JP2013507413A - オルガノオリゴシルセスキオキサンの製造方法 - Google Patents

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Abstract

本発明の主題は、一般式(III):(W4NOSiO3/2zのシリケート100Molを、一般式(IV):R1 2YSi−O−SiR1 2Yのジシロキサン化合物 最高で1.3×50×zMolと反応させることによる、一般式(I):[RSiO3/2zのオルガノオリゴシルセスキオキサンの製造方法である。

Description

本発明は、シリケート及びジシロキサン化合物からのオルガノオリゴシルセスキオキサンの製造方法に関する。
オルガノオリゴシルセスキオキサンは、シリコーン及び有機ポリマーのための架橋剤として使用することができる。
DE 38 37 397 A1及びDE 101 56 619 A1にも、オルガノオリゴシルセスキオキサン及びその製造方法が開示されている。この場合、DE 38 37 397 A1には、有利に、反応生成物のための溶剤としての過剰量の反応体との反応による、このようなオルガノオリゴシルセスキオキサンの製造が記載されていることが明らかである。
更に、DE 38 37 397に記載された実施例8及び9は、シリケート製造から始まり、純粋な反応生成物を得るまでに製造技術的に6段階プロセスである製造方法が記載されている:
第1段階:沈降ケイ酸を水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液との反応によるシリケートベースの製造
第2段階:この反応混合物の濃縮及び4℃での生成物のケイ酸テトラメチルアンモニウムの晶析
第3段階:ケイ酸テトラメチルアンモニウムと、オルガノオリゴシルセスキオキサンのための溶剤として機能する、過剰量で使用される反応体との反応
第4段階:有機相の相分離及び中性にするための洗浄
第5段階:乾燥のために、洗浄した中性の反応混合物の蒸発
第6段階:アルコールからの残留物の再結晶。
従って、DE 38 37 397 A1は、高純度のオルガノオリゴセスキオキサンを製造するための、必然的に高いコストでかつ比較的悪い収率(60〜70%)での製造方法を記載している。
本発明の主題は、一般式(I)
[RSiO3/2z (I)
[式中、
Rは、一般式(II)
−O−SiR1 2Y (II)
の基を表す]のオルガノオリゴシルセスキオキサンの製造方法において、
一般式(III)
(W4NOSiO3/2z (III)
のシリケート100Molを、一般式(IV)
1 2YSi−O−SiR1 2Y (IV)
[式中、
1は、二価のC1〜C6−炭化水素基又はC1〜C6−アルコキシ基を表し、
Yは、水素原子又はハロゲン置換された又はハロゲン置換されていないC1〜C10−炭化水素基を表し、
Wは、C1〜C4−アルキル基を表し、
zは、6、8又は10の数を表す]のジシロキサン化合物 最高で1.3×50×zMolと、
反応温度で液状でありかつ沈殿剤100ml中に反応温度で最高で1gの一般式(I)のオルガノオリゴシルセスキオキサンを溶解する沈殿剤の存在で反応させる、オルガノオリゴシルセスキオキサンの製造方法である。
一般式(I)のオルガノオリゴシルセスキオキサンのための本発明による製造方法は沈殿反応であり、この沈殿反応において、反応体のいずれもが、一般式(I)の生じたオルガノオリゴセスキオキサンのための溶剤として機能しない。従って、一般式(I)の生成物は反応媒体中で、反応直後に、1H−NMRにより測定して、95〜100%の、特に99〜100%の高い純度で晶出する。一般式(I)のオルガノオリゴシルセスキオキサンは、有利に無色の粉末として生じる。一般式(III)の使用されたシリケートに対して、少なくとも70%の高い収率が達成可能である。
この方法は、簡単でありかつ低コストである。本発明による方法の場合に、先行技術に記載されていたような工業的に手間のかかるプロセス工程、例えば相分離、洗浄、乾燥、再結晶が省かれる。
本発明による製造プロセスは、バッチプロセスとして、セミバッチプロセスとして及び連続プロセスとして実施することができる。
Rは、一般式(IV)の同じ又は異なる、対称の又は非対称のジシロキサン化合物の選択により、同じ又は異なる基を意味する。特に有利に、基Rは−O−Si(CH32H又は−O−Si(CH3232である。
1は、有利に、メチル基、エチル基又はフェニル基、又はメトキシ基、エトキシ基又はプロポキシ基を表す。
Yは、有利に、メチル基、フェニル基又はC2〜C10−アルケニル基を表し、前記アルケニル基は二重結合を1つだけ有し、特にビニル基又はアリル基である。他の有利な基Yは、ハロゲン原子、例えば塩素又は臭素を末端の炭素原子に有するC1〜C10−アルキル基、特に3−クロロプロピル、3−ブロモプロピル、6−クロロヘキシルである。
Wは、有利に、メチル基、エチル基又はn−プロピル基を表す。
有利に、一般式(III)のシリケート100モル部に対して、最高で1.2×50×zモル部、特に有利に最高で1.1×50×zモル部、殊に有利に最高で1.05×50×zモル部の一般式(IV)のジシロキサン化合物が使用される。有利に、一般式(III)のシリケート100モル部に対して、少なくとも0.3×50×zモル部、特に有利に少なくとも0.8×50×zモル部、殊に有利に最高で0.95×50×zモル部の一般式(IV)のジシロキサン化合物が使用される。
有利に、反応温度は少なくとも0℃、特に少なくとも20℃、有利に最高で100℃、特に有利に最高で60℃、殊に最高で40℃である。
有利に、この反応は周囲雰囲気の圧力、つまり約0.1MPa(絶対)で実施されるが、より高い圧力又はより低い圧力で実施することもできる。少なくとも0.08MPa(絶対)、特に有利に少なくとも0.09MPa(絶対)、特に有利に最高で0.2MPa(絶対)、殊に最高で0.15MPa(絶対)の圧力が有利である。
この沈殿剤は、反応温度、特に25℃で、0.1MPaで液状である。この沈殿剤は、反応の場合に希釈剤としても利用される。沈殿剤として、0.1MPaで120℃までの沸点若しくは沸騰範囲を有する溶剤又は溶剤混合物が有利である。有利な沈殿剤は、極性溶剤、例えば水;アルコール、例えばメタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール又はブタノール;エーテル、例えばジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル;塩素化された炭化水素、例えばジクロロメタン、トリクロロメタン、1,2−ジクロロエタン、トリクロロエチレン、ケトン、例えばアセトン;ラクトン例えば4−ブチロラクトン;ニトリル例えばアセトニトリル;ニトロ化合物、例えばニトロメタン;第3級カルボン酸アミド、例えばジメチルホルムアミド;尿素誘導体、例えばテトラメチル尿素又はジメチルプロピレン尿素(DMPU);スルホキシド、例えばジメチルスルホキシド(DMSO);スルホン例えばスルホラン;炭酸エステル、例えば炭酸ジメチル又は炭酸エチレン、二硫化炭素及びニトロベンゼン;第1級及び第2級アミン、例えばジエチルアミン;カルボン酸、例えばギ酸又は酢酸);第1級及び第2級アミド例えばホルムアミド;鉱酸、例えば硫酸、硝酸、リン酸、塩酸、ホウ酸;又はこれらの溶剤の混合物である。
本発明による方法は、有利に極性のプロトン性溶剤中で実施される。この場合、水及びアルコールが有利である。
有利に、沈殿剤100ml中に、反応温度で最大で0.5g、特に最大で0.1gの一般式(I)のオルガノオリゴシルセスキオキサンが溶解される。
本発明による方法は、有利に、酸性触媒の存在で実施される。触媒及びその使用量は、先行技術から公知である。一般式(III)のシリケート100Mol当たり、有利に少なくとも0.01Mol、特に有利に少なくとも0.1Mol、殊に少なくとも0.5Mol、殊に有利に少なくとも5Molの触媒、及び最高で200Mol、特に有利に最高で100Mol、殊に最高で50Molの触媒が使用される。
このような酸性触媒の例は、酸、特にルイス酸、例えばBF3、AlCl3、TiCl4、SnCl4、SO3、PCl5、POCl3、FeCl3及びその水和物、ZnCl2及び窒化塩化リン;ブレンステッド酸、例えば塩酸、臭化水素酸、硫酸、クロロスルホン酸、リン酸、例えばオルト−、メタ−及びポリリン酸、ホウ酸、亜セレン酸、硝酸、酢酸、プロピオン酸、ハロゲン酢酸、例えばトリクロロ酢酸及びトリフルオロ酢酸、シュウ酸、p−トルエンスルホン酸、酸性イオン交換体、酸性ゼオライト、酸活性の酸性白土、酸活性カーボンブラック、フッ化水素、塩化水素等である。特に塩酸が有利である。
一般式(III)のシリケートの製造は、先行技術において公知であり、例えばD. Hoebbel及びW. Wieker著(Zeitschrift fuer anorganische und allgemeine Chemie 384, p. 43-52 (1971))及びI. Hasegawa及びS. Sakka著(Journal of Molecular Liquids 34, p. 307-315 (1987))に記載されている。この製造は、例えば水酸化テトラアルキルアンモニウムの存在で、水性メタノール中でのケイ酸テトラエチルの加水分解により行われ、その際、水酸化テトラアルキルアンモニウム及び反応体の質量比の適切な選択により、zが6、8又は10を表す式(III)の分子を選択的に製造することができる。
有利な実施態様の場合には、第1段階で、一般式(III)のシリケートを、沈殿剤、特に水、メタノール又はこれらの混合物中のW4+ OH-の溶液中で、アルコキシ基が1〜6個、特に1、2又は3個の炭素原子を有するテトラアルコキシシランを用いて製造する。こうして製造された混合物は、次いで本発明による方法中で粗製生成物として直接使用することができる。
これはこの方法の著しい簡素化である、それというのも一般式(III)のシリケートは、再結晶により予め精製することなしに使用できるためである。
他の有利な実施態様の場合には、この反応の際にテトラアルキルアンモニウムカチオンと触媒のアニオンからの同様に生じる塩W4+-、特に塩化テトラメチルアンモニウムが分離され、アルカリ金属水酸化物又はアルカリ土類金属水酸化物、有利にアルコール性の、例えばメタノール性のKOH溶液を用いて、W4+ OH-、特に水酸化テトラアルキルアンモニウムに再生させる。このW4+ OH-は、次いで一般式(III)のシリケートの製造のために新たに使用することができる。
本発明による方法により製造された、一般式(I)のオルガノオリゴシルセスキオキサンは、ポリマー用の、特にシリコーン用の架橋剤として使用することができる。
上記の式の上記の全ての記号は、それぞれ相互に無関係に上記式の意味を有する。全ての式中で、ケイ素原子は四価である。
上述した全ての反応体及び補助化学薬品は単独で又は混合して使用することができる。
実施例
次の実施例において、それぞれ他に記載がない限り、
a) 全ての量の表示は質量に対し;
b) 全ての圧力は、0.10MPa(絶対)であり;
c) 全ての温度は20℃である。
実施例1(DE3837397A1の実施例8に相当、本発明によらない):
オクタ(ビニルジメチルシロキシ)オクタシルセスキオキサン[(H2C=CH)(CH32SiOSiO3/28の合成
a) 沈降ケイ酸82.2gに、10%の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液(TMAOH)1250mlを添加した。この混合物を25℃で16時間及び50℃で8時間撹拌した後に、透明な溶液が得られた。この溶液を、その出発容量の2/3まで濃縮し、得られたケイ酸テトラメチルアンモニウムを4℃で晶析させた。まだ水を含有するケイ酸テトラメチルアンモニウム359.5gが得られた。
b) このケイ酸テトラメチルアンモニウム160gを、H2O 450ml、イソプロパノール1000ml、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン(Wacker Chemie AG社(ミュンヘン、ドイツ国)からWacker Siloxan VSi2として入手)1700ml(1387g)及び濃塩酸550mlからなるよく撹拌した混合物に少しずつ添加し、引き続きこの反応混合物を室温で7日間撹拌した。次いで、相分離し、有機相を水で中性になるまで洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、完全に蒸発させた。この残留物をエタノールから再結晶させた。結晶質の物質64g(使用したケイ酸に対して、理論値の69%)が得られ、これは蒸気圧浸透圧測定により1120g mol-1の分子量を有する。ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)ダイアグラムは、均一な化合物を示す。1H−NMR、29Si−NMR及びIRデータは、オクタ(ビニルジメチルシロキシ)オクタシルセスキオキサンの構造と一致する。
実施例2(DE3837397A1の実施例9に相当、本発明によらない):
オクタ(ジメチルシロキシ)オクタシルセスキオキサン[H(CH32SiOSiO3/28の合成
実施例1a)により製造されたケイ酸テトラメチルアンモニウム160gを、H2O 400ml、イソプロパノール1000ml、1,1,2,2−テトラメチルジシロキサン(Wacker Chemie AG社(ミュンヘン、ドイツ国)からWacker Siloxan HSi2として入手)1500ml(1136g)及び10%の塩酸200mlからなるよく撹拌した混合物に少しずつ添加し、引き続きこの反応混合物を室温で4時間撹拌した。
他の後処理は実施例1b)に記載されたのと同様に行った。得られたシリル化生成物をアセトンから再結晶させた。
結晶質の物質52.0g(使用したケイ酸に対して、理論値の67%)が得られ、これは蒸気圧浸透圧測定により1150g mol-1の分子量を有する。GPCダイアグラムは、均一な化合物を示す。1H−NMR、29Si−NMR及びIRデータは、オクタ(ジメチルシロキシ)オクタシルセスキオキサンの構造と一致する。活性水素含有量:理論値:0.79質量%、計算値:0.75質量%。
実施例3(本発明による):
オクタ(ビニル−ジメチルシロキシ)オクタシルセスキオキサン[(H2C=CH)(CH32SiOSiO3/28の合成
a) シリケートベースの製造:
25%のTMAOH水溶液151gを、メタノール226gと一緒に、滴下漏斗及び還流冷却器並びに磁気撹拌機を備えた2リットルの三ツ口フラスコ中に装入した。これに、継続して撹拌しながら、テトラエトキシシラン(Wacker Chemie AG(ミュンヘン、ドイツ国)からTES 28として入手)85.36gを75分間の期間にわたり添加した。2〜4時間の後撹拌時間の後に、ケイ酸テトラメチルアンモニウムを含有する反応混合物を、次のプロセス工程のシリル化自体のために使用することができた。
b) シリル化(沈殿反応)
滴下漏斗及び還流冷却器並びに磁気撹拌機を備えた4リットルの三ツ口ガラスフラスコ中に、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン(Wacker Chemie AG(ミュンヘン、ドイツ国)からWacker Siloxan VSi2として入手)100g、イソプロピルアルコール390.5g、HCl(20%)150g及びH2O(完全脱塩水)50gを装入した。継続して撹拌しながら、a)で記載されたケイ酸テトラメチルアンモニウムを含有する混合物を80〜100分間に装入物に添加した。2〜4時間の後撹拌時間の後に、生じる生成物はガラス底に沈殿し、吸引漏斗を用いて液相から分離した。こうして分離された結晶性の生成物を、完全脱塩水(約100g)で洗浄し、100℃で乾燥庫中で乾燥させた。結晶性物質(=使用したケイ酸に対して71%の収率)42.4gが得られた。GPCを用いて、1171.7g/molの均一な分子量が測定され、この場合、Mn及びMwは同じであり、従って得られた化合物の多分散性は1.0であった。1H−NMR及び29Si−NMRデータは、オクタ(ビニルジメチルシロキシ)オクタシルセスキオキサンの構造と一致する。
実施例4(本発明による):
オクタ(ジメチルシロキシ)オクタシルセスキオキサン[H(CH32SiOSiO3/28の合成
a) シリケート製造は、実施例3a)と同様に行った。
b) シリル化(沈殿反応)
滴下漏斗及び還流冷却器並びに磁気撹拌機を備えた4リットルの三ツ口ガラスフラスコ中に、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン(Wacker Chemie AG(ミュンヘン、ドイツ国)からWacker Siloxan HSi2として入手)60.5g、イソプロピルアルコール390.5g、HCl(20%)150g及びH2O(完全脱塩水)100gを装入した。継続して撹拌しながら、Aで記載されたケイ酸テトラメチルアンモニウムを含有する混合物を80〜100分間に装入物に添加した。2〜4時間の後撹拌時間の後に、生じる生成物はガラス底に沈殿し、吸引漏斗を用いて液相から分離した。こうして分離された結晶性の生成物を、完全脱塩水(約100g)で洗浄し、100℃で乾燥庫中で乾燥させた。結晶性物質(=使用したケイ酸に対して86.3%の収率)45gが得られた。GPCを用いて、1032.29g/molの均一な分子量が測定され、この場合、Mn及びMwは同じであり、従って得られた化合物の多分散性は1.0であった。1H−NMR及び29Si−NMRデータは、オクタ(ビニルジメチルシロキシ)オクタシルセスキオキサンの構造と一致する。更に、1H−NMR分析による活性水素含有量の値の0.79質量%は、理論値(0.79質量%)と同じであった。

Claims (6)

  1. 一般式(I)
    [RSiO3/2z (I)
    [式中、
    Rは、一般式(II)
    −O−SiR1 2Y (II)
    の基を表す]のオルガノオリゴシルセスキオキサンの製造方法において、
    一般式(III)
    (W4NOSiO3/2z (III)
    のシリケート100Molを、一般式(IV)
    1 2YSi−O−SiR1 2Y (IV)
    [式中、
    1は、二価のC1〜C6−炭化水素基又はC1〜C6−アルコキシ基を表し、
    Yは、水素原子又はハロゲン置換された又はハロゲン置換されていないC1〜C10−炭化水素基を表し、
    Wは、C1〜C4−アルキル基を表し、
    zは、6、8又は10の数を表す]のジシロキサン化合物 最高で1.3×50×zMolと、
    反応温度で液状でありかつ沈殿剤100ml中に反応温度で最高で1gの一般式(I)のオルガノオリゴシルセスキオキサンを溶解する沈殿剤の存在で反応させる、オルガノオリゴシルセスキオキサンの製造方法。
  2. 1は、メチル基、エチル基、フェニル基、メトキシ基、エトキシ基及びプロポキシ基から選択される、請求項1記載の方法。
  3. Yは、メチル基、フェニル基、C2〜C10−アルケニル基及び末端の炭素原子にハロゲン基を有するC1〜C10−アルキル基から選択される、請求項1又は2記載の方法。
  4. Wは、メチル基、エチル基及びn−プロピル基から選択される、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
  5. 前記沈殿剤は極性であり、水、アルコール、エーテル、塩素化された炭化水素、ケトン、ニトリル、ニトロ化合物、第3級カルボン酸アミド、尿素誘導体、スルホキシド、炭酸エステル、二硫化炭素、カルボン酸及び鉱酸、並びにこれらの混合物から選択される、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
  6. 第1段階で、一般式(III)のシリケートを、沈殿剤中のW4+ OH-の溶液中で、アルコキシ基が1〜6個の炭素原子を有するテトラアルコキシシランを用いて製造し、こうして製造された混合物を次いで請求項1による方法で粗製生物として直接使用する、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
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