JP2013533509A - Geを含まないグレーデッドインデックス・コアを備えた大実効面積ファイバー - Google Patents

Geを含まないグレーデッドインデックス・コアを備えた大実効面積ファイバー Download PDF

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Abstract

一部の実施の形態によれば、(i)波長1550nmにおいて100μm2〜150μm2の実効面積を有し、Geを含まないコアであって、(a)中心線から外方に半径rまで放射状に延在して成り、純シリカを基準に算出した%表示の相対屈折率パーセントプロファイルΔ(r)を有する中心コア領域であって、−0.1%≦Δ(r)≦0.12%であり、最大相対屈折率パーセントΔ1MAXを有する中心コア領域、(b)中心コア領域を囲み直接隣接し、α値1.5≦α≦10を有し、外半径rまで延在して成る第1の環状コア領域であって、6μm≦r≦10μmであり、純シリカを基準に算出した%表示の相対屈折率パーセントプロファイルΔ(r)、最小相対屈折率Δ2MIN、及び最大相対屈折率Δ2MAXを有し、半径r=2μmにおける相対屈折率が−0.45≦Δ≦0、−0.25≧Δ2MIN≧−0.45、及びΔ1MAX≧Δ(r=2μm)である第1の環状コア領域、及び(c)第1の環状コア領域を囲み直接隣接し、半径20μm≦r≦30μmまで延在して成り、純シリカを基準に算出した%表示の負の相対屈折率パーセントプロファイルΔ(r)及び最小相対屈折率パーセントΔ3MINを有し、−0.5%<Δ3MIN<−0.25%及びΔ3MIN≦Δ2MINであるフッ素をドープした第2の環状コア領域から成るコアと、(ii)コアを囲み、純シリカを基準に算出した%表示の相対屈折率パーセントΔ(r)及び最小相対屈折率デルタΔ4MINを有し、−0.4%<Δ4MIN<−0.2%であるクラッドとから成る光導波路ファイバーであって、波長1550nmにおける減衰が0.17dB/km以下となるよう、ファイバーの相対屈折率プロファイルが選択されて成ることを特徴とする光導波路ファイバーが提供される。

Description

優先権の主張
本願は、その内容を信頼し、ここの引用することによりそっくりそのまま本願に組み込まれたものとする、米国出願第12/827,333号(出願日:2010年6月30日)の合衆国法典第35巻第120条に基づく優先権を主張するものである。
本発明は光ファイバーに関し、特には低減衰純シリカコアを備えた大実効面積光ファイバーに関するものである。
長距離の高出力伝送を提供する通信システムには、光増幅技術及び波長分割多重技術が一般に必要である。高出力及び長距離の定義は、ビットレート、ビット誤り率、多重化方式、及び多分光増幅器が指定される特定の通信システムの関連においてのみ意味をなすものである。更に、高出力及び長距離の定義に影響を与える当業者周知の別の要因もある。しかしながら、殆どの用途において、高出力は約10mWを超える光出力である。高出力システムは自己位相変調、四光波混合、相互位相変調、および非線形散乱を含む非線形光学効果をしばしば被り、それらが高出力システムにおいて信号劣化を生じさせ得るものである。一部の用途において、1mW以下の信号出力レベルであっても非線形効果に敏感であり、そのような低出力システムにおいても、非線形効果は重要な検討課題である。更に、減衰のような他の光ファイバーの特性が信号劣化に寄与する主な要因となっている。
一般に、高出力システムにおいて信号劣化を生じさせる自己位相変調、四光波混合、相互位相変調、および非線形散乱を含む非線形光学効果は、大実効面積(Aeff)を有する光導波路ファイバーによって低減される。他方、光導波路ファイバーの実効面積が増大すると、一般にファイバー内の伝送信号を減衰させるマクロベンド誘起損失が増大する。更に、減衰が大実効面積ファイバーの信号劣化の主な要因となり得る。
本発明の1つの実施の形態は、
(i)波長1550nmにおいて100μm2〜150μm2の実効面積を有し、Geを含まないコアであって、
(a)中心線から外方に半径rまで放射状に延在して成り、純シリカを基準に算出した%表示の相対屈折率パーセントプロファイルΔ(r)を有する中心コア領域であって、−0.1%≦Δ(r)≦0.12%であり、最大相対屈折率パーセントΔ1MAXを有する中心コア領域、
(b)中心コア領域を囲み直接隣接し、α値1.5≦α≦10を有し、外半径rまで延在して成る第1の環状コア領域であって、6μm≦r≦10μmであり、純シリカを基準に算出した%表示の相対屈折率パーセントプロファイルΔ(r)、最小相対屈折率Δ2MIN、及び最大相対屈折率Δ2MAXを有し、半径r=2μmにおける相対屈折率が
−0.45≦Δ≦0、−0.25≧Δ2MIN≧−0.45、及びΔ1MAX≧Δ(r=2μm)
である第1の環状コア領域、及び
(c)第1の環状コア領域を囲み直接隣接し、半径20μm≦r≦30μmまで延在して成り、純シリカを基準に算出した%表示の負の相対屈折率パーセントプロファイルΔ(r)及び最小相対屈折率パーセントΔ3MINを有し、
−0.5%<Δ3MIN<−0.25%及びΔ3MIN≦Δ2MIN
であるフッ素をドープした第2の環状コア領域から成るコアと、
(ii)コアを囲み、純シリカを基準に算出した%表示の相対屈折率パーセントΔ(r)及び最小相対屈折率パーセントΔ4MINを有し、−0.4%<Δ4MIN<−0.2%
であるクラッドと、
を備えた光導波路ファイバーであって、
波長1550nmにおける減衰が0.17dB/km以下となるよう、該ファイバーの相対屈折率プロファイルが選択されて成ることを特徴とする光導波路ファイバーである。
一部の実施の形態によれば、1550nmにおける減衰が0.165dB/km以下となるよう光ファイバーの相対屈折率プロファイルが選択される。一部の実施の形態によれば、波長1550nmにおける減衰が0.16dB/km以下又は0.155dB/km以下となるよう光ファイバーの相対屈折率プロファイルが選択される。
本発明の更なる特徴及び効果は以下の詳細な説明に述べてあり、当業者にとって一部はその説明から容易に明らかであり、以下の詳細な説明、特許請求の範囲、並びに添付図面を含む、本明細書に記載の本発明を実施することによって認識できる。
前記概要説明および以下の詳細な説明は、本発明の実施の形態を示すものであって、特許請求した本発明の本質および特徴を理解するための概要または骨子の提供を意図したものである。添付図面は、本発明の理解を深めるためのものであり、本明細書に包含されその一部を構成するものである。図面は、本発明の様々な実施の形態を示しており、本明細書の説明と共に、本発明の原理および作用を説明するものである。
本発明の1つの実施の形態の断面図。 図1Aのファイバーの例示的な屈折率プロファイル(実線)及び比較ファイバーの屈折率プロファイル(破線)を示す概略図。 本発明の光ファイバーの例示的な実施の形態の屈折率プロファイルを示す図。 本発明の光ファイバーの例示的な実施の形態の屈折率プロファイルを示す図。 本発明の光ファイバーの例示的な実施の形態の屈折率プロファイルを示す図。
定義
「屈折率プロファイル」とは屈折率又は相対屈折率と導波路ファイバーの半径との関係を意味する。
「相対屈折率パーセント」は、Δ%=100×(n(r)−n )/2n(r)と定義され、n(r)は、別に明記しない限り、ファイバーの中心線からの半径距離rにおける屈折率であり、nは波長1550nmにおけるシリカの屈折率である。本明細書において、相対屈折率をΔで表わし、別に明記しない限り、その値を「%」単位で示す。ある領域の屈折率がシリカの屈折率より小さい場合、相対屈折率パーセントは負であり、陥凹屈折率を有すると称し、別に明記しない限り、相対屈折率が負で最も大きい位置において算出される。ある領域の屈折率がシリカの屈折率より大きい場合、相対屈折率パーセントは正であり、その領域は隆起している又は正の屈折率を有していると称し、別記しない限り、相対屈折率が正で最も大きい位置において算出される。本明細書において「アップドーパント」とは、純粋な非ドープSiOに対し、相対的に屈折率を上昇させる傾向にあると見なされるドーパントを意味する。本明細書において「ダウンドーパント」とは、純粋な非ドープSiOに対し、相対的に屈折率を低下させる傾向にあると見なされるドーパントを意味する。アップドーパントは、アップドーパントではない1つ以上の他のドーパントを伴う場合には、負の相対屈折率を有する光ファイバーの領域に存在してもよい。同様に、アップドーパントではない1つ以上の他のドーパントは、正の相対屈折率を有する光ファイバーの領域に存在してもよい。ダウンドーパントは、ダウンドーパントではない1つ以上の他のドーパントを伴う場合には、正の相対屈折率を有する光ファイバーの領域に存在してもよい。同様に、ダウンドーパントではない1つ以上の他のドーパントは、負の相対屈折率を有する光ファイバーの領域に存在してもよい。
本明細書において「分散」と称する導波路ファイバーの「色分散」は、別に明記しない限り、材料分散、導波路分散、およびモード間分散の合計である。シングルモード導波路ファイバーの場合、モード間分散はゼロである。2モード導波路ファイバーの分散値においては、モード間分散値はゼロと仮定する。ゼロ分散波長(λ)は、分散値がゼロになる波長である。分散勾配は波長に対する分散の変化率である。
「実効面積」は以下のように定義される。
ここで、積分範囲は0〜∞であり、fは導波路内を伝搬する光に関わる電界の水平成分である。本明細書において、「実効面積」又は「Aeff」は別に明記しない限り、波長1550nmにおける光学的実効面積を意味する。
「αプロファイル」は、%単位のΔ(r)(rは半径)で表した相対屈折率プロファイルを意味し、下式に従う。
ここで、rはΔ(r)が最大の点、rはΔ(r)が最小の点、rはr≦r≦rの範囲、Δは前記定義どおり、rはαプロファイルの初期点、rはαプロファイルの最終点、αは実指数である。
モードフィールド径(MFD)はピーターマンII法で測定又はモデル化する。ここで、2w=MFD、
積分範囲は0〜∞である。
導波路ファイバーの曲げ耐性は所定の試験条件下における誘導減衰によって測定できる。
曲げ試験の1つに横荷重マイクロベンド試験がある。所謂「横荷重」試験においては、所定の長さの導波路ファイバーが2枚の平坦な板の間に置かれる。#70ワイヤメッシュがその板の1つに取り付けられる。既知の長さの導波路ファイバーを2枚の板の間に挟み30ニュートンの力で板を加圧して参照減衰が測定される。次に、70ニュートンの力で板を加圧してdB/m単位の減衰の増加が測定される。減衰の増加は導波路の横荷重ワイヤメッシュ(LLWM)減衰である。
「ピンアレイ」曲げ試験によって導波路の曲げに対する相対耐性が比較される。この試験を実行する場合、実質的に曲げ損失が誘起されていない状態で、導波路ファイバーの減衰損失が測定される。次に、導波路ファイバーをピンアレイに巻設して再度減衰が測定される。曲げによって誘起された損失は2つの測定減衰量の差である。ピンアレイは平面上に縦方向一列に固定された10本の円筒ピンである。ピンの中心と中心との間隔は5mmであり、ピンの直径は0.67mmである。試験中、導波路ファイバーがピン表面の一部に馴染むよう十分な張力が与えられる。
所定のモードにおけるファイバーの理論的カットオフ波長、「理論的ファイバー・カットオフ」又は「理論的カットオフ」は、そのモードにおいて、それ以上の波長の導波光が伝搬できない波長を意味する。数学的な定義は「Single Mode Fiber Optics」、Jeunhomme、pp.39−44、Marcel Dekker、New York、1990に見られ、理論的ファイバー・カットオフは、外側クラッドにおいてモード伝搬定数が平面波伝搬定数と等しくなる波長であると記されている。
実効ファイバー・カットオフは、曲げ及び/又は機械的な圧力に誘発される損失によって理論的カットオフより低くなる。これに関連して、カットオフはLP11及びLP02モードのより高い方を意味する。一般に、測定においてLP11とLP02は識別されないが、スペクトル測定において(マルチモード参照法により)階段状のスペクトル、即ち当該モードにおいて測定されたカットオフより長い波長の出力が観測されないことから両モードは明らかである。実際のファイバー・カットオフは、標準の2mファイバー・カットオフ試験、FOTP−80(EIA−TIA−455−80)を用いて測定され、「2mファイバー・カットオフ」又は「実測カットオフ」としても知られている「ファイバー・カットオフ波長」が得られる。FOTP−80標準試験においては、制御された量の曲げを与えることによって高次モードが除去されるか、ファイバーのスペクトル応答がマルチモード・ファイバーの応答に正規化される。
ケーブル・カットオフ波長、又は「ケーブル・カットオフ」はケーブル環境において受ける、より厳しい曲げおよび機械的圧力により、実測ファイバー・カットオフより低くなる。EIA−TIA Fiber Optics Standards、即ちFOTPとして広く知られている、米国電子工業会−米国電気通信工業会のFiber Optics Standardsの一部であるEIA−445、Fiber Optics Test Procedureに記載されているケーブル・カットオフ試験により、ケーブル化後の実際の状況を近似することができる。ケーブル・カットオフの測定は、EIA−455−170、Cable Cutoff Wavelength of Single−mode Fiber by Transmitted Power、即ち「FOTP−170」に記載されている。別に断りのない限り、光学特性(例えば、分散、分散勾配等)は、LP01モードにおけるものである。
単にリンクとも呼ばれる導波路ファイバー通信リンクは、光信号送信機、光信号受信機、及び各々がそれぞれ送信機及び受信機に接続された端部を有し、その間に光信号を伝搬させる一定の長さの導波路ファイバー又はファイバーから構成されている。一定の長さの導波路ファイバーは、端部と端部とを接合又は接続した一連の複数の短い導波路ファイバーから成ることができる。リンクはその他、光増幅器、光減衰器、光アイソレータ、光スイッチ、光フィルタ、又は多重化又は逆多重化装置のような光構成装置を含むことができる。相互接続された一群のリンクを通信システムと呼ぶことができる。
本明細書において、「光ファイバー・スパン」は、例えば、2つの光増幅器間又は多重化装置と光増幅器との間のように、光装置と光装置との間に延在する一定の長さの光ファイバー又は直列に溶着された複数のファイバー光を含んでいる。スパンはここに開示するように1つ以上の光ファイバー・セクションから成ることができると共に、所望のシステム性能、又は、例えば、スパンの終端における残留分散のようなパラメータについて所望の結果が得られるよう選択された別の光ファイバーから成る1つ以上のセクションから成ることができる。
本発明の実施の形態
以下、幾つかの例を添付図面に示した本発明の実施の形態について説明する。図面全体を通し、同一又は同様の部品については可能な限り同じ参照番号を付してある。図面全体を通し参照番号10で示す、本発明の光ファイバーの1つの実施の形態を図1Aに示す。導波路ファイバー10は、波長1550nmにおいて、約100μm以上の実効面積(例えば、波長1550nmにおいて、100μm〜160μm、105μm〜150μm、120μm〜140μm)及びα値、1.5≦α≦10を有するコア12とコアを囲むクラッド20とを備えている。本明細書において説明する例示的なファイバーのα値の一般的な範囲は1.5〜4であり、例えば、1.8≦α≦3である。本ファイバーの例示的な屈折率プロファイル(半径に対する相対屈折率デルタ)の概略を図1Bに示す(実線)。
コア12はGeを含まず、中心コア領域14、中心コア領域14を囲み直接隣接する第1の環状コア領域16、及び第1の環状コア領域16を囲み直接隣接する第2の環状コア領域18から成っている。中心コア領域14は、中心線から外方に半径0μm≦r≦2μmまで放射状に延在し、純シリカを基準に算出した%表示の相対屈折率パーセントプロファイルΔ(r)を有し、−0.1%≦Δ(r)≦0.12%(例えば、−0.08%≦Δ(r)≦0.1%)である。一部の実施の形態においては−0.06%≦Δ(r)≦0.06%である。また、中心コア領域14は最大相対屈折率パーセントΔ1MAXを有している。本明細書において説明する例示的な実施の形態において、Δ1MAXはファイバーの中心線(r=0)において生じる。
第1の環状コア領域16はα値、1.5≦α≦10(例えば、2≦α≦8、1.5≦α≦6、1.5≦α≦4.5、2≦α≦4、又は2≦α≦3.5)を有し、外半径rまで延在している。外半径rは6μm≦r≦10μm、好ましくは7μm≦r≦10μm、より好ましくは7.5μm≦r≦9μmである。また、第1の環状コア領域16は、純シリカを基準に算出した%表示の相対屈折率プロファイルΔ(r)、最小相対屈折率Δ2MIN、及び最大相対屈折率Δ2MAX(Δ1MAX≧Δ2MAX)を有し、半径r=2μmにおける相対屈折率が(a)−0.15≦Δ(r=2μm)≦0.1、及び(b)Δ1MAX≧Δ(r=2μm)である。一部の実施の形態において、−0.08≦Δ(r=2μm)≦0.1又は−0.15≦Δ(r=2μm)≦0である。一部の実施の形態において、Δ2MAX=Δ(r=2μm)である。一部の実施の形態において、−0.45%≦Δ2MIN≦−0.25%、例えば、−0.4%≦Δ2MIN≦−0.3%又は−0.45%≦Δ2MIN≦−0.3%である。
第2の環状コア領域18はフッ素がドープされて成り、第1の環状領域16を囲み直接隣接している。一般に、本明細書において説明する実施の形態によれば、第2の環状コア領域は0.4〜2重量%のフッ素、例えば、0.4〜1.6重量%又は0.8〜1.6重量%のフッ素を含んでいる。
第2の環状コア領域18は半径rまで延在し、15μm≦r≦31μm(例えば、20μm≦r≦30μm又は25μm≦r≦29.5μm)であり、純シリカを基準に算出した%表示の負の相対屈折率パーセントプロファイルΔ(r)を有している。最小相対屈折率パーセントΔ3MINが、(a)Δ3MIN<Δ2(r=2μm)及びΔ3MIN≦Δ2MIN、且つ(b)−0.5%≦Δ3MIN≦−0.25%である。例えば、一部の実施の形態において、−0.5%≦Δ3MIN≦−0.3%である。少なくとも一部の実施の形態において、Δ(r)は最大相対屈折率パーセントΔ3MAXも有し、Δ3MAX≧Δ3MINである。一部の好ましい実施の形態において、−0.45%≦Δ3MIN≦−0.3%であり、別の好ましい実施の形態において、−0.4%<Δ3MIN<−0.3%である。例えば、Δ3MINは−0.27%、−0.28%、−0.29%、−0.3%、−0.35%、−0.38%、−0.4%、−0.42%、又はこれ等の数字の間の任意の値であってよい。少なくとも一部の実施の形態において、Δ3MAX=Δ(r=r)=Δ2MINであり、−0.45%≦Δ(r=r)≦−0.3%である。
第2の環状コア領域18が比較的平坦な相対屈折率プロファイルを有している場合、Δ3MAX−Δ3MIN<0.03%であり、半径rはクラッド20の始まりに対応すると定義される。一部の例示的な環状コア領域18は、クラッド20の始まり直前の半径rにおいてΔ3MINに達する。
一部の実施の形態において、r/rの比が3〜5である。r/rの比が3.5≦r/r≦4.5であることが好ましい。r≦10μmでありr≦35μmであることが好ましい。一部の実施の形態において、r≦30μm、例えば、20μm≦r≦29μmである。一部の実施の形態において、r/rの比が2.5≦r/r≦5(又は0.2≦r/r≦0.4)、例えば2.7≦r/r≦4.5(又は0.22≦r/r≦0.37)である。
クラッド20はコア12を囲み、純シリカを基準に算出した%表示の相対屈折率パーセントΔ4(r)を有し、Δ4(r)≧Δ3MINである。一部の例示的な実施の形態において、Δ4(r)≧Δ3MAXである。クラッド20は最小相対屈折率パーセントΔ4MINを有し、Δ4MINが−0.4%<Δ4MIN<−0.2%であることが好ましい。一部の例示的な実施の形態において、コア12及びクラッド20がダウンドーパントとしてFを含有している。これ等の実施の形態において、第1及び第2環状コア領域16及び18に含まれるFの量が、中心コア領域14に含まれるフッ素の量より多い。第1及び第2環状コア領域16及び18に含まれるFの量は、半径が増大するにつれ多くなることが好ましい。Fの濃度は0.1〜2.0重量%まで、好ましくは0.1〜1.6%重量まで、例えば、0.2〜1.6重量%まで増大させることができる。一部の実施の形態において、光ファイバーは500ppmを超えるフッ素をコアに含み、5000ppmを超えるフッ素をクラッドに含んでいる。
一部の例示的な実施の形態において、コア12は少なくとも1つのアルカリ金属酸化物ドーパントも含有している。ここで、アルカリは、例えば、K、Na、Li、Cs、及びRbである。一部の例示的な実施の形態において、コア12は重量%で20ppm〜1000ppm、より好ましくは50〜500ppm、最も好ましくは50〜300ppmのKから成るKOを含有している。ファイバー10は塩素を含有することもできる。コア12の塩素量は重量%で1500ppm未満であり、クラッド20の塩素量は500ppm未満であることが好ましい。「ppm」は、別に明記しない限り、重量で100万分の1又は重量ppmを意味し、重量%による測定は10,000倍することによってppmに変換することができる。
光ファイバーの相対屈折率プロファイルは、1550nmの波長λにおける減衰が0.17dB/km以下となるよう選択される。例えば、1550nmの波長λにおける減衰が0.145dB/km〜0.17dB/km、より好ましくは0.145dB/km〜0.165dB/km、最も好ましくは0.145dB/km〜0.160dB/kmとなるよう選択される。1550nmの波長λにおける減衰値は0.15dB/km〜0.17dB/km、又は0.145dB/km〜0.165dB/kmの範囲であり、例えば、0.149dB/km、0.15dB/km、0.152dB/km、0.153dB/km、0.155dB/km、0.158dB/km、0.16dB/km、0.162dB/km、0.165dB/km、0.168dB/km、又は0.17dB/kmである。少なくとも一部の実施の形態において、1550nmの波長における分散Dが19≦D≦23ps/nm/kmであり、少なくとも一部の実施の形態において、零分散波長λを有し、1260nm≦λ≦1290nmである。一部の実施の形態において、20ps/nm/km≦D≦23ps/nm/km、1260≦λ≦1290、及び直径20mmのマンドレルに巻設したときの1550nmにおけるマクロベンド損失が1dB/巻き未満である。少なくとも一部の実施の形態において、光ファイバーの実効面積Aeff>120μm、1550nmにおける分散が22ps/nm/km未満となるよう相対屈折率プロファイルが設定される。
以下の実施例によって、本発明を更に明らかにする。
例示的な一連の光ファイバーの実施の形態である実施例1〜11及び比較ファイバー(比較例1)の特性を表1〜4に示す。比較ファイバーのプロファイルを図1Bに概略的に示す(破線)。図2〜4は、ファイバー実施例2、6、8、及び9にそれぞれ対応している。これ等の光ファイバーの実施の形態による実施例1〜11において、−0.05%≦Δ1MAX≦0.12%、Δ(r=2μm)≒0.05%、−0.4%≦Δ2MIN≦−0.25%、−0.41%≦Δ3MIN≦−0.25%、r/rが3≦r/r≦4.5、及びr<30μmである。少なくとも一部の実施の形態において、Δ2MIN=Δ3MAXである。少なくとも一部の実施の形態において、第2の環状コア領域18の相対屈折率デルタが比較的一定であるため、Δ2MIN=Δ3MINである。また、別の実施の形態において、Δ(r=2μm)又はΔ2MAXが、その領域に存在するダウンドーパントに応じ、(シリカを基準に)0%〜−0.10%の範囲である。光ファイバー10の一部の実施の形態は1.5〜10のアルファ値を有しているが、実施例1〜11の光ファイバーの実施の形態のアルファ(α)値は4未満、即ち1.8〜3の範囲である。
これ等の例示的なファイバーのモデル化したプロファイルのパラメータを表1及び2に示す。これ等の例におけるクラッド20の外半径は62.5μmであった。これ等のファイバーの異なる領域におけるF量を表3に示す。表1及び2に示す例示的なファイバー1〜11のモデル化した光特性を表4に示す。比較ファイバー(比較例1)は、表1に示す実施例3のファイバーと略同じ実効面積(118μm)及び同様の組成を有している。しかし、実施例3のファイバーがグレーデッドインデックス・コア(α<10、即ち、α=2.26であるのに対し、比較ファイバーはステップ型コア領域18(α>10、即ち、α=30)を有しているため減衰が大きい。
これ等11の例示的な実施の形態において、コア12はシリカを主成分とし(SiO)、コア(例えば、コア領域16、18)の少なくとも一部にフッ素がドープされている。表3は、コア領域14の組成と共に、重量パーセント(wt%)で示したコア領域16、18、及びクラッド20におけるフッ素Fの量を示している。図2及び3は、実施例2及び6のファイバーコア領域18のFの量が多いため、半径が大きくなるにつれΔがより負になることを示している。図4は実施例8及び9のファイバーのコア領域18内のFの量が略一定であるため、この領域全体におけるΔが略一定であることを示している。また、図2〜5は、ファイバー領域16におけるFの量が減少するにつれ、Δの値が徐々に減少しΔ2MAXからΔ2MINに変化することを示している。
実施例8及び9(表1の実施例8及び9)に対応する光ファイバーの実施の形態において、Δ2MIN=Δ3MINであり、第2の環状領域18全体のガラス組成は一定である(図4)。すべての例示的な実施の形態において、第2の環状領域18に相当する堀領域を有している。堀領域(第2の環状領域18)の最大屈折率デルタは第1の環状領域16の最大屈折率デルタより低い。この堀(第2の環状領域18)は屈折率Δ>Δ3MINを有するクラッド20に囲まれている。11本すべてのファイバーの実施の形態(表1〜3の実施例1〜11)において、ファイバーコア領域16のF濃度は半径の増加と共に単調増加する。表1〜3の少なくとも一部のファイバーの実施の形態において、ファイバーコア領域16及び18両方のF濃度が半径の増加と共に単調増加する。更に、少なくとも一部のファイバーの実施の形態において、コア全体を通し、F濃度が半径rの増加と共に単調増加する。
第2の環状領域18のボリューム(堀ボリューム)は−20%‐μm未満であることが好ましく、−40%‐μm未満であることがより好ましく、−50%‐μm未満であることが更に好ましい。ここで、プロファイルボリュームは、クラッド領域の屈折率に対し、半径で重み付けした第2の環状コア領域の屈折率差を積分したものである。
光パワーをコア内に閉じ込めることにより、マイクロベンド損失を抑制し大実効面積と低減衰の両方を達成するためには、プロファイルボリュームがより負であることが望ましい。
表1及び2の例示的なファイバーは、表4に示すモデル化した光属性を有している。一部の光ファイバーの実施の形態は以下のモデル値を有している。LP11の理論的なファイバー・カットオフ波長λが1320nm〜1580nm、1550nmにおける分散Dが18ps/nm/km〜25ps/nm/km、より好ましくは19ps/nm/km〜23又は22ps/nm/km、及び1550nmにおける減衰が0.170dB/km、例えば、0.145dB/km〜0.160dB/km.表1及び2に示す例示的なファイバーの少なくとも一部が、115μm超、好ましくは120μm超、より好ましくは125μm超の実効面積Aeffを有している。これ等のファイバーの実施の形態のケーブル・カットオフ波長は1520nm未満、より好ましくは1500nm未満、更に好ましくは1450nm未満である。これ等のファイバーの実施の形態の代表的な減衰は0.155dB/km未満、より好ましくは0.15dB/kmである。
表4において、「勾配1550」はps/nm/kmの単位で示す波長1550nmにおける分散勾配、「MFD1550」はマイクロメートル単位で示す波長1550nmにおけるモードフィールド径、「実効面積1550」は平方マイクロメートル単位で示す波長1550nmにおけるファイバーの実効面積、「分散1550」はps/nm/kmの単位で示す波長1550nmにおける分散、「減衰1550」はdB/km単位で示す1550nmにおける減衰、「ラムダ0」又は「λ」はnm単位で示す零分散波長である。
実施例10のファイバーのAeffの実測値が124μm、α=1.8、1550nmにおける減衰が0.151dB/kmであり、これは0.17dB/kmより低い値である。
実効面積が115μmを超えるファイバーの実施の形態において、光ファイバーがヤング率1.0MPa未満の一次被覆及びヤング率1200MPaを超える二次被覆を備えていることが好ましい。横荷重ワイヤメッシュ(LLWM)マイクロベンド損失が<5dB、好ましくは<4dB、より好ましくは<3dBである。LP11カットオフ波長は1350〜1500nmであることが好ましく、1380〜1450nmであることがより好ましい。
我々は一次及び二次被覆の特定の組合せによって、マイクロベンド特性、従って全体の減衰特性が著しく改善され、ファイバーの実効面積≧115μm、好ましくは≧120μm、更に好ましくは≧120μmが可能であることを見出した。少なくとも115μmの実効面積を有する光ファイバーは、クラッド20を接触包囲する一次被覆Pを備えていることが好ましい。一次被覆Pは1.0MPa未満、好ましくは0.9未満のヤング率を有していることが好ましく、好ましい実施の形態において、ヤング率は0.8MPa以下である。この光ファイバーは、一次被覆Pを接触包囲する二次被覆Sを更に備えている。二次被覆は1200MPaを超えるヤング率を有していることが好ましく、1400MPaを超えるヤング率を有していることがより好ましい。
本明細書において、一次被覆の硬化ポリマー材料のヤング率、破断張力、及び引張強度は、厚さ略0.003インチ(76μm)〜0.004インチ(102μm)、幅略1.3cmのフィルム状の材料サンプルを張力試験装置(例えば、シンテックMTS引張試験機又はインストロン万能材料試験システム)を用いて、ゲージ長5.1cm、試験速度2.5cm/分で測定したものである。
例示的な実施の形態において、一次被覆Pは被覆光ファイバーの予測される最低使用温度より低いガラス転移温度を有していることが好ましい。一部の実施の形態において、一次被覆Pが−25℃未満、より好ましくは−30℃未満のガラス転移温度を有している。迷走光信号が光ファイバーのコアに到達しないようにするため、一次被覆Pが光ファイバーのクラッドより高い屈折率を有していることが望ましい。例えば、波長1550nmにおける伝送光ファイバーのコア及びクラッドの屈折率の値は、それぞれ1.447及び1.436であるため、1550nmにおける一次被覆Pの屈折率は1.44より高いことが望ましい。一次被覆Pは熱及び加水分解劣化期間中においてガラス・ファイバーに対し適切な粘着性を維持する一方、ファイバー接合のために剥離可能でなければならない。一般に、一次被覆Pの厚さは25〜50μm(例えば、略32.5μm)であり、液体として光ファイバーに塗布され硬化される。
一次被覆Pは、オリゴマー及び少なくとも1つのモノマーを含む一次硬化性組成物の硬化生成物であることが好ましい。一次被覆の形成に用いられる一次硬化性組成物は光開始剤を含むこともできる。
本発明の精神および範囲から逸脱せずに、本発明に対し様々な改良および変更が可能であることは当業者にとって明らかである。従って、本発明は、添付のクレーム及びその均等物の範囲に属する限り、本発明に対する改良及び変更も包含するものである。
10 光ファイバー
12 コア
14 中心コア領域
16 第1の環状コア領域
18 第2の環状コア領域
20 クラッド

Claims (10)

  1. (i)波長1550nmにおいて100μm2〜150μm2の実効面積を有し、Geを含まないコアであって、
    (a)中心線から外方に半径rまで放射状に延在して成り、純シリカを基準に算出した%表示の相対屈折率パーセントプロファイルΔ(r)を有する中心コア領域であって、−0.1%≦Δ(r)≦0.12%であり、最大相対屈折率パーセントΔ1MAXを有する中心コア領域、
    (b)前記中心コア領域を囲み直接隣接し、α値1.5≦α≦10を有し、外半径rまで延在して成る第1の環状コア領域であって、6μm≦r≦10μmであり、純シリカを基準に算出した%表示の相対屈折率パーセントプロファイルΔ(r)、最小相対屈折率Δ2MIN、及び最大相対屈折率Δ2MAXを有し、半径r=2μmにおける相対屈折率が
    −0.45≦Δ≦0、−0.25≧Δ2MIN≧−0.45、及びΔ1MAX≧Δ(r=2μm)
    である第1の環状コア領域、及び
    (c) 前記第1の環状コア領域を囲み直接隣接し、半径20μm≦r≦30μmまで延在して成り、純シリカを基準に算出した%表示の負の相対屈折率パーセントプロファイルΔ(r)及び最小相対屈折率パーセントΔ3MINを有し、
    −0.5%<Δ3MIN<−0.25%及びΔ3MIN≦Δ2MIN
    であるフッ素をドープした第2の環状コア領域から成るコアと、
    (ii) 前記コアを囲み、純シリカを基準に算出した%表示の相対屈折率パーセントΔ(r)及び最小相対屈折率デルタΔ4MINを有し、−0.4%<Δ4MIN<−0.2%
    であるクラッドと、
    を備えた光導波路ファイバーであって、
    波長1550nmにおける減衰が0.17dB/km以下となるよう、該ファイバーの相対屈折率プロファイルが選択されて成ることを特徴とする光導波路ファイバー。
  2. 前記α値が1.5≦α<6であり、波長1550nmにおける減衰が0.165dB/km以下となるよう、前記相対屈折率プロファイルが選択されて成ることを特徴とする請求項1記載の光導波路ファイバー。
  3. (i)−0.45≦Δ3MIN≦−0.3%、及び/又は(ii)−0.08%≦Δ(r=2μm)≦0.11%、及び/又は(iii)−0.4%≦Δ2MIN≦−0.3%、0.2≦r/r≦0.4、r≦10μm、及びr≦35μm、及び/又は(iV)0.22≦r/r≦0.37、及びr≦30μmであることを特徴とする請求項1又は2記載の光導波路ファイバー。
  4. 波長1550nmにおいて分散Dを有し、19≦D≦23ps/nm/kmであることを特徴とする請求項1〜3いずれか1項記載の光導波路ファイバー。
  5. (i)前記実効面積が100μm〜140μmであり(ii)前記フッ素をドープした第2の環状領域が0.1重量%〜1.6重量%のフッ素を含んで成ることを特徴とする請求項1〜3いずれか1項記載の光導波路ファイバー。
  6. (i)前記コアが500ppmを超えるフッ素を含むと共に前記クラッドが5000ppmを超えるフッ素を含んで成るか、又は(ii)前記コアが1500ppm未満の塩素を含むと共に前記クラッドが500ppm未満の塩素を含んで成ることを特徴とする請求項3記載の光導波路ファイバー。
  7. (a)前記中心コア領域が中心線から外方に半径rまで放射状に延在して成り、0μm≦r≦2μmであって、純シリカを基準に算出した%表示の相対屈折率パーセントプロファイルΔ(r)を有し、(b)Δ1MAX≦0.11%、(c)波長1550nmにおける減衰が0.15dB/km〜0.16dB/kmとなるよう前記相対屈折率プロファイルが選択され、(d)波長1550nmにおいて分散Dを有し、20ps/nm/km≦D≦23ps/nm/kmであり、1260nm≦λ≦1290nm、及び1550nmにおけるマクロベンド損失が直径20mmのマンドレルに巻設したとき1dB/巻き未満であることを特徴とする請求項1記載の光導波路ファイバー。
  8. a.1.0MPa未満のヤング率を有する一次被覆と、
    b.1200MPaを超えるヤング率を有する二次被覆と、
    を更に備え、
    115μmを超える実効面積を有して成ることを特徴とする請求項1〜5及び7いずれか1項記載の光導波路ファイバー。
  9. ケーブル・カットオフ波長が1450nm未満であることを特徴とする請求項8記載の光導波路ファイバー。
  10. (i)実効面積Aeff>120μmを有し、分散が22ps/nm/km未満となるよう前記相対屈折率プロファイルが設定されて成るか、又は(ii)前記コアの少なくとも一部がアルカリを含んで成ることを特徴とする請求項1〜3、7、8、及び9いずれか1項記載の光導波路ファイバー。
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