JP2014033237A - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014033237A JP2014033237A JP2013239731A JP2013239731A JP2014033237A JP 2014033237 A JP2014033237 A JP 2014033237A JP 2013239731 A JP2013239731 A JP 2013239731A JP 2013239731 A JP2013239731 A JP 2013239731A JP 2014033237 A JP2014033237 A JP 2014033237A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support
- light emitting
- emitting device
- recess
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 118
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 118
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 25
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 79
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 55
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 25
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 25
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 24
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 20
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【解決手段】発光装置30は底面を実装面として、発光素子5が放射する光を正面から出射する。その発光素子搭載用基板20は、発光素子5を載置するための正面に開口した凹部13が形成された支持体10に、凹部13の内側の奥正面13aにリード電極31a,31bを備える。支持体10は、底面における幅方向に対向する両辺のそれぞれの一部を切り欠いて、底面に幅方向中心近傍の領域が残るように形成された溝部12a,12bを有し、溝部12a,12bは、奥行き方向において支持体10の背面から凹部13の奥正面13aの位置にわたって形成され、正面までは到達しないことを特徴とする。発光装置30は、実装時の接地面となる支持体10の底面における平らな領域がT字型となり、安定して実装できる。
【選択図】図1
Description
スルーホール)が形成されることが多い。これにより、切断における欠けやバリ等の発生を防止する。このようなセラミックパッケージは、個片化後、平面視が矩形の4つの角を4分の1円弧で切り欠いた形状となる。スルーホールは、キャビティ孔と同様に、積層前のグリーンシートのそれぞれを打ち抜いて形成される。また、グリーンシートの表面および裏面、あるいは積層された際の界面のような2面以上にそれぞれに導体層を設けた場合に、導体ペーストをスルーホールの内部に充填または内周面に被覆することで、グリーンシートの各面に設けられた導体層を互いに接続する。このような導体層を設けるためのスルーホールは、切断線の交点以外、すなわち交点ではない切断線上や切断線外にも形成される。
つの放熱部(金属膜)を備えて、そのそれぞれが一対のリード電極のそれぞれに導通する構成として、支持体の背面を実装面として実装することもできる構成としてもよい。
〔発光装置〕
図1(a)に示すように、本発明の第1実施形態に係る発光装置30は、その正面に開口した凹部(キャビティ)13に、発光素子(半導体発光素子)5が搭載されて、正面(z方向)に光を出射する。詳しくは、発光装置30は、支持体10に形成された凹部13の内側の正面に向いた面(奥正面)13aの中央近傍に発光素子5が載置され、ワイヤボンディングで発光素子5の電極を凹部13の奥正面13a上に設けられたリード電極(インナーリード)31a,31bに電気的に接続して、凹部13内を透光性樹脂等の封止部材(図示省略)で封止してなる。
導体等から構成される発光ダイオード(LED)やレーザーダイオード(LD)等の公知の半導体発光素子を発光素子5として搭載すればよい。また、発光素子5の個数は1個に限られず、2個以上を搭載して、それぞれの電極を並列または直列にリード電極31a,31bに接続してもよい(図5(a)参照)。また、発光装置における半導体発光素子の搭載(実装)方法についても、ワイヤボンディングに限らず、半導体発光素子の仕様等に応じたものとし、例えばフリップチップ実装を適用してもよく、これに合わせてリード電極(インナーリード)の形状等も設計すればよい。また、封止方法および封止部材も公知のものを適用でき、例えば封止部材に蛍光物質を添加してもよい。なお、本明細書においては、発光装置の発光素子搭載前の状態、すなわち図1(a)に示す発光装置30から発光素子5、ワイヤ、および封止部材を除いたものを発光素子搭載用基板20とする。以下、本発明に係る発光装置の実施形態について、適宜、発光素子搭載用基板の実施形態にて説明する。
図1に示す発光装置30に用いられる第1実施形態に係る発光素子搭載用基板20の詳細な構造を説明する。第1実施形態に係る発光素子搭載用基板20は、絶縁材料で形成された支持体10と、その表面等の所定領域に設けられた導体層である金属膜31a,31b,32a,32b(図2参照)とを備える。なお、本発明の各実施形態に係る発光素子搭載用基板は、金属膜(リード電極)31a,31bの正面視形状を除き、左右(x方向)対称の構造とする。
支持体10は、公知の半導体素子のセラミックパッケージと同様にセラミック等の絶縁
材料で構成され、具体的には後記するように、未焼成のセラミックシート(グリーンシート)を加工し、複数枚を奥行き方向(z方向)に積層して焼成してなる。グリーンシートは公知の材料および方法によるもので、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライト等のセラミック材料の粉末にバインダー等を混合してローラでシート状に延ばして乾燥させたものである。また、支持体10は、後記するように発光素子5が発光(放射)する光の反射面を構成するので、光反射率を高くするように、白色のセラミックで形成されることが好ましい。支持体10の形状は、前記した通り、正面(図2では上に向けて示す)視で長方形の直方体の外形に、正面に開口した凹部13と、4隅を丸く切り欠いた切欠部11a,11b,11c,11cと、切欠部11a,11bの一部を支持体10の下面に沿って削った溝部12a,12bが形成されている。
凹部13の奥正面13aに被覆する金属膜31a,31bは、発光素子5に接続するための一対のリード電極(インナーリード)であり、当該面上で互いに離間して設けられる。その形状(パターン)は、発光素子5の形態、発光装置30の製品としてユーザに提供
する形態等に応じて所要の形状に形成される。これら金属膜31a,31bは、当該面上に延設されて支持体10(凹部13の周面)を貫通して底面側の外側表面に端面が露出するように形成される。支持体10の奥行き方向(z方向)における凹部13の奥正面13aの位置は、溝部12a,12bの開始位置であるので、金属膜31a,31bの端面は、溝部12a,12bの内側表面に露出する。さらに溝部12a,12bの内側表面には金属膜32a,32bが被覆されているので、金属膜31a−32a間、金属膜31b−32b間が導通し(連続し)、すなわち凹部13の奥正面13aの金属膜31a,31bが溝部12a,12bの内側表面に延設された状態となる。これにより、溝部12a,12bの位置をはんだ付けすることで、発光素子搭載用基板20の外部(実装基板)から凹部13内の金属膜(リード電極)31a,31bに導通する。なお、本実施形態においては、溝部12a,12bの内側表面の全体に金属膜32a,32bを被覆しているが、少なくとも一部の、金属膜31a,31bの端面が露出している領域に接続するように被覆すればよい。ただし、十分な面積の領域に金属膜32a,32bを被覆することが好ましく、金属膜32a,32bにより溝部12a,12b内部でのはんだの密着性がよくなる。また、後記の変形例(図4、図5参照)のように、支持体10の上面にも溝部12a,12bを形成してその内側表面に金属膜32a,32bを被覆した場合は、放熱性を向上させることができる。
第1実施形態に係る発光素子搭載用基板20、さらにこれに発光素子5を搭載した発光装置30は、前記したように公知の半導体素子のセラミックパッケージと同様の方法で製造できる。支持体10は、図3に示すように、背面側(図3では積層構造の下側)を構成する第1支持体1(ボトム層)と、正面側を構成する第2支持体2(トップ層)の、少なくとも2層を積層して構成される。第1支持体1および第2支持体2は、それぞれ未焼成
のセラミックシート(グリーンシート)を加工してなり、また、発光素子5の載置面(凹部13の奥正面13a、xy面)に沿ってマトリクス状に連結された状態で加工等されて発光素子搭載用基板20に、さらに発光装置30に製造される。図3においては、x方向に2個、y方向に3個の計6個が連結された状態を例として示す。図3に示すように、第1支持体1および第2支持体2は、それぞれ所定の位置および形状の貫通孔を打ち抜き加工(パンチング)等で形成され、表面の所定位置や所定の貫通孔の内周面に導体ペーストをスクリーン印刷等にて被覆される。詳しくは、第1支持体1および第2支持体2のそれぞれの切断線の交点毎に円形のスルーホール11,21を形成し、また第1支持体1のx方向の切断線に沿って細長い長円形のスリット孔12を、第2支持体2の中央(個片化後の支持体10における中央)に凹部13の周面を構成するキャビティ孔(貫通孔)23を、それぞれ形成する。なお、第1支持体1において、スルーホール11の一部(半数)はスリット孔12に内包される。そして、第1支持体1の表面(正面)にリード電極(インナーリード)となる金属膜31a,31bのパターンを、導体ペーストでスクリーン印刷等にて形成する。このとき、金属膜31a,31bはスリット孔12まで到達する形状とする。また、スリット孔12の内周面に導体ペーストを印刷等にて被覆して、リード電極(アウターリード)32a,32bとなる金属膜32を形成する。なお、打ち抜き加工と導体ペーストの印刷は、その工程順序は限定されず、形態に応じて複数回を交互に行ってもよい。
図4に示す第1実施形態の変形例のように、金属膜は、発光素子搭載用基板20A(支持体10A)の背面にも設けてよい(33a,33b)。このように、背面に金属膜33
a,33bを設けることにより、発光素子5の熱が、凹部13内の金属膜(インナーリード)31a(31b)から溝部12a(12b)の金属膜32a(32b)を介して外部へ開放された背面の金属膜(放熱部)33a(33b)に伝導し、放熱性が向上する。また、実装において、はんだが溝部12a,12b内から背面の金属膜33a,33bに沿って這い上がり、実装性、特に機械的密着性が向上する。あるいは、この背面の金属膜33a,33bをリード電極(アウターリード)として、背面を実装面とする上方発光型発光装置にすることもできる。なお、発光素子搭載用基板の背面の放熱部とする金属膜は1つでもよく、この場合は、この金属膜が、発光素子5が載置される金属膜(インナーリード)31a(図1(a)参照)に導通するように形成される(図5(b)参照)。
以外の部品を共に搭載する場合は、凹部13Bの奥正面13aのさらに一段奥に小凹部14を設けて、そこに保護素子6を載置することが好ましく、発光素子5B,5Bから放射される光が保護素子6およびそのワイヤに遮られず、高効率で光を取り出せる発光装置30Bとなる。小凹部14は、支持体10Bの第1支持体1を少なくとも2枚で構成して、最正面側の1枚に小凹部14の側壁(周面)を構成する円形の貫通孔を形成することで得られ、またその内周面にも金属膜を形成してリード電極31bの一部とする。
図6に示す第2実施形態に係る発光素子搭載用基板20Cも、支持体10Cについて第1支持体1を少なくとも2層(2枚のグリーンシート)に分けて製造することで得られる。本実施形態においては、最背面側の1枚について、前記第1実施形態の変形例に係る発光素子搭載用基板20B(図5参照)のように金属膜32a,32bを設けないだけでなく、溝部12a,12bも形成しない。すなわち支持体10Cの背面を構成する層には、
切欠部11a,11b(11a2,11b2)を形成する。そのために、製造時において、第1支持体1のうちの正面側のグリーンシートには図3に示す第1支持体1と同様に、切断線の交点毎にスリット孔12を形成し、金属膜31a,31b,32を設ける。そして、背面側のグリーンシートには、切断線の交点毎にスルーホール11を形成するのみとする。このような構造の発光素子搭載用基板20C(支持体10C)の下面すなわち実装面における、切欠部11a,11b(11a1,11a2,11b1,11b2)および溝部12a,12bの形成されていない平らな面の領域は、H字型となる。したがって、幅方向(x方向)に十分な長さの接地面が、正面側のみならず背面側にも得られるため、実装基板表面にいっそう安定して支持される。
前記第1実施形態およびその変形例、ならびに第2実施形態は、第1支持体1の方に溝部12a,12bが形成されているが、第2支持体2に溝部12a,12bが形成されてもよい。図7に示す第3実施形態に係る発光素子搭載用基板20Dは、支持体10Dについて、凹部13Dの周面(枠体)を構成する第2支持体2を2層に分けて製造することで得られる。この2層のうちの背面側の層(図7における下側)に溝部12a,12bを形成し、正面側の層(第3支持体)に切欠部11a1,11b1を形成する。一方、第1支持体1には溝部12a,12bは形成せず、切欠部11a2,11b2のみを形成する。また、金属膜(リード電極)31a,31bは、溝部12a,12bの内側表面を被覆する金属膜32a,32bに接続するように、第1実施形態等と同様に、凹部13Dの奥正面13a上に延設される。このような構成により、支持体10Dの下面における、切欠部11a,11bおよび溝部12a,12bの形成されていない平らな面の領域は、第2実施形態(図6参照)と同様にH字型となり、実装においても第2実施形態と同様の効果が得られる。なお、このような構造とする場合、第2支持体2の背面側の層には、凹部13Dを構成するキャビティ孔23(図3参照)と溝部12a,12bを構成するスリット孔の両方が形成されるため、y方向長を確保する等して強度を保持できるように設計する。これは後記第4実施形態および第5実施形態についても同様である。
図8(a)に示す第4実施形態に係る発光素子搭載用基板20Eは、支持体10Eについて、凹部13Eの周面(枠体)を構成する第2支持体2を2層に分けて製造することで得られる。この2層のうちの背面側(図8(a)における下側)にも溝部12a(12a2)を形成することで、第1支持体1の溝部12a(12a1)と合わせて溝部12aを奥行き方向(z方向)に広くして、はんだ付けの面積を拡張して実装における密着性をいっそう向上させることができる。なお、図8(a)には示していないが、溝部12bも溝部12aと同様に、溝部12b1,12b2(図8(b)参照)を合わせた構造である。また、本実施形態に係る発光素子搭載用基板20Eは、第2支持体2を2層に分けたことで、凹部13Eの周面に段を形成することができる。あるいは、第1実施形態の変形例に係る発光素子搭載用基板20B(図5(b)参照)のように凹部13Eの周面の傾斜角度を変化させたり、周面における正面側の領域に金属膜を被覆することもできる。
b2)とで、正面視形状が必ずしも一致してなくてもよい。さらに、溝部12a,12b
の形状について、下面に沿って深さが均一の溝でなくてもよい。図8(b)に示す第4実施形態の変形例に係る発光素子搭載用基板20Fは、支持体10Fについて、前記第4実施形態と同様に、第2支持体2を2層に分けてそのうちの背面側に溝部12a2,12b2を形成したものである。そして溝部12a,12bにおいて正面側の、この第2支持体2に形成された溝部12a2,12b2の形状は第4実施形態と同様に下面(上面)に沿ったものである。一方、背面側の第1支持体1に形成された溝部12a1,12b1は、幅方向(x方向)の端(左右)で上方(y方向)へ立ち上がり、支持体10Fの側面にもわたって溝部を形成する背面視L字型の形状である。また、支持体10Fは第1支持体1も2層で構成して、第1実施形態の変形例(図5参照)と同様に、溝部12a,12b(12a1,12b1)の内側表面において金属膜32a,32bを被覆しない領域を設けた。このような形状の溝部12a,12bにより、実装において、はんだが発光素子搭載用基板20Fの両側面で溝部12a1,12b1に沿ってフィレットを形成し、実装性、特に機械的密着性が向上し、また、このフィレットによりはんだの表面積が大きくなるため、放熱性が向上する。一方、溝部12a,12bの内側表面の背面寄りの領域には金属膜32a,32bを被覆していないため、はんだが発光素子搭載用基板20Fの背面側には流出し難く、背面側へ傾斜することを防止できる。すなわち本変形例は、背面側へのはんだの広がりを抑えつつ、第4実施形態と同様にはんだ付けの面積を拡張することができる。なお、このような形状の溝部12a1,12b1は、スリット孔12(図3参照)を、第1支持体1の切断線の交点上にx,y方向のそれぞれの切断線に沿った十字型に形成することで得られる。
図9(a)に示すように、第5実施形態に係る発光装置30Gは、支持体10Gにおいて凹部13Gが上下方向(y方向)中心より上に寄せて形成された上下非対称の構造である。この凹部13Gについては、支持体10Gにおける位置が異なること以外は、前記の各実施形態と同様に形成できる。また、発光素子5Bの他に、第1実施形態の変形例に係る発光装置30B(図5参照)と同様に保護素子6も搭載している。さらに支持体10Gの背面(図9(b)では下側)に、放熱部として金属膜33aが設けられているが、凹部13Gに合わせて上寄り(図9(b)では右奥)に配置されている。この金属膜33a、そして凹部13G内の保護素子6が載置された小凹部14のそれぞれの構成および製造方法も、発光装置30Bと同様であるので説明は省略する。また、図9(b)に示すように、発光装置30Gの発光素子搭載用基板20Gは、第4実施形態に係る発光素子搭載用基板20E(図8(a)参照)と同様に、支持体10Gについて第2支持体2が2層で構成
され、溝部12a,12bを奥行き方向(z方向)に広くしている。そして支持体10Gの凹部13Gも、支持体10Eの凹部13Eと同様に周面に段が形成されている。さらに、支持体10Gは第1支持体1も2層に分けて、第1実施形態の変形例(図5参照)と同様に、溝部12a,12bの内側表面において金属膜32a,32bを被覆しない領域を設けている。
a)不図示)の内側表面には金属膜32a,32bが被覆されていない。したがって、実装基板への接地面となる支持体10Gの下面には、金属膜32a,32bの端面が露出していない。このような構成とすることで、発光装置30Gの分離・切断により金属膜32a,32bの端面が支持体10Gの下面でバリとなって突出することがなく、発光装置30Gが実装において傾斜したり実装基板から浮き上がることを防止できる。
,12b3によって溝部12a,12bの内側表面の下面側の端部が切り欠かれていれば
よい。このように、第1支持体1等に同じ箇所に2回の打ち抜き加工を行い、さらに第2支持体2の背面側の層には凹部13Gを構成するためのキャビティ孔も形成されるため、支持体10Gはこの領域(打ち抜かれない領域)を広く構成して強度を高くする。すなわち支持体10Gは、凹部13Gの下面側のy方向長を大きくする。また、その分、凹部13Gの上面側のy方向長を短くするために、支持体10Gは上面に切欠け部が形成されていない。したがって、発光素子搭載用基板20Gは、凹部13Gが支持体10Gにおいて上寄りに設けられた上下非対称の構造とする。
1 第1支持体
2 第2支持体
11,21 スルーホール
11a,11b,11c 切欠部
12 スリット孔
12a,12b 溝部
13,13B〜13E,13G 凹部
13a 凹部の奥正面
14 小凹部
23 キャビティ孔(貫通孔)
20,20A〜20G 発光素子搭載用基板
30,30B,30G 発光装置
31a,31b 金属膜(リード電極、インナーリード)
32 金属膜
32a,32b 金属膜(リード電極、アウターリード)
33a,33b 金属膜(放熱部)
5,5B 発光素子(半導体発光素子)
6 保護素子
Claims (6)
- 正面に開口した凹部が形成された絶縁材料からなる支持体と、前記凹部の内側の奥正面に形成された金属膜からなる一対のリード電極と、前記凹部に載置された半導体発光素子と、前記凹部を封止する封止部材と、を備え、前記半導体発光素子の一対の電極が前記一対のリード電極にそれぞれ電気的に接続され、前記支持体の底面を実装面として実装する発光装置において、
前記支持体は、底面における幅方向に対向する両辺のそれぞれの一部を切り欠いて、底面に幅方向中心近傍の領域が残るように形成された2つの溝部を有し、
前記溝部は、奥行き方向において、前記支持体の正面まで到達しないように形成され、
前記支持体の2つの溝部のそれぞれの内側表面における少なくとも一部に、前記一対のリード電極のそれぞれに導通する金属膜をさらに備えることを特徴とする発光装置。 - 前記支持体は、正面視が矩形の角を切り欠いた形状となるように、前記底面における幅方向に対向する両辺のそれぞれに沿って形成された2つの切欠部を有し、
前記切欠部は、奥行き方向において、前記溝部が形成されていない領域に形成されている請求項1に記載の発光装置。 - 前記支持体の背面に、金属膜からなる1つまたは2つの放熱部を備え、
前記一対のリード電極の一方が前記放熱部の1つに導通する請求項1または請求項2に記載の発光装置。 - 前記支持体の背面に、前記一対のリード電極のそれぞれに導通する2つの金属膜を備え、
前記支持体の背面を実装面として実装することのできる請求項1または請求項2に記載の発光装置。 - 前記支持体は、前記凹部の内側の奥正面を境界面として、背面側の第1支持体と正面側の第2支持体との少なくとも2層を奥行き方向に積層してなり、
前記第1支持体は、その正面が前記凹部の内側の奥正面を構成し、
前記第2支持体は貫通孔が形成されて、この貫通孔の内周面が前記凹部の内側の周面を構成し、
前記溝部は少なくとも前記第1支持体に形成されている請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記支持体は、前記凹部の内側の奥正面を境界面として背面側の第1支持体と正面側の第2支持体とを奥行き方向に積層して、さらに前記第2支持体の正面側に第3支持体を積層した少なくとも3層からなり、
前記第1支持体は、その正面が前記凹部の内側の奥正面を構成し、
前記第2支持体および前記第3支持体は貫通孔が形成されて、この貫通孔の内周面が前記凹部の内側の周面を構成し、
前記溝部は少なくとも前記第2支持体に形成されている請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013239731A JP5708766B2 (ja) | 2013-11-20 | 2013-11-20 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013239731A JP5708766B2 (ja) | 2013-11-20 | 2013-11-20 | 発光装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009245919A Division JP5482098B2 (ja) | 2009-10-26 | 2009-10-26 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014033237A true JP2014033237A (ja) | 2014-02-20 |
JP5708766B2 JP5708766B2 (ja) | 2015-04-30 |
Family
ID=50282775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013239731A Active JP5708766B2 (ja) | 2013-11-20 | 2013-11-20 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5708766B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108807652A (zh) * | 2017-04-28 | 2018-11-13 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
JP2019068100A (ja) * | 2017-04-28 | 2019-04-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2019176133A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | ルーメンス カンパニー リミテッド | サイドビューledパッケージ及びサイドビューledモジュール |
KR20190114726A (ko) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 주식회사 루멘스 | 사이드뷰 엘이디 패키지 및 사이드뷰 엘이디 모듈 |
US10957834B2 (en) | 2018-10-09 | 2021-03-23 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7379807B2 (ja) * | 2018-09-03 | 2023-11-15 | 日亜化学工業株式会社 | 装飾装置及び車両 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07131072A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-05-19 | Rohm Co Ltd | 面実装型側面発光器、および、これを用いた発光装置、ならびにこの発光装置を用いた液晶表示装置 |
JP2003234507A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Koha Co Ltd | 側面発光型ledランプ |
JP2004228100A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-08-12 | Kyocera Corp | 発光装置用部材および発光装置 |
JP2007150229A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-06-14 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージならびにこれを用いた光源および発光装置 |
JP2008085296A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-04-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
-
2013
- 2013-11-20 JP JP2013239731A patent/JP5708766B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07131072A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-05-19 | Rohm Co Ltd | 面実装型側面発光器、および、これを用いた発光装置、ならびにこの発光装置を用いた液晶表示装置 |
JP2003234507A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Koha Co Ltd | 側面発光型ledランプ |
JP2004228100A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-08-12 | Kyocera Corp | 発光装置用部材および発光装置 |
JP2007150229A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-06-14 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージならびにこれを用いた光源および発光装置 |
JP2008085296A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-04-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108807652A (zh) * | 2017-04-28 | 2018-11-13 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
JP2019068100A (ja) * | 2017-04-28 | 2019-04-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
USD930857S1 (en) | 2017-04-28 | 2021-09-14 | Nichia Corporation | Light-emitting unit |
US11264542B2 (en) | 2017-04-28 | 2022-03-01 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
US11411144B2 (en) | 2017-04-28 | 2022-08-09 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
US11652192B2 (en) | 2017-04-28 | 2023-05-16 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
JP2019176133A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | ルーメンス カンパニー リミテッド | サイドビューledパッケージ及びサイドビューledモジュール |
KR20190114726A (ko) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 주식회사 루멘스 | 사이드뷰 엘이디 패키지 및 사이드뷰 엘이디 모듈 |
US10847697B2 (en) | 2018-03-29 | 2020-11-24 | Lumens Co., Ltd. | Side view LED package and side view LED module |
KR102621850B1 (ko) | 2018-03-29 | 2024-01-08 | 주식회사 루멘스 | 사이드뷰 엘이디 패키지 및 사이드뷰 엘이디 모듈 |
US10957834B2 (en) | 2018-10-09 | 2021-03-23 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5708766B2 (ja) | 2015-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5482098B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5708766B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6483800B2 (ja) | 発光素子搭載用パッケージ、発光装置および発光モジュール | |
TW201637244A (zh) | 發光二極體封裝結構及其製作方法 | |
JP2016001724A (ja) | 発光装置 | |
JP2008147605A (ja) | 発光装置及びその製造方法並びに実装基板 | |
JP2012080085A (ja) | 支持体及びそれを用いた発光装置 | |
JP2009071013A (ja) | 発光素子実装用基板 | |
JP2012124191A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP2011243733A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2017117880A (ja) | 光素子搭載用パッケージ、光素子搭載用母基板および電子装置 | |
JP2017098494A (ja) | 光素子搭載用パッケージ、光素子搭載用母基板および電子装置 | |
JP2015111620A (ja) | 発光デバイス及びその製造方法 | |
JP2014049577A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2004327503A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JP4369738B2 (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JP2011233775A (ja) | 半導体パッケージおよび半導体発光装置 | |
JP2004288937A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JP2011009401A (ja) | 発光素子搭載用パッケージおよび発光装置 | |
WO2015016289A1 (ja) | 配線基板および電子装置 | |
JP2004228413A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JP6409459B2 (ja) | 照明装置 | |
JP2013045842A (ja) | 発光装置 | |
JP2008288487A (ja) | 表面実装型発光ダイオード | |
JP2010067902A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131220 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131220 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140625 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140715 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140912 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5708766 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |