JP2014005503A - Ag ALLOY CONDUCTIVE FILM AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING FILM - Google Patents
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- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 47
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 25
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 21
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 17
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 16
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 16
- 238000005486 sulfidation Methods 0.000 description 16
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 13
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 11
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 5
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 5
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- UOACKFBJUYNSLK-XRKIENNPSA-N Estradiol Cypionate Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H](C4=CC=C(O)C=C4CC3)CC[C@@]21C)C(=O)CCC1CCCC1 UOACKFBJUYNSLK-XRKIENNPSA-N 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 3
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018657 Mn—Al Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 1
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Abstract
Description
本発明は、銀（Ａｇ）合金導電膜及び膜形成用スパッタリングターゲットに関するものであり、特に、配線、電極等に用いて好適な、耐塩化性、耐熱性などの耐性に優れ、かつ、抵抗率が低いＡｇ合金導電膜及び膜形成用スパッタリングターゲットに関する。 The present invention relates to a silver (Ag) alloy conductive film and a sputtering target for film formation, and particularly suitable for use in wiring, electrodes, etc., and has excellent resistance to chloride resistance, heat resistance, etc., and resistivity. The present invention relates to a low Ag alloy conductive film and a sputtering target for film formation.
近年のスマートフォン、タブレットＰＣの隆盛により、その入力装置となるタッチパネルの市場が急成長を見せている。そのタッチパネルにおけるセンサー部分は、透明導電膜（ＩＴＯなど）をパターニングした回路から形成されるが、その回路からの信号を取り出すための配線がセンサー部分の外周に形成される。従来では、Ａｇペーストの印刷などにより、この配線が形成されていたが、マルチタッチ技術の採用による配線数の増加や、タッチパネル外周部の幅を狭くすること（狭額縁化）への要請から、配線幅の狭小化が必要となってきている。配線幅の縮小に伴い、配線の抵抗値が増加する問題が生じている。そこで、この問題の解決策として、スパッタリング法による低抵抗のＡｇやＣｕなどの金属配線を適用する動きが出てきている（例えば、特許文献１を参照）。ここでも、Ａｇは、全金属中で最も比抵抗が低い上に、酸化されにくく、安定な物質であることから、その適用が期待されている。 With the rise of smartphones and tablet PCs in recent years, the market for touch panels as input devices has been growing rapidly. The sensor portion of the touch panel is formed from a circuit obtained by patterning a transparent conductive film (ITO or the like), and wiring for extracting a signal from the circuit is formed on the outer periphery of the sensor portion. Conventionally, this wiring was formed by printing Ag paste or the like, but from the demand for increasing the number of wiring by adopting multi-touch technology and narrowing the width of the outer periphery of the touch panel (narrowing the frame), It is becoming necessary to reduce the wiring width. As the wiring width is reduced, there is a problem that the resistance value of the wiring increases. Therefore, as a solution to this problem, there has been a movement to apply metal wiring such as Ag and Cu having low resistance by sputtering (for example, see Patent Document 1). Again, Ag is expected to be applied because it has the lowest specific resistance among all metals and is not easily oxidized and is a stable substance.
一方、Ａｇは、光記録媒体、ディスプレイ等で使用される反射膜としても好適な材料である。それは、Ａｇが、反射率が高い上に、高反射率を有する金（Ａｕ）よりも安価であるからである。光記録媒体の重要性に伴い、高反射率を有し、かつ、コストの比較的低いＡｇは、反射膜用の材料としても重要となっている。 On the other hand, Ag is a material suitable as a reflective film used in optical recording media, displays, and the like. This is because Ag has a high reflectance and is cheaper than gold (Au) having a high reflectance. Along with the importance of optical recording media, Ag having high reflectivity and relatively low cost has become important as a material for a reflective film.
ところで、純Ａｇは、耐食性に乏しいため、腐食により黒色に変色して反射率が低下するという問題がある。そこで、この問題を解決するために、様々な元素を、Ａｇに添加して、Ａｇ合金とすることが行われている（例えば、特許文献２乃至５を参照）。 By the way, since pure Ag has poor corrosion resistance, there is a problem in that the color changes to black due to corrosion and the reflectance decreases. Therefore, in order to solve this problem, various elements are added to Ag to form an Ag alloy (for example, see Patent Documents 2 to 5).
しかしながら、純Ａｇを、例えば、配線に適用した場合、タッチパネルの製造工程の途中において加熱されることがあるので、その加熱により、激しい粒成長及び凝集が生じてしまい、配線に、突起やボイドが形成されることになる。結果として、配線の断線などの問題が生じる。さらに、純Ａｇは、室温であっても、放置されている間に粒成長が生じ、抵抗値などが変化することから、配線としての安定性に問題が生じている。 However, when pure Ag is applied to, for example, a wiring, it may be heated during the manufacturing process of the touch panel. Therefore, intense grain growth and aggregation occur due to the heating, and protrusions and voids are formed on the wiring. Will be formed. As a result, problems such as disconnection of wiring occur. Further, pure Ag has a problem in stability as a wiring because grain growth occurs while it is left at room temperature, and a resistance value and the like change.
また、タッチパネルの使用環境によっては、人体や環境からの塩分の影響を受ける可能性があり、Ａｇは、塩分を含む環境においては腐食され易いため、配線の信頼性においても問題を生じていた。ここで、上述したように、Ａｇに種々の元素を添加して、Ａｇ合金として、耐食性を向上することも考えられるが、これでは、反射率の低下を防止し得ても、種々の元素の添加により、膜の抵抗率が上昇するという問題が生じ、このＡｇ合金は、配線、電極等の導電膜を形成するのに適さないものとなる。
さらに、タッチパネルの使用環境中には、硫黄分が含まれる場合もあるほか、配線形成の工程中には、フォトリソグラフィおよびエッチングの工程が入るが、ここで使用するレジスト剥離液などに硫黄成分が含まれることがある。これらの硫黄成分により、配線部が硫化して腐食する可能性があることから、Ａｇ配線の耐硫化性も高めることが好ましい。
Further, depending on the use environment of the touch panel, there is a possibility of being affected by salt from the human body and the environment. Since Ag is easily corroded in an environment containing salt, there has been a problem in the reliability of wiring. Here, as described above, it is conceivable to add various elements to Ag to improve the corrosion resistance as an Ag alloy. However, even though this can prevent a decrease in reflectance, Addition causes a problem that the resistivity of the film increases, and this Ag alloy becomes unsuitable for forming a conductive film such as a wiring or an electrode.
In addition, the touch panel usage environment may contain sulfur, and the wiring formation process includes photolithography and etching processes. The resist stripping solution used here contains sulfur components. May be included. Since the wiring portion may be sulfided and corroded by these sulfur components, it is preferable to improve the sulfidation resistance of the Ag wiring.
そこで、本発明では、膜の抵抗率の上昇を抑制しつつ、耐熱性、耐塩化性、耐硫化性の耐性を改善したＡｇ合金導電膜及び膜形成用スパッタリングターゲットを提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide an Ag alloy conductive film and a film-forming sputtering target that have improved resistance to heat resistance, chlorination resistance, and sulfidation resistance while suppressing an increase in the resistivity of the film. .
本発明者らは、種々の研究により、Ａｇに、Ｓｂと、Ａｌ及びＭｎのいずれか１種又は２種を含有させ、あるいは、さらに、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐｄから選ばれる１種又はそれ以上を選択的に添加して、Ａｇ−Ｓｂ−Ａｌ合金、Ａｇ−Ｓｂ−Ｍｎ合金、Ａｇ−Ｓｂ−Ａｌ−（Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐｄ）合金、Ａｇ−Ｓｂ−Ｍｎ―（Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐｄ）合金からなる膜の表面に、Ｓｂによる酸化膜が形成されることにより、耐熱性、耐塩水性の向上に大きく寄与し、そして、Ａｌ、Ｍｎが、耐塩化性に寄与し、さらには、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐｄが、耐硫化性に寄与しているという知見が得られた。 Through various studies, the inventors have made Ag contain one or two of Sb and Al and Mn, or, further, from In, Sn, Mg, Cu, Zn, Ge, and Pd. By selectively adding one or more selected, Ag-Sb-Al alloy, Ag-Sb-Mn alloy, Ag-Sb-Al- (In, Sn, Mg, Cu, Zn, Ge, Pd) An oxide film made of Sb is formed on the surface of a film made of an alloy, Ag—Sb—Mn— (In, Sn, Mg, Cu, Zn, Ge, Pd) alloy, thereby improving heat resistance and salt water resistance. It was found that Al and Mn contributed greatly to chloride resistance, and that In, Sn, Mg, Cu, Zn, Ge, and Pd contributed to sulfide resistance. .
したがって、本発明は、上記知見から得られたものであり、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。
（１）本発明のＡｇ合金導電膜は、Ｓｂ：０．１〜３．５ａｔ％と、Ａｌ及びＭｎのいずれか１種又は２種：０．０３〜１．０ａｔ％とを含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなる組成成分を有するＡｇ合金膜であって、前記Ａｇ合金膜の表面に、Ｓｂ酸化物が形成されていることを特徴とする
（２）前記（１）のＡｇ合金膜は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ及びＰｄのうちから選択された１種以上を、合計で、０．１〜１．５ａｔ％含有することを特徴とする。
（３）本発明のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットは、Ｓｂ：０．１〜３．５ａｔ％と、Ａｌ及びＭｎのいずれか１種又は２種：０．０３〜１．０ａｔ％とを含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなる組成成分を有することを特徴とする。
（４）前記（３）のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットは、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ及びＰｄのうちから選択された１種以上が、合計で、０．１〜１．５ａｔ％含有していることを特徴とする。
Therefore, the present invention has been obtained from the above findings, and the following configuration has been adopted in order to solve the above problems.
(1) The Ag alloy conductive film of the present invention contains Sb: 0.1 to 3.5 at%, and one or two of Al and Mn: 0.03 to 1.0 at%, and the balance (2) The Ag alloy film according to (1) above, wherein an Sb oxide is formed on the surface of the Ag alloy film, wherein the Ag alloy film has a composition component composed of Ag and inevitable impurities. Is characterized by containing one or more selected from In, Sn, Mg, Cu, Zn, Ge and Pd in a total amount of 0.1 to 1.5 at%.
(3) The sputtering target for forming an Ag alloy film of the present invention contains Sb: 0.1 to 3.5 at% and any one or two of Al and Mn: 0.03 to 1.0 at%. And the remainder has a composition component consisting of Ag and inevitable impurities.
(4) In the sputtering target for forming an Ag alloy film of (3), at least one selected from In, Sn, Mg, Cu, Zn, Ge, and Pd is 0.1 to 1. It is characterized by containing 5 at%.
ここで、本発明のＡｇ合金導電膜において、Ａｇ合金にＳｂを添加することにより、膜表面の粗さを低減（表面粗さ増加抑制）することができ、耐熱性の向上に寄与する。このＳｂの添加量が、０．１ａｔ％未満であると、耐熱性の向上の効果が無く、また、３．５ａｔ％を超えると、膜の導電性が低下する。Ｓｂの添加量の範囲は、好ましくは、０．１〜３．５ａｔ％である。さらに、添加されたＳｂは膜の表面に偏析し、酸化されて、酸化膜を形成する。この酸化膜が表面粗さの増加を抑制し、耐熱性を向上するとともに、耐塩化性の向上に寄与している。 Here, in the Ag alloy conductive film of the present invention, the addition of Sb to the Ag alloy can reduce the film surface roughness (suppress surface roughness increase), which contributes to the improvement of heat resistance. If the amount of Sb added is less than 0.1 at%, there is no effect of improving heat resistance, and if it exceeds 3.5 at%, the conductivity of the film is lowered. The range of the amount of Sb added is preferably 0.1 to 3.5 at%. Further, the added Sb segregates on the surface of the film and is oxidized to form an oxide film. This oxide film suppresses an increase in surface roughness, improves heat resistance, and contributes to improvement in chlorination resistance.
また、本発明のＡｇ合金導電膜においては、Ａｌ又はＭｎが添加されることにより、膜の耐塩化性を向上しており、Ａｌ又はＭｎの添加量が、０．０３ａｔ％未満であると、その耐塩化性向上の効果が得られず、一方、１．０ａｔ％を超えると、膜の導電性を低下させてしまう。Ａｌ又はＭｎの添加範囲は、０．０３〜１．０ａｔ％であり、より好ましくは、０．０５〜０．７ａｔ％である。 Further, in the Ag alloy conductive film of the present invention, the addition of Al or Mn improves the chlorination resistance of the film, and the addition amount of Al or Mn is less than 0.03 at%. The effect of improving the chloride resistance cannot be obtained. On the other hand, if it exceeds 1.0 at%, the conductivity of the film is lowered. The addition range of Al or Mn is 0.03-1.0 at%, More preferably, it is 0.05-0.7 at%.
また、本発明のＡｇ合金導電膜においては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ及びＰｄのうちから選択された１種以上が添加されることにより、膜の耐硫化性を向上している。Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ及びＰｄのうちから選択された１種以上の添加量の合計が、０．１ａｔ％未満であると、耐硫化性向上の効果が得られず、一方、１．５ａｔ％を超えると、膜の導電性を低下させてしまう。Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ及びＰｄのうちから選択された１種以上の添加範囲は、０．１〜１．５ａｔ％であり、より好ましくは、０．２〜１．０ａｔ％である。 Further, in the Ag alloy conductive film of the present invention, the addition of one or more selected from In, Sn, Mg, Cu, Zn, Ge and Pd improves the resistance to sulfidation of the film. Yes. If the total amount of at least one selected from In, Sn, Mg, Cu, Zn, Ge, and Pd is less than 0.1 at%, the effect of improving sulfidation resistance cannot be obtained. If it exceeds 1.5 at%, the conductivity of the film is lowered. The addition range of one or more selected from In, Sn, Mg, Cu, Zn, Ge and Pd is 0.1 to 1.5 at%, more preferably 0.2 to 1.0 at%. It is.
以上のように、本発明によれば、Ａｇ合金として、Ａｇに、Ｓｂと、Ａｌ及びＭｎのいずれか１種又は２種とを含有させることにより、より一層表面粗さの増加を抑制し、耐熱性を向上するとともに、耐塩化性の向上にも寄与するので、耐熱性、耐塩化性などに優れた耐性を持つＡｇ合金導電膜が得られ、さらに、Ａｌ、Ｍｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐｄから選ばれる１種又はそれ以上を選択的に添加した場合には、耐熱性、耐塩化性に加えて、耐硫化性にも優れた耐性を持つＡｇ合金導電膜が得られる。そのため、電子機器、例えば、スマートフォン、タブレットなどの入力装置となるタッチパネルに用いられる配線、電極等として利用可能となる。 As described above, according to the present invention, as an Ag alloy, by adding Sb and any one or two of Al and Mn to Ag, the increase in surface roughness is further suppressed, As it improves heat resistance and contributes to improvement of chlorination resistance, an Ag alloy conductive film having excellent resistance to heat resistance, chlorination resistance, etc. is obtained. Further, Al, Mn, In, Sn, Mg When one or more selected from Cu, Zn, Ge, and Pd are selectively added, an Ag alloy conductive film having excellent resistance to sulfidation in addition to heat resistance and chlorination resistance Is obtained. Therefore, it can be used as a wiring, an electrode, or the like used for a touch panel serving as an input device such as an electronic device such as a smartphone or a tablet.
次に、本発明のＡｇ合金導電膜について、以下に、第１の実施形態〔Ａｇ−Ｓｂ−Ａｌ合金の場合〕、第２の実施形態〔Ａｇ−Ｓｂ−Ｍｎ合金の場合〕、第３の実施形態〔Ａｇ−Ｓｂ−Ａｌ−（Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐｄ）合金の場合〕、第４の実施形態〔Ａｇ−Ｓｂ−Ｍｎ―（Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐｄ）合金の場合〕に分けて、実施例及び比較例を示して具体的に説明する。 Next, with respect to the Ag alloy conductive film of the present invention, the first embodiment (in the case of Ag-Sb-Al alloy), the second embodiment (in the case of Ag-Sb-Mn alloy), the third embodiment Embodiment [Ag—Sb—Al— (In, Sn, Mg, Cu, Zn, Ge, Pd) alloy], Fourth Embodiment [Ag—Sb—Mn— (In, Sn, Mg, Cu, In the case of a Zn, Ge, Pd) alloy], specific examples will be described with reference to examples and comparative examples.
〔第１の実施形態〕
第１の実施形態のＡｇ合金導電膜は、ＡｇにＳｂとＡｌとを添加したＡｇ−Ｓｂ−Ａｌ合金の場合である。以下に、第１の実施形態のＡｇ合金導電膜について説明する。
[First Embodiment]
The Ag alloy conductive film of the first embodiment is an Ag—Sb—Al alloy in which Sb and Al are added to Ag. Below, the Ag alloy electrically conductive film of 1st Embodiment is demonstrated.
先ず、原料として、純度:９９．９９原子％以上のＡｇ塊と、純度:９９．９原子％以上のＳｂ塊と、純度:９９．９９原子％以上のＡｌ塊とを用意した。前記Ａｇ塊を高周波真空溶解炉で溶解してＡｇ溶湯を作製し、次いで、このＡｇ溶湯に、以下の表１に示されるように秤量されたＳｂ塊及びＡｌ塊を添加して溶解し、鋳造することによりインゴットを作製した。得られたインゴットを冷間圧延したのち、大気中で６００℃、２時間保持の熱処理を施し、次いで、機械加工することにより、直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有する実施例１乃至１０のスパッタリングターゲット及び比較例１乃至４のスパッタリングターゲットを作製した。さらに、前記Ａｇ溶湯を鋳造することによりインゴットを作製して、機械加工することにより、前記寸法を有する従来例のスパッタリングターゲットを作製した。 First, an Ag lump having a purity of 99.99 atomic% or more, an Sb lump having a purity of 99.9 atomic% or more, and an Al lump having a purity of 99.99 atomic% or more were prepared as raw materials. The Ag lump is melted in a high-frequency vacuum melting furnace to produce a molten Ag, and then the Sb lump and the Al lump weighed as shown in Table 1 below are added to the Ag melt to be melted and cast. By doing so, an ingot was produced. Example 1 having a diameter of 152.4 mm and a thickness of 6 mm by subjecting the obtained ingot to cold rolling, heat treatment at 600 ° C. for 2 hours in the atmosphere, and then machining. The sputtering target of thru | or 10 and the sputtering target of Comparative Examples 1-4 were produced. Further, an ingot was produced by casting the molten Ag and machined to produce a conventional sputtering target having the above dimensions.
実施例１乃至１０、比較例１乃至４及び従来例のスパッタリングターゲットを、それぞれ無酸素銅製のバッキングプレートにはんだ付けし、これらを直流マグネトロンスパッタ装置に装着した。 The sputtering targets of Examples 1 to 10, Comparative Examples 1 to 4, and the conventional example were each soldered to a backing plate made of oxygen-free copper, and these were mounted on a DC magnetron sputtering apparatus.
次に、真空排気装置にて、直流マグネトロンスパッタ装置内を５×１０−５Ｐａ以下まで排気した後、Ａｒガスを導入して０．５Ｐａのスパッタガス圧とし、続いて直流電源にてスパッタリングターゲットに２５０Ｗの直流電力を印加した。
さらに、スパッタリングターゲットに対向し、かつ、７０ｍｍの間隔を設けて、該ターゲットと平行に配置した縦：３０ｍｍ、横：３０ｍｍの四角形状のガラス基板（コーニング社製イーグルＸＧ）上に、表１に示される成分組成を有する実施例１乃至１０及び比較例１乃至４のＡｇ合金導電膜、さらには、純Ａｇによる従来例のＡｇ導電膜を形成した。なお、これらの導電体膜の厚さは、１００ｎｍである。
Next, after evacuating the DC magnetron sputtering apparatus to 5 × 10 −5 Pa or less with a vacuum exhaust apparatus, Ar gas is introduced to a sputtering gas pressure of 0.5 Pa, followed by a sputtering target with a DC power source. 250 W of direct current power was applied.
Further, on a rectangular glass substrate (Corning Eagle XG) having a length of 30 mm and a width of 30 mm arranged in parallel with the target facing the sputtering target and spaced by 70 mm, Table 1 The Ag alloy conductive films of Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 4 having the component composition shown, and the conventional Ag conductive film of pure Ag were formed. In addition, the thickness of these conductor films is 100 nm.
これら形成された各導電膜の成分組成は、表１に示される。なお、膜の組成は、別途１μｍの厚さで成膜した膜を用いて、電子線マイクロプローブアナライザ（ＥＰＭＡ）により分析し、その定量分析値により決定した。
なお、定量分析値を確認したが、ターゲット組成から大きなずれは見られなかった。
Table 1 shows the component composition of each of the formed conductive films. The composition of the film was determined using an electron beam microprobe analyzer (EPMA) using a film separately formed with a thickness of 1 μm and the quantitative analysis value.
In addition, although the quantitative analysis value was confirmed, the big shift | offset | difference from target composition was not seen.
以上の様にして形成した導電膜のそれぞれについて、表面Ｓｂ酸化物の確認、比抵抗測定、耐熱性評価、耐塩化性及び耐硫化性評価を行った。以下に、これらについて説明する。 About each of the electrically conductive film formed as mentioned above, confirmation of surface Sb oxide, specific resistance measurement, heat resistance evaluation, chlorination resistance, and sulfidation resistance evaluation were performed. These will be described below.
＜膜の比抵抗測定＞
表１に示される成分組成を有する各導電膜について、それらのシート抵抗を四探針法により測定し、膜厚を乗じて比抵抗値を求めた。その結果が表１に示される。
＜表面Ｓｂ酸化膜の確認＞
ＸＰＳ（分光法）の深さ方向分析にて、酸素及びＳｂの深さ方向分布を調べ、膜表面でのＳｂ酸化物の形成の有無を確認した。
<Measurement of film resistivity>
About each electrically conductive film which has a component composition shown by Table 1, those sheet resistances were measured by the four-point probe method, and the specific resistance value was calculated | required by multiplying the film thickness. The results are shown in Table 1.
<Confirmation of surface Sb oxide film>
In the depth direction analysis of XPS (spectroscopy), the depth direction distribution of oxygen and Sb was examined, and the presence or absence of Sb oxide formation on the film surface was confirmed.
＜膜の耐熱性評価＞
実施例１乃至１０、比較例１乃至４、および従来例の各導電膜の試料を作製した直後、即ち、成膜直後のアズデポ状態（as depo.状態）の膜表面について、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）のＤＦＭモード、１μｍ角の視野にて、表面の凹凸像を測定し、膜表面の表面粗さ（Ｒａ）を求めた。その結果が表１に示されている。
次に、この試料について、窒素雰囲気中、２５０℃、１時間の熱処理を行った後、再びＡＦＭにより、同様にＲａを測定した。その結果が表１に示されている。
なお、表１に示された熱処理前後における表面粗さ変化率（％）については、
［｛（熱処理後のＲａ）−（熱処理前のＲａ）｝／（熱処理前のＲａ）］×１００
の式により求めた。この変化率の値が、耐熱性の指標となり、この値が小さい程、耐熱性が高いことを表している。
<Evaluation of heat resistance of membrane>
Atomic force microscope (as depo. State) immediately after the preparation of each conductive film sample of Examples 1 to 10, Comparative Examples 1 to 4 and Conventional Example, that is, as-depo. A surface roughness image (Ra) was obtained by measuring the surface irregularity image in the AFM) DFM mode and 1 μm square field of view. The results are shown in Table 1.
Next, after heat-treating this sample at 250 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere, Ra was similarly measured by AFM again. The results are shown in Table 1.
In addition, about the surface roughness change rate (%) before and after the heat treatment shown in Table 1,
[{(Ra after heat treatment) − (Ra before heat treatment)} / (Ra before heat treatment)] × 100
It was calculated by the following formula. The value of this change rate becomes an index of heat resistance, and the smaller this value, the higher the heat resistance.
＜膜の耐塩化性評価＞
実施例１乃至１０、比較例１乃至４及び従来例の各導電膜の試料を作製した直後、即ち、成膜直後のアズデポ状態（as depo.状態）の膜表面について、分光光度計にて、波長５５０ｎｍの可視光を用いて、反射率を測定した。その結果が表１に示されている。
次に、これらの導電膜の試料を、室温で、５％ＮａＣｌ水溶液中に１２時間浸漬し、水溶液から取り出して純水で十分に洗浄した後、乾燥空気を噴射して水分を取り除いた。これらの試料について、波長５５０ｎｍの可視光を用いて、再度、分光光度計により反射率を測定した。その結果が表１に示されている。
なお、これらの測定結果に基づいて、表１に示されたＮａＣｌ水溶液の浸漬後における反射率の低下率については、
［｛（ＮａＣｌ水溶液浸漬後の反射率）−（ＮａＣｌ水溶液浸漬前の反射率）｝／（ＮａＣｌ水溶液浸漬前の反射率）］×１００
の式により求めた。この低下率の値が、耐塩化性の指標となり、この値が小さい程、耐塩化性が高いことを表している。
<Evaluation of membrane salt resistance>
Immediately after producing the conductive film samples of Examples 1 to 10, Comparative Examples 1 to 4 and the conventional example, that is, the film surface in an as-depo state (as depo. State) immediately after film formation, using a spectrophotometer The reflectance was measured using visible light having a wavelength of 550 nm. The results are shown in Table 1.
Next, these conductive film samples were immersed in a 5% NaCl aqueous solution for 12 hours at room temperature, taken out from the aqueous solution and thoroughly washed with pure water, and then dried air was sprayed to remove moisture. About these samples, the reflectance was again measured with the spectrophotometer using visible light with a wavelength of 550 nm. The results are shown in Table 1.
In addition, based on these measurement results, about the reduction rate of the reflectance after immersion of the NaCl aqueous solution shown in Table 1,
[{(Reflectance after immersion in NaCl aqueous solution) − (Reflectivity before immersion in NaCl aqueous solution)} / (Reflectivity before immersion in NaCl aqueous solution)] × 100
It was calculated by the following formula. The value of this reduction rate becomes an index of chloride resistance, and the smaller this value, the higher the chloride resistance.
＜膜の耐硫化性評価＞
前記耐塩化性評価の場合と同様にして、各導電体膜のアズデポ状態（as depo.状態）の膜表面について、分光光度計にて、可視光（波長５５０ｎｍ）の反射率を測定した後、この導電体膜試料を、室温で、０．０１％Ｎａ２Ｓの水溶液中に１時間浸漬し、水溶液から取り出して純水で十分に洗浄した後、乾燥空気を噴射して水分を取り除いた。これらの試料について、可視光（波長５５０ｎｍ）により、再度、分光光度計により反射率を測定した。その結果が表１に示されている。
なお、これらの測定結果に基づいて、表１に示されたＮａ２Ｓ水溶液の浸漬後における反射率の低下率については、
［｛（Ｎａ２Ｓ水溶液浸漬後の反射率）−（Ｎａ２Ｓ水溶液浸漬前の反射率）｝／（Ｎａ２Ｓ水溶液浸漬前の反射率）］×１００
の式により求めた。この低下率の値が、耐硫化性の指標となり、この値が小さい程、耐硫化性が高いことを表している。
<Sulfuration resistance evaluation of membrane>
In the same manner as in the evaluation of chloride resistance, after measuring the reflectance of visible light (wavelength 550 nm) with a spectrophotometer on the surface of each conductor film in the as-depo state (as depo. State), This conductor film sample was immersed in an aqueous solution of 0.01% Na 2 S for 1 hour at room temperature, taken out from the aqueous solution and sufficiently washed with pure water, and then dried air was sprayed to remove moisture. About these samples, the reflectance was again measured with the spectrophotometer by visible light (wavelength 550 nm). The results are shown in Table 1.
In addition, based on these measurement results, about the rate of decrease in reflectance after immersion of the Na 2 S aqueous solution shown in Table 1,
[{(Reflectance after immersion in Na 2 S aqueous solution) − (Reflectivity before immersion in Na 2 S aqueous solution)} / (Reflectivity before immersion in Na 2 S aqueous solution)] × 100
It was calculated by the following formula. The value of the decrease rate becomes an index of sulfidation resistance, and the smaller the value, the higher the sulfidation resistance.
上記の表１に示されるように、実施例１乃至１０の導電膜は、比抵抗に関しては、純Ａｇによる従来例の導電膜には及ばないものの、導電膜としての実用には充分であり、遜色ない結果が得られている。一方、熱処理後における表面粗さ変化率では、実施例１乃至１０の導電膜は、従来例の導電膜に比較して、格段に低下しており、耐熱性が向上したことを示している。また、塩水浸漬後及びＮａ２Ｓ水溶液浸漬後における反射率低下率をみると、実施例１乃至１０の導電膜は、従来例の導電膜に比較して、それぞれの低下率の値が低下しており、耐塩化性及び耐硫化性がともに向上したことを示している。 As shown in Table 1 above, the conductive films of Examples 1 to 10 are sufficient for practical use as a conductive film, although the specific resistance does not reach the conventional conductive film made of pure Ag. The result is inferior. On the other hand, in the surface roughness change rate after the heat treatment, the conductive films of Examples 1 to 10 are markedly lower than the conductive film of the conventional example, indicating that the heat resistance is improved. Looking at the reflectance decrease rate after after the salt immersion and Na 2 S aqueous solution immersion, conductive films of Examples 1 to 10, compared to the conductive film of the conventional example, the value of each reduced rate decreases This shows that both the resistance to chlorination and the resistance to sulfidation have improved.
なお、表１における比較例１乃至４の導電膜は、本発明のＡｇ−Ｓｂ−Ａｌ合金導電膜におけるＳｂ又はＡｌの添加範囲外の添加量を含むものであって、比較例１の導電膜では、Ｓｂの添加量が、０．０５ａｔ％と少ないため、表面粗さ変化率において改善が見られず、耐熱性が向上しなかったことを示している。また、比較例２、４の導電膜では、添加量が、多いため、比抵抗が高くなることを示しており、比較例３の導電膜では、塩水浸漬後の反射率の低下率の値が大きくなり、耐塩化性において、改善が見られず、耐塩化性が向上しなかった。 In addition, the conductive films of Comparative Examples 1 to 4 in Table 1 include an addition amount outside the addition range of Sb or Al in the Ag—Sb—Al alloy conductive film of the present invention, and the conductive film of Comparative Example 1 Then, since the addition amount of Sb is as small as 0.05 at%, the surface roughness change rate was not improved, indicating that the heat resistance was not improved. In addition, the conductive films of Comparative Examples 2 and 4 show that the specific resistance increases because the amount of addition is large. In the conductive film of Comparative Example 3, the value of the rate of decrease in reflectance after immersion in salt water is shown. No increase was observed in the chlorination resistance, and the chlorination resistance was not improved.
〔第２の実施形態〕
第２の実施形態のＡｇ合金導電膜は、ＡｇにＳｂとＭｎとを添加したＡｇ−Ｓｂ−Ｍｎ合金の場合である。以下に、第２の実施形態のＡｇ合金導電膜について説明する。なお、第２の実施形態には、ＡｇにＳｂとＭｎ及びＡｌとを添加したＡｇ−Ｓｂ−Ｍｎ−Ａｌ合金の場合も含まれる。
[Second Embodiment]
The Ag alloy conductive film of the second embodiment is an Ag—Sb—Mn alloy in which Sb and Mn are added to Ag. The Ag alloy conductive film of the second embodiment will be described below. The second embodiment includes the case of an Ag—Sb—Mn—Al alloy in which Sb, Mn, and Al are added to Ag.
先ず、原料として、純度:９９．９９原子％以上のＡｇ塊と、純度:９９．９原子％以上のＳｂ塊と、純度:９９．９９原子％以上のＭｎ塊及びＡｌ塊とを用意した。前記Ａｇ塊を高周波真空溶解炉で溶解してＡｇ溶湯を作製し、次いで、このＡｇ溶湯に、以下の表２に示されるように秤量されたＳｂ塊及びＭｎ塊及びＡｌ塊を添加して溶解し、鋳造することによりインゴットを作製した。第１の実施形態と同様にして、得られたインゴットから、直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有する実施例１１乃至２０のスパッタリングターゲットを作製した。 First, an Ag lump having a purity of 99.99 atomic% or more, an Sb lump having a purity of 99.9 atomic% or more, and an Mn lump and an Al lump having a purity of 99.99 atomic% or more were prepared as raw materials. The Ag lump is melted in a high-frequency vacuum melting furnace to produce a molten Ag, and then the Sb lump, the Mn lump and the Al lump weighed as shown in Table 2 below are added to this Ag molten and melted. Then, an ingot was produced by casting. In the same manner as in the first embodiment, sputtering targets of Examples 11 to 20 having dimensions of diameter: 152.4 mm and thickness: 6 mm were produced from the obtained ingot.
次に、実施例１１乃至２２及び比較例５乃至８のスパッタリングターゲットを用いて、ガラス基板上にスパッタリングすることで、実施例１１至２２及び比較例５乃至８のＡｇ合金導電膜を形成した。また、比較のため、第１の実施形態の場合と同様に、従来例のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることで、純Ａｇによる従来例の導電膜も形成した。 Next, the Ag alloy conductive films of Examples 11 to 22 and Comparative Examples 5 to 8 were formed by sputtering on glass substrates using the sputtering targets of Examples 11 to 22 and Comparative Examples 5 to 8. For comparison, a conventional conductive film made of pure Ag was also formed by sputtering using a conventional sputtering target, as in the first embodiment.
以上の様にして形成した導電膜のそれぞれについて、第１の実施形態で述べた比抵抗測定、耐熱性評価、耐塩化性評価及び耐硫化性評価の手法を用いて、測定評価を行った。その結果については、以下の表２に示されている。 Each of the conductive films formed as described above was measured and evaluated using the specific resistance measurement, heat resistance evaluation, chlorination resistance evaluation, and sulfidation resistance evaluation methods described in the first embodiment. The results are shown in Table 2 below.
上記の表２に示されるように、実施例１１乃至２２の導電膜は、比抵抗に関しては、純Ａｇによる従来例の導電膜には及ばないものの、導電膜としての実用には充分であり、遜色ない結果が得られている。一方、熱処理後における表面粗さ変化率では、実施例１１乃至２２の導電膜は、従来例の導電膜に比較して、格段に低下しており、耐熱性が向上したことを示している。また、塩水浸漬後及びＮａ２Ｓ水溶液浸漬後における反射率低下率をみると、実施例１１乃至２２の導電膜は、従来例の導電膜に比較して、それぞれの低下率の値が低下しており、耐塩化性及び耐硫化性がともに向上したことを示している。 As shown in Table 2 above, the conductive films of Examples 11 to 22 are sufficient for practical use as a conductive film, although the specific resistance does not reach the conventional conductive film made of pure Ag. The result is inferior. On the other hand, in the surface roughness change rate after the heat treatment, the conductive films of Examples 11 to 22 were markedly lower than the conductive films of the conventional examples, indicating that the heat resistance was improved. Looking at the reflectance decrease rate after salt water immersion and after Na 2 S aqueous solution immersion, conductive films of Examples 11 to 22, compared to the conductive film of the conventional example, the value of each reduced rate decreases This shows that both the resistance to chlorination and the resistance to sulfidation have improved.
〔第３の実施形態〕
第３の実施形態のＡｇ合金導電膜は、ＡｇにＳｂとＡｌと（Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐｄ）のいずれか１種以上とを添加したＡｇ−Ｓｂ−Ａｌ−（Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐｄ）合金の場合である。以下に、第３の実施形態のＡｇ合金導電膜について説明する。
[Third Embodiment]
In the Ag alloy conductive film of the third embodiment, Ag—Sb—Al— (Sb, Al, and one or more of (In, Sn, Mg, Cu, Zn, Ge, Pd) are added to Ag. In the case of In, Sn, Mg, Cu, Zn, Ge, Pd) alloys. The Ag alloy conductive film of the third embodiment will be described below.
先ず、原料として、純度:９９．９９原子％以上のＡｇ塊と、純度:９９．９原子％以上のＳｂ塊と、純度:９９．９９原子％以上のＡｌ塊と，純度:９９．９９原子％以上のＩｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＧｅのうち１種又は２種以上の塊とを用意した。前記Ａｇ塊を高周波真空溶解炉で溶解してＡｇ溶湯を作製し、このＡｇ溶湯に、表３に示されるように秤量されたＳｂ塊と、Ａｌ塊と、さらに、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ及びＰｄのうち１種又は２種以上の塊を添加して溶解し鋳造することによりインゴットを作製した。第１の実施形態の場合と同様に、得られたインゴットから、直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有する実施例２３乃至３６のスパッタリングターゲット及び比較例９及び１０のスパッタリングターゲットを作製した。 First, as raw materials, an Ag lump with a purity of 99.99 atomic% or more, an Sb lump with a purity of 99.9 atomic% or more, an Al lump with a purity of 99.99 atomic% or more, and a purity: 99.99 atoms % Or more lumps of In, Sn, Mg, Cu, Zn, and Ge were prepared. The Ag lump is melted in a high-frequency vacuum melting furnace to produce a molten Ag, and the Ag molten metal is weighed as shown in Table 3, Sb lump, Al lump, and In, Sn, Mg, Cu. Ingots were prepared by adding one or more of lumps of Zn, Ge and Pd, melting and casting. As in the case of the first embodiment, the sputtering targets of Examples 23 to 36 and the sputtering targets of Comparative Examples 9 and 10 having dimensions of diameter: 152.4 mm and thickness: 6 mm are produced from the obtained ingot. did.
次に、実施例２３乃至３６のスパッタリングターゲットを用いて、ガラス基板上にスパッタリングすることで、実施例２３至３６のＡｇ合金導電膜を形成した。また、同様に、比較例９及び１０のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることで、比較例９及び１０のＡｇ合金導電膜を形成した。さらに、従来例のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることで、純Ａｇによる従来例の導電膜も形成した。 Next, an Ag alloy conductive film of Examples 23 to 36 was formed by sputtering on a glass substrate using the sputtering target of Examples 23 to 36. Similarly, the Ag alloy conductive films of Comparative Examples 9 and 10 were formed by sputtering using the sputtering targets of Comparative Examples 9 and 10. Further, a conventional conductive film made of pure Ag was also formed by sputtering using the conventional sputtering target.
以上の様にして形成した導電膜のそれぞれについて、第１の実施形態で述べた比抵抗測定、耐熱性評価、耐塩化性評価及び耐硫化性評価の手法を用いて、測定評価を行った。その結果については、以下の表４に示されている。
Each of the conductive films formed as described above was measured and evaluated using the specific resistance measurement, heat resistance evaluation, chlorination resistance evaluation, and sulfidation resistance evaluation methods described in the first embodiment. The results are shown in Table 4 below.
上記の表４に示されるように、実施例２３乃至３６の導電膜は、比抵抗に関しては、純Ａｇによる従来例の導電膜には及ばないものの、導電膜としての実用には充分であり、遜色ない結果が得られている。一方、熱処理後における表面粗さ変化率では、実施例２３乃至３６の導電膜は、従来例の導電膜に比較して、格段に低下しており、耐熱性が向上したことを示している。また、塩水浸漬後及びＮａ２Ｓ水溶液浸漬後における反射率低下率をみると、実施例２３乃至３６の導電膜は、従来例の導電膜に比較して、それぞれの低下率の値が低下しており、耐塩化性及び耐硫化性がともに向上したことを示している。 As shown in Table 4 above, the conductive films of Examples 23 to 36 are sufficient for practical use as a conductive film, although the specific resistance does not reach the conventional conductive film made of pure Ag. The result is inferior. On the other hand, in the surface roughness change rate after the heat treatment, the conductive films of Examples 23 to 36 are markedly lower than the conductive film of the conventional example, indicating that the heat resistance is improved. Looking at the reflectance decrease rate after salt water immersion and after Na 2 S aqueous solution immersion, conductive films of Examples 23 to 36, compared to the conductive film of the conventional example, the value of each reduced rate decreases This shows that both the resistance to chlorination and the resistance to sulfidation have improved.
なお、表４における比較例９の導電膜では、Ａｇ合金に、Ｉｎが１．７ａｔ％含有し、同じく比較例１０の導電膜では、Ａｇ合金に、ＳｎとＣｕの合計で１．７ａｔ％含有しており、比較例９及び１０の導電膜は、本発明のＡｇ合金導電膜における添加範囲外の添加量を含むものであって、比較例９及び１０の導電膜では、添加量が多いために、比抵抗が高くなってしまう。 In the conductive film of Comparative Example 9 in Table 4, 1.7 at% In is contained in the Ag alloy, and in the same way, the conductive film of Comparative Example 10 contains 1.7 at% in total of Sn and Cu in the Ag alloy. The conductive films of Comparative Examples 9 and 10 include an addition amount outside the addition range in the Ag alloy conductive film of the present invention, and the conductive films of Comparative Examples 9 and 10 have a large addition amount. In addition, the specific resistance is increased.
〔第４の実施形態〕
第４の実施形態のＡｇ合金導電膜は、ＡｇにＳｂとＭｎと（Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐｄ）のいずれか１種以上とを添加したＡｇ−Ｓｂ−Ｍｎ−（Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐｄ）合金の場合である。以下に、第４の実施形態のＡｇ合金導電膜について説明する。
[Fourth Embodiment]
The Ag alloy conductive film of the fourth embodiment includes Ag—Sb—Mn— (Sb, Mn, and one or more of (In, Sn, Mg, Cu, Zn, Ge, Pd) added to Ag. In the case of In, Sn, Mg, Cu, Zn, Ge, Pd) alloys. The Ag alloy conductive film of the fourth embodiment will be described below.
先ず、原料として、純度:９９．９９原子％以上のＡｇ塊と、純度:９９．９原子％以上のＳｂ塊と、純度:９９．９９原子％以上のＭｎ塊と，純度:９９．９９原子％以上のＩｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ及びＰｄのうち１種又は２種以上の塊とを用意した。前記Ａｇ塊を高周波真空溶解炉で溶解してＡｇ溶湯を作製し、このＡｇ溶湯に、表５に示されるように秤量されたＳｂ塊と、Ｍｎ塊と、さらに、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ及び、Ｇｅ及びＰｄのうち１種又は２種以上の塊を添加して溶解し鋳造することによりインゴットを作製した。第１の実施形態の場合と同様にして、得られたインゴットから、直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有する実施例３７乃至５０及び比較例１１、１２のスパッタリングターゲットを作製した。 First, as raw materials, an Ag lump with a purity of 99.99 atomic% or more, an Sb lump with a purity of 99.9 atomic% or more, a Mn lump with a purity of 99.99 atomic% or more, and a purity: 99.99 atoms % Or more of In, Sn, Mg, Cu, Zn, Ge and Pd were prepared. The Ag lump is melted in a high-frequency vacuum melting furnace to produce a molten Ag, and the Ag molten metal is weighed as shown in Table 5, Sb lump, Mn lump, and In, Sn, Mg, Cu. Ingots were prepared by adding one or more lumps of Zn, Ge, and Pd, and melting and casting. As in the case of the first embodiment, the sputtering targets of Examples 37 to 50 and Comparative Examples 11 and 12 having dimensions of diameter: 152.4 mm and thickness: 6 mm were produced from the obtained ingot.
次に、実施例３７乃至５０及び比較例１１、１２のスパッタリングターゲットを用いて、ガラス基板上にスパッタリングすることで、実施例３７乃至５０のＡｇ合金導電膜を形成した。比較のため、従来例のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることで、純Ａｇによる従来例の導電膜も形成した。 Next, by using the sputtering targets of Examples 37 to 50 and Comparative Examples 11 and 12, sputtering was performed on a glass substrate to form Ag alloy conductive films of Examples 37 to 50. For comparison, a conventional conductive film made of pure Ag was also formed by sputtering using a conventional sputtering target.
以上の様にして形成した導電膜のそれぞれについて、第１の実施形態で述べた比抵抗測定、耐熱性評価、耐塩化性評価及び耐硫化性評価の手法を用いて、測定評価を行った。その結果については、以下の表６に示されている。 Each of the conductive films formed as described above was measured and evaluated using the specific resistance measurement, heat resistance evaluation, chlorination resistance evaluation, and sulfidation resistance evaluation methods described in the first embodiment. The results are shown in Table 6 below.
上記の表６に示されるように、実施例３７乃至５０の導電膜は、比抵抗に関しては、純Ａｇによる従来例の導電膜には及ばないものの、導電膜としての実用には充分であり、遜色ない結果が得られている。一方、熱処理後における表面粗さ変化率では、実施例３５乃至４６の導電膜は、従来例の導電膜に比較して、格段に低下しており、耐熱性が向上したことを示している。また、塩水浸漬後及びＮａ２Ｓ水溶液浸漬後における反射率低下率をみると、実施例３７乃至５０の導電膜は、従来例の導電膜に比較して、それぞれの低下率の値が低下しており、耐塩化性及び耐硫化性がともに向上したことを示している。 As shown in Table 6 above, the conductive films of Examples 37 to 50 are sufficient for practical use as a conductive film, although the specific resistance does not reach the conventional conductive film made of pure Ag. The result is inferior. On the other hand, in the surface roughness change rate after the heat treatment, the conductive films of Examples 35 to 46 are markedly lower than the conductive film of the conventional example, indicating that the heat resistance is improved. Looking at the reflectance decrease rate after after the salt immersion and Na 2 S aqueous solution immersion, conductive films of Examples 37 to 50, compared to the conductive film of the conventional example, the value of each reduced rate decreases This shows that both the resistance to chlorination and the resistance to sulfidation have improved.
以上の様に、本発明のＡｇ合金導電膜について、第１の実施形態〔Ａｇ−Ｓｂ−Ａｌ合金の場合〕、第２の実施形態〔Ａｇ−Ｓｂ−Ｍｎ合金の場合〕、第３の実施形態〔Ａｇ−Ｓｂ−Ａｌ−（Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐｄ）合金の場合〕、第４の実施形態〔Ａｇ−Ｓｂ−Ｍｎ―（Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐｄ）合金の場合〕に分けて具体的に説明したが、いずれの実施形態による本発明のＡｇ合金導電膜について、耐熱性、耐塩水性、耐硫化性に優れた耐性を有することが確認できた。
As described above, regarding the Ag alloy conductive film of the present invention, the first embodiment (in the case of Ag-Sb-Al alloy), the second embodiment (in the case of Ag-Sb-Mn alloy), and the third embodiment. Form [Ag—Sb—Al— (In, Sn, Mg, Cu, Zn, Ge, Pd) alloy], Fourth Embodiment [Ag—Sb—Mn— (In, Sn, Mg, Cu, Zn) In the case of an alloy of Ge, Pd)], the Ag alloy conductive film of the present invention according to any embodiment has excellent heat resistance, salt water resistance, and sulfidation resistance. It could be confirmed.
Claims (4)
前記Ａｇ合金膜の表面に、Ｓｂ酸化物が形成されていることを特徴とするＡｇ合金導電膜。 Ag containing Sb: 0.1-3.5 at% and any one or two of Al and Mn: 0.03-1.0 at%, with the balance being composed of Ag and inevitable impurities An alloy film,
An Ag alloy conductive film, wherein an Sb oxide is formed on a surface of the Ag alloy film.
The one or more types selected from In, Sn, Mg, Cu, Zn, Ge, and Pd are contained in a total amount of 0.1 to 1.5 at%. A sputtering target for forming an Ag alloy film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2012141995A JP5927744B2 (en) | 2012-06-25 | 2012-06-25 | Ag alloy conductive film and sputtering target for film formation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014005503A true JP2014005503A (en) | 2014-01-16 |
| JP5927744B2 JP5927744B2 (en) | 2016-06-01 |
Family
ID=50103488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012141995A Expired - Fee Related JP5927744B2 (en) | 2012-06-25 | 2012-06-25 | Ag alloy conductive film and sputtering target for film formation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5927744B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20220107191A (en) | 2019-12-02 | 2022-08-02 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | Ag alloy film, Ag alloy sputtering target |
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- 2012-06-25 JP JP2012141995A patent/JP5927744B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5927744B2 (en) | 2016-06-01 |
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