JP2013539498A - Hipims電源を備えるコーティング装置 - Google Patents
Hipims電源を備えるコーティング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013539498A JP2013539498A JP2013509452A JP2013509452A JP2013539498A JP 2013539498 A JP2013539498 A JP 2013539498A JP 2013509452 A JP2013509452 A JP 2013509452A JP 2013509452 A JP2013509452 A JP 2013509452A JP 2013539498 A JP2013539498 A JP 2013539498A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- coating
- etching
- hipims
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
- C23C16/0245—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching by etching with a plasma
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
- C23C14/022—Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3438—Electrodes other than cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3444—Associated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3464—Operating strategies
- H01J37/3467—Pulsed operation, e.g. HIPIMS
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
【解決手段】 真空容器と、その内部に配置された複数のカソードと、またHIPIMS電源とを備えるコーティング装置であり、HIPIMS電源による運転される少なくとも1つのコーティング・カソードと、コーティング・カソードに比較してより面積の小さい複数のエッチング・カソードが提供されている。エッチング・カソードは、HIPIMS電源に対して所定のまたは予め決定可能なシーケンスで接続されている。
【選択図】 なし
Description
Claims (7)
- 真空容器(14)と、その内部に配置された複数のカソード(16A,16B,16C,16D)と、またHIPIMS電源(18)とを備え、
前記HIPIMS電源によって操作される少なくとも1つのコーティング・カソード(16)と、前記コーティング・カソードに比較してより小さな面積の複数のエッチング・カソード(16A,16B,16C,16D)とを備え、前記エッチング・カソードが前記HIPIMS電源(18)に対して所定のまたは予め決定可能なシーケンスで接続されることを特徴とする、コーティング装置(10)。 - 前記エッチング・カソード(16A,16B,16C,16D)は、スイッチング・デバイス(80,80A,80B,80C,80D)を介してそれぞれ個別的にHIPIMS電源(18)に接続可能であることを特徴とする、請求項1に記載のコーティング装置。
- 前記エッチング・カソード(16A,16B,16C,16D)は、またコーティング・カソードとしても使用可能であることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載のコーティング装置。
- 前記エッチング・カソード(16A,16B,16C,16D)は、コーティング・プロセスに共同して接続されるか、または前記HIPIMS電源(18)に並列に接続されることを特徴とする、請求項3に記載のコーティング装置。
- 前記HIPIMS電源(18)は、DC部(84)と、前記コーティング・カソード(16)のための所定の周波数の電力インパルスを生成するスイッチング部(86)とから成り、前記コーティング装置がエッチング・モードで運転されている場合には前記所定の周波数の前記電力パルスが個別的な前記エッチング・カソード(16A,16B,16C,16D)に所定のまたは予め決定可能なシーケンスで印加されて、前記HIPIMS電源(18)の個別的な前記電力パルスが前記エッチング・カソードに連続的に供給されることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のコーティング装置。
- 前記HIPIMS電源(18)は、DC部(84)と、前記コーティング・カソードのための所定の周波数の電力インパルスを生成するスイッチング部(86)とから成り、前記HIPIMS電源(18)は、前記エッチング・モードでは少なくとも前記電力パルスの間に所定の周波数の余剰のパルスを少なくとも供給し、前記供給されたインパルス全部が前記エッチング・カソード(16A,16B,16C,16D)に次々に印加されて、前記HIPIMS電源(18)の個別的な前記パルスが前記エッチング・カソード(16A,16B,16C,16D)に連続して供給されることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のコーティング装置。
- 前記HIPIMS電源(18)は、DC部(84)と、前記コーティング・カソード(16)のための所定の周波数の電力パルスを生成するスイッチング部(86)とから成り、前記HIPIMS電源(18)は、エッチング・モードで、前記電力パルスの間に所定の周波数で少なくとも余剰の電力パルスを供給し、前記パルスは全体が前記エッチング・カソード(16A,16B,16C,16D)に対して群として連続的に供給されており、前記エッチング・カソードには個別的なパルスの群が連続的に供給される、請求項1〜4のいずれか1項に記載のコーティング装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE202010001497U DE202010001497U1 (de) | 2010-01-29 | 2010-01-29 | Beschichtungsvorrichtung mit einer HIPIMS-Leistungsquelle |
DE202010001497.2 | 2010-01-29 | ||
PCT/EP2011/000372 WO2012089286A1 (de) | 2010-01-29 | 2011-01-27 | Beschichtungsvorrichtung mit einer hipims-leistungsquelle |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013539498A true JP2013539498A (ja) | 2013-10-24 |
JP5647337B2 JP5647337B2 (ja) | 2014-12-24 |
Family
ID=42115054
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013509452A Active JP5647337B2 (ja) | 2010-01-29 | 2011-01-27 | Hipims電源を備えるコーティング装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130276984A1 (ja) |
EP (1) | EP2529386A1 (ja) |
JP (1) | JP5647337B2 (ja) |
DE (1) | DE202010001497U1 (ja) |
WO (1) | WO2012089286A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017021907A (ja) * | 2015-07-07 | 2017-01-26 | 日産自動車株式会社 | 燃料電池構成部品用表面処理部材 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MY183993A (en) * | 2011-04-20 | 2021-03-17 | Oerlikon Trading Ag | Method for supplying sequential power impulses |
DE102011018363A1 (de) * | 2011-04-20 | 2012-10-25 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Hochleistungszerstäubungsquelle |
DE102011117177A1 (de) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Verfahren zur Bereitstellung sequenzieller Leistungspulse |
US20140262748A1 (en) | 2011-07-15 | 2014-09-18 | Ihi Hauzer Techno Coating B.V. | Apparatus and method for the pretreatment and/or for the coating of an article in a vacuum chamber with a hipims power source |
EP2565291A1 (en) | 2011-08-31 | 2013-03-06 | Hauzer Techno Coating BV | Vaccum coating apparatus and method for depositing nanocomposite coatings |
EP2587518B1 (en) * | 2011-10-31 | 2018-12-19 | IHI Hauzer Techno Coating B.V. | Apparatus and Method for depositing Hydrogen-free ta C Layers on Workpieces and Workpiece |
DE102011117994A1 (de) | 2011-11-09 | 2013-05-16 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | HIPIMS-Schichten |
RU2632210C2 (ru) | 2011-12-05 | 2017-10-03 | Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Пфеффикон | Способ реактивного распыления |
DE102011121770A1 (de) * | 2011-12-21 | 2013-06-27 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Homogenes HIPIMS-Beschichtungsverfahren |
DE102012021346A1 (de) * | 2012-11-01 | 2014-08-28 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Leistungsverteiler zur definierten sequenziellen Leistungsverteilung |
DE102013106351A1 (de) * | 2013-06-18 | 2014-12-18 | Innovative Ion Coatings Ltd. | Verfahren zur Vorbehandlung einer zu beschichtenden Oberfläche |
DE102014205695B4 (de) * | 2014-03-27 | 2016-01-28 | Christof-Herbert Diener | Niederdruckplasmaanlage mit sequentieller Steuerung |
EP3056587B1 (de) * | 2015-02-13 | 2020-11-18 | Walter AG | VHM-Schaftfräser mit TiAlN-ZrN-Beschichtung |
US10784091B2 (en) | 2017-09-29 | 2020-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Process and related device for removing by-product on semiconductor processing chamber sidewalls |
TW202340495A (zh) | 2019-02-11 | 2023-10-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 物理氣相沉積方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005256119A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 成膜装置 |
JP2009533551A (ja) * | 2006-04-11 | 2009-09-17 | ハウザー テクノ コーティング ビーヴイ | 真空処理装置、バイアス電源および真空処理装置の操作方法 |
JP2010512459A (ja) * | 2006-12-12 | 2010-04-22 | オーツェー・エリコン・バルザース・アーゲー | 高出力インパルス・マグネトロン・スパッタリング(hipims)におけるパルシング及びアーク抑制 |
JP2010116578A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Kobe Steel Ltd | スパッタ装置 |
JP2011506759A (ja) * | 2007-12-07 | 2011-03-03 | オーツェー・エリコン・バルザース・アーゲー | Hipimsによる反応性スパッタリング |
JP2011518950A (ja) * | 2008-04-28 | 2011-06-30 | コムコン・アーゲー | 物体を前処理及びコーテイングするための装置及び方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE9109503U1 (ja) * | 1991-07-31 | 1991-10-17 | Magtron Magneto Elektronische Geraete Gmbh, 7583 Ottersweier, De | |
CH689767A5 (de) * | 1992-03-24 | 1999-10-15 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur Werkstueckbehandlung in einer Vakuumatmosphaere und Vakuumbehandlungsanlage. |
DE4438463C1 (de) * | 1994-10-27 | 1996-02-15 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Schaltung zur bipolaren pulsförmigen Energieeinspeisung in Niederdruckplasmen |
US5917286A (en) * | 1996-05-08 | 1999-06-29 | Advanced Energy Industries, Inc. | Pulsed direct current power supply configurations for generating plasmas |
DE19702187C2 (de) * | 1997-01-23 | 2002-06-27 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zum Betreiben von Magnetronentladungen |
DK0975818T3 (da) * | 1997-04-14 | 2003-01-06 | Cemecon Ceramic Metal Coatings | Fremgangsmåde og anordning til PVD belægning |
DE19937859C2 (de) * | 1999-08-13 | 2003-06-18 | Huettinger Elektronik Gmbh | Elektrische Versorgungseinheit für Plasmaanlagen |
JP4717295B2 (ja) * | 2000-10-04 | 2011-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ドライエッチング装置及びエッチング方法 |
DE10124749A1 (de) | 2001-05-21 | 2002-11-28 | Wolf-Dieter Muenz | Kombiniertes Beschichtungs Verfahren magnetfeldunterstützte Hochleistungs-Impuls-Kathodenzerstäubung und Unbalanziertes Magnetron |
US6853142B2 (en) * | 2002-11-04 | 2005-02-08 | Zond, Inc. | Methods and apparatus for generating high-density plasma |
US6806651B1 (en) * | 2003-04-22 | 2004-10-19 | Zond, Inc. | High-density plasma source |
US9771648B2 (en) * | 2004-08-13 | 2017-09-26 | Zond, Inc. | Method of ionized physical vapor deposition sputter coating high aspect-ratio structures |
US20050103620A1 (en) * | 2003-11-19 | 2005-05-19 | Zond, Inc. | Plasma source with segmented magnetron cathode |
US7095179B2 (en) * | 2004-02-22 | 2006-08-22 | Zond, Inc. | Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities |
SE0402644D0 (sv) * | 2004-11-02 | 2004-11-02 | Biocell Ab | Method and apparatus for producing electric discharges |
US9117637B2 (en) * | 2005-11-04 | 2015-08-25 | Von Ardenne Gmbh | Redundant anode sputtering method and assembly |
GB0608582D0 (en) * | 2006-05-02 | 2006-06-07 | Univ Sheffield Hallam | High power impulse magnetron sputtering vapour deposition |
DE102006021994B4 (de) * | 2006-05-10 | 2017-08-03 | Cemecon Ag | Beschichtungsverfahren |
DE102008021912C5 (de) * | 2008-05-01 | 2018-01-11 | Cemecon Ag | Beschichtungsverfahren |
-
2010
- 2010-01-29 DE DE202010001497U patent/DE202010001497U1/de not_active Expired - Lifetime
-
2011
- 2011-01-27 JP JP2013509452A patent/JP5647337B2/ja active Active
- 2011-01-27 US US13/575,709 patent/US20130276984A1/en not_active Abandoned
- 2011-01-27 WO PCT/EP2011/000372 patent/WO2012089286A1/de active Application Filing
- 2011-01-27 EP EP11701627A patent/EP2529386A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005256119A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 成膜装置 |
JP2009533551A (ja) * | 2006-04-11 | 2009-09-17 | ハウザー テクノ コーティング ビーヴイ | 真空処理装置、バイアス電源および真空処理装置の操作方法 |
JP2010512459A (ja) * | 2006-12-12 | 2010-04-22 | オーツェー・エリコン・バルザース・アーゲー | 高出力インパルス・マグネトロン・スパッタリング(hipims)におけるパルシング及びアーク抑制 |
JP2010512458A (ja) * | 2006-12-12 | 2010-04-22 | オーツェー・エリコン・バルザース・アーゲー | 高出力インパルス・マグネトロン・スパッタリング(hipims)を用いたrf基板バイアス |
JP2011506759A (ja) * | 2007-12-07 | 2011-03-03 | オーツェー・エリコン・バルザース・アーゲー | Hipimsによる反応性スパッタリング |
JP2011518950A (ja) * | 2008-04-28 | 2011-06-30 | コムコン・アーゲー | 物体を前処理及びコーテイングするための装置及び方法 |
JP2010116578A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Kobe Steel Ltd | スパッタ装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017021907A (ja) * | 2015-07-07 | 2017-01-26 | 日産自動車株式会社 | 燃料電池構成部品用表面処理部材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012089286A8 (de) | 2012-10-18 |
WO2012089286A1 (de) | 2012-07-05 |
EP2529386A1 (de) | 2012-12-05 |
DE202010001497U1 (de) | 2010-04-22 |
US20130276984A1 (en) | 2013-10-24 |
JP5647337B2 (ja) | 2014-12-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5647337B2 (ja) | Hipims電源を備えるコーティング装置 | |
US9812299B2 (en) | Apparatus and method for pretreating and coating bodies | |
JP6042048B2 (ja) | 大電力パルス化マグネトロンスパッタリング方法および大電力電気エネルギー源 | |
JP4461253B2 (ja) | プラズマ発生方法 | |
JP6101238B2 (ja) | 基体を被覆するための被覆装置及び基体を被覆する方法 | |
WO2009079358A1 (en) | Very low pressure high power impulse triggered magnetron sputtering | |
EP2158977B1 (en) | Method and apparatus for manufacturing cleaned substrates or clean substrates which are further processed | |
TW201225149A (en) | Sputter target feed system | |
WO2010026860A1 (ja) | スパッタ装置 | |
CN111088472A (zh) | 涂布系统 | |
WO2005089272A2 (en) | Pulsed cathodic arc plasma source | |
CN103469164B (zh) | 一种实现等离子体激活电子束物理气相沉积的装置和方法 | |
EP2729955B1 (en) | Apparatus and method for the pretreatment and/or for the coating of an article in a vacuum chamber with a hipims power source | |
JP2018040057A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置を用いて層を堆積させるための方法 | |
JP2017066483A (ja) | マグネトロンスパッタ法による成膜装置および成膜方法 | |
US10083822B2 (en) | Physical vapour deposition coating device as well as a physical vapour deposition method | |
JPH11335832A (ja) | イオン注入方法及びイオン注入装置 | |
JP2018119185A (ja) | マグネトロンスパッタ法による装飾被膜の形成方法 | |
CN113366601A (zh) | 等离子体源的用于执行等离子体处理的磁体装置 | |
CN111088480A (zh) | 涂布系统 | |
JP2012246572A (ja) | 被洗浄基板、あるいは、さらに処理される清潔な基板を製造するための、方法および装置 | |
UA77914C2 (en) | Method for ion-plasma sputtering electricity-conductive coatings |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130924 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140326 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140422 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140718 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140728 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140821 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141028 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141106 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5647337 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |