JP2013239536A - 発光素子用配線基板および発光装置 - Google Patents

発光素子用配線基板および発光装置 Download PDF

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Abstract

【課題】 本発明は、発光装置の明るさを向上させることができる発光素子用配線基板および発光装置を提供する。
【解決手段】 上方に向かって発光する発光部７を備えた発光素子２が実装される発光素子用配線基板３であって、上面を構成する、第１樹脂層１５と第１樹脂層１５に積層された第１無機絶縁層１６とを有する第１絶縁層９を備え、第１無機絶縁層１６は、可視光の波長の下限値よりも粒径が小さい、互いの一部で接続した複数の第１無機絶縁粒子２０と、可視光の波長の下限値よりも粒径が大きい、複数の第１無機絶縁粒子２０に囲まれた球状の複数の第２無機絶縁粒子２１とを具備するとともに、複数の第１無機絶縁粒子２０と複数の第２無機絶縁粒子２１とで囲まれた間隙Ｇが形成されており、かつ第１絶縁層９の上面から第１絶縁層９の内部に進入する可視光が到達する深さに位置している発光素子用配線基板３である。その結果、発光装置１の明るさを向上させることができる
【選択図】 図１

Description

本発明は、照明装置（例えば、ＬＥＤ照明または信号灯など）または表示装置（例えば、ＬＥＤディスプレイなど）などに使用される発光素子用配線基板、およびそれを備えた発光装置に関するものである。
従来、照明装置や表示装置に使用される発光装置として、発光素子を発光素子用配線基板に実装したものが用いられている。
この発光素子用配線基板としては、例えば、特許文献１に開示されたもののように、発光素子が実装される上面は、樹脂材料からなる絶縁層によって構成されたものが知られている。
ところで、発光素子用配線基板に発光素子が実装された発光装置には、例えば、発光素子を保護するためのカバー部材が設けられており、発光素子から放出された可視光の一部が、カバー部材で反射して発光素子用配線基板の上面に到達することがある。ここで、一般的に可視光を吸収しやすい樹脂材料からなる絶縁層によって発光素子用配線基板の上面が構成されている場合には、発光素子用配線基板の上面において可視光が反射されにくいことから、カバー部材で反射された可視光は、発光素子用配線基板の上面において吸収される。すなわち、発光素子が発する可視光の一部は損失することから、発光装置の明るさが低下しやすいという問題が生じる。
特開２００４−３９６９１号公報
本発明は、発光装置の明るさを向上させることができる発光素子用配線基板およびそれを用いた発光装置を提供することを目的とするものである。
本発明の一実施形態にかかる発光素子用配線基板は、上方に向かって発光する発光部を備えた発光素子が実装される発光素子用配線基板であって、上面を構成する、第１樹脂層と該第１樹脂層に積層された第１無機絶縁層とを有する第１絶縁層を備え、前記第１無機絶縁層は、可視光の波長の下限値よりも粒径が小さい、互いの一部で接続した複数の第１無機絶縁粒子と、可視光の波長の下限値よりも粒径が大きい、前記複数の第１無機絶縁粒子に囲まれた球状の複数の第２無機絶縁粒子とを具備するとともに、複数の前記第１無機絶縁粒子と複数の前記第２無機絶縁粒子とで囲まれた間隙が形成されており、かつ前記第１絶縁層の上面から該第１絶縁層の内部に進入する可視光が到達する深さに位置していることを特徴とするものである。
本発明の一実施形態にかかる発光素子用配線基板によれば、発光素子用配線基板の上面を構成する第１絶縁層は第１無機絶縁層を有しており、この第１無機絶縁層は第１絶縁層の上面からこの第１絶縁層の内部に進入する可視光が到達する深さに位置していることから、発光素子用配線基板の上面に到達した可視光は、第１無機絶縁層に到達することにな
る。そして、第１無機絶縁層における第１無機絶縁粒子の粒径が可視光の波長よりも小さいことから、第１無機絶縁層に到達した可視光は、第１無機絶縁粒子によって反射されにくく、良好に第２無機絶縁粒子に到達することになり、さらに第２無機絶縁粒子に到達した可視光は、可視光の波長よりも大きい球状の第２無機絶縁粒子によって、入射してきた方向と同じ方向に可視光が反射（再帰性反射）されやすい。その結果、発光素子用配線基板の上面に到達した可視光は上方へ反射することから、この発光素子用配線基板の上面に発光素子が実装されて構成される発光装置の明るさを向上させることができる。
図１は、本発明の実施の形態の一例における発光装置を示す、厚み方向（Ｚ方向）に切断した断面図である。 図２は、図１のＲ１部分を拡大して示した、厚み方向（Ｚ方向）に切断した断面図である。 図３は、図２のＲ２部分を拡大して示した、厚み方向（Ｚ方向）に切断した断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、図１に示す発光装置の製造工程を説明する、工程毎に厚み方向（Ｚ方向）に切断した断面図である。 図５は、図１とは異なる本発明の発光装置の実施の形態の他の例を示す、厚み方向（Ｚ方向）に切断した断面図である。 図６は、図１および図５とは異なる本発明の発光装置の実施の形態の他の例を示す、厚み方向（Ｚ方向）に切断した断面図である。
＜第１実施形態＞
（発光装置）
以下に、本発明の実施の形態の第１の例（第１実施形態）にかかる発光素子用配線基板を含む発光装置を、図面を参照しつつ詳細に説明する。
図１に示した発光装置１は、例えば、ＬＥＤ照明または信号灯などの照明装置またはＬＥＤディスプレイなどの表示装置などに使用されるものである。この発光装置１は、上方へ光を発する発光素子２と、発光素子２が上面に実装された発光素子用配線基板３と、発光素子２が発する光を上方に反射するために発光素子２の周囲に配された反射板４と、発光素子２および発光素子用配線基板３を保護するために反射板４に両端部が支持された透光性のカバー部材５とを含む。
なお、以下では、発光装置１の厚み方向（図におけるＺ方向）において、発光装置１の発光方向を上方とし、その反対を下方とする。
（発光素子）
発光素子２は、発光素子用配線基板３の上面に実装され、例えばボンディングワイヤを介して発光素子用配線基板３と接続されている。この発光素子２は、例えば、上面で発光部７を支持するとともにボンディングワイヤとの接続を行なうためのベース部６と、ガリウム砒素リン、窒化ガリウムまたは炭化ケイ素などの半導体材料から形成された発光部７と、この発光部７を囲うレンズ部８とを含んでいる。
発光素子２の厚みは、例えば０．０５ｍｍ以上０．９ｍｍ以下に設定されている。なお、発光素子２の厚みは、発光素子２を平面方向（ＸＹ平面方向）に研摩することによって露出した、発光部７を含んだ断面を光学顕微鏡で観察し、ベース部６の下面からレンズ部８の上面までの厚み方向（Ｚ方向）に沿った長さを１０箇所以上測定し、その平均値を算出することで測定される。
（発光素子用配線基板）
発光素子用配線基板３は、発光素子用配線基板３の上面を構成する第１絶縁層９と、第１絶縁層９の上面に部分的に配されて第１絶縁層９とともに発光素子用配線基板３の上面を構成する第１導電層１０と、第１絶縁層９の下面に配された第２絶縁層１１と、第１絶縁層９と第２絶縁層１１との間に部分的に配された第２導電層１２と、第１絶縁層９あるいは第２絶縁層１１を厚み方向（Ｚ方向）に貫通して第１導電層１０と第２導電層１２とを電気的に接続したビア導体１３と、第２絶縁層１１の下面に配された金属板１４とを含む。
発光素子用配線基板３の厚みは、例えば０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定されており、発光素子２と同様に測定される。
（第１絶縁層）
第１絶縁層９は、第１導電層１０と第２導電層１２との間の絶縁を図るものである。この第１絶縁層９は、第１樹脂層１５と、第１樹脂層１５の上面に積層された第１無機絶縁層１６と、第１無機絶縁層１６の上面に積層された表面樹脂層１７とを含み、第１絶縁層９内において、第１無機絶縁層１６の上面は、第１絶縁層９の上面から第１絶縁層９の内部に進入する可視光が到達する深さに位置している。
なお、「可視光が到達する深さ」とは、発光素子用配線基板３の上面を構成する第１絶縁層９における発光素子２の搭載領域を除く領域において、第１絶縁層９の上面から、第１絶縁層９内に進入した可視光の少なくとも８０％が到達する地点までの距離をいう。すなわち、本実施形態においては、第１無機絶縁層１６の上面には表面樹脂層１７が積層されていることから、表面樹脂層１７において、可視光の透過率が８０％となる表面樹脂層１７の厚みが、「可視光が到達する深さ」の最大値となる。
また、表面樹脂層１７の可視光の透過率は、発光素子用配線基板３の上下面を研磨することによって第１絶縁層９を取り出し、その後、表面樹脂層１７の樹脂材料を分析して、表面樹脂層１７と同様の樹脂層を試作し、例えば透過率計で、その試作体の透過率を測定することによって、測定することできる。
また、可視光が到達する深さは、可視光の波長によって異なるが、全波長の可視光が到達する必要はなく、発光素子２から発する波長の可視光のみ到達すれば十分である。すなわち、例えば、発光素子２が、紫色の可視光を発する場合には、可視光の最小値の波長が到達すれば十分であり、赤色の可視光を発する場合には、可視光の最大値の波長が到達すれば十分である。
第１絶縁層９の厚みは、例えば２０μｍ以上１００μｍ以下に設定されている。また、第１絶縁層９のヤング率は、例えば２０ＧＰａ以上４５ＧＰａ以下に設定されており、平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率は、例えば１３ｐｐｍ／℃以上１９ｐｐｍ／℃以下に設定されている。なお、第１絶縁層９の厚みは、発光素子２と同様に測定される。また第１絶縁層９のヤング率は、例えばナノインデンターを用いて、ＩＳＯ ５２７−１：１９９３に準じた測定方法によって測定できる。そして、第１絶縁層９の熱膨張率は、例えば市販のＴＭＡ（熱機械分析）装置を用いて、ＪＩＳ Ｋ７１９７−１９９１に準じた測定方法によって測定される。
（第１樹脂層）
第１樹脂層１５は、第１絶縁層９の主要部をなすものであり、例えば、エポキシ樹脂、ビルマレイミドトリアジン樹脂またはシアネート樹脂などの樹脂材料からなる第１樹脂部
１８と、フィラー粒子１９ａとを含んでいる。
第１樹脂層１５の厚みは、例えば３μｍ以上２０μｍ以下に設定されている。また、第１樹脂層１５のヤング率は、例えば１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下に設定されている。また、第１樹脂層１５の平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上７０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。そして、第１樹脂層１５の熱伝導率は、例えば０．１Ｗ／ｍ・Ｋ以上１．５Ｗ／ｍ・Ｋ以下に設定されている。
なお、第１樹脂層１５の厚み、ヤング率および熱膨張率は、第１絶縁層９と同様に測定される。また、第１樹脂層１５の熱伝導率は、ＪＩＳ Ｃ２１４１−１９９２に準じた測定方法により、例えばレーザフラッシュ法で測定される。
また、第１樹脂層１５におけるフィラー粒子１９ａの体積比率（体積％）は、例えば１０体積％以上７０体積％以下に設定されている。なお、フィラー粒子１９ａの体積比率（体積％）の測定方法は、まず、第１樹脂層１５の研摩によって露出した断面を走査型電子顕微鏡または透過型電子顕微鏡で撮影し、撮影した画像から画像解析装置などを用いて面積比率（面積％）を測定する。次に、これらの測定値から算出された平均値を、フィラー粒子１９ａの体積比率とみなすことによって、フィラー粒子１９ａの体積比率（体積％）は測定される。
（フィラー粒子）
フィラー粒子１９ａは、第１樹脂層１５中に分散しており、第１樹脂層１５の熱膨張率を低減するとともに、第１樹脂層１５のヤング率を向上させるものである。このフィラー粒子１９ａは、例えば、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウムまたは炭酸カルシウムなどの無機絶縁材料からなる。
フィラー粒子１９ａの平均粒径は、例えば０．３μｍ以上５μｍ以下に設定されている。なお、フィラー粒子１９ａの平均粒径は、第１樹脂層１５の断面を走査型電子顕微鏡または透過型電子顕微鏡で観察し、２０個以上５０個以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影し、この拡大した断面にて各粒子の最大径を測定し、その平均値を算出することによって測定される。
（第１無機絶縁層）
第１無機絶縁層１６は、第１絶縁層９の熱膨張率を低減するものである。第１無機絶縁層１６の厚みは、例えば３μｍ以上１００μｍ以下に設定されている。また、第１無機絶縁層１６のヤング率は、例えば２０ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下に設定されている。また、第１無機絶縁層１６の平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率は、例えば０．６ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。そして、第１無機絶縁層１６の熱伝導率は、例えば０．２Ｗ／ｍ・Ｋ以上３Ｗ／ｍ・Ｋ以下に設定されている。なお、第１無機絶縁層１６の厚み、ヤング率、熱膨張率および熱伝導率は、第１樹脂層１５と同様に測定される。
このような第１無機絶縁層１６は、複数の第１無機絶縁粒子２０と、第１無機絶縁粒子２０よりも粒径が大きい複数の第２無機絶縁粒子２１とを含む。それゆえ、無機絶縁材料は樹脂材料に比べて熱膨張率が小さいものとなることから、第１無機絶縁層１６の熱膨張率は小さい。その結果、第１無機絶縁層１６は、第１樹脂層１５の熱膨張量を低減することができる。
そして、無機絶縁材料は樹脂材料に比べてヤング率が大きいことから、第１無機絶縁層１６のヤング率は大きい。その結果、第１無機絶縁層１６は、第１樹脂層１５の熱膨張に
起因した変形を抑制することができ、第１樹脂層１５の熱膨張量を低減することができる。
さらに、図２および図３に示すように、複数の第１無機絶縁粒子２０同士は互いに接続し、また複数の第１無機絶縁粒子２０と第２無機絶縁粒子２１とも互いに接続している。その結果、複数の第１無機絶縁粒子２０同士、および複数の第１無機絶縁粒子２０と第２無機絶縁粒子２１とは互いに拘束し合っていることから、第１無機絶縁層１６のヤング率が向上し、第１無機絶縁層１６は、第１樹脂層１５の熱膨張に起因した変形をさらに良好に抑制することができる。
また、図３に示すように、複数の第１無機絶縁粒子２０同士、または複数の第１無機絶縁粒子２０と第２無機絶縁粒子２１とが互いの一部で接続していることから、第１無機絶縁層１６には、複数の第１無機絶縁粒子２０と第２無機絶縁粒子２１とに囲まれた間隙Ｇが形成されて、間隙Ｇには第１樹脂層１５の第１樹脂部１８の一部が充填されている。その結果、アンカー効果によって、第１無機絶縁層１６と第１樹脂層１５との接着強度が向上することから、第１無機絶縁層１６は、第１樹脂層１５の熱膨張量を良好に低減することができる。
したがって、第１無機絶縁層１６は、第１樹脂層１５の熱膨張および熱膨張に起因した変形を低減し、ひいては、第１絶縁層９の熱膨張率を低減することができる。
第１無機絶縁層１６における、第１無機絶縁粒子２０と第２無機絶縁粒子２１とを含めた体積比率（体積％）は、例えば６２体積％以上７５体積％以下に設定されており、そのうち、第１無機絶縁粒子２０の体積比率（体積％）は、例えば２０体積％以上９０体積％以下に設定されており、第２無機絶縁粒子２１の体積比率（体積％）は、１０体積％以上８０体積％以下に設定されている。なお、第１無機絶縁粒子２０および第２無機絶縁粒子２１の体積比率（体積％）は、フィラー粒子１９ａと同様に測定される。
また、間隙Ｇの体積比率（体積％）は、例えば２５体積％以上３８体積％以下に設定されている。そして、間隙Ｇにおける第１樹脂層１５の樹脂材料の一部の体積比率は、例えば９９．５体積％以上１００体積％以下に設定されている。また、間隙Ｇの幅は、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下に設定されている。なお、間隙Ｇの体積比率はフィラー粒子１９ａと同様に測定される、また間隙Ｇの幅は、まず、第１無機絶縁層１６の研摩によって露出した断面を走査型電子顕微鏡または透過型電子顕微鏡で観察し、数で２０箇所以上５０箇所以下の間隙Ｇを含むように拡大した断面を撮影し、この拡大した断面にて各間隙Ｇの最大径の平均値を算出し、この平均値を間隙Ｇの幅と見なすことによって、測定される。
（第１無機絶縁粒子）
第１無機絶縁粒子２０は、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウムなどの無機絶縁材料からなる。中でも、酸化ケイ素を用いることが望ましい。また、第１無機絶縁粒子２０は、非晶質体を用いることが望ましい。第１無機絶縁粒子２０を非晶質体とすることで、結晶構造に起因した熱膨張率の異方性を低減することができ、第１無機絶縁層１６におけるクラックの発生を低減できる。
第１無機絶縁粒子２０の平均粒径は、例えば３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下に設定されており、可視光の波長の下限値よりも小さい。なお、可視光の波長とは、ＪＩＳ Ｚ８１２０−２００１に準じ、その波長範囲が３６０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下のものを指し、可視光の下限値とは３６０ｎｍをいう。また、第１無機絶縁粒子２０の平均粒径は、フィラー粒子１９ａと同様に測定される。
（第２無機絶縁粒子）
第２無機絶縁粒子２１は、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウムなどの無機絶縁材料からなり、第１無機絶縁粒子２０と第２無機絶縁粒子２１との接続強度の観点から、第１無機絶縁粒子２０と同じ材料からなることが望ましい。
また、第２無機絶縁粒子２１は、非晶質体を用いることが望ましい。その結果、第２無機絶縁粒子２１の結晶構造に起因した第２無機絶縁層２３のクラックの発生を低減することができる。
第２無機絶縁粒子２１の平均粒径は、例えば０．５μｍ以上５μｍ以下に設定されており、可視光の波長の下限値よりも大きい。なお、第２無機絶縁粒子２１の平均粒径は、フィラー粒子１９ａと同様に測定される。
（表面樹脂層）
表面樹脂層１７は、第１絶縁層９の表面に配された樹脂層であり、例えば第１絶縁層９と第１導電層１０との接着強度を向上させるものである。この表面樹脂層１７は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド樹脂またはポリアミド樹脂などの樹脂材料からなる。
表面樹脂層１７の厚みは、例えば、０．５μｍ以上５μｍ以下に設定されている。なお、表面樹脂層１７の厚みは、発光素子２と同様に測定される。
ここで、表面樹脂層１７の厚みが５μｍ以下に設定されていることから、表面樹脂層１７は、発光素子用配線基板３の上面に到達した可視光を良好に透過することができる。また、表面樹脂層１７の厚みが５μｍ以下と薄く設定されていることから、表面樹脂層１７の可視光の透過率は８０％以上となる。その結果、フィラー粒子１９ｂによって、可視光が吸収されることを低減し、表面樹脂層１７の下面に配された第１無機絶縁層１２に良好に可視光が到達することになる。
また、表面樹脂層１７がフィラー粒子１９ｂを含んでも構わない。その場合、表面樹脂層１７におけるフィラー粒子１９ｂの体積比率（体積％）は、例えば２体積％以上３体積％以下に設定されている。ここで、フィラー粒子１９ｂの体積比率（体積％）が３体積％以下と少なく設定されていることから、表面樹脂層１７は、発光素子用配線基板３の上面に到達した可視光を良好に透過することができる。また、表面接着層１６に含まれるフィラー粒子１９ｂの平均粒径は、可視光の波長の下限値よりも小さく設定されていることが望ましい。その結果、表面樹脂層１７は、可視光を良好に透過させることができる。
（第１導電層）
第１導電層１０は、発光素子２とボンディングワイヤなどを介して電気的に接続されるもの、および外部の回路基板（不図示）と導電性の金属線をはんだ付けするなどして電気的に接続されるものである。この第１導電層１０は、例えば、銅、銀、金またはアルミニウムなどの導電材料からなる。
第１導電層１０の厚みは、例えば３μｍ以上２０μｍ以下に設定されている。また、第１導電層１０のヤング率は、例えば５０ＧＰａ以上２００ＧＰａ以下に設定されている。そして、第１導電層１０の平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率は、例えば１６ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。なお、第１導電層１０の厚み、ヤング率および熱膨張率は、第１絶縁層９と同様に測定される。
（第２絶縁層）
第２絶縁層１１は、発光素子用配線基板３の主要部となるものであり、第２樹脂層２２と、第２樹脂層２２の上面に積層された第２無機絶縁層２３と、第２無機絶縁層２３の上面に積層された表面樹脂層１７とを含んでいる。
第２絶縁層１１の厚みは、例えば２０μｍ以上１００μｍ以下に設定されている。また、第２絶縁層１１のヤング率は、例えば２０ＧＰａ以上４５ＧＰａ以下に設定されている。そして、第２絶縁層１１の平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率は、例えば１３ｐｐｍ／℃以上１９ｐｐｍ／℃以下に設定されている。なお、第２絶縁層１１の厚み、ヤング率および熱膨張率は、第１絶縁層９と同様に測定される。
（第２樹脂層）
第２樹脂層２２は、第２絶縁層１１の主要部となるものであり、第１樹脂層１５と同様の構成を有する。
（第２無機絶縁層）
第２無機絶縁層２３は、第２絶縁層１１のヤング率を向上させるものであり、第１無機絶縁層１６と同様の構成を有する。
（第２導電層）
第２導電層１２は、信号用配線、接地用配線または電源用配線として機能するものであり、第１導電層１０と同様の構成を有する。
（ビア導体）
ビア導体１３は、第１絶縁層９または第２絶縁層１１を厚み方向に（Ｚ方向）に貫通して、第１導電層１０と第２導電層１２とを電気的に接続するものであり、例えば、銅、銀、金またはアルミニウムなどの導電材料からなる。
ビア導体１３のヤング率は、例えば５０ＧＰａ以上２００ＧＰａ以下に設定されている。また、ビア導体１９の平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率は、例えば１６ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。なお、ビア導体１３のヤング率および熱膨張率は、第１無機絶縁層１６と同様に測定される。
（金属板）
金属板１４は、発光素子２が発する熱を放熱させるものであり、例えば、銅、アルミニウム、鉄、ニッケル、コバルトまたはこれらの合金などからなる。金属板１４の厚みは、例えば０．０５ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定されている。また、金属板１４のヤング率は、例えば５０ＧＰａ以上２００ＧＰａ以下に設定されている。また、金属板１４の平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率は、例えば１ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。そして、金属板１４の熱伝導率は、例えば５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上４３０Ｗ／ｍ・Ｋ以下に設定されている。
なお、金属板１４の厚み、熱膨張率および熱伝導率は、第１絶縁層９と同様に測定される。また金属板１４のヤング率は、例えば、ダイシングマシン、ナイフまたはのこぎりなどによって金属板１４から矩形状の試験片を切り出し、この試験片を引張り試験機で測定して得られた単位断面積当たりの引張り応力を試験片の伸び量で割ることによって計測できる。
ところで、前述した通り、第１無機絶縁粒子２０の粒径は、可視光の波長よりも小さい。それゆえ、可視光は、第１無機絶縁粒子２０によって反射されにくく、第１無機絶縁層１６の上面から、第１無機絶縁層１６内に進入した可視光は、良好に第２無機絶縁粒子２１に到達することになる。そして、可視光は、可視光の波長よりも大きい球状の第２無機絶縁粒子２１に到達すると、入射してきた方向と同じ方向に反射（再帰性反射）しやすい。すなわち、可視光は、可視光の波長よりも大きい第２無機絶縁粒子２１の外表面に達すると、一般的に透光性の高い酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウム等からなる第２無機絶縁粒子２１の中に入る。そして、第２無機絶縁粒子２１の内外の屈折率の相違に起因して、第２無機絶縁粒子２１の内表面に到達した可視光は、第２無機絶縁粒子２１の内表面で反射し、第２無機絶縁粒子２１の外へ出る。このとき、可視光は、第２無機絶縁粒子２１の中に入る際の屈折と、第２無機絶縁粒子２１の内表面における反射と、第２無機絶縁粒子２１の外に出る際の屈折とによって、第２無機絶縁粒子２１に対して入射してきた方向と同じ方向に可視光が反射することになり、再帰性反射が起こる。
その結果、発光素子用配線基板３の上面に到達した可視光は、発光素子用配線基板３の上面を構成する第１絶縁層９に含まれた、第１無機絶縁層１６によって、再び上方に放出されることになり、発光装置の明るさを向上させることができる。
また、前述した通り、第１無機絶縁層１６は、複数の第１無機絶縁粒子２０および複数の第２無機絶縁粒子２１を主成分としている。その結果、従来の樹脂材料を主成分とする絶縁層と比較して、第１樹脂部１８で可視光が吸収されることを低減することができ、ひいては発光装置の明るさを向上させることができる。
また、前述した通り、第１無機絶縁層１６には間隙Ｇが形成されているが、この間隙Ｇの幅は、可視光の波長の下限値よりも小さいことが望ましい。その結果、間隙Ｇに充填された第１樹脂部１８の幅も、可視光の波長の下限値よりも小さくなることから、第１無機絶縁１５の内部に進入した可視光は、第１樹脂部１８に吸収されにくく、良好に第２無機絶縁粒子２１に到達することになり、ひいては発光装置の明るさを向上させることができる。
また、第１無機絶縁粒子２０は、一般的に透光性の高い酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウム等からなることが好ましい。その結果、第１無機絶縁層１６上面から、第１無機絶縁層１６内に進入した可視光は、さらに良好に第２無機絶縁粒子２１に到達することができる。
また、第１樹脂層１５に含まれたフィラー粒子１９ａは、酸化チタンからなることが望ましい。その結果、酸化チタンは、一般的に反射率が高いことから、第１無機絶縁層１６を透過した可視光が、第１樹脂層１５に含まれるフィラー粒子１９ａの外表面によって反射されて、発光素子用配線基板３内に進入した可視光が吸収されることを低減し、ひいては発光装置の明るさを向上させることができる。
また、第１樹脂層１５が含んだフィラー粒子１９ａは、第１樹脂層１５の第１無機絶縁層１６側に多く位置していることが望ましい。その結果、第１無機絶縁層１６を透過した可視光が、第１樹脂層１５に含まれるフィラー粒子１９ａによって、良好に反射されることから、発光素子用配線基板３内に進入した可視光が吸収されることを低減し、ひいては発光装置の明るさを向上させることができる。
なお、第１樹脂層１５を厚みが均等になるように二分して、第１無機絶縁層１６に近い方を第１領域とし、第１無機絶縁層１６から遠い方を第２領域とした場合に、フィラー粒子１９ａの例えば５５％以上７０％以上は第１領域に位置しており、例えば３０％以上４５％以下は第２領域に位置している。
また、金属板１４の下面は、雰囲気中に露出していることが望ましい。その結果、発光素子２が発する熱を良好に放出させることができる。
また、熱伝導率の観点から、金属板１４は、銅からなることが望ましい。その結果、発光素子２が発する熱を良好に放出させることができる。
また、金属板１４の熱膨張率は、第１樹脂層１５よりも小さく、第１無機絶縁層１６の熱膨張率よりも大きいことが望ましい。その結果、金属板１４と第１絶縁層９との熱膨張率の差を低減することができ、発光素子用配線基板３が歪むことを低減できる。
なお、金属板１４が銅から成る場合には、熱膨張率の観点から、第１無機絶縁粒子２０は、酸化ケイ素からなることが望ましい。その結果、金属板１４と第１絶縁層９との熱膨張率の差を良好に低減することができる。
また、金属板１４の熱膨張率は、第２樹脂層２２よりも小さく、第２無機絶縁層２３の熱膨張率よりも大きいことが望ましい。その結果、第２絶縁層１１と金属板１４との熱膨張率の差を低減することができ、第２樹脂層２２と金属板１４とが剥離することを良好に低減できる。
（発光装置の作製）
次に、前述した発光装置１の製造方法を、図４を参照しつつ説明する。
（積層シートの作製）
（１）第１無機絶縁粒子２０および第２無機絶縁粒子２１を含む固形分と、この固形分が分散した溶剤とを有する無機絶縁ゾルを準備する。
無機絶縁ゾルは、例えば、固形分を１０体積％以上５０体積％以下含み、溶剤を５０％体積以上９０体積％以下含む。また無機絶縁ゾルの固形分は、例えば、第１無機絶縁粒子２０を２０体積％以上９０体積％以下含み、第２無機絶縁粒子２１を１０体積％以上８０体積％以下含む。
なお、第１無機絶縁粒子２０は、例えば、ケイ酸ナトリウム水溶液（水ガラス）などのケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させることにより、作製することができる。この場合には、低温条件下で第１無機絶縁粒子２０を作製することができるため、非晶質状態である第１無機絶縁粒子２０を作製することができる。
一方、第２無機絶縁粒子２１は、酸化ケイ素からなる場合であれば、例えば、ケイ酸ナトリウム水溶液（水ガラス）などのケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させた溶液を火炎中に噴霧し、凝集物の形成を低減しつつ８００℃以上１５００℃以下に加熱することによって、作製することができる。
また、第２無機絶縁粒子２１を作製する際の加熱時間は、１秒以上１８０秒以下に設定されていることが望ましい。その結果、この加熱時間を短縮することにより、８００℃以上１５００℃以下に加熱した場合においても、第２無機絶縁粒子２１の結晶化を低減し、非晶質状態を維持することができる。
一方、無機絶縁ゾルに含まれる溶剤は、例えば、メタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエー
テル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジメチルアセトアミドおよび／またはこれらから選択された２種以上の混合物を含んだ有機溶剤を使用することができる。
（２）一主面上に表面樹脂層１７を配した、樹脂材料または金属材料からなる支持シート２４を準備し、表面樹脂層１７の一主面上に無機絶縁ゾルを塗布する。
無機絶縁ゾルの塗布は、例えば、ディスペンサー、バーコーター、ダイコーターまたはスクリーン印刷を用いて行なうことができる。このとき、前述した如く、無機絶縁ゾルの固形分が５０体積％以下に設定されていることから、無機絶縁ゾルの粘度が低く設定され、塗布された無機絶縁ゾルの平坦性を高くすることができる。
なお、表面樹脂層１７はフィラー粒子１９ｂを、例えば２体積％以上３体積％以下の割合で含んでいれば、後に支持シート２４を剥がす際に、良好に剥がすことができる。
（３）無機絶縁ゾルを乾燥させて溶剤を蒸発させる。
無機絶縁ゾルの乾燥は、例えば、加熱および風乾によって行なわれる。乾燥温度は、例えば２０℃以上溶剤の沸点（２種類以上の溶剤を混合している場合には、最も沸点の低い溶剤の沸点）未満に設定され、乾燥時間が、例えば２０秒以上３０分以下に設定される。その結果、溶剤の沸騰が低減され、沸騰の際に生じる気泡の圧力によって第１無機絶縁粒子２０および第２無機絶縁粒子２１が押し出されることが低減され、この粒子の分布をより均一にすることが可能となる。
（４）残存した無機絶縁ゾルの固形分を加熱し、複数の第１無機絶縁粒子２０同士および第１無機絶縁粒子２０と第２無機絶縁粒子２１とが互いの一部で接続した第２無機絶縁層２３を作製する。
ここで、無機絶縁ゾルは、平均粒径が微小に設定された第１無機絶縁粒子２０を有している。その結果、無機絶縁ゾルの加熱温度が比較的低温、例えば第１無機絶縁粒子２０および第２無機絶縁粒子２１の結晶化開始温度未満と低温であっても、第１無機絶縁粒子２０同士を強固に接続することができる。
無機絶縁ゾルの加熱は、温度が例えば１００℃以上３００℃未満に設定されて、時間が例えば０．５時間以上２４時間以下に設定されることが望ましい。また、無機絶縁ゾルの加熱温度は、第１無機絶縁粒子２０および第２無機絶縁粒子２１の結晶化開始温度未満に設定されていることが望ましい。その結果、結晶化した粒子が相転移によって収縮することを抑制し、第２無機絶縁層２３におけるクラックの発生を低減できる。
さらに、このように低温で加熱することによって、第１無機絶縁粒子２０および第２無機絶縁粒子２１が粒子の形状を保持しつつ、第１無機絶縁粒子２０同士および第１無機絶縁粒子２０と第２無機絶縁粒子２１とを近接領域のみで接続させることができる。その結果、第１無機絶縁粒子２０同士および第１無機絶縁粒子２０と第２無機絶縁粒子２１とを接続させることができ、ひいては第１無機絶縁粒子２０同士の間に開気孔の間隙Ｇを容易に形成することができる。
（５）未硬化の樹脂材料と、樹脂材料に被覆されたフィラー粒子１９ａとを含む樹脂前駆体２５を準備する。次いで、図４（ａ）に示すように、第２無機絶縁層２３の表面樹脂層１７と反対側の主面上に樹脂前駆体２５を積層し、支持シート２４、表面樹脂層１７、第２無機絶縁層２３および樹脂前駆体２５を含む積層シート２６を作製する。
（発光素子用配線基板の作製）
（６）金属板１４を準備して、積層シート２６の樹脂前駆体２５が金属板１４の主面上に配されるように、積層シート２６を金属板１４上に積層する。次いで、積層シート２６および金属板１４を加熱加圧することによって、樹脂前駆体２５を硬化させて、樹脂前駆体２５を第２樹脂層２２とし、支持シート２４を剥がして、第２絶縁層１１を金属板１４の主面上に配する。
なお、積層シート２６および金属板１４の加熱加圧は、上下方向に加熱加圧することによって、第２無機絶縁層２３の間隙Ｇの一部に未硬化の樹脂材料を入り込ませて、第２無機絶縁層２３と樹脂前駆体２５とを接着させる。なお、未硬化とは、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ−ステージまたはＢ−ステージの状態である。
なお、積層シート２６および金属板１４の加熱加圧は、樹脂前駆体２５の硬化開始温度以上樹脂前駆体２５の熱分解温度未満で行なう。具体的には、加熱温度は、例えば１５０℃以上２５０℃以下に設定され、圧力は、例えば２ＭＰａ以上３ＭＰａ以下に設定され、時間は例えば０．５時間以上２時間以下に設定される。なお、硬化開始温度は、樹脂が、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＣ−ステージの状態となる温度である。
また、ここで樹脂前駆体２５に含まれるフィラー粒子１９ａの平均粒径は、間隙Ｇの幅よりも大きいことが望ましい。その結果、樹脂前駆体２５の未硬化の第２樹脂材料が第１無機絶縁層１６の間隙Ｇに入り込むことによって、複数のフィラー粒子１９ａが第１無機絶縁層１６の表面でろ過されるように凝集し、第１無機絶縁層１６に近い方の領域が第１無機絶縁層１６から遠い方の領域よりもフィラー粒子１９ａの体積比率が大きい第１樹脂層１５を形成できる。したがって、容易に第１無機絶縁層１６側での熱膨張率が小さい第１樹脂層１５を作製することができ、ひいては生産効率を向上させることができる。
樹脂前駆体２５におけるフィラー粒子１９ａの体積比率は、例えば１０体積％以上５５体積％以下に設定され、第２樹脂層２２の形成後において、第２無機絶縁層２３の一主面上に形成された第２樹脂層２２におけるフィラー粒子１９ａの体積比率は、例えば１０体積％以上７０体積％以下に設定される。
（７）第２絶縁層１１の上面に第２導電層１２を形成する。
第２導電層１２の形成は、例えば無電解めっき法、電気めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法等を用いて導電材料を被着させた後、例えばフォトリソグラフィー技術、エッチング法等を用いて被着した導電材料をパターニングすることにより、形成することができる。
（８）図４（ｃ）に示すように、（１）から（６）の工程を繰り返すことによって、無機絶縁ゾルを乾燥させて作製した第１無機絶縁層１６と、樹脂前駆体２５を熱硬化させた第１樹脂層１５とを含む第１絶縁層９を、第２絶縁層１１および第２導電層１２の上面に形成する。
（９）第１絶縁層９を厚み方向（Ｚ方向）に貫通するビア導体１３を形成し、第１絶縁層９上にビア導体１３と電気的に接続する第１導電層１０を形成する。
ビア導体１３の形成は、まず、例えばＹＡＧレーザー装置または炭酸ガスレーザー装置を用いて、第２絶縁層１１にビア孔を形成する。次いで、例えば無電解めっき、蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法を用いて、ビア孔Ｖに導電材料を埋めることによって、
ビア導体１３は形成される。
（発光素子の実装）
（９）図４（ｄ）に示すように、第１絶縁層９の上面に発光素子２を実装した後、発光素子２と第１導電層１０とをボンディングワイヤで接続する。次いで、発光素子２の周囲に反射板４と、反射板４に蓋をするようにカバー部材５とを配する。
以上のようにして、発光素子用配線基板３の上面に発光素子２が実装された発光装置１を作製する。
＜第２実施形態＞
（発光装置）
次に、本発明の発光素子用配線基板および発光装置の実施の形態の第２の例（第２実施形態）を、図５を参照しつつ詳細に説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の構成に関しては、説明を省略する。
図５に示すように、第２実施形態の発光素子用配線基板３は、第１実施形態と異なり、第１無機絶縁層１６は、第１絶縁層９の最上層に位置し、発光素子用配線基板３の上面を構成している。その結果、発光素子用配線基板３の上面に到達した可視光は良好に第１無機絶縁層１６内に進入することができ、より多くの可視光を反射させることができることから、発光装置の明るさを向上させることができる。
なお、第１無機絶縁層１６は、第１絶縁層９の最上層に位置することから、第１絶縁層９の上面に到達する可視光は第１無機絶縁層１６の上面に到達することになる。すなわち、第１絶縁層９内において、第１無機絶縁層１６の上面は、当然に「可視光が到達する深さ」に位置することになる。
（発光装置の作製）
次に、上述した第２実施形態の発光装置１の製造方法を説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の方法に関しては、説明を省略する。
前述した（２）工程において、支持シート２４の主面上に直接無機絶縁ゾルを塗布し、無機絶縁ゾルを第２無機絶縁層２３とした後、支持シート２４と反対側の主面上に樹脂前駆体２５を積層し、支持シート２４、表面樹脂層１７、第２無機絶縁層２３および樹脂前駆体２５を含む積層シート２６を作製する。そして、上述した第１実施形態と同様の工程によって、発光装置１を作製することができる。
＜第３実施形態＞
（発光装置）
次に、本発明の発光素子用配線基板および発光装置の実施の形態の第３の例（第３実施形態）を、図６を参照しつつ詳細に説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の構成に関しては、説明を省略する。
図６に示すように、第２実施形態の発光素子用配線基板３には、第１実施形態と異なり、発光素子２が収容される、第１絶縁層９を貫通する第１貫通孔Ｔ１と、第２絶縁層１１を貫通する第２貫通孔Ｔ２とを含み、金属板１４を底面とした凹部Ｄが形成されている。
このように、凹部Ｄが形成されていることによって、凹部Ｄに収容される発光素子２は、金属板１４の上面に実装される。その結果、金属材料は、樹脂材料および無機絶縁材料よりも熱伝導率が高いことから、発光素子２が発する熱を良好に放出させることができ、発光素子２の温度上昇に起因した、発光素子２における発光効率の低下や寿命の低下を防止することができる。
また、第１無機絶縁層１６および第２無機絶縁層２３の熱伝導率は、第１樹脂層１５および第２樹脂層２２の熱伝導率よりも大きいことが望ましい。その結果、第１貫通孔Ｔ１および第２貫通孔Ｔ２内に収容される発光素子２は、第１無機絶縁層１６と第２無機絶縁層２３とに囲まれていることから、発光素子２が発する熱を良好に放出することができる。
また、第１貫通孔Ｔ１の第１無機絶縁層１６における内径は、第１樹脂層１５における内径よりも小さいことが望ましい。その結果、第１貫通孔Ｔ１内での、第１無機絶縁層１６と発光素子２との距離が小さくなり、発光素子用配線基板３の上面に到達した可視光のうち、発光素子２と、第１貫通孔Ｔ１の内壁との間に可視光が進入し、第１貫通孔Ｔ１の内壁等に吸収されて、可視光が損失することを低減することができる。
また、第１無機絶縁層１６の厚みは、第１樹脂層１５の厚みよりも大きいことが望ましい。その結果、発光素子２が発する熱が放出される領域が大きくなり、発光素子２が発する熱を良好に放出することができる。
また、第２貫通孔Ｔ２の第２無機絶縁層２３における内径は、第２樹脂層２２における内径よりも小さいことが望ましい。その結果、第２貫通孔Ｔ２内での、第２無機絶縁層２３と発光素子２との距離が小さくなり、発光素子２が発する熱を良好に放出させることができる。
また、第２無機絶縁層２３の厚みは、第２樹脂層２２の厚みよりも大きいことが望ましい。その結果、発光素子２が発する熱が放出される領域が大きくなり、発光素子２が発する熱を良好に放出することができる。
また、発光素子２の発光部７は、第１無機絶縁層１６の上面よりも上方に位置していることが望ましい。その結果、発光素子２が発する可視光が、第１貫通孔Ｔ１の内壁面を構成する第１無機絶縁層１６において反射し、第１貫通孔Ｔ１内において可視光が損失することを低減することができる。
また、発光素子２の発光部７は、第１貫通孔Ｔ１の開口よりも上方に位置していることが望ましい。その結果、発光素子２が発する可視光が、第１貫通孔Ｔ１の内壁面において第１樹脂層１５などに吸収されることを低減することができる。
（発光装置の作製）
次に、上述した第３実施形態の発光装置１の製造方法を説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の方法に関しては、説明を省略する。
前述した（８）工程の後、発光素子２を収容するための、第１絶縁層９を貫通する第１貫通孔Ｔ１および第２絶縁層１１を貫通する第２貫通孔Ｔ２を形成する。
第１貫通孔Ｔ１および第２貫通孔Ｔ２の形成は、例えば、レーザー加工、パンチング加工またはサンドブラスト加工によって形成することができる。
また、第１貫通孔Ｔ１および第２貫通孔Ｔ２を形成した後に、第１貫通孔Ｔ１および第２貫通孔Ｔ２の内周面をデスミア処理することが望ましい。
具体的には、過マンガン酸溶液に、発光素子用配線基板３を、例えば５分以上１０分以内で、含浸させることによってデスミア処理を行なう。この工程において、過マンガン酸溶液は、樹脂材料を溶かすため、第１貫通孔Ｔ１および第２貫通孔Ｔ２内が良好にデスミア処理されるだけなく、第１樹脂層１５および第２樹脂層２２の一部を溶かすことができる。その結果、第１貫通孔Ｔ１の第１無機絶縁層１６における内径を、第１樹脂層１５における内径よりも小さくでき、また第２貫通孔Ｔ２の第２無機絶縁層２３における内径を、第２樹脂層２２における内径よりも小さくすることができる。
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組合せ等が可能である。
また、前述した本発明の実施形態は、それぞれ金属板１４を含んでいるが、金属板１４を含まなくても構わない。
また、前述した本発明の実施形態は、第２無機絶縁層２３を１層のみ含んでいるが、第２無機絶縁層２３を複数層含んでいても構わない。
また、前述した本発明の実施形態は、第２無機絶縁層２３が第２無機絶縁粒子２１を含んでいるが、第２無機絶縁層２３は第２無機絶縁粒子２１を含まなくても構わない。
また、前述した本発明の実施形態は、発光素子用配線基板３、反射板４およびカバー部材５に囲まれた空間には何も充填していないが、例えば蛍光物質とともに樹脂材料を充填しても構わない。
また、前述した本発明の第２実施形態は、第１貫通孔Ｔ１および第２貫通孔Ｔ２を形成していたが、第１貫通孔Ｔ１のみ形成しても構わない。その場合には、発光素子２は第２絶縁層１１の上面に実装されることになる。
１ 発光装置
２ 発光素子
３ 発光素子用配線基板
４ 反射板
５ カバー部材
６ ベース部
７ 発光部
８ レンズ部
９ 第１絶縁層
１０ 第１導電層
１１ 第２絶縁層
１２ 第２導電層
１３ ビア導体
１４ 金属板
１５ 第１樹脂層
１６ 第１無機絶縁層
１７ 表面樹脂層
１８ 第１樹脂部
１９ａ、１９ｂ フィラー粒子
２０ 第１無機絶縁粒子
２１ 第２無機絶縁粒子
２２ 第２樹脂層
２３ 第２無機絶縁層
２４ 支持シート
２５ 樹脂前駆体
２６ 積層シート
Ｇ 間隙
Ｔ１ 第１貫通孔
Ｔ２ 第２貫通孔
Ｄ 凹部

Claims (11)

  1. 上方に向かって発光する発光部を備えた発光素子が実装される発光素子用配線基板であって、
    上面を構成する、第１樹脂層と該第１樹脂層に積層された第１無機絶縁層とを有する第１絶縁層を備え、
    前記第１無機絶縁層は、可視光の波長の下限値よりも粒径が小さい、互いの一部で接続した複数の第１無機絶縁粒子と、可視光の波長の下限値よりも粒径が大きい、前記複数の第１無機絶縁粒子に囲まれた球状の複数の第２無機絶縁粒子とを具備するとともに、複数の前記第１無機絶縁粒子と複数の前記第２無機絶縁粒子とで囲まれた間隙が形成されており、かつ前記第１絶縁層の上面から該第１絶縁層の内部に進入する可視光が到達する深さに位置していることを特徴とする発光素子用配線基板。
  2. 請求項１に記載の発光素子用配線基板において、
    前記第１無機絶縁層は、前記発光素子用配線基板の上面を構成していることを特徴とする発光素子用配線基板。
  3. 請求項１または請求項２に記載の発光素子用配線基板において、
    前記第１絶縁層に、発光素子が収容される第１貫通孔を有することを特徴とする発光素子用配線基板。
  4. 請求項３に記載の発光素子用配線基板において、
    前記第１貫通孔は、内径が前記第１無機絶縁層において前記第１樹脂層よりも小さいことを特徴とする発光素子用配線基板。
  5. 請求項３に記載の発光素子用配線基板において、
    前記第１絶縁層の下面に配された第２絶縁層をさらに有し、
    該第２絶縁層は、第２樹脂層と、該第２樹脂層に積層された、互いの一部で接続した複数の前記第１無機絶縁粒子を具備する第２無機絶縁層とを有するとともに、前記発光素子が収容される、前記第１貫通孔と連なった第２貫通孔を有することを特徴とする発光素子用配線基板。
  6. 請求項１に記載の発光素子用配線基板において、
    前記第１絶縁層の下方に配された金属板をさらに備え、
    該金属板の熱膨張率は、前記第１無機絶縁層の熱膨張率よりも大きく、前記第１樹脂層の熱膨張率よりも小さいことを特徴とする発光素子用配線基板。
  7. 上方に向かって発光する発光部を備えた発光素子が実装される発光素子用配線基板であって、
    上面を構成する、第１樹脂層と、該第１樹脂層の上面に積層された第１無機絶縁層と、該第１無機絶縁層の上面に積層された表面樹脂層とを有する第１絶縁層を備え、
    前記第１無機絶縁層は、可視光の波長の下限値よりも粒径が小さい、互いの一部で接続した複数の第１無機絶縁粒子と、可視光の波長の下限値よりも粒径が大きい、前記複数の第１無機絶縁粒子に囲まれた球状の複数の第２無機絶縁粒子とを具備するとともに、複数の前記第１無機絶縁粒子と複数の前記第２無機絶縁粒子とで囲まれた間隙が形成されており、
    前記表面樹脂層の厚みは、５μｍ以下に設定されていることを特徴とする発光素子用配線基板。
  8. 請求項１、請求項２、請求項６または請求項７に記載の発光素子用配線基板と、前記第
    １絶縁層の上面に実装された発光素子とを備えた発光装置。
  9. 請求項３または請求項４に記載の発光素子用配線基板と、前記第１貫通孔の内部に収容された発光素子とを備えた発光装置。
  10. 請求項５に記載の発光素子用配線基板と、前記第１貫通孔および前記第２貫通孔の内部に収容された発光素子とを備えた発光装置。
  11. 請求項９または請求項１０に記載の発光装置において、
    前記発光素子は、発光部が前記第１貫通孔の開口よりも上方に位置していることを特徴とする発光装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101792106B1 (ko) * 2016-07-06 2017-11-20 (주)소이 메탈 피씨비 상에 반사층이 구비된 led pcb 모듈

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006104061A1 (ja) * 2005-03-29 2006-10-05 Kyocera Corporation 反射部材、これを用いた発光装置および照明装置
JP2011003841A (ja) * 2009-06-22 2011-01-06 Kyocera Corp 配線基板の製造方法及び配線基板
JP2013168622A (ja) * 2011-03-28 2013-08-29 Fujifilm Corp 発光素子用反射基板およびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006104061A1 (ja) * 2005-03-29 2006-10-05 Kyocera Corporation 反射部材、これを用いた発光装置および照明装置
JP2011003841A (ja) * 2009-06-22 2011-01-06 Kyocera Corp 配線基板の製造方法及び配線基板
JP2013168622A (ja) * 2011-03-28 2013-08-29 Fujifilm Corp 発光素子用反射基板およびその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101792106B1 (ko) * 2016-07-06 2017-11-20 (주)소이 메탈 피씨비 상에 반사층이 구비된 led pcb 모듈
WO2018008966A1 (ko) * 2016-07-06 2018-01-11 (주)소이 메탈 피씨비 상에 반사층이 구비된 led pcb 모듈

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