JP2014022467A - 露光装置、校正方法および物品の製造方法 - Google Patents
露光装置、校正方法および物品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014022467A JP2014022467A JP2012157968A JP2012157968A JP2014022467A JP 2014022467 A JP2014022467 A JP 2014022467A JP 2012157968 A JP2012157968 A JP 2012157968A JP 2012157968 A JP2012157968 A JP 2012157968A JP 2014022467 A JP2014022467 A JP 2014022467A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shot
- mark
- exposure apparatus
- substrate
- shot area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】露光装置において、基板ステージを高精度に制御するために有利な技術を提供する。
【解決手段】基板を露光する露光装置100は、基板を保持して移動可能な基板ステージ6と、基板ステージの位置を計測する位置計測部8と、位置計測部を支持する構造体7と、構造体に加わる力を計測する力計測部9と、力計測部における計測値と補正係数とに基づいて基板ステージの位置を制御するための指令値を補正する補正部13と、補正部による補正を行わずに露光された複数のショット領域を有する評価用基板を用いて補正係数を算出する算出部12と、を含み、複数のショット領域間の第1マークと第2マークとの位置ずれ情報、および各ショット領域を露光する際において力計測部によって計測された計測値に基づいて補正係数を算出する。
【選択図】図1
【解決手段】基板を露光する露光装置100は、基板を保持して移動可能な基板ステージ6と、基板ステージの位置を計測する位置計測部8と、位置計測部を支持する構造体7と、構造体に加わる力を計測する力計測部9と、力計測部における計測値と補正係数とに基づいて基板ステージの位置を制御するための指令値を補正する補正部13と、補正部による補正を行わずに露光された複数のショット領域を有する評価用基板を用いて補正係数を算出する算出部12と、を含み、複数のショット領域間の第1マークと第2マークとの位置ずれ情報、および各ショット領域を露光する際において力計測部によって計測された計測値に基づいて補正係数を算出する。
【選択図】図1
Description
本発明は、露光装置およびその校正方法、並びに物品の製造方法に関する。
露光装置では、半導体集積回路における回路パターンの微細化および高集積化に伴って、基板ステージの位置を高精度に制御することがより重要になってきている。そのため、基板ステージの位置を計測する計測器は、計測器の位置ずれが生じにくいように、変形しにくい高剛性材料で形成された構造体によって支持される。
しかしながら、構造体は、それを支持する支持台からの振動や基板ステージの移動に伴う反力などによって力が加わることによって変形しうる。これにより、構造体に取り付けられている計測器の位置がずれてしまう。そして、このような計測器の位置ずれは、基板ステージの位置計測に誤差を生じさせる原因となる。そこで、特許文献1には、パターンが重ねて形成された評価用基板を用いて、重なったパターンの位置ずれ情報と、各パターンを形成する際に構造体に加わる力の差とに基づいて補正係数を算出し、補正係数に基づいて計測誤差を補正する方法が提案されている。
特許文献1の露光装置では、補正係数は、パターンが重ねて形成された評価用基板を用い、重なったパターンの位置ずれ情報と、各パターンを形成する際に構造体に加わる力の差とに基づいて算出される。しかしながら、パターンが重ねて形成された評価用基板によって補正係数を算出する場合、第1層目のパターンを形成する際と第2層目のパターンをを形成する際とで基板ステージの位置がほとんど変わらない。そのため、重なったパターンの位置ずれ、および各パターンを形成する際に構造体に加わる力の差が小さく、特許文献1の露光装置における補正係数では、基板ステージの位置制御系を校正するには不十分であった。
そこで、本発明は、露光装置において、基板ステージを高精度に制御するために有利な技術を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、基板を露光する露光装置であって、前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、前記基板ステージの位置を計測する位置計測部と、前記位置計測部を支持する構造体と、前記構造体に加わる力を計測する力計測部と、前記力計測部における計測値と補正係数とに基づいて、前記基板ステージの位置を制御するための指令値を補正する補正部と、前記補正部による補正を行わずに露光された複数のショット領域を有する評価用基板を用いて前記補正係数を算出する算出部と、を含み、前記複数のショット領域は、第1ショット領域と、前記第1ショット領域に隣り合う第2ショット領域と、前記第2ショット領域に隣り合う第3ショット領域とを含み、各ショット領域は、第1マークおよび第2マークを含み、前記算出部は、前記第1ショット領域の第1マークと前記第2ショット領域の第2マークとの位置ずれ情報、前記第2ショット領域の第1マークと前記第3ショット領域の第2マークとの位置ずれ情報、および各ショット領域を露光する際において前記力計測部によって計測された計測値に基づいて前記補正係数を算出することを特徴とする。
本発明によれば、露光装置において、基板ステージを高精度に制御するために有利な技術を提供することができる
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。また、明細書および図面では、投影光学系の光軸に平行な方向をz方向、z方向に垂直な面内において互いに直交する2つの方向をそれぞれx方向およびy方向として説明する。
<第1実施形態>
本発明の第1実施形態の露光装置100について、図1を参照して説明する。第1実施形態の露光装置100は、照明系1と、マスクステージ3と、投影光学系4と、基板ステージ6と、構造体7と、位置計測部8と、力計測部9とを備える。また、露光装置100は、基板ステージ6の位置を制御する位置制御系11と、補正係数を算出する算出部12と、基板ステージ6の位置を制御するための指令値を補正する補正部13とを備える。
本発明の第1実施形態の露光装置100について、図1を参照して説明する。第1実施形態の露光装置100は、照明系1と、マスクステージ3と、投影光学系4と、基板ステージ6と、構造体7と、位置計測部8と、力計測部9とを備える。また、露光装置100は、基板ステージ6の位置を制御する位置制御系11と、補正係数を算出する算出部12と、基板ステージ6の位置を制御するための指令値を補正する補正部13とを備える。
照明系1は、光源から射出された露光光によって、マスクステージ3に保持されたマスク2を照明する。投影光学系4は、所定の倍率(例えば1倍)を有し、マスク2に形成されたパターンを基板5に投影する。基板ステージ6は、基板5を保持し、露光光の光軸方向(z方向)と直交する方向(xy方向)に移動可能に構成される。位置計測部8は、例えば、構造体7に取り付けられたレーザー干渉計を含み、基板ステージ6の位置を計測する。レーザー干渉計は、レーザー光8aを基板ステージ6が備える反射板(不図示)に向けて照射し、反射板で反射したレーザー光8aによって基板ステージ6における基準位置からの変位を検出する。位置計測部8は、レーザー干渉計によって検出された変位に基づいて基板ステージ6の現在位置を算出する。構造体7は、投影光学系4、基板ステージ6および位置計測部8を支持しており、位置計測部8の位置ずれを生じにくくするため、変形しにくい高剛性材料で形成されている。また、構造体7は、例えば空気ばね10aを介して、支持台10によって支持されている。力計測部9は、支持台10から構造体7に加わる力を計測する。構造体7に加わる力(力計測部9によって計測された計測値)は、例えば、支持台10と構造体7との間における空気ばね10aの圧力値を計測し、計測した圧力値に有効断面積(構造体7において力が加わる面の面積)を乗じて算出される。
位置制御系11は、基板ステージ6の目標位置から現在位置を減算して指令値を生成する減算器11aと、基板ステージ6を制御する制御部11bとで構成される。減算器11aは、基板ステージ6の目標位置と、位置計測部8によって計測された基板ステージ6の現在位置との制御偏差を算出し、算出した制御偏差が小さくなるように基板ステージ6を制御するための指令値を生成する。制御部11bは、減算器11aにおいて生成された指令値に基づいて基板ステージ6を制御する。
投影光学系4、基板ステージ6および位置計測部8は、位置計測部8の位置ずれを生じにくくするため、変形しにくい高剛性材料で形成された構造体7によって支持されている。しかしながら、構造体7には、構造体7を支持する支持台10からの振動や基板ステージ6の移動に伴う反力などによって力が加わるため、僅かではあるが構造体7が変形し、構造体7に取り付けられた位置計測部8の位置がずれてしまう。ここで、位置計測部8の位置ずれについて図2を参照して説明する。図2は、露光装置100における投影光学系4、位置計測部8およびそれらを支持する構造体7を示す図である。構造体7に力が加わっていない状態では、図2(a)に示すように、位置計測部8は投影光学系4の光軸4aから距離8bだけ離れた位置になる。その一方で、構造体7に力(f3およびf4)が加わった状態では、図2(b)に示すように、構造体7が力によって変形し、位置計測部8は投影光学系4の光軸4aから距離8cだけ離れた位置になる。即ち、構造体7に力が加わって構造体7が変形すると、位置計測部8の位置がずれるため、位置計測部8における基板ステージ6の位置の計測値に誤差が生じてしまいうる。このような位置計測部8の位置ずれを抑制する一つの手段としては、構造体7の剛性を更に高めることが挙げられる。しかし、構造体7の剛性を高めることは、露光装置のコストアップや、露光装置の輸送および設置場所の制約などを伴ってしまう。そこで、第1実施形態の露光装置100は、補正係数を算出する算出部12と、基板ステージ6を制御するための指令値を補正する補正部13とを備え、基板ステージ6の位置を校正する。
算出部12は、補正部13による補正を行わずに露光された複数のショット領域を有する評価用基板を用いて、補正係数を算出する。ここで、第1実施形態の露光装置100において補正係数を算出する方法を、特許文献1の露光装置と比較して説明する。まず、特許文献1の露光装置において補正係数を算出する方法を説明する。特許文献1の露光装置では、複数のショット領域が重ねて形成された評価用基板を用いて補正係数が算出される。具体的には、第1マークと第2マークとが近接して形成されたマスクを用い、第1層目の露光におけるショット領域(以下、第1パターン20)に、第2層目の露光におけるショット領域(以下、第2パターン21)が評価用基板上に重ねて形成される。図3は、評価用基板上に重ねて形成された第1パターン20と第2パターン21とを示す図である。図3において、実線は第1パターン20を示しており、第1パターン20には第1マーク20aおよび第2マーク20bが近接して形成されている。同様に、破線は第2パターン21を示し、第2パターン21には第1マーク21aおよび第2マーク21bが近接して形成されている。第1パターン20に第2パターン21を重ねて形成する際、図3に示すように、第2パターン21の第1マーク21aおよび第2マーク21bが、第1パターン20の第2マーク20bおよび第1マーク20aにそれぞれに重なるように基板ステージが制御される。このとき、構造体7には上述したように力が加わっているため、構造体7が変形し、位置計測部8における基板ステージ6の位置計測に誤差が生じてしまう。その結果、第1パターン20のマークと第2パターン21のマークとの間にも相対的な位置ずれ(x方向の位置ずれをdx、y方向の位置ずれをdyとする)が生じる。この相対的な位置ずれ情報(dxおよびdy)と、第1パターン20および第2パターン21を形成する際に力計測部9によって計測された計測値の差に基づいて補正係数が算出される。特許文献1の露光装置のおいて補正係数を算出する場合、第1パターン20を形成する際と第2パターン21を形成する際とで基板ステージ6の位置がほとんど変わらない。そのため、第1パターン20と第2パターン21との位置ずれ、および各パターンを形成する際に構造体に加わる力の差が小さくなり、基板ステージ6の位置制御系を校正することが不十分になってしまいうる。そこで、第1実施形態の露光装置100では、複数のショット領域が並べて形成された評価用基板を用いて補正係数が算出される。
次に、第1実施形態の露光装置100において補正係数を算出する方法を説明する。第1実施形態の露光装置100では、第1マークと第2マークとがx方向(第1方向)に、および第3マークと第4マークとがy方向(第2方向)に離隔して形成されたマスクを用い、図4に示すように、複数のショット領域30が評価用基板上に並べて形成される。図4は、評価用基板上に並べて形成された複数のショット領域30を示す図である。図4において、各ショット領域30における番号は、各ショット領域30が露光された順番である。各ショット領域内30には、第1マーク30aと第2マーク30bとがx方向(第1方向)に、および第3マーク30cと第4マーク30dとがy方向(第2方向)に離隔して形成されている。複数のショット領域30は、x方向に沿って配列された複数のショット領域31(第1ショット領域31a、第2ショット領域31b、第3ショット領域31c・・・)を含む。また、複数のショット領域30は、複数のショット領域31からy方向にずれた位置においてx方向に沿って配列された複数のショット領域32(第6ショット領域32a、第7ショット領域32b、第8ショット領域32c・・・)を含む。
複数のショット領域30において、x方向に隣り合うショット領域のうち一方における第1マーク30aと他方における第2マーク30bとは互いに重なるように配置される。例えば、1番目に露光された第1ショット領域31aと2番目に露光された第2ショット領域31bとにおける配置関係を図5(a)に示す。図5(a)において、破線は1番目に露光された第1ショット領域31aを示し、実線は2番目に露光された第2ショット領域31bを示す。また、第1ショット領域31aおよび第2ショット領域31bにはそれぞれ、第1マーク30aおよび第2マーク30bがx方向(第1方向)に離隔して形成されている(第3マーク30cおよび第4マーク30dは省略する)。図5(a)に示すように、第2ショット領域31bを露光する際、第2ショット領域31bの第2マーク30bが第1ショット領域31aの第1マーク30aに重なるように基板ステージ6が制御される。このとき、構造体7には上述したように力が加わっているため、構造体7が変形し、位置計測部8における基板ステージ6の位置の計測値に計測誤差が生じてしまう。その結果、第1ショット領域31aの第1マーク30aと第2ショット領域31bの第2マーク30bとの間に相対的な位置ずれ(x方向の位置ずれをdx、y方向の位置ずれをdyとする)が生じる。
同様に、複数のショット領域30において、y方向に隣り合うショット領域のうち一方における第3マーク30cと他方における第4マーク30dとは互いに重なるように配置される。例えば、1番目に露光された第1ショット領域31aと10番目に露光された第10ショット領域32eとにおける配置関係を図5(b)に示す。図5(b)において、破線は1番目に露光された第1ショット領域31aを示し、実線は10番目に露光された第10ショット領域32eを示す。また、第1ショット領域31aおよび第10ショット領域32eにはそれぞれ、第3マーク30cおよび第4マーク30dがy方向(第2方向)に離隔して形成されている(第1マーク30aおよび第2マーク30bは省略する)。図5(b)に示すように、第10ショット領域32eを露光する際、第10ショット領域32eの第4マーク30dが第1ショット領域31aの第3マーク30cに重なるように基板ステージ6が制御される。このとき、構造体7には上述したように力が加わっているため、構造体7が変形し、位置計測部8における基板ステージ6の位置の計測値に計測誤差が生じてしまう。その結果、第1ショット領域31aの第3マーク30cと第10ショット領域32eの第4マーク30dとの間に相対的な位置ずれ(x方向の位置ずれをdx、y方向の位置ずれをdyとする)が生じる。
このように、複数のショット領域30が並べて形成された評価用基板では、特許文献1の露光装置と比べて、各ショット領域30を露光する際の基板ステージ6の位置の差が大きくなる。そのため、隣り合うショット領域における相対的な位置ずれ、および各ショット領域30を形成する際に構造体7に加わる力の差を大きくすることができ、基板ステージ6の位置の計測誤差を補正するために十分な補正係数を算出することができる。ここで、第1実施形態の露光装置100において、算出部12が補正係数を算出する算出方法について説明する。図4に示すように複数のショット領域30が並べて形成された評価用基板において、隣り合うショット領域におけるマーク(第1マークと第2マーク、または第3マークと第4マーク)の相対的な位置ずれ(dxおよびdy)をxm_nおよびym_nと規定する。mおよびnは、各ショット領域30が露光された順番である。例えば、1番目に露光された第1ショット領域31aと2番目に露光された第2ショット領域31bとにおける相対的な位置ずれは、dxがx1_2およびdyがy1_2と規定することができる。また、1番目に露光された第1ショット領域31aと10番目に露光された第10ショット領域32eとにおける相対的な位置ずれは、dxがx1_10およびdyがy1_10と規定することができる。このように相対的な位置ずれを規定した場合、複数のショット領域30における相対的な位置ずれ(x方向の位置ずれをX、およびy方向の位置ずれをYとする)は式(1)によって表される。
各ショット領域30を露光する際、構造体7には、例えば図1に示すように、4つの力f1〜f4が加わるとする。構造体7に加わる力f1〜f4は、上述したように、力計測部9によって計測され、具体的には、支持台10と構造体7との間における空気ばね10aの圧力値を計測し、計測した圧力値に有効断面積(構造体7において力が加わる面の面積)を乗じて算出される。そして、構造体7に加わる力f1〜f4は、各ショット領域30を露光する際に力計測部9によって計測され、各ショット領域30を露光する際において構造体7に加わる力f1〜f4をfm_1〜fm_4と規定する。mは、各ショット領域30が露光された順番である。例えば、1番目に露光された第1ショット領域31aでは、第1ショット領域31aを露光する際において構造体7に加わる力はf1_1〜f1_4と規定することができる。このように構造体7に加わる力を規定した場合、複数のショット領域30を露光する際において構造体7に加わる力Fは式(2)によって表される。また、隣り合うショット領域のそれぞれを露光する際に構造体7に加わる力の差Pは式(3)によって表される。なお、構造体7の振動を抑制するため、支持台10と構造体7との間に、例えばリニアモータを併設する場合がある。この場合、リニアモータの推力値も、構造体7に加わる力として追加することができる。また、第1実施形態における構造体7には、4つの力が加わるとしたが、より多くの力を考慮してもよい。
隣り合うショット領域におけるマークの相対的な位置ずれxm_nおよびym_nは、各ショット領域を露光する際において構造体7に加わる力の差Pに、比例定数を乗じて足したものとなる。そのため、比例定数が式(4)によって表されるとすると、xm_nおよびym_nは、それぞれ式(5)によって表され、複数のショット領域30における相対的な位置ずれ(XおよびY)は式(6)および式(7)によって表される。
即ち、複数のショット領域30における相対的な位置ずれ(XおよびY)と、各ショット領域30を露光する際において構造体7に加わる力の差Pとの関係は、式(8)によって表される。構造体7に加わる力の差Pの疑似逆行列を式(8)の両辺に乗ずると、比例定数AxおよびAyが算出される。この比例定数AxおよびAyは、実際に基板を露光する際の補正係数となる。
評価用基板を用いて算出された補正係数(比例定数)は、補正部13において、実際に基板を露光する際に構造体7に加わる力と乗じられ、基板ステージ6の位置を制御するための指令値を補正する補正値が得られる。具体的には、ある時刻tにおいて、位置計測部8のx方向の誤差Dx(t)およびy方向の計測誤差Dy(t)は、構造体7に加わる力(力計測部9おける計測値)をf1(t)〜f4(t)とすると、式(9)によって表される。補正部13は、この計測誤差Dx(t)およびDy(t)を補正値として位置制御系11に供給し、基板ステージ6の位置を制御するための指令値を補正する。ここで、指令値の補正は、例えば、基板ステージ6の目標位置または位置計測部8の計測値を補正することによって行われる。
上述したように、第1実施形態の露光装置100は、複数のショット領域30が並んで形成された評価用基板を用いて補正係数を算出し、算出した補正係数と力計測部9における計測値とに基づいて基板ステージ6の位置を制御するための指令値を補正する。これにより、位置計測部8における計測誤差を補正するために十分な補正係数を算出することができ、高精度に露光装置100を校正することができる。ここで、第1実施形態の露光装置100における評価用基板では、隣り合うショット領域の位置ずれは、重なり合ったマークによって計測した。これは、重なり合ったマークの位置ずれを高精度に計測するためであり、マークを重ね合わせなくても高精度に計測できる場合は、隣り合うショット領域におけるマークを重ね合わせなくてもよい。即ち、各ショット領域を離隔して配置させてもよい。
<物品の製造方法の実施形態>
本発明の実施形態にかける物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の走査露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
本発明の実施形態にかける物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の走査露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
Claims (9)
- 基板を露光する露光装置であって、
前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、
前記基板ステージの位置を計測する位置計測部と、
前記位置計測部を支持する構造体と、
前記構造体に加わる力を計測する力計測部と、
前記力計測部における計測値と補正係数とに基づいて、前記基板ステージの位置を制御するための指令値を補正する補正部と、
前記補正部による補正を行わずに露光された複数のショット領域を有する評価用基板を用いて前記補正係数を算出する算出部と、
を含み、
前記複数のショット領域は、第1ショット領域と、前記第1ショット領域に隣り合う第2ショット領域と、前記第2ショット領域に隣り合う第3ショット領域とを含み、
各ショット領域は、第1マークおよび第2マークを含み、
前記算出部は、前記第1ショット領域の第1マークと前記第2ショット領域の第2マークとの位置ずれ情報、前記第2ショット領域の第1マークと前記第3ショット領域の第2マークとの位置ずれ情報、および各ショット領域を露光する際において前記力計測部によって計測された計測値に基づいて前記補正係数を算出することを特徴とする露光装置。 - 各ショット領域が含む第1マークおよび第2マークは、各ショット領域内において第1方向に離隔して配置され、
前記複数のショット領域は、前記第1方向に沿って配列された複数のショット領域を含むことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 - 前記第1方向に隣り合うショット領域は、それらのうち一方における第1マークと他方における第2マークとが重なるように配置されることを特徴とする請求項2に記載の露光装置。
- 前記第1方向に沿って配列された複数のショット領域は、前記第1ショット領域、前記第2ショット領域および前記第3ショット領域を含むことを特徴とする請求項2又は3に記載の露光装置。
- 各ショット領域は、前記第1方向と異なる第2方向に離隔して配置された第3マークおよび第4マークを更に含み、
前記複数のショット領域は、前記第1方向に沿って配列された複数のショット領域から前記第2方向にずれた位置に配置された複数のショット領域を更に含み、
前記第2方向にずれた位置に配置された複数のショット領域は、前記第1方向に沿って配列されることを特徴とする請求項2又は3に記載の露光装置。 - 前記算出部は、前記第2方向に隣り合うショット領域のうち一方における第3マークと他方における第4マークとの位置ずれ情報を更に用いて前記補正係数を算出することを特徴とする請求項5に記載の露光装置。
- 前記第2方向に隣り合うショット領域は、それらのうち一方における第3マークと他方における第4マークとが重なるように配置されることを特徴とする請求項5又は6に記載の露光装置。
- 請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
前記ステップで露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とする物品の製造方法。 - 基板を保持して移動可能な基板ステージと、前記基板ステージの位置を計測する位置計測部と、前記位置計測部を支持する構造体とを有し、前記基板を露光する露光装置を校正する校正方法であって、
離隔して配置された第1マークと第2マークとをそれぞれ含む複数のショット領域を有する評価用基板を用い、第1ショット領域の第1マークと前記第1ショット領域に隣り合う第2ショット領域の第2マークとの位置ずれ情報、前記第2ショット領域の第1マークと前記第2ショット領域に隣り合う第3ショット領域の第2マークとの位置ずれ情報、および各ショット領域を露光する際において前記構造体に加わる力に基づいて補正係数を算出する算出工程を含み、
前記複数のショット領域は、前記第1ショット領域、前記第2ショット領域および前記第3ショット領域を含み、
前記補正係数は、前記基板ステージの位置を制御するための指令値を補正するための係数であることを特徴とする校正方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012157968A JP2014022467A (ja) | 2012-07-13 | 2012-07-13 | 露光装置、校正方法および物品の製造方法 |
TW102121550A TWI502289B (zh) | 2012-07-13 | 2013-06-18 | 曝光設備、校正方法及製造物品之方法 |
KR1020130078802A KR101630014B1 (ko) | 2012-07-13 | 2013-07-05 | 노광 장치, 교정 방법 및 물품 제조 방법 |
US13/940,313 US8988656B2 (en) | 2012-07-13 | 2013-07-12 | Exposure apparatus, calibration method, and method of manufacturing article |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012157968A JP2014022467A (ja) | 2012-07-13 | 2012-07-13 | 露光装置、校正方法および物品の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014022467A true JP2014022467A (ja) | 2014-02-03 |
Family
ID=49913746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012157968A Pending JP2014022467A (ja) | 2012-07-13 | 2012-07-13 | 露光装置、校正方法および物品の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8988656B2 (ja) |
JP (1) | JP2014022467A (ja) |
KR (1) | KR101630014B1 (ja) |
TW (1) | TWI502289B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017010080A (ja) * | 2015-06-16 | 2017-01-12 | キヤノン株式会社 | 支持装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
JP2021121872A (ja) * | 2016-08-24 | 2021-08-26 | 株式会社ニコン | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10609663B2 (en) | 2014-07-11 | 2020-03-31 | Qualcomm Incorporated | Techniques for reporting timing differences in multiple connectivity wireless communications |
CN113056522B (zh) * | 2019-10-25 | 2023-09-29 | 株式会社Lg化学 | 聚芳硫醚树脂组合物、制备该树脂组合物的方法和使用该树脂组合物制造的绝热材料 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH118189A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-12 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JPH1145850A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Canon Inc | 投影露光装置および方法 |
JP2000299278A (ja) * | 1999-04-16 | 2000-10-24 | Canon Inc | 投影露光装置、投影露光方法、及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP2001006993A (ja) * | 1999-06-17 | 2001-01-12 | Canon Inc | 投影露光方法および装置 |
US6330052B1 (en) * | 1997-06-13 | 2001-12-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and its control method, stage apparatus, and device manufacturing method |
JP2002134397A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Sony Corp | フォトマスク、半導体装置、半導体チップパターンの露光方法、チップアライメント精度検査装置 |
JP2005310832A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-11-04 | Nikon Corp | ステージ制御方法、露光方法及びステージ装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000182928A (ja) * | 1998-12-14 | 2000-06-30 | Canon Inc | 露光装置および方法ならびにデバイス製造方法 |
US7433050B2 (en) * | 2005-10-05 | 2008-10-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method |
US20090033895A1 (en) * | 2007-07-30 | 2009-02-05 | Nikon Corporation | Lithography apparatus with flexibly supported optical system |
-
2012
- 2012-07-13 JP JP2012157968A patent/JP2014022467A/ja active Pending
-
2013
- 2013-06-18 TW TW102121550A patent/TWI502289B/zh active
- 2013-07-05 KR KR1020130078802A patent/KR101630014B1/ko active IP Right Grant
- 2013-07-12 US US13/940,313 patent/US8988656B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH118189A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-12 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US6330052B1 (en) * | 1997-06-13 | 2001-12-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and its control method, stage apparatus, and device manufacturing method |
JPH1145850A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Canon Inc | 投影露光装置および方法 |
JP2000299278A (ja) * | 1999-04-16 | 2000-10-24 | Canon Inc | 投影露光装置、投影露光方法、及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP2001006993A (ja) * | 1999-06-17 | 2001-01-12 | Canon Inc | 投影露光方法および装置 |
JP2002134397A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Sony Corp | フォトマスク、半導体装置、半導体チップパターンの露光方法、チップアライメント精度検査装置 |
JP2005310832A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-11-04 | Nikon Corp | ステージ制御方法、露光方法及びステージ装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017010080A (ja) * | 2015-06-16 | 2017-01-12 | キヤノン株式会社 | 支持装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
JP2021121872A (ja) * | 2016-08-24 | 2021-08-26 | 株式会社ニコン | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8988656B2 (en) | 2015-03-24 |
TW201403252A (zh) | 2014-01-16 |
TWI502289B (zh) | 2015-10-01 |
US20140016111A1 (en) | 2014-01-16 |
KR20140009032A (ko) | 2014-01-22 |
KR101630014B1 (ko) | 2016-06-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102203305B1 (ko) | 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 | |
TWI401767B (zh) | 定位設備、曝光設備及裝置製造方法 | |
JP5903891B2 (ja) | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
JP2014022467A (ja) | 露光装置、校正方法および物品の製造方法 | |
JP2008021748A (ja) | 露光装置 | |
CN111971622A (zh) | 位置测量系统、干涉仪系统和光刻装置 | |
US8902405B2 (en) | Stage apparatus, exposure apparatus and device fabrication method | |
JP2010243413A (ja) | 測定装置、露光装置及びデバイスの製造方法 | |
JP2005310832A (ja) | ステージ制御方法、露光方法及びステージ装置 | |
JP6727554B2 (ja) | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び露光方法 | |
JP5771938B2 (ja) | 露光方法、サーバ装置、露光装置及びデバイスの製造方法 | |
US11442372B2 (en) | Method of measuring an alignment mark or an alignment mark assembly, alignment system, and lithographic tool | |
WO2012137866A1 (ja) | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
JP2015043390A (ja) | リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 | |
US8928882B2 (en) | Measurement apparatus, exposure apparatus, and device fabrication method | |
JP6688330B2 (ja) | 露光方法、露光装置、決定方法および物品製造方法 | |
JP2009206203A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
CN112585539A (zh) | 用于校准物体装载过程的平台设备和方法 | |
JP6039925B2 (ja) | 露光装置および物品の製造方法 | |
JP2017072678A (ja) | 露光装置、露光方法、及び物品の製造方法 | |
JP2022088199A (ja) | 露光装置、露光方法、決定方法、プログラム及び物品の製造方法 | |
JP2016032003A (ja) | リソグラフィ装置、照射方法、及びデバイスの製造方法 | |
CN116157908A (zh) | 在光刻过程期间投影到物体上的标记和用于设计标记的方法 | |
JP2023107952A (ja) | 露光装置およびその制御方法、および、物品製造方法 | |
JP2013239639A (ja) | 露光装置及びその調整方法、パターンのずれの計測方法、並びに、デバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150624 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160527 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160701 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170113 |