JP2014003258A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子制御装置1は、電子部品3と、該電子部品3を実装する実装基板2と、該実装基板2を搭載する下部筐体4と、第1の表面に、接合材16を介して電子部品3が金属接合されるヒートスプレッダ8とを有する。下部筐体4は、ヒートスプレッダ8を係合させる開口部4aを有し、ヒートスプレッダ8は、開口部4aに接合材17を介して接合される。そして、ヒートスプレッダ8は、第1の表面に対向する第2の表面が下部筐体4から露出している。
【選択図】図2
Description
〈発明の概要〉
本発明の第1の概要は、電子部品(電子部品3)と、該電子部品を実装する基板(実装基板2)と、該基板を搭載する下部筐体(ベース4)と、第1の表面に、第1の接合材(接合材16)を介して電子部品が金属接合されるヒートスプレッダ(ヒートスプレッダ8)とを有する半導体装置(電子制御装置1)である。
図1は、本実施の形態1による電子制御装置1における構成の一例を示す断面模式図である。
図2は、図1の電子部品3、およびその周辺部を拡大した電子制御装置1の断面の一例を示す説明図である。
図3は、図2のA方向(ベース4の下方)から見た平面の一例を示す説明図である。また、図4は、図2のA方向(ベース4の下方)から見た平面の他の例を示す説明図である。
次に、図1の電子制御装置1における製造工程の一例について説明する。
本実施の形態2では、電子部品3が発生する熱を外部に散逸させる能力が高いだけではなく、半導体チップ11への熱的ダメージの低減、およびはんだ14による接合部のクラック進展を抑制することのできる技術について説明する。
図14は、本実施の形態2による電子制御装置1における構成の一例を示す一部を拡大した断面模式図である。この図14は、電子制御装置1に設けられた電子部品3、およびその周辺部を拡大した説明図である。
図14の電子制御装置1を製造する際には、例えば、前記実施の形態1の図7までの製造工程を終えた後、封止樹脂18をディスペンサなどを用いて注入した後、ヒータなどによって加熱して封止樹脂18を硬化させる。続いて、図8、および図9と同様の処理を行うことにより、電子制御装置1が製造される。
本実施の形態3では、パッケージ15が形成されていない電子部品の構成例ついて説明する。
図15は、本実施の形態3による電子制御装置1における構成の一例を示す一部を拡大した断面模式図である。図15は、電子制御装置1に設けられた電子部品3、およびその周辺部を拡大した説明図である。
次に、図15の電子制御装置1における製造工程について説明する。
2 実装基板
2a 電極
2b 開口部
3 電子部品
4 ベース
4a 開口部
5 カバー
6 筐体
7 コネクタ
8 ヒートスプレッダ
9 ヒートシンク
11 半導体チップ
12 リード
13 ボンディングワイヤ
14 はんだ
15 パッケージ
16 接合材
17 接合材
18 封止樹脂
19 封止樹脂
Claims (12)
- 電子部品と、
前記電子部品を実装する基板と、
前記基板を搭載する下部筐体と、
第1の表面に、第1の接合材を介して前記電子部品が金属接合されるヒートスプレッダとを有し、
前記下部筐体は、
前記ヒートスプレッダを係合させる開口部を有し、
前記ヒートスプレッダは、
前記開口部に第2の接合材を介して接合され、前記第1の表面に対向する第2の表面が前記下部筐体から露出していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記ヒートスプレッダは、
金属、またはセラミックを主体とする材料からなることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記ヒートスプレッダは、
前記下部筐体よりも高い熱伝導率を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第2の接合材は、
金属、セラミック、または有機物を主体とする材料からなることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記ヒートスプレッダは、
前記第2の表面が、前記下部筐体の外面と略同じ高さであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記ヒートスプレッダは、
前記第2の表面が、前記下部筐体の内面に向けて迫り出す高さであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1の接合材を介して接合される前記ヒートスプレッダと前記下部筐体との接合部の厚さは、1mm程度以下であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
上部筐体を有し、
前記基板、および前記電子部品は、
前記上部筐体と前記下部筐体とによって気密封止されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記電子部品は、
前記ヒートスプレッダに実装され、前記基板に形成された電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 電子部品、および前記電子部品が発生する熱を拡散するヒートスプレッダを準備する工程と、
前記電子部品を、第1の接合材を介して前記ヒートスプレッダの第1の表面に接合する工程と、
前記電子部品を基板に実装する工程と、
前記ヒートスプレッダを係合させる開口部を有する下部筐体を準備する工程と、
前記下部筐体の開口部の周辺に第2の接合材を塗布する工程と、
前記下部筐体の開口部に前記ヒートスプレッダを挿入し、前記下部筐体と前記ヒートスプレッダとを接合する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項10記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2の接合材は、
前記下部筐体と前記ヒートスプレッダとを接合した後に、前記下部筐体の開口部と前記ヒートスプレッダとの間に充填することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項10記載の半導体装置の製造方法において、
さらに、上部筐体を準備する工程と、
前記ヒートスプレッダが接合された前記下部筐体の周辺部に接合材を塗布する工程と、
前記下部筐体と前記上部筐体とを重ね合わせて接合し、前記基板、および前記電子部品を気密封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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