JP2013540692A - 特にワイヤおよびケーブル用途のための、改変されたポリマー組成物、改変法および遊離ラジカル発生剤 - Google Patents
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Abstract
【選択図】なし
Description
q=0〜5であり;
各Xは、CH、CまたはNであり、ただし、少なくとも1のXはCまたはCHである;
点線は、任意的に存在していてもよい結合(すなわち、両方のX基がCであるときに)であり;
Rzは、共有結合または2価基−Ry−X=X−または−Ry−C≡C−であり、ただし少なくとも1のXはCHである;
Ryは、2価の、置換されたもしくは置換されていない、飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビル基、または置換されたもしくは置換されていない芳香族ヒドロカルビル基であり、ここで、
上記置換されたもしくは置換されていない、飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルまたは芳香族ヒドロカルビルは1〜6のヘテロ原子を任意的に含んでいてもよく、
上記置換された、飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルまたは置換された芳香族ヒドロカルビルは独立して、官能基、官能基を任意的に有していてもよい飽和のまたは部分的に不飽和のヒドロカルビル、1〜4のヘテロ原子によって任意的に中断されていてもよい、飽和のまたは部分的に不飽和のヒドロカルビル、または官能基を任意的に有していてもよい芳香族ヒドロカルビルから選択される1〜8の置換基を含む;
R7およびR7’は、同じでも異なっていてもよく、独立して、置換されていない、飽和のまたは置換されていない部分的に不飽和のヒドロカルビル基から選択され;
RbはHまたは基C1’(R1’R2’R3’)であり;
R1およびR1’は各々独立して、H、置換されたもしくは置換されていない、飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビル、または置換されたもしくは置換されていない芳香族ヒドロカルビルであり、ここで、
上記置換されたもしくは置換されていない、飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルまたは芳香族ヒドロカルビルは1〜6のヘテロ原子を任意的に含んでいてもよく、
上記置換された、飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルまたは置換された芳香族ヒドロカルビルは独立して、官能基、官能基を任意的に有していてもよい飽和のまたは部分的に不飽和のヒドロカルビル、または官能基を任意的に有していてもよい芳香族ヒドロカルビルから選択される1〜4の置換基を含む;および
R2、R2’、R3およびR3’は各々独立して、H、置換されたもしくは置換されていない、飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビル、または置換されたもしくは置換されていない芳香族ヒドロカルビルであり、ここで、
上記置換されたもしくは置換されていない、飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルまたは芳香族ヒドロカルビルの各々は1〜6のヘテロ原子を任意的に含んでいてもよく、
上記置換された、飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルまたは置換された芳香族ヒドロカルビルは独立して、官能基、官能基を任意的に有していてもよい飽和のまたは部分的に不飽和のヒドロカルビル、または官能基を任意的に有していてもよい芳香族ヒドロカルビルから選択される1〜4の置換基を任意的に含んでいてもよい;または、
R2およびR3は、それらが結合している炭素原子(C1)と一緒になって、3〜14のC原子の、好ましくは5〜12のC原子の、置換されていないまたは置換された、飽和のまたは部分的に不飽和の炭素環部分、O、N、P、SまたはSiから選択される1〜6の、好ましくは1〜4のヘテロ原子を含む3〜14の環原子の置換されていないまたは置換された、飽和のまたは部分的に不飽和のヘテロ環部分、または1〜4のヘテロ原子を任意的に含んでいてもよい3〜14のC原子の、好ましくは5〜12のC原子の置換されていないまたは置換された芳香族環部分を形成し、ここで、
上記置換された炭素環、ヘテロ環または芳香族環系は、独立して、官能基、官能基を任意的に有していてもよい飽和のまたは部分的に不飽和のヒドロカルビル、または官能基を任意的に有していてもよい芳香族ヒドロカルビルから選択される1〜4の置換基を含む;または
R2’およびR3’は、それらが結合している炭素原子(C1’)と一緒になって、3〜14のC原子の、好ましくは5〜12のC原子の、置換されていないまたは置換された、飽和のまたは部分的に不飽和の炭素環部分、O、N、P、SまたはSiから選択される1〜6の、好ましくは1〜4のヘテロ原子を含む3〜14の環原子の置換されていないまたは置換された、飽和のまたは部分的に不飽和のヘテロ環部分、または1〜4のヘテロ原子を任意的に含んでいてもよい3〜14のC原子の、好ましくは5〜12のC原子の置換されていないまたは置換された芳香族環部分を形成し、ここで、
上記置換された炭素環、ヘテロ環または芳香族環系は、独立して、官能基、官能基を任意的に有していてもよい飽和のまたは部分的に不飽和のヒドロカルビル、または官能基を任意的に有していてもよい芳香族ヒドロカルビルから選択される1〜4の置換基を含む;
ただし、R1、R2およびR3の少なくとも2は、Hまたはメチル以外であり、またはR1、R2およびR3の少なくとも1はアルケニルまたはアルキニル基である。
ここで、R1−3、R1’〜R3’、R7、R7’、XおよびRzは、式(I)において定義した通りである。
置換基が本明細書において「ヒドロカルビル」、「芳香族ヒドロカルビル」、「アルキル」等として定義されるとき、それらが「ヒドロカルビル基」、「アルキル基」等を意味することは明らかである。置換基は、その分野で知られているように、本明細書において、「ラジカル」または「基」として交換可能に示される。
式(I)に関して上記および下記に記載される好ましい局面は、本発明の全ての化合物にも当てはまる。
上記置換されたもしくは置換されていない飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルまたは芳香族ヒドロカルビルは1〜6のヘテロ原子を任意的に含み、
上記置換された飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルまたは置換された芳香族ヒドロカルビルは、独立して、官能基、官能基を任意的に有する飽和のまたは部分的に不飽和のヒドロカルビル、1〜4のヘテロ原子によって任意的に中断された不飽和のまたは部分的に不飽和のヒドロカルビル、または官能基を任意的に有する芳香族ヒドロカルビルから選択される1〜8の置換基を含む。
上記置換されたもしくは置換されていない飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルまたは芳香族ヒドロカルビルの各々は1〜6のヘテロ原子を任意的に含み、
上記置換されたもしくは置換されていない飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルは、(i)直鎖のまたは分岐鎖の、飽和のまたは部分的に不飽和のヒドロカルビル、(ii)飽和のまたは部分的に不飽和の環式ヒドロカルビルを有する直鎖のまたは分岐鎖の、飽和のまたは部分的に不飽和のヒドロカルビル、および(iii)飽和のまたは部分的に不飽和の環式ヒドロカルビルを包含し、好ましくは(i)〜(iii)から選択され、
上記芳香族ヒドロカルビルおよび上記飽和のまたは部分的に不飽和の環式ヒドロカルビルの各々は独立して単環系または多環系であり、および
上記置換された飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルまたは置換された芳香族ヒドロカルビルは独立して、官能基、官能基を任意的に有する飽和のまたは部分的に不飽和のヒドロカルビル、または官能基を任意的に有する芳香族ヒドロカルビルから選択される1〜4の置換基を含む。
上記置換されたもしくは置換されていない飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルまたは芳香族ヒドロカルビルの各々は1〜6のヘテロ原子を任意的に含み、
上記置換されたもしくは置換されていない飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルは、(i)直鎖のまたは分岐鎖の、飽和のまたは部分的に不飽和のヒドロカルビル、(ii)飽和のまたは部分的に不飽和の環式ヒドロカルビルを有する直鎖のまたは分岐鎖の、飽和のまたは部分的に不飽和のヒドロカルビル、および(iii)飽和のまたは部分的に不飽和の環式ヒドロカルビルを包含し、
上記芳香族ヒドロカルビルおよび上記飽和のもしくは部分的に不飽和の環式ヒドロカルビルは各々独立して、単環系または多環系であり、および
上記置換された飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルまたは置換された芳香族ヒドロカルビルは独立して、官能基、官能基を任意的に有する飽和のまたは部分的に不飽和のヒドロカルビル、または官能基を任意的に有する芳香族ヒドロカルビルから選択される1〜4の置換基を含む。
上記炭素環、へテロ環または芳香族環系は、4〜14の環原子を有する別の任意的に置換された環系と任意的に縮合されていてもよく、および
上記置換された炭素環、ヘテロ環または芳香族環系は、独立して、官能基、官能基を任意的に有する飽和のまたは部分的に不飽和のヒドロカルビル、または官能基を任意的に有する芳香族ヒドロカルビルから選択される1〜4の置換基を含む。
上記炭素環、へテロ環または芳香族環系は、4〜14の環原子を有する別の任意的に置換された環系と任意的に縮合されていてもよく、および
上記置換された炭素環、ヘテロ環または芳香族環系は、独立して、官能基、官能基を任意的に有する飽和のまたは部分的に不飽和のヒドロカルビル、または官能基を任意的に有する芳香族ヒドロカルビルから選択される1〜4の置換基を含む。
R1、R2およびR3の少なくとも2およびR1’、R2’およびR3’の少なくとも2がそれぞれ、Hまたはメチル以外であるならば好ましい。また、R1、R2およびR3のいずれもHでなく、かつR1’、R2’およびR3’のいずれもHでないならば好ましい。
第一の好ましい実施態様(A)は、上記で定義された式(I)の化合物のサブグループ(1)を含む。ここで、R2およびR3は、それらが結合している炭素原子(C1)と一緒になって、3〜14の環C原子の任意的に置換された炭素環部分または、O、N、PまたはSから選択される1〜6の、好ましくは1〜4のヘテロ原子を含む3〜14の環原子の任意的に置換されたヘテロ環部分を形成する。
第二の好ましい実施態様(B)は、上記で定義された式(I)の化合物のサブグループ(6)を含む。ここで、R1、R2、R3、R1’、R2’およびR3’は各々独立して、任意的に置換された単環式または多環式(C5−C14)アリール、任意的に置換された単環式または多環式(C5−C14)ヘテロアリール、任意的に置換された単環式または多環式(C4−C14)シクロアルキル、任意的に置換された単環式または多環式(C4-C14)ヘテロ環、任意的に置換された直鎖または分岐鎖の(C1−C50)アルキル、好ましくは直鎖(C1−C30)アルキル、任意的に置換された直鎖または分岐鎖の、好ましくは直鎖の、(C2−C50)アルケニル、好ましくは直鎖の(C2−C30)アルケニル、または任意的に置換された直鎖または分岐鎖の、好ましくは直鎖の、(C2−C50)アルキニル、好ましくは直鎖の(C2-C30)アルキニル、またはN、O、S、PまたはSiから選択される1〜4のヘテロ環原子を含む任意的に置換された直鎖または分岐鎖の(C1-C50)ヘテロアルキルである。上記で定義された任意的に置換された部分は、好ましくは、下記で定義される置換基(Z)から好ましくは選択される1〜4の置換基を含む。
化合物(I)の第三の好ましい実施態様(C)は、サブグループ(12)である。上記で定義された式(I)の化合物のサブグループ(12)では、R1およびR1’が同じまたは異なっており、好ましくは同じであり、各々、N、O、P、SまたはSiから選択される1〜4のヘテロ環原子を任意的に含んでいてもよい5〜14の環原子の任意的に置換された飽和のまたは部分的に不飽和の環式ヒドロカルビル、または任意的に置換された単環式または多環式の(C5-C14)アリール、好ましくは置換されていない単環式(C5−C7)アリールを表わす。また、好ましくは、サブグループ(12)において、R1およびR1’が同じまたは異なっており、好ましくは同じであり、各々、置換された単環式または多環式の(C5-C14)アリール、好ましくは、下記で定義される置換基(Z)から好ましくは選択される1〜4の置換基で置換された単環式(C5−C7)アリールを表わす。
化合物(I)の第四の好ましい実施態様(D)は、サブグループ(13)である。上記で定義された式(I)の化合物のサブグループ(13)では、R1およびR1’が同じまたは異なっており、好ましくは同じであり、各々、任意的に置換された分岐鎖のまたは直鎖の、好ましくは置換されていない直鎖の、(C1-C30)アルキル、例えばC1−6アルキル、特にメチル、を表わす。
R2およびR3は、それらが結合しているC1原子と一緒になって、任意的に置換された飽和または部分的に不飽和の単環式または二環式の(C4-C14)炭素環、好ましくは任意的に置換された、より好ましくは置換されていない、飽和の単環式(C5-C8)炭素環を形成し、および、
R2’およびR3’は、それらが結合している炭素原子(C1’)と一緒になって、任意的に置換された飽和または部分的に不飽和の単環式または二環式の(C4-C14)炭素環、好ましくは任意的に置換された、より好ましくは置換されていない、飽和の単環式(C5-C8)炭素環を形成し、ここで、C1とともにR2およびR3によって形成される環系は、好ましくは、C1’とともにR2’およびR3’によって形成される環系と同一である。
R2およびR2’は同じであり、共にメチルであり、および
R3およびR3’は同じであり、共に、任意的に置換された分岐鎖のまたは直鎖の(C6−C50)アルキル、より好ましくは置換されていない直鎖の(C6−C30)アルキル、例えば(C6-C20)アルキルである。
R2およびR2’は同じであり、共に、任意的に置換された分岐鎖または直鎖の、好ましくは置換されていない直鎖の、(C6−C50)アルキル、より好ましくは置換されていない直鎖の(C6−C30)アルキル、例えば(C6-C20)アルキルであり、および
R3およびR3’は同じであり、共に、任意的に置換された分岐鎖のまたは直鎖の、好ましくは置換されていない直鎖の、(C6−C50)アルキル、より好ましくは置換されていない直鎖の(C6−C30)アルキル、例えば(C6-C20)アルキルである。
1のまたは好ましくは両方の環系が独立して、置換されていないまたは上記で定義された1〜4の置換基Zによって任意的に置換されている。最も好ましくは、環系が置換されていない。
上記で定義された式(I)のパーオキシドは、幾つかの方法で製造され得るが、化学分野における公知の文献に類似してまたは上記文献に従って当業者により容易に製造されるであろう。
本発明の化合物は、過酸化物が慣用的に使用される用途において、例えばラジカル反応によるポリマーの種々の改変法のために、非常に有用である。
本発明のためのポリマー
原則として、本発明の改変法、好ましくは架橋法、において使用され得るポリマーは制限されず、任意のタイプのポリマーであり得る。
本発明はまた、
A)ポリマー、例えばポリオレフィン、および
B)上記で定義された本発明の化合物
を含むポリマー組成物を提供する。
1の好ましい実施態様では、本発明の上記物品が、1以上の層によって囲まれた導体を含む架橋可能なケーブルであり、ここで、少なくとも1の層が、本発明のポリマー組成物を含む。
絶縁層および任意的にジャケット層によって囲まれた導体を含む低電圧ケーブル、ここで、少なくとも1の層、好ましくは少なくとも上記絶縁層が、本発明のポリマー組成物を含む、または
少なくとも内側半導電層、絶縁層および外側半導電層をその順で含む1以上の層によって囲まれ、そして任意的にジャケット層によって囲まれた電気伝導体を含む電力ケーブル、ここで、上記層の少なくとも1が本発明のポリマー組成物を含む、
である。
本発明の物品を製造するための方法の好ましい実施態様は、1以上の層を導体上に施与する、好ましくは(共)押出により施与する工程を含む、ケーブルの製造法であり、ここで、少なくとも1の層が本発明のポリマー組成物を含む。
ケーブルの少なくとも1の層のために本発明のポリマー組成物を混合する、好ましくは溶融混合すること、および
得られた(溶融)混合物を導体上に、好ましくは共押出によって、施与して、得られるケーブルの少なくとも1の層を形成すること
を含む。
本発明のポリマー組成物を含む1以上の層を導体に施与すること、および
上記少なくとも1の層をラジカル反応によって架橋すること
を含む。
特に断らない限り、説明の部分および特許請求の範囲ならびに実験部分において一般的に定義された特性を決定するために、下記方法が使用された。
wt%は重量%である。
メルトフローレート(MFR)は、ISO1133に従って決定され、g/10分で示される。MFRは、ポリマーの流動性、およびしたがって加工性の指標である。メルトフローレートが高いほど、ポリマーの粘度が低い。MFRはポリエチレンの場合には190℃で測定され、種々の荷重、例えば2.16kg(MFR2)または21.6kg(MFR21)、で決定され得る。MFRはポリプロピレンの場合には230℃で決定される。
低密度ポリエチレン(LDPE):密度は、ISO1183−2に従って測定された。サンプルの作製は、ISO1872−2表3Q(圧縮成形)に従って行われた。
低圧法ポリエチレン:ポリマーの密度は、ISO1183−2Bに従って測定された。
炭素−炭素二重結合(C=C)の量を定量するために、定量的赤外(IR)分光法が使用された。既知構造の代表的な低分子量モデル化合物におけるC=C官能基のモル吸光係数を予め決定することにより、較正が達成された。これらの基の各々の量(N)は、
N=(A×14)/(E×L×D)
によって、炭素原子1000個当たりの炭素−炭素二重結合の数(C=C/1000C)として決定された。ここで、Aはピーク高さとして定義される最大吸光度であり、Eは係る基のモル吸光係数(l・モル−1・mm−1)であり、Lはフィルムの厚さ(mm)であり、Dは物質の密度(g・cm−1)である。炭素原子1000個当たりのC=C結合の総量は、個々のC=C含有成分のためのNを合計することによって計算され得る。ポリエチレンサンプルの場合には、固体状態の赤外スペクトルが、圧縮成形された薄い(0.5〜1.0mm)フィルムについてFTIR分光計(Perkin Elmer 2000)を使用して4cm−1の分解能で記録され、吸収モードで分析された。
ポリエチレンのために、3種類のC=C含有官能基が定量された。各々は特徴的な吸収を有し、個々の吸光係数をもたらす異なるモデル化合物に対して較正された。
E=13.13l・モル−1・mm−1を与える1−デセン[デク−1−エン]に基づく910cm−1によるビニル(R−CH=CH2)
E=18.24l・モル−1・mm−1を与える2−メチル−1−ヘプテン[2−メチルヘプト−1−エン]に基づく888cm−1によるビニリデン(RR’C=CH2)
E=15.14l・モル−1・mm−1を与えるトランス−4−デセン[(E)−デク−4−エン]に基づく965cm−1によるトランス−ビニレン(R−CH=CH−R’)
>0.4重量%の極性コモノマーを有するポリエチレンコポリマーのために、2種類のC=C含有官能基が定量された。各々は、特徴的な吸収を有し、個々の吸光係数をもたらす異なるモデル化合物に対して較正された。
E=13.13l・モル−1・mm−1を与える1−デセン[デク−1−エン]に基づく910cm−1によるビニル(R−CH=CH2)
E=18.24l・モル−1・mm−1を与える2−メチル−1−ヘプテン[2−メチルヘプト−1−エン]に基づく888cm−1によるビニリデン(RR’C=CH2)
ポリ(エチレン−コ−ブチルアクリレート)(EBA)系のために、約920cm−1と870cm−1との間に線状基線較正が適用された。
EMA:
ポリ(エチレン−コ−メチルアクリレート)(EMA)系のために、約930cm−1と870cm−1との間に線状基線較正が適用された。
低分子量C=C含有種を含む系のために、上記低分子量種自体におけるC=C吸収のモル吸光係数を使用する直接の較正が行われた。
モル吸光係数が、ASTM D3124−98およびASTM D6248−98に示された手法に従って決定された。溶液状態の赤外スペクトルが、0.1mm光路長の液体セルを備えたFTIR分光計(Perkin Elmer 2000)を使用して4cm−1の分解能で記録された。モル吸光係数(E)は、下記式によって、l・モル−1・mm−1として決定された。
E=A/(C×L)
ここで、Aはピーク高さとして定義される最大吸光度であり、Cは濃度(モル・l−1)であり、Lはセル厚さ(mm)である。二流化炭素(CS2)中の0.18モル・l−1溶液が少なくとも3つ使用され、モル吸光係数の平均値が決定された。
ゲル含量が、ASTM D2765−01、方法Aに従って、デカリン抽出および架橋サンプルを使用して決定された。上記サンプルは、試験中のポリマー組成物から成り、下記の「ゲル含量のためのおよびGC分析プロトコルのためのサンプルの調製」に従って調製された。
説明よび実験の部での定義において、ppm(重量)で示される揮発性物質、例えばCH4、の含量が、下記の「ゲル含量のためのおよびGC分析プロトコルのためのサンプルの調製」に従って調製される架橋されたサンプルからガスクロマトグラフィー(GC)によって決定される。
試験組成物のためのポリマーのペレットが、1.5mmふるいを有するRetschグラインダーにおいて微粉末に挽かれた。得られた粉末は、ペンタンが蒸発して試験過酸化物および試験ポリマーの乾燥粉末を与えるまで、ペンタン溶液中に溶解された試験過酸化物で含浸された。
LDPE:ポリ(エチレン−コ−1,7−オクタジエン)の調製(高圧法で製造されたエチレンのコポリマー)
エチレンが5段階プレコンプレッサーおよび2段階ハイパーコンプレッサーで、中間の冷却を伴って圧縮されて、約2904バールの初期反応圧力に達した。合計のコンプレッサー出力は、約30トン/時であった。コンプレッサー領域において、約105kgプロピレン/時が連鎖移動剤として添加されて1.86g/10分のMFRを維持した。ここで、1,7−オクタジエンも約62.5kg/時の量で反応器に添加された。圧縮された混合物が内径約40mmおよび全長約1200mのフロント供給3ゾーン管状反応器のプレヒーター部において約159℃に加熱された。イソドデカンに溶解された市販の過酸化物ラジカル開始剤の混合物が、発熱重合反応に十分な量でプレヒーター直後に注入されて約289℃のピーク温度に達し、その後、約224℃に冷却された。続く第2および第3のピーク反応温度はそれぞれ約283℃および約262℃であり、約224℃に低下するまでの間に冷却を伴った。反応混合物がキックバルブによって減圧され、冷却され、ポリマーが未反応ガスから分離された。
過酸化物の重量%は、ポリマー組成物の量に基づく。
本発明ポリマー組成物(Inv.comp1):LDPE+1.5重量%の実施例1
本発明ポリマー組成物(Inv.comp2):LDPE+1.7重量%の実施例2
参照ポリマー組成物1(Ref.comp1):LDPE+2.0重量%のジクミルパーオキシド参照ポリマー組成物2(Ref.comp2):LDPE+2.0重量%のジ(2−t−ブチルパーオキシイソプロピル)ベンゼン
参照ポリマー組成物3(Ref.comp3):LDPE+2.0重量%のt−ブチルクミルパーキシド
参照ポリマー組成物4(Ref.comp4):LDPE+2.0重量%の2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキシン−3
参照ポリマー組成物5(Ref.comp5):LDPE+2.0重量%の,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン
ゲル含量は、上記方法に従って決定された。結果を下記表Iに示す。この実験では、ゲル含量のための参照ポリマーが、本発明の試験サンプルとして調製されたが、過酸化物は添加されなかった。
GC分析が、上述したように行われて、形成されたCH4の量を評価した。結果を下記表IIに示す。
Claims (16)
- 式(I)の化合物またはその官能性誘導体、
式(I)中、
q=0〜5であり;
各Xは、CH、CまたはNであり、ただし、少なくとも1のXはCまたはCHである;
点線は、任意的に存在していてもよい結合(すなわち、両方のX基がCであるときに)であり;
Rzは、共有結合または2価基Ry−X=XまたはRy−C≡Cであり、ただし少なくとも1のXはCHである;
Ryは、2価の、置換されたもしくは置換されていない、飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビル基、または置換されたもしくは置換されていない芳香族ヒドロカルビル基であり、ここで、
上記置換されたもしくは置換されていない、飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルまたは芳香族ヒドロカルビルは1〜6のヘテロ原子を任意的に含んでいてもよく、
上記置換された、飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルまたは置換された芳香族ヒドロカルビルは独立して、官能基、官能基を任意的に有していてもよい飽和のまたは部分的に不飽和のヒドロカルビル、1〜4のヘテロ原子によって任意的に中断されていてもよい、飽和のまたは部分的に不飽和のヒドロカルビル、または官能基を任意的に有していてもよい芳香族ヒドロカルビルから選択される1〜8の置換基を含む;
R7およびR7’は、同じでも異なっていてもよく、独立して、置換されていない、飽和のまたは部分的に不飽和のヒドロカルビル基から選択され;
RbはHまたは基C1’(R1’R2’R3’)であり;
R1およびR1’は各々独立して、H、置換されたもしくは置換されていない、飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビル、または置換されたもしくは置換されていない芳香族ヒドロカルビルであり、ここで、
上記置換されたもしくは置換されていない、飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルまたは芳香族ヒドロカルビルの各々は1〜6のヘテロ原子を任意的に含んでいてもよく、
上記置換された、飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルまたは置換された芳香族ヒドロカルビルは独立して、官能基、官能基を任意的に有していてもよい飽和のまたは部分的に不飽和のヒドロカルビル、または官能基を任意的に有していてもよい芳香族ヒドロカルビルから選択される1〜4の置換基を含む;および
R2、R2’、R3およびR3’は各々独立して、H、置換されたもしくは置換されていない、飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビル、または置換されたもしくは置換されていない芳香族ヒドロカルビルであり、ここで、
上記置換されたもしくは置換されていない、飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルまたは芳香族ヒドロカルビルの各々は1〜6のヘテロ原子を任意的に含んでいてもよく、
上記置換された、飽和のもしくは部分的に不飽和のヒドロカルビルまたは置換された芳香族ヒドロカルビルは独立して、官能基、官能基を任意的に有していてもよい飽和のまたは部分的に不飽和のヒドロカルビル、または官能基を任意的に有していてもよい芳香族ヒドロカルビルから選択される1〜4の置換基を任意的に含んでいてもよい;または、
R2およびR3は、それらが結合している炭素原子(C1)と一緒になって、3〜14のC原子の、好ましくは5〜12のC原子の、置換されていないまたは置換された、飽和のまたは部分的に不飽和の炭素環部分、O、N、P、SまたはSiから選択される1〜6の、好ましくは1〜4のヘテロ原子を含む3〜14の環原子の置換されていないまたは置換された、飽和のまたは部分的に不飽和のヘテロ環部分、または1〜4のヘテロ原子を任意的に含んでいてもよい3〜14のC原子の、好ましくは5〜12のC原子の置換されていないまたは置換された芳香族環部分を形成し、ここで、
上記置換された炭素環、ヘテロ環または芳香族環系は、独立して、官能基、官能基を任意的に有していてもよい飽和のまたは部分的に不飽和のヒドロカルビル、または官能基を任意的に有していてもよい芳香族ヒドロカルビルから選択される1〜4の置換基を含む;または
R2’およびR3’は、それらが結合している炭素原子(C1’)と一緒になって、3〜14のC原子の、好ましくは5〜12のC原子の、置換されていないまたは置換された、飽和のまたは部分的に不飽和の炭素環部分、O、N、P、SまたはSiから選択される1〜6の、好ましくは1〜4のヘテロ原子を含む3〜14の環原子の置換されていないまたは置換された、飽和のまたは部分的に不飽和のヘテロ環部分、または1〜4のヘテロ原子を任意的に含んでいてもよい3〜14のC原子の、好ましくは5〜12のC原子の置換されていないまたは置換された芳香族環部分を形成し、ここで、
上記置換された炭素環、ヘテロ環または芳香族環系は、独立して、官能基、官能基を任意的に有していてもよい飽和のまたは部分的に不飽和のヒドロカルビル、または官能基を任意的に有していてもよい芳香族ヒドロカルビルから選択される1〜4の置換基を含む;
ただし、R1、R2およびR3の少なくとも2はHまたはメチル以外であり、またはR1、R2およびR3の少なくとも1はアルケニルまたはアルキニル基である。 - R7およびR7’がメチルである、請求項1または2記載の化合物。
- 基C1R1−3と基C1’R1’−3’とが同じある、請求項1〜4のいずれか1項記載の化合物。
- 式(VI)の化合物である、好ましくは式(VII)の化合物である、請求項2記載の化合物、
ここで、Rzは請求項1の式(I)において定義した通りであり、nは0〜3、好ましくは1または2であり、R4およびR4’は各々独立して、1〜30の炭素原子を有する分岐鎖または直鎖のアルキル基を表わし、好ましくはメチルまたは2〜20の、好ましくは2〜12の炭素原子を有する分岐鎖または直鎖のアルキル基を表わし、より好ましくはメチルまたは分岐鎖もしくは直鎖の、好ましくは直鎖の、6−30アルキル基を表わす;および
1のまたは好ましくは両方の環系が独立して、置換されていないまたは1〜4の置換基Zによって任意的に置換されていてもよい、ここで、Zは、飽和のまたは部分的に不飽和の(C1-C30)ヒドロカルビル、官能基、上記で定義された官能基を任意的に有していてもよい飽和のまたは部分的に不飽和の(C1-C30)ヒドロカルビル、または官能基を任意的に有していてもよい芳香族ヒドロカルビルから選択される。 - 点線が存在し、したがって三重結合を形成している、請求項6記載の化合物。
- Rzが共有結合である、請求項1〜7のいずれか1項記載の化合物。
- A)ポリマー、および
B)請求項1〜8のいずれか1項記載の式Iの化合物
を含むポリマー組成物。 - 前記ポリマーがポリオレフィン、好ましくは不飽和ポリオレフィン、好ましくは不飽和ポリエチレン、より好ましくは高圧法で製造された不飽和ポリエチレン、より好ましくは不飽和LDPEホモポリマーまたは、1以上のポリ不飽和コモノマー、好ましくは1以上のジエン、との不飽和LDPEコポリマーである、請求項9記載のポリマー組成物。
- 請求項9または10記載のポリマー組成物が、該ポリマー組成物中でラジカル反応を開始することにより架橋されている、改変されたポリマー組成物。
- 1以上の層で囲まれた導体を含み、少なくとも1の層が請求項9または10記載のポリマー組成物を含む、架橋可能なケーブル。
- 下記ケーブル:
絶縁層によって囲まれ、そして任意的にジャケット層によって囲まれた、導体を含む低電圧ケーブル、ここで、少なくとも1の層、好ましくは少なくとも該絶縁層が、請求項9または10記載のポリマー組成物を含む、および
少なくとも内側半導電層、絶縁層および外側半導電層をその順で含む1以上の層によって囲まれ、そして任意的にジャケット層によって囲まれた、電気伝導体を含む電力ケーブル、ここで、上記層の少なくとも1が請求項9または10記載のポリマー組成物を含む、
のいずれかから選択される、請求項12記載の架橋可能なケーブル、 - ポリマー組成物を含む1以上の層を導体上に施与することを含む、架橋可能なケーブルの製造法であって、少なくとも1の層が請求項9または10記載のポリマー組成物を含む、前記方法。
- ラジカル反応によってケーブルを架橋するための請求項14記載の方法であって、
請求項9または10記載のポリマー組成物を含む1以上の層を導体上に施与すること、および
該少なくとも1の層をラジカル反応によって架橋すること、および
任意的に、こうして得られた架橋されたケーブルを冷却工程に付すこと、ここで上記架橋されたケーブルは、加圧されないまたは加圧された条件で冷却される、
を含む、前記方法。 - 請求項15記載の方法によって得られ得る架橋されたケーブル、好ましくは架橋された低電圧ケーブルまたは架橋された電力ケーブル。
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