JP2013229467A - Method for sticking protective tape, protective tape sticking device, and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体ウェハへの保護テープ貼付け方法、保護テープ貼付け装置、及び半導体装置の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method for attaching a protective tape to a semiconductor wafer, a protective tape attaching device, and a method for manufacturing a semiconductor device.
一般に、半導体装置の製造において、半導体ウェハの厚みの調節は、半導体ウェハの表(おもて)面の全域に保護テープを貼付けた状態で、半導体ウェハの裏面を機械的及び化学的に切削及び加工することによって行われる。しかし、保護テープが半導体ウェハのエッジより外側にはみ出していると、その後の工程で半導体ウェハを回転させたときに、保護テープのはみ出し部分のバタツキにより、半導体ウェハの回転が不安定になる。また、ウエット系プロセスによって半導体ウェハの裏面の加工を行うと、保護テープのはみ出し部分によって、保護テープと半導体ウェハとの間への処理液の染み込みが誘発され易い。これらの理由から、保護テープは、半導体ウェハのエッジからはみ出さないように、貼付けられることが望ましい。 Generally, in the manufacture of a semiconductor device, the thickness of a semiconductor wafer is adjusted by mechanically and chemically cutting the back surface of the semiconductor wafer with a protective tape applied to the entire front surface of the semiconductor wafer. This is done by processing. However, if the protective tape protrudes outside the edge of the semiconductor wafer, the rotation of the semiconductor wafer becomes unstable due to the flapping of the protruding portion of the protective tape when the semiconductor wafer is rotated in the subsequent process. Further, when the back surface of the semiconductor wafer is processed by a wet process, the protrusion of the protective tape tends to induce the penetration of the processing liquid between the protective tape and the semiconductor wafer. For these reasons, it is desirable that the protective tape is applied so as not to protrude from the edge of the semiconductor wafer.
従来、半導体ウェハの保護テープの貼付けに際しては、半導体ウェハの表面全域を覆うように保護テープを貼付け、半導体ウェハのエッジにカッタ刃を沿わせながら、カッタ刃又はステージを回動させて保護テープを切断することによって、半導体ウェハのエッジからの保護テープのはみ出しを防止していた(例えば、特許文献1〜3参照)。
Conventionally, when affixing a protective tape on a semiconductor wafer, the protective tape is affixed to cover the entire surface of the semiconductor wafer, and the cutter blade or stage is rotated while keeping the cutter blade along the edge of the semiconductor wafer. By cutting, the protrusion of the protective tape from the edge of the semiconductor wafer was prevented (see, for example,
しかしながら、上記各特許文献に記載の方法では、半導体ウェハのエッジにカッタ刃を接触させた状態で保護テープを切断するので、エッジの微小段差などにカッタ刃が食い込み、チッピング(ウェハ欠け)が生じることがある。シリコンウェハにチッピングが生じると、チッピング部分を起点とした劈開によるウェハ割れが起こり易くなり、特に、薄加工ウェハやTAIKOプロセス加工ウェハにおいて、この傾向は顕著である。 However, in the methods described in the above patent documents, the protective tape is cut in a state where the cutter blade is in contact with the edge of the semiconductor wafer, so that the cutter blade bites into a minute step of the edge and chipping (wafer chipping) occurs. Sometimes. When chipping occurs in a silicon wafer, wafer cracking due to cleavage starting from the chipping portion is likely to occur, and this tendency is particularly prominent in thin processed wafers and TAIKO process processed wafers.
そこで、本発明は、保護テープの切断に際し、保護テープのはみ出しを無くすると共に、半導体ウェハのエッジにチッピングを生じさせにくい保護テープ貼付け方法、保護テープ貼付け装置、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention provides a protective tape application method, a protective tape application device, and a semiconductor device manufacturing method that eliminates the protrusion of the protective tape and prevents chipping at the edge of the semiconductor wafer when the protective tape is cut. For the purpose.
本発明の一態様に係る保護テープ貼付け方法は、半導体ウェハをステージ上に置く工程と、前記ステージ上の前記半導体ウェハの上面を保護テープで覆い、前記上面に前記保護テープを貼付ける工程と、前記保護テープの融点以上の温度に加熱された熱カッタを、前記半導体ウェハの前記上面側のエッジ上又は該エッジ近傍の前記上面上の前記保護テープに接触させながら、前記熱カッタを支持する支持部又は前記ステージの少なくとも一方を回転させて、前記保護テープの前記熱カッタと接触した箇所を切断する工程とを有することを特徴とする。 The protective tape attaching method according to an aspect of the present invention includes a step of placing a semiconductor wafer on a stage, a step of covering the upper surface of the semiconductor wafer on the stage with a protective tape, and attaching the protective tape to the upper surface, Support for supporting the thermal cutter while contacting the thermal cutter heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the protective tape with the protective tape on the upper surface side edge of the semiconductor wafer or on the upper surface near the edge. And a step of rotating at least one of the section and the stage to cut a portion of the protective tape in contact with the thermal cutter.
本発明の他の態様に係る保護テープ貼付け装置は、半導体ウェハが置かれるステージと、前記ステージ上の前記半導体ウェハの上面を保護テープで覆い、前記上面に前記保護テープを貼付ける保護テープ貼付け部と、前記保護テープの融点以上の温度に加熱される熱カッタと、前記熱カッタを前記保護テープの融点以上の温度に加熱する熱カッタ加熱部と、前記半導体ウェハの前記上面側のエッジ上又は該エッジ近傍の前記上面上の前記保護テープに接触させながら、前記熱カッタを支持する熱カッタ支持部と、前記支持部又は前記ステージの少なくとも一方を回転させて、前記保護テープの前記熱カッタと接触した箇所を移動させる熱カッタ移動部とを有することを特徴とする。 A protective tape attaching apparatus according to another aspect of the present invention includes a stage on which a semiconductor wafer is placed, a protective tape attaching unit that covers the upper surface of the semiconductor wafer on the stage with a protective tape, and attaches the protective tape to the upper surface. A thermal cutter that is heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the protective tape, a thermal cutter heating unit that heats the thermal cutter to a temperature equal to or higher than the melting point of the protective tape, and an edge on the upper surface side of the semiconductor wafer or While contacting the protective tape on the upper surface in the vicinity of the edge, rotating the thermal cutter support part that supports the thermal cutter, and rotating the support part or the stage, the thermal cutter of the protective tape And a thermal cutter moving part for moving the contacted part.
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、前記保護テープの貼付け方法を用いて、半導体素子が形成された半導体ウェハの表面上に保護テープを貼付ける工程と、前記半導体ウェハの裏面に機械的又は化学的処理を施す工程と
を有することを特徴とする。
The manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 1 aspect of this invention is the process of affixing a protective tape on the surface of the semiconductor wafer in which the semiconductor element was formed using the said affixing method of the protective tape, and the back surface of the said semiconductor wafer. And a step of applying a mechanical or chemical treatment.
本発明によれば、保護テープの切り取りに際し、保護テープのはみ出しを無くすると共に、半導体ウェハのエッジにチッピングを生じさせにくいという効果がある。 According to the present invention, when the protective tape is cut out, there is an effect that the protective tape is not protruded and chipping is hardly caused at the edge of the semiconductor wafer.
《1》第1の実施形態
《1−1》第1の実施形態の構成
図1は、本発明の第1実施形態に係る保護テープ貼付け装置の概略構成を示す側面図である。第1の実施形態に係る保護テープ貼付け装置は、第1の実施形態に係る保護テープ貼付け方法を実施することができる装置である。
<< 1 >> First Embodiment << 1-1 >> Configuration of First Embodiment FIG. 1 is a side view showing a schematic configuration of a protective tape attaching apparatus according to a first embodiment of the present invention. The protective tape sticking apparatus which concerns on 1st Embodiment is an apparatus which can implement the protective tape sticking method which concerns on 1st Embodiment.
第1の実施形態に係る保護テープ貼付け装置は、ステージ111上に置かれた半導体ウェハ1の上面1aを保護テープ2で覆い、この上面1aに保護テープ2を貼付ける保護テープ貼付け部(図3(a)及び(b)におけるローラ121)と、保護テープ2の融点以上の温度に加熱される熱カッタ(ホットカッタ)131と、熱カッタ131を保護テープ2の融点以上の温度に加熱する熱カッタ加熱部としてのヒータ132とを有する。熱カッタ131は、ヒータ132によって加熱することによって熱を蓄える材質及び構造とすることが望ましい。熱カッタ131は、保護テープ2に接触する球面状の先端部を有する。熱カッタ131の先端部は、滑らかな形状の部品(例えば、金属)であることが望ましい。図1には、球面状の先端部は、半導体ウェハ1のエッジ1c近傍の上面1a上の保護テープに接触する場合が示されている。また、熱カッタ131の内部にヒータ132を備える構造であってもよい。なお、半導体ウェハ1の最上層は、通常、ポリイミド等の耐熱性材料(ポリイミドの耐熱温度は約400度程度)でコーティングされており、この耐熱温度は保護テープ2が溶融する温度(約100℃)より十分高い。
The protective tape attaching apparatus according to the first embodiment covers the
また、第1の実施形態に係る保護テープ貼付け装置は、半導体ウェハ1の上面1a側のエッジ1c上又はこのエッジ1c近傍の上面1a上の保護テープ2に接触させながら、熱カッタ131を支持する熱カッタ支持部141を有する。図1及び図4(a)、(b)に示されるように、熱カッタ支持部141は、熱カッタ131を支持するアーム部である。ただし、熱カッタ支持部141は、例えば、装置本体構造の一部151に軸線A1を中心にして回動可能に固定されている。ただし、熱カッタ支持部141の構造は、図示の例に限定されない。
The protective tape attaching apparatus according to the first embodiment supports the
また、第1の実施形態に係る保護テープ貼付け装置は、熱カッタ支持部141又はステージ111の少なくとも一方を回転させて、保護テープ2と熱カッタ131との接触箇所を移動させる熱カッタ移動部140を有する。第1の実施形態においては、熱カッタ移動部140は、熱カッタ支持部141をD141方向に回転させる。図1及び図4(a)、(b)に示されるように、熱カッタ移動部140は、例えば、モータ144と、モータ144の回転駆動力を受けて回転するギヤ143と、熱カッタ支持部141の垂直方向のアームに連結され且つギヤ143に噛み合うギヤ142と、熱カッタ支持部141の垂直方向のアームを回転可能に支持する装置本体構造151とを有する。ただし、熱カッタ移動部140は、ステージ111を回転させるものなど、他の構造であってもよい。
In addition, in the protective tape attaching apparatus according to the first embodiment, the thermal cutter moving unit 140 that rotates at least one of the thermal
《1−2》第1の実施形態の動作
図2(a)及び(b)は、第1の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における半導体ウェハの設置ステップを示す側面図及び平面図である。図3(a)及び(b)は、第1の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの貼付けステップを示す側面図及び平面図である。図4(a)及び(b)は、第1の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの切断ステップを示す側面図及び平面図である。図5(a)及び(b)は、第1の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの不要箇所除去後を示す側面図及び平面図である。
<< 1-2 >> Operation of First Embodiment FIGS. 2A and 2B are a side view and a plan view showing a semiconductor wafer installation step in the protective tape attaching method according to the first embodiment. FIGS. 3A and 3B are a side view and a plan view showing a protective tape attaching step in the protective tape attaching method according to the first embodiment. FIGS. 4A and 4B are a side view and a plan view showing a protective tape cutting step in the protective tape attaching method according to the first embodiment. FIGS. 5A and 5B are a side view and a plan view showing a state after removing unnecessary portions of the protective tape in the protective tape attaching method according to the first embodiment.
第1の実施形態に係る保護テープ貼付け方法においては、先ず、図2(a)及び(b)に示されるように、半導体ウェハ1を保持して移動させるウェハ移動部112によって半導体ウェハ1をステージ111上の所定位置に置く。このとき、半導体ウェハの素子が形成された面を上面1aとし、その反対側の裏面1bをステージ111の載置面に向けて、半導体ウェハ1を置く。
In the protective tape attaching method according to the first embodiment, first, as shown in FIGS. 2A and 2B, the
次に、図3(a)及び(b)に示されるように、ステージ111上の半導体ウェハ1の上面1aを保護テープ2で覆い、上面1aに保護テープ2を貼付ける。保護テープ2の貼付けは、例えば、保護テープ2を半導体ウェハ1の上面1aの上方に1対のロール(図示せず)で広げ、回転可能に支持された保護テープ貼付けローラ121で保護テープ2を上から半導体ウェハ1の上面1aに向けて押し付けることによって行われる。
Next, as shown in FIGS. 3A and 3B, the
次に、図4(a)及び(b)に示されるように、保護テープ2の融点以上の温度に加熱された熱カッタ131を、半導体ウェハ1のエッジ1c近傍の上面1a上の保護テープ2に接触させながら、熱カッタ131を支持する支持部141をD141方向に回転させて、保護テープ2の熱カッタ131と接触した箇所を切断する。なお、熱カッタ131を半導体ウェハ1の上面側のエッジ1c上の保護テープ2上に接触させることもできる。熱カッタ131又はステージ111の少なくとも一方の回転によって、保護テープ2が半導体ウェハ1のエッジ1cに沿って1周、切断される。
Next, as shown in FIGS. 4A and 4B, the
次に、保護テープ2の不要部分、すなわち、半導体ウェハ1の上面1a上以外の部分の保護テープ2を剥がして取り除く。この結果、図5(a)及び(b)に示されるように、半導体ウェハ1の上面1aに保護テープ2が貼付けられている。
Next, the unnecessary portion of the
図6は、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、図1〜図5を用いて説明した半導体ウェハ1の上面1aに保護テープ2を貼付ける工程(ステップS1〜S5)の後に、半導体ウェハ1の裏面1bに、機械的又は化学的な処理(例えば、切削又は研削加工など)を施す工程(ステップS6)と、その後、半導体ウェハ1の上面1a上の保護テープ2を剥がして取り除く工程(ステップS7)とを有する。
FIG. 6 is a flowchart illustrating the method for manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment. The manufacturing method of the semiconductor device according to the first embodiment includes the
《1−3》第1の実施形態の効果
以上に説明したように、第1の実施形態に係る保護テープの貼付け方法、保護テープの貼付け装置、又は半導体装置の製造方法を用いれば、先端が鋭い刃物を用いることなく、半導体ウェハ1の外側にはみ出しの無い保護テープ2を、半導体ウェハ1にチッピングを生じさせることなく、貼付けることができる。
<< 1-3 >> Effects of the First Embodiment As described above, if the method for applying a protective tape, the apparatus for applying a protective tape, or the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment is used, the tip is formed. Without using a sharp blade, the
また、保護テープ2の溶融温度は、半導体ウェハ1の表面のポリイミドの耐熱温度に比べて低いので、熱カッタ131の温度を、半導体ウェハ1にダメージを与えない温度に設定することができ、半導体装置の品質を良好に維持できる。
Further, since the melting temperature of the
《2》第2の実施形態
《2−1》第2の実施形態の構成
図7は、本発明の第2実施形態に係る保護テープ貼付け装置の概略構成を示す側面図である。図8は、図7の要部拡大図である。第2の実施形態に係る保護テープ貼付け装置は、第2の実施形態に係る保護テープ貼付け方法を実施することができる装置である。
<< 2 >> Second Embodiment << 2-1 >> Configuration of Second Embodiment FIG. 7 is a side view showing a schematic configuration of a protective tape attaching apparatus according to a second embodiment of the present invention. FIG. 8 is an enlarged view of a main part of FIG. The protective tape sticking apparatus which concerns on 2nd Embodiment is an apparatus which can implement the protective tape sticking method which concerns on 2nd Embodiment.
第2の実施形態に係る保護テープ貼付け装置は、ステージ113上に置かれた半導体ウェハ3の上面3aを保護テープ4で覆い、この上面3aに保護テープ4を貼付ける保護テープ貼付け部(図10(a)及び(b)におけるローラ121)と、保護テープ4の融点以上の温度に加熱される熱カッタ(ホットカッタ)133と、熱カッタ133を保護テープ4の融点以上の温度に加熱する熱カッタ加熱部としてのヒータ134とを有する。熱カッタ133は、ヒータ134によって加熱することによって熱を蓄える材質及び構造とすることが望ましい。熱カッタ133は、保護テープ4に側面を接触させる円筒状の部材(例えば、金属)である。熱カッタ133の円筒状の側面は、滑らかな形状の部品であることが望ましい。図7及び図8には、円筒状の熱カッタ133が、半導体ウェハ3のエッジ3c上の保護テープ4に接触する場合が示されている。また、熱カッタ133の内部にヒータ134を備える構造を示しているが、ヒータ134は、他の場所に設けてもよい。なお、半導体ウェハ3の最上層は、通常、ポリイミド等の耐熱性材料(ポリイミドの耐熱温度は約400度程度)でコーティングされており、この耐熱温度は保護テープ4の溶融温度(約100℃)より十分高い。図8に示されるように、熱カッタ133は、熱カッタ支持部141の先端付近に、支軸148を中心にして矢印D148方向に回動可能に支持されている。また、熱カッタ133は、バネなどの弾性部材145によって、半導体ウェハ3の径方向中心向きD145方向に引き寄せる力が付与されている。
The protective tape attaching apparatus according to the second embodiment covers the
また、第2の実施形態に係る保護テープ貼付け装置は、半導体ウェハ3の上面3a側のエッジ3c上の保護テープ4に接触させながら、熱カッタ133を支持する熱カッタ支持部141を有する。図7及び図8に示されるように、熱カッタ支持部141は、熱カッタ133を支持するアーム部である。ただし、熱カッタ支持部141の構造は、図示の例に限定されない。
The protective tape attaching apparatus according to the second embodiment has a thermal
また、第2の実施形態に係る保護テープ貼付け装置は、熱カッタ支持部141又はステージ113の少なくとも一方を回転させて、保護テープ4の熱カッタ133と接触した箇所を移動させる熱カッタ移動部140を有する。第2の実施形態においては、熱カッタ移動部140は、熱カッタ支持部141を支軸A1を中心にしてD141方向に回転させる。図7及び図11(a)、(b)に示されるように、熱カッタ移動部140の構造は、第1の実施形態の場合と同様である。
In addition, in the protective tape attaching apparatus according to the second embodiment, at least one of the thermal
《2−2》第2の実施形態の動作
図9(a)及び(b)は、第2の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における半導体ウェハの設置ステップを示す側面図及び平面図である。図10(a)及び(b)は、第2の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの貼付けステップを示す側面図及び平面図である。図11(a)及び(b)は、第2の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの切断ステップを示す側面図及び平面図である。図12(a)及び(b)は、第2の実施形態に係る保護テープ貼付け方法における保護テープの不要箇所除去後を示す側面図及び平面図である。
<< 2-2 >> Operation of the Second Embodiment FIGS. 9A and 9B are a side view and a plan view showing a semiconductor wafer installation step in the protective tape attaching method according to the second embodiment. FIGS. 10A and 10B are a side view and a plan view showing a protective tape attaching step in the protective tape attaching method according to the second embodiment. FIGS. 11A and 11B are a side view and a plan view showing a protective tape cutting step in the protective tape attaching method according to the second embodiment. FIGS. 12A and 12B are a side view and a plan view showing a state after removing unnecessary portions of the protective tape in the protective tape attaching method according to the second embodiment.
第2の実施形態に係る保護テープ貼付け方法においては、先ず、図9(a)及び(b)に示されるように、半導体ウェハ3を移動させるウェハ移動部112によって半導体ウェハ3をステージ113上に置く。このとき、半導体ウェハ3の素子が形成された面を上面3aとし、その反対側の裏面3bをステージ113の載置面に向けて、半導体ウェハ3を置く。なお、ステージ113は、円筒状の熱カッタ133の先端がステージ113に当たらないようにする円環状の溝113aを有してもよい。
In the protective tape attaching method according to the second embodiment, first, as shown in FIGS. 9A and 9B, the
次に、図10(a)及び(b)に示されるように、ステージ113上の半導体ウェハ3の上面3aを保護テープ4で覆い、上面3aに保護テープ4を貼付ける。保護テープ4の貼付けは、例えば、保護テープ4を1対のロール(図示せず)を用いて半導体ウェハ3の上面3aの上方にて広げ、保護テープ貼付けローラ121で保護テープ4を上から半導体ウェハ3の上面3aに向けて押し付けることによって行われる。
Next, as shown in FIGS. 10A and 10B, the
次に、図11(a)及び(b)に示されるように、保護テープ4の融点以上の温度に加熱された熱カッタ133を、半導体ウェハ3のエッジ3cの上の保護テープ4に接触させながら、熱カッタ133を支持する支持部141をD141方向に回転させて、保護テープ4の熱カッタ133と接触した箇所を半導体ウェハ3の1周に相当する範囲で切断する。
Next, as shown in FIGS. 11A and 11B, the
次に、保護テープ4の不要部分、すなわち、半導体ウェハ3の上面3a以外の部分を、剥がして取り除く。この結果、図12(a)及び(b)に示されるように、半導体ウェハ3の上面3aに保護テープ4が貼付けられている。
Next, unnecessary portions of the
図6には、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャートが示されている。第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、図1〜図5を用いて説明した半導体ウェハ3の上面3aに保護テープ4を貼付ける工程(ステップS1〜S5)の後に、半導体ウェハ3の裏面3bに、機械的又は化学的な処理(例えば、切削又は研削加工など)を施す工程(ステップS6)と、その後、半導体ウェハ3の上面3a上の保護テープ4を剥がして取り除く工程(ステップS7)とを有する。
FIG. 6 shows a flowchart of a method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment. In the method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment, after the step (steps S1 to S5) of attaching the
《2−3》第2の実施形態の効果
以上に説明したように、第2の実施形態に係る保護テープの貼付け方法、保護テープの貼付け装置、又は半導体装置の製造方法を用いれば、先端が鋭い刃物を用いることなく、半導体ウェハ3の外側にはみ出しの無い保護テープ4を、半導体ウェハ3にチッピングを生じさせることなく、貼付けることができる。
<< 2-3 >> Effect of Second Embodiment As described above, if the method for applying a protective tape, the apparatus for applying a protective tape, or the method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment is used, the tip is Without using a sharp blade, the
また、保護テープ4の溶融温度は、半導体ウェハ3の表面のポリイミドの耐熱温度に比べて低いので、熱カッタ133の温度を、半導体ウェハ3にダメージを与えない温度に設定することができ、半導体装置の品質を良好に維持できる。
In addition, since the melting temperature of the
《2−4》第2の実施形態の効果
以上のように、第2の実施形態によれば、ウェハ表面のエッジ端ギリギリの範囲でテープをくり抜くことができ、尚且つウェハエッジと接するカッタが鋭利ではないためチッピングが起こりにくい。
<< 2-4 >> Effect of Second Embodiment As described above, according to the second embodiment, the tape can be cut out in the range of the edge edge of the wafer surface, and the cutter in contact with the wafer edge is sharp. It is not so difficult to chip.
《3》変形例
図13は、第2の実施形態の変形例に係る熱カッタを示す図である。図13においては、熱カッタ133は、軸体146を中心に矢印D146方向に回動可能であり、且つ、軸体146及び熱カッタ133は、軸147を中心に矢印D147方向に回動可能である。したがって、熱カッタ133を、半導体ウェハ3のエッジ3c上の保護テープ4に当てながら、接触箇所を移動させる際に、熱カッタ133は、矢印D146方向に回動するので、保護テープ4に対する滑りが少なく、熱カッタ133の全周で保護テープ4に接触するので、モータ144の負荷も小さくなり、且つ、熱伝導効率もよい。
<< 3 >> Modified Example FIG. 13 is a diagram illustrating a thermal cutter according to a modified example of the second embodiment. In FIG. 13, the
1,3 半導体ウェハ、 1a,3a 上面、 1b,3b 裏面、 1c,3c エッジ、 2,4 保護テープ、 111,113 ステージ、 121 ローラ、 131,133 熱カッタ、 132 ヒータ(熱カッタ加熱部)、 140 熱カッタ移動部、 141 熱カッタ支持部、 142,143 ギヤ、 144 モータ、 145 バネ、 151 アーム支持構造。 1, 3 semiconductor wafer, 1a, 3a upper surface, 1b, 3b back surface, 1c, 3c edge, 2, 4 protective tape, 111, 113 stage, 121 roller, 131, 133 heat cutter, 132 heater (heat cutter heating part), 140 thermal cutter moving unit, 141 thermal cutter support unit, 142, 143 gear, 144 motor, 145 spring, 151 arm support structure.
Claims (15)
前記ステージ上の前記半導体ウェハの上面を保護テープで覆い、前記上面に前記保護テープを貼付ける工程と、
前記保護テープの融点以上の温度に加熱された熱カッタを、前記半導体ウェハの前記上面側のエッジ上又は該エッジ近傍の前記上面上の前記保護テープに接触させながら、前記熱カッタを支持する支持部又は前記ステージの少なくとも一方を回転させて、前記保護テープの前記熱カッタと接触した箇所を切断する工程と
を有することを特徴とする保護テープ貼付け方法。 Placing the semiconductor wafer on the stage;
Covering the upper surface of the semiconductor wafer on the stage with a protective tape, and affixing the protective tape on the upper surface;
Support for supporting the thermal cutter while contacting the thermal cutter heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the protective tape with the protective tape on the upper surface side edge of the semiconductor wafer or on the upper surface near the edge. And a step of rotating at least one of the part or the stage to cut a portion of the protective tape that contacts the thermal cutter.
前記保護テープを切断する工程において、記支持部又は前記ステージの少なくとも一方の回転に伴い、前記円筒体は前記支軸を中心に回動する
ことを特徴とする請求項4から6までのいずれか1項に記載の保護テープ貼付け方法。 The cylindrical body is rotatably supported by the support portion by a support shaft passing through its central axis.
In the step of cutting the protective tape, the cylindrical body is rotated around the support shaft as at least one of the support portion and the stage is rotated. The method for applying a protective tape according to item 1.
前記ステージ上の前記半導体ウェハの上面を保護テープで覆い、前記上面に前記保護テープを貼付ける保護テープ貼付け部と、
前記保護テープの融点以上の温度に加熱される熱カッタと、
前記熱カッタを前記保護テープの融点以上の温度に加熱する熱カッタ加熱部と、
前記半導体ウェハの前記上面側のエッジ上又は該エッジ近傍の前記上面上の前記保護テープに接触させながら、前記熱カッタを支持する熱カッタ支持部と、
前記支持部又は前記ステージの少なくとも一方を回転させて、前記保護テープの前記熱カッタと接触した箇所を移動させる熱カッタ移動部と
を有することを特徴とする保護テープ貼付け装置。 A stage on which a semiconductor wafer is placed;
Covering the upper surface of the semiconductor wafer on the stage with a protective tape, and a protective tape attaching part for attaching the protective tape to the upper surface;
A thermal cutter heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the protective tape;
A thermal cutter heating section for heating the thermal cutter to a temperature equal to or higher than the melting point of the protective tape;
A thermal cutter supporting portion for supporting the thermal cutter while contacting the protective tape on the upper surface side edge of the semiconductor wafer or on the upper surface near the edge;
A protective tape attaching apparatus, comprising: a thermal cutter moving unit that rotates at least one of the support unit or the stage to move a portion of the protective tape that contacts the thermal cutter.
前記半導体ウェハの裏面に機械的又は化学的処理を施す工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 The process of sticking a protective tape on the surface of the semiconductor wafer in which the semiconductor element was formed using the method of sticking the protective tape according to any one of claims 1 to 7,
And a step of subjecting the back surface of the semiconductor wafer to mechanical or chemical treatment.
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