JP2001006993A

JP2001006993A - 投影露光方法および装置

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Publication number: JP2001006993A
Application number: JP11171369A
Authority: JP
Inventors: Yozo Fukagawa; 容三深川
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-06-17
Filing date: 1999-06-17
Publication date: 2001-01-12
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Abstract

(57)【要約】【課題】ステージ位置計測計の誤差をより高精度に補
正する。【解決手段】原版５に描画されたパターンを結像する
投影光学系１と、被露光基板６を搭載してその結像位置
に移動させるステージ１４と、該ステージの位置制御に
用いるステージ位置計測計３と、該投影光学系とステー
ジ位置計測計を保持する本体構造体２と、該本体構造体
を支持する支持台２３とを備え、前記本体構造体に作用
する力の変動量またはこれらに比例する物理量を計測
（２２）し、該計測結果に基づいて補正係数を求め、該
補正係数に基づいて前記ステージ位置計測計と被露光基
板表面上の投影画像の相対位置誤差を補正する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レチクル上の回路
パターンを照明光で照明し、投影光学系を介してウエハ
上に投影露光する方法および装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】投影露光装置は、高い像性能と重ね合わ
せ精度が求められるため、露光装置に使用される位置決
めステージの位置計測計は、投影光学系と共に重量構造
で剛性の高い本体構造体に取付けられ、計測基準ズレを
生じにくいようになっている。しかしながら、本体構造
体を支持する支持台から侵入する床振動によって、僅か
ではあるが本体構造体が弾性変形する。また本体構造体
に移動するステージを搭載した場合、移動するステージ
の重量によって本体構造体の支持力が変化するので、本
体構造体の弾性変形を生じる。このような現象から、投
影レンズの露光光軸に対するステージ位置計測計の取付
け位置や姿勢が変化し、ステージの位置計測誤差を生じ
る。

【０００３】一方、ＩＣやＬＳＩ等の半導体集積回路の
パターンが微細化するのに伴い、より高い精度が要求さ
れる傾向にあるが、従来のような本体構造体の高剛性化
は著しい重量増加を招き、装置の搬出、搬入、設置等の
面で非常に取り扱いにくい製品にすることから、本体構
造体の高剛性化はもはや限界に近づいていた。

【０００４】そこで、投影本体構造体の弾性変形とそれ
による計測誤差が、原因となる作用力の線形和になるこ
とを利用し、これを原因とするステージ位置計測誤差を
リアルタイムに補正する技術が開発された。これは、例
えばステージを移動することにより本体構造体に強制的
な作用力を与えながら、ＴＴＬアライメントスコープと
ステージ位置計測用干渉計の計測値を同時に比較する実
験から、補正係数を求め、露光時は、ステージ位置に基
づいて、ステージ位置計測誤差をリアルタイムに補正す
るものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、ステージ位
置計測計の誤差をより高精度に補正することを目的とす
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の問題を解決するた
め、本発明では、原版に描画されたパターンを結像する
投影光学系と、被露光基板を搭載してその結像位置に移
動させるステージと、該ステージの位置制御に用いるス
テージ位置計測計と、該投影光学系とステージ位置計測
計を保持する本体構造体と、該本体構造体を支持する支
持台とを備え、前記本体構造体に作用する力の変動量ま
たはこれらに比例する物理量を計測し、該計測結果に基
づいて補正係数を求め、該補正係数に基づいて前記ステ
ージ位置計測計と被露光基板表面上の投影画像の相対位
置誤差を補正することを特徴とする。

【０００７】前記本体構造体に作用する力は、例えば前
記支持台により該本体構造体を支持する各箇所にロード
セルを配置し、これらのロードセルにより前記本体構造
体に作用する力またはそれに比例する物理量としての圧
力を計測する。

【０００８】前記補正計数は、例えば前記計測結果に一
定の係数行列を乗じた補正係数ベクトルである。前記係
数行列は、予め、一定の位置と姿勢を保つように位置決
め制御された前記ステージ上の被露光基板に検査用原版
上のマークを投影露光すると同時に、本体構造体を支持
する各箇所に強制的な作用力を与え、その強制的な作用
力の変動で生じたマークの位置ずれ量を計測し、その位
置ずれ量を回帰分析して求めることが好ましい。

【０００９】より具体的には、前記検査用原版上には基
準マークと比較マークが形成されており、前記マークを
投影露光する際、１次露光過程で前記基準マークを前記
被露光基板上の複数ショットに焼き付けた後、２次露光
過程で前記比較マークを該被露光基板の前記複数ショッ
トで前記基準マークに重ね合せるべく前記ステージ位置
を制御しながら露光する「配列再現焼き」を行なう。

【００１０】前記マークの投影露光においては、各ショ
ットの露光順序を不規則に選択してもよく、各ショット
の１次露光と２次露光を連続して行なってもよい。

【００１１】

【作用】従来の補正技術では、投影露光時におけるステ
ージ位置計測用干渉計の計測誤差補正に、ＴＴＬアライ
メントスコープ観察点を基準とする補正係数を代用して
いた。これには２つの理由があった。第１の理由は、Ｔ
ＴＬアライメントスコープ観察点も、レチクル投影画像
も、その位置が近いこと、またＴＴＬアライメントスコ
ープもレチクルも構造上近い位置に取付けられる場合が
多用されていたため、本体構造体変形による両者の相対
位置に変化はないと仮定しても、差し支えなかったこと
である。また、第２の理由は、ＴＴＬアライメントスコ
ープを基準とする、ステージ位置計測用干渉計の補正係
数べクトルは、本体構造体に強制的な作用力を与えなが
ら、ＴＴＬアライメントスコープとステージ位置計測用
干渉計の計測値を同時に比較する実験から求めていた
が、レチクル投影画像を基準とした場合、その位置ずれ
を計測する手段が見当たらなかったことである。

【００１２】しかしながら、より高い精度の補正技術を
達成するには、レチクル投影画像を基準とした干渉計の
補正係数を求める必要があった。

【００１３】本発明によれば、ステージ位置計測計の計
測誤差補正に、ＴＴＬアライメントスコープ観察点を基
準とする補正係数を代用するのではなく、レチクル投影
画像を基準とする補正係数を用いるため、前記計測誤差
補正をより高精度に行なうことができる。

【００１４】本発明は、例えば、ＩＣやＬＳＩ等の半導
体素子を製造する際に、レチクル面上の電子回路パター
ンを投影光学系を介し、ウエハ面上に順にステップアン
ドリピートして投影露光する露光装置（いわゆるステッ
パ）や、同様に、レチクル面上の電子回路パターンを投
影光学系を介し、ウエハ面上に順にステップアンドスキ
ャンして投影露光する露光装置（いわゆるスキャナ）に
おいて、本体構造体を支持する力や本体構造体の振動を
制御する力などが変化することによって生じる本体構造
体の弾性変形によって、ステージの位置を計測するステ
ージ位置計測計の取付位置にズレが生じても、本体構造
体に作用する力を常に計測することによって、そのズレ
による計測誤差をリアルタイムに算出して補正を行なう
ので、本体構造体の変形に影響されにくい投影露光装置
を実現できる。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の形態で
は、ステージ位置計測値ｘ（ｔ）と本体構造体に作用す
る主たる力またはこれらに比例した物理量ｐ（ｔ）を連
続的に計測記録した状態で、レチクル上の基準マークを
投影露光して、ウエハ表面にこれを描画する。物理量ｐ
（ｔ）としては、例えば支持台から受ける支持力を計測
するロードセル、支持台との接点に空気バネ除振機構を
設けた場合は当該空気バネの圧力、または支持台との接
点付近に設置された歪ゲージなどの計測値を用いること
ができる。そしてステージを逐次移動させながらこの動
作をＮ回繰り返し、ウエハ全面に複数の基準マークを描
画する１次露光過程を実施する。次に、同じレチクル上
の比較マークを、ウエハ全面に描画された基準マークと
重なるようステージを移動させながら２次露光動作を実
施する。なお、１次露光過程と２次露光過程のいずれの
場合でも、露光中であることを示す信号、例えばシャッ
タの開閉指令信号や、露光レーザの発光に伴う信号など
を計測記録する。これらの露光過程を経た後、ウエハに
描画された基準マークと比較マークの相対位置差Ｙ
（ｉ）を顕微鏡等で観察記録する。

【００１６】連続的に計測したステージ位置計測値ｘ
（ｔ）と本体構造体に作用する主たる力またはこれらに
比例した物理量ｐ（ｔ）のうち、露光中であった時間帯
だけの計測値を露光回毎に平均値を求め、１次露光過程
と２次露光過程で区別すると、基準マークと比較マーク
の相対位置差と同数のデータＸ₁ （ｉ）、Ｘ₂ （ｉ）、
Ｐ₁ （ｉ）、Ｐ₂ （ｉ）が得られる。このとき、基準マ
ークと比較マークの相対位置差Ｙ（ｉ）は（１）式で表
わされる。

【００１７】

【数１】ここで、ｉは基準マークと比較マークの相対位置差Ｙの
順番を示す添え字で、ｉ＝ｌ〜Ｎ、Ｋは本体構造体に作
用する主たる力またはこれらに比例した物理量による位
置誤差を補正する係数、ｅは顕微鏡観察などの誤差であ
る。（１）式より、補正係数Ｋは最小自乗法によって容
易に求められる。

【００１８】本発明は、本体構造体に作用する主たる力
またはこれらに比例した物理量ｐ（ｔ）に適切なる係数
Ｋを乗じることによって、レチクル投影画像とステージ
位置計測計との相対位置誤差を補正する投影露光装置を
提案するものである。

【００１９】従来の補正技術では、本体構造体に作用す
る主たる作用力によって生じるレチクル投影画像と干渉
計基準との相対位置誤差補正値を、ＴＴＬアライメント
スコープと干渉計基準との相対位置誤差の補正値で代用
していたため、僅かではあるが補正残差を生じていた。

【００２０】しかし、本実施形態によれば、レチクル投
影画像と干渉計基準との相対位置誤差を直接的に計測で
きるので、当該誤差と本体構造体に作用する主たる作用
力との関係を正確に実験で求められるため、投影露光時
のステージ位置補正精度を向上させることが可能とな
る。

【００２１】

【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。実施例１図１は、本発明が適用される投影露光装置の全体構成を
示し、図２、図３および図４は図１の装置各部のより詳
細な構成を示す。図１において、１は投影レンズ、２は
本体構造体、３はウエハステージ用レーザ干渉計、４は
照明系、５はレチクル、６はウエハ、７はＸ軸用レーザ
干渉計ミラー、８はウエハステージ天板、９はＹ軸用レ
ーザ干渉計ミラー、１４はＸＹステージ、２１はウエハ
ステージ定盤、２２はロードセル、２３は支持台であ
る。

【００２２】図２において、１７はＸ軸スライダ、１８
はＹ軸スライダ、１９はＹ軸駆動リニアモータ可動子、
２０はＹ軸駆動リニアモータ固定子である。

【００２３】図３において、１０はＺチルトアクチュエ
ータ、１１はθ_z ステージ、１２はθ_z ガイド、１３は
θ_z アクチュエータ、１５はＸ軸駆動リニアモータ可動
子、１６はＸ軸駆動リニアモータ固定子である。

【００２４】図１の装置において、所定の位置までステ
ージ１４を移動させ、レチクル原版５上のパターンをウ
エハ基板６上に投影露光する場合を考える。このとき、
本体構造体２に一切の変形が生じなければ、ステージ位
置と投影露光光軸との相対位置は一定である。

【００２５】逆に、本体構造体を支持する力を変動させ
ることで、本体構造体に顕著な弾性変形を発生させ、ス
テージ位置計測計と投影露光光軸の相対位置を変化させ
れば、このステージ位置計測値の変動分は本体構造体の
支持力変動の線形和になる。つまり、本体構造体を支持
する全ての点において計測された支持力に何らかの係数
行列を乗じれば、ステージ位置計測誤差を予測できる。

【００２６】次に、この係数行列を求める方法について
述べる。ステージを位置決めした状態で各支持台２３の
支持力を１つずつ変動させる。加振波は低周波成分が多
く含まれるような加振波が好ましい。例えば、ピンクノ
イズやランダムノイズの累積和などを与えるとよい。

【００２７】具体的な例として、投影露光装置の支持台
によく用いられる空気バネ式除振脚を用いた加振方法に
ついて述べる。図４は、図１における支持台（空気バネ
式除振脚）２３の詳細を示す。この支持台は、互いに対
向して取付けられた水平方向空気バネ２４と水平方向平
衡バネ２６、垂直方向空気バネ２５を介して支持脚４１
に取付けられたハウジング２７で構成され、各空気バネ
２４、２５に供給する空気量は、ハウジング２７のレベ
ルや空気バネの圧力などの計測値をフィードバック信号
３３とする制御弁コントローラ２９が出力した制御信号
３２によって制御弁２８を制御し、供給空気３５から各
空気バネ２４、２５に供給される空気量を制御する。以
上のような空気バネ式除振脚において、各空気バネの支
持力を変動させるには、ウェーブジェネレータ３０から
出力した加振信号３１を切り替えスイッチ３４などで分
岐させ、各制御信号３２に加える。

【００２８】なお、各支持台の支持力を同時に加振して
も構わないが、その場合、各制御信号に加えられる波形
は互いに独立なものでなくてはならない。

【００２９】このような状態で、ＸＹステージ１４を順
次移動させ、図５（ａ）に示す順序で、ウエハ全面に複
数のショットを投影露光する。なお、１回の投影露光で
描画されるショット内には図６のように基準マーク
（■）３６と比較マーク（□）３７が同時に描画され
る。この過程を１次露光過程と呼ぶ。但し、１次露光過
程で描画される比較マーク３７は使用しない。

【００３０】続いて、図５（ｂ）に示す順序で、先に描
画した基準マーク３６に比較マーク３７が重なるように
複数のショットを投影露光する。この過程を２次露光過
程と呼ぶ。但し、２次露光過程で描画される基準マーク
３６は使用しない。

【００３１】なお、露光装置が一括式露光型の場合、テ
スト用レチクルは固定した状態のままである。一方、露
光装置が走査式露光型の場合は、レチクルステージを一
定の位置に静止させた状態にする。

【００３２】また、加振方法に関係なく全ての支持力と
ステージ位置制御偏差、および投影露光中であることを
判別できる信号、例えばシャッタ開閉信号や露光用レー
ザ光の発振信号なども同時に計測する。

【００３３】また、支持力計測には、ロードセル２２を
用いて各方向の支持力を計測するのが好ましいが、各空
気バネの圧力を計測する圧力計（不図示）を用いても支
持力変動に比例した計測値が得られるので、これを代用
しても構わない。

【００３４】このようにして投影された基準マーク３６
と比較マーク３７の重心間距離データと、投影露光して
いた時間内で平均した各除振脚の支持力、位置決め制御
残差を用いることでレチクル画像を投影露光する時のス
テージ位置計測誤差補正係数を求めることができる。

【００３５】実施例２実施例２は、１回の露光で複数の基準マーク（■）３６
と比較マーク（□）３７を同時に投影露光する場合であ
る。θ軸のステージ位置計測誤差も補正する場合には、
図７に示すように十分に離れた少なくとも２つの基準マ
ーク３６と比較マーク３７を同時に投影露光することに
よってθ軸のステージ位置計測誤差の補正係数を求める
ことができる。

【００３６】実施例３実施例３は、基準マーク（■）３６を投影露光するショ
ット順序と、比較マーク（□）３７を投影露光するショ
ット順序を不規則にした場合である。実施例１や２のよ
うに、規則的な順序で投影露光を行なうと、図８のよう
に重なりあう基準マーク３６と比較マーク３７が投影露
光されるショット間隔は概ね一定となる。このショット
間隔は概ねショットの時間間隔に比例するので、この時
間間隔が強制的に与えた作用力３８の周期に近い場合、
基準マーク３６と比較マーク３７を投影露光したときの
作用力の差が小さくなり、強制的な作用力を与えた意味
を失う恐れがある。

【００３７】したがって、図９のように、重なりあう基
準マーク３６と比較マーク３７を投影露光する時間間隔
が適当にバラツクよう、露光順序を乱すことで、この問
題を解決することができる。

【００３８】実施例４実施例４は、環境温度や気圧が比較的に短い周期（連続
する投影露光の時間間隔とほぼ等しい周期）で変動し、
これらを原因とする計測誤差が無視できない場合に適し
た投影露光順序である。この場合、図１０のように、基
準マーク（■）３６を投影露光した次のショットで、こ
れに重なる比較マーク（□）３７を投影露光する。この
とき、両者を投影露光する時の環境温度や気圧はほぼ等
しいので、環境温度や気圧の影響をほぼキャンセルする
ことができる。

【００３９】

【デバイス生産方法の実施例】次に上記説明した露光装
置または露光方法を利用したデバイスの生産方法の実施
例を説明する。図１１は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等
の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッ
ド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステッ
プ１（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行な
う。ステップ２（マスク製作）では設計したパターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ
製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程
を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製され
た半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の
検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完
成し、これが出荷（ステップ７）される。

【００４０】図１２は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンが形成される。

【００４１】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。

【００４２】

【発明の効果】本発明によれば、本体構造体を弾性変形
させる全ての作用力を計測し、その結果として現われる
各計測誤差を予測補正することができるため、弾性変形
による計測誤差に限っては、あたかも無限大の剛性を持
った構造体を実現させたのと等価となる。従って、本体
構造体に搭載した移動ステージの駆動反力、重心移動は
もちろん、床から侵入する振動の影響も回避できる。

【００４３】また、最近の除振装置はアクティブ除振や
リニアモータ付の除振装置が用いられたり、床自体の振
動スペクトルなどを規制することで本体構造体の変形を
抑制しているが、こうした装置や規制は不要となるた
め、除振に関する大幅なコストダウンを図ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る投影露光装置の構成
説明図である。

【図２】図１の装置に搭載されたステージの構成説明
図である。

【図３】図２のステージの断面図である。

【図４】図１の装置で用いられる除振機能付支持台の
構成図である。

【図５】実施例１および２における投影露光順序の説
明図である。

【図６】実施例１において投影露光されるショット内
の図である。

【図７】実施例２において投影露光されるショット内
の図である。

【図８】実施例１および２における各ショット位置の
投影間隔一覧を示す図である。

【図９】実施例３における投影露光順序の説明図と各
ショット位置の投影間隔一覧を示す図である。

【図１０】実施例４における投影露光順序の説明図と
各ショット位置の投影間隔一覧を示す図である。

【図１１】微小デバイスの製造の流れを示す図であ
る。

【図１２】図１１におけるウエハプロセスの詳細な流
れを示す図である。

【符号の説明】

１：投影レンズ、２：本体構造体、３：ステージ位置決
め用レーザ干渉計、４：照明系、５：レチクル、６：ウ
エハ、７：Ｘ軸用レーザ干渉計ミラー、９：Ｙ軸用レー
ザ干渉計ミラー、８：ウエハステージ天板、１０：Ｚチ
ルトアクチュエータ、１１：θ_z ステージ、１２：θ_z
ガイド、１３：θ_zアクチュエータ、１４：ＸＹステー
ジ、１５：Ｘ軸駆動リニアモータ可動子、１６：Ｘ軸駆
動リニアモータ固定子、１７：Ｘ軸スライダ、１８：Ｙ
軸スライダ、１９：Ｙ軸駆動リニアモータ可動子、２
０：Ｙ軸駆動リニアモータ固定子、２１：ウエハステー
ジ定盤、２２：ロードセル、２３：支持台、２４：水平
方向空気バネ、２５：垂直方向空気バネ、２６：水平方
向平衡バネ、２７：ハウジング、２８：制御弁、２９：
制御弁コントローラ、３０：ウェーブジェネレータ、３
１：加振信号、３２：制御信号、３３：フィードバック
信号、３４：切り替えスイッチ、３５：供給空気、３
６：基準マーク、３７：比較マーク。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】原版に描画されたパターンを結像する投
影光学系と、被露光基板を搭載してその結像位置に移動
させるステージと、該ステージの位置制御に用いるステ
ージ位置計測計と、該投影光学系とステージ位置計測計
を保持する本体構造体と、該本体構造体を支持する支持
台とを備え、前記本体構造体に作用する力の変動量またはこれらに比
例する物理量を計測し、該計測結果に基づいて補正係数
を求め、該補正係数に基づいて前記ステージ位置計測計
と被露光基板表面上の投影画像の相対位置誤差を補正す
ることを特徴とする投影露光方法。
【請求項２】前記本体構造体に作用する力に比例する
物理量として前記支持台の該本体構造体を支持する各箇
所に作用する圧力を計測することを特徴とする請求項１
に記載の投影露光方法。
【請求項３】前記補正計数は、前記計測結果に一定の
係数行列を乗じた補正係数ベクトルであることを特徴と
する請求項１または２に記載の投影露光方法。
【請求項４】前記係数行列は、予め、一定の位置と姿
勢を保つように位置決め制御された前記ステージ上の被
露光基板に検査用原版上のマークを投影露光すると同時
に、本体構造体を支持する各箇所に強制的な作用力を与
え、その強制的な作用力の変動で生じたマークの位置ず
れ量を計測し、その位置ずれ量を回帰分析することによ
り求められたものであることを特徴とする請求項３に記
載の投影露光方法。
【請求項５】前記検査用原版上には基準マークと比較
マークが形成されており、前記マークを投影露光する
際、１次露光過程で前記基準マークを前記被露光基板上
の複数ショットに焼き付けた後、２次露光過程で前記比
較マークを該被露光基板の前記複数ショットで前記基準
マークに重ね合せるべく前記ステージ位置を制御しなが
ら露光することを特徴とする請求項４に記載の投影露光
方法。
【請求項６】前記マークを投影露光する際、各ショッ
トの露光順序を不規則に選択することを特徴とする請求
項４または５に記載の投影露光方法。
【請求項７】前記マークを投影露光する際、各ショッ
トの１次露光と２次露光を連続して行なうことを特徴と
する請求項４または５に記載の投影露光方法。
【請求項８】原版に描画されたパターンを結像する投
影光学系と、被露光基板を搭載してその結像位置に移動
させるステージと、該ステージの位置制御に用いるステ
ージ位置計測計と、該投影光学系とステージ位置計測計
を保持する本体構造体と、該本体構造体を支持する支持
台と、該本体構造体と該支持台の該本体構造体を支持す
る各箇所との間に作用する圧力を計測するロードセル
と、これらのロードセルの計測結果に基づいて補正係数
を算出する手段と、該補正係数に基づいて前記ステージ
位置計測計と前記被露光基板表面上の投影画像の相対位
置誤差を補正する手段とを具備することを特徴とする投
影露光装置。
【請求項９】請求項１〜７のいずれかに記載の投影露
光方法または請求項８に記載の投影露光装置を用いて製
造したことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１０】請求項１〜７のいずれかに記載の投影
露光方法または請求項８に記載の露光装置を用いて微小
デバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方
法。