JP2013502705A - 反射光学素子及びその生産方法 - Google Patents
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Abstract
Description
11 ビーム成形システム
12 EUV放射源
13a モノクロメーター
13b コリメーター
14 照明システム
15 第1ミラー
16 第2ミラー
17 マスク
18 第3ミラー
19 第4ミラー
20 投影システム
21 ウエハー
22 クリーニングヘッド
23 クリーニングヘッド
50 反射光学素子
51 多層システム
52 基材
53 層の対
54 吸収体
55 スペーサー
56 保護層
57 障壁層
58 中間層
59 反射面
101−105 プロセスステップ
111−115 プロセスステップ
Claims (16)
- 最上層を備えた反射面を有する、極端紫外線及び軟X線の波長範囲のための反射光学素子であって、前記最上層(56)が、炭素・ケイ素結合及び/又はケイ素・酸素結合を有する一つ以上の有機ケイ素化合物を含む、反射光学素子。
- 前記最上層(56)が一つ以上のシロキサン及び/又はポリシロキサンを含む、請求項1に記載の反射光学素子。
- 前記最上層(56)が約0.1nm〜2.5nmの範囲の厚さを有する、請求項1又は2に記載の反射光学素子。
- 前記最上層(56)が、この最上層(56)を有しない状態の最大反射率と比較されたこの最上層(56)を有する状態の最大反射率の減少が2%未満であるような厚さを有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の反射光学素子。
- 前記反射面(59)が多層システム(51)を含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の反射光学素子。
- 前記反射面(59)が、極端紫外線及び軟X線の波長範囲の波長において屈折率の異なる実部を有する少なくとも二つの材料の交互層(54、55)に基づく多層システム(51)を含み、該多層システム(51)が極端紫外線及び軟X線の波長範囲の波長において良好な反射率を有するように設計される、請求項1〜5のいずれか1項に記載の反射光学素子。
- 前記多層システム(51)がケイ素とモリブデンとの交互層(54、55)に基づく、請求項1〜6のいずれか1項に記載の反射光学素子。
- 前記最上層(56)の下方にルテニウム(58)及び/又は窒化ケイ素(57)の層を含む、請求項1〜7のいずれか1項に記載の反射光学素子。
- 請求項1〜8に記載の反射光学素子を備えたEUVリソグラフィー装置。
- 請求項1〜8に記載の反射光学素子を備えた、特にEUVリソグラフィー装置のための照明システム。
- 請求項1〜8に記載の反射光学素子を備えた、特にEUVリソグラフィー装置のための投影システム。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載の反射光学素子を生産する方法において、
反射面を備えた反射光学素子をチャンバー内に導入するステップと、
炭素・ケイ素結合及び/又はケイ素・酸素結合を有する一つ以上の有機ケイ素化合物を含有するガスを導入するステップと、
電磁放射及び/又は荷電粒子を前記反射面に衝突させるステップと
を含む、方法。 - コーティングチャンバーが前記チャンバーとして使用される、請求項12に記載の方法。
- EUVリソグラフィー装置のチャンバーが前記チャンバーとして使用される、請求項12又は13に記載の方法。
- 極端紫外線照射、軟X線照射、又は電子ビームが使用される、請求項12〜14のいずれか1項に記載の方法。
- シロキサン含有ガスが導入される、請求項12〜15のいずれか1項に記載の方法。
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