JP2013507413A - オルガノオリゴシルセスキオキサンの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
第1段階:沈降ケイ酸を水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液との反応によるシリケートベースの製造
第2段階:この反応混合物の濃縮及び4℃での生成物のケイ酸テトラメチルアンモニウムの晶析
第3段階:ケイ酸テトラメチルアンモニウムと、オルガノオリゴシルセスキオキサンのための溶剤として機能する、過剰量で使用される反応体との反応
第4段階:有機相の相分離及び中性にするための洗浄
第5段階:乾燥のために、洗浄した中性の反応混合物の蒸発
第6段階:アルコールからの残留物の再結晶。
[RSiO3/2]z (I)
[式中、
Rは、一般式(II)
−O−SiR1 2Y (II)
の基を表す]のオルガノオリゴシルセスキオキサンの製造方法において、
一般式(III)
(W4NOSiO3/2)z (III)
のシリケート100Molを、一般式(IV)
R1 2YSi−O−SiR1 2Y (IV)
[式中、
R1は、二価のC1〜C6−炭化水素基又はC1〜C6−アルコキシ基を表し、
Yは、水素原子又はハロゲン置換された又はハロゲン置換されていないC1〜C10−炭化水素基を表し、
Wは、C1〜C4−アルキル基を表し、
zは、6、8又は10の数を表す]のジシロキサン化合物 最高で1.3×50×zMolと、
反応温度で液状でありかつ沈殿剤100ml中に反応温度で最高で1gの一般式(I)のオルガノオリゴシルセスキオキサンを溶解する沈殿剤の存在で反応させる、オルガノオリゴシルセスキオキサンの製造方法である。
次の実施例において、それぞれ他に記載がない限り、
a) 全ての量の表示は質量に対し;
b) 全ての圧力は、0.10MPa(絶対)であり;
c) 全ての温度は20℃である。
オクタ(ビニルジメチルシロキシ)オクタシルセスキオキサン[(H2C=CH)(CH3)2SiOSiO3/2]8の合成
a) 沈降ケイ酸82.2gに、10%の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液(TMAOH)1250mlを添加した。この混合物を25℃で16時間及び50℃で8時間撹拌した後に、透明な溶液が得られた。この溶液を、その出発容量の2/3まで濃縮し、得られたケイ酸テトラメチルアンモニウムを4℃で晶析させた。まだ水を含有するケイ酸テトラメチルアンモニウム359.5gが得られた。
オクタ(ジメチルシロキシ)オクタシルセスキオキサン[H(CH3)2SiOSiO3/2]8の合成
実施例1a)により製造されたケイ酸テトラメチルアンモニウム160gを、H2O 400ml、イソプロパノール1000ml、1,1,2,2−テトラメチルジシロキサン(Wacker Chemie AG社(ミュンヘン、ドイツ国)からWacker Siloxan HSi2として入手)1500ml(1136g)及び10%の塩酸200mlからなるよく撹拌した混合物に少しずつ添加し、引き続きこの反応混合物を室温で4時間撹拌した。
オクタ(ビニル−ジメチルシロキシ)オクタシルセスキオキサン[(H2C=CH)(CH3)2SiOSiO3/2]8の合成
a) シリケートベースの製造:
25%のTMAOH水溶液151gを、メタノール226gと一緒に、滴下漏斗及び還流冷却器並びに磁気撹拌機を備えた2リットルの三ツ口フラスコ中に装入した。これに、継続して撹拌しながら、テトラエトキシシラン(Wacker Chemie AG(ミュンヘン、ドイツ国)からTES 28として入手)85.36gを75分間の期間にわたり添加した。2〜4時間の後撹拌時間の後に、ケイ酸テトラメチルアンモニウムを含有する反応混合物を、次のプロセス工程のシリル化自体のために使用することができた。
滴下漏斗及び還流冷却器並びに磁気撹拌機を備えた4リットルの三ツ口ガラスフラスコ中に、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン(Wacker Chemie AG(ミュンヘン、ドイツ国)からWacker Siloxan VSi2として入手)100g、イソプロピルアルコール390.5g、HCl(20%)150g及びH2O(完全脱塩水)50gを装入した。継続して撹拌しながら、a)で記載されたケイ酸テトラメチルアンモニウムを含有する混合物を80〜100分間に装入物に添加した。2〜4時間の後撹拌時間の後に、生じる生成物はガラス底に沈殿し、吸引漏斗を用いて液相から分離した。こうして分離された結晶性の生成物を、完全脱塩水(約100g)で洗浄し、100℃で乾燥庫中で乾燥させた。結晶性物質(=使用したケイ酸に対して71%の収率)42.4gが得られた。GPCを用いて、1171.7g/molの均一な分子量が測定され、この場合、Mn及びMwは同じであり、従って得られた化合物の多分散性は1.0であった。1H−NMR及び29Si−NMRデータは、オクタ(ビニルジメチルシロキシ)オクタシルセスキオキサンの構造と一致する。
オクタ(ジメチルシロキシ)オクタシルセスキオキサン[H(CH3)2SiOSiO3/2]8の合成
a) シリケート製造は、実施例3a)と同様に行った。
滴下漏斗及び還流冷却器並びに磁気撹拌機を備えた4リットルの三ツ口ガラスフラスコ中に、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン(Wacker Chemie AG(ミュンヘン、ドイツ国)からWacker Siloxan HSi2として入手)60.5g、イソプロピルアルコール390.5g、HCl(20%)150g及びH2O(完全脱塩水)100gを装入した。継続して撹拌しながら、Aで記載されたケイ酸テトラメチルアンモニウムを含有する混合物を80〜100分間に装入物に添加した。2〜4時間の後撹拌時間の後に、生じる生成物はガラス底に沈殿し、吸引漏斗を用いて液相から分離した。こうして分離された結晶性の生成物を、完全脱塩水(約100g)で洗浄し、100℃で乾燥庫中で乾燥させた。結晶性物質(=使用したケイ酸に対して86.3%の収率)45gが得られた。GPCを用いて、1032.29g/molの均一な分子量が測定され、この場合、Mn及びMwは同じであり、従って得られた化合物の多分散性は1.0であった。1H−NMR及び29Si−NMRデータは、オクタ(ビニルジメチルシロキシ)オクタシルセスキオキサンの構造と一致する。更に、1H−NMR分析による活性水素含有量の値の0.79質量%は、理論値(0.79質量%)と同じであった。
Claims (6)
- 一般式(I)
[RSiO3/2]z (I)
[式中、
Rは、一般式(II)
−O−SiR1 2Y (II)
の基を表す]のオルガノオリゴシルセスキオキサンの製造方法において、
一般式(III)
(W4NOSiO3/2)z (III)
のシリケート100Molを、一般式(IV)
R1 2YSi−O−SiR1 2Y (IV)
[式中、
R1は、二価のC1〜C6−炭化水素基又はC1〜C6−アルコキシ基を表し、
Yは、水素原子又はハロゲン置換された又はハロゲン置換されていないC1〜C10−炭化水素基を表し、
Wは、C1〜C4−アルキル基を表し、
zは、6、8又は10の数を表す]のジシロキサン化合物 最高で1.3×50×zMolと、
反応温度で液状でありかつ沈殿剤100ml中に反応温度で最高で1gの一般式(I)のオルガノオリゴシルセスキオキサンを溶解する沈殿剤の存在で反応させる、オルガノオリゴシルセスキオキサンの製造方法。 - R1は、メチル基、エチル基、フェニル基、メトキシ基、エトキシ基及びプロポキシ基から選択される、請求項1記載の方法。
- Yは、メチル基、フェニル基、C2〜C10−アルケニル基及び末端の炭素原子にハロゲン基を有するC1〜C10−アルキル基から選択される、請求項1又は2記載の方法。
- Wは、メチル基、エチル基及びn−プロピル基から選択される、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- 前記沈殿剤は極性であり、水、アルコール、エーテル、塩素化された炭化水素、ケトン、ニトリル、ニトロ化合物、第3級カルボン酸アミド、尿素誘導体、スルホキシド、炭酸エステル、二硫化炭素、カルボン酸及び鉱酸、並びにこれらの混合物から選択される、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
- 第1段階で、一般式(III)のシリケートを、沈殿剤中のW4N+ OH-の溶液中で、アルコキシ基が1〜6個の炭素原子を有するテトラアルコキシシランを用いて製造し、こうして製造された混合物を次いで請求項1による方法で粗製生物として直接使用する、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
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