JP2014036057A - ヒートシンク製造方法及びヒートシンク - Google Patents
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Abstract
【課題】ヒートシンクが著しく小型であっても、所要部位を充分精密に高効率で製造することができるヒートシンク製造方法を提供する。
【解決手段】薄板状ヒートシンク基材2を準備する工程と、ヒートシンク基材の表面に所定間隔をおいて平行に延在する複数個の溝を形成する工程と、ヒートシンク基材の表面に金属膜10を被覆する工程と、ヒートシンク基材表面の溝間で且つ溝延在方向に所定間隔をおいた複数個の領域に接合材12を配設する工程とを含む。更に、溝延在方向における片端面14を研磨する工程、溝に直交する方向にヒートシンク基材を切断し短冊状片18を形成する工程、及び切断したヒートシンク基材2の溝延在方向片端面を研磨する工程、を繰り返して短冊状片の厚さをヒートシンク仕上厚さにせしめ、最後に短冊状片を溝に沿って分割して個々のヒートシンクを形成する工程とを含む。
【選択図】図5
【解決手段】薄板状ヒートシンク基材2を準備する工程と、ヒートシンク基材の表面に所定間隔をおいて平行に延在する複数個の溝を形成する工程と、ヒートシンク基材の表面に金属膜10を被覆する工程と、ヒートシンク基材表面の溝間で且つ溝延在方向に所定間隔をおいた複数個の領域に接合材12を配設する工程とを含む。更に、溝延在方向における片端面14を研磨する工程、溝に直交する方向にヒートシンク基材を切断し短冊状片18を形成する工程、及び切断したヒートシンク基材2の溝延在方向片端面を研磨する工程、を繰り返して短冊状片の厚さをヒートシンク仕上厚さにせしめ、最後に短冊状片を溝に沿って分割して個々のヒートシンクを形成する工程とを含む。
【選択図】図5
Description
本発明は、ヒートシンクの製造方法、特に半導体レーザダイオード(以下「LD」と略称する)を装着するのに好適に適用することができるヒートシンクの製造方法、及びかかる製造方法によって製造されたヒートシンクに関する。
磁気記録/読取装置に使用される磁気ヘッドとして、下記特許文献1及び2に開示されている如く、LDを備えた形態の磁気ヘッドが広く実用に供されている。LDは、通常、著しく小型であるが発熱量が大きいため、ヒートシンクを介して装着することが必要である。LDをヒートシンクを介して磁気ヘッドに装着する場合、装着精度の点からヒートシンク所要部位を著しく精密に製作することが必要である。LDを装着するのに適用されるヒートシンクは、通常、著しく小型であり、長手方向寸法及び横方向寸法が1mm以下であり、厚さは0.5mm以下である。
上記とおりのヒートシンクの製造方法として、下記特許文献3には、無酸素銅製のヒートシンク基材の表面に所定間隔を置いて平行に延在する複数個の溝をフォトエッチング様式によって形成し、次いで溝に沿ってヒートシンク基材を切断する方法が開示されている。また、下記特許文献4には、単結晶シリコン製のヒートシンク基板(サブマウント基板)の表面に、フォトリソグラフィーの一様式である異方性エッチングによって溝を形成することが開示されている。
而して、上記特許文献3に開示されている製造方法には、ヒートシンクの所要端面を充分精密に加工することができない、ヒートシンク基材を個々のヒートシンクに分割した後に個々のヒートシンクにLDを接合するための所要接合材を施すことが必要である等に起因して製造工程が充分に効率的でない、等の解決すべき問題が存在する。また、上記特許文献4に開示されている方法においては、精密な加工面を生成するためには単結晶シリコン製基板における結晶成長方位が予め精密に設定されていることが必要であり、そしてまた加工時間に比較的長時間を要し加工効率が低い。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、エッチング様式に比較して材料依存性が皆無乃至著しく小さく、ヒートシンクが著しく小型であっても、所要部位を充分精密に高効率で製造することができる、新規且つ改良されたヒートシンク製造方法を提供することである。
本発明者等は、鋭意検討及び実験の結果、溝形成工程、金属膜被覆工程、接合材配設工程、研磨工程、切断工程及び研削工程を特定順序で順次に遂行することによって、上記主たる技術的課題を達成することができることを見出した。
即ち、本発明によれば、上記主たる技術的課題を達成するヒートシンク製造方法として、
薄板状ヒートシンク基材を準備するヒートシンク基材準備工程と、
該ヒートシンク基材の表面に、所定間隔をおいて平行に延在し且つヒートシンク仕上厚さ以上の深さを有する複数個の溝を形成する溝形成工程と、
該溝形成工程の後に、該ヒートシンク基材の該表面に金属膜を被覆する金属膜被覆工程と、
該金属膜被覆工程の後に、該ヒートシンク基材の表面における該溝間で且つ溝延在方向に所定間隔をおいた複数個の領域に接合材を配設する接合材配設工程と、
該接合材配設工程の後に、該ヒートシンク基材の該溝延在方向における片端面を研磨する片端面研磨工程、隣接する接合材間の、該片端面に最も近接する部位に沿って、該溝に直交する方向に該ヒートシンク基材を切断し、該溝延在方向に直交する方向に延在する短冊状片を形成する切断工程、及び切断によって新たに生成された、該ヒートシンク基材の該溝延在方向における片端面を研磨する片端面研磨工程、を繰り返し遂行する研磨及び切断繰り返し工程と、
該短冊状片の裏面を研削して該短冊状片の厚さを該ヒートシンク仕上厚さにせしめ、これによって該短冊状片を該溝に沿って分割して個々のヒートシンクにせしめる分割工程と、
を含むことを特徴とするヒートシンク製造方法が提供される。
薄板状ヒートシンク基材を準備するヒートシンク基材準備工程と、
該ヒートシンク基材の表面に、所定間隔をおいて平行に延在し且つヒートシンク仕上厚さ以上の深さを有する複数個の溝を形成する溝形成工程と、
該溝形成工程の後に、該ヒートシンク基材の該表面に金属膜を被覆する金属膜被覆工程と、
該金属膜被覆工程の後に、該ヒートシンク基材の表面における該溝間で且つ溝延在方向に所定間隔をおいた複数個の領域に接合材を配設する接合材配設工程と、
該接合材配設工程の後に、該ヒートシンク基材の該溝延在方向における片端面を研磨する片端面研磨工程、隣接する接合材間の、該片端面に最も近接する部位に沿って、該溝に直交する方向に該ヒートシンク基材を切断し、該溝延在方向に直交する方向に延在する短冊状片を形成する切断工程、及び切断によって新たに生成された、該ヒートシンク基材の該溝延在方向における片端面を研磨する片端面研磨工程、を繰り返し遂行する研磨及び切断繰り返し工程と、
該短冊状片の裏面を研削して該短冊状片の厚さを該ヒートシンク仕上厚さにせしめ、これによって該短冊状片を該溝に沿って分割して個々のヒートシンクにせしめる分割工程と、
を含むことを特徴とするヒートシンク製造方法が提供される。
該溝形成工程の後で且つ該金属膜被覆工程の前に、該ヒートシンク基材の表面を研磨する表面研磨工程を含むのが好適である。該研磨及び切断繰り返し工程は、必要に応じて、該切断工程において形成された該短冊状片の切断面を研磨する他端面研磨工程を含むことができる。該研磨及び切断繰り返し工程の後で且つ該分割工程の前に、該短冊状片の、長手方向に延在する両側面の少なくとも一方に金属膜を被覆する付加金属膜被覆工程を含むのが好都合である。本発明によれば、本発明のヒートシンク製造方法によって製造されたヒートシンク自体も提供される。
本発明のヒートシンク製造方法によれば、所要部位が充分精密に形成されているヒートシンクを高効率で製造することができる
以下、添付図面を参照して、本発明のヒートシンク製造方法の好適実施形態について更に詳細に説明する。
ヒートシンク基材準備工程
本発明のヒートシンク製造方法においては、図1に示す如く、薄板状ヒートシンク基材2を準備する。このヒートシンク基材2は、熱伝導率が高く且つ熱膨張率が低い材料から形成されていることが重要であり、好適材料としては窒化アルミニウム或いはシリコンを挙げることができる。図示のヒートシンク基材2は、厚さが0.8乃至1.5mm程度の矩形薄板から構成されている。ヒートシンク基材2の表面(上面)4及び裏面(下面)6、特に表面(上面)4は研磨されていて充分に平坦であり且つ相互に充分精密に平行であることが望まれる。
本発明のヒートシンク製造方法においては、図1に示す如く、薄板状ヒートシンク基材2を準備する。このヒートシンク基材2は、熱伝導率が高く且つ熱膨張率が低い材料から形成されていることが重要であり、好適材料としては窒化アルミニウム或いはシリコンを挙げることができる。図示のヒートシンク基材2は、厚さが0.8乃至1.5mm程度の矩形薄板から構成されている。ヒートシンク基材2の表面(上面)4及び裏面(下面)6、特に表面(上面)4は研磨されていて充分に平坦であり且つ相互に充分精密に平行であることが望まれる。
溝形成工程
次いで、上記ヒートシンク基材2に対して溝形成工程を遂行する。この溝形成工程においては、ヒートシンク基材2の表面4に、所定間隔xをおいて平行に延在する複数個の溝8を形成する。溝8の深さdはヒートシンクの仕上厚さt(図7)以上、特にヒートシンクの仕上厚さtと実質上同一或いはこれより数μm乃至数十μm程度大きいのが好適である。この溝形成工程は、微細ダイヤモンド砥粒を含有した回転切断刃を備えた、それ自体は周知の切断装置(一般に「ダイサー」と称されており、ウエーハをダイシングするのに好都合に使用されている切断装置)によって好都合に遂行することができる。
次いで、上記ヒートシンク基材2に対して溝形成工程を遂行する。この溝形成工程においては、ヒートシンク基材2の表面4に、所定間隔xをおいて平行に延在する複数個の溝8を形成する。溝8の深さdはヒートシンクの仕上厚さt(図7)以上、特にヒートシンクの仕上厚さtと実質上同一或いはこれより数μm乃至数十μm程度大きいのが好適である。この溝形成工程は、微細ダイヤモンド砥粒を含有した回転切断刃を備えた、それ自体は周知の切断装置(一般に「ダイサー」と称されており、ウエーハをダイシングするのに好都合に使用されている切断装置)によって好都合に遂行することができる。
表面研磨工程
上記溝形成工程に次いで、必要に応じて、複数個の溝8が形成されたヒートシンク基材2の表面4を研磨する。この表面研磨は、研磨粒子を含有した研磨材を使用するドライ研磨或いは研磨粒子を含有した研磨液を使用するウエット研磨でよい。
上記溝形成工程に次いで、必要に応じて、複数個の溝8が形成されたヒートシンク基材2の表面4を研磨する。この表面研磨は、研磨粒子を含有した研磨材を使用するドライ研磨或いは研磨粒子を含有した研磨液を使用するウエット研磨でよい。
金属膜被覆工程
次いで、図3に示す如く、ヒートシンク基材2の表面4上に金属膜10を被覆する。かかる金属膜10の被覆は、それ自体は周知のスパッタリングによって好都合に遂行することができる。金属膜10は、下層から上層に向けてTi・Pt・Au或いはCr・Pt・Auが順次に積層されたものであるのが好適である。
次いで、図3に示す如く、ヒートシンク基材2の表面4上に金属膜10を被覆する。かかる金属膜10の被覆は、それ自体は周知のスパッタリングによって好都合に遂行することができる。金属膜10は、下層から上層に向けてTi・Pt・Au或いはCr・Pt・Auが順次に積層されたものであるのが好適である。
接合材配設工程
上記金属膜被覆工程に次いで、図4に図示する如く、金属膜が被覆されたヒートシンク基材2の表面における複数個の領域に接合材12を配設する。接合材12を配設する領域は、上記溝8間で且つ溝延在方向に所定間隔をおいた複数個の領域であり、溝8間の各々に配設される接合材12は溝8に直交する方向において相互に整合せしめられている。接合材12は、硬度が比較的高いろう材、例えばAuSnから形成されているのが好適である。かような接合材12は、それ自体周知の適宜の様式によって配設することができる。例えば、ヒートシンク基材2の表面4にレジスト材を塗布してレジスト膜を形成し、次いで接合材12を配設すべき領域を選択的に露光し、しかる後に現像して接合材12を配設すべき領域においてレジスト膜を除去し、そしてレジスト膜が除去された領域に接合材12を真空蒸着することによって、好都合に接合材12を配設することができる。残留しているレジスト膜は必要に応じて除去することができる。
上記金属膜被覆工程に次いで、図4に図示する如く、金属膜が被覆されたヒートシンク基材2の表面における複数個の領域に接合材12を配設する。接合材12を配設する領域は、上記溝8間で且つ溝延在方向に所定間隔をおいた複数個の領域であり、溝8間の各々に配設される接合材12は溝8に直交する方向において相互に整合せしめられている。接合材12は、硬度が比較的高いろう材、例えばAuSnから形成されているのが好適である。かような接合材12は、それ自体周知の適宜の様式によって配設することができる。例えば、ヒートシンク基材2の表面4にレジスト材を塗布してレジスト膜を形成し、次いで接合材12を配設すべき領域を選択的に露光し、しかる後に現像して接合材12を配設すべき領域においてレジスト膜を除去し、そしてレジスト膜が除去された領域に接合材12を真空蒸着することによって、好都合に接合材12を配設することができる。残留しているレジスト膜は必要に応じて除去することができる。
研磨及び切断繰り返し工程
次いで、研磨及び切断を適宜に繰り返す研磨及び切断繰り返し工程を遂行する。図5a及びbを参照して説明を続けると、この研磨及び切断繰り返し工程においては、最初に、ヒートシンク基材2の溝延在方向における片端面14を充分精密に研磨し、所要平面精度にせしめると共に、ヒートシンク基材2の表面4と片端面14との両者間の角度を充分精密に所要角度、通常は90度、にせしめる。次いで、隣接する接合材12間の、上記片端面14に最も近接する部位に沿って溝8に直交する方向に、即ち図5aに二点鎖線で示す切断線16に沿って、ヒ−トシンク基材2を切断して短冊状片18を形成する。
次いで、研磨及び切断を適宜に繰り返す研磨及び切断繰り返し工程を遂行する。図5a及びbを参照して説明を続けると、この研磨及び切断繰り返し工程においては、最初に、ヒートシンク基材2の溝延在方向における片端面14を充分精密に研磨し、所要平面精度にせしめると共に、ヒートシンク基材2の表面4と片端面14との両者間の角度を充分精密に所要角度、通常は90度、にせしめる。次いで、隣接する接合材12間の、上記片端面14に最も近接する部位に沿って溝8に直交する方向に、即ち図5aに二点鎖線で示す切断線16に沿って、ヒ−トシンク基材2を切断して短冊状片18を形成する。
しかる後に、ヒートシンク基材2の、上記短冊状片18を切断することによって新たに生成された片端面14を充分精密に研磨する。そしてまた、必要に応じて短冊状片18の切断面(他端面)20を充分精密に研磨する。最終製品であるヒートシンクにおいてその片端面のみが充分精密に研磨されていることが重要であり、他端面は必ずしも精密に研磨されている必要がない場合には、短冊状片18の切断面20の研磨を省略することができる。次いで、ヒートシンク基材2を、隣接する接合材12間の、上記片端面14に最も近接する部位に沿って溝8に直交する方向に、即ち図5bに二点鎖線で示す切断線16に沿って切断する。かような研磨と切断とを、ヒートシンク基材2の長手方向に隣接する全ての接合材12間に対して繰り返し遂行し、複数個(図示の場合は4個)の短冊状片18を形成する。最後の短冊状片18に関して、必要に応じて他端面(即ちヒートシンク基材2の他端面22)を研磨する。かかる研磨及び切断繰り返し工程は、特開2011−36939号公報或いは特開2011−98400号公報に開示されている切断研磨加工装置を使用することによって迅速に且つ高効率で遂行することができる。特に、上記特開2011−98400号公報に開示されている切断研磨加工装置を使用する場合には、ヒートシンク基材2を加工冶具に装着する際の誤差に起因して研磨面の所要角度が鉛直から幾分傾斜してしまった場合でも、研磨工具及び切削工具が装着されているスピンドルを適宜に傾動せしめることによってこれに適切に対処することができる。
付加金属膜被覆工程
次いで、必要に応じて、更に詳しくは最終製品であるヒートシンクにおいて長手方向両端面の少なくとも一方に金属膜が被覆されていることが必要な場合には、短冊状片18の長手方向に延在する両側面、即ち上記片端面14及び切断面20乃至他端面22、の少なくとも一方に、金属膜を被覆する。図6に図示する実施形態においては、短冊状片18の長手方向両側面に金属膜24を被覆している。かような付加金属膜被覆工程は、上記金属膜被覆工程と同様に、スパッタリングによって好都合に遂行することができ、金属膜24の好適例としては下層から上層に向けてTi・Pt・Auが順次に或いはCr・Pt・Auが順次に積層された金属膜を挙げることができる。
次いで、必要に応じて、更に詳しくは最終製品であるヒートシンクにおいて長手方向両端面の少なくとも一方に金属膜が被覆されていることが必要な場合には、短冊状片18の長手方向に延在する両側面、即ち上記片端面14及び切断面20乃至他端面22、の少なくとも一方に、金属膜を被覆する。図6に図示する実施形態においては、短冊状片18の長手方向両側面に金属膜24を被覆している。かような付加金属膜被覆工程は、上記金属膜被覆工程と同様に、スパッタリングによって好都合に遂行することができ、金属膜24の好適例としては下層から上層に向けてTi・Pt・Auが順次に或いはCr・Pt・Auが順次に積層された金属膜を挙げることができる。
分割工程
しかる後に、図7に示す如く、短冊状片18の裏面を研削して厚さをヒートシンク仕上厚さtにせしめる。かくすると、溝8の深さdはヒートシンク仕上厚さt以上であるので、短冊状片18は溝8に沿って分割され、複数個のヒートシンク26が生成される(図示の場合は1個の短冊状片18から4個のヒートシンク26が生成される)。かような分割工程は、全体として円環形状に配列された複数個の弧状研削砥石或いは連続した円環形状である研削砥石を有する研削工具を備えたそれ自体は周知の研削装置(一般に「バックグラインダー」と称され、ウエーハの裏面を研削するのに好都合に使用されている研削装置)によって好都合に遂行することができる。研削工具の研削砥石は微細ダイヤモンド砥粒を含有したものであるのが好適である。
しかる後に、図7に示す如く、短冊状片18の裏面を研削して厚さをヒートシンク仕上厚さtにせしめる。かくすると、溝8の深さdはヒートシンク仕上厚さt以上であるので、短冊状片18は溝8に沿って分割され、複数個のヒートシンク26が生成される(図示の場合は1個の短冊状片18から4個のヒートシンク26が生成される)。かような分割工程は、全体として円環形状に配列された複数個の弧状研削砥石或いは連続した円環形状である研削砥石を有する研削工具を備えたそれ自体は周知の研削装置(一般に「バックグラインダー」と称され、ウエーハの裏面を研削するのに好都合に使用されている研削装置)によって好都合に遂行することができる。研削工具の研削砥石は微細ダイヤモンド砥粒を含有したものであるのが好適である。
上述したとおりの方法によって製造されたヒートシンク26の使用様式の一例を説明すると、図8に示す如く、ヒートシンク26の表面にLD28が固着される。かかる固着は、接合材12を加熱溶融し、LD28の所定固着面をヒートシンク26の表面に押圧する。接合材12が冷却されると、ヒートシンク26の表面にLD28がろう付けされる。LD28が所要とおりに固着されたヒートシンク26は、例えば、その片端面が適宜の接合材(図示していない)を介して、磁気ヘッドの基台30の上面に接合される。この例においては、磁気ヘッドの基台30に装着されたヒートシンク26及びヒートシンク26に装着されたLD28は鉛直に配設され、LD28からのレーザビームは鉛直に照射される。ヒートシンク26の使用様式は図8に示す形態に限定されるものではなく、例えばヒートシンク26の裏面を基台30の上面に固着する(この場合には、必要に応じてヒートシンク26の裏面に金属膜を被覆する)等の他の種々の様式によっても使用され得る。
2:ヒートシンク基材
4:ヒートシンク基材の表面
6:ヒートシンク基材の裏面
8:溝
10:金属膜
12:接合材
14:ヒートシンク基材の片端面
16:切断線
18:短冊状片
20:切断面
22:ヒートシンク基材の他端面
24:金属膜
26:ヒートシンク
28:半導体レーザダイオード(LD)
30:磁気ヘッドの基台
4:ヒートシンク基材の表面
6:ヒートシンク基材の裏面
8:溝
10:金属膜
12:接合材
14:ヒートシンク基材の片端面
16:切断線
18:短冊状片
20:切断面
22:ヒートシンク基材の他端面
24:金属膜
26:ヒートシンク
28:半導体レーザダイオード(LD)
30:磁気ヘッドの基台
Claims (5)
- 薄板状ヒートシンク基材を準備するヒートシンク基材準備工程と、
該ヒートシンク基材の表面に、所定間隔をおいて平行に延在し且つヒートシンク仕上厚さ以上の深さを有する複数個の溝を形成する溝形成工程と、
該溝形成工程の後に、該ヒートシンク基材の該表面に金属膜を被覆する金属膜被覆工程と、
該金属膜被覆工程の後に、該ヒートシンク基材の表面における該溝間で且つ溝延在方向に所定間隔をおいた複数個の領域に接合材を配設する接合材配設工程と、
該接合材配設工程の後に、該ヒートシンク基材の該溝延在方向における片端面を研磨する片端面研磨工程、隣接する接合材間の、該片端面に最も近接する部位に沿って、該溝に直交する方向に該ヒートシンク基材を切断し、該溝延在方向に直交する方向に延在する短冊状片を形成する切断工程、及び切断によって新たに生成された、該ヒートシンク基材の該溝延在方向における片端面を研磨する片端面研磨工程、を繰り返し遂行する研磨及び切断繰り返し工程と、
該短冊状片の裏面を研削して該短冊状片の厚さを該ヒートシンク仕上厚さにせしめ、これによって該短冊状片を該溝に沿って分割して個々のヒートシンクにせしめる分割工程と、
を含むことを特徴とするヒートシンク製造方法。 - 該溝形成工程の後で且つ該金属膜被覆工程の前に、該ヒートシンク基材の表面を研磨する表面研磨工程を含む、請求項1記載のヒートシンク製造方法。
- 該研磨及び切断繰り返し工程は、該切断工程において形成された該短冊状片の切断面を研磨する他端面研磨工程を含む、請求項1又は2記載のヒートシンク製造方法。
- 該研磨及び切断繰り返し工程の後で且つ該分割工程の前に、該短冊状片の、長手方向に延在する両側面の少なくとも一方に金属膜を被覆する付加金属膜被覆工程を含む、請求項1から3までのいずれかに記載のヒートシンク製造方法。
- 請求項1から4までのいずれかに記載のヒートシンク製造方法によって製造されたヒートシンク。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170057912A (ko) * | 2015-11-17 | 2017-05-26 | 한국전자통신연구원 | 다수 개 히트소스 동시 냉각용 분리형 평판 방열장치 |
WO2020103612A1 (zh) * | 2018-11-21 | 2020-05-28 | 深圳市中光工业技术研究院 | 半导体激光器及其制备方法 |
-
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170057912A (ko) * | 2015-11-17 | 2017-05-26 | 한국전자통신연구원 | 다수 개 히트소스 동시 냉각용 분리형 평판 방열장치 |
KR102368500B1 (ko) * | 2015-11-17 | 2022-03-03 | 한국전자통신연구원 | 다수 개 히트소스 동시 냉각용 분리형 평판 방열장치 |
WO2020103612A1 (zh) * | 2018-11-21 | 2020-05-28 | 深圳市中光工业技术研究院 | 半导体激光器及其制备方法 |
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