JP2014003254A - シリコンウェーハに付着した異物の分析方法、およびこの方法に使用される異物転写装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコンウェーハ1の分析が容易ではない位置に付着した異物の存在するウェーハ片11を切り出し、シリコンウェーハ1の異物付着部分を平板2表面と接触させることにより、上記異物をシリコンウェーハ1から平板2表面に転写し、平板2表面の上記転写された異物を含む領域を分析することにより、該異物の構成成分を同定する。
【選択図】図1
Description
[1]シリコンウェーハに付着した異物の分析方法であって、
シリコンウェーハの異物付着部分を平板表面と接触させることにより、上記異物をシリコンウェーハから平板表面に転写すること、および、
平板表面の上記転写された異物を含む領域を分析することにより、該異物の構成成分を同定すること、
を含むことを特徴とする、前記分析方法。
[2]シリコンウェーハの面取り部に付着した異物を分析する、[1]に記載の分析方法。
[3]前記異物が転写される平板表面は、対向する2つの主表面を有するウェーハ形状の平板の一方の主表面である、[1]または[2]に記載の分析方法。
[4]前記平板は、シリコンウェーハである、[1]〜[3]のいずれかに記載の分析方法。
[5]シリコンウェーハを目視および顕微鏡観察からなる群から選ばれる観察手段によって観察し異物付着部分を特定することを含み、
特定した異物付着部分を含む領域を選択的に平板表面と接触させる、[1]〜[4]のいずれかに記載の分析方法。
[6]異物を転写すべき領域を特定するためのマークを平板表面に付すことを含み、
上記マークを付した領域を前記シリコンウェーハの異物付着部分と接触させることにより、該領域に異物を転写する、[1]〜[5]のいずれかに記載の分析方法。
[7]前記分析を、顕微ラマン分光法により行う、[1]〜[6]のいずれかに記載の分析方法。
[8][1]〜[7]のいずれかに記載の分析方法において、平板表面へ異物を転写するために使用される異物転写装置であって、
平板を立設保持する平板保持部と、
シリコンウェーハを異物付着部分が平板表面と接触するように回転および傾斜させる機構を有するシリコンウェーハ保持部と、
を有し、前記平板保持部およびシリコンウェーハ保持部の少なくとも一方は、他方に向かって移動可能である、前記異物転写装置。
本発明の分析方法は、シリコンウェーハの異物付着部分を平板表面と接触させることにより、上記異物をシリコンウェーハから平板表面に転写すること、および、平板表面の上記転写された異物を含む領域を分析することにより、該異物の構成成分を同定すること、を含むものである。
シリコンウェーハの製造工程において使用されるウェーハ保持部材は、ウェーハと接触する部分が樹脂製のものが多い。これは、シリコンウェーハはデバイス特性低下の大きな原因となる金属汚染を可能な限り排除すべきであるため、たとえ保持部分が面取り部であるとしても、ウェーハと金属との接触は避けるべきだからである。したがって、面取り部の異物は通常、保持部材に由来する樹脂であることが多い。ここで、平板表面が樹脂よりも柔らかい材料からなるものであると、異物を転写する際に異物によって平板表面が削られて、分析すべき異物に混入するおそれがある。そのような混入は異物の構成成分の同定の精度を低下させることとなるため、異物を転写する平板表面は樹脂よりも硬い材料であることが望ましい。この点からは、シリコン製または金属(例えばステンレス、アルミニウム)製の平板を用いることが好ましい。中でも、清浄なものを容易に入手可能な点から、シリコンウェーハは好ましい平板である。また、シリコン製であるか否かにかかわらず、シリコンウェーハのように対向する2つの主表面を有するウェーハ形状の平板は、シリコンウェーハの分析のために既に確立されている分析方法を適用可能なため、好ましい。
本発明の分析方法において、平板表面へ異物を転写するために使用される異物転写装置であって、
平板を立設保持する平板保持部と、
シリコンウェーハを異物付着部分が平板表面に接触するように回転および傾斜させる機構を有するシリコンウェーハ保持部と、
を有し、前記平板保持部およびシリコンウェーハ保持部の少なくとも一方は、他方に向かって移動可能である、前記異物転写装置、
も提供される。
(1)異物付着位置の特定
分析対象のシリコンウェーハの面取り部を、端面観察用デジタルマイクロスコープにより観察したところ、面取り部の一部分に異物の付着が確認された。面取り部の異物付着が確認された部分のデジタルマイクロスコープ画像を、図5に示す。転写時の位置の目安とするため、異物付着位置付近のウェーハの両主表面にボールペンでマークを付した。
上記シリコンウェーハのマークを付した部分を含む部分をダイヤモンドカッターにより切り出し、転写用ウェーハ片を得た。
洗浄処理を施し表面が清浄化されたシリコンウェーハを準備し、スポットライト下で付着物がないことを目視で確認した。このシリコンウェーハの一方の主表面にダイヤモンドペンにより幅5〜10mm程度、長さ20〜30mm程度の楕円を描いた。
図1に示すように、上記ウェーハ片の、工程(1)で特定された異物付着部分を、シリコンウェーハ表面の上記(2)でマーキングした位置に押し付けて、ウェーハ片の面取り部からシリコンウェーハ表面へ異物を転写した。
上記(3)で異物が転写されたシリコンウェーハの異物転写領域を、顕微レーザーラマン分光分析装置の光学顕微鏡で観察したところ、付着していた異物は、上記(1)でデジタルマイクロスコープにより観察した、シリコンウェーハの面取り部に付着していた異物が反転した形状であった。これにより、異物転写用シリコンウェーハ表面に、シリコンウェーハ面取り部の異物が転写されたことが確認された。
そこで、シリコンウェーハ表面上の異物を顕微レーザーラマン分光分析装置により分析した。
上記光学顕微鏡による観察および顕微レーザーラマン分光分析装置による分析時に、上記(2)で付したマーキングを目印とすることで、異物の位置の特定が容易になる。
上記(4)の分析の結果、シリコンウェーハ表面の異物、即ち分析対象のシリコンウェーハの面取り部に付着していた異物は、ポリエチレン(PE)と同定された。図6は本実施例において顕微レーザーラマン分光分析によって得られたスペクトルである。シリコンウェーハの製造ライン中の一工程においてシリコンウェーハの面取り部を保持する保持部材表面がPE製であったため、上記同定結果から、保持部材表面が部分的に劣化したことが面取り部の原因と推定された。
上記推定に基づき、当該保持部材を交換してシリコンウェーハの製造を行ったところ、得られたシリコンウェーハの面取り部には、デジタルマイクロスコープによる観察で異物が確認されなかった。
従来の分析方法では、面取り部に付着した異物を上記のように同定することは容易ではないが、本発明によれば面取り部の異物を平板に転写することで、異物を容易に分析・同定することができ、その結果、異物発生原因の特定および排除が可能となる。
分析対象のシリコンウェーハからのウェーハ片の切り出しを行わずに図3に示す異物転写装置を使用してシリコンウェーハ面取り部から、異物転写用シリコンウェーハ主表面への異物の転写を行った点以外、実施例1と同様とした。
その結果、実施例1と同様に、異物がPEであることが特定された。
Claims (8)
- シリコンウェーハに付着した異物の分析方法であって、
シリコンウェーハの異物付着部分を平板表面と接触させることにより、上記異物をシリコンウェーハから平板表面に転写すること、および、
平板表面の上記転写された異物を含む領域を分析することにより、該異物の構成成分を同定すること、
を含むことを特徴とする、前記分析方法。 - シリコンウェーハの面取り部に付着した異物を分析する、請求項1に記載の分析方法。
- 前記異物が転写される平板表面は、対向する2つの主表面を有するウェーハ形状の平板の一方の主表面である、請求項1または2に記載の分析方法。
- 前記平板は、シリコンウェーハである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の分析方法。
- シリコンウェーハを目視および顕微鏡観察からなる群から選ばれる観察手段によって観察し異物付着部分を特定することを含み、
特定した異物付着部分を含む領域を選択的に平板表面と接触させる、請求項1〜4のいずれか1項に記載の分析方法。 - 異物を転写すべき領域を特定するためのマークを平板表面に付すことを含み、
上記マークを付した領域を前記シリコンウェーハの異物付着部分と接触させることにより、該領域に異物を転写する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の分析方法。 - 前記分析を、顕微ラマン分光法により行う、請求項1〜6のいずれか1項に記載の分析方法。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の分析方法において、平板表面へ異物を転写するために使用される異物転写装置であって、
平板を立設保持する平板保持部と、
シリコンウェーハを異物付着部分が平板表面と接触するように回転および傾斜させる機構を有するシリコンウェーハ保持部と、
を有し、前記平板保持部およびシリコンウェーハ保持部の少なくとも一方は、他方に向かって移動可能である、前記異物転写装置。
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JPH11251273A (ja) * | 1998-03-03 | 1999-09-17 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法、半導体ウエハの製造方法および半導体ウエハ |
JP2001215193A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-08-10 | Jeol Ltd | 顕微ラマン分光システム |
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2012
- 2012-06-21 JP JP2012139407A patent/JP5962248B2/ja active Active
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