JP2013229467A - Method for sticking protective tape, protective tape sticking device, and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

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宏史 白ヶ澤
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method which eliminates protrusion of a protective tape and is less likely to cause chipping at an edge of a semiconductor wafer when cutting the protective tape, and devices.SOLUTION: A method for sticking a protective tape comprises the steps of: mounting a semiconductor wafer 1 on a stage 111; covering an upper surface 1a of the semiconductor wafer 1 on the stage 111 with a protective tape 2 and sticking the protective tape 2 to the upper surface 1a; and bringing the thermal cutter 131 heated to a temperature higher than or equal to a melting point of the protective tape 2 into contact with the protective tape 2 on an edge 1c on an upper surface 1a side of the semiconductor wafer 1 or on an upper surface 1a near the edge 1c and cutting the location in contact with the thermal cutter 131 of the protective tape 2 by rotating at least one of a support unit 141 supporting the thermal cutter 131 and the stage 111.

Description

本発明は、半導体ウェハへの保護テープ貼付け方法、保護テープ貼付け装置、及び半導体装置の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for attaching a protective tape to a semiconductor wafer, a protective tape attaching device, and a method for manufacturing a semiconductor device.

一般に、半導体装置の製造において、半導体ウェハの厚みの調節は、半導体ウェハの表(おもて)面の全域に保護テープを貼付けた状態で、半導体ウェハの裏面を機械的及び化学的に切削及び加工することによって行われる。しかし、保護テープが半導体ウェハのエッジより外側にはみ出していると、その後の工程で半導体ウェハを回転させたときに、保護テープのはみ出し部分のバタツキにより、半導体ウェハの回転が不安定になる。また、ウエット系プロセスによって半導体ウェハの裏面の加工を行うと、保護テープのはみ出し部分によって、保護テープと半導体ウェハとの間への処理液の染み込みが誘発され易い。これらの理由から、保護テープは、半導体ウェハのエッジからはみ出さないように、貼付けられることが望ましい。   Generally, in the manufacture of a semiconductor device, the thickness of a semiconductor wafer is adjusted by mechanically and chemically cutting the back surface of the semiconductor wafer with a protective tape applied to the entire front surface of the semiconductor wafer. This is done by processing. However, if the protective tape protrudes outside the edge of the semiconductor wafer, the rotation of the semiconductor wafer becomes unstable due to the flapping of the protruding portion of the protective tape when the semiconductor wafer is rotated in the subsequent process. Further, when the back surface of the semiconductor wafer is processed by a wet process, the protrusion of the protective tape tends to induce the penetration of the processing liquid between the protective tape and the semiconductor wafer. For these reasons, it is desirable that the protective tape is applied so as not to protrude from the edge of the semiconductor wafer.

従来、半導体ウェハの保護テープの貼付けに際しては、半導体ウェハの表面全域を覆うように保護テープを貼付け、半導体ウェハのエッジにカッタ刃を沿わせながら、カッタ刃又はステージを回動させて保護テープを切断することによって、半導体ウェハのエッジからの保護テープのはみ出しを防止していた(例えば、特許文献1〜3参照)。   Conventionally, when affixing a protective tape on a semiconductor wafer, the protective tape is affixed to cover the entire surface of the semiconductor wafer, and the cutter blade or stage is rotated while keeping the cutter blade along the edge of the semiconductor wafer. By cutting, the protrusion of the protective tape from the edge of the semiconductor wafer was prevented (see, for example, Patent Documents 1 to 3).

特開平1−143211号公報Japanese Patent Laid-Open No. 1-143311 特開2005−347644号公報JP 2005-347644 A 特開2002−57208号公報JP 2002-57208 A

しかしながら、上記各特許文献に記載の方法では、半導体ウェハのエッジにカッタ刃を接触させた状態で保護テープを切断するので、エッジの微小段差などにカッタ刃が食い込み、チッピング(ウェハ欠け)が生じることがある。シリコンウェハにチッピングが生じると、チッピング部分を起点とした劈開によるウェハ割れが起こり易くなり、特に、薄加工ウェハやTAIKOプロセス加工ウェハにおいて、この傾向は顕著である。   However, in the methods described in the above patent documents, the protective tape is cut in a state where the cutter blade is in contact with the edge of the semiconductor wafer, so that the cutter blade bites into a minute step of the edge and chipping (wafer chipping) occurs. Sometimes. When chipping occurs in a silicon wafer, wafer cracking due to cleavage starting from the chipping portion is likely to occur, and this tendency is particularly prominent in thin processed wafers and TAIKO process processed wafers.

そこで、本発明は、保護テープの切断に際し、保護テープのはみ出しを無くすると共に、半導体ウェハのエッジにチッピングを生じさせにくい保護テープ貼付け方法、保護テープ貼付け装置、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention provides a protective tape application method, a protective tape application device, and a semiconductor device manufacturing method that eliminates the protrusion of the protective tape and prevents chipping at the edge of the semiconductor wafer when the protective tape is cut. For the purpose.

本発明の一態様に係る保護テープ貼付け方法は、半導体ウェハをステージ上に置く工程と、前記ステージ上の前記半導体ウェハの上面を保護テープで覆い、前記上面に前記保護テープを貼付ける工程と、前記保護テープの融点以上の温度に加熱された熱カッタを、前記半導体ウェハの前記上面側のエッジ上又は該エッジ近傍の前記上面上の前記保護テープに接触させながら、前記熱カッタを支持する支持部又は前記ステージの少なくとも一方を回転させて、前記保護テープの前記熱カッタと接触した箇所を切断する工程とを有することを特徴とする。   The protective tape attaching method according to an aspect of the present invention includes a step of placing a semiconductor wafer on a stage, a step of covering the upper surface of the semiconductor wafer on the stage with a protective tape, and attaching the protective tape to the upper surface, Support for supporting the thermal cutter while contacting the thermal cutter heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the protective tape with the protective tape on the upper surface side edge of the semiconductor wafer or on the upper surface near the edge. And a step of rotating at least one of the section and the stage to cut a portion of the protective tape in contact with the thermal cutter.

本発明の他の態様に係る保護テープ貼付け装置は、半導体ウェハが置かれるステージと、前記ステージ上の前記半導体ウェハの上面を保護テープで覆い、前記上面に前記保護テープを貼付ける保護テープ貼付け部と、前記保護テープの融点以上の温度に加熱される熱カッタと、前記熱カッタを前記保護テープの融点以上の温度に加熱する熱カッタ加熱部と、前記半導体ウェハの前記上面側のエッジ上又は該エッジ近傍の前記上面上の前記保護テープに接触させながら、前記熱カッタを支持する熱カッタ支持部と、前記支持部又は前記ステージの少なくとも一方を回転させて、前記保護テープの前記熱カッタと接触した箇所を移動させる熱カッタ移動部とを有することを特徴とする。   A protective tape attaching apparatus according to another aspect of the present invention includes a stage on which a semiconductor wafer is placed, a protective tape attaching unit that covers the upper surface of the semiconductor wafer on the stage with a protective tape, and attaches the protective tape to the upper surface. A thermal cutter that is heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the protective tape, a thermal cutter heating unit that heats the thermal cutter to a temperature equal to or higher than the melting point of the protective tape, and an edge on the upper surface side of the semiconductor wafer or While contacting the protective tape on the upper surface in the vicinity of the edge, rotating the thermal cutter support part that supports the thermal cutter, and rotating the support part or the stage, the thermal cutter of the protective tape And a thermal cutter moving part for moving the contacted part.

本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、前記保護テープの貼付け方法を用いて、半導体素子が形成された半導体ウェハの表面上に保護テープを貼付ける工程と、前記半導体ウェハの裏面に機械的又は化学的処理を施す工程と
を有することを特徴とする。
The manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 1 aspect of this invention is the process of affixing a protective tape on the surface of the semiconductor wafer in which the semiconductor element was formed using the said affixing method of the protective tape, and the back surface of the said semiconductor wafer. And a step of applying a mechanical or chemical treatment.

本発明によれば、保護テープの切り取りに際し、保護テープのはみ出しを無くすると共に、半導体ウェハのエッジにチッピングを生じさせにくいという効果がある。   According to the present invention, when the protective tape is cut out, there is an effect that the protective tape is not protruded and chipping is hardly caused at the edge of the semiconductor wafer.

本発明の第1実施形態に係る保護テープ貼付け装置の概略構成を示す側面図である。It is a side view which shows schematic structure of the masking tape sticking apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. (a)及び(b)は、第1の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における半導体ウェハの設置ステップを示す側面図及び平面図である。(A) And (b) is the side view and top view which show the installation step of the semiconductor wafer in the masking tape sticking method which concerns on 1st Embodiment. (a)及び(b)は、第1の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの貼付けステップを示す側面図及び平面図である。(A) And (b) is the side view and top view which show the sticking step of the protective tape in the protective tape sticking method which concerns on 1st Embodiment. (a)及び(b)は、第1の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの切断ステップを示す側面図及び平面図である。(A) And (b) is the side view and top view which show the cutting step of the protective tape in the protective tape sticking method which concerns on 1st Embodiment. (a)及び(b)は、第1の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの不要箇所除去後を示す側面図及び平面図である。(A) And (b) is the side view and top view which show after unnecessary part removal of the protective tape in the protective tape sticking method which concerns on 1st Embodiment. 第1及び第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。5 is a flowchart showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the first and second embodiments. 本発明の第2の実施形態に係る保護テープ貼付け装置の概略構成を示す側面図である。It is a side view which shows schematic structure of the masking tape sticking apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 図7の要部拡大図である。It is a principal part enlarged view of FIG. (a)及び(b)は、第2の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における半導体ウェハの設置ステップを示す側面図及び平面図である。(A) And (b) is the side view and top view which show the installation step of the semiconductor wafer in the masking tape sticking method which concerns on 2nd Embodiment. (a)及び(b)は、第2の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの貼付けステップを示す側面図及び平面図である。(A) And (b) is the side view and top view which show the sticking step of the protective tape in the protective tape sticking method which concerns on 2nd Embodiment. (a)及び(b)は、第2の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの切断ステップを示す側面図及び平面図である。(A) And (b) is the side view and top view which show the cutting step of the protective tape in the protective tape sticking method which concerns on 2nd Embodiment. (a)及び(b)は、第2の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの不要箇所除去後を示す側面図及び平面図である。(A) And (b) is the side view and top view which show after unnecessary part removal of the protective tape in the protective tape sticking method which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施形態の変形例に係る熱カッタを示す図である。It is a figure which shows the thermal cutter which concerns on the modification of 2nd Embodiment.

《1》第1の実施形態
《1−1》第1の実施形態の構成
図1は、本発明の第1実施形態に係る保護テープ貼付け装置の概略構成を示す側面図である。第1の実施形態に係る保護テープ貼付け装置は、第1の実施形態に係る保護テープ貼付け方法を実施することができる装置である。
<< 1 >> First Embodiment << 1-1 >> Configuration of First Embodiment FIG. 1 is a side view showing a schematic configuration of a protective tape attaching apparatus according to a first embodiment of the present invention. The protective tape sticking apparatus which concerns on 1st Embodiment is an apparatus which can implement the protective tape sticking method which concerns on 1st Embodiment.

第1の実施形態に係る保護テープ貼付け装置は、ステージ111上に置かれた半導体ウェハ1の上面1aを保護テープ2で覆い、この上面1aに保護テープ2を貼付ける保護テープ貼付け部(図3(a)及び(b)におけるローラ121)と、保護テープ2の融点以上の温度に加熱される熱カッタ(ホットカッタ)131と、熱カッタ131を保護テープ2の融点以上の温度に加熱する熱カッタ加熱部としてのヒータ132とを有する。熱カッタ131は、ヒータ132によって加熱することによって熱を蓄える材質及び構造とすることが望ましい。熱カッタ131は、保護テープ2に接触する球面状の先端部を有する。熱カッタ131の先端部は、滑らかな形状の部品(例えば、金属)であることが望ましい。図1には、球面状の先端部は、半導体ウェハ1のエッジ1c近傍の上面1a上の保護テープに接触する場合が示されている。また、熱カッタ131の内部にヒータ132を備える構造であってもよい。なお、半導体ウェハ1の最上層は、通常、ポリイミド等の耐熱性材料(ポリイミドの耐熱温度は約400度程度)でコーティングされており、この耐熱温度は保護テープ2が溶融する温度(約100℃)より十分高い。   The protective tape attaching apparatus according to the first embodiment covers the upper surface 1a of the semiconductor wafer 1 placed on the stage 111 with the protective tape 2 and attaches the protective tape 2 to the upper surface 1a (FIG. 3). The roller 121) in (a) and (b), a thermal cutter (hot cutter) 131 heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the protective tape 2, and heat for heating the thermal cutter 131 to a temperature equal to or higher than the melting point of the protective tape 2. And a heater 132 as a cutter heating unit. The heat cutter 131 is preferably made of a material and a structure that store heat by being heated by the heater 132. The thermal cutter 131 has a spherical tip that contacts the protective tape 2. It is desirable that the front end portion of the thermal cutter 131 is a smooth-shaped component (for example, metal). FIG. 1 shows a case where the spherical tip portion contacts the protective tape on the upper surface 1 a near the edge 1 c of the semiconductor wafer 1. Moreover, the structure provided with the heater 132 inside the thermal cutter 131 may be sufficient. The uppermost layer of the semiconductor wafer 1 is usually coated with a heat-resistant material such as polyimide (polyimide has a heat-resistant temperature of about 400 degrees), which is the temperature at which the protective tape 2 melts (about 100 ° C. ) High enough.

また、第1の実施形態に係る保護テープ貼付け装置は、半導体ウェハ1の上面1a側のエッジ1c上又はこのエッジ1c近傍の上面1a上の保護テープ2に接触させながら、熱カッタ131を支持する熱カッタ支持部141を有する。図1及び図4(a)、(b)に示されるように、熱カッタ支持部141は、熱カッタ131を支持するアーム部である。ただし、熱カッタ支持部141は、例えば、装置本体構造の一部151に軸線A1を中心にして回動可能に固定されている。ただし、熱カッタ支持部141の構造は、図示の例に限定されない。   The protective tape attaching apparatus according to the first embodiment supports the thermal cutter 131 while contacting the protective tape 2 on the edge 1c on the upper surface 1a side of the semiconductor wafer 1 or on the upper surface 1a in the vicinity of the edge 1c. A thermal cutter support part 141 is provided. As shown in FIG. 1 and FIGS. 4A and 4B, the thermal cutter support portion 141 is an arm portion that supports the thermal cutter 131. However, the thermal cutter support portion 141 is fixed to, for example, a part 151 of the apparatus main body structure so as to be rotatable about the axis A1. However, the structure of the thermal cutter support 141 is not limited to the illustrated example.

また、第1の実施形態に係る保護テープ貼付け装置は、熱カッタ支持部141又はステージ111の少なくとも一方を回転させて、保護テープ2と熱カッタ131との接触箇所を移動させる熱カッタ移動部140を有する。第1の実施形態においては、熱カッタ移動部140は、熱カッタ支持部141をD141方向に回転させる。図1及び図4(a)、(b)に示されるように、熱カッタ移動部140は、例えば、モータ144と、モータ144の回転駆動力を受けて回転するギヤ143と、熱カッタ支持部141の垂直方向のアームに連結され且つギヤ143に噛み合うギヤ142と、熱カッタ支持部141の垂直方向のアームを回転可能に支持する装置本体構造151とを有する。ただし、熱カッタ移動部140は、ステージ111を回転させるものなど、他の構造であってもよい。   In addition, in the protective tape attaching apparatus according to the first embodiment, the thermal cutter moving unit 140 that rotates at least one of the thermal cutter support unit 141 or the stage 111 and moves the contact portion between the protective tape 2 and the thermal cutter 131. Have In the first embodiment, the thermal cutter moving unit 140 rotates the thermal cutter support unit 141 in the D141 direction. As shown in FIGS. 1 and 4A and 4B, the thermal cutter moving unit 140 includes, for example, a motor 144, a gear 143 that rotates by receiving the rotational driving force of the motor 144, and a thermal cutter support unit. 141 includes a gear 142 coupled to the vertical arm 141 and meshing with the gear 143, and an apparatus main body structure 151 that rotatably supports the vertical arm of the thermal cutter support 141. However, the thermal cutter moving unit 140 may have another structure such as one that rotates the stage 111.

《1−2》第1の実施形態の動作
図2(a)及び(b)は、第1の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における半導体ウェハの設置ステップを示す側面図及び平面図である。図3(a)及び(b)は、第1の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの貼付けステップを示す側面図及び平面図である。図4(a)及び(b)は、第1の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの切断ステップを示す側面図及び平面図である。図5(a)及び(b)は、第1の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの不要箇所除去後を示す側面図及び平面図である。
<< 1-2 >> Operation of First Embodiment FIGS. 2A and 2B are a side view and a plan view showing a semiconductor wafer installation step in the protective tape attaching method according to the first embodiment. FIGS. 3A and 3B are a side view and a plan view showing a protective tape attaching step in the protective tape attaching method according to the first embodiment. FIGS. 4A and 4B are a side view and a plan view showing a protective tape cutting step in the protective tape attaching method according to the first embodiment. FIGS. 5A and 5B are a side view and a plan view showing a state after removing unnecessary portions of the protective tape in the protective tape attaching method according to the first embodiment.

第1の実施形態に係る保護テープ貼付け方法においては、先ず、図2(a)及び(b)に示されるように、半導体ウェハ1を保持して移動させるウェハ移動部112によって半導体ウェハ1をステージ111上の所定位置に置く。このとき、半導体ウェハの素子が形成された面を上面1aとし、その反対側の裏面1bをステージ111の載置面に向けて、半導体ウェハ1を置く。   In the protective tape attaching method according to the first embodiment, first, as shown in FIGS. 2A and 2B, the semiconductor wafer 1 is staged by the wafer moving unit 112 that holds and moves the semiconductor wafer 1. 111 is placed at a predetermined position. At this time, the surface of the semiconductor wafer on which the elements are formed is the upper surface 1 a, and the semiconductor wafer 1 is placed with the back surface 1 b on the opposite side facing the mounting surface of the stage 111.

次に、図3(a)及び(b)に示されるように、ステージ111上の半導体ウェハ1の上面1aを保護テープ2で覆い、上面1aに保護テープ2を貼付ける。保護テープ2の貼付けは、例えば、保護テープ2を半導体ウェハ1の上面1aの上方に1対のロール(図示せず)で広げ、回転可能に支持された保護テープ貼付けローラ121で保護テープ2を上から半導体ウェハ1の上面1aに向けて押し付けることによって行われる。   Next, as shown in FIGS. 3A and 3B, the upper surface 1a of the semiconductor wafer 1 on the stage 111 is covered with the protective tape 2, and the protective tape 2 is attached to the upper surface 1a. The protective tape 2 is attached by, for example, spreading the protective tape 2 with a pair of rolls (not shown) above the upper surface 1a of the semiconductor wafer 1 and rotating the protective tape 2 with a protective tape attaching roller 121 supported rotatably. This is performed by pressing from above toward the upper surface 1 a of the semiconductor wafer 1.

次に、図4(a)及び(b)に示されるように、保護テープ2の融点以上の温度に加熱された熱カッタ131を、半導体ウェハ1のエッジ1c近傍の上面1a上の保護テープ2に接触させながら、熱カッタ131を支持する支持部141をD141方向に回転させて、保護テープ2の熱カッタ131と接触した箇所を切断する。なお、熱カッタ131を半導体ウェハ1の上面側のエッジ1c上の保護テープ2上に接触させることもできる。熱カッタ131又はステージ111の少なくとも一方の回転によって、保護テープ2が半導体ウェハ1のエッジ1cに沿って1周、切断される。   Next, as shown in FIGS. 4A and 4B, the thermal cutter 131 heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the protective tape 2 is applied to the protective tape 2 on the upper surface 1 a near the edge 1 c of the semiconductor wafer 1. , The support portion 141 that supports the thermal cutter 131 is rotated in the direction D141 to cut the portion of the protective tape 2 in contact with the thermal cutter 131. The thermal cutter 131 can also be brought into contact with the protective tape 2 on the edge 1c on the upper surface side of the semiconductor wafer 1. By the rotation of at least one of the thermal cutter 131 or the stage 111, the protective tape 2 is cut once along the edge 1c of the semiconductor wafer 1.

次に、保護テープ2の不要部分、すなわち、半導体ウェハ1の上面1a上以外の部分の保護テープ2を剥がして取り除く。この結果、図5(a)及び(b)に示されるように、半導体ウェハ1の上面1aに保護テープ2が貼付けられている。   Next, the unnecessary portion of the protective tape 2, that is, the portion of the protective tape 2 other than the upper surface 1 a of the semiconductor wafer 1 is peeled off and removed. As a result, the protective tape 2 is affixed to the upper surface 1a of the semiconductor wafer 1 as shown in FIGS.

図6は、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、図1〜図5を用いて説明した半導体ウェハ1の上面1aに保護テープ2を貼付ける工程(ステップS1〜S5)の後に、半導体ウェハ1の裏面1bに、機械的又は化学的な処理(例えば、切削又は研削加工など)を施す工程(ステップS6)と、その後、半導体ウェハ1の上面1a上の保護テープ2を剥がして取り除く工程(ステップS7)とを有する。   FIG. 6 is a flowchart illustrating the method for manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment. The manufacturing method of the semiconductor device according to the first embodiment includes the semiconductor wafer 1 after the step of attaching the protective tape 2 to the upper surface 1a of the semiconductor wafer 1 described with reference to FIGS. A step of performing mechanical or chemical treatment (for example, cutting or grinding) on the back surface 1b of the semiconductor wafer (step S6), and thereafter a step of peeling off and removing the protective tape 2 on the upper surface 1a of the semiconductor wafer 1 (step S6). S7).

《1−3》第1の実施形態の効果
以上に説明したように、第1の実施形態に係る保護テープの貼付け方法、保護テープの貼付け装置、又は半導体装置の製造方法を用いれば、先端が鋭い刃物を用いることなく、半導体ウェハ1の外側にはみ出しの無い保護テープ2を、半導体ウェハ1にチッピングを生じさせることなく、貼付けることができる。
<< 1-3 >> Effects of the First Embodiment As described above, if the method for applying a protective tape, the apparatus for applying a protective tape, or the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment is used, the tip is formed. Without using a sharp blade, the protective tape 2 that does not protrude from the outside of the semiconductor wafer 1 can be attached without causing the semiconductor wafer 1 to chip.

また、保護テープ2の溶融温度は、半導体ウェハ1の表面のポリイミドの耐熱温度に比べて低いので、熱カッタ131の温度を、半導体ウェハ1にダメージを与えない温度に設定することができ、半導体装置の品質を良好に維持できる。   Further, since the melting temperature of the protective tape 2 is lower than the heat resistant temperature of the polyimide on the surface of the semiconductor wafer 1, the temperature of the thermal cutter 131 can be set to a temperature that does not damage the semiconductor wafer 1. The quality of the apparatus can be maintained well.

《2》第2の実施形態
《2−1》第2の実施形態の構成
図7は、本発明の第2実施形態に係る保護テープ貼付け装置の概略構成を示す側面図である。図8は、図7の要部拡大図である。第2の実施形態に係る保護テープ貼付け装置は、第2の実施形態に係る保護テープ貼付け方法を実施することができる装置である。
<< 2 >> Second Embodiment << 2-1 >> Configuration of Second Embodiment FIG. 7 is a side view showing a schematic configuration of a protective tape attaching apparatus according to a second embodiment of the present invention. FIG. 8 is an enlarged view of a main part of FIG. The protective tape sticking apparatus which concerns on 2nd Embodiment is an apparatus which can implement the protective tape sticking method which concerns on 2nd Embodiment.

第2の実施形態に係る保護テープ貼付け装置は、ステージ113上に置かれた半導体ウェハ3の上面3aを保護テープ4で覆い、この上面3aに保護テープ4を貼付ける保護テープ貼付け部(図10(a)及び(b)におけるローラ121)と、保護テープ4の融点以上の温度に加熱される熱カッタ(ホットカッタ)133と、熱カッタ133を保護テープ4の融点以上の温度に加熱する熱カッタ加熱部としてのヒータ134とを有する。熱カッタ133は、ヒータ134によって加熱することによって熱を蓄える材質及び構造とすることが望ましい。熱カッタ133は、保護テープ4に側面を接触させる円筒状の部材(例えば、金属)である。熱カッタ133の円筒状の側面は、滑らかな形状の部品であることが望ましい。図7及び図8には、円筒状の熱カッタ133が、半導体ウェハ3のエッジ3c上の保護テープ4に接触する場合が示されている。また、熱カッタ133の内部にヒータ134を備える構造を示しているが、ヒータ134は、他の場所に設けてもよい。なお、半導体ウェハ3の最上層は、通常、ポリイミド等の耐熱性材料(ポリイミドの耐熱温度は約400度程度)でコーティングされており、この耐熱温度は保護テープ4の溶融温度(約100℃)より十分高い。図8に示されるように、熱カッタ133は、熱カッタ支持部141の先端付近に、支軸148を中心にして矢印D148方向に回動可能に支持されている。また、熱カッタ133は、バネなどの弾性部材145によって、半導体ウェハ3の径方向中心向きD145方向に引き寄せる力が付与されている。   The protective tape attaching apparatus according to the second embodiment covers the upper surface 3a of the semiconductor wafer 3 placed on the stage 113 with the protective tape 4 and attaches the protective tape 4 to the upper surface 3a (FIG. 10). The roller 121) in (a) and (b), a thermal cutter (hot cutter) 133 heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the protective tape 4, and heat for heating the thermal cutter 133 to a temperature equal to or higher than the melting point of the protective tape 4. And a heater 134 as a cutter heating unit. The heat cutter 133 is preferably made of a material and a structure that store heat by being heated by the heater 134. The thermal cutter 133 is a cylindrical member (for example, metal) whose side surface is in contact with the protective tape 4. It is desirable that the cylindrical side surface of the thermal cutter 133 is a component having a smooth shape. 7 and 8 show a case where the cylindrical heat cutter 133 contacts the protective tape 4 on the edge 3c of the semiconductor wafer 3. FIG. Moreover, although the structure which equips the inside of the heat cutter 133 with the heater 134 is shown, the heater 134 may be provided in another place. The uppermost layer of the semiconductor wafer 3 is usually coated with a heat-resistant material such as polyimide (polyimide has a heat-resistant temperature of about 400 degrees), which is the melting temperature of the protective tape 4 (about 100 ° C.). High enough. As shown in FIG. 8, the thermal cutter 133 is supported in the vicinity of the tip of the thermal cutter support portion 141 so as to be rotatable in the direction of arrow D148 about the support shaft 148. In addition, the thermal cutter 133 is applied with a force that draws it in the direction D145 in the radial center direction of the semiconductor wafer 3 by an elastic member 145 such as a spring.

また、第2の実施形態に係る保護テープ貼付け装置は、半導体ウェハ3の上面3a側のエッジ3c上の保護テープ4に接触させながら、熱カッタ133を支持する熱カッタ支持部141を有する。図7及び図8に示されるように、熱カッタ支持部141は、熱カッタ133を支持するアーム部である。ただし、熱カッタ支持部141の構造は、図示の例に限定されない。   The protective tape attaching apparatus according to the second embodiment has a thermal cutter support portion 141 that supports the thermal cutter 133 while being in contact with the protective tape 4 on the edge 3c on the upper surface 3a side of the semiconductor wafer 3. As shown in FIGS. 7 and 8, the thermal cutter support portion 141 is an arm portion that supports the thermal cutter 133. However, the structure of the thermal cutter support 141 is not limited to the illustrated example.

また、第2の実施形態に係る保護テープ貼付け装置は、熱カッタ支持部141又はステージ113の少なくとも一方を回転させて、保護テープ4の熱カッタ133と接触した箇所を移動させる熱カッタ移動部140を有する。第2の実施形態においては、熱カッタ移動部140は、熱カッタ支持部141を支軸A1を中心にしてD141方向に回転させる。図7及び図11(a)、(b)に示されるように、熱カッタ移動部140の構造は、第1の実施形態の場合と同様である。   In addition, in the protective tape attaching apparatus according to the second embodiment, at least one of the thermal cutter support unit 141 or the stage 113 is rotated, and the thermal cutter moving unit 140 that moves the portion of the protective tape 4 in contact with the thermal cutter 133 is moved. Have In the second embodiment, the thermal cutter moving unit 140 rotates the thermal cutter support unit 141 in the direction of D141 about the support shaft A1. As shown in FIGS. 7 and 11A and 11B, the structure of the thermal cutter moving unit 140 is the same as that in the first embodiment.

《2−2》第2の実施形態の動作
図9(a)及び(b)は、第2の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における半導体ウェハの設置ステップを示す側面図及び平面図である。図10(a)及び(b)は、第2の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの貼付けステップを示す側面図及び平面図である。図11(a)及び(b)は、第2の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの切断ステップを示す側面図及び平面図である。図12(a)及び(b)は、第2の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの不要箇所除去後を示す側面図及び平面図である。
<< 2-2 >> Operation of the Second Embodiment FIGS. 9A and 9B are a side view and a plan view showing a semiconductor wafer installation step in the protective tape attaching method according to the second embodiment. FIGS. 10A and 10B are a side view and a plan view showing a protective tape attaching step in the protective tape attaching method according to the second embodiment. FIGS. 11A and 11B are a side view and a plan view showing a protective tape cutting step in the protective tape attaching method according to the second embodiment. FIGS. 12A and 12B are a side view and a plan view showing a state after removing unnecessary portions of the protective tape in the protective tape attaching method according to the second embodiment.

第2の実施形態に係る保護テープ貼付け方法においては、先ず、図9(a)及び(b)に示されるように、半導体ウェハ3を移動させるウェハ移動部112によって半導体ウェハ3をステージ113上に置く。このとき、半導体ウェハ3の素子が形成された面を上面3aとし、その反対側の裏面3bをステージ113の載置面に向けて、半導体ウェハ3を置く。なお、ステージ113は、円筒状の熱カッタ133の先端がステージ113に当たらないようにする円環状の溝113aを有してもよい。   In the protective tape attaching method according to the second embodiment, first, as shown in FIGS. 9A and 9B, the semiconductor wafer 3 is placed on the stage 113 by the wafer moving unit 112 that moves the semiconductor wafer 3. Put. At this time, the surface of the semiconductor wafer 3 on which the elements are formed is the upper surface 3 a, and the semiconductor wafer 3 is placed with the back surface 3 b on the opposite side facing the mounting surface of the stage 113. The stage 113 may have an annular groove 113 a that prevents the tip of the cylindrical heat cutter 133 from hitting the stage 113.

次に、図10(a)及び(b)に示されるように、ステージ113上の半導体ウェハ3の上面3aを保護テープ4で覆い、上面3aに保護テープ4を貼付ける。保護テープ4の貼付けは、例えば、保護テープ4を1対のロール(図示せず)を用いて半導体ウェハ3の上面3aの上方にて広げ、保護テープ貼付けローラ121で保護テープ4を上から半導体ウェハ3の上面3aに向けて押し付けることによって行われる。   Next, as shown in FIGS. 10A and 10B, the upper surface 3a of the semiconductor wafer 3 on the stage 113 is covered with the protective tape 4, and the protective tape 4 is attached to the upper surface 3a. The protective tape 4 is attached by, for example, spreading the protective tape 4 above the upper surface 3a of the semiconductor wafer 3 using a pair of rolls (not shown), and then applying the protective tape 4 from above to the semiconductor with the protective tape application roller 121. This is performed by pressing the wafer 3 toward the upper surface 3a.

次に、図11(a)及び(b)に示されるように、保護テープ4の融点以上の温度に加熱された熱カッタ133を、半導体ウェハ3のエッジ3cの上の保護テープ4に接触させながら、熱カッタ133を支持する支持部141をD141方向に回転させて、保護テープ4の熱カッタ133と接触した箇所を半導体ウェハ3の1周に相当する範囲で切断する。   Next, as shown in FIGS. 11A and 11B, the thermal cutter 133 heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the protective tape 4 is brought into contact with the protective tape 4 on the edge 3 c of the semiconductor wafer 3. However, the support portion 141 that supports the thermal cutter 133 is rotated in the direction of D 141, and the portion of the protective tape 4 that is in contact with the thermal cutter 133 is cut in a range corresponding to one round of the semiconductor wafer 3.

次に、保護テープ4の不要部分、すなわち、半導体ウェハ3の上面3a以外の部分を、剥がして取り除く。この結果、図12(a)及び(b)に示されるように、半導体ウェハ3の上面3aに保護テープ4が貼付けられている。   Next, unnecessary portions of the protective tape 4, that is, portions other than the upper surface 3 a of the semiconductor wafer 3 are peeled off and removed. As a result, the protective tape 4 is affixed to the upper surface 3a of the semiconductor wafer 3 as shown in FIGS.

図6には、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャートが示されている。第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、図1〜図5を用いて説明した半導体ウェハ3の上面3aに保護テープ4を貼付ける工程(ステップS1〜S5)の後に、半導体ウェハ3の裏面3bに、機械的又は化学的な処理(例えば、切削又は研削加工など)を施す工程(ステップS6)と、その後、半導体ウェハ3の上面3a上の保護テープ4を剥がして取り除く工程(ステップS7)とを有する。   FIG. 6 shows a flowchart of a method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment. In the method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment, after the step (steps S1 to S5) of attaching the protective tape 4 to the upper surface 3a of the semiconductor wafer 3 described with reference to FIGS. A step of performing mechanical or chemical treatment (for example, cutting or grinding) on the back surface 3b of the semiconductor wafer 3 (step S6), and thereafter a step of peeling off and removing the protective tape 4 on the upper surface 3a of the semiconductor wafer 3 (step S6). S7).

《2−3》第2の実施形態の効果
以上に説明したように、第2の実施形態に係る保護テープの貼付け方法、保護テープの貼付け装置、又は半導体装置の製造方法を用いれば、先端が鋭い刃物を用いることなく、半導体ウェハ3の外側にはみ出しの無い保護テープ4を、半導体ウェハ3にチッピングを生じさせることなく、貼付けることができる。
<< 2-3 >> Effect of Second Embodiment As described above, if the method for applying a protective tape, the apparatus for applying a protective tape, or the method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment is used, the tip is Without using a sharp blade, the protective tape 4 that does not protrude outside the semiconductor wafer 3 can be attached without causing the semiconductor wafer 3 to chip.

また、保護テープ4の溶融温度は、半導体ウェハ3の表面のポリイミドの耐熱温度に比べて低いので、熱カッタ133の温度を、半導体ウェハ3にダメージを与えない温度に設定することができ、半導体装置の品質を良好に維持できる。   In addition, since the melting temperature of the protective tape 4 is lower than the heat resistant temperature of the polyimide on the surface of the semiconductor wafer 3, the temperature of the thermal cutter 133 can be set to a temperature that does not damage the semiconductor wafer 3. The quality of the apparatus can be maintained well.

《2−4》第2の実施形態の効果
以上のように、第2の実施形態によれば、ウェハ表面のエッジ端ギリギリの範囲でテープをくり抜くことができ、尚且つウェハエッジと接するカッタが鋭利ではないためチッピングが起こりにくい。
<< 2-4 >> Effect of Second Embodiment As described above, according to the second embodiment, the tape can be cut out in the range of the edge edge of the wafer surface, and the cutter in contact with the wafer edge is sharp. It is not so difficult to chip.

《3》変形例
図13は、第2の実施形態の変形例に係る熱カッタを示す図である。図13においては、熱カッタ133は、軸体146を中心に矢印D146方向に回動可能であり、且つ、軸体146及び熱カッタ133は、軸147を中心に矢印D147方向に回動可能である。したがって、熱カッタ133を、半導体ウェハ3のエッジ3c上の保護テープ4に当てながら、接触箇所を移動させる際に、熱カッタ133は、矢印D146方向に回動するので、保護テープ4に対する滑りが少なく、熱カッタ133の全周で保護テープ4に接触するので、モータ144の負荷も小さくなり、且つ、熱伝導効率もよい。
<< 3 >> Modified Example FIG. 13 is a diagram illustrating a thermal cutter according to a modified example of the second embodiment. In FIG. 13, the thermal cutter 133 is rotatable about the shaft body 146 in the arrow D146 direction, and the shaft body 146 and the thermal cutter 133 are rotatable about the shaft 147 in the arrow D147 direction. is there. Accordingly, when the contact portion is moved while the thermal cutter 133 is applied to the protective tape 4 on the edge 3c of the semiconductor wafer 3, the thermal cutter 133 rotates in the direction of the arrow D146, so that the sliding with respect to the protective tape 4 does not occur. Since there are few and it contacts the protective tape 4 in the perimeter of the heat cutter 133, the load of the motor 144 becomes small and heat conduction efficiency is also good.

1,3 半導体ウェハ、 1a,3a 上面、 1b,3b 裏面、 1c,3c エッジ、 2,4 保護テープ、 111,113 ステージ、 121 ローラ、 131,133 熱カッタ、 132 ヒータ(熱カッタ加熱部)、 140 熱カッタ移動部、 141 熱カッタ支持部、 142,143 ギヤ、 144 モータ、 145 バネ、 151 アーム支持構造。   1, 3 semiconductor wafer, 1a, 3a upper surface, 1b, 3b back surface, 1c, 3c edge, 2, 4 protective tape, 111, 113 stage, 121 roller, 131, 133 heat cutter, 132 heater (heat cutter heating part), 140 thermal cutter moving unit, 141 thermal cutter support unit, 142, 143 gear, 144 motor, 145 spring, 151 arm support structure.

Claims (15)

半導体ウェハをステージ上に置く工程と、
前記ステージ上の前記半導体ウェハの上面を保護テープで覆い、前記上面に前記保護テープを貼付ける工程と、
前記保護テープの融点以上の温度に加熱された熱カッタを、前記半導体ウェハの前記上面側のエッジ上又は該エッジ近傍の前記上面上の前記保護テープに接触させながら、前記熱カッタを支持する支持部又は前記ステージの少なくとも一方を回転させて、前記保護テープの前記熱カッタと接触した箇所を切断する工程と
を有することを特徴とする保護テープ貼付け方法。
Placing the semiconductor wafer on the stage;
Covering the upper surface of the semiconductor wafer on the stage with a protective tape, and affixing the protective tape on the upper surface;
Support for supporting the thermal cutter while contacting the thermal cutter heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the protective tape with the protective tape on the upper surface side edge of the semiconductor wafer or on the upper surface near the edge. And a step of rotating at least one of the part or the stage to cut a portion of the protective tape that contacts the thermal cutter.
前記熱カッタは、前記保護テープに接触する球面状の先端部を含むことを特徴とする請求項1に記載の保護テープ貼付け方法。   The said thermal cutter contains the spherical-shaped front-end | tip part which contacts the said protective tape, The protective tape sticking method of Claim 1 characterized by the above-mentioned. 前記保護テープを切断する工程において、前記球面状の先端部は、前記半導体ウェハの前記エッジ近傍の前記上面上の前記保護テープに接触することを特徴とする請求項2に記載の保護テープ貼付け方法。   The method for applying a protective tape according to claim 2, wherein, in the step of cutting the protective tape, the spherical tip portion contacts the protective tape on the upper surface in the vicinity of the edge of the semiconductor wafer. . 前記熱カッタは、前記保護テープに接触する円筒体を含むことを特徴とする請求項1に記載の保護テープ貼付け方法。   The method according to claim 1, wherein the thermal cutter includes a cylindrical body that contacts the protective tape. 前記保護テープを切断する工程において、前記円筒体の側面は、前記半導体ウェハの前記上面側のエッジ上の前記保護テープに接触することを特徴とする請求項4に記載の保護テープ貼付け方法。   5. The protective tape attaching method according to claim 4, wherein in the step of cutting the protective tape, a side surface of the cylindrical body is in contact with the protective tape on an edge on the upper surface side of the semiconductor wafer. 前記保護テープを切断する工程において、前記円筒体の側面を、前記半導体ウェハの前記上面側のエッジ上の前記保護テープに接触させるように、前記円筒体に連結されたバネによって前記円筒体に前記半導体ウェハの径方向内向きの力を付与することを特徴とする請求項5に記載の保護テープ貼付け方法。   In the step of cutting the protective tape, the cylindrical body is brought into contact with the cylindrical body by a spring connected to the cylindrical body so that the side surface of the cylindrical body is in contact with the protective tape on the upper surface side edge of the semiconductor wafer. The method for applying a protective tape according to claim 5, wherein a radially inward force is applied to the semiconductor wafer. 前記円筒体は、その中心軸を通る支軸によって前記支持部に回動可能に支持されており、
前記保護テープを切断する工程において、記支持部又は前記ステージの少なくとも一方の回転に伴い、前記円筒体は前記支軸を中心に回動する
ことを特徴とする請求項4から6までのいずれか1項に記載の保護テープ貼付け方法。
The cylindrical body is rotatably supported by the support portion by a support shaft passing through its central axis.
In the step of cutting the protective tape, the cylindrical body is rotated around the support shaft as at least one of the support portion and the stage is rotated. The method for applying a protective tape according to item 1.
半導体ウェハが置かれるステージと、
前記ステージ上の前記半導体ウェハの上面を保護テープで覆い、前記上面に前記保護テープを貼付ける保護テープ貼付け部と、
前記保護テープの融点以上の温度に加熱される熱カッタと、
前記熱カッタを前記保護テープの融点以上の温度に加熱する熱カッタ加熱部と、
前記半導体ウェハの前記上面側のエッジ上又は該エッジ近傍の前記上面上の前記保護テープに接触させながら、前記熱カッタを支持する熱カッタ支持部と、
前記支持部又は前記ステージの少なくとも一方を回転させて、前記保護テープの前記熱カッタと接触した箇所を移動させる熱カッタ移動部と
を有することを特徴とする保護テープ貼付け装置。
A stage on which a semiconductor wafer is placed;
Covering the upper surface of the semiconductor wafer on the stage with a protective tape, and a protective tape attaching part for attaching the protective tape to the upper surface;
A thermal cutter heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the protective tape;
A thermal cutter heating section for heating the thermal cutter to a temperature equal to or higher than the melting point of the protective tape;
A thermal cutter supporting portion for supporting the thermal cutter while contacting the protective tape on the upper surface side edge of the semiconductor wafer or on the upper surface near the edge;
A protective tape attaching apparatus, comprising: a thermal cutter moving unit that rotates at least one of the support unit or the stage to move a portion of the protective tape that contacts the thermal cutter.
前記熱カッタは、前記保護テープに接触する球面状の先端部を含むことを特徴とする請求項8に記載の保護テープ貼付け装置。   The said thermal cutter contains the spherical-shaped front-end | tip part which contacts the said protective tape, The protective tape sticking apparatus of Claim 8 characterized by the above-mentioned. 前記球面状の先端部は、前記半導体ウェハのエッジ近傍の前記上面上の前記保護テープに接触することを特徴とする請求項9に記載の保護テープ貼付け装置。   10. The protective tape attaching device according to claim 9, wherein the spherical tip portion contacts the protective tape on the upper surface in the vicinity of the edge of the semiconductor wafer. 前記熱カッタは、前記保護テープに接触する円筒体を含むことを特徴とする請求項8に記載の保護テープ貼付け装置。   The said thermal cutter contains the cylindrical body which contacts the said protective tape, The protective tape sticking apparatus of Claim 8 characterized by the above-mentioned. 前記円筒体の側面は、前記半導体ウェハのエッジ上の前記保護テープに接触することを特徴とする請求項11に記載の保護テープ貼付け装置。   The side surface of the said cylindrical body contacts the said protective tape on the edge of the said semiconductor wafer, The protective tape sticking apparatus of Claim 11 characterized by the above-mentioned. 前記円筒体の側面を、前記半導体ウェハの前記上面側のエッジ上の前記保護テープに接触させるように、前記円筒体に連結されたバネによって前記円筒体に前記半導体ウェハの径方向内向きの力を付与することを特徴とする請求項12に記載の保護テープ貼付け装置。   A radially inward force of the semiconductor wafer on the cylindrical body by a spring connected to the cylindrical body so that a side surface of the cylindrical body is in contact with the protective tape on an edge on the upper surface side of the semiconductor wafer. The protective tape affixing device according to claim 12, wherein: 前記熱カッタの円筒体は前記支持部に対して回動可能に支持されており、前記保護テープを切断する工程において、前記支持部又は前記ステージの少なくとも一方の回転に伴い、前記熱カッタの円筒体は回動することを特徴とする請求項11から13までのいずれか1項に記載の保護テープ貼付け装置。   The cylindrical body of the thermal cutter is rotatably supported with respect to the support portion, and in the step of cutting the protective tape, the cylindrical body of the thermal cutter is accompanied with the rotation of at least one of the support portion or the stage. 14. The protective tape attaching device according to claim 11, wherein the body rotates. 請求項1から7までのいずれか1項に記載の保護テープの貼付け方法を用いて、半導体素子が形成された半導体ウェハの表面上に保護テープを貼付ける工程と、
前記半導体ウェハの裏面に機械的又は化学的処理を施す工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
The process of sticking a protective tape on the surface of the semiconductor wafer in which the semiconductor element was formed using the method of sticking the protective tape according to any one of claims 1 to 7,
And a step of subjecting the back surface of the semiconductor wafer to mechanical or chemical treatment.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020178104A (en) * 2019-04-22 2020-10-29 リンテック株式会社 Temperature changing device for cutting means and temperature changing method for cutting means
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