JP2014002070A - 電流センサ - Google Patents

Abstract

【課題】被測定電流の流れる導電部材が小型化されても良好な特性を維持可能な電流センサを提供すること。
【解決手段】この電流センサ（１）は、導電部材（１１）と、磁電変換素子（１２１，１２２）と、を具備し、導電部材（１１）は、第１通流部（１１１）から第５通流部（１１５）を有し、磁電変換素子（１２１，１２２）は、感度軸（Ｓ１，Ｓ２）が同一方向に揃えられ、第３通流部（１１３）側の接続部（１１４ｈ，１１５ｈ）が第１通流部（１１１）側又は第２通流部（１１２）側の接続部（１１４ｇ，１１５ｇ）に対して外側になるように配置され、第４通流部（１１４）及び第５通流部（１１５）は、第１通流部（１１１）及び第２通流部（１１２）側の接続部（１１４ｈ，１１５ｈ）間の間隔（Ｄ１１）に対して、第３通流部（１１３）側の接続部（１１４ｆ，１１５ｆ）間の間隔（Ｄ１２）が相対的に大きい。
【選択図】図１

Description

本発明は、導体を流れる電流を非接触で測定可能な電流センサに関し、特に、電流によって生じる誘導磁界を検出して被測定電流の電流値を測定する電流センサに関する。

電気自動車や太陽電池などの分野では、被測定電流によって生じる誘導磁界に基づいて非接触で電流値を測定可能な電流センサが用いられている。この電流センサは、被測定電流により生じる誘導磁界を検出するための磁電変換素子を備えており、磁電変換素子で検出される磁界強度を基に被測定電流の電流値を算出する。磁電変換素子としては、例えば、ホール効果を利用して磁界強度を電気信号に変換するホール素子や、磁界による電気抵抗値の変化を利用する磁気抵抗効果素子などが用いられる。

このような電流センサとして、互いに平行な一対の接続導体部の一端側を導電路で連結させたＵ字状の一次導体を備え、接続導体部に近接して電流検知デバイス部を配置させたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この電流センサにおいては、一方の接続導体部が、同一直線上に離間して配置された一方の被測定導電路に接続され、他方の接続導体部が、他方の被測定導電路に接続される。そして、一方の被測定導電路から引き込んだ被測定電流が、一方の接続導体部、Ｕ字底部及び他方の接続導体部を介して他方の被測定導電路に流れる際に生じる誘導磁界の磁界強度を電流検知デバイス部で検出することにより被測定電流の電流値を算出する。

特開２０１１−１３２００号公報

ところで、特許文献１に記載の電流センサを小型化するためには、一対の接続導体部が延びる方向における長さ（以下、「全長」という）を短縮することが有効である。しかしながら、一対の接続導体部の全長を短縮すると、一対の接続導体部の全長に対して、一対の接続導体部が延びる方向に直交する方向における長さ（以下、「幅」という）が相対的に大きくなる。このように一対の接続導体部の全長に対して幅が相対的に大きくなると、一方の被測定導電路から引き込んだ被測定電流が、一対の接続導体部を斜めに流れてしまう場合がある。この場合、磁電変換素子に対する誘導磁界の方向が変化し、被測定電流の測定精度が悪化する問題がある。

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、被測定電流の流れる導電部材が小型化されても良好な測定精度を維持できる電流センサを提供することを目的とする。

本発明の電流センサは、被測定電流が流れる導電部材と、前記被測定電流からの誘導磁界により出力信号を出力する磁電変換素子と、を具備し、前記導電部材は、同一直線上に離間して配置された第１通流部及び第２通流部と、前記第１通流部及び前記第２通流部に対して平行に配置された第３通流部と、前記第１通流部の一部と前記第３通流部の一部とを繋ぐように配置された第４通流部と、前記第２通流部の一部と前記第３通流部とを繋ぐように配置された第５通流部と、を有し、前記磁電変換素子は、前記第４通流部及び前記５通流部にそれぞれ配置され、感度軸が同一方向に揃えられ、前記第４通流部は、前記第３通流部側の接続部が前記第１通流部側の接続部に対して外側になるように配置され、前記第５通流部は、第３通流部側の接続部が前記第２通流部側の接続部に対して外側になるように配置され、前記第４通流部及び前記第５通流部は、前記第１通流部及び前記第２通流部側の接続部間の間隔に対して、前記第３通流部側の接続部間の間隔が相対的に大きいことを特徴とする。

この構成によれば、第４通流部及び第５通流部が延びる方向における第４通流部及び第５通流部の長さ（以下、「全長」という）と、第４通流部及び第５通流部が延びる方向に直交する方向における第４通流部及び第５通流部の長さ（以下、「幅」という）と、の比率が変化しても、被測定電流が第４通流部及び第５通流部を斜めに流れることがない。これにより、第４通流部及び第５通流部の全長を短縮した場合においても、磁電変換素子の感度軸の方向と同一方向から被測定電流からの誘導磁界が磁電変換素子に印加されるので、導電部材が小型化されても良好な測定精度を維持できる電流センサを実現できる。

本発明の電流センサにおいては、前記第４通流部は、前記第１通流部及び前記第３通流部が延びる方向に対して直交する方向において、前記第１通流部から前記第３通流部まで直線状に延在する領域を有し、前記第５通流部は、前記第３通流部及び前記第２通流部が延びる方向に対して直交する方向において、前記第３通流部から前記第２通流部まで直線状に延在する領域を有することが好ましい。この構成により、被測定電流が、第１通流部から第３通流部まで直線状に延在する領域内を流れると共に、第３通流部から第２通流部まで直線上に延在する領域内を流れる。これにより、被測定電流が流れる方向を第４通流部及び第５通流部が延びる方向に揃えることができるので、磁電変換素子の感度軸の方向に対して同一方向から被測定電流からの誘導磁界が印加され、被測定電流の測定精度が更に向上する。

本発明の電流センサにおいては、前記磁電変換素子が、前記直線状に延在する領域上に配置されていることが好ましい。この構成により、磁電変換素子の感度軸の方向に対して同一方向から被測定電流からの誘導磁界が印加されるので、被測定電流の測定精度が更に向上する。

本発明の電流センサにおいては、前記第４通流部は、外側面において前記磁電変換素子の配置位置より前記第１通流部に近い領域に設けられた第１切り欠き部と、内側面において前記磁電変換素子の配置位置より第３通流部に近い領域に設けられた第２切り欠き部と、を有し、前記第５通流部は、前記外側面において前記磁電変換素子の配置位置より前記第２通流部に近い領域に設けられた第３切り欠き部と、前記内側面において前記磁電変換素子より前記第３通流部に近い領域に設けられた第４切り欠き部と、を有することが好ましい。この構成により、第１切り欠き部〜第４切り欠き部を設けるだけで第４通流部及び第５通流部を流れる被測定電流の方向を第４通流部及び第５通流部が延びる方向に揃えることができるので、被測定電流の測定精度が更に向上する。

本発明の電流センサにおいては、前記第４通流部及び前記第５通流部が、前記第１通流部及び前記第２通流部が延びる方向に対して斜めに延びることが好ましい。

本発明によれば、被測定電流の流れる導電部材が小型化されても良好な測定精度を維持できる電流センサを実現できる。

第１の実施の形態に係る電流センサの構成例を示す平面模式図である。 第１の実施の形態に係る電流センサの回路構成を示すブロック図である。 第１の実施の形態に係る電流センサにおける被測定電流の流路の説明図である。 図３の磁電変換素子近傍の部分拡大図である。 比較例に係る電流センサにおける被測定電流の流路の説明図である。 図５の磁電変換素子近傍の部分拡大図である。 電流センサのオフセット温度特性を示す図である。 電流センサの測定精度の線形性及びヒステリシス特性を示す図である。 第２実施の形態に係る電流センサの平面模式図である。 第２実施の形態に係る電流センサにおける被測定電流の流路の説明図である。 図１０の磁電変換素子近傍の部分拡大図である。

本発明者らは、同一直線上に離間して配置された一対の被測定導電路に、一対の平行部及び一対の平行部を接続する接続導電路を有するＵ字型の導電部材を接続した電流センサにおいては、一対の平行部の全長の短縮化が電流センサの小型化に有効である一方、一対の平行部の全長の短縮化に伴い電流センサの測定精度が低下することに着目した。そして、本発明者らは、電流センサの測定精度の低下の原因が、一対の平行部の全長に対して幅の比率が大きくなる際や、一対の平行部の内側と外側とで温度勾配ができた際に、被測定電流が一対の平行部を斜めに流れることにあること、及び一対の平行部の接続部の配置及び一対の平行部間の間隔を制御することにより、一対の平行部を流れる被測定電流の方向を一対の平行部が延びる方向に揃えることができること、を見出し、本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明の骨子は、同一直線上に離間して配置された一対の被測定導電路（第１通流部及び第２通流部）と、この一対の被測定導電路に接続される一対の平行部（第４通流部及び第５通流部）及び一対の平行部間を接続する接続導電路（第３通流部）を有するＵ字型導電路と、を具備し、一対の平行部の接続導電路側の接続部が、被測定導電路側の接続部に対して外側になるように配置されると共に、一対の平行部の被測定導電路側における接続部の間隔に対して、一対の平行部の接続部導電路側における接続部の間隔を相対的に大きくすることである。これにより、Ｕ字型の導電路の一対の平行部の全長を短縮した場合においても、一対の平行部が延びる方向に沿って被測定電流が一対の平行部を流れるので、被測定電流の流れる導電部材が小型化されても良好な測定精度を維持できる電流センサを実現できる。

（第１の実施の形態）
第１の実施の形態においては、導電部材の第４通流部の第１通流部に近い領域に第１切り欠き部を設け、第３通流部に近い領域に第２切り欠き部を設けると共に、第５通流部の第２通流部に近い領域に第３切り欠き部を設け、第３通流部に近い領域に第４切り欠き部を設ける例について説明する。

図１は、本実施の形態に係る電流センサの構成例を示す平面模式図である。図１に示すように、本実施の形態に係る電流センサ１は、被測定電流Ｉ（図３参照）が流れる導電部材１１と、この導電部材１１の一主面上に配置された一対の磁電変換素子１２１，１２２と、を具備する。導電部材１１は、同一直線上に互いに離間して配置された一対の第１通流部１１１及び第２通流部１１２と、この第１通流部１１１及び第２通流部１１２に対して所定の間隔をとって平行に配置された第３通流部１１３とを有する。

第３通流部１１３の一端部と第１通流部１１１の一端部との間には、第１通流部１１１と第３通流部１１３とを繋ぐように第４通流部１１４が配置されている。また、第３通流部１１３の他端部と第２通流部１１２の一端部との間には、第３通流部１１３と第２通流部１１２とを繋ぐように第５通流部１１５が配置されている。すなわち、導電部材１１は、第１通流部１１１から引き込んだ被測定電流Ｉが、第４通流部１１４を介して第３通流部１１３で折り返し、第５通流部１１５を介して第２通流部１１２に流れるように構成されている。

第４通流部１１４の一主面上には、第４通流部１１４を流れる被測定電流Ｉからの誘導磁界Ｈにより出力信号を出力する磁電変換素子１２１が配置され、第５通流部１１５の一主面上には、第５通流部１１５を流れる被測定電流Ｉからの誘導磁界により出力信号を出力する磁電変換素子１２２が配置されている。

導電部材１１は、所定厚さの金属板をプレス加工又はエッチング加工することで形成される。導電部材１１は、磁電変換素子１２１，１２２の配置される配置位置（配置予定位置）を含む平坦な主表面を有している。なお、導電部材１１としては、第１通流部１１１〜第５通流部１１５を一体形成する必要はない。導電部材１１としては、例えば、直線状の被測定導電路を分断して第１通流部１１１及び第２通流部１１２とし、この第１通流部１１１及び第２通流部１１２に一体形成した第３通流部１１３、第４通流部１１４及び第５通流部１１５を接続してもよい。また、別体として形成された第１通流部１１１〜第５通流部１１５を電気的に接続して導電部材１１としてもよい。

第１通流部１１１及び第２通流部１１２は、平面視にて矩形形状を有しており、その長辺に沿う方向（図１において紙面左右方向。以下、長手方向という。）が同じとなるように配置される。第３通流部１１３は、平面視にて矩形形状を有しており、長手方向が第１通流部１１１及び第２通流部１１２の長手方向と一致するように、第１通流部１１１及び第２通流部１１２に対して所定の間隔をとって配置される。第３通流部１１３は、その長手方向の幅Ｄ１が第１通流部１１１の長手方向における端面１１１ａと第２通流部１１２の長手方向における端面１１２ａとの間の間隔Ｄ２より大きくなるように形成されている。

第４通流部１１４は、平面視にて矩形状を有している。第４通流部１１４は、一端が第１通流部１１１の一端部の側面１１１ｂとつながっており、他端が第３通流部１１３の一端部の側面１１３ａとつながっている。第４通流部１１４は、第５通流部１１５側に位置する内側面１１４ａと、この内側面１１４ａの逆側の外側面１１４ｂとを有する。

第４通流部１１４は、第３通流部１１３側の接続部１１４ｈが第１通流部１１１側の接続部１１４ｆに対して外側になるように設けられている。このように第４通流部１１４を設けることにより、第４通流部１１４を流れる被測定電流が、第４通流部１１４の幅方向における中央部近傍で第１通流部１１１及び第２通流部１１２の長手方向に垂直な方向に流れる。

本実施の形態においては、第４通流部１１４は、外側面１１４ｂの磁電変換素子１２１の配置位置より第１通流部１１１に近い領域に設けられた第１切り欠き部１１４ｃと、内側面１１４ａの磁電変換素子１２１の配置位置より第３通流部１１３に近い領域に設けられた第２切り欠き部１１４ｄと、を有する。このように第４通流部１１４に第１切り欠き部１１４ｃ及び第２切り欠き部１１４ｄを設けることにより、第４通流部１１４を流れる被測定電流Ｉが、第１通流部１１１が延びる方向に直交する方向に流れる。

また、第１切り欠き部１１４ｃ及び第２切り欠き部１１４ｄは、第１の切り欠き部１１４ｃによって切り欠かれて設けられる第４通流部１１４の接続部１１４ｆの幅Ｄ３と第２切り欠き部１１４ｄによって切り欠かれて設けられる第４通流部１１４の接続部１１４ｈの幅Ｄ４との和が、第４通流部１１４の中央部１１４ｇの幅Ｄ５より大きくなるように設けられている。このように第１切り欠き部１１４ｃ及び第２切り欠き部１１４ｄを設けることにより、第１通流部１１１が延びる方向に直交する方向に沿って、第４通流部１１４に第１通流部１１１から第３通流部１１３に直線状の領域１１４ｅが設けられる。この直線状の領域１１４ｅを設けることにより、第４通流部１１４を流れる被測定電流Ｉが領域１１４ｅ内を流れるので、第４通流部１１４を流れる被測定電流Ｉから生じる誘導磁界Ｈの方向を揃えることができる。

第５通流部１１５は、平面視にて矩形状を有している。第５通流部１１５は、一端が第２通流部１１２の一端部の側面１１２ｂとつながっており、他端が第３通流部１１３の一端部の側面１１３ａとつながっている。第５通流部１１５は、第４通流部１１４側に位置する内側面１１５ａと、この内側面１１５ａの逆側の外側面１１５ｂとを有する。第４通流部１１４及び第５通流部１１５の内側面１１４ａ，１１５ａは、互いに対向して設けられており、内側面１１４ａ，１１５ａの逆側の外側面１１４ｂ，１１５ｂは、互いに平行になっている。

第５通流部１１５は、第３通流部１１３側の接続部１１５ｈが第２通流部１１２側の接続部１１５ｆに対して外側となるように設けられている。このように第５通流部１１５を設けることにより、第５通流部１１５を流れる被測定電流が、第５通流部１１５の幅方向における中央部近傍で第１通流部１１１及び第２通流部１１２の長手方向に垂直な方向に流れる。

第４通流部１１４及び第５通流部１１５は、第１通流部１１１及び第２通流部１１２側の接続部１１４ｆ，１１５ｆ間の間隔Ｄ１１に対して、第３通流部１１３側の接続部１１４ｈ，１１５ｈ間の間隔Ｄ１２が相対的に大きくなるように配置される。このように第４通流部１１４及び第５通流部１１５を配置することにより、第４通流部１１４及び第５通流部１１５を流れる被測定電流Ｉが、内側面１１４ａ，１１５ａ側に向けて流れることを防ぐことができるので、第４通流部１１４及び第５通流部１１５が延びる方向に沿って被測定電流Ｉを流すことができる。

本実施の形態においては、第５通流部１１５は、内側面１１５ａの磁電変換素子１２２より第３通流部１１３に近い領域に設けられた第４切り欠き部１１５ｃと、外側面１１５ｂの磁電変換素子１２２の配置位置より第２通流部１１２に近い領域に設けられた第３切り欠き部１１５ｄと、を有する。このように第５通流部１１５に第４切り欠き部１１５ｃ及び第３切り欠き部１１５ｄを設けることにより、第５通流部１１５を流れる被測定電流Ｉが、第３通流部１１３が延びる方向に対して直交する方向になる。

また、第４切り欠き部１１５ｃ及び第３切り欠き部１１５ｄは、第４の切り欠き部１１５ｃによって切り欠かれて設けられる第５通流部１１５の接続部１１５ｈの幅Ｄ６と第３切り欠き部１１５ｄによって切り欠かれて設けられる第５通流部１１５の接続部１１５ｆの幅Ｄ７との和が、第５通流部１１５の中央部１１５ｇの幅Ｄ８より大きくなるように設けられている。このように第４切り欠き部１１５ｃ及び第３切り欠き部１１５ｄを設けることにより、第３通流部１１３が延びる方向に直交する方向に沿って、第５通流部１１５に第３通流部１１３から第２通流部１１２に直線状の領域１１５ｅが設けられる。この直線状の領域１１５ｅを設けることにより、第５通流部１１５を流れる被測定電流Ｉが領域１１５ｅ内を流れるので、第５通流部１１５を流れる被測定電流Ｉから生じる誘導磁界Ｈの方向を揃えることができる。

磁電変換素子１２１は、第１切り欠き部１１４ｃと第２切り欠き部１１４ｄとの間の第４通流部１１４の一主面上に配置され、加えられる磁界の強度に応じた電気信号（例えば電圧）を出力する。本実施の形態においては、磁電変換素子１２１は、第４通流部１１４の直線状の領域１１４ｅ上に配置される。このように配置することにより、磁電変換素子１２１の感度軸Ｓ１の方向に対して同一方向から被測定電流Ｉからの誘導磁界Ｈが印加されるので、被測定電流Ｉの測定精度が向上する。

磁電変換素子１２２は、第４切り欠き部１１５ｃと第３切り欠き部１１５ｄとの間の第５通流部１１５の一主面上に配置され、加えられる磁界の強度に応じた電気信号（例えば電圧）を出力する。本実施の形態においては、磁電変換素子１２２は、第５通流部１１５の直線状の領域１１５ｅ上に配置される。このように配置することにより、磁電変換素子１２２の感度軸Ｓ２の方向に対して同一方向から被測定電流Ｉからの誘導磁界Ｈが印加されるので、被測定電流Ｉの測定精度が向上する。

本実施の形態においては、第４通流部１１４の幅Ｄ５と第４通流部１１４が延びる方向における長さ（以下、「全長」という）Ｄ９との比率（Ｄ５：Ｄ９）において、１：１より幅Ｄ５が大きくなることが好ましい。この場合には、第４通流部１１４が延びる方向に沿って被測定電流Ｉを流すことができる一方、第４通流部１１４の全長Ｄ９の短縮化が可能となるので、電流センサの小型化を実現できる。同様に、第５通流部１１５の幅Ｄ８と第５通流部１１５が延びる方向における長さ（以下、「全長」という）Ｄ１０との比率（Ｄ８：Ｄ１０）において、１：１より幅Ｄ８が大きくなることが好ましい。この場合には、第５通流部１１５が延びる方向に沿って被測定電流Ｉを流すことができる一方、第５通流部１１５の全長Ｄ１０の短縮化が可能となるので、電流センサの小型化を実現できる。

磁電変換素子１２１は、感度軸Ｓ１が外側面１１４ｂに対して垂直になるように設けられている。磁電変換素子１２２は、感度軸Ｓ２が外側面１１５ｂに対して垂直になるように設けられている。すなわち、本実施の形態においては、磁電変換素子１２１，１２２は、感度軸Ｓ１，Ｓ２が同一方向に揃えられていると共に、第４通流部１１４及び第５通流部１１５を流れる被測定電流Ｉからの誘導磁界Ｈ（図４参照）の方向と一致するように設けられている。

磁電変換素子１２１，１２２は、磁化固定層、非磁性中間層及び磁化自由層が積層された構造を有しており、感度軸Ｓ１，Ｓ２の方向において、検出感度が最大となる。この感度軸Ｓ１，Ｓ２を同一方向に揃えるため、磁電変換素子１２１，１２２は、磁化自由層の磁化方向に一軸異方性を付与するハードバイアス磁界ＨＢを印加するハードバイアス層を有する。このハードバイアス層は、第４通流部１１４及び第５通流部１１５を流れる被測定電流Ｉと同一方向から磁電変換素子１２１，１２２にハードバイアス磁界を印加する。このようにハードバイアス磁界を印加することにより、感度軸Ｓ１，Ｓ２の方向を揃えることが容易になると共に、磁電変換素子１２１，１２２の測定精度の線形性やヒステリシスが向上する。なお、磁電変換素子１２１，１２２としては、必ずしもハードバイアス層を有するものを用いなくともよい。

磁電変換素子１２１，１２２は、例えば、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive effect）素子、ＴＭＲ（Tunnel Magneto Resistive effect）素子といった磁気抵抗効果素子が用いられる。なお、磁電変換素子１２１，１２２は、感度軸Ｓ１，Ｓ２が互いに逆方向を向くように配置されてもよい。

図２は、電流センサ１の回路構成を示すブロック図である。図２に示すように、磁電変換素子１２１，１２２の後段には、演算部１３が接続されている。この演算部１３は、磁電変換素子１２１，１２２の出力を差動演算して演算結果を出力する。なお、感度軸Ｓ１，Ｓ２が互いに逆方向を向くように配置されている場合には、演算部１３は、磁電変換素子１２１，１２２の出力の和を算出して後段に出力する。

また、電流センサ１は、磁電変換素子１２１，１２２を含んで構成される磁界検出ブリッジ回路により被測定電流Ｉからの誘導磁界Ｈを検出する。この磁界検出ブリッジ回路は、被測定電流Ｉからの誘導磁界Ｈの印加により抵抗値が変化する２つの磁電変換素子１２１、１２２、及び誘導磁界Ｈにより抵抗値が変化しない２つの固定抵抗素子により構成されている。この磁界検出ブリッジ回路を用いることで、高感度の電流センサ１を実現できる。なお、磁界検出ブリッジ回路は、４個の抵抗素子を含んでなるフルブリッジ回路に限られない。２個の抵抗素子を含んでなるハーフブリッジ回路としても良い。また、磁界検出ブリッジ回路に用いられる磁電変換素子の数は適宜変更できる。例えば、４個の磁電変換素子を用いて磁界検出ブリッジ回路を構成してもよい。

このように構成された電流センサ１の導電部材１１に、例えば、被測定電流Ｉが流れると、磁電変換素子１２１，１２２は互いに逆向きの誘導磁界Ｈをそれぞれ印加される。磁電変換素子１２１，１２２の感度軸Ｓ１，Ｓ２は共に同じ方向を向いているので、逆向きの誘導磁界Ｈが印加されると、磁電変換素子１２１，１２２は逆極性の一対のセンサ出力を出力する。演算部１３は、磁電変換素子１２１，１２２からの一対のセンサ出力の差をとって外乱磁界の影響を相殺し、演算結果を電流センサ出力として出力する。

次に、図３及び図４を参照して、本実施の形態に係る電流センサ１に被測定電流Ｉを流した際の被測定電流Ｉの流路について詳細に説明する。図３は、電流センサ１における被測定電流Ｉの流路の説明図であり、図４は、図３の磁電変換素子１２２近傍の部分拡大図である。

図３に示すように、導電部材１１を流れる被測定電流Ｉは、第１通流部１１１から導電部材１１内の最短距離を経由して第２通流部１１２に向けて流れる。第１通流部１１１を流れる被測定電流Ｉは、第１通流部１１１の中央部から第１通流部１１１と第４通流部１１４との接続部分に向けて第１通流部１１１を斜めに流れる。ここで、第４通流部１１４における第１通流部１１１との接続部分の近傍の領域には、外側面１１４ｂから第４通流部１１４の幅方向における中央部に向けて第１切り欠き部１１４ｃが設けられているので、被測定電流Ｉは、第４通流部１１４の中央部で方向を変えて領域１１４ｅ内を第４の通流部１１４が延びる方向に向けて流れる。

そして、第４通流部１１４における第３通流部１１３との接続部分の近傍の領域には、内側面１１４ａから第４通流部１１４の幅方向における中央部に向けて第２切り欠き部１１４ｄが設けられているので、領域１１４ｅ内を流れる被測定電流Ｉは、第４通流部１１４の中央部で方向を変えて第３の通流部１１３が延びる方向に向けて流れる。この結果、被測定電流Ｉは、第１通流部１１１から第３通流部１１３に向けて第４通流部１１４内の領域１１４ｅ内を第４通流部１１４が延びる方向に沿って直線状に流れる。

第３通流部１１３を流れる被測定電流Ｉは、第３通流部１１３の側面１１３ａの近傍の領域を、第３通流部１１３が延びる方向に沿って第５通流部１１５に向けて流れる。ここで、第５通流部１１５における第３通流部１１３との接続部分の近傍の領域には、内側面１１５ａから第５通流部１１５の幅方向における中央部に向けて第４切り欠き部１１５ｃが設けられているので、被測定電流Ｉは、第５通流部１１５の中央部で方向を変えて領域１１５ｅ内を第５の通流部１１５が延びる方向に向けて流れる。

そして、第５通流部１１５における第２通流部１１２との接続部分の近傍の領域には、外側面１１５bから第５通流部１１５の幅方向における中央部に向けて第３切り欠き部１１５ｄが設けられているので、領域１１５ｅ内を流れる被測定電流Ｉは、第５通流部１１５の中央部で方向を変えて第２の通流部１１２に向けて流れる。この結果、被測定電流Ｉは、第３通流部１１３から第２通流部１１２に向けて第５通流部１１５内の領域１１５ｅ内を第５通流部１１５が延びる方向に沿って直線状に流れる。第２通流部１１２内を流れる被測定電流Ｉは、第５通流部１１５との接続部分から第２通流部１１２の幅方向における中央部に向けて斜めに流れる。

図４に示すように、電流センサ１においては、第５通流部１１５が延びる方向に沿って被測定電流Ｉが直線状に流れるので、第５通流部１１５の幅方向に沿って外側面１１５ｂに対する垂直方向から被測定電流Ｉからの誘導磁界Ｈが印加される。この結果、被測定電流Ｉからの誘導磁界Ｈの方向と磁電変換素子１２２の感度軸Ｓ２の方向とが一致するので、被測定電流Ｉからの誘導磁界Ｈの方向と感度軸Ｓ２の方向との角度ずれを低減できる。これにより、磁電変換素子１２２に対する感度軸Ｓ２の方向における磁界Ｈ１と被測定電流Ｉからの誘導磁界Ｈとが一致するので、磁電変換素子１２２から被測定電流Ｉの電流値に応じた出力信号が出力され、電流センサ１のオフセット温度特性の悪化を抑制できる。また、被測定電流Ｉからの誘導磁界Ｈの方向と磁電変換素子１２２に対するハードバイアス磁界ＨＢの方向とが直交するので、ハードバイアス磁界ＨＢに対する悪影響を防ぐことができ、測定精度の線形性やヒステリシスの悪化を防ぐことができる。なお、図４においては、磁電変換素子１２２の近傍について説明したが、磁電変換素子１２１においても被測定電流Ｉからの誘導磁界Ｈの方向が逆方向となること以外は同一の作用効果を奏する。

次に、図５及び図６を参照して、比較例として従来の電流センサ１００における被測定電流Ｉの流路について詳細に説明する。図５は、電流センサ１００に被測定電流Ｉの流路の説明図であり、図６は、図５の磁電変換素子１２２近傍の部分拡大図である。なお、電流センサ１００は、第１切り欠き部１１４ｃ、第２切り欠き部１１４ｄ、第３切り欠き部１１５ｃ及び第４切り欠き部１１５ｄを設けていないこと以外は電流センサ１と同様の構成を有する。また、電流センサ１００の各構成要素は、電流センサ１と共通するので、同一の符号を付している。

図５に示すように、導電部材１１を流れる被測定電流Ｉは、第１通流部１１１から導電部材１１内の最短距離を経由して第２通流部１１２に向けて流れる。第１通流部１１１を流れる被測定電流Ｉは、第１通流部１１１の中央部から第１通流部１１１と第４通流部１１４との接続部分に向けて第１通流部１１１を斜めに流れる。そして、この被測定電流Ｉは、第１通流部１１１と第４通流部１１４との接続部分における角部近傍で方向を変え、第４通流部１１４と第３通流部１１３との接続部分における角部に向けて第４通流部１１４内を斜めに流れる。

次に、被測定電流Ｉは、第４通流部１１４と第３通流部１１３との接続部分における角部近傍で方向を変え、第３通流部１１３の側面１１３ａの近傍の領域を、第３通流部１１３が延びる方向に沿って第５通流部１１５に向けて流れる。第３通流部１１３を流れる被測定電流Ｉは、第３通流部１１３と第５通流部１１５との接続部分における角部近傍で方向を変え、第５通流部１１５と第２通流部１１２との接続部分における角部に向けて第５通流部１１５内を斜めに流れる。そして、被測定電流Ｉは、第５通流部１１５と第２通流部１１２との接続部分における角部近傍で方向を変え、第２通流部１１２の幅方向における中央部に向けて第２通流部１１２内を斜めに流れる。

図６に示すように、電流センサ１００においては、第５通流部１１５内を斜めに被測定電流Ｉが流れるので、第５通流部１１５の幅方向に対して所定の角度をなす方向から被測定電流Ｉからの誘導磁界Ｈが印加される。この結果、被測定電流Ｉからの誘導磁界Ｈの方向と磁電変換素子１２２の感度軸Ｓ２の方向とが所定の角度をなすので、誘導磁界Ｈは、感度軸Ｓ２の方向における磁界Ｈ１と感度軸Ｓ２の方向に直交する方向における磁界Ｈ２とを含むこととなる。この結果、磁電変換素子１２２の感度軸Ｓ２の方向における磁界Ｈ１が、誘導磁界Ｈの磁界強度に対して小さくなるので、磁電変換素子１２２から出力される出力信号が被測定電流Ｉの電流値に対して小さくなり、電流センサ１００のオフセット温度特性が悪化する。そして、誘導磁界Ｈに含まれる磁界Ｈ２の方向は、磁電変換素子１２２に対するハードバイアス磁界ＨＢの方向と逆方向となるので、被測定電流Ｉからの誘導磁界Ｈの印加によりハードバイアス磁界ＨＢが相殺され、測定精度の線形性やヒステリシスが悪化する。なお、図５においては、磁電変換素子１２２の近傍について説明したが、磁電変換素子１２１においても被測定電流Ｉからの誘導磁界Ｈの方向が逆方向となること以外は同一の現象が生じる。

図７は、電流センサ１，１００のオフセット温度特性を示す図である。図７Ａにおいては、電流センサ１のオフセット温度特性を示し、図７Ｂにおいては、電流センサ１００のオフセット温度特性を示している。なお、図７においては、第４通流部１１４及び第５通流部１１５の全長Ｄ９，Ｄ１０と第４通流部１１４及び第５通流部１１５の幅Ｄ５，Ｄ８との比率を変化させた場合のオフセット温度特性を示している。

図７Ａに示すように、電流センサ１においては、第４通流部１１４及び第５通流部１１５の全長Ｄ９，Ｄ１０と幅Ｄ５，Ｄ８との比率を変化させても、感度軸Ｓ１，Ｓ２における磁界Ｈ１と被測定電流Ｉの電流値との関係が変化しない（図７Ａの実線Ｌ１参照）。この結果から、電流センサ１においては、第４通流部１１４及び第５通流部１１５の全長Ｄ９，Ｄ１０を短縮化してもオフセット温度特性が変化しないことが分かる。

図７Ｂに示すように、電流センサ１００においては、第４通流部１１４及び第５通流部１１５の全長Ｄ９，Ｄ１０と幅Ｄ５，Ｄ８との比率を変化させると、感度軸Ｓ１，Ｓ２における磁界Ｈ１と被測定電流Ｉの電流値との関係が変化し（図７Ｂの実線Ｌ２及び一点鎖線Ｌ３参照）、被測定電流Ｉの電流値の大きさに応じて、オフセット温度変動幅Ｗが生じる。この結果から、電流センサ１００においては、第４通流部１１４及び第５通流部１１５の全長Ｄ９，Ｄ１０を短縮化するとオフセット温度特性が悪化することが分かる。

図８は、電流センサ１，１００の測定精度の線形性及びヒステリシス特性を示す図である。図８Ａにおいては、電流センサ１の測定精度の線形性及びヒステリシス特性を示し、図８Ｂにおいては、電流センサ１００の測定精度の線形性及びヒステリシス特性を示している。なお、図８においては、第４通流部１１４及び第５通流部１１５の全長Ｄ９，Ｄ１０と幅Ｄ５，Ｄ８との比率を変化させた場合の測定精度の線形性及びヒステリシス特性を示している。

図８Ａに示すように、電流センサ１においては、第４通流部１１４及び第５通流部１１５の全長Ｄ９，Ｄ１０を変化させても被測定電流Ｉに対する磁電変換素子１２１，１２２の感度軸Ｓ１，Ｓ２に直交する方向における磁界Ｈ２が生じないので、被測定電流Ｉの電流値が変化した際の電流センサ１の線形性の変動幅が小さく、ヒステリシスが良好であることが分かる。

図８Ｂに示すように、電流センサ１００においては、第４通流部１１４及び第５通流部１１５の全長Ｄ９，Ｄ１０を変化させると磁電変換素子１２１，１２２の感度軸Ｓ１，Ｓ２に直交する方向における磁界Ｈ２により、被測定電流Ｉの電流値が変化した際の電流センサ１００の線形性の変動幅が大きく、ヒステリシスが悪化することが分かる。

以上説明したように、上記実施の形態に係る電流センサ１によれば、第４通流部１１４及び第５通流部１１５の全長Ｄ９，Ｄ１０と幅Ｄ５，Ｄ８との比率が変化しても、被測定電流Ｉが第４通流部１１４及び第５通流部１１５を斜めに流れることがない。これにより、第４通流部１１４及び第５通流部１１５の全長を短縮した場合においても、磁電変換素子１２１，１２２の感度軸Ｓ１，Ｓ２の方向と同一方向から被測定電流Ｉからの誘導磁界Ｈが磁電変換素子１２１，１２２に印加されるので、導電部材１１が小型化されても良好な測定精度を維持できる電流センサ１を実現できる。

（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態に係る電流センサ２について説明する。第２の実施の形態においては、第４通流部及び第５通流部が、第１通流部及び第２通流部が延びる方向に対して斜めに延びるように、第４通流部及び第５通流部に切り欠きを設けた例について説明する。なお、以下においては、上述した第１の実施の形態に係る電流センサ１との相違点を中心に説明する。また、電流センサ２においては、電流センサ１と共通する構成要素には同一の符号を付している。

図９は、本実施の形態に係る電流センサ２の平面模式図である。図９に示すように、電流センサ２においては、第１通流部２１１は、その長辺に沿う方向（図９において紙面左右方向。以下、長手方向という。）における端部が、長手方向に対して斜めである。第２通流部２１２は、長手方向に対して斜めである。第３通流部２１３は、両端部が長手方向に対して斜めである。

第４通流部２１４は、平面視にて略平行四辺形形状を有しており、均一な幅寸法を有する。第４通流部２１４は、外側面２１４ｂの第１通流部２１１近傍の領域が平面視にて三角形状に切り欠かれて設けられた第１切り欠き部２１４ｃと、内側面２１４ａの第３通流部２１３近傍の領域が平面視にて三角形状に切り欠かれて設けられた第２切り欠き部２１４ｄと、を有する。このように第１切り欠き部２１４ｃ及び第２切り欠き部２１４ｄを設けることにより、第４通流部２１４が延びる方向に沿って、第１通流部２１１から第３通流部２１３まで延びる直線状の領域２１４ｅが第４通流部２１４に設けられる。この直線状の領域２１４ｅを設けることにより、第４通流部２１４を流れる被測定電流Ｉが領域２１４ｅ内を流れるので、第４通流部２１４を流れる被測定電流Ｉから生じる誘導磁界Ｈの方向を揃えることができる。

第４通流部２１４の内側面２１４ａは、第１通流部２１１の端面２１１ｂとつながっている。第４通流部２１４の外側面２１４ｂは、第３通流部２１３の端面２１３ｃとつながっている。このような第４通流部２１４を設けることにより、第４通流部２１４の強度を確保することができる。

第４通流部２１４は、第３通流部２１３側の接続部２１４ｈが、第１通流部２１１側の接続部２１４ｆに対して外側となるように設けられている。このように第４通流部２１４を設けることにより、第４通流部２１４を流れる被測定電流Ｉが、第４通流部２１４の幅方向における中央部で方向を変えて第４通流部２１４を流れるので、第４通流部２１４が延びる方向に沿って第４通流部内２１４に被測定電流Ｉを流すことができる。

第５通流部２１５は、第３通流部２１３側の接続部２１５ｈが第２通流部２１２側の接続部２１５ｆに対して外側となるように設けられている。このように第５通流部２１５を設けることにより、第５通流部２１５を流れる被測定電流Ｉが、第５通流部２１５の幅方向における中央部近傍で方向を変えて第５通流部２１５を流れるので、第５通流部２１５が延びる方向に沿って第５通流部２１５内に被測定電流Ｉを流すことができる。

第４通流部２１４及び第５通流部２１５は、第１通流部２１１及び第２通流部２１２側の接続部２１４ｆ，２１５ｆ間の間隔Ｄ１１に対して、第３通流部２１３側の接続部２１４ｈ間の間隔Ｄ１２が相対的に大きくなるように配置される。このように第４通流部２１４及び第５通流部２１５を配置することにより、第４通流部２１４及び第５通流部２１５を流れる被測定電流Ｉが、内側面２１４ａ，２１５ａ側に向けて流れることを防ぐことができるので、第４通流部２１４及び第５通流部２１５が延びる方向に沿って被測定電流Ｉを流すことができる。

第５通流部２１５は、平面視にて略平行四辺形形状を有しており、均一な幅寸法を有する。第５通流部２１５は、内側面２１５ａの第３通流部２１３近傍の領域が平面視にて三角形状に切り欠かれて設けられた第４切り欠き部２１５ｃと、外側面２１５ｂの第２通流部２１２近傍の領域が平面視にて三角形状に切り欠かれて設けられた第３切り欠き部２１５ｄと、を有する。このように第４切り欠き部２１５ｃ及び第３切り欠き部２１５ｄを設けることにより、第５通流部２１５が延びる方向に沿って、第３通流部２１３から第２通流部２１２まで延びる直線状の領域２１５ｅが第５通流部２１５に設けられる。この直線状の領域２１５ｅを設けることにより、第５通流部２１５を流れる被測定電流Ｉが領域２１５ｅ内を流れるので、第５通流部２１５を流れる被測定電流Ｉから生じる誘導磁界Ｈの方向を揃えることができる。

第５通流部２１５の内側面２１５ａは、第２通流部２１２の端面２１２ｂとつながっている。第５通流部２１５の外側面２１５ｂは、第３通流部２１３の端面２１３ｄとつながっている。このような第５通流部２１５を設けることにより、第５通流部２１５の強度を確保することができる。

すなわち、本実施の形態に係る電流センサ２においては、第４通流部２１４及び第５通流部２１５が、第１通流部２１１及び第２通流部２１２が延びる方向に対して斜めに延びるように設けられる。このような第４通流部２１４及び第５通流部２１５を設けることにより、第４通流部２１４及び第５通流部２１５が延びる方向に沿って被測定電流Ｉが第４通流部２１４及び第５通流部２１５を流れるので、上述した第１の実施の形態に係る電流センサ１と同様の効果を得ることができる。

次に、図１０及び図１１を参照して、本実施の形態に係る電流センサ２に被測定電流Ｉを流した際の被測定電流Ｉの流路について詳細に説明する。図１０は、電流センサ２に被測定電流Ｉの流路の説明図であり、図１１は、図１０の磁電変換素子１２２近傍の部分拡大図である。

図１０に示すように、導電部材２１を流れる被測定電流Ｉは、第１通流部２１１から導電部材２１内の最短距離を経由して第２通流部２１２に向けて流れる。第１通流部２１１を流れる被測定電流Ｉは、第１通流部２１１の中央部から第１通流部２１１と第４通流部２１４との接続部分に向けて第１通流部２１１を斜めに流れる。ここで、第４通流部２１４における第１通流部２１１との接続部分の近傍の領域には、外側面２１４ｂから第４通流部２１４の幅方向における中央部に向けて第１切り欠き部２１４ｃが設けられているので、被測定電流Ｉは、第４通流部２１４の中央部で方向を変えて領域２１４ｅ内を第４の通流部２１４が延びる方向に向けて流れる。

そして、第４通流部２１４における第３通流部２１１との接続部分の近傍の領域には、内側面２１４ａから第４通流部２１４の幅方向における中央部に向けて第２切り欠き部２１４ｄが設けられているので、領域２１４ｅ内を流れる被測定電流Ｉは、第４通流部２１４の中央部で方向を変えて第３の通流部２１３が延びる方向に向けて流れる。この結果、被測定電流Ｉは、第１通流部２１１から第３通流部２１３に向けて第４通流部２１４内の領域２１４ｅ内を第４通流部２１４が延びる方向に沿って直線状に流れる。

第３通流部２１３を流れる被測定電流Ｉは、第３通流部２１３の側面の近傍の領域を、第３通流部２１３が延びる方向に沿って第５通流部２１５に向けて流れる。ここで、第５通流部２１５における第３通流部２１３との接続部分の近傍の領域には、内側面２１５aから第５通流部２１５の幅方向における中央部に向けて第４切り欠き部２１５ｃが設けられているので、被測定電流Ｉは、第５通流部２１５の中央部で方向を変えて領域２１５ｅ内を第５の通流部２１５が延びる方向に向けて流れる。

そして、第５通流部２１５における第２通流部２１２との接続部分の近傍の領域には、外側面２１５ｂから第５通流部２１５の幅方向における中央部に向けて第３切り欠き部２１５ｄが設けられているので、領域２１５ｅ内を流れる被測定電流Ｉは、第５通流部２１５の中央部で方向を変えて第２の通流部２１２に向けて流れる。この結果、被測定電流Ｉは、第３通流部２１３から第２通流部２１２に向けて第５通流部２１５内の領域２１５ｅ内を第５通流部２１５が延びる方向に沿って直線状に流れる。第２通流部２１２内を流れる被測定電流Ｉは、第５通流部２１５との接続部分から第２通流部２１２の幅方向における中央部に向けて斜めに流れる。

図１１に示すように、電流センサ２においては、第５通流部２１５が延びる方向に沿って被測定電流Ｉが直線状に流れるので、第５通流部２１５の幅方向に沿って外側面２１５ｂに対する垂直方向から被測定電流Ｉからの誘導磁界Ｈが印加される。この結果、被測定電流Ｉからの誘導磁界Ｈの方向と磁電変換素子１２２の感度軸Ｓ２の方向とが一致するので、被測定電流Ｉからの誘導磁界Ｈの方向と感度軸Ｓ２の方向との角度ずれを低減できる。これにより、磁電変換素子１２２に対する感度軸Ｓ２の方向における磁界Ｈ１と被測定電流Ｉからの誘導磁界Ｈとが一致するので、磁電変換素子１２２から被測定電流Ｉの電流値に応じた出力信号が出力され、電流センサ２のオフセット温度特性の悪化を抑制できる。また、被測定電流Ｉからの誘導磁界Ｈの方向と磁電変換素子１２２に対するハードバイアス磁界ＨＢの方向とが直交するので、ハードバイアス磁界ＨＢに対する悪影響を防ぐことができ、測定精度の線形性やヒステリシスの悪化を防ぐことができる。なお、図１１においては、磁電変換素子１２２の近傍について説明したが、磁電変換素子１２１においても被測定電流Ｉからの誘導磁界Ｈの方向が逆方向となること以外は同一の作用効果を奏する。

以上説明したように、上記実施の形態に係る電流センサ２によれば、第４通流部２１４及び第５通流部２１５の全長と幅との比率が変化しても、被測定電流Ｉが第４通流部２１４及び第５通流部２１５を斜めに流れることがない。これにより、第４通流部２１４及び第５通流部２１５の全長を短縮した場合においても、磁電変換素子１２１，１２２の感度軸Ｓ１，Ｓ２の方向と同一方向から被測定電流Ｉからの誘導磁界Ｈが磁電変換素子１２１，１２２に印加されるので、導電部材２１が小型化されても良好な測定精度を維持できる電流センサ２を実現できる。

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することができる。例えば、導電部材の大きさや形状等は、効果が得られる範囲で適宜変更可能である。磁電変換素子の配置位置は任意に設定することができる。また、上記実施の形態における各構成の接続関係、位置、大きさ、範囲などは適宜変更して実施することが可能である。さらに、上記実施の形態においては、導電部材に設ける切り欠きが平面視にて凹状（矩形形状）又は略三角形状の例について説明したが、切り欠きの形状については、本発明の効果を奏する範囲で適宜変更可能である。その他、本発明は、適宜変更して実施することができる。また、本実施の形態において示される構成は、他の実施の形態において示される構成と適宜組み合わせて実施することができる。

なお、本明細書において、導電路（導電部材）の「切り欠き」とは、導電部材の一部を凹状に切り欠いたものであってもよく、導電部材の端部を平面視にて三角形状に切り欠いたものであってもよい。以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。

本発明は、被測定電流の流れる導電部材が小型化されても良好な測定精度を維持できるという効果を有し、特に、電流路を構成するＵ字状の導電部材が小型化された電流センサの構成として好適に用いることができる。

１，２，１００ 電流センサ
１１，２１ 導電部材
１１１，２１１ 第１通流部
１１１ａ，１１２ａ，２１３ｃ，２１３ｄ 端面
１１１ｂ，１１２ｂ，１１３ａ 側面
１１２，２１２ 第２通流部
１１３，２１３ 第３通流部
１１４，２１４ 第４通流部
１１４ａ，１１５ａ，２１４ａ，２１５ａ 内側面
１１４ｂ，１１５ｂ，２１４ｂ，２１５ｂ 外側面
１１４ｃ，２１４ｃ 第１切り欠き部
１１４ｄ，２１４ｄ 第２切り欠き部
１１４ｅ，１１５ｅ，２１４ｅ，２１５ｅ 領域
１１５，２１５ 第５通流部
１１５ｄ，２１５ｄ 第３切り欠き部
１１５ｃ，２１５ｃ 第４切り欠き部
１２１，１２２ 磁電変換素子
Ｄ１〜Ｄ８ 幅
Ｄ９〜Ｄ１０ 全長
Ｄ１１，Ｄ１２ 間隔
Ｈ 誘導磁界
Ｉ 被測定電流

Claims (5)

1. 被測定電流が流れる導電部材と、前記被測定電流からの誘導磁界により出力信号を出力する磁電変換素子と、を具備し、
   前記導電部材は、同一直線上に離間して配置された第１通流部及び第２通流部と、前記第１通流部及び前記第２通流部に対して平行に配置された第３通流部と、前記第１通流部の一部と前記第３通流部の一部とを繋ぐように配置された第４通流部と、前記第２通流部の一部と前記第３通流部とを繋ぐように配置された第５通流部と、を有し、前記磁電変換素子は、前記第４通流部及び前記５通流部にそれぞれ配置され、感度軸が同一方向に揃えられ、
   前記第４通流部は、前記第３通流部側の接続部が前記第１通流部側の接続部に対して外側になるように配置され、
   前記第５通流部は、第３通流部側の接続部が前記第２通流部側の接続部に対して外側になるように配置され、
   前記第４通流部及び前記第５通流部は、前記第１通流部及び前記第２通流部側の接続部間の間隔に対して、前記第３通流部側の接続部間の間隔が相対的に大きいことを特徴とする電流センサ。
2. 前記第４通流部は、前記第１通流部及び前記第３通流部が延びる方向に対して直交する方向において、前記第１通流部から前記第３通流部まで直線状に延在する領域を有し、前記第５通流部は、前記第３通流部及び前記第２通流部が延びる方向に対して直交する方向において、前記第３通流部から前記第２通流部まで直線状に延在する領域を有することを特徴とする請求項１記載の電流センサ。
3. 前記磁電変換素子が、前記直線状に延在する領域上配置されていることを特徴とする請求項２記載の電流センサ。
4. 前記第４通流部は、外側面において前記磁電変換素子の配置位置より前記第１通流部に近い領域に設けられた第１切り欠き部と、内側面において前記磁電変換素子の配置位置より第３通流部に近い領域に設けられた第２切り欠き部と、を有し、前記第５通流部は、前記外側面において前記磁電変換素子の配置位置より前記第２通流部に近い領域に設けられた第３切り欠き部と、前記内側面において前記磁電変換素子より前記第３通流部に近い領域に設けられた第４切り欠き部と、を有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の電流センサ。
5. 前記第４通流部及び前記第５通流部が、前記第１通流部及び前記第２通流部が延びる方向に対して斜めに延びることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の電流センサ。

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