JP2013513939A - 電子デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
(a)電子基板を用意するステップと、
(b)基板上に第1の絶縁材料を堆積して第1の絶縁層を形成するステップと、
(c)第1の絶縁層上に第2の絶縁材料を堆積して第2の絶縁層を形成するステップと、
(d)第2の絶縁層の一部分を除去して第1の絶縁層の一部分を露出させ、第2のウェル画定バンクを形成するステップと、
(e)第2の絶縁層上および露出した第1の絶縁層の一部分上にレジストを堆積するステップと、
(f)レジストによって覆われていない第1の絶縁層の部分を除去して、電子基板の一部分を露出させ、第2のウェル画定バンク内に第1のウェル画定バンクを形成するステップと、
(g)レジストを除去するステップと
を含む。
Claims (22)
- 二重バンクウェル画定構造を備える電子デバイスを製造する方法であって、
(a)電子基板を用意するステップと、
(b)前記基板上に第1の絶縁材料を堆積して第1の絶縁層を形成するステップと、
(c)前記第1の絶縁層上に第2の絶縁材料を堆積して第2の絶縁層を形成するステップと、
(d)前記第2の絶縁層の一部分を除去して前記第1の絶縁層の一部分を露出させ、第2のウェル画定バンクを形成するステップと、
(e)前記第2の絶縁層上および前記露出した第1の絶縁層の一部にレジストを堆積するステップと、
(f)前記レジストによって覆われていない前記第1の絶縁層の部分を除去して、前記電子基板の一部分を露出させ、前記第2のウェル画定バンク内に第1のウェル画定バンクを形成するステップと、
(g)前記レジストを除去するステップと
を含む方法。 - 前記第1のウェル画定バンクが、外側バンクである前記第2のウェル画定バンク内の内側バンクである、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の絶縁材料が、前記第1の絶縁材料よりも低い濡れ性を有する、請求項1または2に記載の方法。
- 前記第1の絶縁層が、エポキシを主成分とするネガフォトレジストから形成される、請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
- 前記第2の絶縁層が、フッ素化添加物を有するネガフォトレジスト、またはフッ素化ポジフォトレジストのいずれかから形成される、請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- 第1の有機半導電性材料の溶液を前記第1のウェル内に堆積するステップと、第2の有機半導電性材料の溶液を前記第1の有機半導電性材料上および前記第2のウェル内に堆積するステップとをさらに含む、請求項1〜5のいずれかに記載の方法。
- 前記第1の有機半導電性材料および第2の有機半導電性材料の前記堆積が、結果として前記第1の有機半導電性材料および第2の有機半導電性材料に対して2つの異なるピニング点となる、請求項6に記載の方法。
- 前記第1の有機半導電性材料が正孔注入層(HIL)である、請求項6または7に記載の方法。
- 前記第2の有機半導電性材料が、中間層(IL)および発光ポリマー(LEP)から選択される、請求項6〜8のいずれかに記載の方法。
- 前記レジストによって覆われていない前記第1の絶縁層の前記部分を除去する前記ステップ(f)が、ウェットエッチング、または好ましくはO2プラズマ処理を使用するドライエッチングを使用して実行される、請求項1〜9のいずれかに記載の方法。
- 前記レジストによって覆われていない前記第1の絶縁層の前記部分を除去する前記ステップ(f)が、ウェットエッチングを使用して実行される、請求項10に記載の方法。
- 前記ステップ(f)が、前記電子基板表面が清浄で親水性となるように、前記電子基板表面を露出させる、請求項10または11に記載の方法。
- 前記第2の絶縁層が、80°以上の接触角を有している、請求項1〜12のいずれかに記載の方法。
- 前記第1の絶縁層が、100°以上の接触角を有している、請求項1〜13のいずれかに記載の方法。
- 請求項1〜14のいずれかに記載の方法によって得ることができる電子デバイス。
- 回路素子を有する電子基板と、前記電子基板上に配置され、第1のウェルを画定する絶縁材料の第1の層と前記第1の層を覆い第2のウェルを画定する絶縁材料の第2の層とを有し、絶縁材料の前記第2の層が絶縁材料の前記第1の層よりも低い濡れ性を有する二重バンクウェル画定構造と、前記第1のウェル内に配置される有機半導電性材料の第1の層と、前記第1の層上および前記第2のウェル内に配置される有機半導電性材料の第2の層とを備え、前記第1のウェルの前記バンクが正孔注入層を構成する溶液に対して疎水性である、電子デバイス。
- 前記第1のウェルと第2のウェルが異なる外形を有する、請求項16に記載の電子デバイス。
- 有機半導電性材料の前記第1の層および第2の層に対して異なるピニング点を有する、請求項16または17に記載の電子デバイス。
- 前記第1の絶縁材料および/または前記第2の絶縁材料が、請求項3〜5、請求項13および請求項14のいずれかにおいて定義される、請求項16〜18のいずれか一項に記載の電子デバイス。
- 前記第1の半導電性材料および/または前記第2の半導電性材料が、請求項8または請求項9において定義される、請求項16〜19のいずれか一項に記載の電子デバイス。
- 前記電子デバイスが有機薄膜トランジスタであり、前記電子基板の前記回路素子がソース電極およびドレイン電極を備え、これら電極上に前記二重バンク構造が配置され、チャネル領域が前記ソース電極と前記ドレイン電極間に画定される、請求項16〜20のいずれか一項に記載の電子デバイス。
- 前記電子デバイスが有機発光デバイスであり、前記電子基板の前記回路素子が前記有機発光デバイスの下部電極を備える、請求項16〜20のいずれか一項に記載の電子デバイス。
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