JP2014026197A - 金属ナノ・マイクロ突起黒体及びその製造方法 - Google Patents

金属ナノ・マイクロ突起黒体及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2014026197A
JP2014026197A JP2012168117A JP2012168117A JP2014026197A JP 2014026197 A JP2014026197 A JP 2014026197A JP 2012168117 A JP2012168117 A JP 2012168117A JP 2012168117 A JP2012168117 A JP 2012168117A JP 2014026197 A JP2014026197 A JP 2014026197A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nano
micro
light
black body
respect
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012168117A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6418514B2 (ja
Inventor
Shunichiro Tanaka
俊一郎 田中
Masaki Chiba
雅樹 千葉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tohoku University NUC
Original Assignee
Tohoku University NUC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tohoku University NUC filed Critical Tohoku University NUC
Priority to JP2012168117A priority Critical patent/JP6418514B2/ja
Priority to PCT/JP2013/068964 priority patent/WO2014021072A1/ja
Publication of JP2014026197A publication Critical patent/JP2014026197A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6418514B2 publication Critical patent/JP6418514B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/024Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
    • C23C14/025Metallic sublayers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/221Ion beam deposition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/225Oblique incidence of vaporised material on substrate
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/003Light absorbing elements

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract


【課題】広い波長領域にわたって光を吸収可能で、かつ光の吸収方位を選択的に調整することができる金属ナノ・マイクロ突起黒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】亜鉛からなる基板又は亜鉛層を表面に有する基板と、この基板から成長・形成された亜鉛を主体とする多数のナノ・マイクロ突起とからなり、このナノ・マイクロ突起の形状が円錐体及び円柱体を含む横断面丸形であり、ナノ・マイクロ突起の底面の3μm以下の直径に対する高さの比であるアスペクト比が3以上であって、このナノ・マイクロ突起の成長方向に対して30°以内の角度で入射する紫外光又は可視光又赤外光を95%以上吸収することを特徴とする金属ナノ・マイクロ突起黒体、及びその製造方法。
【選択図】 図1

Description

本発明は、紫外〜可視〜赤外光を95%以上吸収可能な金属ナノ・マイクロ突起黒体及びその製造方法に関するものである。
黒体は、あらゆる光を完全に吸収できる物質であるが、光をほぼ完全に吸収できる物質として非特許文献1に示したカーボンナノチューブ(CNT)黒体が知られている。このものは、紫外線(UV)から可視光(vis)、遠赤外線(F-IR)までの200nm-200μmの広い波長域で98%以上の光(電磁波)を吸収することができる。このカーボンナノチューブは、カメラや光学機器の遮光、赤外線吸収材や熱型赤外センサー、電子機器の冷却などに利用が可能である。しかしながら、CNTは微粉末でその製造、取り扱いに困難さが伴う。
発明者らは、先に特許文献1として、マイクロ・ナノ突起構造体及びその製造方法を発明した。そして、この構造体からカーボンナノチューブに匹敵する性能を有する金属ナノ・マイクロ突起黒体を開発した。この金属ナノ・マイクロ突起黒体は、高エネルギービームの照射方向を調整することによって光の吸収方位を選択的に調整することができる。
K.Mizuno et al. : Proceedings of the National Academy of Sciences 106:6044-6047.(2009)"A Black body absorber from vertically aligned single walled carbon nano tubes" 特開2011−56638号公報
本発明は、紫外光から、可視光、遠赤外光までの広い波長領域にわたって光を吸収可能で、かつ光の吸収方位を選択的に調整することができる金属ナノ・マイクロ突起黒体を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するためになされた本発明に係る金属ナノ・マイクロ突起黒体は、亜鉛からなる基板又は亜鉛層を表面に有する基板と、この基板から成長・形成された亜鉛からなる多数のナノ・マイクロ突起とからなり、
このナノ・マイクロ突起の形状が円錐体及び円柱体を含む横断面丸形であり、ナノ・マイクロ突起の底面の3μm以下の直径に対する高さの比であるアスペクト比が3以上であって、
このナノ・マイクロ突起の成長方向に対して30°以内の角度で入射する紫外光又は可視光又赤外光を95%以上吸収することを特徴とするものである。
上記した発明において、基板面に対して90°の角度で垂直に入射する光に対して、基板面上に基板面に対して60°〜90°の角度でナノ・マイクロ突起を成長・形成して、紫外光又は可視光又赤外光を95%以上吸収するようにすることができるし、基板面に対して30°〜90°未満の角度で斜めに入射する光に対して、基板面上に入射光に対して30°以内の角度でナノ・マイクロ突起を成長・形成して、紫外光又は可視光又赤外光を95%以上吸収するようにすることができる。
また、本発明の金属ナノ・マイクロ突起黒体の製造方法は、真空中で、基板面に対し30〜90°の照射角度で、加速電圧2〜20kVで高エネルギービームを照射して、亜鉛を主体とする多数のナノ・マイクロ突起を、高エネルギービームの入射方向に成長・形成させて、上記したような金属ナノ・マイクロ突起黒体を製造することを特徴とするものである。
本発明のナノ・マイクロ突起黒体は、基板の表面に亜鉛を主体とする多数のナノ・マイクロ突起が密集して形成されているので、この密集した構造が光を補足して逃がさず高い光吸収性を発揮することができる。亜鉛基板の表面にナノ・マイクロ突起が形成されているので、粉末と異なり製造、取り扱いが容易である。また、高エネルギービームの照射角度を調整することによってナノ・マイクロ突起の成長方向を決定することができるので、吸収される光の方位を適宜調整することができる。
また、本発明のナノ・マイクロ突起黒体の製造方法によれば、上記のような特徴のあるナノ・マイクロ突起黒体を容易に製造することができる。
基板面に対して30°方向からArイオンビームを照射したときに形成されたナノ・マイクロ突起を示す走査電子顕微鏡写真である。 基板面に対して60°方向からArイオンビームを照射したときに形成されたナノ・マイクロ突起を示す走査電子顕微鏡写真である。 基板面に対して90°(垂直)方向からArイオンビームを照射したときに形成されたナノ・マイクロ突起を示す走査電子顕微鏡写真である。 基板面に対し45°方向からArイオンビームを照射した試料のXRD結果を示す図である。 基板面に対し75°方向からArイオンビームを照射した試料のXRD結果を示す図である。 基板面に対し90°方向からArイオンビームを照射したナノ・マイクロ突起黒体の、90°方向からの外観写真である。 基板面に対し75°方向からArイオンビームを照射したナノ・マイクロ突起黒体の、90°方向からの外観写真である。 基板面に対し45°方向からArイオンビームを照射したナノ・マイクロ突起黒体の、90°方向からの外観写真である。 基板面に対し45°方向からArイオンビームを照射したナノ・マイクロ突起黒体の、45°方向からの外観写真である。 各条件で処理した亜鉛板に垂直方向から入射した光の反射率を示すグラフである。 図10から求めたArイオンビームの照射角と反射率の関係を、入射光波長毎に示すグラフである。 各種の金属の反射率を示すグラフである。 ナノ・マイクロ突起の直径、高さ、アスペクト比に及ぼす照射角の影響を示すグラフである。 ナノ・マイクロ突起の成長方向と、光の入射角度αを説明する2次元的な概念図である。 亜鉛メッキ鋼板における垂直入射光の反射率を示すグラフである。
以下に、本発明の実施例について説明する。
本発明においては金属ナノ・マイクロ突起黒体を形成する試料として、亜鉛からなる基板又は亜鉛層を表面に有する基板(以下、基板という)を用いる。亜鉛層を表面に有する基板として、亜鉛メッキ鋼板、亜鉛を蒸着したプラスチックなどを用いることができる。後述するように他の金属では黒体としての機能を発揮することはできない。ここでは、試料として10×10mm,t=0.1mmの冷間圧延した亜鉛基板を用いた。これを濃度が2モルの塩酸水溶液にて酸洗したのち、真空室に導き真空度を10−2Paに保持した後Arガスを5〜10Pa導入し、Arイオンビームを基板面に対する照射角度5〜90°として、加速電圧7kV,電流0.5mA、照射時間30分の条件で照射した。
図1には照射角度30°、図2には照射角度60°、図3には照射角度90°における試料表面の走査電子顕微鏡写真を示す。Arイオンを照射するとナノ・マイクロ突起はArイオンの照射方向に指向して成長する。照射角度30°の試料ではマイクロ・ナノ突起が斜めに成長しているので、細く伸長して観察されるが、照射角度90°の試料ではナノ・マイクロ突起は観察方向に成長しているので、突起の先端部が観察される。ナノ・マイクロ突起は、Arイオン照射によって形成された突起の核が、Zn原子の表面拡散により成長しチャージアップすることで、Arイオンビームの照射方向に成長するものと考えられる。
形成されたナノ・マイクロ突起は、円錐体及び円柱体を含む横断面丸形の形状である。図13には、ナノ・マイクロ突起の直径、高さ、アスペクト比に及ぼす照射角度の影響を示す。ナノ・マイクロ突起は、平均で長さが5μm、底面の直径(等価直径)が0.5μm、長さ/直径の比であるアスペクト比は10であった。また、数密度は、結晶面の方位によって異なるが、0.06〜6本/μmであった。
マイクロナノ・マイクロ突起のX線回折(XRD)によるキャラクタリゼーションの結果を、図4、5に示す。キャラクタリゼーションは、Cu−kαX線入射角度α=0.5degとしたGlancing Angle XRD による。ZnとZnOのピークが認められるが、ZnOのピークは小さく、ナノ・マイクロ突起は、ごく一部に不純物としてZnOを含有するが亜鉛を主体とするものであることが確認された。
図6-8には、各ナノ・マイクロ突起黒体に対して90°方向から見た場合の外観写真を示す。90°照射材(基板面に対し90°の角度でArイオンビームを照射した材料、以下同様)、75°照射材においては、黒色を呈した。これはナノ・マイクロ突起の群が垂直方向に成長しているために、突起間に光が侵入しやすく、かつ侵入した光が吸収されて反射されないためであると考えられる。一方、45°照射材では灰色がかった銀色を呈したが、これは成長したナノ・マイクロ突起の側面に衝突する光の割合が多くなって一部が反射し一部が吸収されるためであると考えられる。この45°照射材を45°方向から観察すると、図9に示すように、黒色を呈した。これは、ナノ・マイクロ突起の成長方向と光の侵入方向が一線上になるために、光が侵入しやすくなったためであると考えられる。なお、90°照射材は基板法線に対し30°以内、75°照射材は、突起の成長方向に対し30°以内で黒色を呈した。
図10には、各処理条件の亜鉛板について紫外可視赤外分光光度計により測定した反射率と波長の関係を示す。使用した機器は、日本分光株式会社製のV−670紫外可視近赤外分光光度計である。白色板の反射率を100%とし黒色板の反射率を0%として、測定結果を補正した。測定は試料面に対し垂直方向から光を照射したが、Arイオンビーム60°、75°、90°照射材は、紫外〜可視〜赤外光の広い波長領域にわたって98%以上の良好な光吸収性能(光の反射率2%以下)を示した。
Arイオンビーム30°45°照射材においては、可視光領域で90%前後の光吸収性能である。以上のように、Arイオンビームの照射方向を調整することによって、光の反射率を調整することができる。図11には、Arイオンビームの照射角度と光の反射率の関係を示すが、60〜90°照射材においては突起の成長方向に対して入射光のなす見込角が30°以内で黒色を呈する完全黒体となる。
30〜60°未満の照射材では、試料面に対して垂直方向から入射する光の吸収率は90%前後に低下するが、これらは、基板面に対して30°〜90°未満の角度で斜めに入射し、かつ突起の成長方向に対し30°以内で入射する光を95%以上吸収する。また、30°未満では垂直入射光の吸収率は60%程度と低下して、黒体として使用することはできないが、突起の成長方向に30°以内の入射光は95%以上吸収する。
図12には、Arイオンビームの照射角度75°で成長したAg,Au,Cu,Fe,Zr,Znの突起体における垂直入射光の反射率を示す。Znを除く全てのものは、可視光領域では30〜80%超の反射率を示すが、Znのみがほぼ完全に光を吸収する完全黒体であった。Znのみが光を吸収する理由については、現在検討中である。なお、本発明の完全黒体は、亜鉛メッキした金属やプラスチック、例えば亜鉛メッキ鋼板表面にも形成することができる。
図15には、亜鉛メッキ鋼板について75°の角度でArイオンビームを照射した材料の反射率の測定データを示す。表面を酸洗したものは、紫外〜可視〜赤外光領域に渡って95%以上の良好な光吸収を示す。
さて以下に、本発明に係るナノ・マイクロ突起黒体及びその製造条件を数値的に限定する。
本発明において照射せしめられるビームは、Arイオンビームに限定されるものではなく、ナノ・マイクロ突起を成長させうる高エネルギービームであればよく、Arイオンビームのほかに電子線、レーザービーム、X線、γ線、中性子線、粒子ビーム等を用いることができる。
高エネルギービームの照射角度は、板面に対して30〜90°、望ましくは60〜90°とし、加速電圧は、2−20kVとするのが望ましい。照射角度が30°未満では、板面に対して効率よくArイオンビームのエネルギーを供給するのが難しいからであり、また、90°を上限としたのは、それを超えて照射を行う必要がないからである。
また、加速電圧を2−20kVとするのは、高エネルギービームであるArイオンビームを照射する場合には、点欠陥などの照射欠陥や注入イオンが導入されにくい20kV以下の低電圧とするのが望ましく、一方2kV未満では電圧が弱すぎるからである。ぺニング型イオン源を用いた場合には、加速電圧5−10kV、照射角度30〜90°、照射時間10〜90分が望ましい。また、Arイオンビームの電流は、0.5〜1.5mAが望ましい。
好適なマイクロ突起の形状は、ほぼ円錐体で横断面丸形であるが、円柱体を含んでいてもよい。なお、外表面は外側に膨出していても、内側に湾曲していても構わない。横断面は、真円に限定されず楕円等の丸形のものであればよい。
ナノ・マイクロ突起、基部底面の直径dが10μm以下であって、直径に対する突起長さhの比であるアスペクト比(=h/d)が3以上であるのが望ましい。基部直径が10μmを超えると、微細なナノ・マイクロ突起を得るのが困難となるからであり、アスペクト比を3以上とするのは、3未満では比表面積を大きくして光吸収能を高めることができないからである。一方アスペクト比に上限を設けないのはこれが大きいほど光吸収能を高めることができるからである。
また、本発明のナノ・マイクロ突起黒体において、光の入射角は、突起の成長方向、即ち、高エネルギービームの照射方向に対して30°以内、即ち見込み角30°以内の円錐方向以内とする必要がある。入射角が30°を超えると、光がナノ・マイクロ突起の側面に衝突して吸収されにくくなって、黒体としての機能が低下するからである。図14には、ナノ・マイクロ突起の成長方向と、光の入射角度αを説明する2次元的な概念図を示す。この入射角度αが30°以内で入射光を95%以上吸収する。
また、本発明のナノ・マイクロ突起黒体の反射率は、95%以上必要である。95%未満では、黒体として十分な性能を発揮できないからである。なお、反射率は98%以上であるのが望ましい。
以上に説明した本発明のナノ・マイクロ突起黒体は、太陽光発電、太陽熱発電、光シャッター、光回路、ステルス基板、プラズモン励起基板等の多くの用途に用いることが期待される。

Claims (4)

  1. 亜鉛からなる基板又は亜鉛層を表面に有する基板と、この基板から成長・形成された亜鉛を主体とする多数のナノ・マイクロ突起とからなり、
    このナノ・マイクロ突起の形状が円錐体及び円柱体を含む横断面丸形であり、ナノ・マイクロ突起の底面の3μm以下の直径に対する高さの比であるアスペクト比が3以上であって、
    このナノ・マイクロ突起の成長方向に対して30°以内の角度で入射する紫外光又は可視光又赤外光を95%以上吸収することを特徴とする金属ナノ・マイクロ突起黒体。
  2. 基板面に対して90°の角度で垂直に入射する光に対して、基板面上に基板面に対して60°〜90°の角度でナノ・マイクロ突起を成長・形成して、紫外光又は可視光又赤外光を95%以上吸収するようにしたことを特徴とする請求項1に記載の金属ナノ・マイクロ突起黒体。
  3. 基板面に対して30°〜90°未満の角度で斜めに入射する光に対して、基板面上に入射光に対して30°以内の角度でナノ・マイクロ突起を成長・形成して、紫外光又は可視光又赤外光を95%以上吸収するようにしたことを特徴とする請求項1に記載の金属ナノ・マイクロ突起黒体。
  4. 真空中で、基板面に対し30〜90°の照射角度で、加速電圧2〜20kVで高エネルギービームを照射して、亜鉛を主体とする多数のナノ・マイクロ突起を、高エネルギービームの入射方向に成長・形成させて、請求項1又は2又は3に記載の金属ナノ・マイクロ突起黒体を製造することを特徴とする金属ナノ・マイクロ突起黒体の製造方法。
JP2012168117A 2012-07-30 2012-07-30 金属ナノ・マイクロ突起黒体及びその製造方法 Active JP6418514B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012168117A JP6418514B2 (ja) 2012-07-30 2012-07-30 金属ナノ・マイクロ突起黒体及びその製造方法
PCT/JP2013/068964 WO2014021072A1 (ja) 2012-07-30 2013-07-11 金属ナノ・マイクロ突起黒体及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012168117A JP6418514B2 (ja) 2012-07-30 2012-07-30 金属ナノ・マイクロ突起黒体及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014026197A true JP2014026197A (ja) 2014-02-06
JP6418514B2 JP6418514B2 (ja) 2018-11-07

Family

ID=50027756

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012168117A Active JP6418514B2 (ja) 2012-07-30 2012-07-30 金属ナノ・マイクロ突起黒体及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP6418514B2 (ja)
WO (1) WO2014021072A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11079284B2 (en) * 2018-01-11 2021-08-03 Tsinghua University Plane source blackbody
JP2022123932A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 プライムプラネットエナジー&ソリューションズ株式会社 ナノ突起構造体検査装置およびナノ突起構造体検査方法
JP7480939B2 (ja) 2020-02-28 2024-05-10 国立大学法人東北大学 Fe基ナノ・マイクロ突起体の製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6131437B2 (ja) * 2012-08-29 2017-05-24 国立大学法人東北大学 ナノ・マイクロ突起体の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004361906A (ja) * 2003-04-07 2004-12-24 Minolta Co Ltd 透過型光学素子および光学装置
JP2008068384A (ja) * 2006-09-15 2008-03-27 Tohoku Univ マイクロ・ナノ突起構造体及びその製造方法
JP2008221439A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Tohoku Univ ナノ突起構造体及びその製造方法
WO2010026853A1 (ja) * 2008-09-05 2010-03-11 住友金属鉱山株式会社 黒色被覆膜とその製造方法、黒色遮光板、及び、それを用いた絞り、光量調整用絞り装置、シャッター、並びに耐熱遮光テープ
WO2011013401A1 (ja) * 2009-07-28 2011-02-03 シャープ株式会社 光学フィルム、その製造方法及びその光学特性を制御する方法
JP2011056638A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Tohoku Univ マイクロ・ナノ突起構造体及びその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004361906A (ja) * 2003-04-07 2004-12-24 Minolta Co Ltd 透過型光学素子および光学装置
JP2008068384A (ja) * 2006-09-15 2008-03-27 Tohoku Univ マイクロ・ナノ突起構造体及びその製造方法
JP2008221439A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Tohoku Univ ナノ突起構造体及びその製造方法
WO2010026853A1 (ja) * 2008-09-05 2010-03-11 住友金属鉱山株式会社 黒色被覆膜とその製造方法、黒色遮光板、及び、それを用いた絞り、光量調整用絞り装置、シャッター、並びに耐熱遮光テープ
WO2011013401A1 (ja) * 2009-07-28 2011-02-03 シャープ株式会社 光学フィルム、その製造方法及びその光学特性を制御する方法
JP2011056638A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Tohoku Univ マイクロ・ナノ突起構造体及びその製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11079284B2 (en) * 2018-01-11 2021-08-03 Tsinghua University Plane source blackbody
TWI739994B (zh) * 2018-01-11 2021-09-21 鴻海精密工業股份有限公司 面源黑體
JP7480939B2 (ja) 2020-02-28 2024-05-10 国立大学法人東北大学 Fe基ナノ・マイクロ突起体の製造方法
JP2022123932A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 プライムプラネットエナジー&ソリューションズ株式会社 ナノ突起構造体検査装置およびナノ突起構造体検査方法
JP7191137B2 (ja) 2021-02-15 2022-12-16 プライムプラネットエナジー&ソリューションズ株式会社 ナノ突起構造体検査装置およびナノ突起構造体検査方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014021072A1 (ja) 2014-02-06
JP6418514B2 (ja) 2018-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8609205B2 (en) Method for depositing crystalline titania nanoparticles and films
CN103769609B (zh) 一种贵金属-半导体复合结构微纳颗粒、制备方法、应用
JP6418514B2 (ja) 金属ナノ・マイクロ突起黒体及びその製造方法
EP3375912B1 (en) Composite material device
Chang et al. Light-trapping effects and dye adsorption of ZnO hemisphere-array surface containing growth-hindered nanorods
Ning et al. Formation of VO 2 zero-dimensional/nanoporous layers with large supercooling effects and enhanced thermochromic properties
Khashan et al. Indium nitride nanoparticles prepared by laser ablation in liquid
Singh et al. Nanotechnology: The future engineering
CN109913927A (zh) 一种基于飞秒激光增强自掺杂的二氧化钛光电极制备方法
CN101327946A (zh) 一种具有特殊形貌的微-纳颗粒及其制备方法与应用
Atwa et al. Optical, structural and optoelectronic properties of pulsed laser deposition PbS thin film
Xie et al. Visible light photoelectrochemical properties of N-doped TiO2 nanorod arrays from TiN
Abdulrahman et al. Impact of radio frequency plasma power on the structure, crystallinity, dislocation density, and the energy band gap of ZnO nanostructure
Chhikara et al. On the synthesis of Zn/ZnO core–shell solid microspheres on quartz substrate by thermal evaporation technique
CN105154846A (zh) 超高吸收率消杂光表面的制造方法
Abdulrahman et al. Nb2O5 nano and microspheres fabricated by laser ablation
Albetran et al. Parameters controlling the crystallization kinetics of nanostructured TiO2–An overview
Owen Growth, Etching, and Stability of Sputtered ZnO: AI for Thin-Film Silicon Solar Cells
JP2011056638A (ja) マイクロ・ナノ突起構造体及びその製造方法
Kolobov et al. Phase composition and structure of femtosecond laser-produced oxide layer on VT6 alloy surface
Sholehah et al. Effect of posthydrothermal treatments on the physical properties of ZnO layer derived from chemical bath deposition
Lee et al. Growth of ZnO-nanorod grating on the seed grating produced by femtosecond laser pulses
Wang et al. Synthesis of ultrafine titania nano-cages by pulsed laser ablation of Ti/Al alloy in ammonium hydroxide
Vallières et al. Laser-driven proton acceleration with nanostructured targets
Rasool et al. Effect of Ar-plasma treatment and annealing on thermally evaporated β-In2S3 thin films

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150609

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160712

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20160831

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20160901

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160909

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20160912

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161005

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170221

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170419

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20170420

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20170802

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20171023

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180928

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6418514

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250