JP2013239712A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子から出射される光の取り出し効率を向上させること、小型化できること、発光効率を高くすること、色むら、輝度むらを抑えた発光特性とすること、が可能な発光装置を提供する。
【解決手段】光反射性材料３５を含有する被覆部材３０と、発光側の表面２１と、被覆部材の表面に対向し、表面内に配置された光入射側の表面とを有する光透過部材２０と、光透過部材の光入射側表面において、外側の反射領域９０に囲まれた入射領域８０に結合し、被覆部材に一部が埋め込まれた光源部に、発光素子１０と、発光素子の入射領域側に結合され、発光素子に励起される波長変換部材４０と、を備える発光装置。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置に関し、特に発光素子からの光の取り出し効率を増大させるための
光透過部材および被覆部材を備える発光装置に関する。

近年、光源として発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）やレーザダイオー
ド（Laser Diode：ＬＤ）等の半導体発光素子を搭載した発光装置は、各種の照明や表示
装置に利用されている。特に、これら半導体発光素子は消費電力が低く長寿命であるため
、蛍光灯に代替可能な次世代照明の光源として注目を集めており、さらなる発光出力およ
び発光効率の向上が求められている。

例えば、特許文献１で提案されている発光装置は、ＬＥＤである発光素子チップが、実
装基板であるパッケージに設けられた収納凹所の底部にフリップチップ実装されている。
また、発光素子チップの出射面には、平凸レンズの形状を有した光取出増大部材の入射面
が光結合されている。光取出増大部材は、発光素子チップのサファイア基板と空気との中
間の屈折率を有している。そして、光取出増大部材の出射面は球面であって、出射面上の
すべての位置において、当該位置の法線を中心線とし臨界角を中心線と母線とのなす角度
とする円錐内に発光素子チップの出射面が含まれるように形成されている。この構成によ
れば、光取出増大部材の出射面において実質的に全反射を生じないから、多重反射による
光の減衰や消滅を生じさせずに光取出増大部材から光を取り出すことができ、結果的に光
の利用効率が高くできるとされている。

特開２００６−３５１８０９号公報 特開２００７−０１９０９６号公報 特開２００６−０３７０９７号公報 特開２００６−３５２０６１号公報 特開２００２−３０５３２８号公報 特開平１０−１５１７９４号公報

しかしながら、上記特許文献１に記載された発光装置において、発光素子チップからそ
の側方へ出射される光は、封止樹脂を透過して、その内部を伝搬することでこの封止樹脂
やパッケージにより吸収・減衰される。また、封止樹脂からも光取出増大部材の入射面に
光結合するため、入射面における発光領域は実質的に大きくなり、光取出増大部材の出射
面において反射される光成分が増加する。これらのことから、発光素子チップから出射さ
れる光を十分に外部に取り出すことができず、また光の取り出し効率を維持したまま装置
の更なる小型化を図ることが難しい。

また、従来は光源としてＬＥＤ光を想定し、その取り出し効率を高める構造であり、取
り出されたＬＥＤ光を、別途設けた蛍光体などにより波長変換させる構造となっている。
そのため、発光装置の出射光としての波長変換光、それに付加されたＬＥＤ光、について
、分離されたＬＥＤ光源部と波長変換部との間での光散乱、吸収などにより、その光取り
出し効率が低下する構造となっていたり、その出射光の指向性が低下する構造となってい
たり、色むら、輝度むらが大きくなる構造となっていたり、装置の出射光の発光特性が不
十分なものとなっている場合がある。さらにこのような光源と変換部の分離構造では、装
置全体の小型化が難しい側面もある。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、発光素子から出射され
る光の取り出し効率を向上させること、小型化できること、発光効率を高くすること、色
むら、輝度むらを抑えた発光特性とすること、が可能な発光装置を提供することである。

本発明に係る発光装置は、下記（１）〜（１３）の構成により、上記目的を達成するこ
とができる。
（１） 光反射性材料を含有する被覆部材と、発光側の表面と、前記被覆部材の表面に対
向し、該表面内に配置された光入射側の表面とを有する光透過部材と、前記光透過部材の
光入射側表面において、外側の反射領域に囲まれた入射領域に結合し、前記被覆部材に一
部が埋め込まれた光源部に、発光素子と、該発光素子の前記入射領域側に結合され、該発
光素子に励起される波長変換部材と、を備える発光装置。
（２） 前記光透過部材は、前記発光側が凸曲面で、前記光入射側の少なくとも反射領域
が略平坦な表面であり、前記入射領域の断面幅は、前記光入射側表面の半分以下である上
記（１）に記載の発光装置。
（３） 光反射性材料を含有する被覆部材と、凸曲面の発光側の表面と、前記被覆部材の
表面に対向し、該表面内に配置された光入射側の表面とを有する光透過部材と、前記光透
過部材の光入射側表面において、略平坦な表面の反射領域に囲まれた内側の入射領域に結
合し、前記被覆部材に一部が埋め込まれた光源部が設けられて、該光源部内に設けられた
発光素子と、を備え、前記入射領域の断面幅は、前記光入射側表面の半分以下である発光
装置。
（４） 前記発光装置は、前記光源部に、前記発光素子の前記入射領域側に結合され、前
記発光素子に励起される波長変換部材をさらに備える上記（３）に記載の発光装置。
（５） 前記波長変換部材は、互いに対向する第１及び第２の主面を有する板状体であっ
て、前記第２の主面に複数の前記発光素子が接合されており、前記入射領域に前記第１の
主面が接合されている上記（１），（２），（４）のいずれか１つに記載の発光装置。
（６） 前記反射領域は、前記被覆部材の表面と離間された前記光透過部材表面に設けら
れる上記（１）乃至（５）のいずれか１つに記載の発光装置。
（７） 前記発光装置は、前記光透過部材の光入射側の表面と前記被覆部材の表面とを接
着させる透光性接着材を有し、前記入射領域及び反射領域は、前記透光性接着剤との界面
に設けられる上記（１）乃至（６）のいずれか１つに記載の発光装置。
（８） 前記光透過部材は、前記光源部上及び前記被覆部材表面に設けられ、前記反射領
域は、前記光透過部材と前記被覆部材との界面である上記（１）乃至（５）のいずれか１
つに記載の発光装置。
（９） 前記入射領域は、前記反射領域より前記発光側に突出している上記（８）に記載
の発光装置。
（１０） 前記光透過部材の発光側の表面形状は、球面形状である上記（１）乃至（９）
のいずれか１つに記載の発光装置。
（１１） 前記発光装置は、前記発光素子が実装される実装基板を有し、前記発光素子は
、前記入射領域側の表面に対向する実装面側で、前記実装基板と電気的に接続される上記
（１）乃至（１０）のいずれか１つに記載の発光装置。
（１２） 前記発光装置の光源部は、前記発光素子の入射領域側表面に結合して、発光素
子により励起される波長変換部材を有し、前記被覆部材は、前記入射領域から、前記光源
部の側面を覆って、前記実装基板の表面上にまで延在して設けられている上記（１１）に
記載の発光装置。
（１３） 前記被覆部材が、前記発光素子及び前記波長変換部材の側面にそれぞれ接して
設けられる上記（１２）に記載の発光装置。

本発明は、光反射性の被覆部材により、光源部の発光素子、それに結合する波長変換部
を被覆して、発光素子の光源、又はその複合的な光源からの出射光を一方向に取り出し、
すなわち、光源を１つの発光面として、発光装置の光出射の窓部を一面の特定の領域とし
、上記窓部を内包する光透過部材を接合させて被覆部材に覆われることにより、光源から
の光の取り出し効率を格段に向上させ、色と輝度むらを抑えた発光特性を得ることができ
る。特に、光透過部材の一部領域において窓部に結合させ、他の領域において光透過部材
の内面で反射される光成分が、被覆部材で反射されることで、光を効率良く取り出すこと
ができ、すなわち、部材中を伝搬する光成分が多い光透過部材であっても取り出し効率を
高くできるため、比較的大きな面積、容積を占める光透過部材を小さくして、装置を小型
化した場合にも特性の低下を抑えることができる。また、上記複合的な光源としているた
め、その光源部を小さくでき、これも装置の小型化に寄与する。

本発明の一実施の形態に係る発光装置の概略断面図（ａ）と、その概略上面図（ｂ）である。 本発明の一実施の形態に係り、図１の発光装置の光源部周辺を説明する概略断面図である。 本発明に係る各計算モデルの発光装置を示す概略断面図（Ａ）〜（Ｄ）である。 本発明の各計算モデルにおける光透過部材の径と入射領域の径の比と光取り出し効率の関係を示すグラフである。 本発明の一実施の形態に係る発光素子の概略断面図である。 本発明の一実施の形態に係る発光装置の製造方法を示す模式断面図（Ａ）〜（Ｄ）である。 本発明の一実施の形態に係る発光装置の概略断面図（ａ）と、その光源部周辺を説明する概略断面図（ｂ）である。 本発明の一実施の形態に係る発光装置の光源部周辺を説明する概略断面図である。 本発明の一実施の形態に係る各発光装置の概略断面図（ａ）〜（ｃ）である。 本発明の一実施の形態に係る発光装置の概略断面図である。 本発明に係る発光装置における光透過部材と発光効率の関係を示すグラフである。

以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。ただし、以下に説明す
る発光素子・装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、本発明を以下
のものに特定しない。特に、以下に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相
対的配置等は特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではな
く、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を
明確にするため誇張していることがある。さらに、本発明を構成する各要素は、複数の要
素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一
の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。また、以下に記載されてい
る各実施の形態についても同様に、特に排除する記載が無い限りは各構成等を適宜組み合
わせて適用できる。

（実施の形態１）
図１、２は、本発明の実施の形態１に係る発光装置１００の概略図であり、図１（ａ）
は概略上面図の図１（ｂ）のＡ−Ａにおける概略断面図であり、図２は光源部周辺の概略
断面図である。図１，２に示す例の発光装置１００は、主として、発光素子１０と、光透
過部材２０と、被覆部材３０と、波長変換部材４０と、実装基板５０と、から構成される
。基板５０は、枠体５５と、複数個（図中では２個）の発光素子１０がフリップチップ実
装された配線５１を備えている。この波長変換部材４０は、板状で互いに対向する第１お
よび第２の面を有し、その第２の面が各発光素子１０の裏面に接合されている。そして、
光反射材料３５を含有する被覆部材３０が枠体５５の内側に充填され、光源部の発光素子
１０と波長変換部材４０は、第１の面を露出面として、被覆部材３０に被覆されている。
被覆部材３０は、側面と第２の面の一部、さらに発光素子１０の側面と、を連続して被覆
する。これにより、発光素子１０及び／又は波長変換部材４０から出射された光は、光反
射性の被覆部材３０により発光側に反射、導光されて、波長変換部材４０の第１の面から
取り出され、この第１の面を主要な光取り出しの窓部すなわち発光面とする面発光型の光
源となる。第１の面の形状、大きさでそれを光源とでき、この光源の上に、光源に対する
光学素子として光透過部材２０がその光入射側の一部領域の光入射領域８０に接合されて
いる。

図２は、実施の形態１に係る発光装置の光源部周辺を説明するための概略断面図である
。図２に示すように、光透過部材２０は、その光入射側の表面において、波長変換部材４
０の第１の面を内包し、その外側を囲む被覆部材３０の一部に設けられており、その光入
射側の表面に対向して、発光装置の発光面となる発光側の表面２１を有する。この光入射
側の表面は、波長変換部材４０の第１の面と対向し、発光素子１０及び／又は波長変換部
材４０からの光が入射される入射領域８０と、その外側の被覆部材３０表面に対向する反
射領域９０と、を有する。この入射領域８０は、波長変換部材４０の第１の面からの光の
取り出し効率を増大させ、また、図１及び図２に示すように、反射領域９０で光透過部材
２０の光を反射する。ここで、図示するように、光透過部材２０は半球状レンズで、その
中心は図３Ａに示すように光源部表面で入射領域の略中心となっており、すなわち凸曲面
の発光面２１を備えた光学素子となっている。このとき、波長変換部材４０の第１の面に
垂直な断面において、光源部、入射領域８０の径（断面幅）Ｌは、光透過部材２０の曲率
半径ｒ（＝Ｒ／２）の半分以下、Ｌ≦（Ｒ／２）／２、となっていることが好ましい。入
射領域８０から入射した光の一部は発光側の表面２１から外部に放出され、残りの光成分
は発光側の表面２１の内面で光入射側へ反射されて戻り光となる。この戻り光は、直接、
又は光透過部材２０の内面での多重反射を繰り返しながらその多くが、反射領域９０に到
達する。反射領域９０に入射された戻り光は、光反射性の被覆部材３０の表面で反射され
ることにより、光透過部材２０の発光側の表面２１への入射角が変えられ外部への透過が
促進される。ここで、後述するように、被覆部材が光反射性材料を備えた透光性の部材で
あると、その表面における乱反射効果が高められ、また光の損失が少なく、好ましい。

また、上述のように、発光素子１０、又は、発光素子１０と波長変換部材４０からなる
光源部からの光透過部材２０への光入射は、光反射性の被覆部材３０にその光源部の一部
が埋め込まれることよって入射領域８０にほぼ限定されているため、光は反射領域９０か
ら光透過部材２０へ直接的に殆ど入射されず、この発光領域を光透過部材２０に対して点
光源に近づけることができる。これにより、凸曲面を備えた光学素子の光透過部材の発光
側の表面２１での光反射を低減して、ひいては高い光取り出し効率を維持したまま装置全
体を小型化、薄型化することが可能となる。このように、本発明の発光装置は、光透過部
材２０の光入射側の表面に、光透過部材２０内に高効率に光源部を結合させる入射領域８
０と、その光透過部材内の光成分を発光側の表面２１方向に反射させる反射領域９０と、
を有し、その異なる作用により、光透過部材２０の発光側の表面２１の多様な形状に対応
して、光の取り出し効率を格段に向上させることができる。

特に、本実施の形態１においては、光透過部材２０の光入射側の表面は、光源部、すな
わち波長変換部材４０の第１の面と、その外側の被覆部材３０の表面と、に各々直接接合
され、すなわち入射領域８０は第１の面との界面に、反射領域９０は被覆部材３０の表面
との界面に、それぞれ設けられている。したがって、この反射領域９０に到達する戻り光
を、光反射性の被覆部材３０の表面で反射若しくは散乱せしめ、発光側の表面２１を透過
させ装置外部に取り出すことができる。特に、後述するように、被覆部材が光反射性材料
を含有する透光性の部材、例えば透光性樹脂である場合には、被覆部材表面で、光透過部
材との界面反射ができ、さらに内部に入射した光は、光反射性材料により反射、散乱され
るため、反射領域９０の効果を高められ、発光特性に優れた発光装置となる。このような
実施の形態１の発光装置１００は、後述するように上記面発光型の光源部を作製した後、
その上に光透過部材２０を各種成形技術により直接接合させて成形することにより作製す
ることができ、後述する他の実施の形態の発光装置に比して、最も量産性に優れる形態で
ある。

また、入射領域８０は、図示するように、反射領域９０より発光側に突出していること
が好ましい。これにより、被覆部材３０の表面により遮光されず、さらに図示するように
、反射領域９０を突出した入射領域８０に向けて反射領域から傾斜した傾斜面、すなわち
外側に反射する傾斜面とすれば、その反射領域９０による光透過部材２０側方への光放出
、すなわち発光装置からの高角度成分を増大させ、広い配向性が得られる。

（光学素子と光源）
本発明における光透過部材２０、すなわち光学素子の径Ｗ、凸曲面の曲率半径ｒと、入
射領域８０の径Ｌとの関係について、以下にこれを詳述する。図３は、ここで検討する理
論計算モデルの各発光装置の構造を示す概略断面図である。図３（Ａ）に示す発光装置１
１０は、一辺の長さＬの正方形で厚さ１００μｍの直方体（板状）の光源部１６を備える
。また、光源部は、その上面のみを露出して、その側面及び底面を被覆部材３１により被
覆し、被覆部材３１の反射率は１００％とする。そして、図中の黒丸で示す光源部の上面
の中心を曲率中心とする直径Ｒの半球状の光透過部材２０ａが、同一面の光源部及び被覆
部材表面上に設けられている。光透過部材の直径Ｒ及び径Ｗは４ｍｍ（曲率半径２ｍｍ）
とし、屈折率は１．５３７とする。この発光装置１１０は、上述の実施の形態１の発光装
置１００を想定している。また、図３（Ｂ）に示す発光装置１２０は、光透過部材２０ｂ
と被覆部材３２の表面との間に空隙８６が設けられて、この両表面が互いに離間されてい
るほかは、上述の発光装置１１０と同様である。より詳細には、光源部１６より外側の光
透過部材２０ｂの平坦な表面（反射領域）に対向して、光源部の上面より下方に傾斜した
傾斜面９４があり、空隙８６の空気の屈折率は１．０００とする。この発光装置１２０は
、後述する実施の形態２の発光装置２００を想定している。

また、図３（Ｃ）に示す発光装置１３０は、光源部１６が被覆部材３３表面上に設けら
れているほかは、上記発光装置１１０と同様であり、光源部は光透過部材２０ｃ内に埋め
込まれて、底面を除いて被覆されており、図中の黒丸で示すように曲率中心は光源部１６
の底面の中心に位置する。さらに、図３（Ｄ）に示す発光装置１４０は、光透過部材が設
けられる表面が、被覆部材３４とその外側に反射率の低い基材３５を備えること、並びに
光透過部材２０ｄを変更したこと以外は、発光装置１１０と同様である。詳細には、被覆
部材３４は他の装置同様に１００％の反射率とし、上面視において一辺が２．７ｍｍの正
方形であり、基材３５は９０％の反射率とし、被覆部材３４の外側で光透過部材の全領域
を構成している。光透過部材２０ｄは、光源部上面の中心から直下へ２ｍｍ離れた位置に
曲率中心を有する曲率半径３ｍｍの球面であり、径Ｗは約４．４７２ｍｍである。したが
って、この発光装置１４０は、光透過部材の光入射側の表面において、入射領域の外側の
被覆部材３４による反射率１００％の領域と、さらにその外側の基材３５に反射率９０％
の領域と、を有しており、光源側の表面は半球面の扁形面となっている。

上述の各発光装置１１０、１２０、１３０、１４０を元に、光透過部材の曲率半径ｒ（
Ｒ／２）又は径（断面幅）Ｗと、入射領域の径（断面幅）Ｌの比（Ｌ／Ｒ，Ｌ／Ｗ）と、
光取り出し効率との関係を、各モデルについて理論計算により解析する。図４はその解析
結果であり、モデルＡ〜Ｃは上記装置１１０〜１３０、モデルＡＤは上記装置１１０の被
覆部材３１を装置１４０の被覆部材３４及び基材３５に置き換えたモデル、モデルＤＤと
ＤＤ−Ｗは上記装置１４０とそれをＬ／Ｗ比にしたもの、モデルＤＡとＤＡ−Ｗは上記装
置１４０で被覆部材３４と基材３５を装置１１０の被覆部材３１に置き換えたモデルとそ
れをＬ／Ｗ比にしたもの、をそれぞれ示し、光源部１６の径Ｌを変化させている。図４に
示すように、モデルＡ〜ＣとＡＤ、ＤＤ−Ｗ、ＤＡ−Ｗの発光装置において、Ｌ／Ｒ比（
モデルＤＤ−ＷとＤＡ−Ｗは、Ｌ／Ｗ比）が０．５より大きくなると、光の取り出し効率
が低下し始め、特にモデルＡ〜Ｃ、ＡＤではそれが顕著となる。これは、０．５以下の範
囲では、半球面、凸曲面の光透過部材の発光側の表面に対して、光源部が点光源に近い光
取り出し効率にできることを示している。また、モデルＡ〜Ｃを比較すると、モデルＡと
Ｂは、比較例のモデルＣに比して、Ｌ／Ｒが大きい領域においても光取り出し効率の低下
量が大幅に抑制され、光源部１６の一部を光反射性の被覆部材により被覆する構造は、高
い発光効率を維持したまま装置を小型化する上で優位性があることが分かる。また、比較
例のモデルＡＤでは光源が小さい領域でも、モデルＡ〜Ｃより効率が低く、またＬ／Ｒが
０．５以上で急激に低下するため、モデルＡ〜Ｃに比して、光源部を十分に小さく、然る
に光透過部材を十分に大きくしなければならず、高効率化には装置の大型化が必要である
ことを示している。

さらに、発光装置１４０の光透過部材２０ｄを用いたモデルＤＡ，ＤＤの光取り出し効
率は、他の発光装置１１０〜１３０の光透過部材２０ａ〜ｃを用いたモデルＡ〜Ｃ，ＡＤ
に比して、その初期値、最大値が大幅に低くなっている。光取り出し効率の観点において
、光透過部材の発光側の表面の形状は半球面であることが最も好ましい反面、装置が大型
化する。他方、半球面の扁形の部材２０ｄの発光装置１４０（モデルＤＡ，ＤＤ）では、
光透過部材２０ｄ内面での光反射成分が多くなり、効率が低下するが、装置の小型化、薄
型化に優れる。このモデルＤＡ，ＤＤを比較しても、比較例のモデルＤＤ（装置１４０）
に比して、モデルＤＡの効率が優れる傾向にあり、本発明が小型化、薄型化においても高
効率の装置を実現できることが分かる。また、発光装置１４０のように、光透過部材２０
の光入射側の表面の外縁に反射率の低い領域３５を有するモデルＡＤ、ＤＤは比較例であ
り、このような領域は例えば基板５０、配線５１などの被覆部材より低い装置内の部材が
露出される構造を想定している。そのため、このモデルでは装置の小型化、光源部の大面
積化により、内面での光反射が増大し、この環状で外縁を構成する低反射率領域に到達す
る光量が増し、さらに光取り出し効率が低下することとなる。本発明の光透過部材が半球
面からの扁形であったり、扁平した、曲率が変わった凸曲面であったり、また図９（ｂ）
、（ｃ）のように種々の光学レンズ形状であったりして、光透過部材の内面反射が多くな
る構造でも、高い発光効率を有し、そして高効率を維持して装置を小型化、薄型化するこ
とができる。

次に、本発明の発光装置の各構成部材および構造について、以下に詳述する。

（発光素子）
発光素子１０は公知のもの、具体的には半導体発光素子を利用でき、特にＧａＮ系半導
体であれば、蛍光物質を効率良く励起できる短波長の可視光や紫外光が発光可能であるた
め好ましい。具体的な発光ピーク波長は２４０ｎｍ以上５６０ｎｍ以下、好ましくは３８
０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下である。なお、このほか、ＺｎＳｅ系、ＩｎＧａＡｓ系、Ａｌ
ＩｎＧａＰ系半導体の発光素子でもよい。

（発光素子構造）
半導体層による発光素子構造１１は、図５に例示するように少なくとも第１導電型（ｎ
型）層２と第２導電型（ｐ型）層３とにより構成され、更にその間に活性層３を有する構
造が好ましい。また、電極構造は、一方の主面側に第１導電型、第２導電型の両電極６，
７が設けられる同一面側電極構造が好ましいが、半導体層の各主面に対向して電極が各々
設けられる対向電極構造でも良い。発光素子１０の実装形態も、例えば上記同一面側電極
構造では、電極形成面を実装面として、それに対向する基板１側を主な出射面とするフリ
ップチップ実装が、その出射面と光透過部材２０との光学的な接続上好ましい。この他、
電極形成面側を主な出射面として、その上に透光性部材、波長変換部材を結合する実装、
フェイスアップ実装、また配線構造を備えた透光性部材、波長変換部材にフリップチップ
実装、上記対向電極構造で光透過部材と実装基板に接続すること、ができ、好ましくは発
光素子と透光性部材、波長変換部材に配線、電極を備えない実施例の実装が良い。なお、
半導体層１１の成長基板１は、発光素子構造を構成しない場合には除去してもよく、成長
基板が除去された半導体層に、支持基板、例えば導電性基板または別の透光性の部材・基
板を接着した構造とすることもできる。この支持基板に透光性部材、波長変換部材２０を
用いることもでき、その他、ガラス、樹脂などの光透過性の部材により半導体層が接着・
被覆されて、支持された構造の素子でもよい。成長基板の除去は、例えば支持体、装置又
はサブマウントに実装又は保持して、剥離、研磨、若しくはＬＬＯ（Laser Lift Off）で
実施できる。また、発光素子１０は光反射構造を有することができ、具体的には、半導体
層１１の互いに対向する２つの主面の内、光取り出し側（出射面側）と対向する他方の主
面を光反射側（図１における下側）とし、この光反射側の半導体層内や電極などに光反射
構造を設けることができる。光反射構造の例として、半導体層内に多層膜反射層が設ける
構造、あるいは半導体層の上にＡｇ、Ａｌ等の光反射性の高い金属膜や誘電体多層膜を有
する電極、反射層を設けた構造がある。

（窒化物半導体発光素子）
発光素子１０の一例として、図５の窒化物半導体の発光素子１０では、成長基板１であ
るＣ面サファイア基板の上に、第１の窒化物半導体層２であるｎ型半導体層、活性層３で
ある発光層、第２の窒化物半導体層４であるｐ型半導体層が順にエピタキシャル成長され
ている。そして、ｎ型層２の一部が露出されて第１の電極７であるｎ型パッド電極を形成
し、ｐ型層４のほぼ全面にＩＴＯ等の透光性導電層５、第２の電極６であるｐ型パッド電
極が形成されている。さらに、保護膜８をｎ型、ｐ型パッド電極６，７の表面を露出し、
半導体層を被覆して設けられる。なお、ｎ型パッド電極７は、ｐ型同様に透光性導電層を
介して形成してもよい。成長基板１は、Ｃ面サファイアの他、Ｒ面、及びＡ面、スピネル
（ＭｇＡｌ₂Ｏ₄）のような絶縁性基板、また炭化珪素（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃ）、Ｓｉ、Ｚｎ
Ｓ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、ＧａＮやＡｌＮ等の半導体の導電性基板がある。窒化物半導体の
例としては、一般式がＩｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）の他、Ｂ
やＰ、Ａｓを混晶してもよい。また、ｎ型、ｐ型半導体層２，４は、単層、多層を特に限
定されず、活性層３は単一（ＳＱＷ）又は多重量子井戸構造（ＭＱＷ）が好ましい。青色
発光の素子構造１１の例としては、サファイア基板上に、バッファ層などの窒化物半導体
の下地層、例えば低温成長薄膜ＧａＮとＧａＮ層、を介して、ｎ型半導体層として、例え
ばＳｉドープＧａＮのｎ型コンタクト層とＧａＮ／ＩｎＧａＮのｎ型多層膜層が積層され
、続いてＩｎＧａＮ／ＧａＮのＭＱＷの活性層、更にｐ型半導体層として、例えばＭｇド
ープのＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮのｐ型多層膜層とＭｇドープＧａＮのｐ型コンタクト層が
積層された構造がある。

（波長変換部材）
図１の発光装置１００は、光源部に発光素子１０からの光により励起され、該入射光の
少なくとも一部を波長変換可能な波長変換部材４０を備える。光源部は発光素子、又はそ
れに接合する透光性部材を加えた構造で構成されてもよく、好ましくはその透光性部材に
波長変換部材を用いる。本明細書では単に波長変換部材と記載している場合でも、波長変
換機能に依らないときには透光性部材に置き換えて適用できる。これにより、光源部にお
いて発光素子１０から出射された一次光が波長変換部材４０で励起することで、発光素子
１０の発光波長とは異なった波長を持つ二次光が得られ、一次光と、波長変換された二次
光の混色により、所望の色相を有する出射光を実現できる複合光源となる。この他、一次
光で励起された二次光もしくはその副次的な光についてほぼその光だけを透過させる形態
、例えば紫外線発光ＬＥＤの変換光（単色、混色光）、を発光する光源部、それを備えた
発光装置であってもよい。

また、図１の波長変換部材４０は、第１の面側からの平面視において発光素子１０を内
包するように構成される。言い換えると、図１に示すように、波長変換部材４０の側面が
、発光素子１０の側面よりも外側に突出している。これにより、発光素子１０からの出射
光を、発光素子１０の上面より幅広な受光面でもって直接的に結合されるため光束の損失
が少ない。なお、発光素子１０の側面に対する波長変換部材４０の側面の突出量は、発光
素子１０の寸法に比して、例えば３％以上３０％以下であり、具体的には５％以上１５％
以下である。例として、下記実施例２の発光装置においては波長変換部材４０の終端に約
５０μｍの幅で突出している。

波長変換部材４０の形状は特に限定されないが、実施の形態１では板状体であり、面状
の発光素子１０の出射面との結合効率が良く、互いに略平行になるよう容易に位置合わせ
でき好ましい。加えて、その厚みを略一定とすることで、混色の割合を安定させ、光源部
表面の入射領域８０において色ムラを抑止できる。また、１つの波長変換部材４０に複数
の発光素子１０を接合しやすく、また光源部の出射表面の輝度や色度の分布は、発光素子
の配置に依存するが、それを抑えることができる。なお、波長変換部材４０の厚みは、発
光効率や色度調整において、１０μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましく、さらに
は５０μｍ以上３００μｍ以下であることがより好ましい。また、１つの透光性部材、波
長変換部材４０に接合される発光素子１０の搭載個数は特に限定されず、複数にすれば、
光束量を多くでき光源部の放出光の輝度を高められて好ましい。複数とする場合の配置は
、一列状に配置、等間隔に格子位置に配置などが挙げられる。

ここで、光源部に用いられる、また波長変換部材４０の母材となる、透光性部材の材料
としては、下記被覆部材３０と同様の材料を用いることができ、例えば、樹脂、ガラス、
無機物を用いることができる。また下記蛍光体の成形体、結晶体などでもよい。具体的に
は、波長変換部材４０としては、波長変換部材を備えたガラス板、あるいは蛍光体結晶若
しくはその相を有する単結晶体、多結晶体、アモルファス体、セラミック体などが挙げら
れる。この他、蛍光体結晶粒子と適宜付加される透光性の部材との焼結体、凝集体、多孔
質体、更にそれらに光透過部材、例えば透光性樹脂を混入、含浸したもの、あるいは蛍光
体粒子を含有する光透過部材、例えば透光性樹脂の成形体等から構成される。

波長変換部材は、青色発光素子と好適に組み合わせて白色発光とでき、波長変換部材に
用いられる代表的な蛍光体としては、ガーネット構造のセリウムで付括されたＹＡＧ系蛍
光体（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）及びＬＡＧ系蛍光体（ルテチウム・ア
ルミニウム・ガーネット）が挙げられ、特に、高輝度且つ長時間の使用時においては（Ｒ
ｅ_1-xＳｍ_x）₃（Ａｌ_1-yＧａ_y）₅Ｏ₁₂：Ｃｅ（０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、但し、Ｒｅは、
Ｙ、Ｇｄ、Ｌａ、Ｌｕからなる群より選択される少なくとも一種の元素である。）等が好
ましい。またＹＡＧ、ＬＡＧ、ＢＡＭ、ＢＡＭ：Ｍｎ、（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｚｎ：Ｃｕ、ＣＣ
Ａ、ＳＣＡ、ＳＣＥＳＮ、ＳＥＳＮ、ＣＥＳＮ、ＣＡＳＢＮ及びＣａＡｌＳｉＮ₃：Ｅｕ
からなる群から選択される少なくとも１種を含む蛍光体が使用できる。波長変換部材は、
透光性部材の他に、例えば光透過部材中、光透過部材と発光素子との間、そこに介在する
接着材中、発光素子と被覆部材との間、にも設けることもできる。黄〜赤色発光を有する
窒化物系蛍光体等を用いて赤味成分を増し、平均演色評価数Ｒａの高い照明や電球色ＬＥ
Ｄ等を実現することもできる。具体的には、発光素子の発光波長に合わせてＣＩＥの色度
図上の色度点の異なる蛍光体の量を調整し含有させることでその蛍光体間と発光素子で結
ばれる色度図上の任意の点を発光させることができる。その他に、近紫外〜可視光を黄色
〜赤色域に変換する窒化物蛍光体、酸窒化物蛍光体、珪酸塩蛍光体を用いることができる
。例えば、Ｌ₂ＳｉＯ₄：Ｅｕ（Ｌはアルカリ土類金属）、特に（Ｓｒ_xＭａｅ_1-x）₂Ｓｉ
Ｏ₄：Ｅｕ（ＭａｅはＣａ、Ｂａなどのアルカリ土類金属）などが挙げられる。窒化物系
蛍光体、オキシナイトライド（酸窒化物）蛍光体としては、Ｓｒ−Ｃａ−Ｓｉ−Ｎ：Ｅｕ
、Ｃａ−Ｓｉ−Ｎ：Ｅｕ、Ｓｒ−Ｓｉ−Ｎ：Ｅｕ、Ｓｒ−Ｃａ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ：Ｅｕ、Ｃ
ａ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ：Ｅｕ、Ｓｒ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ：Ｅｕなどがあり、アルカリ土類窒化ケイ
素蛍光体としては、一般式ＬＳｉ₂Ｏ₂Ｎ₂：Ｅｕ、一般式Ｌ_xＳｉ_yＮ_(2/3x+4/3y)：Ｅｕ若
しくはＬ_xＳｉ_yＯ_zＮ_{(2/3x+4/3y-2/3z)}：Ｅｕ（Ｌは、Ｓｒ、Ｃａ、ＳｒとＣａのいずれ
か）で表される。

（被覆部材）
被覆部材３０は、図１に示すように、光源部の一部と光透過部材の表面を被覆し、具体
的には少なくとも発光素子を含む光源部を埋め込むように被覆して、加えて光透過部材の
入射側表面まで延在して被覆する。さらに、光源部内の波長変換部材４０の一部、具体的
にはその側面を被覆し、そこから露出された光源部表面から出射面となり光透過部材へ入
射する。被覆部材３０の基材としては、樹脂材料であり、さらに透光性がよく、シリコー
ン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物等を使用することが好ましいが、エポキシ樹脂
組成物、変性エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物等の透光性を有する絶縁樹脂組成
物を用いることができる。また、これらの樹脂を少なくとも一種以上含むハイブリッド樹
脂等、耐候性に優れた封止部材も利用でき、このように透光性樹脂であると本発明におけ
る所望領域の被覆、その成形に適していが、ガラス、シリカゲル等の耐光性に優れた無機
物を用いることもできる。さらに被覆部材３０は、耐熱性の高い樹脂成形体とすると、光
源部の発光素子や波長変換部材４０の発熱に対応でき好ましい。実施の形態１では、被覆
部材３０を構成する基材となる樹脂にシリコーン樹脂を用いる。シリコーン樹脂は耐熱性
、撥水性、電気絶縁性に優れる他、経年劣化しにくい利点を備える。さらにまた、被覆部
材３０表面を所望の形状、例えば図示する傾斜面、曲面の形状、として、反射領域の機能
及び効果を高めて、指向性、色分布を制御し、また集光させることもでき、光透過部材の
光学機能と適宜組み合わせることで、装置の発光特性を制御し得る。

また、被覆部材３０は、上記基材中に少なくとも１種類の光反射性材料３５を含有して
なる。光反射性材料を含有することで、被覆部材の反射率が高まり、更に好適には低吸収
性の粒子を用いると、光吸収、損失が低減され、光散乱性を備えた被覆部材とでき、具体
的には透光性の粒子を用いる。この光反射性材料としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｓ
ｉからなる群から選択される１種の酸化物、若しくはＡｌＮ、ＭｇＦの少なくとも１種で
あり、具体的にはＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ａｌ₂Ｏ₃、ＭｇＦ、ＡｌＮ、ＳｉＯ₂よ
りなる群から選択される少なくとも１種である。光反射性材料の粒子が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ａｌからなる群から選択される１種の酸化物であることで、材料の高い反射性及び低
吸収性とでき、基材、特に透光性樹脂との屈折率差を高められ、好ましい。また、被覆部
材は、上記光反射性材料による成形体でもって構成することもでき、具体的には上記粒子
を凝集した凝集体、焼結体、などの多孔質材料とすることもでき、その他に、ゾル・ゲル
法による成形体でもよく、上記光反射性材料と多孔質内の空気との屈折率差を大きくし、
光反射性を高められ、また無機材料で構成できるため、好ましい。一方、上記樹脂などの
母材を備えた被覆部材の方が、所望の形状への成形及びその被覆領域の制御性で、また封
止性能、気密性能を高められ、本発明ではこちらの方が好ましい。また、両者の被覆部材
の特性を考慮して、両者の複合的な成形体とでき、例えば、多孔質成形体の一部、外表面
側に樹脂を含浸させ、発光素子側の内表面側では多孔質とした構造とできる。このように
、被覆部材若しくはそれにより光源部を包囲する包囲体は、内部領域と外部とが連通され
たり、気体透過性であったりしてもよく、少なくとも光が漏れ出さない形態であれば良い
。

上述した母材中に光反射性材料３５を含有する被覆部材３０では、その含有濃度、密度
により光の漏れ出す深さが異なるため、発光装置の形状、大きさに応じて、適宜濃度、密
度を調整すると良い。例えば、比較的小さな発光装置で肉厚を小さくする場合、高濃度の
光反射性材料を備えることが好ましい。一方、光反射性材料を含有する被覆部材の原料の
調製、その原料の塗布、成形などの製造に適するように、その濃度、粒径を適宜でき、粒
径は従来のフィラー等と同様のものを用いることができ、上記多孔質体についても同様で
ある。一例として、光反射性材料３５の含有濃度は２０重量パーセント濃度以上、被覆部
材３０の肉厚は２０μｍ以上とするのが好適である。この範囲であれば、生産性も良く、
発光面である第１の面から高輝度で指向性の高い放出光が得られる。さらに、樹脂基材中
には、その他のフィラーを添加してもよい。例えば、熱伝導性材料を付加することができ
、光源部による発熱を効率良く拡散でき、信頼性を向上させ、高出力化できる。熱伝導性
材料として、具体的には０．８Ｗ／Ｋ・ｍ以上の熱伝導率が好ましく、例えばＡｇ、Ｃｕ
等の金属材料や、ダイヤモンド、アルミナ、ＡｌＮ、ガラス等熱引きの良いセラミックス
材料が挙げられ、これらを混合して含有させてもよい。また、顔料などを混合させて着色
して、特定の波長の光を吸収させることもできる。

被覆部材による被覆領域は上述の通りであるが、これについて以下に詳述する。光源部
の側面、また波長変換部材の側面が被覆されることで、側面からの光の漏れ出しを回避で
き、さらに側面より外方へ放出するのを抑止して、全体の発光色における色ムラや輝度ム
ラを低減できる。また、光源部の一部が露出され、具体的には発光素子、波長変換部材、
またその他の部材の側面を被覆して上面が露出され、その発光領域を制限することで、放
出光の指向性と出射面における輝度を高められる。さらに、光源部、特に波長変換部材で
発生する熱を被覆部材３０へ伝導させ、被覆されない場合より放熱性を高められる。また
、波長変換部材４０の側面に加えて、発光素子側表面（第２の面）の一部も被覆するとよ
く、具体的には、図１，２に示すように、波長変換部材４０と基板５０との間に被覆部材
３０を充填させ、発光素子１０の周囲を被覆部材３０により被包する。つまり、第２の面
において、発光素子１０と接合する対向領域を除く露出領域が被覆される。このように、
第２の面に光学的な接続領域と、被覆部材３０の被覆領域とが設けられ、また被覆領域か
ら延在して発光素子側面が被覆されることで、この接続領域に一次光を高効率に導光でき
、波長変換部材中の光を第２の面側で反射させ基板５０での光吸収を抑制できる。さらに
、複数の発光素子１０が接合される場合に隣接素子では上記課題が大きくなるが、その素
子間についても被覆部材３０が充填され、第２の面で隣接する素子接合領域の間の離間領
域が被覆されることで、上記効果が得られ好ましい。

なお、本発明の発光装置は、被覆部材３０の表出面側は、光源部の第１の面（出射面）
の周囲を形成し、光透過部材の反射領域、その対向領域を形成する構造であり、その他の
表出面領域、また内部側は種々の形態が採用できる。例えば、被覆部材３０が波長変換部
材４０の側面を覆って表出面を形成すればよく、その内部側の光源部側面又は周囲は、接
して又は離間して包囲される形態とでき、この場合、発光素子と接触又は離間した被覆部
材が設けられる。図示するように波長変換部材の側面および第２の面から連続して発光素
子１０を被包させて、光源部が埋め込まれることが製造上好ましい。一方、内部側ではこ
のように接触する場合の他、被覆部材３０を発光素子１０の側面の外方に離間して配置さ
せることもでき、その間に空隙が設けられていることで空隙との界面反射が実現でき、ま
た樹脂等の被覆部材の光、熱による劣化を防止でき好ましい。さらに複数の発光素子１０
の離間領域にもその空隙を設ける構造とできる。このとき、好適には発光素子１０との屈
折率差を高くするように、上記空隙の内部空間を空気・気体との屈折率差の高い露出部を
形成することが好ましい。

本発明において、光透過部材は光入射側表面に、光源部の入射領域の外側に反射領域を
備え、その反射領域は、光透過部材の表面、更には被覆部材との界面に設けられるため、
その反射機能が各部材の材質、表面形態に大きく依存する。実施の形態１では、光反射材
料を含有する被覆部材と、その上に成形された光透過部材との界面に形成されることで、
好適な反射、散乱機能を備える。具体的には、互いに透光性の材料であることでその透光
性の材料同士の界面が形成され、高い反射率が得られ、さらに被覆部材内の光反射性材料
による散乱機能が付与される。これにより、光取り出し効率の向上、輝度、色むらの改善
が図れ、特に装置が小型化した場合、すなわち光源部Lの割合が大きく、又は光透過部材
の径が小さく若しくは形状が球面から変形、扁平、した場合にその効果が増大する。この
とき、界面を構成する各部材に屈折率差が設けられると特に好ましく、大きい屈折率が、
光透過部材側であると上記透光性材料界面の反射率が向上し、装置の出力が向上し好まし
く、被覆部材側であるとその内部に多くの光が取り込まれ、散乱されるため、配向性、輝
度・色度分布に優位となり好ましい。従って、上述の光透過部材の光学素子機能や後述の
両部材の界面、反射面の形状だけでなく、両部材の材料、組成、加えて被覆部材中の上記
反射材料の濃度、分布状態を調整することによっても、本発明の発光装置はその発光特性
を適宜制御することができるものとなる。特に光源部に波長変換部材を内包する場合には
、その形状等の部材の性質により、光源部出射光の色度、輝度分布が特有のものとなるが
、これを反射領域による機能によって制御でき好ましい。さらに、両部材が樹脂であるこ
とでその樹脂界面を所望の形状とでき、後述するように、種々の指向性等、発光特性の装
置を設計でき好ましい。

以上説明したように、本発明の発光装置は、光源部を囲む２つの領域を有して、一方の
光透過部材側は発光面を備える導光領域で、他方の被覆部材側はそれより光反射率の高い
被覆領域であり、更に光源部はその出射面が被覆領域から露出されて導光領域に結合した
入射領域と、導光・被覆領域の境界に反射領域が設けられた構造となっている。この２つ
の領域でもって光源部を囲み、その接合部、又は境界領域に入射領域と反射領域を設ける
ことで、上述した各機能、効果を適宜発現させ、それを制御し、所望の発光特性、小型化
が可能な発光装置が得られる。特に光源部の出射面が面光源であること、面状の入射領域
であることにより、それに連続する境界部分の反射領域が連携して機能でき好ましい。一
方、後述する装置１４０、モデルＤＤ，ＤＡの検討に観るように、被覆領域が好適に形成
されること、すなわち２つの領域の境界に設けられることが好ましい。例えば、被覆部材
より幅広な光透過部材の外縁で、被覆部材から露出された実装基板と対向すること、境界
が設けられることで、反射率の低い基板表面により装置の特性に大きく影響を及ぼす。ま
た、他の例では、光源部の側面や実装側表面において、光源部からの漏れ光、若しくはそ
の経路が設けられる場合には、光量が多いため、出力、効率低下に大きく影響する。例え
ば、発光素子の側面、入射領域に対向する表面（基板側、実装側）が被覆部材から露出さ
れ、またそこに基板表面など被覆部材より低反射率、高い光吸収率の表面が露出されるこ
とで、その影響が顕著となる。従って、光源部の周囲を覆うか、露出される低反射率、高
吸収率の表面を覆うか、いずれか一方、好ましくは両方が成されていると好ましく、実施
の形態１のように被覆部材が充填される形態はその両方を備えた構造である。然るに、被
覆領域は導光領域の略全領域に対向して設けられること、被覆部材の表面に光透過部材の
光入射側表面が内包されることが好ましく、その被覆領域、部材により光源部の出射表面
以外の領域が覆われることが好ましい。具体的には、図示するように発光素子の対向表面
側にアンダーフィルとして被覆部材を設け、両方を備えた構造とし、例えば、発光素子や
光源部を覆うプリコートやアンダーフィルが透明樹脂で低反射率、高吸収率の表面、基板
表面が露出されたり、光源部からの光漏れ経路が形成されたり、するのを防ぐ構造となっ
ている。従って、被覆部材、被覆領域により、光源部の出射側に対向する表面が内包され
、すなわち、該対向側の被覆部材、被覆領域の表面（図の基板５０側表面）が光源部から
被覆部材により分離されることが好ましい。

導光領域と被覆領域の境界に設けられる反射表面は、各領域の互いに対向する表面にそ
れぞれ設けられ、実施の形態１のように両者が接合する場合にはその界面に設けられる。
前者は、実施の形態２のように、互いに離間して対向する場合に、光透過部材と被覆部材
の各対向表面にそれぞれ反射機能が付与され、重畳されるため、高い光取り出し効率とな
る。後者は境界領域、部材の界面で反射機能が付与されるため、指向性を制御しやすくな
る。従って、その反射表面は、各領域、各部材の成形において、所望の反射機能とでき、
その表面の傾斜が入射領域に対して略平坦であれば、光源部の出射方向に光が取り出され
、他方、実施の形態２のように、反射面が外側に傾斜した場合、例えばその法線方向が光
源部の光軸に対し外側に傾斜した場合は、は広い指向性となり、逆に内側に傾斜した場合
は高輝度な発光となり、好ましい。また、凸曲面、凹曲面など種々の光学表面を設けた構
造して、所望の発光特性を得ることができ、さらに光反射材料を含有する散乱性の被覆部
材の場合には、各領域、各部材の各対向表面で異なる反射機能とでき、両者が接合する場
合には上述した界面反射と内部散乱機能を付与でき、両者が離間する場合は、被覆部材表
面の乱反射により光り取り出しが促進される構造とできる。以上のように被覆領域、被覆
部材の反射率、例えば、光反射材料の濃度は、実施の形態、実施例のように一定であって
もよく、それの異なる領域を設けたり、それを分布させたりしてもよい。これにより、各
領域、部位で異なる反射機能を付与でき、例えば、光源部側の内側領域とそれより外側の
外側領域で、光反射材料の濃度を変えたり、異なる濃度の被覆部材で各領域を形成したり
、して、内側、外側の各領域で異なる散乱性の発光装置とすることができる。例えば、外
側領域を高濃度の光反射材料として散乱性を高めて、放出光の外縁部分の色ムラを低減す
ることができる。

（光透過部材）
光透過部材２０は、発光素子１０の第１の面または波長変換部材４０の第１の面と接合
されて光の取り出し効率を向上させることができる。光透過部材２０は、少なくとも発光
側の表面２１と光入射側の表面とを有し、発光側の表面２１は目的に応じて種々の形状に
形成することができる。例えば、上述のように、発光側の表面２１を凸曲面、球面（半球
面）の凸レンズ形状とすることで、全方位角の光入射に対して均一な透過特性（臨界角）
とでき、光を効率良く外部に取り出すことができる。また、球面に限らず、所望の曲率、
凸レンズ形状、例えば砲弾型とすることで球面よりも光の放射角を小さくすることができ
る。このほか、凹曲面、凹レンズ形状とすることで光を拡散させてもよく、実施の形態４
、図９で説明するように、所望の指向性とする光学素子としても良い。

光透過部材２０は、上記被覆部材３０の基材と同様に、例えばエポキシ樹脂、シリコー
ン樹脂、変成シリコーン樹脂、ユリア樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネ
イト樹脂、ポリイミド樹脂などの樹脂材料を用いて形成することができる。なお、光透過
部材２０は、発光素子１０や波長変換部材４０を保護する封止材としての役割も果たすた
め、耐候性、耐熱性、硬度に優れる材料が好ましく、エポキシ樹脂、又は硬質のシリコー
ン樹脂が好ましく、ガラスを用いてもよい。さらに、光透過部材２０に、上述のような蛍
光体、及び／又はＴｉＯ₂などの上述の光散乱粒子、及び／又は石英ガラス等の上述のフ
ィラー、その他、上述の顔料などを適宜添加して所望の発光特性とすることができ、透光
性部材、接着材１５等の透光性の樹脂材料についても同様である。また、光透過部材２０
は圧縮成形、トランスファー成形などにより、所望の大きさ、並びに上記のような所望の
形状に成形することができる。

（実装基板）
一方、図１の発光装置１００において、上記の発光素子１０が実装される基板５０は、
少なくとも表面に素子の電極と接続される配線５１を形成したものが利用でき、また外部
接続用の配線５２（図７，９）などが設けられても良い。基板の材料は、例として窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）で構成され、単結晶、多結晶、焼結基板、他の材料としてアルミナ
等のセラミック、ガラス、Ｓｉ等の半金属あるいは金属基板、またそれらの積層体、複合
体が使用でき、金属性、セラミックは放熱性が高いため好ましい。なお、基板５０は配線
が無くてもよく、例えば図５の素子で成長基板側を実装して素子の電極を装置の電極にワ
イヤー接続する形態、波長変換部材に配線を設けて接続する形態でもでもよい。また、図
示する発光装置のように、被覆部材３０が実装基板５０の上に設けられる形態の他、実装
基板５０の外側側面も覆う形態でもよい。また実装基板５０は、少なくともその表面が高
反射性材料で構成されることが好ましい。図１，２に示すように、発光素子１０は、導電
性接着材６０により配線５１上に接着されて外部と電気的に接続される。導電性接着材６
０は、半田、Ａｇペースト、Ａｕバンプなどが利用できる。

（枠体、積層基板、基材）
図１に示す発光装置１００は、枠体５５を有し、被覆部材３０の保持部材である。枠体
５５は、セラミックや樹脂などで形成することができる。光反射性の高いアルミナが好ま
しいが、表面に反射膜を形成すればこれに限らない。樹脂であれば、スクリーン印刷等を
用いるほか、成形体を実装基板に接着してもよい。また、被覆部材３０と同様に光反射性
材料を用いるなどして、反射率を高くすると好ましい。また、上記添加部材同様に、枠体
を目的に応じて着色してもよい。なお、この枠体は、被覆部材を充填又は成形後に、取り
外すこともできる。また、枠体として、積層基板５６、基材などでキャビティ構造を有す
る装置基体など、発光素子の実装基板に一体に形成されている形態でもよい。

（接着材）
発光素子１０と波長変換部材４０との界面には接着材１５が介在されてもよく、これに
より双方の部材を固着する。この接着材１５は、発光素子１０からの出射光を波長変換部
材４０側へと有効に導光でき、双方の部材を光学的に連結できる材質が好ましい。その材
料としては上記各部材に用いられる樹脂材料が挙げられ、一例としてシリコーン樹脂など
の透光性の接着材料を用いる。その他の各部材間、例えば実施の形態２（図７）における
接着材５５のように、光路上で同様な透光性の接着材を設けても良い。

（発光装置の製造方法）
図１に示される例の発光装置１００の製造方法の一例として、図６を用いて以下に説明
する。まず、図６（Ａ）に示すように、基板５８上または発光素子１０に、バンプ６０を
形成し、それを介して発光素子１０をフリップチップ実装する。この例ではサブマウント
基板５８上で、１つの発光装置に対応する領域に各々１個のＬＥＤチップを並べて実装す
る（但し、ＬＥＤチップの個数は適宜変更できる）。次に、発光素子１０の第１の面側（
サファイア基板１裏面あるいは基板除去した場合であれば窒化物半導体１１露出面）に、
接着材であるシリコーン樹脂を塗布して、波長変換部材４０を積層する。その後、そのシ
リコーン樹脂を熱硬化して、発光素子１０と波長変換部材４０とを接着する。さらに、発
光素子１０の周囲に所定の大きさ、形状の枠体５７を立設させておく。ここでは、枠体５
７の高さは波長変換部材４０の第１の面より低いが、略同じか高くしてもよい。

次に、枠体５７内に、波長変換部材４０の側面を被覆するように、ディスペンサ（液体
定量吐出装置）７１等により光反射性粒子を含有する液状の樹脂３１をポッティングする
。滴下された樹脂３６は、表面張力によって発光素子１０の壁面側を這い上がり、波長変
換部材４０の側面を被覆する。そして、この樹脂３６を硬化させて被覆部材３７とする。
ここで、被覆部材３７は波長変換部材４０の第１の面より低い位置に窪んだ凹部がその表
面に形成され、言い換えると、波長変換部材４０の第１の面が最高位に配置された凸状の
窓部となっており、被覆部材３７の表面はその周辺で傾斜面となる。次に、図６（Ｂ）に
示すように、被覆部材３７および波長変換部材４０上に、同様のディスペンサ等によって
、光透過部材となる液状の熱硬化性樹脂２６を適量滴下する。続いて、図６（Ｃ）に示す
ように、その上から、半球状のレンズ型が形成されている上金型７２で所定の圧力を加え
て樹脂層２６を圧縮し、その状態で所定時間保持して樹脂層２６を１次硬化させる。ここ
で、金型における加熱温度および加熱時間は、樹脂が所定の形状を保持するのに十分な硬
度に達するような条件に設定することが好ましい。例えば、１次硬化温度は１００〜１７
０℃、好ましくは約１２０〜１５０℃にする。また、硬化時間は２００〜９００秒、好ま
しくは２５０〜６００秒とする。また、上金型７２の内面の形状によって、所望のレンズ
径や曲率半径を持ったレンズを形成することもできる。

さらに、図６（Ｄ）に示すように、所望のレンズ形状となった樹脂成形体２７が形成さ
れた一連の発光装置が設けられた基板を型から取り出し、所定の条件で加熱して樹脂成形
体２７を２次硬化させる。２次硬化の条件は、樹脂成形体２７の硬化が十分となるように
、例えば２次硬化の温度は１次硬化と同等以上にし、２次硬化の時間を１次硬化よりも長
時間に設定することが好ましい。エポキシ樹脂、硬質シリコーン樹脂の場合、２次硬化の
時間を３〜５時間程度にする。２次硬化をこのように十分に行えば、樹脂成形体８０内に
未反応の硬化成分が残り、発光装置の信頼性に悪影響を与えることを防止できる。また、
型から取り出した後に２次硬化を行うことにより、工程のスループットを高めることがで
きる。最後に、所定の位置（例えば、図６（Ｄ）における点線Ａ）でもってダイシングを
行い、所望の大きさに切り出し、個片化すれば図１の発光装置１００が得られる。

（実施の形態２）
図７（ａ）は、本発明の実施の形態２に係る発光装置２００の概略断面図であり、図７
（ｂ）は、その光源周辺部を説明するための概略断面図である。発光装置２００において
、光透過部材２０を除く他の構造については実施の形態１と実質上同様であり、したがっ
て同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。この発光装置２００は
、直径Ｒ（＝Ｗ）の半球状に予め成形された光透過部材２０が透光性接着材２８を介して
波長変換部材４０の第１の面に接着された構成となっている。この発光装置２００では、
光透過部材２０の光入射側の表面に、径Ｌ２で接着材２８と接合する入射領域８２とその
外側の反射領域９２とが設けられている。反射領域９２と被覆部材の表面９３とは離間さ
れ、その間には空隙８５が設けられており、反射領域９２は光透過部材２０の底面であり
、空気との界面を成して反射させることができ、光の取り出し効率を向上させることがで
きる。図４に示す上述の解析結果からわかるように、本実施の形態２における発光装置２
００は、実施の形態１の発光装置１００より光の取り出し効率が高く、特に光源が大きい
場合、光透過部材が小さく、装置が小型の場合において優れた構成となっている。なお、
透光性接着材２８は、接合する光透過部材２０とほぼ同程度の屈折率を有する材料である
ことが好ましい。これは、光透過部材２０と透光性接着材２８との界面における光の反射
を低減し、光結合効率を良好にするためであり、略同じ材料で構成すると、例えば略同じ
樹脂で形成するとそれを容易に実現できる。

また、介在する透光性接着材２８には、光源部側の入射領域８２の対向領域、つまり光
入射側の表面に、光源部の出射面である波長変換部材４０の第１の面との界面に径Ｌ１の
入射領域８１と、被覆部材の表面との界面に反射領域９１とが設けられている。この径Ｌ
２は径Ｌ１より大きいことが好ましく、これにより光源部から光透過部材２０へ効率良く
光を導光することができる。また、反射領域９１が設けられていることで、被覆部材の表
面で透光性接着材内の戻り光などを反射、散乱せしめ、光透過部材２０への光結合効率を
高めることができる。なお、透光性接着材２８の光源部側の被覆領域（上記光入射領域８
１と反射領域９１）と、接着材から露出された被覆部材の反射領域９３との被覆・接合領
域の範囲によって、光源部より外側の反射領域９１と９２の割合を調整でき、例えば光透
過部材２０の光入射側の表面の略全領域が、透光性接着材２８により被覆されてもよい。
この場合、光透過部材と被覆部材との間は透光性接着材で満たされ透明な領域となり、光
透過部材２０から透光性接着材２８内への光の透過が促進され、実施の形態１と同様に被
覆部材の表面の反射領域９１にて戻り光を反射させて外部に取り出す構造となる。すなわ
ち、透光性接着材が介在して、入射面側２５が光源部の出射面８１と被覆部材表面９３と
離間されることで、その各表面に挟まれた離間領域内で光が伝搬して、表面９３で反射、
散乱され、他方、それに対向する反射領域９２でも反射されるため、効率的な反射構造と
できる。

（実施の形態３）
図８は、本発明の実施の形態３に係る発光装置の光源部周辺を説明するための概略断面
図である。なお、ここで説明する発光装置の光源部周辺の構造は、他の実施の形態におけ
る発光装置の構成にも適用することができる。光透過部材の入射領域８３は、凹凸構造を
有し、光源部の発光素子１０及び／又は波長変換部材４０からの入射光が散乱され、また
、戻り光を反射、散乱させることができ、反射領域９０による反射機能を補い、発光面か
らの放出光の指向性を広くでき、また、輝度ムラや色ムラが低減されやすい。特に、１つ
の波長変換部材４０に複数の発光素子１０を搭載する場合には、各発光素子１０の配置の
影響やそれによる配光、輝度ムラ、色ムラの影響が大きく、それが低減されるので好まし
い。また、凹凸面により、光結合効率のほか両部材の密着性の向上が期待される。また、
このような凹凸構造は、波長変換部材の表面だけでなく、その発光素子側表面、さらに光
路上にある各部材の表面に設けて同様な効果を得ることができ、特に光源部と光透過部材
との境界領域、若しくは光源部内、例えば、基板１の半導体層１１側表面に設けてもよく
、実施例では詳述していないがそのような構造を用いている。波長変換部材の凹凸表面４
３などの凹凸構造は、研磨、ドライエッチング、ウエットエッチングなどにより設けるこ
とができ、不規則な凹凸構造のほか、規則的なパターンの凹凸構造も形成できる。

また、図８に示す発光装置において、発光素子１０は、１つの成長基板１上に互いに分
離された複数の発光領域（発光層）を有する半導体素子構造１１が設けられた構造を有す
る。このように、単一の発光素子を接合すること、さらに成長基板１を一体として発光領
域を分離させた発光素子１０とすることで、１つの波長変換部材４０に複数の発光素子１
０を搭載する場合に比して、各発光素子１０の配置や配光の影響を低減することができる
。さらに、波長変換部材４０は、発光素子１０の第１の面（成長基板１の裏面）の幅より
小さい幅を有しており、すなわち波長変換部材４０の少なくとも一対の対向する側面は、
発光素子１０の側面より内側に位置している。この形態であれば、発光領域を絞ることで
相対的に輝度が高められ、また一次光と二次光の混色の割合を面内で均一化でき、実施の
形態１のように波長変換部材４０の側面が発光素子１０の側面と略同一面上に位置する形
態であれば、波長変換部材の外縁部において発光素子１０からの光量が不足して色ムラが
発生しやすくなるが、それを抑制できる。但し、本明細書でいう「略同一面」とは、上述
した機能上で実質的に同一面であればよく、例えば波長変換部材４０、発光素子１０の寸
法に比して±１０％程度とすることができる。さらに、図８に示す発光装置において、発
光素子１０と波長変換部材４０は、透光性接着材を介さず直接接合されている。このよう
な接合は、表面活性化や熱圧着による結晶接合等により実現でき、比較的屈折率の小さい
樹脂材料である接着材を介さないことで、屈折率の異なる界面を増やさず、結合効率を向
上でき、また波長変換部材４０からの放熱性も高めることができる。

（実施の形態４）
図９（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、本発明の実施の形態４に係る発光装置３０
０、４００、及び５００の概略断面図である。本実施の形態４は、本発明に係る発光装置
において、光透過部材２０、その発光側表面の形状の変形例を示すものであって、各実施
の形態に適用でき、また他の主要な構造については実施の形態１と実質上同様であるため
、同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。

図９（ａ）に示す例の発光装置３００における光透過部材２０の発光側の表面２１の形
状は、半球面からの扁形である凸曲面を有する。より詳細には、図中の黒丸で示すように
その曲率中心が波長変換部材４０の表面中央から下方側にＹだけ離れた位置にあり、表面
２１が、それを中心とする直径Ｒ（曲率半径ｒ＝Ｒ／２）の球面の一部で構成され、その
径（断面幅）Ｗは、Ｗ＝２×（ｒ²−Ｙ²）^1/2、となる。上述した装置１４０、モデルＤ
（ＤＡ）のように、光透過部材２０を扁平な形状とすることで、発光装置を小型化、薄型
化できるが、表面２１が半球面から変化することにより、光透過部材２０の内面での光反
射が増大する。しかしながら、本発明の発光装置は、光透過部材２０の光入射側の表面の
大部分を反射領域９０が占めているため、そこで光透過部材内の光を反射、更には光反射
材料３５により散乱させることで、外部に効率良く取り出すことができる。なお、図では
光透過部材２０より、十分に断面幅広な被覆部材３０となっているが、両方の端部が略同
一となるように小さくできることはいうまでもない。また、発光装置３００は、基板５０
上に、発光素子１０と電気的に接続されたツェナーダイオードを有する。このように発光
素子の電気的に保護する保護素子１４は、図示するように被覆部材３０内に埋設され、ま
た光源部、反射領域から離間されていれば、他の主要構成部材に対し光学的に悪影響を与
えることがなく、また発光装置、被覆部材の径を光透過部材の径と略等しくでき、すなわ
ち光透過部材２０より内側に、さらに反射領域９０内に配置すれば、発光装置の小型化の
支障にならず好ましい。

図９（ｂ）に示す例の発光装置４００は、光透過部材２０の形状が、波長変換部材４０
の中央の直上で交わる２つの凸曲面からなる上面２２と、その側面２３と、により構成さ
れ、光源部表面からの出射光が入射領域８０を通って、上面２２を主に反射面として側方
に反射し、側面２３を主に発光面として装置外部に取り出される。なお、上面２２には、
その反射機能を高めるために、金属膜や誘電体多層膜、あるいは光反射性材料３５を含有
する被覆部材などの反射膜、部材を形成してもよい。また、このような発光装置において
は、上面２２及び反射領域９４による反射及び散乱により、取り出し効率が高められ、更
に波長変換部材４０の出射光の色ムラを緩和している。また、それにより波長変換部材４
０の側面が被覆部材３０から露出されていてもよい。

図９（ｃ）に示す例の発光装置５００は、光透過部材２０の形状が、平坦な上面２３と
、内側の光源部に向かって傾斜した曲面からなる側面２４と、により構成される形状を有
する。これにより、光源部表面からの出射光が入射領域８０を通って、側面２４により上
方に集光されて上面２３から装置外部に取り出される。なお、この側面２４には、発光装
置４００で述べたように同様の反射膜を形成してもよく、また、図中の点線で示すように
、枠体５６上に新たに別の枠体で光反射性材料３５を含有する被覆部材を充填し、光透過
部材２０を被覆する第２の光反射層の積層構造を形成することもできる。

以上の各例は、本発明の発光装置において、種々の光透過部材への適用例を示すもので
あり、図９（ｂ）、（ｃ）の装置においても、上述した反射領域９４，９５が設けられて
、その内側に光源部の入射領域が設けられている。特に図９（ａ）や他の実施の形態のよ
うに凸曲面でなく、種々の形状の光透過部材では、凸曲面よりも光透過部材内部に閉じ込
められる光が多くなり、上述した反射領域、その他の構造が好適に作用する。また、光源
部の径Ｌと光透過部材の径Ｗとの関係においても、上記Ｌ／Ｗの比と光取り出し効率の関
係がより顕著となる傾向にあり、効率の落ち込みが大きくなる傾向にあると考えられる。
このように図９（ｂ）、（ｃ）の装置は、入射面側で被覆部材に対向する反射領域に加え
て、それとは別の表面２２，２４にも反射領域を備えた構造であり、さらに発光面２３を
備え、この構造により、一部の反射領域、特に光源部近傍において、被覆部材による好適
な反射や散乱ができ、所望の発光特性の装置を実現できる。

（実施の形態５）
図１０は、本発明の実施の形態５に係る発光装置６００の概略断面図であり、発光素子
１０の実装形態を除く他の主な構造については実施の形態１と実質上同様であり、したが
って同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。本発明の発光装置に
おいて、光源部は光反射性の被覆部材３０に被覆されて光透過部材に光結合されおり、そ
の被覆形態、具体的には発光素子の実装形態、被覆部材の形態については種々の形態を取
ることができる。図９の発光装置６００はその例であり、基板５０を有さず、被覆部材３
０が直方体形状、板状に成形されて、この成形体が光透過部材２０と共に発光装置の表出
面を構成している。発光素子１０の各電極に接続された導電体６１を備え、被覆部材３０
の裏面側に達して外部接続部が形成されている。この導電体６１の延伸方向、露出位置、
表面は適宜変更可能であり、例えば光透過部材２０と同一面側でその外側に延伸され、露
出されてもよい。導電体６１は、図９に示すような柱状の形態のほか、層状の形態を組み
合わせてもよい。このような発光装置６００であれば、光源部の入射領域８０を除いて発
光素子１０などの光源部を被覆部材３０でほぼ完全に被包することができ、光源部の出射
光が実装基板５０、その導体配線等により吸収、損失されることを低減することができ、
光源部からの光の取り出し効率を高めることができる。

このような装置は、例えば、支持基板上に発光素子を載置して、被覆部材を塗布して成
形体とし、予め離型剤等により表面処理するなどして、その支持基板から剥がして、光源
部が埋め込まれた被覆部材の成形体を取り出す方法により実現できる。その他の構造は、
成形体の剥離前、又は後に、上記光透過部材を成形、又は接着してもよく、またその剥離
前後で個々の装置に切り出してもよく、さらに金型などの支持基板を用いて光透過部材上
にその成形体を形成してもよい。また、光源部の配線構造は、その入射領域８０側表面を
支持基板と対向して載置し、発光素子の電極、またその上の導体として、成膜、めっき、
バンプなどで導電体を形成し、上記被覆部材を形成してもよく、配線側表面を支持基板に
対向して載置し、予め発光素子側、支持基板側又はその両方に、上記導電体又は支持基板
上の配線層、それらを組み合わせた導電体を設けて、剥離してもよい。

以下、本発明に係る実施例について詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに
限定されないことは言うまでもない。

（実施例１〜３）
実施例１〜３の発光装置は、図７に示すような発光素子１０、又は素子とそれに接合し
た波長変換部材４０が被覆部材に側面を覆われて、露出された光源部の上面の出射面上に
接着剤２８を介してレンズ２０を接着した構造である。具体的には、ＡｌＮのセラミック
ス基板５０の配線５１上に、発光素子１０として約１ｍｍ×１ｍｍの略正方形の青色ＬＥ
Ｄチップ１個を、バンプ６０によりフリップチップ実装する。実施例１では、そのＬＥＤ
１０の成長基板１であるサファイア基板表面の出射面が露出される状態に、その周囲に充
填された被覆部材３０でもってＬＥＤチップの側面が被包されている。なお、被覆部材３
０は、粒径約２７０ｎｍのＴｉＯ₂の微粒子である光反射性材料３５を約２３重量パーセ
ント濃度で含有するシリコーン樹脂である。また、実施例２及び３では、ＬＥＤ１０の成
長基板１上に、板状の波長変換部材４０であるＹＡＧの焼結体１枚を、シリコーン樹脂か
らなる透光性接着材１５により接合する。そして、図示するように、波長変換部材４０表
面の出射面が露出される状態に、実施例１と同様に、被覆部材３０で波長変換部材４０の
底面の一部および側面、ＬＥＤチップの側面等の表面が被包されている。なお、被覆部材
３０の表面は、図示するように光源部の出射面から連続する側面を這い上がるように表面
が光源部付近で傾斜している。波長変換部材４０の外形は、寸法が実施例２では約１．１
ｍｍ×１．１ｍｍ、実施例３では約１．５ｍｍ×１．５ｍｍの矩形状であり、厚みは約１
５０μｍである。そして、各実施例について、被覆部材の表面上において、発光素子１０
又は波長変換部材４０の光源部の出射面を内包して、且つその略中心に光軸が位置するよ
うに、シリコーン樹脂からなる直径Ｒが約４ｍｍの半球レンズ状の光透過部材２０を、同
じシリコーン樹脂からなる透光性接着材２８によりその出射面にそれぞれ接合する。

光透過部材２０の径Ｒに対する光源部の径Ｌの比（Ｌ／Ｒ）は、それぞれ実施例１では
約０．２５０、実施例２では約０．２７５、実施例３では約０．３７５である。実施例１
の青色の単色発光の発光装置は、駆動電流３５０ｍＡにおいて、発光ピーク波長４４９ｎ
ｍ、発光出力５２２ｍＷで発光する。また、実施例２の白色発光の発光装置は、駆動電流
３５０ｍＡにおいて光束１１５ｌｍ（色度ｙ値０．３８）、駆動電流５５０ｍＡにおいて
光束１７０ｌｍ（同色度ｙ値）で、比較的に高輝度となる。、実施例３の白色発光の発光
装置は、駆動電流３５０ｍＡにおいて光束１３５ｌｍ（色度ｙ値０．３８）、駆動電流５
５０ｍＡにおいて光束２００ｌｍ（同色度ｙ値）で、比較的に高光束となる。

（実施例４〜６）
次に、波長変換部材４０の構成を変えて、光透過部材２０の有無による発光効率への影
響を以下に検証する。実施例４の発光装置は、実施例３と同様であり、実施例５，６の発
光装置はそれぞれ、実施例４の波長変換部材４０の構成のみ変更し、実施例５では、実施
例４と同様のＹＡＧの蛍光体をシリコーン樹脂に分散させたシートを用い、実施例６では
、（Ｓｒ，Ｂａ）₂ＳｉＯ₄：Ｅｕのシリケートの蛍光体を実施例５と同様にシリコーン樹
脂に分散させたシートである。なお、これらの樹脂のシートは、蛍光体を拡散した樹脂を
、離型剤を塗布した板にスピンコートして硬化して、所定の大きさに切り出して作製する
。これら実施例４〜６の発光装置において、光透過部材２０の有無による発光効率の差異
を図１１に示す。なお、実施例４，５，６の光透過部材２０搭載後をそれぞれＤ，Ｅ，Ｆ
とし、光透過部材２０搭載前をそれぞれｄ，ｅ，ｆとして表記する。図１１に示すように
、いずれの実施例においても、光透過部材２０を搭載することで、同じ色度の発光におい
て高効率化でき、発光効率の向上が確認できる。

波長変換部材４０として焼結体を用いる場合には、焼結体の生成が困難であったり、変
換効率が低下したり、２種類以上の蛍光体の焼成に制約が大きくなったり、することがあ
る。一方、樹脂に蛍光体を拡散することにより作製されるシートでは、作製温度が低く蛍
光体の特性を崩さないため、蛍光体の種類を問わず作製することができる。例えば、図１
１に示すように、シリケートの蛍光体を用いた樹脂のシートは、ＹＡＧの蛍光体を用いた
ものより高い変換効率を示している。また、離型剤を塗布した板の表面は平坦であっても
よいし、凹凸面として樹脂のシートに凹凸構造を形成することもできる。

本発明の発光装置は、照明用光源、ＬＥＤディスプレイ、液晶表示装置などのバックラ
イト光源、信号機、照明式スイッチ、各種センサ及び各種インジケータ等に好適に利用で
きる。

１０…発光素子（１…成長基板、２…第１導電型（ｎ型）半導体層、３…活性層、４…第
２導電型（ｐ型）半導体層、５…透光性導電層、６…第２の電極（ｐ側パッド電極）、７
…第１の電極（ｎ側パッド電極）、８…保護膜）、１１…半導体素子構造、
１４…保護素子、１５…接着材、１６…発光部、
２０（２０ａ〜ｄ）…光透過部材（２１…発光側の表面、２２，２４，２５…反射表面、
２３…発光表面）２６…樹脂層、２８…接着材、
３０〜３４…被覆部材、３５…光反射性材料、
４０…光透過（波長変換）部材、
５０，５８…実装基体・基材（５１〜５２…配線パターン、５５〜５７…枠体又は積層基
板又は基材）、６０…導電性接着材、６１…導電体、７１…ディスペンサ、７２…上金型

Claims (13)

1. 光反射性材料を含有する被覆部材と、
   発光側の表面と、前記被覆部材の表面に対向し、該表面内に配置された光入射側の表面
   とを有する光透過部材と、
   前記光透過部材の光入射側表面において、外側の反射領域に囲まれた入射領域に結合し
   、前記被覆部材に一部が埋め込まれた光源部に、発光素子と、該発光素子の前記入射領域
   側に結合され、該発光素子に励起される波長変換部材と、
   を備える発光装置。
2. 前記光透過部材は、前記発光側が凸曲面で、前記光入射側の少なくとも反射領域が略平
   坦な表面であり、
   前記入射領域の断面幅は、前記光入射側表面の半分以下である請求項１に記載の発光装
   置。
3. 光反射性材料を含有する被覆部材と、
   凸曲面の発光側の表面と、前記被覆部材の表面に対向し、該表面内に配置された光入射
   側の表面とを有する光透過部材と、
   前記光透過部材の光入射側表面において、略平坦な表面の反射領域に囲まれた内側の入
   射領域に結合し、前記被覆部材に一部が埋め込まれた光源部が設けられて、該光源部内に
   設けられた発光素子と、を備え、
   前記入射領域の断面幅は、前記光入射側表面の半分以下である発光装置。
4. 前記発光装置は、前記光源部に、前記発光素子の前記入射領域側に結合され、前記発光
   素子に励起される波長変換部材をさらに備える前記請求項３に記載の発光装置。
5. 前記波長変換部材は、互いに対向する第１及び第２の主面を有する板状体であって、前
   記第２の主面に複数の前記発光素子が接合されており、前記入射領域に前記第１の主面が
   接合されている請求項１，２，４のいずれか１項に記載の発光装置。
6. 前記反射領域は、前記被覆部材の表面と離間された前記光透過部材表面に設けられる請
   求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光装置。
7. 前記発光装置は、前記光透過部材の光入射側の表面と前記被覆部材の表面とを接着させ
   る透光性接着材を有し、
   前記入射領域及び反射領域は、前記透光性接着剤との界面に設けられる請求項１乃至６
   のいずれか１項に記載の発光装置。
8. 前記光透過部材は、前記光源部上及び前記被覆部材表面に設けられ、
   前記反射領域は、前記光透過部材と前記被覆部材との界面である請求項１乃至５のいず
   れか１項に記載の発光装置。
9. 前記入射領域は、前記反射領域より前記発光側に突出している請求項８に記載の発光装
   置。
10. 前記光透過部材の発光側の表面形状は、球面形状である請求項１乃至９のいずれか１項
    に記載の発光装置。
11. 前記発光装置は、前記発光素子が実装される実装基板を有し、
    前記発光素子は、前記入射領域側の表面に対向する実装面側で、前記実装基板と電気的
    に接続される請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の発光装置。
12. 前記発光装置の光源部は、前記発光素子の入射領域側表面に結合して、発光素子により
    励起される波長変換部材を有し、
    前記被覆部材は、前記入射領域から、前記光源部の側面を覆って、前記実装基板の表面
    上にまで延在して設けられている請求項１１に記載の発光装置。
13. 前記被覆部材が、前記発光素子及び前記波長変換部材の側面にそれぞれ接して設けられ
    る請求項１２に記載の発光装置。

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