JP2013533645A5 - - Google Patents
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開示されるヘテロ接合型太陽電池の様々な態様が示され説明されたが、本明細書を読めば、当業者は多数の変更例を思いつくかもしれない。本発明は、そのような改良も含んでおり、請求の範囲によってのみ限定される。
また、本願は以下に記載する態様を含む。
(態様1)
第一のバンドギャップを有するベース半導体層(30)、
第二のバンドギャップを有するエミッタ半導体層(34)、及び
前記ベース半導体層(30)と前記エミッタ半導体層(34)との間に位置づけられ、第三のバンドギャップを有する空乏半導体層(32)
を含み、前記第三のバンドギャップが前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも大きい、太陽電池。
(態様2)
前記第一のバンドギャップは前記第二のバンドギャップと実質的に同じである、態様1に記載の太陽電池。
(態様3)
前記第一のバンドギャップは前記第二のバンドギャップよりも大きい、態様1に記載の太陽電池。
(態様4)
前記第三のバンドギャップは、前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも少なくとも1パーセント大きい、態様1に記載の太陽電池。
(態様5)
前記第三のバンドギャップは、前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも少なくとも1.5パーセント大きい、態様1に記載の太陽電池。
(態様6)
前記ベース半導体層はp型半導体材料を含み、且つ前記エミッタ半導体層はn型半導体材料を含む、態様1に記載の太陽電池。
(態様7)
前記空乏半導体層はp型半導体材料を含む、
態様6に記載の太陽電池。
(態様8)
前記空乏半導体層と前記エミッタ半導体層との間に位置づけられた第二の空乏半導体層をさらに含む、態様7に記載の太陽電池。
(態様9)
前記第二の空乏半導体層はn型半導体材料を含む、態様8に記載の太陽電池。
(態様10)
前記ベース半導体層及び前記エミッタ半導体層は、第一の断面厚さ(33)を有する空乏領域を定め、且つ
前記空乏半導体層は、前記第一の断面厚さと実質的に等しい第二の断面厚さ(34)を有する、
態様1に記載の太陽電池。
(態様11)
前記空乏半導体層は、前記空乏領域(40)を完全に覆い隠す、態様1に記載の太陽電池。
(態様12)
前記空乏半導体層は約0.1ミクロンから約1ミクロンまでの断面厚さを有する、態様1に記載の太陽電池。
(態様13)
前記ベース半導体層は第一の半導体組成を有し、且つ前記エミッタ半導体層は第二の半導体組成を有し、且つ
前記第一の半導体組成は前記第二の半導体組成と実質的に同じである、
態様1に記載の太陽電池。
(態様14)
前記ベース半導体層は第一の半導体組成を有し、前記エミッタ半導体層は第二の半導体組成を有し、且つ前記空乏半導体層は第三の半導体組成を有し、且つ
前記第三の半導体組成は、前記第一及び前記第二の半導体組成とは異なる、
態様1に記載の太陽電池。
(態様15)
前記ベース半導体層、前記空乏半導体層及び前記エミッタ半導体層の各々は、3−5族合金を含む、態様1に記載の太陽電池。
(態様16)
前記空乏半導体層はアルミニウムを含み、且つ
前記ベース半導体層及び前記エミッタ半導体層の少なくとも一方は、実質的にアルミニウムを含まない、態様1に記載の太陽電池。
(態様17)
複数のサブセルを含み、
前記複数のサブセルの少なくとも一つは、
第一のバンドギャップを有するベース半導体層(30)、
第二のバンドギャップを有するエミッタ半導体層(34)、及び
前記ベース半導体層と前記エミッタ半導体層との間に位置づけられ、第三のバンドギャップを有する空乏半導体層(32)を
含み、
前記第三のバンドギャップは、前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも大きい、太陽電池。
(態様18)
第一のバンドギャップを有するベース半導体層(30)、及び
第二のバンドギャップを有するエミッタ半導体層(34)
を含み、
前記ベース半導体層及び前記エミッタ半導体層はpn接合を定め、且つ
前記第二のバンドギャップは前記第一のバンドギャップよりも大きい、太陽電池。
また、本願は以下に記載する態様を含む。
(態様1)
第一のバンドギャップを有するベース半導体層(30)、
第二のバンドギャップを有するエミッタ半導体層(34)、及び
前記ベース半導体層(30)と前記エミッタ半導体層(34)との間に位置づけられ、第三のバンドギャップを有する空乏半導体層(32)
を含み、前記第三のバンドギャップが前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも大きい、太陽電池。
(態様2)
前記第一のバンドギャップは前記第二のバンドギャップと実質的に同じである、態様1に記載の太陽電池。
(態様3)
前記第一のバンドギャップは前記第二のバンドギャップよりも大きい、態様1に記載の太陽電池。
(態様4)
前記第三のバンドギャップは、前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも少なくとも1パーセント大きい、態様1に記載の太陽電池。
(態様5)
前記第三のバンドギャップは、前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも少なくとも1.5パーセント大きい、態様1に記載の太陽電池。
(態様6)
前記ベース半導体層はp型半導体材料を含み、且つ前記エミッタ半導体層はn型半導体材料を含む、態様1に記載の太陽電池。
(態様7)
前記空乏半導体層はp型半導体材料を含む、
態様6に記載の太陽電池。
(態様8)
前記空乏半導体層と前記エミッタ半導体層との間に位置づけられた第二の空乏半導体層をさらに含む、態様7に記載の太陽電池。
(態様9)
前記第二の空乏半導体層はn型半導体材料を含む、態様8に記載の太陽電池。
(態様10)
前記ベース半導体層及び前記エミッタ半導体層は、第一の断面厚さ(33)を有する空乏領域を定め、且つ
前記空乏半導体層は、前記第一の断面厚さと実質的に等しい第二の断面厚さ(34)を有する、
態様1に記載の太陽電池。
(態様11)
前記空乏半導体層は、前記空乏領域(40)を完全に覆い隠す、態様1に記載の太陽電池。
(態様12)
前記空乏半導体層は約0.1ミクロンから約1ミクロンまでの断面厚さを有する、態様1に記載の太陽電池。
(態様13)
前記ベース半導体層は第一の半導体組成を有し、且つ前記エミッタ半導体層は第二の半導体組成を有し、且つ
前記第一の半導体組成は前記第二の半導体組成と実質的に同じである、
態様1に記載の太陽電池。
(態様14)
前記ベース半導体層は第一の半導体組成を有し、前記エミッタ半導体層は第二の半導体組成を有し、且つ前記空乏半導体層は第三の半導体組成を有し、且つ
前記第三の半導体組成は、前記第一及び前記第二の半導体組成とは異なる、
態様1に記載の太陽電池。
(態様15)
前記ベース半導体層、前記空乏半導体層及び前記エミッタ半導体層の各々は、3−5族合金を含む、態様1に記載の太陽電池。
(態様16)
前記空乏半導体層はアルミニウムを含み、且つ
前記ベース半導体層及び前記エミッタ半導体層の少なくとも一方は、実質的にアルミニウムを含まない、態様1に記載の太陽電池。
(態様17)
複数のサブセルを含み、
前記複数のサブセルの少なくとも一つは、
第一のバンドギャップを有するベース半導体層(30)、
第二のバンドギャップを有するエミッタ半導体層(34)、及び
前記ベース半導体層と前記エミッタ半導体層との間に位置づけられ、第三のバンドギャップを有する空乏半導体層(32)を
含み、
前記第三のバンドギャップは、前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも大きい、太陽電池。
(態様18)
第一のバンドギャップを有するベース半導体層(30)、及び
第二のバンドギャップを有するエミッタ半導体層(34)
を含み、
前記ベース半導体層及び前記エミッタ半導体層はpn接合を定め、且つ
前記第二のバンドギャップは前記第一のバンドギャップよりも大きい、太陽電池。
Claims (16)
- 第一のバンドギャップを有するベース半導体層(30)、
第二のバンドギャップを有するエミッタ半導体層(34)、及び
前記ベース半導体層(30)と前記エミッタ半導体層(34)との間に位置づけられ、第三のバンドギャップを有する空乏半導体層(32)
を含み、前記第三のバンドギャップが前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも大きい、太陽電池。 - 前記第一のバンドギャップは前記第二のバンドギャップと実質的に同じである、請求項1に記載の太陽電池。
- 前記第一のバンドギャップは前記第二のバンドギャップよりも大きい、請求項1に記載の太陽電池。
- 前記第三のバンドギャップは、前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも少なくとも1パーセント大きい、請求項1に記載の太陽電池。
- 前記第三のバンドギャップは、前記第一のバンドギャップ及び前記第二のバンドギャップよりも少なくとも1.5パーセント大きい、請求項1に記載の太陽電池。
- 前記ベース半導体層(30)はp型半導体材料を含み、且つ前記エミッタ半導体層(34)はn型半導体材料を含む、請求項1に記載の太陽電池。
- 前記空乏半導体層(32)はp型半導体材料を含む、
請求項6に記載の太陽電池。 - 前記空乏半導体層(32)と前記エミッタ半導体層(34)との間に位置づけられた第二の空乏半導体層(33)をさらに含む、請求項7に記載の太陽電池。
- 前記第二の空乏半導体層(33)はn型半導体材料を含む、請求項8に記載の太陽電池。
- 前記ベース半導体層(30)及び前記エミッタ半導体層(34)は、第一の断面厚さ(33)を有する空乏領域(40)を定め、且つ
前記空乏半導体層(32)は、前記第一の断面厚さと実質的に等しい第二の断面厚さを有する、
請求項1に記載の太陽電池。 - 前記空乏半導体層(32)は、前記空乏領域(40)を完全に覆い隠す、請求項1に記載の太陽電池。
- 前記空乏半導体層は約0.1ミクロンから約1ミクロンまでの断面厚さ(T D )を有する、請求項1に記載の太陽電池。
- 前記ベース半導体層(30)は第一の半導体組成を有し、且つ前記エミッタ半導体層(34)は第二の半導体組成を有し、且つ
前記第一の半導体組成は前記第二の半導体組成と実質的に同じである、
請求項1に記載の太陽電池。 - 前記ベース半導体層(30)は第一の半導体組成を有し、前記エミッタ半導体層(34)は第二の半導体組成を有し、且つ前記空乏半導体層(32)は第三の半導体組成を有し、且つ
前記第三の半導体組成は、前記第一及び前記第二の半導体組成とは異なる、
請求項1に記載の太陽電池。 - 前記ベース半導体層、前記空乏半導体層及び前記エミッタ半導体層(30、32、34)の各々は、3−5族合金を含む、請求項1に記載の太陽電池。
- 前記空乏半導体層(32)はアルミニウムを含み、且つ
前記ベース半導体層(30)及び前記エミッタ半導体層(34)の少なくとも一方は、実質的にアルミニウムを含まない、請求項1に記載の太陽電池。
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US20110114163A1 (en) * | 2009-11-18 | 2011-05-19 | Solar Junction Corporation | Multijunction solar cells formed on n-doped substrates |
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US8962991B2 (en) | 2011-02-25 | 2015-02-24 | Solar Junction Corporation | Pseudomorphic window layer for multijunction solar cells |
WO2013074530A2 (en) | 2011-11-15 | 2013-05-23 | Solar Junction Corporation | High efficiency multijunction solar cells |
US11038080B2 (en) | 2012-01-19 | 2021-06-15 | Utica Leaseco, Llc | Thin-film semiconductor optoelectronic device with textured front and/or back surface prepared from etching |
CN102623524A (zh) * | 2012-04-06 | 2012-08-01 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种半导体太阳能电池及其制作方法 |
US9153724B2 (en) * | 2012-04-09 | 2015-10-06 | Solar Junction Corporation | Reverse heterojunctions for solar cells |
US8767867B1 (en) | 2012-05-16 | 2014-07-01 | Cypress Semiconductor Corporation | Integrated control of power supply and power line communications |
US9530911B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-12-27 | The Boeing Company | Solar cell structures for improved current generation and collection |
US9590131B2 (en) * | 2013-03-27 | 2017-03-07 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Systems and methods for advanced ultra-high-performance InP solar cells |
EP3103142B1 (en) | 2014-02-05 | 2020-08-19 | Array Photonics, Inc. | Monolithic multijunction power converter |
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RU2611569C1 (ru) * | 2015-12-09 | 2017-02-28 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Метаморфный фотопреобразователь |
DE102016208113B4 (de) * | 2016-05-11 | 2022-07-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mehrfachsolarzelle und deren Verwendung |
KR101931712B1 (ko) * | 2016-12-28 | 2018-12-24 | 엘지전자 주식회사 | 화합물 반도체 태양전지 |
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WO2019067553A1 (en) | 2017-09-27 | 2019-04-04 | Solar Junction Corporation | SHORT-LENGTH WAVELENGTH INFRARED OPTOELECTRONIC DEVICES HAVING DILUTED NITRIDE LAYER |
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Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5513939A (en) * | 1978-07-17 | 1980-01-31 | Shunpei Yamazaki | Photoelectronic conversion semiconductor device |
JPS6235681A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Canon Inc | 光電変換素子 |
GB8524070D0 (en) * | 1985-09-30 | 1985-11-06 | Gen Electric Co Plc | Semiconductor devices |
JPH0936399A (ja) * | 1995-07-25 | 1997-02-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 太陽電池 |
US6300557B1 (en) | 1998-10-09 | 2001-10-09 | Midwest Research Institute | Low-bandgap double-heterostructure InAsP/GaInAs photovoltaic converters |
JP2000332268A (ja) * | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 薄膜多結晶シリコン、それを用いた太陽電池及び薄膜多結晶シリコンの製造方法 |
JP2004296658A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Sharp Corp | 多接合太陽電池およびその電流整合方法 |
JP2004319934A (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-11 | Sharp Corp | 多接合型太陽電池およびその製造方法 |
US10069026B2 (en) | 2005-12-19 | 2018-09-04 | The Boeing Company | Reduced band gap absorber for solar cells |
US20090078310A1 (en) | 2007-09-24 | 2009-03-26 | Emcore Corporation | Heterojunction Subcells In Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells |
US20100006143A1 (en) * | 2007-04-26 | 2010-01-14 | Welser Roger E | Solar Cell Devices |
US8866005B2 (en) * | 2008-10-17 | 2014-10-21 | Kopin Corporation | InGaP heterojunction barrier solar cells |
US20100147366A1 (en) | 2008-12-17 | 2010-06-17 | Emcore Solar Power, Inc. | Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells with Distributed Bragg Reflector |
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