JP2013517577A - レベル2メモリの一部分とレベル1メモリとにアクセスするシステムおよび方法 - Google Patents
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Abstract
Description
102 L1メモリアクセス要求
104 レベル1メモリ
106 データ
106 L1データ
108 第1の部分
108 レベル2メモリの第1の部分
110 第2の部分
110 レベル2メモリの第2の部分
112 レベル2メモリ
114 メモリシステム
202 L2メモリアクセス要求
203 第1の信号線
204 マルチプレクサ
205 第2の信号線
206 ポート
206 入力ポート
208 サブアレイ
212 アドレスライン
216 アドレスライン
218 マルチプレクサ
218 出力マルチプレクサ
220 アドレスライン
224 アドレスライン
226 ステータスビット
228 値
229 第1の信号線
230 第2の信号線
290 信号線
292 選択要素の第1のセット
292 選択要素の第2のセット
294 選択要素
296 L2データ
510 DSP
510 デジタル信号プロセッサ
522 システムオンチップデバイス
526 ディスプレイコントローラ
528 ディスプレイ
530 入力デバイス
532 メモリ
534 コーダ/デコーダ(コーデック)
534 コーデック
536 スピーカー
538 マイクロフォン
540 ワイヤレスコントローラ
542 ワイヤレスアンテナ
544 電源
552 ソフトウェア
Claims (26)
- レベル1キャッシュと、
レベル2メモリの第1の部分が入力ポートに結合され、前記レベル1キャッシュと並列にアドレス指定可能である、レベル2メモリと
を含む、装置。 - メモリアクセス要求が前記レベル1キャッシュと前記レベル2メモリの前記第1の部分とに与えられる、請求項1に記載の装置。
- 前記レベル1キャッシュの第1のデータリードレイテンシがプロセッササイクルの第1の数であり、前記レベル2メモリの前記第1の部分の第2のデータリードレイテンシがプロセッササイクルの第2の数であり、前記第2の数が前記第1の数以下である、請求項1に記載の装置。
- 前記レベル2メモリの前記第1の部分の前記第2のデータリードレイテンシが、前記レベル2メモリの少なくとも1つの他の部分の第3のデータリードレイテンシよりも小さい、請求項3に記載の装置。
- 前記レベル2メモリがレベル2キャッシュである、請求項3に記載の装置。
- 前記レベル2メモリが密結合メモリまたはキャッシュである、請求項1に記載の装置。
- 前記レベル2メモリの前記第1の部分が前記レベル1キャッシュの近傍に物理的に配置される、請求項1に記載の装置。
- 前記レベル2メモリの前記第1の部分が前記レベル2メモリの単一のサブアレイを含む、請求項7に記載の装置。
- 前記単一のサブアレイが、少なくとも前記レベル2メモリの第2の部分よりも短いアドレスライン長を含み、前記レベル2メモリよりも小さい面積を含む、請求項8に記載の装置。
- 前記入力ポートがマルチプレクサを含む、請求項1に記載の装置。
- 前記入力ポートが前記レベル1キャッシュに結合された、請求項1に記載の装置。
- 前記レベル2メモリの前記第1の部分に結合され、前記レベル1キャッシュに結合された出力マルチプレクサをさらに含む、請求項1に記載の装置
- 少なくとも1つの半導体ダイに組み込まれた、請求項1に記載の装置。
- セットトップボックスと、音楽プレーヤと、ビデオプレーヤと、エンターテインメントユニットと、ナビゲーションデバイスと、通信デバイスと、携帯情報端末(PDA)と、固定ロケーションデータユニットと、コンピュータとからなるグループから選択されたデバイスであって、前記半導体ダイが組み込まれたデバイスをさらに含む、請求項13に記載の装置。
- メモリアクセス要求を受信するステップと、
前記メモリアクセス要求をメモリシステムに配信するステップであって、前記メモリシステムが、レベル1メモリとメモリのサブ部分とを含む、配信するステップと、
前記レベル1メモリと前記メモリの前記サブ部分とのうちの1つからデータを選択的に与えるステップと
を含む方法。 - 前記データが、前記メモリアクセス要求に対応する値に基づいて、前記レベル1メモリと前記メモリの前記サブ部分とのうちの1つから選択的に与えられる、請求項15に記載の方法。
- 前記データが前記レベル1メモリにおいて記憶されるのか、前記メモリの前記サブ部分において記憶されるのかを示す値に基づいて、前記データが前記レベル1メモリと前記メモリの前記サブ部分とのうちの1つから選択的に与えられる、請求項15に記載の方法。
- 前記メモリアクセス要求に応答するメモリアクセスは、前記メモリアクセスが前記レベル1メモリにおいて行われるのか、前記メモリの前記サブ部分において行われるのかとは無関係である時間期間中に行われる、請求項15に記載の方法。
- 前記レベル1メモリが、キャッシュと密結合メモリとのうちの1つである、請求項15に記載の装置。
- 前記サブ部分が前記メモリのサブアレイである、請求項15に記載の装置。
- 前記メモリの前記サブ部分に対応するステータスビットを検査するステップと、
前記ステータスビットが、前記メモリの前記サブ部分が有効であることを示していることに応答して、前記メモリの前記サブ部分に前記メモリアクセス要求をルーティングするステップと
をさらに含む、請求項15に記載の方法。 - 前記メモリアクセス要求が、前記レベル1メモリと前記メモリの前記サブ部分の両方に同時に配信される、請求項15に記載の方法。
- メモリアクセス要求のアドレスに基づいて前記レベル1メモリまたは前記メモリの前記サブ部分のいずれかから前記データを選択的に検索するステップをさらに含む、請求項15に記載の方法。
- 前記メモリアクセス要求を配信するステップと、前記レベル1メモリまたは前記メモリの前記サブ部分のいずれかからデータを与えるステップとが、電子デバイスに組み込まれたプロセッサにおいて実行される、請求項15に記載の方法。
- マルチレベルアクセスメモリシステムにおいて第1レベルアクセスのためのデータを記憶するための手段と、
前記マルチレベルメモリシステムにおいて第2レベルアクセスのためのデータを記憶するための手段であって、前記第2レベルアクセスのためのデータを記憶するための前記手段の一部分が、入力ポートに結合され、前記第1レベルアクセスのためのデータを記憶するための前記手段と並列にアドレス指定可能である、第2レベルアクセスのためのデータを記憶するための手段と
を含む装置。 - 少なくとも1つの半導体ダイに組み込まれた、請求項25に記載の装置。
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