JP2013535541A - ガラス様表面を有する高分子化合物基板、および前記高分子化合物基板で作られたチップ - Google Patents

ガラス様表面を有する高分子化合物基板、および前記高分子化合物基板で作られたチップ Download PDF

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Abstract

【課題】
【解決手段】本発明は、ガラス様表面、特にエッチングガラス様表面を有する高分子化合物基板、および少なくとも一つの上記高分子化合物基板で作成されたチップに関する。同様に、本発明は、エッチングガラス様表面を有する高分子化合物基板の提供方法に関する。さらに、本発明は、チップ製造のためのガラス様表面、特にエッチングガラス様表面を有する高分子化合物基板の用途に関する。
【選択図】図１

Description

本発明は、ガラス様および／またはエッチングガラス様表面を有する高分子化合物基板、および少なくとも一つの上記高分子化合物基板で作成されたチップに関する。同様に、本発明は、ガラス様および／またはエッチングガラス様表面を有する高分子化合物基板、および少なくとも一つの上記高分子化合物基板で作成されたチップを提供する方法に関する。さらに、本発明は、チップ製造のためのガラス様表面を有する高分子化合物基板の用途に関する。
小型化されたプラットフォームによる分析操作の統合は、「ラボオンチップ」構想として、マンツおよびウィドマーによりすでにここ１０年間説明されてきた（Ｄ．Ｊ．Ｈａｒｒｉｓｏｎ，Ａ．Ｍａｎｚ，Ｚ．Ｆａｎ，Ｈ．Ｌｕｅｄｉ，Ｈ．Ｍ．Ｗｉｄｍｅｒ，Ａｎａｌ．Ｃｈｅｍ．６４，１９９２，１９２６）。２、３例を挙げるならば、マイクロ流体システム、センサー、アレイ（いわゆるバイオチップ）、チップ上での化学合成を含む上記のマイクロチップシステムは、少ないサンプル量、少エネルギー消費を可能とし、多様な化学反応、早い分離および早い検出時間を可能とした。
この構想が現れて以来、この領域は急速に成長し、新しい分析分野および新規な材料の応用に関しての発展はいくつかの総説にまとめられている（Ｄ．Ｒ．Ｒｅｙｅｓ， Ｄ．Ｉｏｓｓｉｆｉｄｉｓ， Ｐ．Ａ．Ａｕｒｏｕｘ， Ａ．Ｍａｎｚ， Ａｎａｌ．Ｃｈｅｍ．７４，２００２，２６２３； Ｐ．Ａ．Ａｕｒｏｕｘ， Ｄ．Ｉｏｓｓｉｆｉｄｉｓ， Ｄ．Ｒ．Ｒｅｙｅｓ， Ａ．Ｍａｎｚ， Ａｎａｌ．Ｃｈｅｍ．７４，２００２，２６３７）。
これらのマイクロシステムチップ、マイクロ流体チップまたはマイクロチップは、ほとんどにおいて、良好な光学特性（４５０−７００ｎｍの範囲の透過性、低い自家蛍光性）および化学的不活性のためにガラス、シリコン、溶融石英基板材料で用意される。しかしながら、これらの材料に基づいた素子は、エッチングマスクの形成、フォトリソグラフィおよび基板エッチングを含む半導体の微細加工技術を使用して製造されるために、高価である。そのため、代替材料が研究されており、特に、代替材料として例えばポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴＧ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）およびポリイミド（ＰＩ）などの様々な高分子化合物が、より安い費用、生体分子との親和性、光透過性、複製戦略の数および廃棄可能性のため研究されている（Ｈ．Ｂｅｃｋｅｒ， Ｌ．Ｅ．Ｌｏｃａｓｃｉｏ Ｇａｒｔｎｅｒ， Ｔａｌａｎｔａ，５６，２００２，２６７）。
微小の流路における流体の流れは、通常、流体の固有の特性、例えば、粘度により決定される。例えば、微小な毛細管を有するマイクロ流体チップだけでなく、高い処理能力のアレイ形式などの微小システムにおいて、古典的な巨視的システムと比べて大きい表面積対体積率、および材料と流体の相互作用が材料のバルクの特性ではなく表面で決定されるという事実により、表面特性および表面効果は重要な役割を果たす。したがって、上記チップの良好な性能のための主たる要件は、明確に定義され均質な流路形状および表面特性である。
基板材料を樹脂に変更する際の一つの主要な障害は、新しい基板材料の表面特性の差異および結果として生じる検体との相互作用の差異である。例えば、ほとんどの高分子化合物材料で製造したマイクロ流体素子の一般的な問題は、分離プロセス中において、特に、例えばタンパク質などの分子の検体、または例えば、タンパク質分離ゲルに用いられ、疎水性である高分子化合物表面に向く疎水性側を持つドデシル硫酸ナトリウム（ＳＤＳ）などの界面活性剤の検体の流路壁への吸収である。これは結果としてサンプルの損失だけでなく、分離能の低下につながる電気浸透流または検体−壁の相互作用の変化をもたらす。他のマイクロチップ分析システム、例えば、酵素反応器または生化学アッセイプラットフォームなどにおいては、試薬とバイオプローブとの効率的な結合が最も重要である。もう一つの問題は、電気泳動の測定結果を妨害する可能性がある強化された電気浸透流層をもたらす、流路表面からの検体の基質成分の分離である。
したがって、高分子化合物材料の表面改質および表面処理は、生体検体の壁への非特異的な吸収を制御するために行われる。表面改質の方法は、ダイナミックコーティング（非永続）、共有（化学的）結合性のパーマネントコーティングを含む（Ｊ．Ｌｉｕ， Ｍ．Ｌ．Ｌｅｅ， Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｓｉｓ，２００６，２７，３５３３−３５４６； Ｄ．Ｂｅｌｄｅｒ， Ｍ．Ｌｕｄｗｉｇ， Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｓｉｓ，２００３，２４，３５９５−３６０６）。報告されているのは、同様に、プラズマ、電子ビームまたはイオンビームを用いた高分子化合物基板の表面改質である。これらの改質は、永続的であると見なされているが、しかし、いくつかの特性、例えば親水性は時間によって安定していない。
ダイナミックコーティングは実施するには便利な改質である。この場合、例えば、流路をすすぐことにより、表面活性なコーティング材料または表面改質剤が表面と接触させられる。このコーティング材料は、表面に物理吸着する。しかしながら、多くの応用において、動的な表面改質の潜在力は、使用の間の表面特性の再変化をもたらす最終的な高分子化合物表面からの脱離のために限られる。さらに、脱離した表面改質剤は、同様に検体と相互作用しうる。
そのため、永続的な表面改質が、最も効果的な表面改質の手段と見なされている。理想的には、改質は安定であり、再生の必要はない。しかしながら、改質が特定の化学反応または処理を必要とするため、しばしば生産工程がより労働集約的になってしまう。
素子を用意するために高分子化合物材料を使用することができる場合は、アッセイは同様に生物工学的な応用となる。ガラスにおいて発展してきた移動分析の化学は、疎水性である樹脂表面のぬれを確保するために、またはタンパク質または他の生体分子の疎水性の表面への接着を避けるために、しばしば界面活性剤を添加することを要求する。上記物質は、タンパク質または他の生体分子の変性を導きうるため、上記界面活性剤を添加することは、逆にアッセイの性能に影響を与える。界面活性剤または他の表面活性物質の存在により、大きなタンパク質分子は容易にそれらの機能性を失い得る。界面活性剤または疎水性である樹脂表面への曝露により、細胞または細胞片は最も容易に損傷または破壊されることも同様に言及しなくてはならない。上記の例のいずれも、タンパク質または生体分子、大きなタンパク質集合または細胞および細胞片は、自然環境の中とは非常に異なる振る舞いをする可能性がある非自然な環境にさらされていることを表している。
したがって、生物工学的な応用のためのシステムを容易に安価で製造することを可能とし、さらに同時にガラス基板の有利な特性を提供する材料が必要とされている。よって、本発明の目的は、多様な応用、特に、生物工学的な応用のためのチップの効率的な製造方法を提供することである。同様に、本発明の目的は、特に生物工学的な応用のための効率的なアッセイ系の製造方法を提供することである。
本目的は、ガラス様表面、特にエッチングガラス様表面を有する高分子化合物基板であって、前記ガラス様表面、特に前記エッチングガラス様表面は、ガラス表面、特にエッチングガラス表面を、化学物質含有量、化学組成、化学構造、均質性、粗さ、形態、特に多孔性、親水性、表面エネルギー、吸着親和性、表面機能性、化学的および物理的表面反応性、ゼータ電位および表面電荷のうちの一つ又は複数において模倣した高分子化合物基板により解決される。
一実施形態において、前記表面は、粗さおよび親水性を増大させるためにプラズマ処理および／または反応性イオン処理によって改質されたか、および／または、前記表面はシリコン酸化物薄膜であるか、および／または、前記表面は増大した固有の粗さおよび／または固有の多孔性および／または増大した親水性を有する高分子化合物薄膜である。
一実施形態においては、前記高分子化合物基板は、合成品または自然由来の高分子化合物であって、好ましくは、射出形成された高分子化合物、より好ましくは、ポリオレフィン、ポリエーテル、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、およびポリアクリル酸塩、ならびにそれらの修飾物、誘導体、派生物および共重合体を含む材料分類の一つであって、より具体的には、アクリロニトリルスチレンブタジエン（ＡＢＳ）、シクロオレフィンポリマーおよびシクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ／ＣＯＰ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）、熱可塑性エラストマー（ＴＰＥ）、熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリ乳酸（ＰＬＡ）、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）、およびそれらの誘導体を含むリストのうちの一つであり、前記高分子化合物は、任意に、例えばカーボンブラック等の無機材料、例えば特に金属酸化物であってＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｆｅ２Ｏ３等の酸化物、例えばいくつか例を挙げるとＺｎＳ、ＣｄＳ，ＣｄＳｅなどの半導体が充填される。上記の充填された高分子化合物の例は、ＴｉＯ２で充填されたシクロオレフィンである。
本発明の目的は、同様に、ガラス様表面、特にエッチングガラス様表面を有する高分子化合物基板の提供方法により解決され、前記提供方法は、
ａ）高分子化合物基板、より好ましくは本発明による高分子化合物基板材料で作られた高分子化合物基板を提供することと、
以下の手段のうちの一つと、から成る。
ｂ１）前記高分子化合物基板の表面に、ｘは１〜２の範囲であるＳｉＯｘをコーティングすること。
ｂ２）前記高分子化合物基板の表面に、ｘは１〜２の範囲であるＳｉＯｘ前駆体をコーティングし、前記ＳｉＯｘ前駆体をＳｉＯｘに変換すること。
ｂ３）ガラス様表面の形態、特にエッチングガラス様表面の形態を前記高分子化合物基板の表面に与えることであって、
前記高分子化合物基板の表面に、未コーティングの前記高分子化合物基板の表面と比較して増大した粗さを持つ材料および／または増大した親水性を持つ材料をコーティングすることであって、前記コーティング材料は、好ましくは高分子化合物である、および／または、
前記表面に粗さおよび親水性を導入するために、プラズマ処理、および／または反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）および／または前記高分子化合物基板表面または前記コーティングされた高分子化合物基板への紫外線オゾン洗浄機による処理を行うことであって、より好ましくは、アルゴン、酸素、水、水素、フッ素化メタンガス、例えばＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２または前述のガスの混合物もしくは順次使用などを使用すること。
ｂ４）ｂ１）、ｂ２）およびｂ３）の任意の順序の組み合わせである。
一実施形態において、プラズマ処理は、０．１ｋＨｚ〜１００ＧＨｚの範囲の周波数で行われる。一実施形態において、エッチングガラス様表面の形態は、同様にプラズマ処理と反応性イオンエッチングの連続的な使用により達成される。一実施形態において、プラズマ処理は、１ｋＨｚ〜９９９ｋＨｚの範囲の周波数で行われる。他の実施形態において、プラズマ処理は、１ＭＨｚ〜９９９ＭＨｚの範囲の周波数で行われる。さらに他の実施形態において、プラズマ処理は、１ＧＨｚ〜１００ＧＨｚの範囲の周波数で行われる。一実施形態において、プラズマ処理は、単一のまたは複数のステップであるプラズマ処理を含む。本明細書において「Ａｒ／Ｏ２プラズマ」とは、一実施形態においてアルゴンを使用したプラズマ処理の後に、続けて酸素を使用したプラズマ処理を行うこと、またはその逆であることを示している。他の実施形態において、上記語句はアルゴンと酸素の混合物を使用した単一のステップによるプラズマ処理を示していてもよい。さらに他の実施形態においては、上記語句は、アルゴンを使用したプラズマ処理の単一のまたは複数のステップの後に、続けて酸素を使用したプラズマ処理の単一のまたは複数のステップを行うこと、またはその逆であることを示している。
一実施形態において、プラズマ処理は、Ａｒ／Ｏ２プラズマ処理である。
一実施形態において、プラズマ処理は、Ａｒ／紫外線オゾン処理である。
本明細書において「Ａｒ／紫外線オゾン処理」とは、一実施形態においてアルゴンを使用したプラズマ処理の後に、続けて紫外線オゾン処理を行うこと、またはその逆であることを示している。他の実施形態において、上記語句は、アルゴンを使用したプラズマ処理と紫外線オゾン処理を単一のステップで同時に行うことを示していてもよい。さらに他の実施形態において、上記語句は、アルゴンを使用したプラズマ処理の複数のステップの後に、続けて紫外線オゾン処理の複数のステップを行うこと、またはその逆であることを示している。さらに他の実施形態において、上記語句は、アルゴンを使用したプラズマ処理の単一のまたは複数のステップの後に、続けて紫外線オゾン処理の単一のまたは複数のステップを行うこと、またはその逆であることを示している。
一実施形態において、ｂ１）、ｂ２）および／またはｂ３）は、物理蒸着法により行われ、例えば、
熱蒸着（物理気相蒸着）
電子線（Ｅガン）蒸着
スパッタ法
化学的蒸着（ＣＶＤ）
表面上の膜成長、例えば、化学めっき法または電気化学析出
スプレーコーティング
ディップコーティング
気相成長
ロールツーロール蒸着
スクリーンプリンティング
ドクターブレード
ウェットコーティング
ダイナミックコーティング
ＣＶＤ
または、前述のいくつかの方法の組み合わせである。
一実施他形態においては、ｂ２）の変換手段は、
アニーリング、好ましくは熱アニーリング、
電磁波、例えば赤外線または紫外線の照射、好ましくは紫外線の照射
水、塩基、酸、水および塩基の組み合わせ、または水および酸の組み合わせの溶液による処理
のうちの一つにより行われる。
一実施形態において、前記ＳｉＯ２前駆体は、
ｉ）アルコキシまたはアルキルクロロシラン、ＳｉＸ４、Ｓｉ３Ｏ２Ｘ６から構成されるトリシロキサンであって、Ｘは互いに独立して、ＯＲまたはハロゲンであり、Ｒはアルキル基であり、アルキル基は好ましくはＣ１〜Ｃ２０のアルキル基、より好ましくはエチル基またはメチル基であるもの、
ｉｉ）ポリシラザンであって、例えば、ペルヒドロポリシラザン、ｎは３〜１００００から選択される−［Ｓｉ（Ｈ）２−Ｎ（Ｈ）−］ｎ、またはＲはアルキル基であり、アルキル基は好ましくはＣ１〜Ｃ２０のアルキル基であり、ｎは３〜１００００から選択されるポリオルガノシラザン−［Ｓｉ（Ｒ）２−Ｎ（Ｒ）−］ｎ、
ｉｉｉ）ＳｉＯｘ粒子を含むゾルゲルであって、前記粒子は、好ましくは約１ｎｍ〜１０μｍの直径を有し、より好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍであり、前記粒子は、溶媒の基質に懸濁され、好ましくは、溶媒はアルコールであり、より好ましくは、溶媒はエタノールであるもの、
を含むグループから選択される。
一実施形態において、ｂ１）〜ｂ３）のステップは、前記ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘ前駆体または高分子化合物と一緒に、追加材料が前記高分子化合物基板の前記表面にコーティングされ、前記追加材料は、Ｓｉ２Ｎ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｎａ２Ｏ、ＣａＯ、Ｋ２Ｏ、ＳＯ３、ＭｇＯ、Ｆｅ２Ｏ３、ＳｉＯｘ（ｘは２より小さい）である。
一実施形態において、増大した粗さおよび／または固有の多孔性を有する前記コーティング材料は、特に前記高分子化合物であって、ポリテトラフルオロエチレン（テフロン（登録商標））、例えば２，２−ビストリフルオロメチル‐４，５‐ジフルオロ１，３‐ジオキサレートフルオロエチレン共重合体（デュポン社のテフロンＡＦ２４００）、ナフィオン（登録商標）、ポリスルホン、ポリ（オキソ‐２，６‐ジメチル‐１，４‐フェニレン）、ならびに、ポリ［１‐（トリメチルシリル）‐１‐プロピン］（ＰＴＭＳＰ）、ポリ［１‐（トリメチルゲルミル）‐１‐プロピン］、ポリ（４−メチル―２−ペンチン）、ポリ［１‐フェニル‐２‐（ｐ‐トリメチルシリルフェニル）アセチレン］およびポリ［２，４，５‐トリス（トリフルオロメチル）‐フェニルアセチレン］のような置換されたアセチレンポリマーのグループから選択される。
本明細書において「ナフィオン」とは、フッ素樹脂の共重合体を基にしたスルホ化されたテトラフルオロエチレンを示す。ナフィオンにおいて、末端がスルホ基で修飾されたペルフルオロビニルエーテル類は、テトラフルオロエチレン（テフロン）骨格に組み込まれている。スルホン酸官能基は、数ナノメートルの直径を有する親水性の水路に自己組織化する。
一実施形態において、前記提供方法は、
ｃ）後処理を前記基板に行うステップをさらに含み、
前記ｃ）は、
乾燥
水洗
焼き戻し
焼結
溶媒処理
プラズマ処理
反応性イオンエッチング
紫外線オゾン洗浄機による処理
および上記の組み合わせのうちの一つまたは複数からなる。
本明細書において「紫外線オゾン洗浄機による処理」または「紫外線オゾン処理」とは、一般的に１８０ｎｍ〜２６０ｎｍの範囲の短波長の紫外線照射を含む処理を示しており、通常、同様に、上記範囲内の数種類の二つ以上の異なる波長が使用される。上記照射は、基板の汚染物質と反応する酸素原子およびオゾンのその場での（ｉｎ−ｓｉｔｕ）生成を導く。したがって、紫外線オゾン洗浄機処理は、表面の洗浄効果をもたらす。
本発明に係る方法は、同様に、コーティングのステップが行われる前に基板に対して行われる、一つまたは複数の「前処理」ステップを含んでもよい。上記前処理は、プラズマ処理、熱処理、薬品の曝露、および化学官能基を与えることによる基板表面の活性化などであってもよい。上記前処理ステップは、その後に行われる後続の工程を容易にし、基板の品質を改善することができる。
一実施形態において、前記提供方法は、少なくとも上記で定義したような第１の高分子化合物基板に行われ、前記第１の高分子化合物基板は、その結果、少なくとも第１のガラス様表面、特に第１のエッチングガラス様表面を持って提供される。ここで、前記提供方法は、さらに接着するステップを含み、
第２の基板と接触した前記第１のガラス様表面、特に第１のエッチングガラス様表面とし、好ましくは０．２Ｎ／ｍｍ２〜５Ｎ／ｍｍ２の範囲、より好ましくは０．５Ｎ／ｍｍ２〜１Ｎ／ｍｍ２の範囲の圧力で、１０秒〜６００秒の範囲、より好ましくは３０秒〜１２０秒の範囲の時間、前記第１および第２の基板を一緒に圧迫し、前記第１および第２の基板を４０℃〜１２０℃の範囲、より好ましくは６０℃〜１２０℃の温度に曝露することにより、および／または、それらの互いの接着を増すために圧迫する前に前記第１および第２の基板を溶媒の蒸気に直接曝露することにより、前記第１の基板と第２の基板とを接着する。
一実施形態において、前記第１の高分子化合物基板は、固体基板であって、前記第２の基板は、固体基板であるか、または柔軟な箔である。
一実施形態において、前記第２の基板は、上記で定義された材料で形成された高分子化合物基板、またはガラス、石英、シリコン窒化物、シリコン酸化物から選択された材料で形成された基板であって、前記第２の基板が柔軟な箔である場合は、前記第２の基板は、ポリオレフィン、ポリエーテル、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、およびポリアクリル酸塩およびそれらの修飾物、誘導体、派生物および共重合体を含む材料で形成され、より具体的には、アクリロニトリルスチレンブタジエン（ＡＢＳ）、シクロオレフィンポリマーおよびシクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ／ＣＯＰ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）、熱可塑性エラストマー（ＴＰＥ）、熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリ乳酸（ＰＬＡ）、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）、およびそれらの誘導体を含むリストのうちの一つで形成され、上記の高分子化合物は、任意に、例えばカーボンブラック等の無機材料、例えば特に金属酸化物であってＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｆｅ２Ｏ３等の酸化物、例えばＺｎＳ、ＣｄＳ，ＣｄＳｅ等の半導体が充填される。
一実施形態において、前記第１の基板および前記第２の基板の一つまたは両方は、流路、溝、くぼみ、またはホールを基板上に有し、好ましくは、前述の流路等は第１および第２のガラス様表面間の接触面に導管を形成し、より好ましくは、前記導管は、前記第１または第２の基板の一端から他端に延びて、または基板の一方にある一ホールから前記基板の一方にある他ホールに延びており、したがって、前記導管を通って液体の流れが形成される。
一実施形態において、本発明に係る方法は、前記第１の高分子化合物基板、および少なくとも本発明に係る材料で形成された第２の高分子化合物基板で行われ、任意に、第３および／またはさらなる本発明に係る材料で形成された高分子化合物基板にて行われ、前記第１および第２の高分子化合物基板、およびこの場合、前記第３およびさらなる高分子化合物基板は、上記で定義した接着するステップによって後に互いに接着される。
一実施形態において、前記呼分子化合物基板の一つ、二つ、またはそれ以上は、流路、溝、くぼみ、またはホールを前記基板上に有し、好ましくは、前述の流路等は前記基板の接触面に導管を形成し、より好ましくは、前記導管は、前記基板の一端から他端に延びて、または基板の一方にある一ホールから前記基板の一方にある他ホールに延びており、したがって、前記導管を通って液体の流れが形成される。
本発明の目的は、同様に、チップ、好ましくは、マイクロ流体チップの製造方法により解決され、
ａ）少なくとも上記で定義された材料で形成された第１の高分子化合物基板、および第２の基板を提供し、前記第２の基板は、固体基板または箔であって、上記で定義された高分子化合物材料で形成されるか、またはガラス、石英、シリコン窒化物、シリコン酸化物から選択された材料で形成されるか、または前記第２の基板が柔軟な箔である場合は、前記第２の基板は、ポリオレフィン、ポリエーテル、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、およびポリアクリル酸塩およびそれらの修飾物、誘導体、派生物および共重合体を含む材料で形成され、より具体的には、アクリロニトリルスチレンブタジエン（ＡＢＳ）、シクロオレフィンポリマーおよびシクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ／ＣＯＰ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）、熱可塑性エラストマー（ＴＰＥ）、熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリ乳酸（ＰＬＡ）、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）を含むリストのうちの一つで形成され、前記第１および第２の基板の少なくとも一つは、流路、溝、くぼみ、またはホールを前記基板上に有すること、
ｂ１）本発明に係る製造方法を少なくとも前記第１の基板、好ましくは前記第１および第２の基板で行い、連続して、その上で上記にて定義された接着するステップを行うこと、
ｂ２）前記第１および前記第２の基板を互いに接触させて用意し、上記で定義された接着するステップによって、前記第１および第２基板の組立品を形成するために互いを接着し、連続して、本発明に従ってガラス様表面をもつ高分子化合物基板の提供方法を前記組立品、特に前記組立品中に形成された導管に行うこと、
前記製造方法は、ａ）と、ｂ１）またはｂ２）のいずれかとを行うことを含む。
一実施形態において、ａ）のステップは、本発明に係る基板を複数枚、提供することを含み、また、ｂ１）またはｂ２）のステップは、前記複数枚の基板に行われ、したがって、チップは、お互いに積み重ねた複数枚の基板からなる。
本発明の目的は、同様に、本発明に係るガラス様表面を有する高分子化合物基板を提供する方法により生産された高分子化合物基板によって解決される。
本発明の目的は、同様に、二つの基板からなるチップ、特にマイクロ流体チップにより解決され、少なくとも一つの基板は、好ましくは少なくとも二つの基板は、本発明に係る上記で定義された高分子化合物基板であって、前記チップは、前記チップを通る少なくとも一つの導管を有し、前記導管は好ましくは最小寸法が ＜５００μｍの範囲、より好ましくは ＜２００μｍである。
一実施形態において、本発明に係るチップは、上記で定義された本発明に係る一つの高分子化合物基板で形成されるか、または、
ａ）本発明に係る上記で定義されたもう一つの上記高分子化合物基板、
またはｂ）上記で定義された柔軟な箔であるもう一つの基板、
またはｃ）ガラス、石英、シリコン窒化物およびシリコン酸化物から選択された材料で形成されたもう一つの基板、
またはｄ）複数枚の基板であって、前記複数枚の基板は、ａ）、ｂ）、またはｃ）で定義された種類の複数枚の基板、またはａ）〜ｃ）で定義された種類の基板の組み合わせである複数枚の基板
で形成される。
一実施形態において、前記少なくとも一つの導管は、検体の分析、および／または検出、および／または分離、および／または輸送に適した基質で満たされ、検体は、好ましくは生体細胞、または生体高分子、および／またはそれら個別のモノ／オリゴマーであり、例えば核酸、ヌクレオチド、タンパク質、ペプチド、アミノ酸、炭水化物、多糖、オリゴ糖、単糖、脂質、脂肪、および脂肪酸である。
一実施形態において、前記基質は、気相、液体、液体またはゲル中の固体粒子の分散状態であり、前記ゲルは、好ましくはポリアクリルアミドゲル、またはアガロースゲル、またはでんぷんゲル、またはスクロースゲルである。
本発明の目的は、同様に、本発明に係る製造方法により製造されたチップ、特にマイクロ流体チップにより解決される。
本発明の目的は、同様に、チップ、特にマイクロ流体チップの本発明に係る製造方法によるキットにより解決され、前記キットは少なくとも第１の基板および第２の基板からなり、前記第１および第２の基板の少なくとも一方は、流路、くぼみ、溝、ホールを基板上に有し、前記キットは、さらに前記基板上で本発明に係る製造方法を行う一つまたは複数の試薬を含む。
一実施形態において、前記第１および第２の基板は、合成された、または自然由来の高分子化合物から選択された材料で形成され、好ましくは、射出形成された高分子化合物であり、より好ましくは、ポリオレフィン、ポリエーテル、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、およびポリアクリル酸塩、ならびにそれらの修飾物、誘導体、派生物および共重合体を含む材料分類の一つであって、より具体的には、アクリロニトリルスチレンブタジエン（ＡＢＳ）、シクロオレフィンポリマーおよびシクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ／ＣＯＰ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）、熱可塑性エラストマー（ＴＰＥ）、熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリ乳酸（ＰＬＡ）、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）、およびそれらの誘導体を含むリストのうちの一つであり、前記高分子化合物は、任意に、例えばカーボンブラック等の無機材料、例えばＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｆｅ２Ｏ３等の酸化物であって特に金属酸化物、例えばＺｎＳ、ＣｄＳ，ＣｄＳｅなどの半導体が充填される。
本発明の目的は、同様に、検体の分析、および／または検出、および／または分離、および／または輸送のためのキットにより解決され、検体は、好ましくは、生体高分子およびそれら個別のモノ／オリゴマーであり、前記キットは、本発明に係るチップを含み、および任意で、検体の分析、および／または検出、および／または分離、および／または輸送に必要な、例えばバッファーなどの一つまたは複数の試薬を含む。
本発明の目的は、同様に、高分子化合物基板、または検体の分析、検出、分離、および／または輸送を行う方法における本発明に係るチップ、特にマイクロ流体チップの用途により解決され、好ましくは、生体細胞、または生体高分子、および／またはそれら個別のモノ／オリゴマーに対する方法であり、特に、電気泳動法、シークエンス法、検体の検出アッセイ法、またはフローサイトメトリー法である。
本明細書において、「アッセイ」とは、生命体または有機体の検体における薬剤、生化学物質、分子、または物質の活性または存在を試験する、または測定する方法を示している。定量的アッセイは、同様に、検体内の物質の量を測定することができる。定性的アッセイは、同様に、生命体、薬剤、生化学物質、分子、または物質の存在を検出することができる。生化学的アッセイおよび免疫学的アッセイは、特化した生化学アッセイの多くの種類のうちのひとつである。他のアッセイは、例えば、酵素活性、抗体検出、幹細胞活性、遺伝子発現、遺伝子型判定、ＤＮＡ／ＲＮＡ分析、および競合タンパク質結合などのプロセス測定を行い、すべてのこれら分析は「アッセイ」という語句に包含されることを意味する。
本発明の目的は、同様に、検体、好ましくは生体高分子および／またはそれら個別のモノ／オリゴマーの分析、検出、分離および／または輸送を行う方法により解決され、前述の方法は、
本発明に係るチップまたは高分子化合物基板と、および分析、分離、輸送される検体を含む試料とを、任意の順序で用意することであって、前記チップは、上記で定義した基質を含み、前記高分子化合物基板は上記で定義した基質を含み、
前記試料を前記基質に添加すること、
前記基質に電圧をかけることであって、前記電圧は、前記基質を通した泳動、拡散、および検体の流動を起こすために十分であり、
検体に照射、除去、脱着、イオン化すること、さらに任意に
検体を分析すること
を含む。
本発明の目的は、同様に、検体の分析および／または分離および／または輸送のためのチップ、特にマイクロ流体チップの製造のための本発明に係る基板の用途により解決される。
以下の図が参照される。
図１は、Ｚｅｏｎｏｒ １０６０Ｒ上に蒸着された厚さの異なるＳｉＯ２層（ａ）、Ｚｅｏｎｏｒ １０６０Ｒ（ｂ）および参照としてのガラスの透過率曲線を示す。透明度は、層の厚さに対して強く依存しない（５ｎｍ〜１００ｎｍ）。 図２は、Ｚｅｏｎｏｒ １０６０Ｒ上に異なる方法で被覆されたＳｉＯ２層の耐久性試験の結果を示す。接触角は、Ｅガン蒸着の場合において、低い値でより安定している。 図３は、適切な流路をその中に持つ基板の例示画像を、ＳｉＯ２でコーティングする前後の流路の大きさと共に示す。 図４は、例えば、酸素、水、またはその他で先行してプラズマ処理し、液状のＳｉＯ２前駆体でシランおよびシロキサンを作用させた機構を示す。 図５は、液状のＳｉＯ２前駆体の例示を示し、ａ）オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）、ｂ）オクタクロロトリシロキサン（ＯＴＣＳ）、ｃ）ヒドロキシメチルトリエトキシシラン（ＴＴＢＳ−ＯＨ）である。 図６は、本発明に係るＴＥＯＳでコーティングした高分子化合物基板のＡＦＭ画像（形状）であり、表面粗さは、＜ ０．５ｎｍであり、均質なコーティングが示されている。 図７は、基板表面をＴＥＯＳでシラン処理したことによるＳｉＯ２の存在が確認されるＸＰＳの結果を示す。 図８は、ウェル基板ｂ、および流路基板ｃとの接着機構を示し、両基板は、本発明に係るコーティングａがされ、ガラス様および／またはエッチングガラス様表面からなる。結果が、接着したチップｄである。 図９は、本発明に係る処理がされ、ガラス様、特にエッチングガラス様表面を提供する二つの基板により形成された接着した導管の断面の光学顕微鏡画像を示す。光学顕微鏡画像において観察される構造の変形がなく、したがって、流路／導管の大きさはコーティングおよび接着により変化していない。 図１０は、本発明に係る処理がされた表面からなる二つの基板の接着により形成された導管の光学顕微鏡画像を示す。流路は、暗色の液体で満たされている。液体の漏れは一切見つけられない。 図１１は、液状の前駆体であるパーヒドロポリシラザンの構造を示す。 図１２は、ＮＨ４ＯＨ蒸気で処理した後、パーヒドロポリシラザンでコーティングした基板のＡＦＭ画像を示し、均質なコーティングを示している。 図１３は、ＮＨ４ＯＨ蒸気で処理し、パーヒドロポリシラザンでコーティングした導管の光学顕微鏡画像を示す。コーティングは、マイクロメートル規模の導管の大きさを変化させていない。 図１４は、ポリ［１‐（トリメチルシリル）‐１‐プロピン］（ＰＴＭＳＰ）でコーティングしたＣＯＣ基板のＦＴＩＲ吸収スペクトルを示し、ＣＯＣのバックグラウンド吸収は差し引かれている。コーティングの存在は、ＰＴＭＳＰの化学基の吸収の特有な存在によって確認される。 図１５は、試料に接触させた通常の導体であるＡＦＭプローブに１秒の電圧パルスを加えることによって帯電させたＰＴＭＳＰ薄膜（ａ）、ガラス（ｂ）、ＣＯＣ（ｃ）、ポリシラザンでコーティングされたＣＯＣ（ｄ）におけるケルビンプローブフォース顕微鏡による走査を示す。（ａ）および（ｂ）における強い帯電（白領域）は、水イオンが薄膜の体積を貫通することができることを示し、ガラス薄膜（ｂ）において観察される帯電と類似している。未コーティングのＣＯＣ薄膜（ｃ）は強く帯電していない。 図１６は、未処理のＰＭＭＡ基板（ａ）、およびＡｒ／Ｏ２プラズマ処理後（ｂ）のＡＦＭの形状画像を示す。表面粗さは、プラズマ処理により著しく増大している（４ｎｍから２５ｎｍ ＲＭＳへ）。（ｂ）における水の後退接触角は、前進接触角（５０°）よりもさらに低く（＜ １０°）、大きな粗さを示している。 図１７は、本発明に係るＰＭＭＡチップ（ａ）によって得られたＤＮＡ７５００検体の電気泳動による分離、および比較のため従来のガラスチップ（ｂ）を使用した電気泳動による分離の結果を示す。 図１８は、本発明に係るＳｉＯ２ゾルゲルをウェットコーティングしたＣＯＣチップ（ａ）によって得られた牛血清アルブミン検体の電気泳動による分離、および比較のため従来のガラスチップ（ｂ）を使用した電気泳動による分離を示す。 図１９は、Ａｒ／Ｏ２プラズマで処理した導管の光学顕微鏡画像を示す。該処理は、良好な接着を可能にする。 図２０は、Ａｒプラズマ／紫外線オゾン洗浄機で処理した導管の光学顕微鏡画像を示す。該処理は、良好な接着を可能にする。 図２１は、Ａｒプラズマ／紫外線オゾン洗浄機で処理した二つの基板によって形成された導管を接着したＣＯＰの断面の光学顕微鏡画像（ａ）を示し、光学顕微鏡画像において観察される構造の変形がなく、したがって、流路／導管の大きさは処理および接着により変化していない。図２１（ｂ）は、Ａｒプラズマ／紫外線オゾン洗浄機で処理したＣＯＰチップによって得られたＤＮＡ７５００検体の電気泳動による分離を示す。 図２２は、Ａｒプラズマ／紫外線オゾン洗浄機による処理を行ったＰＭＭＡ（ａ）およびＣＯＰ（ｂ）のＡＦＭの形状画像を示す。表面粗さは、プラズマ処理により、（ａ）１６ｎｍ ＲＭＳ粗さに、（ｂ）７ｎｍ ＲＭＳ粗さに著しく増大している。 図２３は、ＣＯＰアッセイ基板のＳＥＭ画像を示す。 図２４は、本発明に係る処理がされたアッセイ基板の異なる領域にて、処理後異なる日に繰り返し測定した接触角を示し、特に、Ａｒ／Ｏ２プラズマ処理をしたＴｉＯ２充填ＣＯＰ基板は１１４日後に６５°より小さい接触角を示す。未処理のＴｉＯ２充填ＣＯＰ基板は、１１０〜１２０°の接触角を有する。 図２５は、（ａ）処理後のＣＯＰスライド上でＹ方向に５ｍｍオフセットし、Ｘ方向に沿って８０ｍｍ測定した表面形状測定装置により読み取った３本のラインを示す。高さのうねりはすべて１ｍｍ範囲において１μｍより小さく、図２５（ｂ）は、本発明に係る処理がされたアッセイ基板の異なる領域にて、処理後異なる日に繰り返し測定した接触角を示し、特に、ＳｉＯ２薄膜でコーティングされたＣＯＰ基板は１１５日後に３０°より小さい接触角を示す。 図２６は、樹脂基板に形成されたウェル（ａ）、および２０ｎｍ ＳｉＯ２を蒸着後の同じ樹脂基板（ｂ）のＡＦＭ走査形状を示す。ウェルの形態および粗さはＳｉＯ２蒸着により影響されていない。 図２７は、Ａｒ／Ｏ２プラズマ処理後のＣＯＣ基板の１ｘ１μｍ２におけるＡＦＭ走査形状を示し、粗さは、むき出しの基板の０．８ｎｍ ＲＭＳから処理後は６ｎｍ ＲＭＳに増加している。 図２８は、（ａ）未処理、および（ｂ）Ａｒ／Ｏ２プラズマ処理のＣＯＣフローサイトメトリーチップのＸＰＳスペクトルを示す。結果から、処理により高分子化合物基板の化学組成が変化していないことが確認できる。 図２９は、（ａ）１０ ｘ １０μｍ２、および（ｂ）１μｍ２領域におけるＴＥＯＳコーティング前のＣＯＣ基板のＡＦＭ走査形状を示す。 図３０は、（ａ）未処理、および（ｂ）ＴＥＯＳコート処理のＣＯＣフローサイトメトリーチップのＸＰＳスペクトルを示す。結果から、ＴＥＯＳでコーティングされたチップの基板表面におけるＳｉＯ２の存在が確認できる。 図３１は、本発明に係る処理を行ったＣＯＣフローサイトメトリーチップで測定した時間に対する接触角を示し、特に、（ａ）Ａｒ／Ｏ２プラズマ処理されたチップ、および（ｂ）ＴＥＯＳでコーティングされたＣＯＣ基板である。（ａ）において、接触角は４５°より小さい値を６０日間保っており、（ｂ）において、接触角は４０°より小さい値を６５日間保っている。 図３２は、むき出しの高分子化合物表面と異なるガラス表面および高分子化合物基板のガラス様表面におけるｐＨの関数としてのゼータ電位の比較を示す。ゼータ電位が負となる境のｐＨである等電点は、ガラス様表面のｐＨ３より小さく変化していることがわかる。 図３３は、エッチングガラス表面およびＳｉＯ２ゾルゲルで被覆した表面に対して、同様にＳＤＳの効果が異なる表面であるＰＭＭＡおよびＣＯＰ表面におけるｐＨの関数としてのゼータ電位の比較を示す。ＳＤＳは、むき出しのＰＭＭＡおよびＣＯＣ表面において、ゼータ電位に強く影響を与えるが、一方で影響は、ＳｉＯ２ゾルゲルで被覆した基板においてより弱くなり、エッチングガラス表面において観察された振る舞いに類似している。 図３４は、ナフィオンの化学的構造を示す。 図３５は、ＣＯＰ、ナフィオン層で被覆したＣＯＰ、およびＳｉＯ２の４００ｎｍ層で被覆したＳｉウェハにおけるｐＨの関数としてのゼータ電位の比較を示す。
本明細書において、「エッチングガラス様」とは、エッチングガラスの表面を模倣した表面と言及され、前述の特徴の一つにおいて、必ずしも先立ってエッチングされない。エッチングガラスの工程は、この分野の当業者にはよく知られており、エッチングガラスは、処理をしていない例えば非エッチングガラスと比較して、増大した上述の他の特性および表面粗さによって特徴付けるとされた上記工程のガラス製品の結果物として知られている。本明細書において、「薄膜」とは、０．１ｎｍ〜１μｍの範囲、より好ましくは１ｎｍから１００ｎｍの薄さを持つ層または膜を示している。
本明細書において、「ガラス様」とはガラス表面を模倣した表面と言及され、前述の特徴の一つにおいて、ガラス表面ではない。一実施形態において、上記ガラス様表面は高分子化合物で形成される。
本明細書において、「ＳｉＯｘ」または「シリコン酸化物」とは、シリコン酸化物の任意の形態の意味で言及され、シリコン酸化物のすべての結晶構造の形態、多結晶の形態、および／またはアモルファスの形態に限定されず、多様な酸素の存在量を含み、同様に不完全なＳｉＯｘ前駆体の変換形態も含んでいてもよく、ＳｉＯｘ前駆体は有機基を含んでいてもよい。「ＳｉＯｘ」とは同様に、ＳｉＯ２およびＳｉＯを含み、そのことに限定されない、一実施形態において、多様な「ｘ」は、１〜２の範囲であって、同様に整数ではない値も同様に含む。
本明細書において、多孔性、粗さ、または他の量とともに用いられる「増大した」とは、前述の量が未処理の基板と比較して大きくなったことの意味で言及される。
一実施形態において、前記ＳｉＯｘ前駆体は、ステップｂ２）においてコーティングされる際は、ゾルゲル形態であるか、または溶媒に溶解されている。
一実施形態において、本発明に係る方法は、第１の高分子化合物基板および第２の高分子化合物基板、または高分子化合物基板の複数枚によって行われ、前記第１の基板および第２の基板は、したがってそれぞれ第１および第２のガラス様またはエッチングガラス様表面を持って提供され、前記方法は、さらに、好ましくは０．２Ｎ／ｍｍ２〜５Ｎ／ｍｍ２の範囲、より好ましくは０．５Ｎ／ｍｍ２〜１Ｎ／ｍｍ２の範囲の圧力で、１０秒〜６００秒の範囲、より好ましくは３０秒〜１２０秒の範囲の時間で、前記第１および第２の基板を一緒に圧迫することによって、および前記第１および第２の基板を４０℃〜１２０℃の範囲、より好ましくは６０℃〜１２０℃の温度に曝露することによって、および／または、それらの互いの接着を増すために圧迫を行う前に前記第１および第２の基板を溶媒の蒸気に直接曝露することによって、互いに接触した前記第１および第２のガラス様またはエッチングガラス様表面をもたらす、というステップを含む。上記で言及した第１および第２のガラス様またはエッチングガラス様表面は、同様に高分子化合物基板の複数枚の一部であってもよく、それによって得られたガラス様またはエッチングガラス様表面がさらに存在することに留意すべきである。これらは、同様に、連続して、お互いに接触してもたらされてもよい。これは、例えば、結果として多重積層チップをもたらす。本発明は、同様に、本発明に係る方法が第１の高分子化合物基板および第２の高分子化合物薄層状の箔上で行われる構造を包含する。これらは、同様に、連続して互いに接触してもたらされ、それによって互いに接着されてもよい。これは、例えば、薄層状型のチップをもたらすことができる。本発明は、同様に、本発明に係る方法が高分子化合物基板、および表面であって例えば、石英基板またはガラス基板などの表面に連続して接着されて得られた表面上で行われる構造を包含する。このように、混成構造すなわち、高分子化合物基板に接着したガラス基板の製造方法も同様に可能である。
前記第１および第２の基板の一つは上記で定義された高分子化合物基板であり、一実施形態において、他の基板は同様に高分子化合物基板であることに留意すべきである。他の実施形態において、他の基板は高分子化合物箔であって、さらに他の実施形態において、他の基板は、例としてガラス基板または石英基板である。
本明細書において、「キット」とは、上記で定義されたようなチップの使用または製造をすることを可能にする部品の組立品の意味で言及される。最も単純な形態において、このキットは、ガラス様表面、特に、本発明に係るエッチングガラス様表面を持つ高分子化合物基板を提供する方法を行うための、または検体の分析、検出、分離、および／または輸送を行うための一つまたは複数の試薬を含む。一実施形態において、同様に、キットは、少なくとも一つの上記で定義された高分子化合物基板をさらに含んでもよい。一実施形態において、前記キットは、前記少なくとも一つの高分子化合物基板に加えて、さらなる上記で定義された前記高分子化合物基板、または高分子化合物箔、またはガラス基板を含む。
本発明の目的は、同様に、チップ、特にマイクロ流体チップを製造するための上記で定義された基板の用途によって解決される。
本明細書において、「チップ」とは、試料、特に液体試料の収容および／または輸送を可能にする少なくとも一つの基板からなる素子の意味で言及される。上記試料の収容または輸送は、例えば、上記基板がウェル、および／または流路、および／または溝、および／またはくぼみを含むことにより成し遂げられてもよく、または、導管を含んでいてもよい。一実施形態において、チップは、少なくとも一つのウェルを含む。上記ウェルは、例えば、液体試料を収容してもよく、または、例えば、粒子、特に、例えば抗原であるリガンドを覆うことができるミクロ粒子等の固体試料を収容してもよい。本明細書において、「マイクロ流体チップ」とは、一般的に、前述の意味のチップとして言及されるが、しかしながら、ウェル、流、溝、くぼみ、または導管などの少なくともいくつかの大きさは、マイクロメートルの範囲である。
一実施形態において、基板の文脈にて「ガラス様」とは、上記基板、特に上記基板の表面は一つまたは複数のガラスの特性を模倣している状況を示しており、ガラスの特性とは、特に、化学物質含有量（Ｓｉ、Ｏ）および組成、均質性、粗さ（＜ ３ｎｍ ＲＭＳ）、多孔性、親水性（清浄なガラスにおける水の接触角 ＜ ５０°）、表面エネルギーおよび吸着親和性、表面機能性、化学的および物理的表面反応性、および表面電荷（ｐＨ ＞ ２、好ましくはｐＨ ＞ ３において、ゼータ電位 ＜ ０Ｖ）、イオン交換容量、基板内の水の流路の構造に起因した液中のプロトン伝導、好ましくは ＞ １００ｍ２ｇ−１、より好ましくは ＞ ５００ｍ２ｇ−１である高い内表面、高い気体透過性であって、このことに限定されず、必ずしもそれ自体エッチングされていない。
基板の文脈にて「エッチングガラス様」とは、上記基板、特に上記基板の表面は一つまたは複数のエッチングガラスの特性を模倣している状況を示しており、エッチングガラスの特性とは、特に、化学物質含有量（Ｓｉ、Ｏ）および組成、均質性、粗さ（＞ ３ｎｍ ＲＭＳ）、多孔性、親水性（清浄なガラスにおける水の接触角 ＜ ５０°）、表面エネルギーおよび吸着親和性、表面機能性、化学的および物理的表面反応性、および表面電荷（ｐＨ ＞ ２、好ましくはｐＨ ＞ ３において、ゼータ電位 ＜ ０Ｖ）、イオン交換容量、基板内の水の流路の構造に起因した液中のプロトン伝導、好ましくは ＞ １００ｍ２ｇ−１であって、より好ましくは ＞ ５００ｍ２ｇ−１である高い内表面、高い気体透過性であって、このことに限定されず、必ずしもそれ自体エッチングされていない。
本明細書において、「生体高分子」とは、一般的に、生命体および有機体内に存在している高分子を示しており、例えば、核酸、タンパク質、ペプチド、炭水化物、多糖、脂質、および脂肪である。それらそれぞれのモノ／オリゴマーは、それらそれぞれのモノ／オリゴマーの形態において、対応してヌクレオチド、ペプチド、アミノ酸、糖類、および脂肪酸である。同様に、本明細書において「生体高分子」という語句によって巨大分子集合体も包含され、例えば、ウィルス、細胞小器官、リボソーム、ミトコンドリア、染色体、および他の同等な構造体などである。本発明に係る基板およびチップは、前述のいずれかの分析、検出、分離、および／または輸送において用途が見出される。
本発明者は、驚くことに、高分子化合物基板の有益な性質と、ガラス表面、特にエッチングガラス表面の有益な特性とを、上記高分子化合物基板にガラス様表面、特にエッチングガラス様表面をあたえることにより、結合させることが可能であることを見出した。好ましくは、高分子化合物基板は、炭素高分子ベースの基板である。一実施形態において、基板はポリジメチルシロキサンではない。
好ましい実施形態において、本発明に係る高分子化合物基板は、負のゼータ電位を持ち、すなわち、ｐＨ ＞ ２において、より好ましくは、ｐＨ ＞ ３において ＜ ０Ｖである。ｐＨに依存してゼータ電位を測定した場合、本発明に係る高分子化合物基板の測定された値は、ガラスまたはエッチングガラスで測定されたそれぞれの電位と同等である。いくつかの実施形態において、本発明に係る基板のゼータ電位は、ガラス表面よりもさらにマイナスである。
さらに、ＳＤＳと接触した際に、例えば、それぞれのゼータ電位によって測定すると本発明に係る高分子化合物基板は、ガラスと同じ振る舞いを示す。一実施形態において、本発明に係る高分子化合物基板のゼータ電位は、実質的にＳＤＳの存在によって影響されない。これは、ゼータ電位がＳＤＳの存在によって、大幅に変わる可能性があるところの本発明に係らない高分子化合物基板と対照的である。好ましくは、本発明に係る基板は、ｐＨ３以上において、ゼータ電位は ＜ ０であり、ＳＤＳの存在は、ＳＤＳの非存在に対してゼータ電位の負の値をたかだか２倍に変更するに過ぎない。
一実施形態において、高分子化合物基板の表面は、電気的に加熱された熱蒸着の手段によって、または電子銃によって、またはスパッタによってＳｉＯ２でコーティングされている。他の実施形態において、ＳｉＯ２前駆体、例えばＴＥＯＳ、ＯＴＣＳ、ＴＴＢＳ−ＯＨ、またはペルヒドロポリシラザンが高分子化合物基板の表面にコーティングされており、連続して適当な後処理、例えば、アニーリング、エネルギーの電磁放射であって例えば紫外線、または水、塩基、酸、またはそれらの組み合わせによる処理によってＳｉＯ２に変換される。そうすることにより、高分子化合物基板は、例えば、ガラスまたはエッチングガラスの表面を模倣した化学組成などの特性を持った表面が与えられる。上記基板は、他の基板または薄層状の箔、例えば、同じ方法で処理された上記基板との接着にかなう。上記基板は、ガラスまたはエッチングガラスの表面を模倣した特性を持った表面が与えられるが、同様に本発明に係る処理がされていない他の基板との接着にもかなう。
本明細書において、「固有の多孔性を有する高分子化合物またはコーティング材料」とは、本質において多孔質であり、高い内表面を持つ高分子化合物またはコーティング材料の意味で言及される。好ましくは、孔の大きさが０．５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲であり、好ましくは１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲であって、内表面は、１００ｍ２ｇ−１より大きい。高分子化合物基板が上記固有の多孔性を持つ高分子化合物の表面を持って提供される場合、形態、特にガラスまたはエッチングガラス表面の多孔性を模倣している。本明細書において、「増大した粗さを有する高分子化合物またはコーティング材料」とは、本質において、薄膜として蒸着した後で比較的高いＲＭＳ表面粗さを持つ高分子化合物またはコーティング材料の意味で言及される。好ましくは、ＲＭＳ表面粗さは、標準のＡＦＭチップを用いたＡＦＭで測定して、０．１ｎｍ〜１ｎｍの範囲であり、好ましくは、１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲である。この文脈において「増大した粗さ」とは、基板の未処理または未コーティングである表面と比較して増大した粗さの意味で言及される。
ガラス様またはエッチングガラス様表面を提供する多様な実施形態は、同様に、その結果、ガラスまたはエッチングガラスの化学組成も形態および粗さも両方、模倣されるという意味において組み合わされてもよい。
本発明に係る基板は、例として、それらそれぞれの接触角によって測定されるように
長期間の安定性を有する。例えば、一実施形態において、本発明に係る処理がされた基板表面の接触角は５０°以下を６０日間以上の期間において保つ。このことにより、本発明に係る基板は工業的工程および繰り返しの使用における用途にかなう。
発明者は、同様に、二つの基板を前述の本発明に係る方法で処理した後、一緒に接着させてもよく、したがって、接触面を持つ二つの基板の組立品を形成してもよいことを見出した。これら基板の少なくとも一つが、流路、溝、またはくぼみを包含し、および他の基板または箔と接触される場合、上記流路、溝、またはくぼみは、二つの基板の組立品において導管を形成することができる。基板の一つにおける流路の適切な延長を選択することにより、例えば、基板の一端から他端へ延長した流路を持つことにより、組立品を通った液体の流れを可能とする適切な導管を形成することができる。この方法により流体チップ、特にマイクロ流体チップを生産することができる。本明細書において「マイクロ流体チップ」または「マイクロチップ」とは、その中を通って延長された一つまたは複数の導管を持つチップであって、導管は、液体、ゲル、または高分子染料基質の流れを可能とする意味で言及される。好ましくは、上記導管は、好ましくは１０μｍ〜２００μｍの範囲の幅であり、１μｍ〜１００μｍの範囲の深さを有する。加えて、同様に、より大きな構造体、例えば、液体の貯水容器などがチップ上／中にあってもよい。本明細書において、「導管」とは、二つの基板の間の接触面において、液体が流れることができる空洞構造の意味で言及される。導管は、基板の少なくとも一つにある流路、くぼみ、または溝によって形成される。したがって、「流路」、「溝」、「くぼみ」は単独の基板の表面において空洞構造と言及される。上記表面が連続して他の基板または箔と接触しており、それによって事実上被覆されている場合、導管が形成される。時として、流路、くぼみ、溝をその中に持つ基板は、本明細書において、流路板として言及される。上記流路板に覆われた基板は、同様に時として被覆板またはウェル板として言及される（検体の入口として、それが表面にホールを備えており、端ではない場合）。本発明の実施形態において、チップまたはマイクロ流体チップは、したがって、例えば一緒に接着された、または薄層を重ねた二つの基板によって形成され、接触面では、導管が一つまたは複数の、少なくとも基板の一つにある流路により形成される。上記一緒の基板は、同様に、時として「基板組立品」として言及される。基板の上記組立品において、二つの基板は互いに、それぞれのガラス様またはエッチングガラス様表面で結合されている。
マイクロチップのための製造ステップの順序は、第１に、一つまたは両方の基板および／または箔の表面処理、続いて接着、またはその逆、または二つの組み合わせ、すなわち、接着の前にいくつかの部分の処理をし、他方を後で行うこと、のいずれでもよい。
高分子化合物基板材料は、多様な製造者より商業的に入手可能である。適切な材料は例えば、
Ｔｒｏｇａｍｉｄ ＣＸ７３２３（登録商標）、ＰＭＭＧ ＣＭＧ３０２（登録商標）、Ｄｅｌｐｅｔ ７０ＮＨ、Ｚｅｏｎｏｒ １０６０Ｒ（登録商標）、Ｚｅｏｎｅｘ（登録商標） ４８０、ＰＣ ｂｌａｃｋ Ｍａｋｒｏｌｏｎ（登録商標） ２４０５、Ａｒｔｏｎ（登録商標） Ｄ４５４０、Ｚｅｏｎｏｒ（登録商標） １０６０Ｒ ＋ ２％ ｂｌａｃｋ、ＰＰ Ｄｏｗ Ｈ７３４−５２（登録商標）、ＴＰＸ（登録商標）、ＰＣ（登録商標）、ＰＰ（登録商標）、Ｔｏｐａｓ（登録商標） ８００７Ｘ１１、ＰＣ−Ｔｅｉｊｉｎ（登録商標）、ＰＣ−ＭＥＰ（登録商標）、ＰＣ−Ｄｏｗ（登録商標）。
である。
本発明に係り、高分子化合物基板のガラス様またはエッチングガラス様特性は適切なコーティング、または表面改質によって成し遂げられる。これにより、上記高分子化合物基板で作成されたマイクロチップの製造および用途をガラスマイクロチップに対するそれぞれの応用において、さらに試験手順を変える必要なしに、例えば、直接代用品として、使用することを可能となる。さらに、接触面および生体分子と高分子化合物基板の接触面との相互作用を制御することにより、コーティング特性を微調整することが可能になる。
本発明に係るコーティングおよび表面改質は、時間経過によって永続的および安定的であり、労働集約的ではないので生産工程において、容易に統合することができる。一実施形態において、コーティング層の厚さは変えることが可能である。コーティング層の厚さは均質であり、０．１ｎｍ〜５００ｎｍの範囲であり、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。前述した範囲の厚さを有する上記表面層の製造は、液体またはゲルの流れのためのそれぞれの導管はマイクロメートルの範囲であるため、マイクロ流体の応用においてきわめて重要である。その結果、表面改質層は、流路の高さよりさらに薄くなくてはならない。
本発明に係る方法は、廃棄可能な基板およびチップの容易な生産を可能とする。加えて、本発明に係り生産される基板およびチップは、既存のガラスチップのための試験手順、および大量生産のための方法と相性が良い。
さらに、説明される以下の例が参照されるが、本発明を限定することはない。
［実施例］
以下の例において、通常、一覧として挙げたステップの順序は、実施例において行ったステップの順序である。
（実施例１）
蒸着によりＳｉＯ２薄膜をコーティングしたＣＯＣ基板（図１〜３）
基板：ＣＯＰ（Ｚｅｏｎｏｒ １０６０Ｒ）
コーティング：熱蒸着による２０ｎｍ ＳｉＯ２
光透過性は８５％以上であった（図１参照）
水の接触角（１２時間後）は、５°であり、約４０°で安定した（図２参照）
基板の流路の大きさは、流路がＳｉＯ２によって完全に埋まる、または塞がることがないようなコーティング手順を用いたことで、ほとんど変化しなかった（図３参照）。
（実施例２）
ＴＥＯＳ薄膜をコーティングしたＰＭＭＡ基板（図４〜１０）
ＳｉＯ２前駆体によるコーティングの一般的な機構を図４に示し、いくつかの液状前駆体の構造式を図５に示した。
基板：ＰＭＭＡ流路基板およびウェル基板（Ｄｉａｋｏｎ ＣＭＧ ３０２）
コーティング材料：ＴＥＯＳ
形状：０．５ｎｍ粗さ（図６参照）
組成：ＸＰＳは、基板表面において明確なＳｉのピークを示す（図７）。
７０℃にて接着。接着の機構を図８に示した。接着は、流路の変形および流路を満たした際の流体の漏れをなくすことを可能とする（図９および図１０）。
（実施例３）
ＰＨＰＳ薄膜をコーティングしたＰＭＭＡ基板（図１１〜１３）
基板：ＰＭＭＡ流路基板およびウェル基板（Ｄｉａｋｏｎ ＣＭＧ ３０２）
コーティング材料：ペルヒドロポリシラザン（ＰＨＰＳ）（図１１参照）
後処理：ＮＨ４ＯＨ蒸気
水の接触角：１５°
形状：１．７ｎｍ粗さ（図１２参照）、流路の大きさは変化せず（図１３参照）、また流路は埋まらず、また塞がらなかった。
７０℃にて接着。接着は成功した。
（実施例４）
ＰＴＭＳＰ薄膜をコーティングしたＰＭＭＡ基板（図１４および１５）
基板：ＰＭＭＡ流路基板およびウェル基板（Ｄｅｌｐｅｔ ７０ＮＨ）
コーティング材料：ポリ［１‐（トリメチルシリル）‐１‐プロピン］（ＰＴＭＳＰ）ＰＴＭＳＰのトルエン溶液
コーティング手段：スプレー
特性評価：接触角：前進角は１０７°、後退角は７９°、二つの角度の差は表面の粗さおよび多孔性を示している。ＦＴＩＲ：ＰＴＭＳＰの信号が明確に確認される（図１４参照）。表面形状測定装置：導管の大きさは変化なく、また増大した粗さはＡＦＭで観察された（図１６）。帯電：ＰＴＭＳＰ薄膜は、（帯電を誘導するバイアスをかけた探針によって）ちょうどガラスのように水イオンを伴って帯電する（図１５および１６参照）。７０℃にて接着。接着は成功した。
（実施例５）
Ａｒ／Ｏ２プラズマで処理したＰＭＭＡ基板（図１６および１７）
基板：ＰＭＭＡ流路基板およびウェル基板（Ｄｅｌｐｅｔ ７０ＮＨ）
処理方法：Ａｒ／Ｏ２プラズマ
接触角：前進角は５０°、後退角は ＜ １０°。ＡＦＭ：２５ｎｍ ＲＭＳ粗さ（図１６参照）。
７０℃にて接着。接着は成功した。粗さおよび親水性は、ガラスの粗さおよび親水性を模倣して増大させることに成功した。
電気泳動のよる分離：ＤＮＡの分離に成功した（図１７ａ参照、１７ｂは比較であるガラスチップによる分離）。本発明に係るチップは、ガラスチップで成功した分離と同じように、最大７５００ダルトンのＤＮＡ分子を含むＤＮＡの電気泳動による分離を提供する。電気泳動による分離で使用したゲルは、１２０ｍＭ トリストリシン（ＰＨ７、７〜８）中のポリアクリルアミドを主成分とした。溶解させる界面活性剤は、ＳＤＳおよびＬＤＳであり、チップで染色させる場合、蛍光色素もまた溶解させる。
（実施例６）
ＣＯＰチップへのＳｉＯ２ゾルゲルのウェットコーティング（図１８）
材料：ＣＯＰ流路基板およびウェル基板（Ｚｅｏｎｏｒ １０６０Ｒ）
処理：基板は、接着前にクロロホルム蒸気にてわずか数分間曝露される。
７０℃にて接着。接着は成功した。
ウェットコーティング：ＳｉＯ２ゾルゲル
電気泳動による分離：たんぱく質分離は良好であった（図１８ａ参照、図１８ｂは比較であるガラスチップによる分離）。本発明に係るチップは、ガラスチップで成功した分離と同じように、異なる濃度（例えば、５００μｇ／ｍｌ、１０００μｇ／ｍｌ、２０００μｇ／ｍｌ）の牛血清アルブミン（タンパク質）の電気泳動による分離を提供する。分子量マーカーは６つのタンパク質（２９ｋＤａ、４５ｋＤａ、６６ｋＤａ、９７ｋＤａ、１１６ｋＤａ、２００ｋＤａ）を含む。電気泳動による分離で使用したゲルは、１２０ｍＭ トリストリシン（ＰＨ７、７〜８）中のポリアクリルアミドを主成分とした。溶解させる界面活性剤は、ＳＤＳおよびＬＤＳであり、チップで染色させる場合、蛍光色素もまた溶解させる。
（実施例７）
Ａｒ／Ｏ２プラズマで処理したＣＯＰ基板
基板：ＣＯＰ流路基板およびウェル基板（Ｚｅｏｎｏｒ １０６０Ｒ）
処理：Ａｒ／Ｏ２プラズマ
８５℃、定圧にて接着し、接着は成功した。得られたチップは、接着の間隙および流路の変形はなかった（図１９）。
（実施例８ａ）
Ａｒプラズマ／紫外線オゾンで処理したＣＯＰ基板
基板：ＣＯＰ流路基板およびウェル基板（Ｚｅｏｎｏｒ １０６０Ｒ）
処理：Ａｒプラズマ／紫外線オゾン洗浄機
８５℃、定圧にて接着し、接着は成功した（図２０）。
接着力：２０秒間３００Ｎをかけた。サンプルは分離しなかった。
（実施例８ｂ）
Ａｒプラズマ／紫外線オゾンで処理したＰＭＭＡ基板
基板：ＰＭＭＡ流路基板およびウェル基板（ＰＭＭＡ Ｄｅｌｐｅｔ ７０ＮＨ）
処理：Ａｒプラズマ／紫外線オゾン
８５℃、定圧で接着し、接着は成功した。図２１（ａ）は、Ａｒプラズマ／紫外線オゾンで処理された二つの基板によって形成された導管にて接着したＣＯＰの断面の光学顕微鏡画像を示す。光学顕微鏡画像で見られる構造の変形は存在せず、流路／導管の大きさは処理および接着で変化しない。図２１（ｂ）は、Ａｒプラズマ／紫外線オゾンで処理したＣＯＰチップで取得したＤＮＡ７５００検体の電気泳動による分離を示す。
（実施例９）
ＳｉＯ２ゾルゲルで処理したＣＯＰ基板
基板：ＣＯＰ流路基板およびウェル基板（Ｚｅｏｎｏｒ １０６０Ｒ）
コーティング：
コーティング材料：ＳｉＯ２ゾルゲル
コーティング手段：スプレー
後処理：Ｏ２プラズマ
８５℃にて接着し、接着は成功した。得られたチップは、接着の間隙および流路の変形はなかった。
（実施例１０）
ＳｉＯ２ゾルゲルで処理したＰＭＭＡ基板
基板：ＰＭＭＡ流路基板およびウェル基板（ＰＭＭＡ Ｄｅｌｐｅｔ ７０ＮＨ）
コーティング：
コーティング材料：ＳｉＯ２ゾルゲル
コーティング手段：スプレー
後処理：Ｏ２プラズマ
８５℃にて接着し、接着は成功した。得られたチップは、接着の間隙および流路の変形はなかった。
（実施例１１）
アッセイ用途、例えばゲノム解析等に対する本発明に係る基板の適用
ガラス基板において発展してきた移動分析の化学は、疎水性である樹脂表面のぬれを確保するために、またはタンパク質または他の生体分子の疎水性の表面への接着を避けるために、しばしば界面活性剤を添加することを要求する。上記物質は、タンパク質または他の生体分子の変性を導きうるため、上記界面活性剤を添加することは、逆にアッセイの性能に影響を与える。界面活性剤または他の表面活性物質の存在により、大きなタンパク質分子は容易にそれらの機能性を失い得る。ガラス様の特性を持つ表面を提供することは、樹脂消耗品への上記分析の容易な移転を保証する。界面活性剤または疎水性である樹脂表面への曝露により、細胞または細胞片は最も容易に損傷または破壊されることも同様に言及しなくてはならない。上記の例のいずれも、タンパク質または生体分子、大きなタンパク質集合または細胞および細胞片は、自然環境の中とは非常に異なる振る舞いをする可能性がある非自然な環境にさらされていることを示している。緩衝液において適正なｐＨおよびイオン濃度を用いた本発明に係るガラス様コーティングは上記悪影響を最小化することができる。
本発明に係る基板は、ゲノム解析アッセイにおいて、同様に適用して使用することができる。伝統的には、上記ゲノム解析は、所定の直径および深さの５０００万ウェルを持つシリコンチップで行われ、それぞれのウェルはＤＮＡで修飾されたポリスチレンビーズで満たされる。結果として、上記構造が本発明に係る基板を用いて製造された場合、同じ要件が本発明に係る基板においても適用される。ウェルは、互いに所定の間隔で配置されなくてはならず（図２３）、基板は、所定の平滑性、親水性、低費用でなくてはならない。通常、一例において、基板の平滑性は１ｍｍにおいて１μｍであり、接触角は２０〜５０°の間である。
以下の処理が行われる。
Ａｒ／Ｏ２プラズマで処理したＣＯＰ
基板：ＴｉＯ２充填剤を用いた、または用いていないＣＯＰ（Ｚｅｏｎｏｒ １０６０Ｒ）
処理：Ａｒ／Ｏ２プラズマ
図２４は、本発明に係る処理を行ったアッセイ基板の異なった領域で、処理後の異なった日に繰り返し測定を行った接触角を示す。特に、Ａｒ／Ｏ２プラズマで処理したＴｉＯ２充填ＣＯＰ基板は、１１４日後においても６５°より小さい接触角を示す。未処理のＴｉＯ２充填ＣＯＰ基板は、１１０〜１２０°の接触角であった。
ＳｉＯ２で処理したＣＯＰ
基板：ＴｉＯ２充填剤を用いた、または用いていないＣＯＰ（Ｚｅｏｎｏｒ １０６０Ｒ）
コーティング：熱蒸着およびスパッタによる２０ｎｍ ＳｉＯ２
表面形状測定装置による測定結果を図２５に示し、測定結果により高さの差異がむしろ小さく、おおよそ３００ｎｍの範囲内であることを明らかになった。同時に、接触角は多様な場所で、相当な期間、例えば最大１１５日、少なくとも安定したままである。
図２６は、樹脂基板に形成されたウェル（ａ）、および２０ｎｍ ＳｉＯ２を蒸着後の同じ樹脂基板（ｂ）のＡＦＭ走査形状を示している。ウェルの形態および粗さはＳｉＯ２蒸着により影響されていない。
（実施例１２）
フローサイトメトリーに対する本発明に係る基板の適用
本発明に係る基板は、同様に、フローサイトメトリー用途に使用することができる。この点において、以下の要件を満たす必要がある。細胞接着があってはいけない、２０〜５０°の間の接触角である親水性を有していなければならない、圧力耐久性を有していなければならない。さらにチップに装填する間に空気泡が形成される可能性があってはならない。
Ａｒ／Ｏ２プラズマで処理された基板
基板：ＣＯＣ半流路基板（Ｔｏｐａｓ ８００７ Ｘ１０）
処理：Ａｒ／Ｏ２プラズマ
７５℃、定圧にて接着は成功した。
図２７は、本発明に係る該実施例に係る処理が行われた表面のＡＦＭ画像を示す。粗さは、Ａｒ／Ｏ２処理後に、０．８ＲＭＳ〜６ＲＭＳに増大し、同じ表面形態が得られる異なる高分子化合物材料にも同じ処理が適用できることを示している。
図２８は、（ａ）未処理、および（ｂ）Ａｒ／Ｏ２プラズマ処理のＣＯＣフローサイトメトリーチップ試料のＸＰＳのスペクトルを示し、処理が高分子化合物基板の化学組成を変化させていないことが確認できる。
ＴＥＯＳで処理した基板
基板：ＣＯＣ半流路基板（Ｔｏｐａｓ ８００７ Ｘ１０）
コーティング材料：ＴＥＯＳ
コーティング手段：ディップ
後処理：Ｏ２プラズマ
７６℃、定圧にて接着は成功した。
図２９は、本発明に係る処理の前後の基板表面を示し、図３０は、対応するＸＰＳ測定を示す。ＸＰＳから処理された試料の表面におけるＳｉＯ２の存在が確認されるが、一方、表面形態は変化していない（１μｍ２にて同じＲＭＳ）ことを理解することができる。
本発明に係る処理の長時間安定性は、同様に、図３０ａおよびｂから理解することができるように測定され、図３０ａおよびｂは、基本的にＣＯＣ基板（Ｔｏｐａｓ ８００７ Ｘ１０）の接触角が長期の期間において５０°より小さく保たれることを示し、さらに本発明に係る処理の長時間安定性は、本発明に係る方法が商業的目的で使用することができ、同様に多用途の応用にかなう基板を生産することを証明している。
（実施例１３）
本発明に係る基板は、同様に、それぞれのゼータ電位を測定した際のガラスに類似した振る舞いによって特徴づけることができる。図３２より理解できるように、本発明に係るガラス様基板は、ガラス表面と同じような形状および値であるゼータ電位曲線を有する。さらに具体的に言うと、ゼータ電位が負となる境のｐＨである等電点（ＩＥＰ：Ｉｓｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｐｏｉｎｔ）は、ガラス様表面のｐＨ３より小さく変化していることを理解することができる。
さらに、図３３から理解できるように、本発明に係る表面／基板は、ＳＤＳと接触した際にガラスと同じような振る舞いを有する。さらに具体的に言うと、ゼータ電位はＳＤＳの存在によってそれほど影響されないが、一方、本発明に係る処理がされていない基板において、ＳＤＳの影響はより大きい。すなわち、図３３は、エッチングガラス表面およびＳｉＯ２ゾルゲルで被覆した表面に対して、同様にＳＤＳの効果が異なる表面であるＰＭＭＡおよびＣＯＰ表面におけるｐＨの関数としてのゼータ電位の比較を示している。ＳＤＳは、むき出しのＰＭＭＡおよびＣＯＣ表面において、ゼータ電位に強く影響を与えるが、一方で、影響はＳｉＯ２ゾルゲルで被覆した基板においてより弱くなり、エッチングガラス表面において観察された振る舞いに類似している。
（実施例１４）
本発明に係る表面処理の一つの可能性は、フッ素樹脂の共重合体を基にしたスルホ化されたテトラフルオロエチレンであるナフィオンで高分子化合物基板を処理することである。これは、イオン交換膜を形成するアイオノマーである。液中で、高い特有のプロトン電気伝導性を有し、水流路の構造のためにプロトン伝導を可能とする。ナフィオンの構造および振る舞いの機構の詳細は、ナフィオンの化学構造および水中および水に対するナフィオンの振る舞いを説明した図解を示す図３４にて示すことができる。
図３５は、ナフィオンでコーティングした本発明に係る基板のゼータ電位を示す。ナフィオンでコーティングした基板は、ガラスよりもさらにマイナスの非常に負のゼータ電位を示す。
これにより、ガラス様表面を得られるナフィオンで処理した本発明に係る基板が作成される。
明細書、特許請求の範囲および／または図面において開示された本発明に係る特徴は、
単独およびいずれかの組み合わせの両者において、それらの多様な形態において発明を実現するための材料としてもよい。

Claims (30)

  1. ガラス様表面、特にエッチングガラス様表面を有する高分子化合物基板であって、前記ガラス様表面、特に前記エッチングガラス様表面は、ガラス表面、特にエッチングガラス表面を、
    化学物質含有量、化学組成、化学構造、均質性、粗さ、形態、特に多孔性、親水性、表面エネルギー、吸着親和性、表面機能性、化学的および物理的表面反応性、ゼータ電位および表面電荷の一つ又は複数において模倣する、高分子化合物基板。
  2. 前記表面は、粗さおよび親水性を増大させるためにプラズマ処理および／または反応性イオン処理によって改質されたか、および／または、前記表面はシリコン酸化物薄膜であるか、および／または、前記表面は増大した固有の粗さおよび／または固有の多孔性および／または増大した親水性を有する高分子化合物薄膜である、請求項１に記載の高分子化合物基板。
  3. 前記高分子化合物基板は、合成品または自然由来の高分子化合物であって、好ましくは、射出形成された高分子化合物、より好ましくは、ポリオレフィン、ポリエーテル、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、およびポリアクリル酸塩、ならびにそれらの修飾物、誘導体、派生物および共重合体を含む材料分類の一つであって、より具体的には、アクリロニトリルスチレンブタジエン（ＡＢＳ）、シクロオレフィンポリマーおよびシクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ／ＣＯＰ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）、熱可塑性エラストマー（ＴＰＥ）、熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリ乳酸（ＰＬＡ）、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）、およびそれらの誘導体を含むリストのうちの一つであり、前記高分子化合物は、任意に、例えばカーボンブラック等の無機材料、例えば特に金属酸化物であってＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｆｅ２Ｏ３等の酸化物、例えばいくつか例を挙げるとＺｎＳ、ＣｄＳ，ＣｄＳｅなどの半導体が充填される、請求項１または２に記載の高分子化合物基板。
  4. ガラス様表面、特にエッチングガラス様表面を有する高分子化合物基板の提供方法であって、
    ａ）高分子化合物基板、より好ましくは請求項３に記載された高分子化合物基板材料で作られた高分子化合物基板を提供すること、
    および以下の手段のうちの一つから成る、高分子化合物基板の提供方法。
    ｂ１）前記高分子化合物基板の表面にｘは１〜２の範囲であるＳｉＯｘをコーティングすること、
    ｂ２）前記高分子化合物基板の表面に、ｘは１〜２の範囲であるＳｉＯｘ前駆体をコーティングし、前記ＳｉＯｘ前駆体をＳｉＯｘに変換すること、
    ｂ３）ガラス様表面の形態、特にエッチングガラス様表面の形態を前記高分子化合物基板の表面に与えることであって、前記高分子化合物基板の表面に、未コーティングの前記高分子化合物基板の表面と比較して増大した粗さを持つ材料および／または増大した親水性を持つ材料をコーティングすること、前記コーティング材料は、好ましくは高分子化合物であり、前記表面に粗さおよび親水性を導入するために、プラズマ処理、および／または反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）および／または前記高分子化合物基板表面または前記コーティングされた高分子化合物基板への紫外線オゾン洗浄機による処理を行うことであって、より好ましくは、アルゴン、酸素、水、水素、フッ素化メタンガス、例えばＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２または前述のガスの混合物もしくは順次使用などを使用すること、
    ｂ４）ｂ１）、ｂ２）およびｂ３）の任意の順序の組み合わせ。
  5. ｂ１）、ｂ２）および／またはｂ３）は、例えば、
    熱蒸着（物理気相蒸着）
    電子線（Ｅガン）蒸着
    スパッタ法
    化学的蒸着（ＣＶＤ）
    表面上の膜成長、例えば、化学めっき法または電気化学析出
    スプレーコーティング
    ディップコーティング
    気相成長
    ロールツーロール蒸着
    スクリーンプリンティング
    ドクターブレード
    ウェットコーティング
    ダイナミックコーティング
    ＣＶＤ
    または、前述のいくつかの方法の組み合わせである物理蒸着法により行われる、請求項４に記載の方法。
  6. ｂ２）における変換手段は、
    アニーリング、好ましくは熱アニーリング、
    電磁波、例えば赤外線または紫外線の照射、好ましくは紫外線の照射
    水、塩基、酸、水および塩基の組み合わせ、または水および酸の組み合わせの溶液による処理
    のうちの一つにより行われる、請求項４または５に記載の方法。
  7. 前記ＳｉＯ２前駆体は、
    ｉ）アルコキシまたはアルキルクロロシラン、ＳｉＸ４、Ｓｉ３Ｏ２Ｘ６から構成されるトリシロキサンであって、Ｘは互いに独立して、ＯＲまたはハロゲンであり、Ｒはアルキル基であり、アルキル基は好ましくはＣ１〜Ｃ２０のアルキル基、より好ましくはエチル基またはメチル基であるもの、
    ｉｉ）ポリシラザンであって、例えば、ｎは３〜１００００から選択される−［Ｓｉ（Ｈ）２−Ｎ（Ｈ）−］ｎであるペルヒドロポリシラザン、またはＲはアルキル基であり、アルキル基は好ましくはＣ１〜Ｃ２０のアルキル基であり、ｎは３〜１００００から選択される−［Ｓｉ（Ｒ）２−Ｎ（Ｒ）−］であるポリオルガノシラザンｎ、
    ｉｉｉ）ＳｉＯｘ粒子を含むゾルゲルであって、前記粒子は、好ましくは約１ｎｍ〜１０μｍの直径を有し、より好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍであり、前記粒子は、溶媒の基質に懸濁され、好ましくは、溶媒はアルコール、より好ましくは、溶媒はエタノールであるもの、
    を含むグループから選択される、請求項４〜６のいずれか一項に記載の方法。
  8. ｂ１）〜ｂ３）のステップは、前記ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘ前駆体または高分子化合物と一緒に、追加材料が前記高分子化合物基板の前記表面にコーティングされ、前記追加材料は、Ｓｉ２Ｎ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｎａ２Ｏ、ＣａＯ、Ｋ２Ｏ、ＳＯ３、ＭｇＯ、Ｆｅ２Ｏ３、ＳｉＯｘ（ｘは２より小さい）である、請求項４〜７のいずれか一項に記載の方法。
  9. 増大した粗さおよび／または固有の多孔性を有する前記コーティング材料は、特に前記高分子化合物であって、ポリテトラフルオロエチレン（テフロン（登録商標））、例えば２，２−ビストリフルオロメチル‐４，５‐ジフルオロ１，３‐ジオキサレートフルオロエチレン共重合体（デュポン社のテフロンＡＦ２４００）、ナフィオン（登録商標）、ポリスルホン、ポリ（オキソ‐２，６‐ジメチル‐１，４‐フェニレン）、ならびに、ポリ［１‐（トリメチルシリル）‐１‐プロピン］（ＰＴＭＳＰ）、ポリ［１‐（トリメチルゲルミル）‐１‐プロピン］、ポリ（４−メチル―２−ペンチン）、ポリ［１‐フェニル‐２‐（ｐ‐トリメチルシリルフェニル）アセチレン］およびポリ［２，４，５‐トリス（トリフルオロメチル）‐フェニルアセチレン］のような置換されたアセチレンポリマーのグループから選択される、請求項４〜８のいずれか一項に記載の方法。
  10. ｃ）後処理を前記基板に行うステップをさらに含み、
    前記ｃ）は、
    乾燥
    水洗
    焼き戻し
    焼結
    溶媒処理
    プラズマ処理
    反応性イオンエッチング
    紫外線オゾン洗浄機による処理
    および上記の組み合わせのうちの一つまたは複数である、請求項４〜９のいずれか一項に記載の方法。
  11. 前記方法は、少なくとも請求項３に記載された材料で形成された第１の高分子化合物基板に行われ、前記第１の高分子化合物基板は、少なくとも第１のガラス様表面、特に第１のエッチングガラス様表面を持って提供され、前記方法は、接着するステップをさらに含み、
    前記接着するステップは、第２の基板と接触した前記第１のガラス様表面、特に第１のエッチングガラス様表面とし、好ましくは０．２Ｎ／ｍｍ２〜５Ｎ／ｍｍ２の範囲、より好ましくは０．５Ｎ／ｍｍ２〜１Ｎ／ｍｍ２の範囲の圧力で、１０秒〜６００秒の範囲、より好ましくは３０秒〜１２０秒の範囲の時間で、前記第１および第２の基板を一緒に圧迫し、前記第１および第２の基板を４０℃〜１２０℃の範囲、より好ましくは６０℃〜１２０℃の温度に曝露することにより、および／または、それらの互いの接着を増すために圧迫する前に前記第１および第２の基板を溶媒の蒸気に直接曝露することにより、前記第１の基板と第２の基板とを接着する、請求項４〜１０のいずれか一項に記載の方法。
  12. 前記第１の高分子化合物基板は、固体基板であって、前記第２の基板は、固体基板であるか、または柔軟な箔である、請求項１１に記載の方法。
  13. 前記第２の基板は、請求項３に記載された材料で形成された高分子化合物基板、またはガラス、石英、シリコン窒化物、シリコン酸化物から選択された材料で形成された基板であって、前記第２の基板が柔軟な箔である場合は、前記第２の基板は、ポリオレフィン、ポリエーテル、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、およびポリアクリル酸塩およびそれらの修飾物、誘導体、派生物および共重合体を含む材料で形成され、より具体的には、アクリロニトリルスチレンブタジエン（ＡＢＳ）、シクロオレフィンポリマーおよびシクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ／ＣＯＰ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）、熱可塑性エラストマー（ＴＰＥ）、熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリ乳酸（ＰＬＡ）、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）、およびそれらの誘導体を含むリストのうちの一つで形成され、前記高分子化合物は、任意に、例えばカーボンブラック等の無機材料、例えば特に金属酸化物であってＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｆｅ２Ｏ３等の酸化物、例えばＺｎＳ、ＣｄＳ，ＣｄＳｅ等の半導体が充填される、請求項１１または１２に記載の方法。
  14. 前記第１の基板および前記第２の基板の一つまたは両方は、流路、溝、くぼみ、またはホールを基板上に有し、好ましくは、前述の流路等は第１および第２のガラス様表面間の接触面に導管を形成し、より好ましくは、前記導管は、前記第１または第２の基板の一端から他端に延びて、または基板の一方にある一ホールから前記基板の一方にある他ホールに延びており、前記導管を通って液体の流れが形成される、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
  15. 請求項４〜１０のいずれか一項に記載された方法が、前記第１の高分子化合物基板、および少なくとも請求項３に記載された材料で形成された第２の高分子化合物基板で行われ、任意に、第３および／またはさらなる請求項３に記載された材料で形成された高分子化合物基板にて行われ、前記第１および第２の高分子化合物基板、および存在するならば、前記第３およびさらなる高分子化合物基板は、請求項１１に記載された接着方法によって連続して互いに接着される、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
  16. 前記呼分子化合物基板の一つ、二つ、またはそれ以上は、流路、溝、くぼみ、またはホールを前記基板上に有し、好ましくは、前述の流路等は前記基板の接触面に導管を形成し、より好ましくは、前記導管は、前記基板の一端から他端に延びて、または基板の一方にある一ホールから前記基板の一方にある他ホールに延びており、したがって、前記導管を通って液体の流れが形成される、請求項１５に記載された方法。
  17. チップ、好ましくは、マイクロ流体チップの製造方法であって、
    ａ）請求項３に記載された材料で形成された、少なくとも第１の高分子化合物基板、および第２の基板を提供し、前記第２の基板は、請求項１３に記載された材料で形成された請求項１２に記載された基板であって、前記第１および第２の基板の少なくとも一つは、流路、溝、くぼみ、またはホールを前記基板上に有すること、
    ｂ１）請求項４〜１０のいずれか一項に記載の方法を少なくとも前記第１の基板、好ましくは前記第１および第２の基板で行い、連続して、請求項１１に記載された接着方法を行うこと、
    ｂ２）前記第１および前記第２の基板を互いに接触させて用意し、請求項１１に記載された接着方法によって、前記第１および第２基板の組立品を形成するために互いを接着し、連続して、請求項４〜１０のいずれか一項に記載されたガラス様表面をもつ高分子化合物基板の提供方法を前記組立品、特に前記組立品中に形成された導管に行うこと、
    前記方法は、ａ）と、ｂ１）またはｂ２）のいずれかとを含む、チップの製造方法。
  18. ａ）のステップは、請求項１２または１３に記載された基板を複数枚、提供することを含み、また、ｂ１）またはｂ２）のステップは、前記複数枚の基板に行われ、チップは、お互いに積み重ねた複数枚の基板からなる、請求項１７に記載の方法。
  19. 請求項４〜１０のいずれか一項に記載された方法で製造された高分子化合物基板。
  20. 二つの基板からなるチップであって、少なくとも一つ、好ましくは少なくとも二つが請求項１〜３および１９のいずれか一項に記載された基板であって、前記チップは、前記チップを通る少なくとも一つの導管を有し、前記導管は好ましくは最小寸法が５００μｍ以下の範囲、より好ましくは２００μｍ以下である、チップ。
  21. 請求項１〜３および１９のいずれか一項に記載された一つの基板で形成されるか、または
    ａ）請求項１〜３および１９のいずれか一項に記載されたもう一つの高分子化合物基板、
    またはｂ）請求項１２または１３に記載された柔軟な箔であるもう一つの基板、
    またはｃ）ガラス、石英、シリコン窒化物およびシリコン酸化物から選択された材料で形成されたもう一つの基板、
    またはｄ）複数枚の基板であって、前記複数枚の基板は、ａ）、ｂ）、またはｃ）で定義された種類の複数枚の基板、またはａ）〜ｃ）で定義された種類の基板の組み合わせである複数枚の基板、
    で形成された、請求項２０に記載のチップ。
  22. 前記少なくとも一つの導管は、検体の分析、および／または検出、および／または分離、および／または輸送に適した基質で満たされ、検体は、好ましくは生体細胞、または生体高分子、および／またはそれら個別のモノ／オリゴマーであり、例えば核酸、ヌクレオチド、タンパク質、ペプチド、アミノ酸、炭水化物、多糖、オリゴ糖、単糖、脂質、脂肪、および脂肪酸である、請求項２０または２１に記載のチップ。
  23. 前記基質は、気相、液体、液体またはゲル中の固体粒子の分散状態であり、前記ゲルは好ましくはポリアクリルアミドゲル、またはアガロースゲル、でんぷんゲル、またはスクロースゲルである、請求項２２に記載のチップ。
  24. 請求項１７または１８に記載された方法で製造されたチップであって、特に請求項２０〜２３のいずれか一項に記載のチップ。
  25. 請求項１７または１８に記載された方法によりチップを製造するキットであって、前記チップは、請求項２０〜２４のいずれか一項に記載されたチップであり、前記キットは少なくとも第１の基板および第２の基板からなり、前記第１および第２の基板の少なくとも一方は、流路、くぼみ、溝、ホールを基板上に有し、前記キットは、さらに前記基板上で請求項４〜１０のいずれか一項に記載の方法を行う一つまたは複数の試薬を含む、キット。
  26. 前記第１および第２の基板は、合成された、または自然由来の高分子化合物から選択された材料で形成され、好ましくは、射出形成された高分子化合物であり、より好ましくは、ポリオレフィン、ポリエーテル、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、およびポリアクリル酸塩、ならびにそれらの修飾物、誘導体、派生物および共重合体を含む材料分類の一つであって、より具体的には、アクリロニトリルスチレンブタジエン（ＡＢＳ）、シクロオレフィンポリマーおよびシクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ／ＣＯＰ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）、熱可塑性エラストマー（ＴＰＥ）、熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリ乳酸（ＰＬＡ）、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）、およびそれらの誘導体を含むリストのうちの一つであり、前記高分子化合物は、任意に、例えばカーボンブラック等の無機材料、例えばＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｆｅ２Ｏ３等の酸化物であって特に金属酸化物、例えばＺｎＳ、ＣｄＳ，ＣｄＳｅなどの半導体が充填される、請求項２５に記載のキット。
  27. 検体の分析、および／または検出、および／または分離、および／または輸送のためのキットであって、検体は、好ましくは、生体高分子およびそれら個別のモノ／オリゴマーであり、前記キットは、請求項２０〜２４に記載されたチップを含み、および任意で、検体の分析、および／または検出、および／または分離、および／または輸送に必要な、例えばバッファーなどの一つまたは複数の試薬を含む、キット。
  28. 請求項２０〜２４のいずれか一項に記載されたチップの用途であって、検体の分析、検出、分離、および／または輸送を行う方法、好ましくは、生体細胞、または生体高分子、および／またはそれら個別のモノ／オリゴマーに対する方法であり、特に、電気泳動法、シークエンス法、検体または検体の活性の定性的または定量的検出のためのアッセイ方法、またはフローサイトメトリー法のための用途、または請求項１〜３および１９のいずれか一項に記載された高分子化合物基板の用途。
  29. 検体、好ましくは生体高分子および／またはそれら個別のモノ／オリゴマーの分析、検出、分離および／または輸送を行う方法であって、前記方法は、
    請求項２２または２３に記載されたチップ、または請求項１〜３および１９のいずれか一項に記載された高分子化合物基板と、および分析、分離、輸送される検体を含む試料とを任意の順序で用意することであって、前記高分子化合物基板は、請求項２２に記載された基質を含み、
    前記試料を前記基質に添加すること、
    前記基質に、前記基質を通した泳動、拡散、および検体の流動を起こすために十分な電圧をかけること、
    検体に照射、除去、脱着、イオン化すること、さらに任意に
    検体を分析すること
    を含む、方法。
  30. チップ、特にマイクロ流体チップ、または検体の分析および／または分離および／または輸送のための樹脂基板を製造するための、請求項１〜３および１９に記載された基板の用途。

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150089125A (ko) * 2014-01-27 2015-08-05 에스케이이노베이션 주식회사 폴리이미드 복합체 필름 구조 및 제조 공정
JP2019077194A (ja) * 2014-11-10 2019-05-23 住友化学株式会社 樹脂フィルム、積層フィルム、光学部材、表示部材、前面板、及び積層フィルムの製造方法

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0421529D0 (en) 2004-09-28 2004-10-27 Landegren Gene Technology Ab Microfluidic structure
US7888127B2 (en) 2008-01-15 2011-02-15 Sequenom, Inc. Methods for reducing adduct formation for mass spectrometry analysis
CA3085086C (en) 2011-12-06 2023-08-08 Delta Faucet Company Ozone distribution in a faucet
CN104031283A (zh) * 2013-03-08 2014-09-10 国家纳米科学中心 一种聚合物薄膜的制备方法及其制备的聚合物薄膜的应用
US9305756B2 (en) 2013-03-13 2016-04-05 Agena Bioscience, Inc. Preparation enhancements and methods of use for MALDI mass spectrometry
US10800895B2 (en) 2013-04-16 2020-10-13 STRATEC CONSUMABLES GmbH Polymer slides having hydrophobic small molecules
CN103214687A (zh) * 2013-05-15 2013-07-24 上海冠旗电子新材料股份有限公司 高强度耐磨高透光聚碳酸酯薄膜
CN103263950A (zh) * 2013-05-27 2013-08-28 苏州扬清芯片科技有限公司 一种玻璃基杂合微流控芯片的制作方法
JP6228668B2 (ja) * 2013-12-16 2017-11-08 サビック グローバル テクノロジーズ ビー．ブイ． プラズマ処理された高分子膜
WO2015095044A1 (en) 2013-12-16 2015-06-25 Sabic Global Technologies B.V. Treated mixed matrix polymeric membranes
KR20160066045A (ko) 2013-12-16 2016-06-09 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이. 자외선 및 열 처리된 중합 멤브레인들
WO2015095038A1 (en) * 2013-12-16 2015-06-25 Sabic Global Technologies B.V. Ultraviolet and plasma-treated polymeric membranes
CN103709429B (zh) * 2013-12-18 2016-02-10 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种对聚合物表面进行疏水改性的方法
EP3353538B1 (en) * 2015-09-22 2024-04-10 Bio-Rad Laboratories, Inc. Electrophoresis receptacle and method
EP3377565B1 (en) * 2015-11-16 2020-12-23 SiO2 Medical Products, Inc. Polymeric substrate with a surface having reduced biomolecule adhesion, and thermoplastic articles of such substrate
CA3007437C (en) 2015-12-21 2021-09-28 Delta Faucet Company Fluid delivery system including a disinfectant device
EP3582892A4 (en) 2017-04-21 2020-03-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. COPLANAR MICROFLUIDIC HANDLING
US11278892B2 (en) 2017-04-21 2022-03-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Chip to chip fluidic interconnect
WO2018194665A1 (en) 2017-04-21 2018-10-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Microfluidic chip
WO2018194651A1 (en) * 2017-04-21 2018-10-25 Hewlett-Packard Development Company, Coplanar fluidic interconnect
EP3403724A1 (en) * 2017-05-18 2018-11-21 Hifibio Process for manufacturing an array with microchannels
WO2019089034A1 (en) * 2017-11-02 2019-05-09 The Methodist Hospital Crispr-cas9 delivery to hard-to-transfect cells via membrane deformation
RU2664925C1 (ru) * 2017-12-26 2018-08-23 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" Способ функционализации поверхности изделий из полилактида
CN109264979A (zh) * 2018-11-28 2019-01-25 湖南兴龙环境艺术工程有限公司 一种有银色涂层的玻璃制备方法
CN109821485B (zh) * 2019-04-11 2021-12-10 湖北科技学院 用于动力锂电池热调控的相变储热胶囊的制备方法
CN113564527B (zh) * 2021-08-10 2022-06-07 中国科学院兰州化学物理研究所 一种抗辐照无氢碳膜聚合物润滑材料及其制备方法和应用
CN113652675B (zh) * 2021-08-20 2022-09-09 电子科技大学 等离子改性聚酰亚胺薄膜原位催化化学镀的方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000039420A (ja) * 1998-07-21 2000-02-08 Asahi Chem Ind Co Ltd 樹脂製マイクロチップ
JP2003177098A (ja) * 2001-12-13 2003-06-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd マイクロチップ用プラスチック基板
JP2003183425A (ja) * 2001-12-17 2003-07-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd マイクロチップ用プラスチック基板及びその製造方法
JP2003526092A (ja) * 2000-03-05 2003-09-02 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 小型化アレイで使用するためのケイ素含有層を含む材料および製造方法
JP2003286358A (ja) * 2002-03-28 2003-10-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd マイクロチップ用基板及びその製造方法
JP2006234600A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd プラスチック製マイクロチップおよびその製造方法
WO2008007787A1 (fr) * 2006-07-13 2008-01-17 Kyoto University Procédé de liaison de résines par irradiation lumineuse et procédé de fabrication d'articles en résine
JP2008224327A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Fujifilm Corp バイオチップ

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2738044C2 (de) 1976-09-27 1984-11-29 AO Inc., Southbridge, Mass. Linse aus einem synthetischen Polymerisat
JPH068503B2 (ja) 1987-03-31 1994-02-02 セントラル硝子株式会社 含フツ素樹脂被膜の形成方法
US5084356A (en) * 1990-04-20 1992-01-28 E. I. Du Pont De Nemours And Company Film coated with glass barrier layer with metal dopant
CA2053985A1 (en) * 1990-10-25 1992-04-26 Sumio Hoshino Process for producing thin glass film by sol-gel method
US5510147A (en) 1995-03-03 1996-04-23 International Paper Company Sol gel barrier films
US5683757A (en) * 1995-08-25 1997-11-04 Iskanderova; Zelina A. Surface modification of polymers and carbon-based materials by ion implantation and oxidative conversion
US6210790B1 (en) * 1998-07-15 2001-04-03 Rensselaer Polytechnic Institute Glass-like composites comprising a surface-modified colloidal silica and method of making thereof
US7202076B2 (en) * 2000-10-30 2007-04-10 Sru Biosystems, Inc. Label-free high-throughput optical technique for detecting biomolecular interactions
US20060029955A1 (en) 2001-03-24 2006-02-09 Antonio Guia High-density ion transport measurement biochip devices and methods
US7157031B2 (en) 2002-08-26 2007-01-02 Seagate Technology Llc Method of replicating a textured surface
WO2004067444A1 (en) * 2003-01-30 2004-08-12 Gyros Ab Inner walls of microfluidic devices
US20050271893A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Applied Microstructures, Inc. Controlled vapor deposition of multilayered coatings adhered by an oxide layer
US7296592B2 (en) * 2003-09-16 2007-11-20 Eksigent Technologies, Llc Composite polymer microfluidic control device
CN100554354C (zh) 2003-12-22 2009-10-28 陶氏康宁公司 硅氧烷组合物及其在控制印刷或模塑图案释放或转印中的用途及其转印方法
US7419639B2 (en) 2004-05-12 2008-09-02 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Multilayer microfluidic device
JP4353073B2 (ja) 2004-11-02 2009-10-28 住友ベークライト株式会社 バイオチップおよびその製造方法
DE102005008434A1 (de) * 2005-02-24 2006-09-07 Forschungszentrum Jülich GmbH Verfahren zur Modifizierung eines Substrats
US20070015179A1 (en) * 2005-04-26 2007-01-18 Trustees Of Boston University Plastic microfluidic chip and methods for isolation of nucleic acids from biological samples
EP2096445B1 (en) * 2006-12-01 2014-06-25 Konica Minolta Opto, Inc. Microchip substrate bonding method and microchip
US20100111770A1 (en) * 2007-06-07 2010-05-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Microfluidic Chip and Method of Fabricating The Same
JP5689792B2 (ja) * 2008-05-29 2015-03-25 コーロン インダストリーズ インク 保護フィルム
CN101650370B (zh) * 2008-08-13 2013-05-01 中国科学院电子学研究所 一种集成微流控传感芯片及其对微流体进行检测方法
US9134221B2 (en) * 2009-03-10 2015-09-15 The Regents Of The University Of California Fluidic flow cytometry devices and particle sensing based on signal-encoding
WO2010122158A1 (en) * 2009-04-23 2010-10-28 Dublin City University A lateral flow assay device for coagulation monitoring and method thereof
GB2471271A (en) * 2009-06-19 2010-12-29 Univ Dublin City Method of coating the channels of a microfluidic device
US8857629B2 (en) * 2010-07-15 2014-10-14 International Business Machines Corporation Composite membrane with multi-layered active layer

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000039420A (ja) * 1998-07-21 2000-02-08 Asahi Chem Ind Co Ltd 樹脂製マイクロチップ
JP2003526092A (ja) * 2000-03-05 2003-09-02 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 小型化アレイで使用するためのケイ素含有層を含む材料および製造方法
JP2003177098A (ja) * 2001-12-13 2003-06-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd マイクロチップ用プラスチック基板
JP2003183425A (ja) * 2001-12-17 2003-07-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd マイクロチップ用プラスチック基板及びその製造方法
JP2003286358A (ja) * 2002-03-28 2003-10-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd マイクロチップ用基板及びその製造方法
JP2006234600A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd プラスチック製マイクロチップおよびその製造方法
WO2008007787A1 (fr) * 2006-07-13 2008-01-17 Kyoto University Procédé de liaison de résines par irradiation lumineuse et procédé de fabrication d'articles en résine
JP2008224327A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Fujifilm Corp バイオチップ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ARPITA BHATTACHARYYA: "MECHANICAL AND CHEMICAL ANALYSIS OF PLASMA AND ULTRAVIOLET-OZONE SURFACE TREATMENTS 以下備考", LAB CHIP, vol. V7, JPN6015017080, 27 April 2007 (2007-04-27), pages 876 - 882, ISSN: 0003063263 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150089125A (ko) * 2014-01-27 2015-08-05 에스케이이노베이션 주식회사 폴리이미드 복합체 필름 구조 및 제조 공정
KR102151077B1 (ko) 2014-01-27 2020-09-02 에스케이이노베이션 주식회사 폴리이미드 복합체 필름 구조 및 제조 공정
JP2019077194A (ja) * 2014-11-10 2019-05-23 住友化学株式会社 樹脂フィルム、積層フィルム、光学部材、表示部材、前面板、及び積層フィルムの製造方法

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