JP2013247126A - ウエハ洗浄用ヒータ - Google Patents

ウエハ洗浄用ヒータ Download PDF

Info

Publication number
JP2013247126A
JP2013247126A JP2012117346A JP2012117346A JP2013247126A JP 2013247126 A JP2013247126 A JP 2013247126A JP 2012117346 A JP2012117346 A JP 2012117346A JP 2012117346 A JP2012117346 A JP 2012117346A JP 2013247126 A JP2013247126 A JP 2013247126A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
heater
lower plate
cleaning
upper plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012117346A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6060524B2 (ja
Inventor
Akira Mikumo
晃 三雲
Shigenobu Sakita
成伸 先田
Keiji Kitabayashi
桂児 北林
Nobuhiro Nishimoto
悦弘 西本
Masuhiro Natsuhara
益宏 夏原
Hirohiko Nakada
博彦 仲田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP2012117346A priority Critical patent/JP6060524B2/ja
Publication of JP2013247126A publication Critical patent/JP2013247126A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6060524B2 publication Critical patent/JP6060524B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Civil Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)

Abstract

【課題】 耐食性及び耐久性に優れたウエハ洗浄用ヒータを提供する。
【解決手段】 ウエハ洗浄時のウエハを加熱するためのウエハ洗浄用ヒータであって、いずれも炭化ケイ素又は炭化ケイ素を含む複合体からなる上板1及び下板2と、これら上板1及び下板2の間に挟み込まれたO−リングなどのシール部材3と、これら上板1及び下板2並びにシール部材3で囲まれた空間内に設けられた加熱機構4とからなる。下板2の下側には筒状の支持体5を設けるのが好ましく、これにより加熱機構4や測温素子7に接続するリード線6a、6bを支持体5の内側に収納することができる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、ウエハを洗浄する際に使用される、ウエハを加熱するためのウエハ洗浄用ヒータに関する。
従来、ウエハの洗浄に関しては、アンモニア水やフッ酸溶液等の洗浄液が満たされた洗浄槽に複数のウエハを浸漬して洗浄する方法や(特許文献1)、ウエハ上に薬液を滴下して洗浄する方法が知られている(特許文献2)。このように、ウエハの洗浄では、塩酸や硫酸などの酸類や、過酸化水素水、アンモニア水などの薬液をウエハ上に滴下するか、該薬液中にウエハを浸漬させる薬液洗浄が行われている。そして、この薬液洗浄は、ウエハに付着している薬液を除去することで完了する。
上記薬液洗浄では、ウエハを加熱することができれば、薬液の活性を高めることができるので、洗浄速度を速くしてスループットを向上させることができる。そこで、石英で保護された加熱用ランプや、石英で保護された加熱用ヒータ線を用いてウエハを加熱しながらウエハの洗浄を行う技術が提案されている(特許文献3)。
特開平04−14222号公報 特開2008−135703号公報 特開平05−121388号公報
しかしながら、ウエハの加熱に加熱用ランプを使用する場合、ウエハの中心部と周縁部で温度差が発生しやすく、その結果ウエハ全面が均一に洗浄されにくいという問題が生ずることがあった。すなわち、ウエハの周縁部は、中心部に比べてウエハ加熱時に温度が低くなる傾向にあるため、洗浄ムラが発生しやすく、その結果例えばレジストの洗浄では部分的にレジストが残ってしまうという問題が生じることがあった。
また、石英で保護された加熱用ヒータ線を用いた場合においては、石英は熱伝導率が低いため、ヒータ線の直上部ではウエハの温度が局所的に高くなる一方で、隣り合うヒータ線の間に位置する部分ではウエハの温度が局所的に低くなり、前述した加熱用ランプを用いた場合と同様の洗浄ムラの問題が生ずることがあった。
また、石英はフッ酸等に対する耐食性に劣るため、洗浄プロセスで使用できる薬液の種類に制約があるという問題があった。すなわち、ウエハの洗浄時においてフッ酸を含む薬液を使用する雰囲気で石英を使用した場合、石英に失透が生じたり、その表面の平滑性がなくなったりすることがあった。更には、パーティクルが発生するなどの問題を生ずることもあった。
本発明においては上記課題を解決するため、洗浄するウエハを加熱するためのヒータを、炭化ケイ素もしくは炭化ケイ素を含む複合体で形成している。これらの材料は、塩酸や硫酸などの酸類や、過酸化水素水、アンモニア水だけではなく、フッ酸に対しても耐食性を有し、パーティクルの発生を抑えることもできる。また、炭化ケイ素もしくは炭化ケイ素を含む複合体は、いずれも熱伝導率が高いため、ヒータとして使用した場合にウエハを均一に加熱することができる。
すなわち、本発明に係るウエハ洗浄時のウエハを加熱するためのウエハ洗浄用ヒータは、いずれも炭化ケイ素又は炭化ケイ素を含む複合体からなる上板及び下板と、これら上板及び下板の間に挟み込まれたシール部材と、これら上板及び下板並びにシール部材で囲まれた空間内に設けられた加熱機構とからなることを特徴としている。
本発明によれば、耐食性及び耐久性に優れたウエハ洗浄用ヒータを提供することが可能となる。また、本発明のウエハ洗浄用ヒータは、上板と下板の間にシール部材を挟み込み、上板と下板とシール部材とで囲まれた空間に加熱機構を具備させるものであるので、比較的容易かつ簡単に作製することが可能である。
本発明に係るウエハ洗浄用ヒータの一具体例を模式的に示す縦断面図である。
以下、本発明に係る洗浄時のウエハを加熱するためのウエハ洗浄用ヒータの一具体例を図1を参照しながら説明する。この一具体例のウエハ洗浄用ヒータは、略同一の直径を有する2枚の円板状の上板1及び下板2が、上下方向で対向するように配置されている。そして、これら上板1及び下板2の間に環状のシール部材3が挟み込まれている。シール部材3は上板1及び下板2の外周部に沿って設けられており、これら上板1及び下板2並びにシール部材3によって形成される空間内に加熱機構4が設けられている。このウエハ洗浄用ヒータは、図1に示すようにウエハWを直接載置するものであっても良いし、ウエハWとウエハ洗浄用ヒータとの間に空間が設けられるものであってもよい。
これら上板1及び下板2は、いずれも炭化ケイ素又は炭化ケイ素を含む複合体によって形成されている。炭化ケイ素を含む複合体としては、例えばAl−SiCやSi−SiCを挙げることができる。これら炭化ケイ素又はそれを含む複合体は、薬液洗浄の際に使用される塩酸や硫酸などの酸類、過酸化水素水、アンモニア水、更にはフッ酸に対して耐食性を有している。このため、ウエハ洗浄に使用する薬液に対する制約をなくすことができる。
更に、炭化ケイ素又はそれを含む複合体は、例えば100W/mK以上という高い熱伝導率を有しているため、上板1と下板2とで加熱機構4を挟み込むという簡単な構造であるにもかかわらず、均熱性に優れたヒータを実現することができる。このように、本発明のウエハ洗浄用ヒータは、ウエハ洗浄時のウエハを均一に加熱することができるため、洗浄ムラの発生を抑えて高品質な半導体デバイスを作製することが可能となる。
上板1と下板2とで挟み込むシール部材3は、その内側に位置する加熱機構4に薬液が直接接触することがないように気密シール構造にできるものであることが望ましく、このため、シール部材3には例えばガスケットやO−リングを使用する。そして、ガスケットの場合は、その材質に黒鉛やメタル等を使用するのが好ましい。これらの材質は数百℃の耐熱性を有するからである。
上記したように、薬液の浸入しない気密シール構造の空間内に加熱機構4を設置し、加熱機構4を薬液から保護するのが望ましいが、加熱機構4が薬液に対して耐食性を有する場合は必ずしも完全に気密シールする必要はない。逆に、加熱機構4の材質が薬液に対して耐食性を有しない場合は気密シールが望ましいが、気密シールが困難である場合は、ウエハ洗浄用ヒータを所定の時間使用する毎に加熱機構4を交換すれば良い。この場合であっても、加熱機構4は、ガスケットやO−リング等のシール部材3を挟んで対向する上板1及び下板2の内側に配置されているだけであるので、加熱機構4の交換は比較的容易である。
これら上板1と下板2とを連結する方法は、上板1及び下板2並びにシール部3材で囲まれる空間内に薬液が流れ込みにくくできるのであれば特に限定するものではない。例えば、上板1又は下板2のいずれかに、ネジを挿通させる複数の貫通孔を周縁部に沿って均等に形成する。そして、もう一方の板に、各貫通孔を挿通させたネジの先端部を螺合させるためのザグリ部を設ける。これにより、O−リングなどのシール部材3を挟んで対向する上板1と下板2の周縁部を複数のネジを用いて均等に締め付けることができ、よって薬液が上記空間内に流れ込みにくい構造にすることができる。なお、ネジを貫通孔に挿通させてネジ止めした後に、耐食性を有する樹脂等のコーキング材で貫通孔に生じた隙間を埋めてもよい。
上記の方法により、薬液の浸入しにくい空間内に加熱機構4を設置することができるので、加熱機構4には公知のものを用いることができる。但し、一般に上板1及び下板2の材質である炭化ケイ素もしくは炭化ケイ素を含む複合体は、導電性を有することが多いため、これら上板1及び下板2に対して加熱機構4は電気的に絶縁状態が確保されることが望ましい。この場合、加熱機構4の構造には、例えば絶縁性セラミックス中に発熱体を埋設したものや、シースヒータ、ラバーヒータ等を使用することができる。
また、加熱機構4は、発熱体としての金属箔をパターンエッチングし、この金属箔を、例えばシリコン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂などの耐熱性を有する樹脂に挟み込んだ構造か、あるいは該耐熱性の樹脂内にパターンエッチングされた金属箔を埋設する構造にすることができる。このように、金属箔を用いた加熱機構は、比較的自由にヒータパターンを設計することができるので、より均熱性に優れたウエハ洗浄用ヒータが得られるので特に好ましい。
下板2の下側には、両端にフランジ部を有する筒状の支持体5が設けられている。この支持体5内には、加熱機構4に給電するためのリード線6aや、ウエハ洗浄用ヒータの温度を測定するための測温素子7に接続されたリード線6bが収納されている。支持体5は、その外径が下板2の外径よりも小さければ、薬液に直接さらされる頻度が上板1や下板2のように高くないので、比較的自由に材質を選択することができる。例えば、ステンレスや、コバールなどの金属、ムライト、アルミナ、ムライト−アルミナの複合体、窒化アルミニウムなどのセラミックスなどを使用することができる。また、当然のことながら上板1や下板2に使用した炭化ケイ素もしくは炭化ケイ素を含む複合体を使用してもよい。
前述したように、支持体5はリード線6a、6b等を薬液から保護する役割を有しているが、下板2の下側に取り付けられているため、下板2がひさしとなって支持体5内への薬液の浸入が比較的少ない。従って、支持体5を下板2に取り付ける場合は、支持体5と下板2の間は特に気密シールしなくても良い。しかし、薬液の支持体5内への侵入を完全に防ぐことが要求される場合は、支持体5と下板2の間を気密シールすることが好ましい。
気密シールする方法としては、接合剤を使用して接合する方法や、上板1と下板2との間に設置した、例えばガスケットやO−リングなどのシール部材3と同様のものを使用して気密シールするなど、公知の方法を使用することができる。図1には、下板2の下面と支持体5のフランジ面との間に環状のO−リング8を設ける例が示されている。
図1に示すウエハ洗浄用ヒータには、前述したようにヒータの温度を測定するための測温素子7が、上板1、下板2及びシール部材3に囲まれた空間内に設置されている。この測温素子7は例えばシース熱電対からなり、図1に示すように上板1の下面に設けたザグリ部に挿入させることにより上板1に接触させることができる。あるいは、測温素子7に例えば測温抵抗体を使用し、これを耐熱性樹脂で上板1に接着してもよい。このようにして温度を測定することで、ウエハ洗浄用ヒータの温度を安定的に制御することができ、よって比較的安定した洗浄能力を得ることができる。
以上説明したように、本発明のウエハ洗浄用ヒータを用いてウエハを洗浄した場合、薬液及びウエハの温度を高くすることができるため、薬液の活性が高まり、よって洗浄速度を速くすることができる。なお、本発明のウエハ洗浄用ヒータは、ウエハを間接的に加熱しても良いし、ウエハを載置面に直接載置して加熱しても良い。後者のように直接載置する場合は、上板にウエハポケットや、真空吸着、あるいは静電チャック機能を付与することも可能である。
以上、本発明のウエハ洗浄用ヒータについて具体例を挙げて説明したが、本発明は係る具体例に限定されるものではなく、本発明の主旨から逸脱しない範囲の種々の態様で実施可能である。すなわち、本発明の技術的範囲は、特許請求の範囲およびその均等物に及ぶものである。
(実施例1)
上板及び下板として、炭化ケイ素からなる直径300mm、厚み5mmの基板を2枚作製した。これら基板の片面側の外周部付近に、O−リングを装着するための平面視で環状の溝を形成した。更に、2枚の基板のうち、上板となる基板の下面側に測温素子を装着するため、ザグリ部を形成した。このザグリ部に、測温素子を耐熱性樹脂で取り付けた。また、2枚の基板のうち、下板となる基板の中心部に直径50mmの貫通孔を形成した。また、この貫通孔の外側に、後述する支持体のフランジ面とで挟み込むO−リングを嵌めこむための平面視環状の溝を形成した。
これら上板と下板とをネジで結合するため、下板の周縁部に、該ネジを挿通させるための内径5mmの貫通孔を8個設けた。そして、上板において該下板の各貫通孔に対向する位置に、ネジの先端部が螺合する雌ネジ部を形成した。なお、これら貫通孔及び雌ネジ部は、前述した外周部付近に設けた環状の溝の外側に設けた。これにより、上板と下板とで挟み込むO−リングにネジが干渉しないようにした。
次に、発熱体としてのステンレス箔を所定の回路パターンにエッチングし、その上下面をポリイミドフィルムで圧着して加熱機構を作製した。この加熱機構において、給電のためのリード線を接続する部分は、ステンレス箔を露出させた。また、前述した測温素子に接続するリード線が挿通するための貫通孔を設けた。
下板と同じ材質を用いて、内径50mm、肉厚3mm、高さ120mmの筒状の支持体を作製した。この支持体の両端部にはフランジ部を形成した。更に上側のフランジ部の上面には、前述したように、下板との間で気密シールするためのO−リング用の平面視環状の溝を形成した。上記の部材を図1に示すように組み立てることにより試料1のウエハ洗浄用ヒータを作製した。
更に、炭化ケイ素の代わりにそれぞれAl−SiC複合体及びSi−SiC複合体を用いた以外は上記試料1のウエハ洗浄用ヒータの場合と同様にして試料2及び試料3のウエハ洗浄用ヒータを作製した。また、比較のため、炭化ケイ素やその複合体の代わりに石英板を用いた以外は上記試料1〜3のウエハ洗浄用ヒータと同様にして試料4のウエハ洗浄用ヒータを作製した。
これら試料1〜4のウエハ洗浄用ヒータの各々に対して、上板1の上面にウエハWを載置し、その上側から薬液としてフッ酸を滴下し、ヒータを100℃に設定してウエハWを2分間洗浄した。洗浄後、ウエハWの薬液を除去し、その洗浄状態を顕微鏡により確認した。またヒータの表面状態も顕微鏡により観察した。これら試料1〜4の洗浄結果を、基板に用いた材質と共に下記表1に示す。
Figure 2013247126
上記表1に示すように、炭化ケイ素または炭化ケイ素を含む複合体からなるヒータを使用した場合は、石英からなるヒータに比べてウエハを均一に洗浄でき、かつパーティクルの発生が少ないことが分かる。一方、石英を使用したヒータは、表面が失透した上、表面に荒れが生じていた。このことから、石英を使用した場合は耐久性に劣ることが分かる。
また、ウエハの洗浄完了後、上板、下板、支持体、O−リングの表面状態を確認したが、特に変化はなかった。また、これらの内部に装着されていた加熱機構、測温素子、及びこれらに接続されていたリード線についても、変化がなかった。
(実施例2)
実施例1と同様にして試料1〜4のウエハ洗浄用ヒータを作製し、それらの各々に対してフッ酸の代わりにアンモニア水を薬液として使用し、更にヒータの温度を100℃に代えて80℃に設定した以外は上記実施例1と同様にしてウエハの洗浄試験を行った。その結果を下記表2に示す。
Figure 2013247126
上記表2に示すように、この実施例2では石英が失透するようなことはなかったが、やはりウエハに残渣が残った。それに対し、SiC、Si−SiC、Al−SiCを使用したものは、均一に洗浄ができていた
(実施例3)
実施例1と同様にして試料1〜4のウエハ洗浄用ヒータを作製し、それらの各々に対してフッ酸の代わりに過酸化水素水を薬液として使用し、更にヒータの温度を100℃に代えて60℃に設定した以外は上記実施例1と同様にしてウエハの洗浄試験を行った。その結果を下記表3に示す。
Figure 2013247126
上記表3に示すように、ヒータの温度が低温であっても実施例2と同様に石英の場合は残渣が残っていることが分かる。
1 上板
2 下板
3 シール部材
4 加熱機構
5 支持体
6a、6b リード線
7 測温素子
8 シール部材

Claims (2)

  1. ウエハ洗浄時のウエハを加熱するためのウエハ洗浄用ヒータであって、
    いずれも炭化ケイ素又は炭化ケイ素を含む複合体からなる上板及び下板と、これら上板及び下板の間に挟み込まれたシール部材と、これら上板及び下板並びにシール部材で囲まれた空間内に設けられた加熱機構とからなることを特徴とするウエハ洗浄用ヒータ。
  2. 前記ウエハ洗浄用ヒータは更に前記下板の下側に筒状の支持体を有しており、該支持体の内側に前記加熱機構に給電するリード線及び/又はウエハ洗浄用ヒータの温度を測定する測温素子に接続されるリード線が収納されていることを特徴とする、請求項1に記載のウエハ洗浄用ヒータ。
JP2012117346A 2012-05-23 2012-05-23 ウエハ洗浄用ヒータ Expired - Fee Related JP6060524B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012117346A JP6060524B2 (ja) 2012-05-23 2012-05-23 ウエハ洗浄用ヒータ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012117346A JP6060524B2 (ja) 2012-05-23 2012-05-23 ウエハ洗浄用ヒータ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013247126A true JP2013247126A (ja) 2013-12-09
JP6060524B2 JP6060524B2 (ja) 2017-01-18

Family

ID=49846708

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012117346A Expired - Fee Related JP6060524B2 (ja) 2012-05-23 2012-05-23 ウエハ洗浄用ヒータ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6060524B2 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0765937A (ja) * 1993-08-31 1995-03-10 Hitachi Home Tec Ltd 電気調理器用発熱体
JP2001342079A (ja) * 2000-05-30 2001-12-11 Ibiden Co Ltd セラミック接合体
JP2004140347A (ja) * 2002-09-27 2004-05-13 Sumitomo Electric Ind Ltd ウエハー保持体及び半導体製造装置
JP2008016396A (ja) * 2006-07-07 2008-01-24 Nhk Spring Co Ltd ヒータユニット
JP2010272730A (ja) * 2009-05-22 2010-12-02 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャック
JP2011137596A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Canon Anelva Corp 真空熱処理装置および半導体デバイスの製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0765937A (ja) * 1993-08-31 1995-03-10 Hitachi Home Tec Ltd 電気調理器用発熱体
JP2001342079A (ja) * 2000-05-30 2001-12-11 Ibiden Co Ltd セラミック接合体
JP2004140347A (ja) * 2002-09-27 2004-05-13 Sumitomo Electric Ind Ltd ウエハー保持体及び半導体製造装置
JP2008016396A (ja) * 2006-07-07 2008-01-24 Nhk Spring Co Ltd ヒータユニット
JP2010272730A (ja) * 2009-05-22 2010-12-02 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャック
JP2011137596A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Canon Anelva Corp 真空熱処理装置および半導体デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6060524B2 (ja) 2017-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6047506B2 (ja) 静電チャック装置
JP6108051B1 (ja) 静電チャック装置
KR101006848B1 (ko) 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
TWI660453B (zh) 用於高溫處理之靜電吸座組件
JP2018510496A (ja) 高温ポリマー接合によって金属ベースに接合されたセラミックス静電チャック
WO2004028208A1 (ja) ウエハー保持体及び半導体製造装置
JP2007035747A (ja) ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ
JP2010040644A (ja) 静電チャック装置
JP2007194320A (ja) 静電チャック装置
JP5522220B2 (ja) 静電チャック装置
JP2009094138A (ja) ウエハ保持体および半導体製造装置
KR20180021301A (ko) 정전 척 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP4003932B2 (ja) セラミックス−金属接合体
JP4433478B2 (ja) 加熱装置およびそれを搭載したウェハプローバ
JP5861563B2 (ja) ウエハ加熱用ヒータ
JP2004363334A (ja) 半導体あるいは液晶製造装置用保持体およびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置
JP2013247126A (ja) ウエハ洗浄用ヒータ
JP2009218420A (ja) ウエハ保持体および半導体製造装置
KR20010107663A (ko) 실리콘웨이퍼 탑재용 실리콘-그라파이트 복합 링 및그것을 장착한 드라이 에칭 장치
JP4539035B2 (ja) 半導体あるいは液晶製造装置用保持体およびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置
KR20220117139A (ko) 기판 가열 장치, 기판 가열 방법, 및 기판 가열부의 제조 방법
JP2007042908A (ja) ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ
JP2004342834A (ja) 基板載置トレイ
JP4590393B2 (ja) 基板保持体及びその製造方法
JP2013042049A (ja) ウェハ支持装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150424

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160412

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160413

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160606

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20161115

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161128

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6060524

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees