JP2013520801A - 高効率/高精度ヒータドライバ - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (15)
- ウエハを処理する急速熱処理チャンバであって、
複数のハロゲンランプと、
第1のスイッチと第2のスイッチとをもつ交流電源を含む電源であり、前記複数のハロゲンランプに接続されて、前記複数のハロゲンランプに電力を供給する電源と、
前記ウエハの温度を測定する温度センサと、
前記温度センサと前記電源の前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチとに接続される温度コントローラであり、前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチに対し、共に前記ウエハ温度と所望の温度との関数である第1の制御信号および第2の制御信号をそれぞれ供給する温度コントローラと
を備えており、
前記第1の制御信号が前記第1のスイッチを前記交流電力の半サイクル当たり複数回オン/オフし、前記第2の制御信号が前記第2のスイッチを前記交流電力の半サイクル当たり複数回オン/オフする、急速熱処理チャンバ。 - 前記第2のスイッチがオフにされる間前記第1のスイッチがオンにされる、請求項1に記載の急速熱処理チャンバ。
- 前記第2のスイッチがオンにされる間前記第1のスイッチがオフにされる、請求項2に記載の急速熱処理チャンバ。
- 前記温度コントローラが、前記第1の制御信号と前記第2の制御信号とを前記交流電力のパルスバージョンとして形成する、請求項3に記載の急速熱処理チャンバ。
- 前記複数のハロゲンランプに供給される電力の力率が0.9と1との間にあり、前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチがトランジスタである、請求項3に記載の急速熱処理チャンバ。
- 前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチが、MOSFETトランジスタ、バイポーラトランジスタ、および絶縁ゲートバイポーラトランジスタからなる群から選択される、請求項4に記載の急速熱処理チャンバ。
- ウエハを処理する急速熱処理チャンバを制御する方法であって、
前記ウエハの温度を感知するステップと、
所望の温度を決定するステップと、
温度コントローラが、前記ウエハの温度および前記所望の温度に従って第1の制御信号および第2の制御信号を生成するステップと、
前記第1の制御信号が、前記第1のスイッチを、前記温度コントローラに供給される交流電力の半サイクル当たり複数回オン/オフするステップと、
前記第2の制御信号が、前記第2のスイッチを、前記温度コントローラに供給される交流電力の半サイクル当たり複数回オン/オフするステップと、
前記第1および第2のスイッチが複数のハロゲンランプに電力を供給するステップと
を含む方法。 - 前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチが異なる時間にオンにされる、請求項7に記載の方法。
- 前記温度コントローラが、前記第1の制御信号と前記第2の制御信号とを前記交流電力のパルスバージョンとして形成する、請求項7に記載の方法。
- 前記複数のハロゲンランプに供給される電力の力率が0.9と1との間にあり、前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチがトランジスタである、請求項8に記載の方法。
- 前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチが、MOSFETトランジスタ、バイポーラトランジスタ、および絶縁ゲートバイポーラトランジスタからなる群から選択される、請求項9に記載の方法。
- 交流電力が供給される、ウエハを処理する急速熱処理チャンバであって、
複数のハロゲンランプと、
第1のダイオードおよび第1のトランジスタと第2のダイオードおよび第2のトランジスタとの並列接続を含むランプドライバであり、交流電力源と前記複数のハロゲンランプとに接続されて、前記複数のハロゲンランプに電力を供給するランプドライバと、
ウエハ温度を測定する温度センサと、
前記温度センサと前記ランプドライバとに接続された温度コントローラであり、前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタに対し、共に前記ウエハ温度と所望の温度との関数である第1の制御信号および第2の制御信号をそれぞれ供給する温度コントローラと
を備えており、
前記第1のトランジスタが前記第2のトランジスタと異なる時間にオンにされる、急速熱処理チャンバ。 - 前記第1および第2のトランジスタが、MOSFET、バイポーラトランジスタ、および絶縁ゲートバイポーラトランジスタからなる群から選択される、請求項12に記載の急速熱処理チャンバ。
- 前記第1および第2のトランジスタが、供給される交流電圧の半周期当たり2回以上オン/オフされる、請求項12に記載の急速熱処理チャンバ。
- 前記複数のハロゲンランプに供給される電力の力率が0.9と1との間にある、請求項14に記載の急速熱処理チャンバ。
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US9734659B2 (en) * | 2014-08-06 | 2017-08-15 | Mido Play Inc. | Single platform system for multiple jurisdiction lotteries and social media |
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US10908195B2 (en) | 2016-06-15 | 2021-02-02 | Watlow Electric Manufacturing Company | System and method for controlling power to a heater |
JP7143226B2 (ja) | 2016-06-15 | 2022-09-28 | ワットロー・エレクトリック・マニュファクチャリング・カンパニー | 熱システムのための電力コンバータ |
CN114650627A (zh) * | 2017-08-10 | 2022-06-21 | 沃特洛电气制造公司 | 用于控制给加热器的功率的系统和方法 |
CN109429382A (zh) * | 2017-08-24 | 2019-03-05 | 江苏威能电气有限公司 | 快速升降温加热器 |
DE102018203945B4 (de) | 2018-03-15 | 2023-08-10 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben |
CN110554717B (zh) * | 2019-08-15 | 2021-08-24 | 国电南瑞科技股份有限公司 | 适用于电力电子装置温度闭环调节的散热风扇设速方法 |
CN114060892B (zh) * | 2021-11-29 | 2023-05-16 | 奥普家居股份有限公司 | 一种恒温浴霸及其控制方法、存储介质 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0327408A (ja) * | 1989-06-24 | 1991-02-05 | Matsushita Electric Works Ltd | デユーテイ制御装置 |
JPH09103077A (ja) * | 1995-10-04 | 1997-04-15 | Furukawa Battery Co Ltd:The | 力率制御回路 |
JP2000106283A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-11 | Ushio Inc | フィラメントランプ点灯装置 |
JP2001110737A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-20 | Ushio Inc | 光照射式急速加熱処理装置の制御装置 |
JP2004537870A (ja) * | 2001-08-08 | 2004-12-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 急速加熱処理チャンバ用の改良ランプヘッド |
WO2006107013A1 (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-12 | Kokusai Electric Semiconductor Service Inc. | 供給電力調整器及び半導体製造装置 |
JP2008288598A (ja) * | 2007-05-20 | 2008-11-27 | Applied Materials Inc | 制御されたアニーリング方法 |
WO2009082119A2 (en) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Kornic Systems Corp. | Apparatus and method for controlling heating lamp |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4438356A (en) * | 1982-03-24 | 1984-03-20 | International Rectifier Corporation | Solid state relay circuit employing MOSFET power switching devices |
US5751896A (en) * | 1996-02-22 | 1998-05-12 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus to compensate for non-uniform film growth during chemical vapor deposition |
US5841110A (en) | 1997-08-27 | 1998-11-24 | Steag-Ast Gmbh | Method and apparatus for improved temperature control in rapid thermal processing (RTP) systems |
JP2000235886A (ja) | 1998-12-14 | 2000-08-29 | Tokyo Electron Ltd | 加熱手段の温度制御装置および温度制御方法 |
US6259072B1 (en) | 1999-11-09 | 2001-07-10 | Axcelis Technologies, Inc. | Zone controlled radiant heating system utilizing focused reflector |
KR100432135B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2004-05-17 | 동부전자 주식회사 | 급속 열처리 장치 |
US20060000551A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Saldana Miguel A | Methods and apparatus for optimal temperature control in a plasma processing system |
US7283734B2 (en) * | 2004-08-24 | 2007-10-16 | Fujitsu Limited | Rapid thermal processing apparatus and method of manufacture of semiconductor device |
JP2007095889A (ja) | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Ushio Inc | 光照射式加熱方法 |
JP4687393B2 (ja) * | 2005-11-01 | 2011-05-25 | 日本放送協会 | 調光器 |
TW200921791A (en) * | 2007-11-05 | 2009-05-16 | United Microelectronics Corp | Method of cleaning transparent device in a thermal process apparatus, thermal process apparatus and process using the same thermal process apparatus |
JP5282409B2 (ja) | 2008-02-25 | 2013-09-04 | ウシオ電機株式会社 | 光照射式加熱方法及び光照射式加熱装置 |
JP5734185B2 (ja) * | 2008-07-07 | 2015-06-17 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマ処理チャンバ内のプラズマ不安定性事象を検出するための構成、及び、プラズマ不安定性事象を検出する方法 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0327408A (ja) * | 1989-06-24 | 1991-02-05 | Matsushita Electric Works Ltd | デユーテイ制御装置 |
JPH09103077A (ja) * | 1995-10-04 | 1997-04-15 | Furukawa Battery Co Ltd:The | 力率制御回路 |
JP2000106283A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-11 | Ushio Inc | フィラメントランプ点灯装置 |
JP2001110737A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-20 | Ushio Inc | 光照射式急速加熱処理装置の制御装置 |
JP2004537870A (ja) * | 2001-08-08 | 2004-12-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 急速加熱処理チャンバ用の改良ランプヘッド |
WO2006107013A1 (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-12 | Kokusai Electric Semiconductor Service Inc. | 供給電力調整器及び半導体製造装置 |
JP2008288598A (ja) * | 2007-05-20 | 2008-11-27 | Applied Materials Inc | 制御されたアニーリング方法 |
WO2009082119A2 (en) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Kornic Systems Corp. | Apparatus and method for controlling heating lamp |
Also Published As
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US8548312B2 (en) | 2013-10-01 |
US20140027440A1 (en) | 2014-01-30 |
US9612020B2 (en) | 2017-04-04 |
SG183187A1 (en) | 2012-09-27 |
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TW201517176A (zh) | 2015-05-01 |
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