionic curing agents and the like can be used. Specific examples of amine compounds include alcoholic amines such as monoethanolamine, diethanolamine, and triethanolamine, or butylamine, diethylenetriamine, xylylenediamine, isophoronediamine, norbornenediamine, metaphenylenediamine, guanamine compounds, and amino groups. (E.g. 2,4-diamino-6-methyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-vinyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2,4-diamino-6-methacryloyl) Non-alcoholic amines such as oxyethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct), diphenylguanidine, and amine salts such as chloride salts or bromide salts, among which triethanolamine, butylamine, Preferred amine carboxylates.
In addition, as examples of imidazole-based curing agents, product names (2MZ, C11Z, C17Z, 2E4MZ, 2PZ, 2P4MZ, 1B2MZ, 1B2PZ, 1.2DMZ, 2MZ-A, C11Z-A, 2E4MZ-A, manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd. 2MA-OK, 2PZ-OK, 2MZ-OK, 2PHZ, 2P4MHZ, TBZ, 2E4MZ · BIS, SFZ) and the like. Among these, 2MA-OK, 2PZ-OK, and 2MZ-OK, which are isocyanuric acid adducts, are preferable from the viewpoint of improving wet heat resistance after resin curing.

また、フラックス中に含まれる硬化剤の割合は、はんだ粒子溶融特性及び保存安定性の観点から、0.10〜60wt%が好ましく、より好ましくは0.50〜30wt%であり、さらに好ましくは1.0〜14wt%であり、最も好ましくは5.0〜12wt%である。   In addition, the proportion of the curing agent contained in the flux is preferably 0.10 to 60 wt%, more preferably 0.50 to 30 wt%, and even more preferably 1 from the viewpoints of solder particle melting characteristics and storage stability. It is 0.0-14 wt%, Most preferably, it is 5.0-12 wt%.

例えば、硬化剤として酸無水物を使用する場合には、フラックス中に含まれる硬化剤の割合が20〜60wt%であることが好ましく、硬化剤としてイミダゾール硬化剤を使用する場合には、フラックス中に含まれる硬化剤の割合が1.0〜20wt%であることが好ましく、より好ましくは2.0〜12wt%である。また、フラックス中に添加するアミン化合物の割合は、フラックスの保存安定性の観点から、20wt%以下が好ましく、短時間硬化性と保存安定性の観点から、より好ましくは0.10〜14wt%であり、さらに好ましくは0.20〜7.0wt%であり、最も好ましくは、0.50〜5.0wt%である。   For example, when an acid anhydride is used as the curing agent, the ratio of the curing agent contained in the flux is preferably 20 to 60 wt%, and when an imidazole curing agent is used as the curing agent, It is preferable that the ratio of the hardening | curing agent contained in is 1.0-20 wt%, More preferably, it is 2.0-12 wt%. Further, the proportion of the amine compound added to the flux is preferably 20 wt% or less from the viewpoint of storage stability of the flux, and more preferably 0.10 to 14 wt% from the viewpoint of short-time curability and storage stability. More preferably 0.20 to 7.0 wt%, and most preferably 0.50 to 5.0 wt%.

前記導電性ペースト中に含まれる金属粒子の含有率が高くなり過ぎないように調整することで、ペーストの粘度を最適化し、スクリーン印刷等での印刷性が良くなる。逆に、金属粒子の含有率が低くなり過ぎないように調整することで、部品接合強度を確保できるため、40〜96質量%の範囲が好ましく、60〜94質量%の含有率がより好ましく、さらに好ましくは80〜93質量%である。尚、金属粒子とは、上述したはんだ粒子と高融点金属粒子を含む。   By adjusting the content of the metal particles contained in the conductive paste so as not to become too high, the viscosity of the paste is optimized, and the printability in screen printing or the like is improved. Conversely, by adjusting so that the content of the metal particles does not become too low, the component bonding strength can be ensured, so the range of 40 to 96% by mass is preferable, and the content of 60 to 94% by mass is more preferable. More preferably, it is 80-93 mass%. The metal particles include the above-described solder particles and refractory metal particles.

<部品実装基板製造工程>
本実施の形態は、回路基板上の複数の電極上に導電性ペーストを塗布する工程、該導電性ペーストが塗布された1つの電極の上に、少なくとも2つの電子部品の一部を配置する工程、及び、該導電性ペーストを熱処理することによって該少なくとも2つの電子部品の一部を、該1つの電極に接合して、接合部を形成する工程を含み、前記導電性ペーストは、はんだ粒子、該はんだ粒子より融点の高い高融点金属粒子、及び、フラックスを含む部品実装基板製造方法に関する。
<Component mounting board manufacturing process>
In this embodiment, a step of applying a conductive paste on a plurality of electrodes on a circuit board, a step of disposing at least a part of at least two electronic components on one electrode to which the conductive paste is applied And a step of bonding a part of the at least two electronic components to the one electrode by heat-treating the conductive paste to form a bonded portion, the conductive paste comprising solder particles, The present invention relates to a high-melting point metal particle having a melting point higher than that of the solder particle, and a component mounting board manufacturing method including a flux.

尚、上記回路基板上の導通回路又は電極に関しては、熱処理後に形成してもよく、すなわち、基板上の複数の所定領域内の金属面上に導電性ペーストを塗布する工程、該導電性ペーストが塗布された1つの所定領域内に、少なくとも2つの電子部品の一部を配置する工程、該導電性ペーストを熱処理することによって該少なくとも2つの電子部品の一部を、該1つの所定領域内の金属面に接合して、接合部を形成する工程、及び、該金属面の所定領域外を選択的にエッチングして、該所定領域内に残存する金属からなる配線パターンを形成する工程を含み、前記導電性ペーストは、はんだ粒子、該はんだ粒子より融点の高い高融点金属粒子、及び、フラックスを含む部品実装基板製造方法にも関する。   The conductive circuit or electrode on the circuit board may be formed after the heat treatment, that is, a step of applying a conductive paste on a metal surface in a plurality of predetermined regions on the substrate, Disposing at least a part of at least two electronic components in one predetermined area applied; heat-treating the conductive paste to at least part of the at least two electronic parts in the predetermined area; Bonding to a metal surface and forming a bonding portion; and selectively etching outside a predetermined region of the metal surface to form a wiring pattern made of metal remaining in the predetermined region; The conductive paste also relates to a component mounting board manufacturing method including solder particles, refractory metal particles having a higher melting point than the solder particles, and flux.

以下に、各工程の詳細な好ましい実施形態を記す。
〔回路基板〕
本明細書記載の回路基板としては、ガラスエポキシ基板、セラミック基板、ポリイミド等のフレキシブル基板、紙フェノール樹脂基板等公知の回路基板が使用できるが、耐熱性およびコストの観点から、ガラスエポキシ基板が好ましい。基板電極は、Cu、Au−Pd、Ag、AuめっきNi等、溶融したはんだ成分と金属的に接合するものであれば公知のものが使用できる。尚、本明細書に示す回路基板とは、パッケージ、各種電子機器等の回路も含める。
Hereinafter, detailed preferred embodiments of each step will be described.
[Circuit board]
As the circuit board described in the present specification, a known circuit board such as a glass epoxy board, a ceramic board, a flexible board such as polyimide, and a paper phenol resin board can be used, but a glass epoxy board is preferable from the viewpoint of heat resistance and cost. . As the substrate electrode, a known one can be used as long as it can be metallically bonded to a molten solder component, such as Cu, Au—Pd, Ag, or Au plated Ni. Note that the circuit board shown in this specification includes circuits such as packages and various electronic devices.

〔電子部品〕
本明細書の電子部品は、該電子部品の端子が部品表面に露出しているものであれば、端子数、又は受動素子、能動素子等、特に種類を限定されるものでは無い。本明細書では、端子数2の電子部品を例として、詳細に実装形態および特性について説明する。2端子素子の例としては、抵抗、コンデンサ、コイル等が例示できる。
[Electronic parts]
The electronic component of the present specification is not particularly limited in the number of terminals, passive elements, active elements, or the like as long as the terminals of the electronic component are exposed on the surface of the component. In this specification, a mounting form and characteristics will be described in detail by taking an electronic component having two terminals as an example. Examples of the two-terminal element include a resistor, a capacitor, and a coil.

〔導電性ペースト塗布方法〕
導電性ペーストの塗布方法としては、スクリーン印刷、ディスペンス、転写等の一般的な公知の技術を用いることができるが、量産性の観点からスクリーン印刷が好ましい。
[Conductive paste application method]
As a method for applying the conductive paste, general known techniques such as screen printing, dispensing, and transfer can be used, but screen printing is preferable from the viewpoint of mass productivity.

〔部品実装構造〕
本実施の形態の製造方法によって得られる部品実装基板は、以下に限定されるものでは無いが、2端子素子(例えばコンデンサ、抵抗チップ等)の実装例として、以下、図4〜8に基板上面図で例示する。図4〜8に関して、(a)〜(d)は、本実施の形態に使用する導電性ペースト5を用いた(a)回路基板1の電極パターン、(b)導電性ペースト印刷後、(c)部品配置後、(d)熱処理後の部品接合状態を表す。また、図4〜8の(d’)に関しては、一般はんだ(Sn−3.5Ag−0.5Cu組成)ペーストを用いて、各図の(a)〜(d)と同様のプロセスを経た後の、部品接合状態の概略図である。図4は複数の部品を並列に接合する例、図5は並列および直列の複合実装例、図6は2端子素子7の1端は1つの接合部により接合され、もう1端は別の接合部に実装される例、図7は複数の部品実装方向が異なる例、図8は複数の部品を直列に接合する例である。いずれの実装例に関しても、一般はんだペーストを用いた場合(図4〜8の(d’))は、熱処理前後で溶融したはんだ粒子の表面張力により、部品位置がランダムに動き部品接合部の形状が不均一になるため、接続安定性の懸念、又は部品流動による基板設計上での制限、熱処理後の光学検査が困難になる等の課題が生じるため、量産で適用することが困難である。一方で、本実施の形態の製造方法を用いた場合には、熱処理前後で部品流動が抑制され、かつ、安定した接合部形状が得られるため、従来部品流動によって制限されており事実上不可能とされてきた基板回路設計が可能となり、より高密度実装が可能となる。
[Component mounting structure]
The component mounting board obtained by the manufacturing method of the present embodiment is not limited to the following, but as examples of mounting a two-terminal element (for example, a capacitor, a resistor chip, etc.), FIGS. Illustrated in the figure. 4 to 8, (a) to (d) show (a) an electrode pattern of the circuit board 1 using the conductive paste 5 used in the present embodiment, (b) after printing the conductive paste, (c ) After component placement, (d) represents the component bonding state after heat treatment. 4 to 8 (d '), after using the same solder (Sn-3.5Ag-0.5Cu composition) paste as in (a) to (d) in each figure. It is the schematic of a component joining state. FIG. 4 shows an example in which a plurality of components are joined in parallel, FIG. 5 shows an example of combined mounting in parallel and series, and FIG. 6 shows that one end of the two-terminal element 7 is joined by one joint and the other end is another joint. 7 is an example in which a plurality of component mounting directions are different, and FIG. 8 is an example in which a plurality of components are joined in series. In any of the mounting examples, when a general solder paste is used ((d ′) in FIGS. 4 to 8), the position of the component moves randomly due to the surface tension of the molten solder particles before and after the heat treatment, and the shape of the component joint portion. Therefore, it is difficult to apply in mass production because problems such as concern about connection stability, restrictions on substrate design due to component flow, and optical inspection after heat treatment become difficult. On the other hand, when the manufacturing method of the present embodiment is used, the flow of parts is suppressed before and after heat treatment, and a stable joint shape can be obtained. Therefore, it is possible to design a circuit board that has been considered to be high-density packaging.

〔熱処理工程〕
熱処理方法としては、部品実装プロセスで公知のものが使用でき、例えばIR、熱風等を用いたリフロー装置、又はオーブン、ホットプレート、レーザー加熱等が利用できるが、中でも熱処理中の酸素濃度の管理、又はライン式での高い生産性の観点からリフロー装置が好ましい。熱処理温度としては、導電性ペーストに含まれる最も融点の低いはんだ粒子の融点より10℃以上高く、高融点金属粒子の融点より低い温度帯で、基板が損傷を出来る限り抑制した熱処理をすることが好ましい。例えば、Sn粒子(融点232℃)とCu粒子を含む導電性ペーストを用いて、ガラスエポキシ基板(FR4)の基板電極に部品実装する場合、Sn粒子の融点より10℃以上高い例えば250℃程度のピーク温度で熱処理することが好ましい。
[Heat treatment process]
As a heat treatment method, a known one can be used in the component mounting process, for example, a reflow apparatus using IR, hot air, etc., or an oven, a hot plate, laser heating, etc. can be used. Or a reflow apparatus is preferable from a viewpoint of high productivity in a line type. The heat treatment temperature may be 10 ° C. higher than the melting point of the solder particles having the lowest melting point contained in the conductive paste and lower than the melting point of the refractory metal particles, and the substrate may be subjected to heat treatment that suppresses damage as much as possible. preferable. For example, when using a conductive paste containing Sn particles (melting point 232 ° C.) and Cu particles to mount components on the substrate electrode of the glass epoxy substrate (FR4), the melting point of the Sn particles is 10 ° C. or higher, for example about 250 ° C. Heat treatment is preferably performed at the peak temperature.

<部品実装基板>
回路基板上の複数の電極上に導電性ペーストを塗布する工程、該導電性ペーストが塗布された1つの電極の上に、少なくとも2つの電子部品の一部を配置する工程、及び
該導電性ペーストを熱処理することによって該少なくとも2つの電子部品の一部を、該1つの電極に接合して、接合部を形成する工程、を含む部品実装基板製造方法であって、
前記導電性ペーストは、はんだ粒子、該はんだ粒子より融点の高い高融点金属粒子、及び、フラックスか、又は、該前期高融点金属粒子の表面をはんだめっきした複合金属粒子、及びフラックスを含み、そして前記1つの電極に対する前記少なくとも2つの電子部品の一部の相対的位置が、前記熱処理の前後で、変わらない、前記方法により製造された部品実装基板であって、該接合部は、Snを含むはんだマトリクスを有し、該はんだマトリクス中に、Cu、Ag、Ni、及びAuからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属を含む高融点金属粒子を含み、該高融点金属粒子の融点は、前記はんだマトリクスの融点よりも高く、かつ、該高融点金属粒子の表面には、Cu、Ag、Ni、及びAuからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属と、Snを含む金属間化合物相が存在している、前記部品実装基板にも関する。
<Component mounting board>
A step of applying a conductive paste on a plurality of electrodes on a circuit board; a step of disposing at least a part of at least two electronic components on one electrode to which the conductive paste is applied; and the conductive paste A part mounting step of bonding a part of the at least two electronic components to the one electrode by heat treatment to form a bonding part,
The conductive paste includes solder particles, refractory metal particles having a melting point higher than that of the solder particles, and flux, or composite metal particles obtained by solder plating the surface of the refractory metal particles and flux, and The component mounting board manufactured by the method, wherein a relative position of a part of the at least two electronic components with respect to the one electrode does not change before and after the heat treatment, and the joint includes Sn A solder matrix containing refractory metal particles containing at least one metal selected from the group consisting of Cu, Ag, Ni, and Au, the melting point of the refractory metal particles being At least one selected from the group consisting of Cu, Ag, Ni, and Au is provided on the surface of the refractory metal particles that is higher than the melting point of the solder matrix. Genera and intermetallic compound phase containing Sn is present also relates to the component mounting board.

電子部品、回路基板およびその電極、高融点金属粒子、金属間化合物相の詳細に関しては、上述した本実施の形態の部品実装基板製造方法に記載した通りであり、Snを含むはんだマトリクスは、Sn組成、又は、Sn及び、Ag、Bi、Cu、Ge、Ga、In、Sb、Ni、Zn、Pb、及びAuの群から選ばれる1種以上の金属を含むSn合金組成であることが好ましく、具体的には、Sn−Bi系、Sn−In系、Sn−Cu系、Sn−Zn系、Sn−Ag系、Sn−Au系、Sn−Pb系、Sn−Sb系、Sn−Bi−Ag系、Sn−Ag−Cu系、Sn−Bi−Cu系、Sn−Zn−Bi系、Sn−Bi−In系、Sn−Ag−In系、Sn−Ag−In−Bi系、Sn−Cu−Ni系、Sn−Cu−Ni−Ge系、Sn−Ag−Cu−Ni−Ge系の組成が例示できる。   The details of the electronic component, the circuit board and its electrode, the refractory metal particles, and the intermetallic compound phase are as described in the component mounting board manufacturing method of the present embodiment described above. The solder matrix containing Sn is Sn It is preferable that the composition or Sn alloy composition containing one or more metals selected from the group consisting of Sn and Ag, Bi, Cu, Ge, Ga, In, Sb, Ni, Zn, Pb, and Au, Specifically, Sn-Bi system, Sn-In system, Sn-Cu system, Sn-Zn system, Sn-Ag system, Sn-Au system, Sn-Pb system, Sn-Sb system, Sn-Bi-Ag Type, Sn-Ag-Cu type, Sn-Bi-Cu type, Sn-Zn-Bi type, Sn-Bi-In type, Sn-Ag-In type, Sn-Ag-In-Bi type, Sn-Cu- Ni-based, Sn-Cu-Ni-Ge-based, Sn-Ag Cu-Ni-Ge composition system can be exemplified.

また、前記金属間化合物相としては、Cu−Sn(Cu3Sn、Cu6Sn5)、Cu−Sn−Ni、Sn−Ni、Ag−Sn、Au−Sn(Ag3Sn)、Cu−Sn−In、Cu−Sn−Ge、Cu−Sn−In−Ge等が例示できる。 The intermetallic compound phases include Cu—Sn (Cu 3 Sn, Cu 6 Sn 5 ), Cu—Sn—Ni, Sn—Ni, Ag—Sn, Au—Sn (Ag 3 Sn), Cu—Sn. -In, Cu-Sn-Ge, Cu-Sn-In-Ge, etc. can be illustrated.

また、本実施の形態の部品実装基板は、電子部品同士の間隔を極めて短くすることが可能であることから、従来の実装方法によって得られる部品実装基板と比較して、信号配線長を短くして電気特性を向上させることが可能となり、電子機器の小型化に対しても大きなメリットを有する。さらに、接合部は繰り返しリフロー等に対して、高い再溶融耐性を有する。以上のことから、得られた部品実装基板を樹脂モールドしたモジュールへの適用が好ましい。また、本実施の形態で得られた部品実装基板をプリプレグ又は内層配線基板等で積層化した部品内蔵基板への適用も上記理由から好ましい。   In addition, since the component mounting board of the present embodiment can extremely reduce the interval between electronic components, the signal wiring length is shortened compared to the component mounting board obtained by the conventional mounting method. Therefore, it is possible to improve the electrical characteristics, and it has a great merit for the downsizing of electronic devices. Furthermore, the joint has high remelting resistance against repeated reflow and the like. From the above, application to a module obtained by resin molding the obtained component mounting board is preferable. Moreover, application to a component-embedded substrate in which the component mounting substrate obtained in the present embodiment is laminated with a prepreg or an inner layer wiring substrate is also preferable for the above reason.

以下、本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited to this.

尚、各金属粒子の平均粒径は、Sympatec社(ドイツ)製レーザー回折式粒子径分布測定装置「HELOS&RODOS」により体積積算平均値を測定し、平均粒径値として求めた。   The average particle diameter of each metal particle was determined as an average particle diameter value by measuring a volume integrated average value with a laser diffraction particle size distribution measuring device “HELOS & RODOS” manufactured by Sympatec (Germany).

はんだ粒子の融点は、島津製作所株式会社製「DSC−60」を用い、窒素雰囲気下、昇温10℃/分の条件で、測定温度範囲30〜600℃で測定し、最低温の吸熱ピークを融点とした。   The melting point of the solder particles was measured at a measurement temperature range of 30 to 600 ° C. under a nitrogen atmosphere under a temperature increase of 10 ° C./minute using “DSC-60” manufactured by Shimadzu Corporation. The melting point.

〔実施例1〕
はんだ粒子として以下のものを用いて検証実験を行った。
(1)はんだ粒子A
Sn10.0kg(純度99質量%以上)を黒鉛坩堝に入れ、99体積%以上のヘリウ
ム雰囲気で、高周波誘導加熱装置により1400℃まで加熱、融解した。
次に、この溶融金属を坩堝の先端より、ヘリウムガス雰囲気の噴霧槽内に導入した後、
坩堝先端付近に設けられたガスノズルから、ヘリウムガス(純度99体積%以上、酸素濃
度0.1体積%未満、圧力2.5MPa)を噴出してアトマイズを行い、Sn粒子を作製
した。この時の冷却速度は、2600℃/秒であった。
得られたSn粒子を走査型電子顕微鏡(日立製作所:S−3400N)で観察したとこ
ろ球状であった。このSn粒子を気流式分級機(日清エンジニアリング:TC−15N)用いて、5μm設定で分級し、大粒子側を回収後、もう一度40μm設定で分級し、小粒子側を回収した。回収したSn粒子をレーザー回折式粒子径分布測定装置(HELOS&RODOS)で測定したところ平均粒径は、6.9μmであった。
次にSn粒子の融点を示差走査熱量計(島津製作所:DSC−50)で、測定したところ、融点232℃であることが確認できた。
[Example 1]
A verification experiment was conducted using the following solder particles.
(1) Solder particles A
Sn 10.0 kg (purity 99% by mass or more) was put in a graphite crucible and heated and melted to 1400 ° C. with a high-frequency induction heating apparatus in a helium atmosphere of 99% by volume or more.
Next, after introducing this molten metal from the tip of the crucible into a spray tank in a helium gas atmosphere,
Helium gas (purity 99% by volume or more, oxygen concentration less than 0.1% by volume, pressure 2.5 MPa) was ejected from a gas nozzle provided in the vicinity of the crucible tip, and Sn particles were produced. The cooling rate at this time was 2600 ° C./second.
When the obtained Sn particles were observed with a scanning electron microscope (Hitachi, Ltd .: S-3400N), they were spherical. The Sn particles were classified using an airflow classifier (Nisshin Engineering: TC-15N) at a setting of 5 μm, and after collecting the large particles, they were classified again at a setting of 40 μm, and the small particles were collected. The collected Sn particles were measured with a laser diffraction particle size distribution analyzer (HELOS & RODOS), and the average particle size was 6.9 μm.
Next, when the melting point of Sn particles was measured with a differential scanning calorimeter (Shimadzu Corporation: DSC-50), it was confirmed that the melting point was 232 ° C.

(2)高融点金属粒子
Cu6.5kg(純度99質量%以上)、Sn1.5kg(純度99質量%以上)、A
g1.0kg(純度99質量%以上)、Bi0.5kg(純度99質量%以上)、及びI
n0.5kg(純度99質量%以上)を黒鉛坩堝に入れ、99体積%以上のヘリウム雰囲
気で、高周波誘導加熱装置により1400℃まで加熱、融解した。
次に、この溶融金属を坩堝の先端より、ヘリウムガス雰囲気の噴霧槽内に導入した後、
坩堝先端付近に設けられたガスノズルから、ヘリウムガス(純度99体積%以上、酸素濃
度0.1体積%未満、圧力2.5MPa)を噴出してアトマイズを行い、Cu合金粉(Cu65Ag10Bi5In5Sn15粉)を作製した。この時の冷却速度は、2600℃/秒であった。
このCu合金粒子を気流式分級機(日清エンジニアリング:TC−15N)用いて、2
0μm設定で分級し、大粒子側を回収後、もう一度30μm設定で分級し、小粒子側を回
収した。回収した合金粒子をレーザー回折式粒子径分布測定装置(HELOS&RODO
S)で測定したところ平均粒径は、15.1μmであった。得られたCu合金粒子を前記測定条件にて示差走査熱量計で測定したところ、502℃、及び521℃に吸熱ピークが検出された。
(2) High melting point metal particles Cu 6.5 kg (purity 99% by mass or more), Sn 1.5 kg (purity 99% by mass or more), A
g 1.0 kg (purity 99% by mass or more), Bi 0.5 kg (purity 99% by mass or more), and I
n0.5 kg (purity 99% by mass or more) was put in a graphite crucible and heated and melted to 1400 ° C. with a high-frequency induction heating apparatus in a helium atmosphere of 99% by volume or more.
Next, after introducing this molten metal from the tip of the crucible into a spray tank in a helium gas atmosphere,
Helium gas (purity 99 volume% or more, oxygen concentration less than 0.1 volume%, pressure 2.5 MPa) is ejected from a gas nozzle provided in the vicinity of the crucible tip and atomized to produce a Cu alloy powder (Cu65Ag10Bi5In5Sn15 powder). did. The cooling rate at this time was 2600 ° C./second.
This Cu alloy particle is used as an airflow classifier (Nisshin Engineering: TC-15N).
After classification at a setting of 0 μm and collecting the large particle side, classification was performed again at a setting of 30 μm and the small particle side was collected. Laser alloy particle size distribution analyzer (HELOS & RODO)
When measured in S), the average particle size was 15.1 μm. When the obtained Cu alloy particles were measured with a differential scanning calorimeter under the above measurement conditions, endothermic peaks were detected at 502 ° C. and 521 ° C.

(3)導電性ペースト
前記はんだ粒子と前記高融点金属粒子とを、質量比100:300で混合し金属フィラーを作製し、次に、該金属フィラー89.3質量%に対して一般的なはんだペーストに使用されるロジン系フラックス10.7質量%を混合し、ソルダーソフナー(マルコム:SPS−1)、脱泡混練機(松尾産業:SNB−350)に順次かけて導電性ペーストを作製した。
(3) Conductive paste The solder particles and the refractory metal particles are mixed at a mass ratio of 100: 300 to produce a metal filler, and then a general solder for 89.3 mass% of the metal filler. A rosin-based flux of 10.7% by mass used for the paste was mixed, and the mixture was sequentially applied to a solder softener (Malcom: SPS-1) and a defoaming kneader (Matsuo Sangyo: SNB-350) to prepare a conductive paste.

(4)部品溶融流動特性
図9(a)に示す高耐熱エポキシ樹脂ガラス布からなる回路基板1(基板A)のCu電極3上に、前記(3)で作製したはんだ導電性ペースト5を、ヤマハ発動機社製印刷機(YVP−Xg−w)を用いて図9(b)に示す印刷パターン(印刷パターンA)に対応する開口を持ったマスクを用いて印刷塗布した。本明細書の図は、基板電極3の中心に導電性ペースト5を塗布した図である。印刷マスクは80μm厚みのメタルマスクを使用し、印刷速度は10mm/秒、メタルスキージを用いて印刷した。その後、0603(0.6mm×0.3mm)サイズの0Ω抵抗部品8(以後、0603Rと表記する)を、ヤマハ発動機社製マウンター装置(YS12)を用いて、図9(C)に示したように部品間GapIが0.15mmになるように20個並列に配置し、N2リフロー(O2濃度:1000ppm以下)して評価サンプルを得た。尚、本明細書および図表では、以後、図10に示すように、マウンター装置による部品配置時の位置座標と部品サイズ(例えば、0.6mm×0.3mm)より計算される、部品短辺方向のGapをGapIとし、部品長辺方向のGapをGapIIと表記する。熱処理装置は、エイテックテクトロン(株)社製(NIS−20−82C)を使用した。温度プロファイルは、熱処理開始(常温)から140℃までを2.0℃/秒で昇温し、140℃から170℃まで150秒かけて昇温させ、170℃からピーク温度250℃まで2℃/秒で昇温し、240℃以上で30s保持する温度プロファイルを採用した。熱処理後の部品実装基板を、KEYENCE社製デジタルマイクロスコープ(VHX−500)で観察をし、部品が熱処理中に流動して、隣接した部品同士で融合して部品端部同士が接触した部品の数を数えたところ20個中0個であった。本結果を、表1の部品流動率に記載する。
(4) Component melt flow characteristics On the Cu electrode 3 of the circuit board 1 (board A) made of the high heat-resistant epoxy resin glass cloth shown in FIG. Using a printing machine (YVP-Xg-w) manufactured by Yamaha Motor Co., Ltd., printing was applied using a mask having an opening corresponding to the printing pattern (printing pattern A) shown in FIG. The figure in this specification is a diagram in which the conductive paste 5 is applied to the center of the substrate electrode 3. A 80 μm thick metal mask was used as the printing mask, the printing speed was 10 mm / second, and printing was performed using a metal squeegee. Thereafter, a 0603 (0.6 mm × 0.3 mm) size 0Ω resistance component 8 (hereinafter referred to as 0603R) is shown in FIG. 9C using a mounter device (YS12) manufactured by Yamaha Motor Co., Ltd. Thus, 20 pieces were arranged in parallel so that the gap GapI between components was 0.15 mm, and N2 reflow (O2 concentration: 1000 ppm or less) was performed to obtain an evaluation sample. In the present specification and the chart, as shown in FIG. 10, the component short side direction is calculated from the position coordinates and component size (for example, 0.6 mm × 0.3 mm) when the component is placed by the mounter device. Gap is denoted as GapI, and Gap in the component long side direction is denoted as GapII. As a heat treatment apparatus, ATEC Techtron Co., Ltd. (NIS-20-82C) was used. In the temperature profile, the temperature was increased from the start of heat treatment (normal temperature) to 140 ° C. at 2.0 ° C./second, from 140 ° C. to 170 ° C. over 150 seconds, and from 170 ° C. to a peak temperature of 250 ° C. at 2 ° C./second. A temperature profile was adopted in which the temperature was raised in seconds and maintained at 240 ° C. or higher for 30 seconds. The component mounting board after the heat treatment is observed with a digital microscope (VHX-500) manufactured by KEYENCE, and the components flow during the heat treatment, and are fused with adjacent components, and the end portions of the components are in contact with each other. When counting the number, it was 0 out of 20. This result is described in the part flow rate in Table 1.

〔実施例2〜7、比較例1〕
実施例1における、はんだ粒子と高融点金属粒子の混合比率を表1記載の比率に変更し、その他は同様の条件で部品流動特性を測定した。評価結果を表1に記載する。尚、実施例7のみ、配置する部品を0603サイズのコンデンサ(0603C)を用いて評価した。本結果から、導電性ペーストに高融点金属粒子を添加するにつれて部品流動が効果的に抑制されることが分かる。
[Examples 2 to 7, Comparative Example 1]
In Example 1, the mixing ratio of the solder particles and the refractory metal particles was changed to the ratio shown in Table 1, and the other component flow characteristics were measured under the same conditions. The evaluation results are shown in Table 1. In Example 7 only, the components to be placed were evaluated using a 0603 size capacitor (0603C). From this result, it is understood that the component flow is effectively suppressed as the refractory metal particles are added to the conductive paste.

〔実施例8〜12〕
実施例1における、高融点金属粒子をCu粉に変更し、表2記載の金属フィラー組成で、実施例1と同様の評価を実施した。使用したCu粉は、福田金属箔粉工業社製、Cu−HWQを用いた。該Cu粉の平均粒径は、15μmであった。
[Examples 8 to 12]
The high melting point metal particles in Example 1 were changed to Cu powder, and the same evaluation as in Example 1 was performed with the metal filler composition shown in Table 2. Cu-HWQ made from Fukuda metal foil powder industry company was used for Cu powder used. The average particle diameter of the Cu powder was 15 μm.

〔実施例13〜17〕
実施例1における、高融点金属粒子をAg粉に変更し、表3記載の金属フィラー組成で、実施例1と同様の評価を実施した。使用したAg粉は、日本アトマイズ加工社製HXR−Agを用いた。該Ag粉の平均粒子径は、5.3μmであった。
[Examples 13 to 17]
The high melting point metal particles in Example 1 were changed to Ag powder, and the same evaluation as in Example 1 was performed with the metal filler composition shown in Table 3. As the used Ag powder, HXR-Ag manufactured by Nippon Atomizing Co., Ltd. was used. The average particle size of the Ag powder was 5.3 μm.

〔実施例18〜19〕
実施例1における、高融点金属粒子をNi粉に変更し、表4記載の金属フィラー組成で、実施例1と同様の評価を実施した。使用したNi粉は、日本アトマイズ加工社製SFR−Niを用いた。該Ni粉の平均粒子径は、10.1μmであった。
[Examples 18 to 19]
The high melting point metal particles in Example 1 were changed to Ni powder, and the same evaluation as in Example 1 was performed with the metal filler composition shown in Table 4. As the Ni powder used, SFR-Ni manufactured by Nippon Atomizing Co., Ltd. was used. The average particle size of the Ni powder was 10.1 μm.

〔実施例20〜22〕
実施例3における、はんだ粒子を、それぞれ以下に示すSn−3.0Ag−0.5Cu粉(実施例20)、Sn−3.5Ag粉(実施例21)、Sn−58Bi粉(実施例22)に変更して、実施例3と同様の評価を実施した。評価結果を表5に記載する。
Sn−3.0Ag−0.5Cu粉:平均粒子径30.3μm、融点219℃
Sn−3.5Ag粉:平均粒子径20.1μm、融点221℃
Sn−58Bi粉:平均粒子径35μm、融点138℃
[Examples 20 to 22]
In Example 3, the solder particles are Sn-3.0Ag-0.5Cu powder (Example 20), Sn-3.5Ag powder (Example 21), and Sn-58Bi powder (Example 22) shown below. The same evaluation as in Example 3 was performed. The evaluation results are shown in Table 5.
Sn-3.0Ag-0.5Cu powder: average particle size 30.3 μm, melting point 219 ° C.
Sn-3.5Ag powder: average particle diameter 20.1 μm, melting point 221 ° C.
Sn-58Bi powder: average particle size 35 μm, melting point 138 ° C.

尚、実施例22のみ、実施例3とは異なる温度プロファイルを用いた。熱処理装置は、エイテックテクトロン(株)社製(NIS−20−82C)を使用し、温度プロファイルは、熱処理開始(常温)から110℃までを2.0℃/秒で昇温し、110℃から130℃まで150秒かけて昇温させ、130℃からピーク温度160℃まで2℃/秒で昇温し、160℃で45s保持する温度プロファイルを採用した。この時、酸素濃度は1000ppmに管理した。   Only the temperature profile different from that in Example 3 was used in Example 22. The heat treatment apparatus uses Eitech Techtron Co., Ltd. (NIS-20-82C), and the temperature profile is increased from 110 ° C. to 2.0 ° C./second from the start of heat treatment (normal temperature) to 110 ° C. A temperature profile was adopted in which the temperature was raised to 130 ° C. over 150 seconds, the temperature was raised from 130 ° C. to a peak temperature of 160 ° C. at 2 ° C./second, and maintained at 160 ° C. for 45 s. At this time, the oxygen concentration was controlled at 1000 ppm.

〔実施例23〜24、比較例2〕
熱硬化性樹脂フラックスとしては、以下のものを用いて評価をおこなった。熱硬化性樹脂組成物として、ビスフェノールA型エポキシ樹脂である旭化成エポキシ社製のエポキシ樹脂(AER260)90質量部と、アジピン酸5.0質量部と、トリエタノールアミン6.0質量部を、自転・公転ミキサー(THINKY社製 あわとり練太郎)を用いて室温(25℃)で5分混練した後3分間脱泡し、熱硬化性樹脂組成物Aを作製した。本実施例ではアジピン酸は、平均粒子径3.4μmのものを使用した。
[Examples 23 to 24, Comparative Example 2]
As the thermosetting resin flux, the following were evaluated. As a thermosetting resin composition, 90 parts by mass of an epoxy resin (AER260) manufactured by Asahi Kasei Epoxy Co., Ltd. which is a bisphenol A type epoxy resin, 5.0 parts by mass of adipic acid, and 6.0 parts by mass of triethanolamine were rotated. A thermosetting resin composition A was prepared by kneading for 5 minutes at room temperature (25 ° C.) using a revolutionary mixer (manufactured by THINKY Co., Ltd.) In this example, adipic acid having an average particle size of 3.4 μm was used.

はんだ粒子と高融点金属粒子とを、表6記載の比率で混合して金属フィラーを作製し、次に、該金属フィラー85質量%に対して前記熱硬化性樹脂組成物A15質量%を混合し、ソルダーソフナー(マルコム:SPS−1)、脱泡混練機(松尾産業:SNB−350)に順次かけて導電性ペーストを作製した。その後、実施例1と同様の手法で、部品溶融流動特性を評価した。尚、はんだ粒子は、前記Sn−3.0Ag−0.5Cu粉を用い、高融点金属粒子には、前記Cu粉を用いた。ただし、熱処理は大和製作所社製(NRY−325−5Z)を使用し、温度プロファイルは、熱処理開始(常温)から120℃までを1.0℃/秒で昇温し、120℃から3.5℃/秒で260℃のピーク温度まで昇温し、220℃以上の保持時間が125秒となる温度プロファイルを採用した。   Solder particles and refractory metal particles are mixed at a ratio shown in Table 6 to prepare a metal filler, and then the thermosetting resin composition A 15% by mass is mixed with 85% by mass of the metal filler. , Solder softener (Malcom: SPS-1) and defoaming kneader (Matsuo Sangyo: SNB-350) were sequentially applied to produce a conductive paste. Thereafter, the component melt flow characteristics were evaluated in the same manner as in Example 1. The solder particles used were the Sn-3.0Ag-0.5Cu powder, and the refractory metal particles were the Cu powder. However, the heat treatment uses Yamato Seisakusho (NRY-325-5Z), and the temperature profile is raised from 120 ° C. to 120 ° C. at a temperature of 1.0 ° C./second from the start of heat treatment (normal temperature) to 120 ° C. A temperature profile was adopted in which the temperature was raised to 260 ° C. at a temperature of 260 ° C./second and a holding time of 220 ° C. or higher was 125 seconds.

〔実施例25〜26、比較例3〕
熱硬化性樹脂フラックスとしては、以下のものを用いて評価をおこなった。熱硬化性樹脂組成物として、ビスフェノールA型エポキシ樹脂である旭化成エポキシ社製のエポキシ樹脂(AER260)5.5質量部と、ビスフェノールF型エポキシ樹脂である三菱化学社製エポキシ樹脂(YL983U)37質量部、四国化成社製のイミダゾール系硬化剤である2−フェニルイミダゾール イソシアヌル酸付加物(2PZ−OK)3質量部と、n−ブチルアミン0.5質量部を、アジピン酸を3質量部、自転・公転ミキサー(THINKY社製 あわとり練太郎)を用いて室温(25℃)で5分混練した後3分間脱泡し、熱硬化性樹脂組成物Bを作製した。
[Examples 25 to 26, Comparative Example 3]
As the thermosetting resin flux, the following were evaluated. As thermosetting resin composition, 5.5 parts by mass of epoxy resin (AER260) manufactured by Asahi Kasei Epoxy Co., Ltd., which is a bisphenol A type epoxy resin, and 37 masses of epoxy resin (YL983U) manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., which is a bisphenol F type epoxy resin. Part, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct (2PZ-OK) 3 parts by mass, 0.5 parts by mass of n-butylamine, 3 parts by mass of adipic acid, A thermosetting resin composition B was prepared by kneading at room temperature (25 ° C.) for 5 minutes using a revolving mixer (THINKY Co., Ltd., Aritori Kentaro) and degassing for 3 minutes.

はんだ粒子と高融点金属粒子とを、表7記載の比率で混合し金属フィラーを作製し、次に、該金属フィラー85質量%に対して前記熱硬化性樹脂組成物B15質量%を混合し、ソルダーソフナー(マルコム:SPS−1)、脱泡混練機(松尾産業:SNB−350)に順次かけて導電性ペーストを作製した。その後、実施例1と同様の手法で、部品溶融流動特性を評価した。尚、はんだ粒子は、前記Sn−58Bi粉を用い、高融点金属粒子には、前記Cu粉を用いた。ただし、熱処理条件はエイテックテクトロン(株)社製(NIS−20−82C)を使用し、温度プロファイルは、熱処理開始(常温)から160℃までを2.0℃/秒で昇温し、160℃で360秒保持する温度プロファイルを採用した。熱処理雰囲気の酸素濃度は1000ppm以下であった。   Solder particles and refractory metal particles are mixed at a ratio shown in Table 7 to produce a metal filler, and then the thermosetting resin composition B 15% by mass is mixed with 85% by mass of the metal filler, Solder softener (Malcom: SPS-1) and defoaming kneader (Matsuo Sangyo: SNB-350) were sequentially applied to produce a conductive paste. Thereafter, the component melt flow characteristics were evaluated in the same manner as in Example 1. The solder particles used were the Sn-58Bi powder, and the refractory metal particles were the Cu powder. However, the heat treatment conditions were manufactured by Atec Techtron Co., Ltd. (NIS-20-82C), and the temperature profile was raised from the start of heat treatment (room temperature) to 160 ° C. at a rate of 2.0 ° C./second, and 160 ° C. The temperature profile held for 360 seconds was adopted. The oxygen concentration in the heat treatment atmosphere was 1000 ppm or less.

〔実施例27〜34、比較例4〜7〕
表8に記載した、はんだ粒子と高融点金属粒子の比率で、実施例1と同様に導電性ペーストを作製し、実施例1同様に部品流動特性を評価した。使用した、はんだ粒子と高融点金属粒子は、前記Sn粉、及び、前記Sn−3.0Ag−0.5Cu粉、及び、前記Cu65Ag10Bi5In5Sn15粉を使用した。ただし、図11(a)に示す高耐熱エポキシ樹脂ガラス布からなる回路基板1(基板B)を用いて、図11(b)に示す印刷パターン(印刷パターンB)に対応する開口を持った印刷マスクを用いて、導電性ペースト5を印刷し、図11(c)に記すGapIおよびGapIIに設定して、0603Rを部品実装した(図11中の符号8)。その他の条件は実施例1と同様である。
[Examples 27 to 34, Comparative Examples 4 to 7]
A conductive paste was prepared in the same manner as in Example 1 with the ratio of solder particles and refractory metal particles described in Table 8, and the component flow characteristics were evaluated in the same manner as in Example 1. The solder particles and the high melting point metal particles used were the Sn powder, the Sn-3.0Ag-0.5Cu powder, and the Cu65Ag10Bi5In5Sn15 powder. However, printing with an opening corresponding to the printing pattern (printing pattern B) shown in FIG. 11 (b) using the circuit board 1 (board B) made of the high heat-resistant epoxy resin glass cloth shown in FIG. 11 (a). The conductive paste 5 was printed using a mask, set to GapI and GapII shown in FIG. 11C, and 0603R was mounted as a component (reference numeral 8 in FIG. 11). Other conditions are the same as in the first embodiment.

部品流動特性評価結果として、図12(a)に部品間ギャップを0.05mmの設定でマウントした比較例7のマウント後の外観を示す。図12(b)に、その熱処理後の外観を示す。さらに、図13(a)に部品間ギャップを0.05mmの設定でマウントした実施例34の部品マウント後の外観、およびその熱処理後の外観を図13(b)に示す。従来の一般的なはんだペーストでこのような特殊な製造方法を用いた場合には、図12に示すように部品が熱処理中にランダムに流動してしまうため、量産に適用することは極めて困難である。一方で、本発明の部品実装基板製造方法を用いれば、図13に示すように、極めて狭ギャップでの部品実装が可能となることが分かる。例えば、0603サイズの部品実装を従来の回路基板設計で行う場合には、一般的には、部品間は狭くても0.12mm程度のギャップを設けるのが一般的であることからも、本発明の製造方法を用いることにより、より高密度実装が可能となるといえる。   FIG. 12A shows an appearance after mounting of Comparative Example 7 in which the gap between components is mounted at a setting of 0.05 mm as a result of evaluating the component flow characteristics. FIG. 12B shows the appearance after the heat treatment. Further, FIG. 13 (a) shows the appearance after mounting the component of Example 34 mounted with a gap between components set to 0.05 mm, and the appearance after the heat treatment. When such a special manufacturing method is used with a conventional general solder paste, the component flows randomly during the heat treatment as shown in FIG. 12, so that it is extremely difficult to apply to mass production. is there. On the other hand, if the component mounting board manufacturing method of the present invention is used, it is understood that component mounting with a very narrow gap is possible as shown in FIG. For example, when a 0603 size component is mounted by a conventional circuit board design, a gap of about 0.12 mm is generally provided even if the gap between components is small. By using this manufacturing method, it can be said that higher-density mounting becomes possible.

〔実施例35〜37、比較例8〜9〕
表9に記載した、はんだ粒子と高融点金属粒子の比率で、実施例1と同様に導電性ペーストを作製し、実施例1同様に部品流動特性を評価した。使用した、はんだ粒子と高融点金属粒子は、前記Sn粉、及び、前記Sn−3.0Ag−0.5Cu粉、及び、前記Cu65Ag10Bi5In5Sn15粉を使用した。ただし、図14(a)に示す高耐熱エポキシ樹脂ガラス布からなる回路基板1(基板C)を用いて、図14(b)に示す印刷パターン(印刷パターンC)に対応する開口を持った印刷マスクを用いて、導電性ペースト5を印刷し、図14(c)に記すように、GapIIが0.10mmとなるように設定して、0603R部品8を直列に48個直線上に配置した。その後、実施例1と同様の条件で熱処理した。実施例36、37に関する、熱処理後の部品接合部外観を、図15の(a)、(b)にそれぞれ示す。また、比較例9の熱処理後の部品接合部外観を図15(c)に示す。これらの外観から分かるように部品従来のPbフリーはんだペーストを用いた場合には、図15(c)のように、隣接した部品電極に対して溶融したはんだ成分が不均一に濡れあがるため、部品接合状態が個々の両端で大きくばらつく。一方で、図15(a)、(b)のように、本発明の製造方法によって作製される部品実装基板は、接合形状が安定していることが分かる。これら部品接合形状のばらつきに関して、図14(c)の点線(部品短辺方向に対して)の断面研磨を行い、48個の直列に接合された部品8のうち、両末端の電子部品を除いた46個の部品8に関して以下の評価を実施した。図16に示すように2端子素子(0603R)8の両端子の接合部分の最も窪んだ箇所に関して、Cu電極3の表面からの高さT1、T2をそれぞれ測定し、T1−T2の絶対値が、部品厚み(0603Rの部品厚み:0.23mm)に対して25%以上である場合に、部品接合形状ばらつきが大きいと判断し、46個の電子部品中これら部品接合形状ばらつきが大きい部品数を数えて、表9の部品接合形状ばらつきに記載した。
[Examples 35 to 37, Comparative Examples 8 to 9]
A conductive paste was prepared in the same manner as in Example 1 with the ratio of solder particles and refractory metal particles described in Table 9, and the component flow characteristics were evaluated in the same manner as in Example 1. The solder particles and the high melting point metal particles used were the Sn powder, the Sn-3.0Ag-0.5Cu powder, and the Cu65Ag10Bi5In5Sn15 powder. However, using the circuit board 1 (substrate C) made of the high heat-resistant epoxy resin glass cloth shown in FIG. 14A, printing having an opening corresponding to the printing pattern (printing pattern C) shown in FIG. Using the mask, the conductive paste 5 was printed, and as shown in FIG. 14C, GapII was set to be 0.10 mm, and 48 0603R components 8 were arranged in series on a straight line. Thereafter, heat treatment was performed under the same conditions as in Example 1. The appearances of the part joints after heat treatment regarding Examples 36 and 37 are shown in FIGS. 15 (a) and 15 (b), respectively. Moreover, the external appearance of the component joint part after the heat treatment of Comparative Example 9 is shown in FIG. As can be seen from these appearances, when the conventional Pb-free solder paste is used, the melted solder component wets unevenly with respect to the adjacent component electrodes as shown in FIG. The joining state varies greatly at each end. On the other hand, as shown in FIGS. 15A and 15B, it can be seen that the component mounting board manufactured by the manufacturing method of the present invention has a stable bonding shape. Regarding the variation in the component joining shape, the cross-sectional polishing of the dotted line (with respect to the component short side direction) in FIG. 14C is performed to remove the electronic components at both ends of the 48 components 8 joined in series. The following evaluation was performed on 46 parts 8. As shown in FIG. 16, the heights T1 and T2 from the surface of the Cu electrode 3 are measured for the most depressed portion of the joint portion of both terminals of the two-terminal element (0603R) 8, and the absolute value of T1−T2 is When the thickness is 25% or more with respect to the component thickness (0603R component thickness: 0.23 mm), it is determined that the component bonding shape variation is large, and among 46 electronic components, the number of components with large component bonding shape variation is determined. It counted and described in the component joining shape dispersion | variation of Table 9.

本発明により、特にモジュール等の分野で著しく進んでいる高密度実装化が達成され、より小型化したモジュール等の製造に有用である。   The present invention achieves high-density mounting, which is remarkably advanced particularly in the field of modules and the like, and is useful for manufacturing smaller modules and the like.

1 回路基板
2 ソルダーレジスト
3 基板(Cu)電極
4 配線
5 はんだ(導電性)ペースト
6 電子部品
7 2端子素子
8 0603サイズ部品(抵抗チップ)
電極幅
電極幅
電極幅
電極幅
電極幅
ペースト印刷幅
ペースト印刷幅
ペースト印刷幅
ペースト印刷幅
ペースト印刷幅
ペースト印刷幅
y 電極間ギャップ
T1 基板(Cu)電極からの距離
T2 基板(Cu)電極からの距離
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Circuit board 2 Solder resist 3 Board | substrate (Cu) electrode 4 Wiring 5 Solder (conductive) paste 6 Electronic component 7 2 terminal element 8 0603 size component (resistor chip)
w 1 electrode width w 2 electrode width w 3 electrode width w 4 electrode width w 5 electrode width x 1 paste printing width x 2 paste printing width x 3 paste printing width x 4 paste printing width x 5 paste printing width x 6 paste printing width y Interelectrode gap T1 Distance from substrate (Cu) electrode T2 Distance from substrate (Cu) electrode

Claims (22)

以下の工程:
回路基板上の複数の電極上に導電性ペーストを塗布する工程;
該導電性ペーストが塗布された1つの電極の上に、少なくとも2つの電子部品の一部を配置する工程;及び
該導電性ペーストを熱処理することによって該少なくとも2つの電子部品の一部を、該1つの電極に接合して、接合部を形成する工程;
を含む部品実装基板製造方法であって、
前記導電性ペーストは、はんだ粒子、該はんだ粒子より融点の高い高融点金属粒子、及び、フラックスを含むか、又は、
該高融点金属粒子の表面をはんだめっきした複合金属粒子、及びフラックスを含む前記方法。
The following steps:
Applying a conductive paste on a plurality of electrodes on a circuit board;
Disposing a part of at least two electronic components on one electrode coated with the conductive paste; and heat treating the conductive paste to convert a part of the at least two electronic components to the electrode. Joining to one electrode to form a joint;
A component mounting board manufacturing method including:
The conductive paste contains solder particles, refractory metal particles having a higher melting point than the solder particles, and flux, or
The method comprising: composite metal particles obtained by solder plating the surface of the refractory metal particles, and a flux.
以下の工程:
基板上の複数の所定領域内の金属面上に導電性ペーストを塗布する工程;
該導電性ペーストが塗布された1つの所定領域内に、少なくとも2つの電子部品の一部を配置する工程;
該導電性ペーストを熱処理することによって該少なくとも2つの電子部品の一部を、該1つの所定領域内の金属面に接合して、接合部を形成する工程;及び
該金属面の所定領域外を選択的にエッチングして、該所定領域内に残存する金属からなる配線パターンを形成する工程;
を含む部品実装基板製造方法であって、
前記導電性ペーストは、はんだ粒子、該はんだ粒子より融点の高い高融点金属粒子、及び、フラックスを含むか、又は、
該高融点金属粒子表面をはんだめっきした複合金属粒子、及びフラックスを含む前記方法。
The following steps:
Applying a conductive paste on a metal surface in a plurality of predetermined regions on the substrate;
Disposing a part of at least two electronic components in one predetermined region to which the conductive paste is applied;
Bonding a part of the at least two electronic components to a metal surface in the one predetermined region by heat-treating the conductive paste to form a joint; and outside the predetermined region of the metal surface; Selectively etching to form a wiring pattern made of metal remaining in the predetermined region;
A component mounting board manufacturing method including:
The conductive paste contains solder particles, refractory metal particles having a higher melting point than the solder particles, and flux, or
The method comprising: composite metal particles obtained by solder plating the surface of the refractory metal particles, and a flux.
前記電子部品が2端子素子である、請求項1又は2に記載の部品実装基板製造方法。   The component mounting board manufacturing method according to claim 1, wherein the electronic component is a two-terminal element. 前記2端子素子の両端が、それぞれ異なる前記接合部によって、回路基板上の電極上、又は、金属面に接合される、請求項3に記載の部品実装基板製造方法。   The component mounting board manufacturing method according to claim 3, wherein both ends of the two-terminal element are joined to an electrode on a circuit board or a metal surface by the different joints. 前記高融点金属粒子が、Cu、Ag、Ni及びAuの内の少なくとも1種の金属を含む、融点280℃以上の高融点金属粒子である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の部品実装基板製造方法。   The refractory metal particles according to any one of claims 1 to 4, wherein the refractory metal particles are refractory metal particles having a melting point of 280 ° C or higher, including at least one metal selected from Cu, Ag, Ni, and Au. Component mounting board manufacturing method. 前記高融点金属粒子が、In及び/又はGeをさらに含む、請求項5に記載の部品実装基板製造方法。   The component mounting board manufacturing method according to claim 5, wherein the refractory metal particles further include In and / or Ge. 前記はんだ粒子、又は前記はんだめっきが、Sn組成、又は、Sn及び、Ag、Bi、Cu、Ge、Ga、In、Sb、Ni、Zn、Pb、及びAuから成る群から選ばれる少なくとも1種の金属を含むSn合金組成である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の部品実装基板製造方法。   The solder particles or the solder plating is Sn composition or at least one selected from the group consisting of Sn and Ag, Bi, Cu, Ge, Ga, In, Sb, Ni, Zn, Pb, and Au. The component mounting board manufacturing method according to claim 1, which has a Sn alloy composition containing a metal. 前記導電性ペーストは、前記はんだ粒子100質量部に対して、前記高融点金属粒子を17質量部以上含む、請求項1〜7のいずれか1項に記載の部品実装基板製造方法。   The component mounting board manufacturing method according to claim 1, wherein the conductive paste includes 17 parts by mass or more of the refractory metal particles with respect to 100 parts by mass of the solder particles. 前記フラックスが、有機酸、アミン化合物、及びハロゲン化合物の内の少なくとも1種を含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の部品実装基板製造方法。   The component mounting board manufacturing method according to claim 1, wherein the flux includes at least one of an organic acid, an amine compound, and a halogen compound. 前記フラックスが、熱硬化性樹脂をさらに含む、請求項9に記載の部品実装基板製造方法。   The component mounting board manufacturing method according to claim 9, wherein the flux further includes a thermosetting resin. 前記フラックスが、硬化剤をさらに含む、請求項10に記載の部品実装基板製造方法。   The component mounting board manufacturing method according to claim 10, wherein the flux further includes a curing agent. 以下の工程:
回路基板上の複数の電極上に導電性ペーストを塗布する工程;
該導電性ペーストが塗布された1つの電極の上に、少なくとも2つの電子部品の一部を配置する工程;及び
該導電性ペーストを熱処理することによって該少なくとも2つの電子部品の一部を、該1つの電極に接合して、接合部を形成する工程;
を含み、
前記導電性ペーストは、はんだ粒子、該はんだ粒子より融点の高い高融点金属粒子、及び、フラックスか、又は、
該前期高融点金属粒子の表面をはんだめっきした複合金属粒子、及びフラックスを含む部品実装基板製造方法により製造された部品実装基板であって、該接合部は、Snを含むはんだマトリクスを有し、該はんだマトリクス中に、Cu、Ag、Ni、及びAuからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属を含む高融点金属粒子を含み、該高融点金属粒子の融点は、前記はんだマトリクスの融点よりも高く、かつ、該高融点金属粒子の表面には、Cu、Ag、Ni、及びAuからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属と、Snを含む金属間化合物相が存在している、前記部品実装基板。
The following steps:
Applying a conductive paste on a plurality of electrodes on a circuit board;
Disposing a part of at least two electronic components on one electrode coated with the conductive paste; and heat treating the conductive paste to convert a part of the at least two electronic components to the electrode. Joining to one electrode to form a joint;
Including
The conductive paste is solder particles, high melting point metal particles having a melting point higher than the solder particles, and flux, or
The component mounting board manufactured by the component mounting board manufacturing method including the composite metal particles obtained by solder plating the surface of the refractory metal particles and the flux, and the joint portion has a solder matrix containing Sn, The solder matrix includes refractory metal particles containing at least one metal selected from the group consisting of Cu, Ag, Ni, and Au, and the melting point of the refractory metal particles is higher than the melting point of the solder matrix. The component having a high and high melting point metal particle has an intermetallic compound phase containing Sn and at least one metal selected from the group consisting of Cu, Ag, Ni, and Au. Mounting board.
以下の工程:
基板上の複数の所定領域内の金属面上に導電性ペーストを塗布する工程;
該導電性ペーストが塗布された1つの所定領域内に、少なくとも2つの電子部品の一部を配置する工程;
該導電性ペーストを熱処理することによって該少なくとも2つの電子部品の一部を、該1つの所定領域内の金属面に接合して、接合部を形成する工程;及び
該金属面の所定領域外を選択的にエッチングして、該所定領域内に残存する金属からなる配線パターンを形成する工程;
を含み、
前記導電性ペーストは、はんだ粒子、該はんだ粒子より融点の高い高融点金属粒子、及び、フラックスを含むか、又は、
該高融点金属粒子表面をはんだめっきした複合金属粒子、及びフラックスを含む部品実装基板製造方法により製造された部品実装基板であって、該接合部は、Snを含むはんだマトリクスを有し、該はんだマトリクス中に、Cu、Ag、Ni、及びAuからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属を含む高融点金属粒子を含み、該高融点金属粒子の融点は、前記はんだマトリクスの融点よりも高く、かつ、該高融点金属粒子の表面には、Cu、Ag、Ni、及びAuからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属と、Snを含む金属間化合物相が存在している、前記部品実装基板。
The following steps:
Applying a conductive paste on a metal surface in a plurality of predetermined regions on the substrate;
Disposing a part of at least two electronic components in one predetermined region to which the conductive paste is applied;
Bonding a part of the at least two electronic components to a metal surface in the one predetermined region by heat-treating the conductive paste to form a joint; and outside the predetermined region of the metal surface; Selectively etching to form a wiring pattern made of metal remaining in the predetermined region;
Including
The conductive paste contains solder particles, refractory metal particles having a higher melting point than the solder particles, and flux, or
A component mounting board manufactured by a component mounting board manufacturing method including a composite metal particle having a solder plating on the surface of the refractory metal particles and a flux, wherein the joint has a solder matrix containing Sn, and the solder The matrix includes refractory metal particles containing at least one metal selected from the group consisting of Cu, Ag, Ni, and Au, the melting point of the refractory metal particles being higher than the melting point of the solder matrix, In addition, the component mounting board, wherein at least one metal selected from the group consisting of Cu, Ag, Ni, and Au and an intermetallic compound phase containing Sn are present on the surface of the refractory metal particles .
前記電子部品が2端子素子である、請求項12又は13に記載の部品実装基板。   The component mounting board according to claim 12 or 13, wherein the electronic component is a two-terminal element. 前記2端子素子の両端が、それぞれ異なる前記接合部によって、回路基板上の電極上、又は、金属面に接合された、請求項14に記載の部品実装基板。   The component mounting board according to claim 14, wherein both ends of the two-terminal element are joined to an electrode on a circuit board or a metal surface by the different joints. 2つ以上の前記2端子素子が、並列に接合された、請求項15に記載の部品実装基板。   The component mounting board according to claim 15, wherein two or more two-terminal elements are joined in parallel. 前記高融点金属粒子が、Cu、Ag、Ni及びAuの内の少なくとも1種以上の金属を含む、融点280℃以上の高融点金属粒子である、請求項12〜16のいずれか1項に記載の部品実装基板。   17. The refractory metal particle according to claim 12, wherein the refractory metal particle is a refractory metal particle having a melting point of 280 ° C. or higher and containing at least one metal selected from Cu, Ag, Ni, and Au. Component mounting board. 前記高融点金属粒子が、In及び/又はGeをさらに含む、請求項17に記載の部品実装基板。   The component mounting board according to claim 17, wherein the refractory metal particles further include In and / or Ge. 前記はんだマトリクスが、Sn組成、又は、Sn及び、Ag、Bi、Cu、Ge、Ga、In、Sb、Ni、Zn、Pb、及びAuから成る群から選ばれる少なくとも1種の金属を含む、Sn合金組成である、請求項12〜18のいずれか1項に記載の部品実装基板。   The solder matrix includes Sn composition or Sn and at least one metal selected from the group consisting of Ag, Bi, Cu, Ge, Ga, In, Sb, Ni, Zn, Pb, and Au. The component mounting board according to any one of claims 12 to 18, which has an alloy composition. 前記金属間化合物相が、Cu−Sn、Ni−Sn、Cu−Sn−Ni、Ag−Sn、Au−Sn、Cu−Sn−In、Cu−Sn−Ge又はCu−Sn−In−Geのいずれかを含む、請求項12〜19のいずれか1項に記載の部品実装基板。   The intermetallic compound phase is any of Cu—Sn, Ni—Sn, Cu—Sn—Ni, Ag—Sn, Au—Sn, Cu—Sn—In, Cu—Sn—Ge or Cu—Sn—In—Ge. The component mounting board | substrate of any one of Claims 12-19 containing these. 請求項12〜20のいずれか1項に記載の部品実装基板を、熱硬化性樹脂でモールドしたモジュール。   The module which molded the component mounting board of any one of Claims 12-20 with the thermosetting resin. 請求項12〜20のいずれか1項に記載の部品実装基板を積層化することで得られる部品内蔵基板。   A component built-in substrate obtained by laminating the component mounting substrate according to claim 12.
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