JP2014016375A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 積層膜を用いた電極や配線のエッチング端面に庇が生じることを解消して、電極や配線の上部に形成される絶縁膜や導電膜の充分なステップカバレッジを確保する。
【解決手段】 表示用電極と表示用電極の下層に配置された配線とを有する表示装置であって、表示用電極および配線の少なくとも一方は、上層からIZO/Mo/Alからなる積層膜が用いられている。
【選択図】 図2
【解決手段】 表示用電極と表示用電極の下層に配置された配線とを有する表示装置であって、表示用電極および配線の少なくとも一方は、上層からIZO/Mo/Alからなる積層膜が用いられている。
【選択図】 図2
Description
本発明は、表示装置およびその製造方法に関する。より詳しくは、電極や配線にアルミニウムを用いた表示装置およびその製造方法に関するもである。
液晶表示装置や有機ELディスプレイ等の表示装置は、薄型で軽量、かつ、低消費電力といった特長を活かして、モニター、プロジェクタ、携帯電話、携帯情報端末(PDA)等の電子機器に幅広く利用されている。近年では、表示装置の小型化及び軽量化が進んでおり、これにより表示領域周辺の小型化、すなわち、狭額縁化も進められている。
表示装置に使用されるデバイス基板には、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(TFT;Thin Film Transistor)を含むTFTアレイ基板を用いることが多い。例えば、TFTアレイ基板を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、所定の間隔で配置されたTFTアレイ基板と対向基板との間に配向膜を介して液晶層が保持された表示パネルを備える。そして、TFTアレイ基板側に形成された各画素領域の画素電極と対向基板側に形成された共通電極との間に印加される電界強度を制御することにより、各画素領域における液晶の配向状態を変えることによって光の透過率を変化させて画像を表示している。
TFTアレイ基板は、透明基板の主面上に格子状に配置されたソース配線とゲート配線を備え、ソース配線とゲート配線によって区画された画素領域には、画素電極が配置される。また、ソース配線とゲート配線の交点近傍には、スイッチング素子としてTFTが配置される。TFTは、ゲート配線に接続されたゲート電極、ソース配線に接続されたソース電極、及び、画素電極に接続されたドレイン電極を含み、更に、アモルファスシリコン(a−Si)やポリシリコン、単結晶シリコン等からなる半導体層を備える。ゲート電極は、ゲート絶縁膜にて覆われており、TFTは、画素電極を個別かつ選択的に制御する。
上記したソース配線、ゲート配線、画素電極等には、画素の微細化にともなって抵抗の小さいアルミニウムやその合金等からなる薄膜にて形成されるが、このような材料からなる膜は、製造工程中の加熱によりヒロックと呼ばれる微細な突起が生じて上部を被覆する絶縁膜の絶縁性が低下することがある。そのため、上記薄膜を他の金属層で覆った積層膜を利用することがある。
特許文献1には、下層がアルミニウム合金21であり上層がモリブデン合金22である積層膜を、異なるエッチャント組成で湿式エッチングしたときの断面形状の例が示されている。(図4)
前記特許文献1では、エッチャントの組成を最適化して、図4(b)〜(d)に示すように、積層膜の断面をテーパー状に加工することにより、積層膜のパターン上の絶縁膜のステップカバレージを向上している。
前記特許文献1では、エッチャントの組成を最適化して、図4(b)〜(d)に示すように、積層膜の断面をテーパー状に加工することにより、積層膜のパターン上の絶縁膜のステップカバレージを向上している。
しかしながら、積層膜を湿式エッチングで加工する場合、エッチャントの組成以外に、積層した金属間に生じる電池反応も考慮する必要がある。例えば、特許文献1の積層膜において電池反応が生じると、下層のアルミニウム合金21のエッチング速度が速くなって、図4(a)に示すように、上層のモリブデン合金22が庇状に迫り出した断面形状になる。積層膜の断面が上記のような庇状の形状になると、上部を被覆する絶縁層のステップカバレッジが不足して絶縁不良が生じたり、金属の庇が剥離し破片等となって歩留りを低下させる問題がある。
また、特許文献1のように、エッチャントに弗化アンモニウムや弗化水素が含まれていると、積層膜の下地である透明基板や絶縁膜の表面がエッチングされて粗面となり、表示装置として用いた場合に透過率が低下する問題がある。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、積層膜を用いた電極や配線のエッチング端面が庇状となることを解消して、電極や配線の上部に形成される絶縁膜や導電膜のステップカバレッジを充分に確保した表示装置を提供することを目的とするものである。
表示用電極と表示用電極の下層に配置された配線とを有する表示装置であって、表示用電極および配線の少なくとも一方は、上層からIZO/Mo/Alからなる積層膜が用いられている。
本発明の表示装置によれば、積層膜を用いた電極や配線のエッチング端面が庇状となることを解消して、電極や配線の上部に形成される絶縁膜や導電膜のステップカバレッジを充分に確保することができる。
本実施例では、表示装置の一例として、透明電極と反射電極とからなる画素電極を有し、透過表示及び反射表示の両方を行うことができる、半透過型の液晶表示装置を例に挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
図1は、本実施例に係る液晶表示装置に用いられるTFTアレイ基板100の断面模式図である。TFTアレイ基板100は、表示用電極と表示用電極の下層に配置される配線とを有している。
詳しくは、図1に示すように、透明基板1の全面に形成された絶縁膜2の上に、半導体層3が形成されている。半導体層3には、TFTのソース電極3aとドレイン電極3b、及び、チャネル領域3cが設けられており、これらの上部にはゲート絶縁膜4が形成されている。
ゲート絶縁膜4上には、第1の配線としてゲート配線とゲート電極5が形成されている。これらを覆うように層間絶縁膜6が形成され、コンタクトホール7が設けられている。
層間絶縁膜6の上には、第2の配線としてソース配線8a、ドレイン配線8bが形成され、コンタクトホール7を通じて、ソース電極3a、ドレイン電極3bと接続されている。
ソース配線8a、ドレイン配線8bの上部には、これらを覆うように感光性樹脂等の透明樹脂層9が形成され、コンタクトホール12が設けられている。透明樹脂層9の上部には、表示用電極として反射電極10と透明電極11が形成されている。また、表示用電極は、コンタクトホール12を通じてドレイン配線8bに電気的に接続されている。
上記の液晶表示装置の構成において、本発明では、表示用電極および配線の少なくとも一方に、上層から、IZO層(酸化インジウム亜鉛)/Mo層(Mo合金層)/Al層(Al合金層)の3層からなる積層膜が用いられていることを特徴としている。
本発明者らは、アルミニウムを含む積層膜のエッチング端面に庇が生じる原因を電池反応によるものと想定し、積層膜を構成する各種金属層の組み合わせについて種々検討を行った結果、上記3層の組み合わせのときにエッチング端面がテーパー状となるのを見いだし、上記の積層構造を採用するに至った。この積層構造において、Mo層(Mo合金層)は下層のAl層(Al合金層)のヒロックを防止し、IZO層は積層膜の電池反応を抑制すると考えられる。
以下に、TFTアレイ基板100の製造方法の一例を具体例に基づき説明する。図1のように、まず、基材となる透明基板1の主面上に、酸化シリコン(SiO2)/シリコン酸窒化膜(SiNO)やSiO2等からなる絶縁膜2を形成する。
次いで、絶縁膜2の上にアモルファスシリコン(a−Si)、ポリシリコン、単結晶シリコン等の半導体層3を形成する。ここでは、半導体層3として、プラズマ化学気相成長(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition:PECVD)法等によりアモルファスシリコン(a−Si)層を絶縁膜2上に形成した後、CGS(Continuous Grain Silicon;連続粒界結晶シリコン)化のための固相結晶成長法を含む低温ポリシリコン(Low Temperature Poly Silicon;LPS)化処理を行い、連続粒界ポリシリコンからなるシリコン層を形成することにより得た。
次いで、半導体層3を覆うようにSiO2、SiN、SiN/SiO2等からなるゲート絶縁膜4を形成し、ゲート絶縁膜4上に、第1の配線としてW/TaNからなるゲート電極5及びゲート配線を所望の形状に形成した。続いて、このゲート電極5をマスクとして、半導体層3に不純物としてリンやボロンなどをドーピングして、TFTのソース電極3aとドレイン電極3b、及び、チャネル領域3cを形成した。
次いで、ゲート電極5及びゲート配線を覆うように、SiO2/SiN、SiO2/SiN/SiO2、SiO2、SIN等の層間絶縁膜6を形成し、コンタクトホール7を設けた。
次いで、層間絶縁膜6上に、第2の配線としてソース配線8aとドレイン配線8bを形成した。本発明では、第2の配線としてIZO/Mo/Alの3層からなる積層膜を用いた。3層の積層膜は、スパッタリング、PECVD等の成膜装置を用いて、例えば、下層から、Al膜13を350nm、Mo膜14を40nm、IZO膜15を40nm、順次成膜した。ここで、3層の積層膜を同一真空中で連続して成膜することにより、層間の接触抵抗を小さくできるとともに、密着性を上げることができる。
次いで、積層膜上にレジストパターンをフォトリソグラフィ法により形成し、3層の積層膜を一括して湿式エッチングを行った。IZO/Mo/Alの積層膜は、弗化アンモニウムや弗化水素を含まない一般的なエッチャントにより湿式エッチングすることができる。ここでは、エッチャントとして、燐酸(73.4重量%)、硝酸(1.6重量%)、酢酸(5.0重量%)、水(20.0重量%)からなるエッチャントを用い、液温35℃でシャワー方式により200〜300秒かけてエッチングした。
図2は、エッチング後の積層膜の断面模式図である。Al膜13、Mo膜14、IZO膜15からなる第2の配線8の断面形状は、図2に示すようにテーパー状となり、庇が形成されることはなかった。また、上記エッチャントは弗化アンモニウムや弗化水素を含まず、下地の層間絶縁膜6の表面がエッチングされることがないため、表面が粗面化されて表示装置の透過率が低下することを防止できる。また、3層の積層膜を単一の操作により湿式エッチングできるため、工程数の増加を抑えることができる。
次いで、図1に示したように、ソース配線8aとドレイン配線8bからなるデータ信号線の上部を覆うように、感光性樹脂からなる透明樹脂層9を形成した。このとき、データ信号線の端面はテーパー状となっており、透明樹脂層9のステップカバレッジは良好であった。
次いで、透明樹脂層9にコンタクトホール12を設けた後、表示用電極として、アルミニウムからなる反射電極10と、酸化インジウム錫(ITO)や酸化亜鉛等からなる透明電極11とを形成し、コンタクトホール12を通じてドレイン配線8bに電気的に接続して、TFTアレイ基板100を作製した。
本実施例では、第2の配線としてIZO/Mo/Alの3層からなる積層膜を用いることにより、湿式エッチング時の電池反応が抑制されて、データ信号線のエッチング端面がテーパー状になり、上層に形成される透明樹脂層9の良好なステップカバレッジが得られた。また、上層のIZO膜15は、透明電極10の材料としても用いることが可能であり、成膜装置を共有化して設備投資を抑えることができる。
なお、上記実施例では、IZO/Mo/Alの3層からなる積層膜を第2の配線に用いたものとして説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、例えば、第1の配線や表示用電極など、Alを材料として含む配線や電極において適用することが可能である。
また、上記説明では、3層の積層膜をIZO/Mo/Alとして、Al層13、Mo層14を単金属で構成した例を説明したが、Al層13もしくはMo層14に、例えば、耐蝕性を向上させる働きをもつNb等を数%添加し、Mo合金もしくはAl合金としても、これらの3層の積層膜の端面を同様にテーパー状にエッチングすることが可能である。また、3層のそれぞれの膜厚についても、Al膜13が100〜1000nm、Mo膜14が10〜100nm、IZO膜15が10〜100nmの範囲でエッチング端面のテーパー形状が得られる。
(比較例1)
以下に、比較例として積層膜の上層のIZOをITOに置き換えた場合について説明する。
以下に、比較例として積層膜の上層のIZOをITOに置き換えた場合について説明する。
図3は、比較例に係る積層膜をエッチングした断面模式図である。液晶表示装置としての構成は、上記実施例1と同じであるため、ここでは説明を省略する。また、図3において、図2と同様の構成を示すものについては、同一の符号を付け、ここでは説明を省略する。
比較例では、図3に示すように、3層の積層膜のうち、最上層のIZO層をITO(酸化インジウム錫)層16に変更している。具体的には、ITO(40nm)/Mo(40nm)/Al(350nm)の3層からなり、エッチャント等の条件を同じにして湿式エッチングを行った。
上記の積層膜のエッチング端面は、図3のように、Al層13のエッチング速度が速くなった結果、上層のITO層16とMo層14が庇17となって外側に迫り出した形状となった。このため、データ信号線8の上部に形成される透明樹脂層9の充分なステップカバレッジを確保することができなかった。
なお、上記のITO層16の結晶状態を異ならせて非晶質のα−ITO層としても、電池反応を抑制することはできず、庇状の断面形状となった。
以上、本発明の実施例について、半透過型の液晶表示装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、透過型と反射型のいずれの液晶表示装置にも適用することができ、更に、有機ELディスプレイ等にも適用することができる。
1 透明基板
2 絶縁膜
3 半導体層
3a ソース電極
3b ドレイン電極
3c チャネル
4 ゲート絶縁膜
5 ゲート電極
6、20 層間絶縁膜
7、12 コンタクトホール
8a ソース配線
8b ドレイン配線
9 透明樹脂層
10 反射電極
11 透明電極
13、21 Al層
14、22 Mo層
15 IZO層
16 ITO層
17 庇
100 TFTアレイ基板
T 透過表示領域
R 反射表示領域
2 絶縁膜
3 半導体層
3a ソース電極
3b ドレイン電極
3c チャネル
4 ゲート絶縁膜
5 ゲート電極
6、20 層間絶縁膜
7、12 コンタクトホール
8a ソース配線
8b ドレイン配線
9 透明樹脂層
10 反射電極
11 透明電極
13、21 Al層
14、22 Mo層
15 IZO層
16 ITO層
17 庇
100 TFTアレイ基板
T 透過表示領域
R 反射表示領域
Claims (4)
- 表示用電極と前記表示用電極の下層に配置された配線とを有する表示装置であって、
前記表示用電極および前記配線の少なくとも一方は、上層からIZO/Mo/Alからなる積層膜が用いられていることを特徴とする表示装置。 - 前記IZO/Mo/Alの積層膜において、MoおよびAlの少なくとも一方にNbが添加されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 表示用電極と前記表示用電極の下層に配置された配線とを有する表示装置の製造方法であって、
前記表示用電極および前記配線の少なくとも一方は、Al、Mo、IZOの順に積層膜を成膜し、前記積層膜を湿式エッチングによりパターニングすることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記湿式エッチングは、燐酸、硝酸、酢酸、及び水からなるエッチャントを用いて行われることを特徴とする請求項3に表示装置の製造方法。
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