JP2013239664A - Division method of workpiece - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reliably keep clearances among chips obtained by expansion and division of an expanded sheet that is stuck to a workpiece regardless of a type of the expanded sheet thereby to reduce risk of damages on the chips.SOLUTION: A division method of a workpiece comprises: an expansion step of dividing a wafer (workpiece) 1 from a modified layer 4 by expanding an expanded sheet 11 to form a plurality of chips 3A and form clearances among the chips 3A; a ridge inclination step of inclining a ridge 11b formed by protrusion of an excess that is formed by expansion of the expanded sheet 11 between an outer periphery of the wafer 1 and an inner periphery of an annular frame 10, toward a top face 10b of the annular frame 10; and a press bonding step of press bonding the ridge 11b to the top face 10b of the annular frame 10 thereby to keep clearances among the chips 3A.

Description

本発明は、環状フレームに貼着されたエキスパンドシートを拡張することにより該エキスパンドシートに貼着され分割起点が形成されている板状の被加工物を分割起点に沿って分割し、複数のチップを得る被加工物の分割方法に関する。   The present invention expands an expanded sheet adhered to an annular frame to divide a plate-like workpiece that is adhered to the expanded sheet and has a divided starting point along the divided starting points, and includes a plurality of chips. The present invention relates to a method of dividing a workpiece to obtain

半導体デバイス製造工程においては、円板状の半導体ウェーハの表面に格子状の分割予定ラインによって多数の矩形領域を区画し、これら矩形領域の表面にICやLSI等の電子回路を形成し、次いで裏面を研削した後に研磨するなど必要な処理をしてから、分割予定ラインに沿ってウェーハを個々の矩形領域に分割し、多数の半導体チップを得ている。このようにして得られた半導体チップは、裏面にエポキシ樹脂等からなる厚さが例えば数μm〜100μm程度のDAF(Die Attach Film)と称されるダイボンディング用のフィルム状接着剤が貼着され、このDAFを介して、半導体チップを支持するダイボンディングフレームに対し加熱することによりボンディングされる。   In the semiconductor device manufacturing process, a large number of rectangular areas are defined on the surface of a disk-shaped semiconductor wafer by grid-like division lines, electronic circuits such as IC and LSI are formed on the surface of these rectangular areas, and then the back surface After performing necessary processing such as polishing after grinding, the wafer is divided into individual rectangular regions along the planned division lines to obtain a large number of semiconductor chips. The semiconductor chip thus obtained has a film adhesive for die bonding called DAF (Die Attach Film) having a thickness of, for example, about several μm to 100 μm formed of an epoxy resin or the like on the back surface. The DAF is bonded to the die bonding frame that supports the semiconductor chip by heating through the DAF.

一方、上記半導体ウェーハ等の板状の被加工物を分割する方法としては、被加工物の分割予定ラインに沿ってフルカットで切断する他に、分割予定ラインに沿って強度を低下させた分割起点を形成してから被加工物に外力を付与して被加工物を割断するといった方法も採用されてきている。分割起点は、切削ブレードで切削したりレーザビームを照射したりして形成した溝が挙げられる。また、近年では、透過性を有するレーザビームを被加工物の内部に照射して改質層を形成し、この改質層を起点として被加工物を分割するといった方法が提案されている(特許文献1参照)。   On the other hand, as a method of dividing the plate-like workpiece such as the semiconductor wafer, in addition to cutting with a full cut along the planned division line of the workpiece, division with reduced strength along the planned division line There has also been adopted a method in which an external force is applied to a workpiece after the starting point is formed to cleave the workpiece. Examples of the division starting point include grooves formed by cutting with a cutting blade or irradiating a laser beam. In recent years, a method has been proposed in which a modified layer is formed by irradiating the inside of a workpiece with a transparent laser beam, and the workpiece is divided starting from this modified layer (patent). Reference 1).

上記特許文献1に記載される分割方法においては、分割起点が形成された被加工物に、環状フレームに貼着されたエキスパンドシートを貼着して被加工物を環状フレームを介して支持可能なものとし、エキスパンドシートを拡張することで被加工物に外力を付与して多数のチップに分割している。エキスパンドシートは、環状フレームと被加工物とを、被加工物の表面と直交する方向に相対的に離間するように動かすことにより拡張され、分割された個々のチップ間には間隔が形成された状態となる。   In the dividing method described in Patent Literature 1, an expanded sheet attached to an annular frame can be attached to a workpiece on which a division starting point is formed, and the workpiece can be supported via the annular frame. The expanded sheet is expanded to apply an external force to the workpiece and divide it into a large number of chips. The expanded sheet is expanded by moving the annular frame and the workpiece so as to be relatively spaced apart in a direction perpendicular to the surface of the workpiece, and a space is formed between the divided individual chips. It becomes a state.

ここで、環状フレーム内のエキスパンドシートを拡張したままであると、エキスパンドシートには弛みすなわち余剰分が生じているためハンドリングの際などにおいて隣り合うチップどうしが接触し、チップに欠けなどの損傷が生じるおそれがある。そこで、上記特許文献1に記載される分割方法においては、エキスパンドシートにおける被加工物の外周縁と環状フレームの内周縁との間の領域を加熱して収縮させることでエキスパンドシートの余剰分を実質的に除去し、チップ間の間隔を維持するようにしている。   Here, if the expanded sheet in the annular frame remains expanded, the expanded sheet is slack, that is, an excess portion is generated, so that adjacent chips come into contact with each other during handling, and the chip is damaged such as chipped. May occur. Therefore, in the dividing method described in Patent Document 1, the surplus portion of the expanded sheet is substantially reduced by heating and contracting the region between the outer peripheral edge of the workpiece in the expanded sheet and the inner peripheral edge of the annular frame. The distance between the chips is maintained by removing them.

特開2010−206136号公報JP 2010-206136 A

しかし、エキスパンドシートの種類によっては、加熱しても充分に収縮せず、チップ間の間隔を維持することができない場合がある。チップ間に充分な間隔が形成されないと、上記のようにハンドリングの際などにおいてチップどうしが接触して損傷するおそれが生じる。   However, depending on the type of the expanded sheet, there is a case where the sheet does not contract sufficiently even when heated and the interval between chips cannot be maintained. If a sufficient space is not formed between the chips, the chips may come into contact with each other and be damaged during handling as described above.

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、その主たる課題は、エキスパンドシートの種類によらず、被加工物を分割して形成したチップ間の間隔を維持してチップが損傷するおそれを低減することができる被加工物の分割方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and its main problem is that the chips may be damaged by maintaining the interval between the chips formed by dividing the workpiece regardless of the type of the expanded sheet. An object of the present invention is to provide a method of dividing a workpiece that can reduce the number of workpieces.

本発明の被加工物の分割方法は、分割起点が形成された被加工物と、該被加工物に貼着されたエキスパンドシートと、該エキスパンドシートの外周が貼着される環状フレームと、からなる被加工物ユニットの該被加工物側を表面とし該エキスパンドシート側を裏面とし、該被加工物を該分割起点に沿って分割して複数のチップを形成するとともに形成された該チップ間の間隔を維持する被加工物の分割方法であって、前記エキスパンドシートを拡張し、前記被加工物を前記分割起点から分割して複数のチップを形成するとともに形成された該チップ間に間隔を形成する拡張ステップと、該拡張ステップを実施した後、該拡張ステップで前記エキスパンドシートが拡張されて形成された余剰分が前記被加工物の外周と前記環状フレームの内周との間で隆起した隆起部を該環状フレームの上面に傾倒させる隆起部傾倒ステップと、該隆起部傾倒ステップを実施した後、前記隆起部を前記環状フレームの上面に圧着することで前記チップ間の間隔を維持する圧着ステップと、を備えることを特徴とする。   The method for dividing a workpiece according to the present invention includes: a workpiece on which a division starting point is formed; an expanded sheet attached to the workpiece; and an annular frame to which the outer periphery of the expanded sheet is attached. The workpiece side of the workpiece unit is a front surface, the expanded sheet side is a back surface, the workpiece is divided along the division starting point to form a plurality of chips, and between the formed chips A method of dividing a workpiece to maintain a gap, wherein the expanded sheet is expanded, the workpiece is divided from the division starting point to form a plurality of chips, and a gap is formed between the formed chips. An expansion step, and after the expansion step is performed, an excess formed by expanding the expand sheet in the expansion step includes an outer periphery of the workpiece and an inner periphery of the annular frame. A ridge portion tilting step for tilting a bulging portion that is raised between the upper surfaces of the annular frame, and after the ridge portion tilting step is performed, the ridges are crimped to the upper surface of the annular frame to thereby form an interval between the chips. A crimping step for maintaining the pressure.

本発明によれば、拡張ステップでエキスパンドシートを拡張して被加工物をチップに分割した後、拡張により形成されたエキスパンドシートの余剰分からなる隆起部を、環状フレームの上面に傾倒させて環状フレームの上面に圧着することにより、エキスパンドシートの余剰分が実質的に除去される。隆起部となった余剰分を圧着により除去するため、加熱によって収縮しにくいエキスパンドシートでも余剰分を除去することができ、よってチップ間の間隔を維持することが可能となる。   According to the present invention, the expanded sheet is expanded in the expansion step to divide the workpiece into chips, and then the protruding portion formed by the expansion of the expanded sheet is tilted to the upper surface of the annular frame to form the annular frame. The excess part of the expanded sheet is substantially removed by pressure-bonding to the upper surface. Since the surplus portion that has become the raised portion is removed by pressure bonding, the surplus portion can be removed even in an expanded sheet that is difficult to shrink by heating, and the spacing between chips can be maintained.

本発明によれば、エキスパンドシートの種類によらず、被加工物を分割して形成したチップ間の間隔を維持してチップが損傷するおそれを低減することができる被加工物の分割方法が提供されるといった効果を奏する。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the division | segmentation method of the to-be-processed object which can reduce a possibility that a chip | tip may be damaged by maintaining the space | interval between the chips | tips formed by dividing | segmenting a to-be-processed object irrespective of the kind of expanded sheet is provided The effect that it is done.

本発明の一実施形態に係る分割方法で分割加工される半導体ウェーハ(被加工物)を備えたウェーハユニット(被加工物ユニット)の、(a)斜視図、(b)断面図である。It is (a) perspective view, (b) sectional drawing of a wafer unit (workpiece unit) provided with a semiconductor wafer (workpiece) divided by the dividing method concerning one embodiment of the present invention. 一実施形態の分割方法が実施される分割装置にウェーハユニットをセットした状態を示す側断面図である。It is a sectional side view which shows the state which set the wafer unit to the division | segmentation apparatus with which the division | segmentation method of one Embodiment is implemented. 同分割方法の拡張ステップを示す側断面図である。It is a sectional side view which shows the expansion step of the division | segmentation method. 同分割方法の拡張ステップ後にエキスパンドシートの拡張を解除してエキスパンドシートの余剰分を隆起部に形成した状態を示す側断面図である。It is a sectional side view which shows the state which canceled the expansion of the expanded sheet after the expansion step of the division | segmentation method, and formed the excess part of the expanded sheet in the protruding part. 同分割方法の隆起部傾倒ステップを示す側断面図である。It is a sectional side view which shows the protruding part inclination step of the division | segmentation method. 同分割方法の圧着ステップを示す側断面図である。It is a sectional side view which shows the crimping | compression-bonding step of the division | segmentation method.

以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
図1は、一実施形態に係るウェーハユニット(被加工物ユニット)5を示している。ウェーハユニット5は、分割加工が施されるデバイス用ウェーハ(被加工物)1と、ウェーハ1に貼着されたエキスパンドシート11と、エキスパンドシート11の外周が貼着された環状フレーム10とから構成される。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows a wafer unit (workpiece unit) 5 according to an embodiment. The wafer unit 5 includes a device wafer (workpiece) 1 to be divided, an expanded sheet 11 adhered to the wafer 1, and an annular frame 10 to which the outer periphery of the expanded sheet 11 is adhered. Is done.

[1]ウェーハユニット
ウェーハ1は、厚さが例えば数百μm程度の円板状の半導体ウェーハ等である。ウェーハ1には格子状の分割予定ライン2によって複数の矩形領域3が設定されており、これら矩形領域3の表面1a側に、例えばICやLSIからなる電子回路が形成されている。
[1] Wafer Unit The wafer 1 is a disk-shaped semiconductor wafer having a thickness of, for example, about several hundred μm. A plurality of rectangular areas 3 are set on the wafer 1 by grid-like division lines 2, and an electronic circuit made of, for example, IC or LSI is formed on the surface 1 a side of the rectangular areas 3.

ウェーハ1の裏面1bには環状フレーム10に貼着された円形状のエキスパンドシート11が貼着され、ウェーハ1は表面1a側が露出した状態とされる。そして、エキスパンドシート11の外周が環状フレーム10に貼着されてウェーハユニット5が構成される。このウェーハユニット5においては、ウェーハ1側が表面5aとされ、エキスパンドシート11側が裏面5bとされる。環状フレーム10はステンレス等の剛性を有する金属板等からなるもので、ウェーハ1は、環状フレーム10およびエキスパンドシート11を介してハンドリングされる。   A circular expanded sheet 11 attached to the annular frame 10 is attached to the back surface 1b of the wafer 1 so that the front surface 1a side of the wafer 1 is exposed. And the outer periphery of the expand sheet | seat 11 is affixed on the cyclic | annular flame | frame 10, and the wafer unit 5 is comprised. In this wafer unit 5, the wafer 1 side is the front surface 5a, and the expanded sheet 11 side is the back surface 5b. The annular frame 10 is made of a metal plate having rigidity such as stainless steel, and the wafer 1 is handled via the annular frame 10 and the expanded sheet 11.

エキスパンドシート11は、常温では伸縮性を有し、かつ、所定温度(例えば70℃程度)以上に加熱されると収縮する特性を有する基材の片面に、粘着層が形成されたものが用いられる。基材としては、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリオレフィン等の合成樹脂シートが挙げられる。ウェーハ1と環状フレーム10は、片面の粘着層に貼着される。ウェーハ1は、環状フレーム10の円形状の内周縁10aに対し同心状に配設され、ウェーハ1の外周縁1cと環状フレーム10の内周縁10aとの間には、エキスパンドシート11の環状領域11aが形成される。   The expanded sheet 11 is one in which an adhesive layer is formed on one side of a base material that has elasticity at room temperature and contracts when heated to a predetermined temperature (for example, about 70 ° C.) or higher. . Examples of the substrate include synthetic resin sheets such as polyvinyl chloride, polypropylene, polyethylene, and polyolefin. The wafer 1 and the annular frame 10 are attached to a single-sided adhesive layer. The wafer 1 is disposed concentrically with respect to the circular inner peripheral edge 10 a of the annular frame 10, and the annular region 11 a of the expanded sheet 11 is disposed between the outer peripheral edge 1 c of the wafer 1 and the inner peripheral edge 10 a of the annular frame 10. Is formed.

図1(b)に示すように、ウェーハ1の内部には、分割予定ライン2に沿って改質層4が予め形成されている。改質層4は透過性を有する所定波長のパルスレーザビームをウェーハ1の内部に集光点を合わせて照射することにより形成される。改質層4はウェーハ1の他の部分と比較して強度が低下しており、分割起点となる。   As shown in FIG. 1B, a modified layer 4 is formed in advance inside the wafer 1 along the planned division line 2. The modified layer 4 is formed by irradiating the inside of the wafer 1 with a pulse laser beam having a predetermined wavelength having transparency with a converging point aligned. The modified layer 4 has a lower strength than other portions of the wafer 1 and serves as a starting point for division.

なお、本実施形態ではウェーハ1の分割予定ライン2に沿った分割起点を改質層4としているが、分割起点は改質層4に限られず、切削ブレードで切削したりレーザビームを照射したりして形成した溝等であってもよい。   In the present embodiment, the division starting point along the division line 2 of the wafer 1 is the modified layer 4, but the division starting point is not limited to the modified layer 4, and cutting with a cutting blade or irradiation with a laser beam is possible. The groove | channel etc. which were formed in this way may be sufficient.

[2]分割装置
次に、上記ウェーハ1を改質層4を分割起点として分割予定ライン2に沿って分割し、複数のチップを形成するとともに形成されたチップ間の間隔を維持する一実施形態の分割方法を説明する。一実施形態では、図2に示す分割装置20を用いてウェーハ1を分割する。まず、この分割装置20の構成を説明する。
[2] Dividing Device Next, the wafer 1 is divided along the scheduled dividing line 2 using the modified layer 4 as a dividing starting point to form a plurality of chips and maintain an interval between the formed chips. The dividing method of will be described. In one embodiment, the wafer 1 is divided using the dividing apparatus 20 shown in FIG. First, the configuration of the dividing device 20 will be described.

分割装置20は、ウェーハ1が載置されるテーブル30と、テーブル30の周囲に配設された環状フレーム10が載置される環状の昇降テーブル40と、テーブル30上に負圧を発生させるための吸引源50とを備えている。   The dividing device 20 generates a negative pressure on the table 30 on which the wafer 1 is placed, the annular lifting table 40 on which the annular frame 10 disposed around the table 30 is placed, and the table 30. The suction source 50 is provided.

テーブル30は、円筒枠体31の内部の上端部に、円板状の底板32上に支持された状態で多孔質体からなる円板状の吸引部33が固定された構成を有する。吸引部33の上面がウェーハ支持面331となっており、ウェーハ支持面331は、ウェーハ1よりも径が大きく、かつ、環状フレーム10の内径よりも小さい径に設定されている。吸引部33の支持面331と円筒枠体32の上面とは、面一に構成されている。   The table 30 has a configuration in which a disc-shaped suction portion 33 made of a porous body is fixed to an upper end portion inside the cylindrical frame 31 while being supported on a disc-shaped bottom plate 32. The upper surface of the suction part 33 is a wafer support surface 331, and the wafer support surface 331 is set to have a diameter larger than that of the wafer 1 and smaller than the inner diameter of the annular frame 10. The support surface 331 of the suction part 33 and the upper surface of the cylindrical frame 32 are configured to be flush with each other.

底板32の中心には、吸引部33に連通する吸引通路321が貫通形成されており、この吸引通路321には、配管51を介して、空気を吸引する真空ポンプ等からなる吸引源50が接続されている。また、配管51の途中には開閉バルブ52が介在されている。開閉バルブ52を開いて吸引源50が運転されると吸引部33内が負圧となり、支持面331に載置されるウェーハ1が支持面331に吸引保持される。   A suction passage 321 communicating with the suction portion 33 is formed through the center of the bottom plate 32, and a suction source 50 including a vacuum pump for sucking air is connected to the suction passage 321 through a pipe 51. Has been. An opening / closing valve 52 is interposed in the middle of the pipe 51. When the opening / closing valve 52 is opened and the suction source 50 is operated, the inside of the suction unit 33 becomes negative pressure, and the wafer 1 placed on the support surface 331 is sucked and held by the support surface 331.

昇降テーブル40はテーブル30の周囲にテーブル30と同心状に、かつ、昇降可能に配設されており、シリンダ本体451からピストンロッド452が上方に延びる複数のシリンダ45のピストンロッド452の伸縮により昇降する。シリンダ45は、エア圧や油圧を用いた流体圧シリンダが用いられる。昇降テーブル40には複数の可動式のクランプ41が取り付けられており、これらクランプ41によって、昇降テーブル40に載置された環状フレーム10が押さえつけられて固定状態となる。   The elevating table 40 is disposed around the table 30 so as to be concentric with the table 30 and capable of elevating. The elevating table 40 is moved up and down by expansion and contraction of piston rods 452 of a plurality of cylinders 45 from which piston rods 452 extend upward. To do. As the cylinder 45, a fluid pressure cylinder using air pressure or hydraulic pressure is used. A plurality of movable clamps 41 are attached to the lifting table 40, and the annular frame 10 placed on the lifting table 40 is pressed by these clamps 41 to be in a fixed state.

[3]分割方法
次いで、上記分割装置20を用いて行う一実施形態の分割方法を説明する。
[3] Division Method Next, a division method according to an embodiment performed using the division apparatus 20 will be described.

(1)拡張ステップ
図2に示すように、分割装置20の昇降テーブル40の高さ位置をテーブル30と同じとし、ウェーハユニット5を、エキスパンドシート11を下側に配した状態で、ウェーハ1をテーブル30の支持面331に同心状に載置するとともに、環状フレーム10を昇降テーブル40上に載置する。この状態で、円筒枠体31の外周縁は、エキスパンドシート11の環状領域11aの中間部分に位置する。次いで、クランプ41によって環状フレーム10を昇降テーブル40に固定してから、図3に示すように各シリンダ45のピストンロッド452を縮小して昇降テーブル40を下降させる。
(1) Expansion Step As shown in FIG. 2, the height position of the lifting table 40 of the dividing device 20 is the same as that of the table 30, and the wafer unit 5 is placed with the expanded sheet 11 placed on the lower side. While being placed concentrically on the support surface 331 of the table 30, the annular frame 10 is placed on the lifting table 40. In this state, the outer peripheral edge of the cylindrical frame 31 is located in the middle part of the annular region 11 a of the expanded sheet 11. Next, after fixing the annular frame 10 to the lifting table 40 by the clamp 41, the piston rod 452 of each cylinder 45 is contracted and the lifting table 40 is lowered as shown in FIG.

昇降テーブル40が下降すると、エキスパンドシート11は径方向外側に拡張される。エキスパンドシート11の拡張に伴い、ウェーハ1には径方向外側に引っ張られる外力が付与され、改質層4を起点としてウェーハ1は分割予定ライン2に沿って割断される。すなわちウェーハ1は、各矩形領域3に分割されて複数のチップ3Aに個片化される。各チップ3Aの間には、エキスパンドシート11の拡張により間隔が形成される。   When the elevating table 40 is lowered, the expand sheet 11 is expanded radially outward. With the expansion of the expand sheet 11, an external force that is pulled outward in the radial direction is applied to the wafer 1, and the wafer 1 is cleaved along the scheduled division line 2 starting from the modified layer 4. That is, the wafer 1 is divided into each rectangular area 3 and divided into a plurality of chips 3A. A space is formed between the chips 3 </ b> A by expanding the expanded sheet 11.

ウェーハ1が複数のチップ3Aに分割されたら、開閉バルブ52を開くとともに吸引源50を運転し、各チップ3Aをエキスパンドシート11ごとテーブル30の支持面331に吸引保持する。これにより、チップ3Aは支持面331にチップ3A間の間隔が保持された状態で固定された状態となる。この状態から、図4に示すように、各シリンダ45のピストンロッド452を伸長して昇降テーブル40をテーブル30と同じ高さに戻す。   When the wafer 1 is divided into a plurality of chips 3A, the opening / closing valve 52 is opened and the suction source 50 is operated to suck and hold each chip 3A together with the expand sheet 11 on the support surface 331 of the table 30. As a result, the chip 3A is fixed to the support surface 331 with the distance between the chips 3A being maintained. From this state, as shown in FIG. 4, the piston rod 452 of each cylinder 45 is extended to return the lifting table 40 to the same height as the table 30.

この動作により、チップ3Aに分割されたウェーハ1の外周縁1cと環状フレーム10の内周縁10aとの間の距離が縮まるので、この間のエキスパンドシート11の環状領域11aの拡張状態が解除される。すると、図4に示すようにエキスパンドシート11の環状領域11aには余剰分が生じ、その余剰分が上方に隆起して互いに重なった隆起部11bに形成される。   By this operation, the distance between the outer peripheral edge 1c of the wafer 1 divided into chips 3A and the inner peripheral edge 10a of the annular frame 10 is shortened, so that the expanded state of the annular region 11a of the expanded sheet 11 is released. As a result, as shown in FIG. 4, a surplus portion is generated in the annular region 11 a of the expand sheet 11, and the surplus portion bulges upward and is formed in a raised portion 11 b that overlaps each other.

(2)隆起部傾倒ステップ
次に、エキスパンドシート11の環状領域11bに形成された隆起部11bを環状フレーム10の上面10bに傾倒させる。隆起部11bを環状フレーム10の上面10bに傾倒させるには、例えば図5に示すように、隆起部11bの上方に位置付けたエア噴出ノズル62から下方の隆起部11bに対して外周側の環状フレーム10側に向けて斜めにエアを噴出し、エア圧で隆起部11bを環状フレーム10の上面に傾倒させる。
(2) Raised part tilting step Next, the raised part 11 b formed in the annular region 11 b of the expanded sheet 11 is tilted to the upper surface 10 b of the annular frame 10. In order to tilt the raised portion 11b to the upper surface 10b of the annular frame 10, for example, as shown in FIG. 5, the annular frame on the outer peripheral side from the air ejection nozzle 62 positioned above the raised portion 11b with respect to the raised portion 11b below. Air is ejected obliquely toward the side 10, and the raised portion 11 b is tilted to the upper surface of the annular frame 10 by air pressure.

図5に示した隆起部傾倒ステップの方法は一例であり、隆起部11bを環状フレーム10の上面10bに向けて傾倒させる他の方法としては、隆起部11bを適宜な道具を用いて環状フレーム10側に押し込んだり、環状フレーム10の上方に位置付けたエア吸引ノズルを用いて吸引したりする方法などが挙げられる。   The method of the protruding portion tilting step shown in FIG. 5 is an example, and as another method of tilting the protruding portion 11b toward the upper surface 10b of the annular frame 10, the protruding portion 11b is used with an appropriate tool. For example, a method of pushing in the side or sucking using an air suction nozzle positioned above the annular frame 10 may be used.

(3)圧着ステップ
次に、隆起部11bを環状フレーム10の上面10bに圧着する。隆起部11bを環状フレーム10の上面10bに圧着するには、上記の隆起部傾倒ステップを継続して隆起部11bが環状フレーム10の上面10bに傾倒している状態を保持しながら、図6に示すように、上側から昇降可能とされたヒータ70を下降させて、加熱状態のヒータ70を傾倒している隆起部11bに押し付け、隆起部11bを環状フレーム10の上面10bに折りたたんだ状態として圧着する。隆起部11bが圧着されたらヒータ70を上昇させ、処理が完了となる。
(3) Crimping step Next, the raised portion 11 b is crimped to the upper surface 10 b of the annular frame 10. In order to crimp the raised portion 11b to the upper surface 10b of the annular frame 10, the above-described raised portion tilting step is continued and the state where the raised portion 11b is inclined to the upper surface 10b of the annular frame 10 is shown in FIG. As shown in the figure, the heater 70 that can be raised and lowered from the upper side is lowered, the heated heater 70 is pressed against the inclined raised portion 11b, and the raised portion 11b is folded onto the upper surface 10b of the annular frame 10 and is crimped. To do. When the raised portion 11b is pressure-bonded, the heater 70 is raised and the processing is completed.

ヒータ70の加熱温度は、例えば130〜140℃程度に設定される。なお、エキスパンドシート11の表面側は粘着層であるため、ヒータ70の下面の圧着面は粘着層に接触する。そこで、ヒータ70の圧着面は、加熱圧着後にエキスパンドシート11から剥離しやすいようにコーティング(例えばタフラムコーティング、「タフラム」は商標)が施されたり、微小な凹凸が形成されたりしたものとすることが好ましい。   The heating temperature of the heater 70 is set to about 130 to 140 ° C., for example. In addition, since the surface side of the expanded sheet 11 is an adhesive layer, the pressure-bonding surface on the lower surface of the heater 70 is in contact with the adhesive layer. Therefore, the pressure-bonding surface of the heater 70 is provided with a coating (for example, Tafram coating, “Tafram” is a trademark) so that it can be easily peeled off from the expanded sheet 11 after heat-pressing, or a minute unevenness is formed. Is preferred.

上記圧着ステップは、エキスパンドシート11の環状領域11aの複数箇所に対して、順次行うか、または同時に行う。圧着箇所は2箇所でもよいが、円周等分の複数箇所が好ましく、例えば4〜8箇所を圧着する。   The crimping step is sequentially performed on a plurality of locations in the annular region 11a of the expanded sheet 11 or simultaneously. Although the number of crimping locations may be two, a plurality of locations equal to the circumference are preferable, for example, 4 to 8 locations are crimped.

圧着ステップを終えたら、チップ3Aに分割されたウェーハ1のテーブル30への吸引保持を解除し、クランプ41による環状フレーム10の固定を解除すると、環状フレーム10をハンドリングしてウェーハ1を搬出することができる。拡張されたエキスパンドシート11にあっては、環状領域11aに形成された隆起部11bの複数箇所を環状フレーム10の上面10bに圧着することで、環状フレーム10の内側でのテンションが維持され、したがってチップ3A間の間隔が維持され、チップ3Aどうしが接触することが起こらない。   When the crimping step is completed, the suction and holding of the wafer 1 divided into chips 3A on the table 30 is released, and when the annular frame 10 is fixed by the clamp 41, the annular frame 10 is handled and the wafer 1 is carried out. Can do. In the expanded expand sheet 11, the tension on the inner side of the annular frame 10 is maintained by crimping the plurality of raised portions 11b formed in the annular region 11a to the upper surface 10b of the annular frame 10. The distance between the chips 3A is maintained, and the chips 3A do not contact each other.

[4]作用効果
上記実施形態によれば、ウェーハ1を複数のチップ3Aに分割した後、ウェーハ1をテーブル30に吸引保持した状態で、昇降テーブル40を下降させてエキスパンドシート11を拡張してウェーハ1を複数のチップ3Aに分割している。そして、エキスパンドシート11の拡張を解除して形成されたエキスパンドシート11の隆起部11bの複数箇所を環状フレーム10の上面10bに圧着することにより、余剰分が実質的に除去され、これにより環状フレーム10内のエキスパンドシート11のテンションが維持される。
[4] Effects According to the above embodiment, after the wafer 1 is divided into the plurality of chips 3A, the expanding table 11 is expanded by lowering the elevating table 40 while the wafer 1 is sucked and held on the table 30. The wafer 1 is divided into a plurality of chips 3A. And the excess part is substantially removed by crimping | bonding the several places of the protruding part 11b of the expanded sheet 11 formed by canceling | expanding the expanded sheet | seat 11 to the upper surface 10b of the cyclic | annular frame 10, Thereby, an annular frame The tension of the expanding sheet 11 in 10 is maintained.

このような方法により、加熱によって収縮しにくいエキスパンドシート11であっても拡張によって生じた余剰分を除去することができ、よってチップ3A間の間隔を維持することが可能となる。その結果、ハンドリング時においてチップ3Aどうしの接触が起こらず、チップ3Aが損傷するおそれが低減する。   By such a method, even the expanded sheet 11 that is not easily contracted by heating can remove the surplus generated by the expansion, and thus the interval between the chips 3A can be maintained. As a result, the chips 3A do not come into contact with each other during handling, and the risk of damage to the chips 3A is reduced.

1…ウェーハ(被加工物)、3A…チップ、4…改質層(分割起点)、5…ウェーハユニット(被加工物ユニット)、5a…ウェーハユニットの表面、5b…ウェーハユニットの裏面、10…環状フレーム、10b…環状フレームの上面、11…エキスパンドシート、11b…隆起部。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer (workpiece), 3A ... Chip, 4 ... Modified layer (division start point), 5 ... Wafer unit (workpiece unit), 5a ... Front surface of wafer unit, 5b ... Back surface of wafer unit, 10 ... An annular frame, 10b ... an upper surface of the annular frame, 11 ... an expanded sheet, 11b ... a raised portion.

Claims (1)

分割起点が形成された被加工物と、該被加工物に貼着されたエキスパンドシートと、該エキスパンドシートの外周が貼着される環状フレームと、からなる被加工物ユニットの該被加工物側を表面とし該エキスパンドシート側を裏面とし、該被加工物を該分割起点に沿って分割して複数のチップを形成するとともに形成された該チップ間の間隔を維持する被加工物の分割方法であって、
前記エキスパンドシートを拡張し、前記被加工物を前記分割起点から分割して複数のチップを形成するとともに形成された該チップ間に間隔を形成する拡張ステップと、
該拡張ステップを実施した後、該拡張ステップで前記エキスパンドシートが拡張されて形成された余剰分が前記被加工物の外周と前記環状フレームの内周との間で隆起した隆起部を該環状フレームの上面に傾倒させる隆起部傾倒ステップと、
該隆起部傾倒ステップを実施した後、前記隆起部を前記環状フレームの上面に圧着することで前記チップ間の間隔を維持する圧着ステップと、
を備えることを特徴とする被加工物の分割方法。
The work piece side of the work piece unit comprising a work piece on which a division starting point is formed, an expanded sheet attached to the work piece, and an annular frame to which the outer periphery of the expand sheet is attached. And a side of the expanded sheet as a back side, and dividing the workpiece along the division starting point to form a plurality of chips and maintaining a distance between the formed chips. There,
Expanding the expanded sheet, dividing the workpiece from the division starting point to form a plurality of chips and forming an interval between the formed chips;
After the expansion step is performed, a surplus portion formed by expanding the expand sheet in the expansion step is formed with a raised portion that is raised between the outer periphery of the workpiece and the inner periphery of the annular frame. A ridge tilting step that tilts to the top surface of
After performing the ridge tilting step, a crimping step for maintaining the spacing between the chips by crimping the ridge to the upper surface of the annular frame;
A method for dividing a workpiece, comprising:
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