JP2013519924A - 断線の集積修復構造を有する能動マトリクスディスプレイ - Google Patents

断線の集積修復構造を有する能動マトリクスディスプレイ Download PDF

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Abstract

ディスプレイにおいて、能動マトリクス配列の断線の集積修復構造が、有効表示領域ZA周辺でハーフリングを有する導体修復要素Eを使用する。各修復要素は、ハーフリングの2本のオープンレッグと交差する配列の導線の1個のグループだけの修復に割り当てられる。断線は次いで、修復要素のハーフリングの2本のオープンレッグを用いて当該導線の2個の交差箇所の各々で接続を行うことにより修復される。ループ閉鎖は少なくとも、2本のオープンレッグを接続するセグメントにより行われる。
修復構造は、導線上の浮遊結合および帯電を最小化し、多数の導線の修復が可能でありながら安価である点が好都合である。特に、大型ディスプレイまたは高解像度ディスプレイに適している。

Description

本発明は、能動マトリクスディスプレイのアドレス線の破断の修復に関する。本発明は特に液晶ディスプレイまたは有機発光ダイオードに適用できる。
図1に模式的に示すように、能動マトリクスディスプレイは通常、当該ディスプレイの画像ドットのアドレス指定を可能にする導線の2次元マトリクス配列を含んでいる。当該配列は、各導電が第1の方向に敷設された導線の第1の組LS、および導線の第1の組から電気的に絶縁されていて導線の第1の組に直交する第2の方向に敷設された導線の第2の組LDを含んでいる。導線同士が交差する領域により画像ドットPi,jを含むディスプレイの有効領域ZAが画定される。導線の終端は、有効領域外にあって、外部のまたは集積された、対応制御回路DX、DYに接続されている。
実際には、ディスプレイの製造工程中において、有効領域ZAにおいて導線の断線が生じる可能性がある。断線はまた、2本の導線間の短絡故障を分離するために生じる場合もある。ディスプレイのアドレス線が断線した場合、当該導線の終端に印加された制御信号は導線のもう一方の終端まで伝搬しないであろう。すなわち、当該導線に関連付けられた画像ドットにアクセスすることが不可能になって、重大な故障となる。
ディスプレイの製造歩留りを向上させるべく、これらの断線故障の修復は通常、レーザーにより行われる。当該レーザー修復は、ディスプレイの有効領域外において、両終端から導線上への信号の伝搬が可能になるようなやり方での、断線した導線の両終端のループ閉鎖に基づいている。実際には、修復領域において、修復対象の導線の両終端の各々と各導体の間の接続がレーザーにより実現し、両終端が閉ループを構成する。このループ閉鎖は一般に、図2に示す2通りの方法で行われる。
第1の方法は、有効領域ZAの外の一部分において能動マトリクス配列を担持する基板S上に形成された、修復用導電リングr1、r2、r3、r4を含む修復構造を使用する。これらのリングは配列の導線と交差している。交差領域において、配列およびリングr1、r2、r3、r4の導線は少なくとも1個の絶縁層により分離されている。次いで、本例における断線L1が、レーザーにより、修復用リングの1個、すなわち本例ではr1と、当該導線の2個の交差箇所p1、p2との接続を形成することにより修復される。デコーダDY1により印加された信号は、導線L1の両側を介して、すなわち、当該回路DY1を駆動する側を介して、および2個の接点p1とp2の間にあるリングr1の部分を介して導線L1のもう一方の側を介して、伝搬される。
配列の基板上に集積されたそのような修復構造は通常、小型ディスプレイに使用される。これは、当該構造においては、修復すべき故障の数は、最大でも修復用リングの数と同じであるためである。ディスプレイが大きいほど、またはその解像度が高いほど、能動マトリクス配列の導線の潜在的な数が大きくなる。基板上の修復用リングの数を増やすのは困難である。更に、レーザーの影響範囲は、2個の金属間の接触を形成するが、導線L1の断線を引き起こさないように、表面積が最小限でければならない。レーザー修復は従って、導線とリングの間で、それらを分離する絶縁体を貫通して2個の導体レベル間を接合するのに十分に大きい交差表面積を仮定している。このリング/導線交差表面積は、無視できない浮遊容量を誘導し、導線の両終端の間で回路を閉じるリングの部分により、導線の等価抵抗が増大する。その結果、このようなリングにより修復された導線のRC負荷は、配列の他の導線に対して増大する。大型ディスプレイまたは高解像度ディスプレイの場合、修復された導線の他の導線に対するRC負荷のこの増大は画面上で目立つため美観が低下する。
同じ図2に示す第2の方法は、外部の相互接続回路を有する修復構造を用いてループ閉鎖を行う。これは、各グループに導電修復セクションの組を関連付けたことにより、導線をグループに分割することに基づいている。これらのセクションは、能動マトリクス配列の基板上に、当該セクションが修復対象とするグループの導線に直交して形成され、更に、基板上の接触領域に接続されていて、これらの接触領域に接続される外部回路によるループ閉鎖を可能にする。
本例では、当該修復構造は図2の右から左に延びる導線、例えばl1に対して用いられる。
セクションは、有効表示領域ZAの両側、すなわち右側および左側に沿って、且つ配列の一方の側の各導電セクション(例えばt1a)が、当該配列のもう一方の側の対向する導電セクション(本例ではセクションt1b)に対応するように対で分布している。各修復要素の組はセクションのいくつかの対をグループ化して、セクションが各々の側に平行に配置され、且つ当該組のセクションと交差する導線の修復に割り当てられる。各組は、それに含まれる対の数と同じ数の断線の修復を可能にする。
各種の接続セクションをTAB(「Tape Automatic Bonding」)回路またはPCB(「Printed Circuit Board」)等の印刷回路への接続用に設けられた接触領域に接続する接続導線が設けられている。本例では従って、各導線のグループに対して各々の側に印刷回路、すなわち第1のグループに対してPCB1およびPCB1’、第2のグループに対してPCB2およびPCB2’が設けられている。回路PCB1およびPCB2には、対応する導線DX1、DX2を制御する回路が組み込まれている。回路PCB1’およびPCB2’は一般に、アンプAMP1およびAMP2を含んでいて、修復された導線で利用可能な電流を増大させるべくユニティゲインが設計されている。
次いで、断線、本例ではlは、修復要素の対t1a、t1bにより当該導線の2個の交差箇所p3、p4の各々で接続を形成することにより修復される。各対、本例では(t1a、t1b)または(t2a、t2b)により当該グループの導線を修復することができる。図に簡略に示す例において、当該導線は2個のグループに分けられ、各グループは対応する制御回路DX1、DX2により駆動されると共に、各グループは2対の修復セクションを含んでいて、各グループ内で最大でも2本の断線を修復することができる。実際に、この解決策は一般に大型ディスプレイに採用される。2304×3072ピクセルを有するディスプレイに適用される実際的な例において、2304本の導線を各々384本の導線を含む6個のグループに分割することができ、1グループ当たり3対の修復セクションの組ができる。
この修復構造は、特定の外部相互接続を有し、且つ広範なグループにわたり断線の修復が分布されるため、多数の故障を修復することができる。従って、大型ディスプレイまたは高解像度ディスプレイにおいて有利である。しかしこれは、固有の、換言すればカスタマイズされた回路である外部相互接続回路を使用するために高価であるという短所がある。更に、高度に容量性である配列の導線のためにこれらの相互接続回路に信号の増幅回路を組み込むことが必要な場合がある。
従ってこれらの大型ディスプレイまたは高解像度ディスプレイの場合、より安価な他の修復構造を見つける方がよいであろう。所与の工場および製品について数が推定できる全ての起こり得る断線故障の修復を、ディスプレイの特性を劣化させることなく、換言すれば浮遊抵抗および容量の観点からの修復構造の影響を減らすことにより、且つ特定の外部相互接続回路に頼ることなく可能にすることが必要である。
本発明は、この問題の解決策を提供するものであり、各々が有効表示領域の周辺に形成されたハーフリングを含む導電修復要素を用いる能動マトリクス配列の断線用の修復構造において、各要素/ハーフリングが、当該ハーフリングの2本のオープンレッグと交差する配列の導線の1個のグループだけの修復に割り当てられている。次いで断線は、当該導線の修復要素のハーフリングの2本のオープンレッグとの2個の交差箇所の各々で接続を実現することにより修復される。ループ閉鎖は少なくとも、ハーフリングの2本のオープンレッグを接続するセグメントにより実現される。
本発明は従って、能動マトリクスディスプレイに関し、当該能動マトリクスは、第1の方向に敷設された導線の第1の組と、第1の方向に直交する第2の方向に敷設された導線の第2の組との交差領域により画定される有効領域、および前記有効表示領域外の能動マトリクス基板に形成された、前記第1および第2の導線の組のうち少なくとも1組の導線における断線故障の修復要素を含んでいて、各修復要素が、有効領域の両側で互いに反対側に配置された2本のオープンレッグを有するハーフリングで形成された導線であり、前記少なくとも1組の導線において、
− 前記導線の組は、導線のグループに分割されていて、
− 前記組の各導線グループには1個の修復要素だけが割り当てられていることにより、当該導線グループ内の1導線の修復が可能になり、当該修復要素の2本のオープンレッグの各々が、少なくとも当該有効領域のいずれかの側で当該修復要素が割り当てられた前記導線グループの導線と交差し、
− 各修復要素が導体の幅を有し、当該幅は、
− 当該修復要素が割り当てられた導線グループの導線と交差する交差領域に対応する修復領域の長さにわたり実質的に一定であり、レーザーによる修復を可能にするように当該修復領域における前記幅が画定されていて、
− この修復領域外では可変であり、導線の容量結合およびアクセス抵抗を最適化するように、マトリクスの導線との交差領域外における幅が前記交差領域における幅よりも広いことを特徴とする。
本発明の一態様によれば、能動マトリクス基板上でドライバ(群)が集積された種類のディスプレイの場合、能動マトリクス配列の前記第1および第2の導線の組のうち、一組の導線の修復要素が、能動マトリクス基板上で、もう一方の組の導線を制御する集積ドライバより遠方に配置されている。
好適には、各修復要素のハーフリングのオープンレッグは対応する修復領域のすぐ後ろ、すなわちドライバとマトリクスの一辺との間で終端している。
本発明の他の利点および特徴は以下の説明および添付図面に示す。
既述のように、能動マトリクスディスプレイの総観図である。 従来技術による能動マトリクスの断線をレーザー修復する構造を示す。 本発明の第1実施形態による修復構造を示す。 本発明の修復構造の他の実施形態を示す。 集積ドライバを有するディスプレイに適用可能な1変型例を示す。 本発明による2組の修復要素、すなわち一方がマトリクスの選択線の修復用、他方がマトリクスのデータ線の修復用である修復要素を含むディスプレイのブロック図である。 本発明による修復構造の修復要素のトポロジー図である。 導線(断面AA’)に沿った交差領域の断面図である。 修復領域外のオープンレッグ(断面BB’)に沿った交差領域の断面図である。 導線(断面AA’)に沿った交差領域の断面図である。 修復領域内のオープンレッグ(断面BB’)に沿った交差領域の断面図である。
図3に、本発明による、能動マトリクス配列の基板上に完全に集積された修復構造を示し、本例では、図の上下方向に敷設された導線l、換言すれば通常は当該マトリクスのデータ線の修復に用いる。
本発明によれば、N本の導線Lを含んでいるディスプレイにおいて、これらの導線はN/k本連続した導線のグループとしてグループ化されていて、各グループに修復要素Eが割り当てられている。修復構造は従って、k個の修復要素E、すなわちN/k本の導線のグループ毎に1個を含んでいる。修復要素は、有効領域の両側において互いに反対側に配置されていて当該修復要素が割り当てられた導線グループの少なくともN/k本の導線と交差する2本のオープンレッグを有するハーフリングを含んでいる。
一例においてNは3072(384列×8グループ)に等しく、従ってグループ毎に1個の修復要素、すなわち図でE〜Eと表記された合計8個の要素で形成されている。導線Lを左から右に1〜3072と付番した場合、Eは例えば導線1〜384のうちの断線の修復に割り当てられ、Eは導線385〜768のうちの断線の修復に、Eは導線769〜1152のうちの断線の修復に、以下同様にEは導線2689〜3072のうちの断線の修復に割り当てられる。
図3に示す実施形態において、各修復要素はハーフリングである。当該修復要素に割り当てられたグループのN/k本の導線が交差する各オープンレッグ上の領域は、これらの導線のレーザー修復領域である。これらの修復領域ZRを、図面の破線パターンの矩形フレームで示す。図面の修復領域のこの表現により、各修復要素を1個の導線グループだけに割当てることができ、オープンレッグ毎に1個、且つ有効領域ZAの両側で互いに反対側にある各修復要素の2個の修復領域の位置を明確に示すことができる。
図の導線Lf等の断線は従って、当該導線に割り当てられた修復要素、本例ではEの各オープンレッグのレーザー修復領域にレーザーを使用して、この導線Lfと各オープンレッグの間に2個の接続c1およびc2を設けることにより修復できる。
修復要素がハーフリングである本例示的実施形態において、ハーフリングの2本のオープンレッグを結合するセグメントの反対側の有効領域側に修復導体が存在しないため、修復要素とアドレス線の間の交差により誘導される容量結合が最小化されることに注意されたい。実際、このため有効領域の当該側ではアドレス線の交差が生じていない。
修復要素は、有効領域外に、オープンレッグが導線Lと交差するように配置されている。
特にディスプレイに固有のアドレス指定特徴を考慮することにより、この場合も修復要素と導線の交差に起因する容量結合を極力最小化する観点から、各種の実施形態が可能である。図3〜6に、ディスプレイにおけるアドレス指定の各種の可能性を利用する、可能な実施形態を示す。これらの図全体を通じて、本発明による各修復要素の修復領域ZRを上と同様に示す共に、有効表示領域ZAを縞模様で示す。
図3の実施形態は特に、マトリクスの導線群Lに直交していて画像ドットの行の選択線に対応する導線群lのあるものが左、例えば回路DXにより偶数導線から、その他のものは右、例えば回路DXにより奇数導線からアドレス指定されるディスプレイに適している。
本実施形態において、修復要素半分であるE〜Eには有効領域ZAの左側のハーフリングの2本のオープンレッグが取り付けられたセグメントが配置され、他の半分E〜Eには有効領域の右側のハーフリングの2本のオープンレッグが取り付けられたセグメントが配置されている。左側では、修復要素E〜Eは本例におけるl、l2084等の偶数導線としか交差できず、修復要素E〜Eはl、l2083等の奇数導線としか交差できない。
図4に、本実施形態の1変型例を示し、修復要素のオープンレッグがそれらの修復領域のすぐ後ろで切断されているかまたは終端している。交差領域は従って、各修復要素が少なくとも修復する必要がある導線グループと交差するのに必要最小限に狭められている。これにより、図3の実施形態とは対照的に修復要素の長さがもはや実質的に等しくないため、導線群Lとの結合に差異が生じる。しかし、結合におけるこのような差異は、マトリクスの画像ドットをアドレス指定するための標準的な条件下では、データ線Lの帯電時間が画像ドットの帯電時間に比べて無視できるため、その観点から実際には問題ではない。
図5に、図3の実施形態の別の変型例を示し、修復要素のセグメントが全て同じ側、本例では右側にある。このような実施形態は特に、マトリクスの導線群Lに直交していて画像ドットの行の選択線に対応する導線群lの全てが回路DX(または図2の回路DX、DXのような複数の制御回路)により同じ側からアドレス指定されるディスプレイに適している。本実施形態では、導線群lはどの修復要素、特にセグメントSGのいずれとも交差しない。従って、不要な修復要素/アドレス線の結合が最小化される。
図6は、図4の変型例に対応する図5の実施形態の変型例であり、これによると、各修復要素のオープンレッグがその修復領域のすぐ後ろで切断されている。
図7に、集積ドライバを有するディスプレイに適用可能な本発明の別の実施形態を示す。「集積ドライバ」と呼ばれるドライバが能動マトリクス基板上の有効領域間とマトリクスの一辺との間の周辺領域に形成されている。より具体的に示す例において、lと表記された選択線と呼ばれる導線を外部から受信する制御信号Scomに基づいて駆動する、図内でDlと表記された導線ドライバがある。本例でもまた、これらのドライバは能動領域の両側に重複配置されていて、各導線lの両端を介して制御信号を送信することができる。導線ドライバの重複配置により、レーザーによる修復を行うことなく断線故障を直接直すことができる。従って、そのような構造により、導線Lの断線故障の修復はレーザーだけで行われる。
利点として、導線ドライバDlにより駆動される導線lに直交するアドレス線Lの修復要素Eは、これらのドライバより遠方に、換言すればドライバとマトリクスの一辺の間に配置されているため、能動領域から始めて外側へ、最初にこれらのドライバDl、次いで修復要素Eが見出される。この構成が好都合なのは、この場合修復要素Eが、数が減った制御信号Scom以外、これらのドライバDlにより駆動される導線lのいずれとも交差しないためである。修復要素/アドレスおよび/または制御線交差により誘導される浮遊結合容量は従って最適化(最小化)される。導線Lの修復要素および導線lのドライバに適用できることは、導線lの修復要素および導線Lの制御ドライバにも同様に適用できる。
今説明した実施形態は、表示すべきビデオ情報が送信されるデータ線に対応する導線Lにおける断線の修復に対応している。新規ビデオデータの適用が望まれる画像ドットの行を選択する選択線lは、通常、能動マトリクス基板の表面に形成されており、これらの断線故障が生じ難い。にもかかわらず、これらの導線に修復構造を設けることは望ましいであろう。
図8は従って、マトリクスの2組の導線lおよびLの断線の修復に対する本発明の適用を示し、修復要素E(l)の第1の組Jlが有効領域外のそれらのセグメントSGと共に導線lに平行な辺に沿って配置され、修復要素E(L)の第2の組JLが有効領域外のそれらのセグメントSGと共に導線Lに平行な辺に沿って配置されている。
図9a〜9cに本発明の別の態様を示し、各修復要素毎に、交差領域にあるか否か、および問題の修復要素の修復領域の交差領域にあるか否かに応じて変化する導体の幅を判定することにより結合が最小化される。修復領域をグレーの領域で示す。
より具体的には、図9aに、本例では各々導線L〜L、L〜L10、L11〜L15と交差する3個の修復要素E、EおよびEの下部オープンレッグの詳細を示す。
本例では、これらのオープンレッグは各々自身に割り当てられた導線と共に、これらのうち1本を修復すべく、交差領域に対応する修復領域の後ろで終端している。
本発明の一態様によれば、修復領域において、各修復要素は、導体の実質的に一定の幅e1を有し、レーザー修復と互換性がある。
この修復領域において、修復要素と交差する導線Lは、導体の実質的に等しい幅e2を有している。通常、修復要素と、それが交差し且つ修復可能な導線との間の導体の交差領域は、20×20または30×30平方マイクロメートル程度である。
修復領域外では、アクセス抵抗および/または導体と交差する導線との結合容量を最適化すべく、修復要素の導体の幅は可変的である。
特に、各修復要素毎に、修復要素と、前記修復領域外で当該修復要素が交差する能動マトリクス配列の各導線、換言すれば導線Lおよび/または導線lの各導線、との間の容量結合を、当該修復要素がこれらの導線と交差する限り、減らすことが目的であって、これらを修復することは意図していない。本発明の一態様によれば、修復要素毎に、修復領域外の各交差領域において、修復要素の導体の幅が幅e1'<e1まで狭められる。好適には、この同じ交差領域において、当該位置で修復導体が交差する導線、本例では導線L、の導体の幅もまた、幅e2'<e2まで狭められる。e1’とe2’は実質的に等しい。一つの実際的な例において、これらは4ミクロン程度である。
本発明の別の態様によれば、修復領域外および交差領域t外では、好適には、修復要素のアクセス抵抗を最小化すべく、修復要素の導体の幅はより広く、例えば修復領域内の導体の幅e1に等しいかまたはより広い。
図9b、9cに、アドレスおよび/または制御線との交差領域に応じて上に示した3個の特徴、すなわち修復領域ZRにおけるレーザー修復の幅、交差領域ZHCR外に領域における最小アクセス抵抗を得るべく最適化された可能な最大幅、修復領域ZCR外の交差領域における最小結合容量を得るべく最適化された可能な最小幅を組み合わせた、本発明による修復要素の導体の一般的な形式、本例では能動マトリクス基板表面のハーフリングを模式的に示す。図9bは、図7に示す実施形態に対応する修復要素に対応しており、修復要素は、集積ドライバおよび導線Lの制御信号Scom以外、導線lのいずれとも交差しない。図9cは、図4に示す実施形態に対応しており、修復要素は導線lおよび導線Lと交差している。修復要素により生じる導線の帯電を最小化する際に考慮すべき別の要素は、通常は別の基板に形成され、図10に模式的に示すように能動マトリクス回路の最後のレベルより上に置かれた対向電極CEの導電面である。当該導電面は、必ずしも有効表示領域に限られている訳ではなく、少なくとも一部は周辺を覆っていてよい。当該導電面と修復要素の結合も従って考慮に入れなければならない。特に、修復領域外の導体の幅の変動は、容量結合およびアクセス抵抗を最適化するための妥協から生じている。更に、好適には修復要素を対向電極導電面から最も遠い導体レベルに、換言すれば能動マトリクス基板の表面に形成することにより、導電面との結合が最小化される。修復要素の導線との交差領域における各種の対応導電レベルを、図9aの軸AA’およびBB’に沿った断面における修復領域ZR内の交差である場合は図10、11に示し、図9aの軸CC’およびBB’に沿った断面における修復領域外の場合は図12、13に示す。本発明による修復領域を図にグレーの領域で示す。
図10に、導線Lとの交差領域における、修復要素Eに沿った断面を示す。修復要素は、透明なガラスまたはプラスチックである能動マトリクス基板の直上、導体レベルM1上に形成される。この導体レベルは通常、Mo、Ti、Alまたはこれらの金属の任意の組合せまたは類似特性(低抵抗、ハンダ付けへの適合性)を有する金属から作られている。導線Eは、レベルM1の上の導体レベルM2に形成されていて、少なくとも1個の絶縁層I1、例えば窒化ケイ素(SiN)により当該レベルM1から絶縁されている。少なくとも1個の他の絶縁およびパシベーション層I2が当該レベルM2の最上部に形成されている。図示しない変型例として、2個の導体レベルM1とM2の交差領域における、レベルI1とM2の間で、第2の導体レベルM2の直下でのアモルファスシリコンのスラブの局所堆積により、レーザー修復を妨げることなく、2レベル間の絶縁性が向上する。
レーザー修復rplがある場合、図に破線で模式的に示すように、交差領域において絶縁体の穴および2個のレベルM1とM2との間に溶接がなされる。
図11に、修復領域における交差領域を、本例では修復要素Eと導線Lの交差に対応する修復要素の軸に沿った断面BB’として示す。
図12、13は、修復領域外の交差領域における断面図である。図12は、本例では修復要素Eと導線Lの交差に対応している。図13は、本例では修復要素Eと導線Lの交差に対応している。これらの2図は、互いに対向する導体の表面積、従って結合容量を減らすべく導体の幅が狭められた状態を示す。図示しない変型例として、2個の導体レベルM1とM2の交差領域における、レベルI1とM2の間で、第2の導体レベルM2の直下でのアモルファスシリコンのスラブの局所堆積により、2レベル間の絶縁性が向上する。
今説明した本発明は、提示した例示的実施形態に限定されない。特に、導線の制御回路が外付けであるか内蔵であるか、それらが駆動する導線の両側に設置されているか否か、および選択線とデータ線の各々の故障率、並びに各ディスプレイに用いるアドレス指定の種類に応じて、最も適切な修復構造が決定される。
更に、提示する図面は修復要素をハーフリングとして示しているが、本発明はこの実施形態に限定されない。特に、ハーフリングは、本発明の範囲から逸脱することなく、任意の手段、例えば、従来技術(図1)による外部ループにより閉じることができる。

Claims (7)

  1. 能動マトリクスディスプレイであって、前記能動マトリクスが、第1の方向に敷設された導線(L)の第1の組(L)と、前記第1の方向に直交する第2の方向に敷設された導線(l)の第2の組(L)との交差領域により画定される有効領域(ZA)、および前記有効表示領域(ZA)外の前記能動マトリクス基板に形成された、前記第1および第2の導線の組のうち少なくとも1組の導線(L、L)における断線故障の修復要素を含んでいて、各修復要素(E)が、前記有効領域の両側で互いに反対側に配置された2本のオープンレッグを有するハーフリングで形成された導線であり、前記少なくとも1組の導線において、
    − 前記導線の組は、導線のグループに分割されていて、
    − 前記組の各導線グループには1個の修復要素だけが割り当てられていることにより、前記導線グループ内の1導線の前記修復が可能になり、前記修復要素の2本のオープンレッグの各々が、少なくとも前記有効領域のいずれかの側で前記修復要素が割り当てられた前記導線グループの導線と交差し、
    − 各修復要素が導体の幅を有し、前記幅は、
    − 前記修復要素が割り当てられた前記導線グループの導線と交差する前記交差領域に対応する修復領域(ZR)の長さにわたり実質的に一定であり、レーザーによる修復を可能にするように前記修復領域における前記幅が画定されていて、
    − 前記修復領域外では可変であり、導線の容量結合およびアクセス抵抗を最適化するように、前記マトリクスの導線との交差領域外における幅が前記交差領域における幅よりも広いことを特徴とする能動マトリクスディスプレイ。
  2. 前記交差領域外の修復要素の幅が、前記修復領域内の幅に等しいかまたはより大きい、請求項1に記載のディスプレイ。
  3. 前記有効領域と前記マトリクスの一辺の間で前記マトリクスの周辺領域に配置された前記能動マトリクス基板にドライバ(群)が集積された種類である、請求項1に記載のディスプレイにおいて、前記能動マトリクス配列の前記第1および第2の導線の組のうち、ある導線(L)の組の前記修復要素(E)が、前記能動マトリクス基板上で、前記ドライバと前記マトリクスの一辺との間で、もう一方の組の導線(L)を制御する集積ドライバ(DLi)より遠方に配置されているディスプレイ。
  4. 各修復要素の前記ハーフリングの前記オープンレッグが、対応する修復領域(ZR)のすぐ後ろで終端する、請求項1〜3のいずれか1項に記載のディスプレイ。
  5. 前記修復要素の前記ハーフリングは、前記セグメントの半数が前記オープンレッグを前記有効領域の一方の側に取り付けられ、半数をもう一方の側に取付けられるように分けられている、請求項1〜4のいずれか1項に記載のディスプレイ。
  6. 前記修復要素の前記ハーフリングの全ての取付セグメントが前記有効領域の同じ側にある、請求項1〜4のいずれか1項に記載のディスプレイ。
  7. 前記修復要素(E)が、前記能動マトリクス基板の表面に堆積された第1の導体レベル(M1)に形成されていて、前記マトリクスの導線が、少なくとも1個の絶縁層(I1)により前記第1の導体レベル(M1)から分離されていてそれよりも上の第2の導体レベル(M2)にあるこれらの導体要素と交差する、請求項1〜6のいずれか1項に記載のディスプレイ。
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