JP2014033074A - 荷電粒子ビーム描画装置及びパターン検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置は、試料を支持する移動可能なステージと、そのステージの移動方向におけるステージとの相対距離をレーザ光により計測するレーザ干渉計とを備える。このレーザ干渉計は、レーザ光が入射する光学部品の一例である偏光ビームスプリッタ12cと、その偏光ビームスプリッタ12c上に設けられ、振動を吸収する振動吸収材12hと、その振動吸収材12h上に設けられた重り12iとを具備する。
【選択図】図4
Description
第1の実施形態について図1ないし図4を参照して説明する。
第2の実施形態について図5を参照して説明する。
2 描画部
2a 描画室
2b 光学鏡筒
3 制御部
3a 描画データ記憶部
3b ショットデータ生成部
3c 描画制御部
11 ステージ
11a ミラー
12 レーザ干渉計
12a 投光部
12b 受光部
12c 偏光ビームスプリッタ
12d λ/4板
12e 反射鏡
12f ベース体
12g 接着層
12h 振動吸収材
12i 重り
21 出射部
22 照明レンズ
23 第1の成形アパーチャ
24 投影レンズ
25 成形偏向器
26 第2の成形アパーチャ
27 対物レンズ
28 副偏向器
29 主偏向器
51 パターン検査装置
52 検査部
52a 撮像部
53 検査制御部
B 電子ビーム
W 試料
Claims (5)
- 試料を支持する移動可能なステージと、
前記ステージの移動方向における前記ステージとの相対距離をレーザ光により計測するレーザ干渉計と、
を備え、
前記レーザ干渉計は、
前記レーザ光が入射する光学部品と、
前記光学部品上に設けられ、振動を吸収する振動吸収材と、
前記振動吸収材上に設けられた重りと、
を具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記ステージ上の試料に向けて荷電粒子ビームを出射する出射部と、
前記出射部により出射された荷電粒子ビームを偏向する偏向器と、
前記レーザ干渉計により計測された前記ステージとの相対距離に基づいて、前記ステージ上の試料の所定位置に前記荷電粒子ビームを照射するよう、前記偏向器による前記荷電粒子ビームの偏向を制御する描画制御部と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記重りの重さは、前記光学部品の重さの0.5倍以上であって2倍以下の範囲内であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記光学部品及び前記振動吸収材は直方体形状に形成されており、
前記振動吸収材における前記光学部品側の表面積は、前記光学部品における前記振動吸収材側の表面積の50%以上であって100%以下の範囲内であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 試料を支持する移動可能なステージと、
前記ステージの移動方向における前記ステージとの相対距離をレーザ光により計測するレーザ干渉計と、
を備え、
前記レーザ干渉計は、
前記レーザ光が入射する光学部品と、
前記光学部品上に設けられ、振動を吸収する振動吸収材と、
前記振動吸収材上に設けられた重りと、
を具備することを特徴とするパターン検査装置。
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---|---|---|---|
JP2012172748A JP2014033074A (ja) | 2012-08-03 | 2012-08-03 | 荷電粒子ビーム描画装置及びパターン検査装置 |
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001264008A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-26 | Kyocera Corp | レーザー干渉測長システム及び露光装置 |
JP2005191150A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置並びにデバイスの製造方法 |
JP2005276870A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置。 |
JP2009501350A (ja) * | 2005-07-14 | 2009-01-15 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 光学素子 |
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2012
- 2012-08-03 JP JP2012172748A patent/JP2014033074A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001264008A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-26 | Kyocera Corp | レーザー干渉測長システム及び露光装置 |
JP2005191150A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置並びにデバイスの製造方法 |
JP2005276870A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置。 |
JP2009501350A (ja) * | 2005-07-14 | 2009-01-15 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 光学素子 |
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