JP2013225749A - Piezoelectric device and module component - Google Patents

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和幸 岩村
Tadao Yamasako
忠男 山迫
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric device which preferably inhibits the inflow of a sealing material to a facing space.SOLUTION: A piezoelectric device 1 comprises: a support member 5; a SAW element 7; a bump 8 disposed between the support member 5 and the SAW element 7 and connecting the support member 5 with the SAW element 7; and a sealing part 9 provided at an outer periphery of the SAW element 7 on the support member 5. The support member 5 includes an insulation base material 11. The SAW element 7 includes: a piezoelectric substrate 19 that causes its lower surface 19a to face an upper surface 11a of the support member 5; and an excitation electrode 21 provided at the lower surface 19a side of the piezoelectric substrate 19 and facing the support member 5 through a facing space S. A cavity 11v is provided on the upper surface 11a of the insulation base material 11 and the bump 8 is housed in the cavity 11v.

Description

本発明は、弾性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)素子、圧電薄膜共振器(FBAR:Film Bulk Acoustic Resonator)等の圧電素子を含む圧電デバイス及びモージュール部品に関する。   The present invention relates to a piezoelectric device and a module component including a piezoelectric element such as a surface acoustic wave (SAW) element and a piezoelectric thin film resonator (FBAR).

支持部材と、該支持部材に実装された圧電素子と、該圧電素子を覆う封止樹脂とを備えた圧電デバイスが知られている。例えば、特許文献1のSAWデバイスは、実装基板(支持部材)と、実装基板にバンプによって表面実装されたSAWチップ(圧電素子)と、SAWチップを覆う封止樹脂とを有している。SAWチップは、IDT(InterDigital Transducer)が設けられた面(機能面)を実装基板に向けている。SAWチップと実装基板との間には、バンプの厚みに相当する隙間(内部空間、対向空間)が形成されており、当該隙間には封止樹脂は充填されていない(機能面は封止樹脂によって覆われていない。)。これにより、機能面におけるSAWの伝搬(機能面の振動)が容易化されている。   A piezoelectric device is known that includes a support member, a piezoelectric element mounted on the support member, and a sealing resin that covers the piezoelectric element. For example, the SAW device of Patent Document 1 includes a mounting substrate (support member), a SAW chip (piezoelectric element) surface-mounted on the mounting substrate by bumps, and a sealing resin that covers the SAW chip. The SAW chip has a surface (functional surface) on which an IDT (InterDigital Transducer) is provided facing a mounting substrate. A gap corresponding to the thickness of the bump (internal space, opposite space) is formed between the SAW chip and the mounting substrate, and the gap is not filled with sealing resin (the functional surface is sealing resin) Not covered by.). This facilitates SAW propagation (functional surface vibration) on the functional surface.

特開2006−279484号公報JP 2006-279484 A

特許文献1の技術においては、封止樹脂が対向空間に流れ込むことを防止するための堰等は設けられていない。従って、封止樹脂が対向空間に流れ込むおそれがある。また、支持部材若しくは圧電素子に堰となる部材を設けると部品点数が増加する。   In the technique of Patent Document 1, a weir or the like for preventing the sealing resin from flowing into the facing space is not provided. Therefore, the sealing resin may flow into the facing space. In addition, when a member serving as a weir is provided on the support member or the piezoelectric element, the number of parts increases.

本発明の目的は、封止材の対向空間への流入を好適に抑制できる圧電デバイス及びモジュール部品を提供することにある。   The objective of this invention is providing the piezoelectric device and module component which can suppress suitably the inflow to the opposing space of a sealing material.

本発明の一態様に係る圧電デバイスは、絶縁基体を有する支持部材と、前記絶縁基体の上面に下面を対向させた圧電基板と、該圧電基板の下面側に設けられ、対向空間を介して前記支持部材と対向する励振電極とを有する圧電素子と、前記支持部材と前記圧電素子との間に介在してこれらを接続する接合部材と、前記支持部材上において前記圧電素子の外周に設けられた封止材と、を有し、前記絶縁基体の上面及び前記圧電基板の下面の少なくとも一方にはキャビティが設けられており、前記接合部材は前記キャビティ内に少なくとも一部が収納されている。   A piezoelectric device according to an aspect of the present invention is provided with a supporting member having an insulating base, a piezoelectric substrate having a lower surface facing the upper surface of the insulating substrate, and a lower surface of the piezoelectric substrate, and the piezoelectric device is disposed through an opposing space. A piezoelectric element having an excitation electrode facing the support member; a joining member that is interposed between the support member and the piezoelectric element to connect them; and is provided on the outer periphery of the piezoelectric element on the support member A cavity is provided on at least one of the upper surface of the insulating base and the lower surface of the piezoelectric substrate, and at least a part of the bonding member is accommodated in the cavity.

好適には、前記キャビティは、前記絶縁基体の上面に設けられ、前記励振電極は、前記キャビティに対向する位置に設けられている。   Preferably, the cavity is provided on the upper surface of the insulating substrate, and the excitation electrode is provided at a position facing the cavity.

好適には、前記キャビティは、前記圧電基板の下面に設けられ、前記励振電極は、前記キャビティ内に設けられている。   Preferably, the cavity is provided on the lower surface of the piezoelectric substrate, and the excitation electrode is provided in the cavity.

好適には、前記絶縁基体の上面と前記圧電基板の下面とが前記キャビティの周囲において当接している。   Preferably, the upper surface of the insulating base and the lower surface of the piezoelectric substrate are in contact with each other around the cavity.

好適には、前記絶縁基体及び前記圧電基板の少なくとも一方は、前記キャビティ内に位置して他方に当接する突部を有する。   Preferably, at least one of the insulating base and the piezoelectric substrate has a protrusion located in the cavity and in contact with the other.

好適には、前記支持部材は、前記絶縁基体の上面側に環状に配列され、前記接合部材が接合された複数の基板パッドを有し、前記圧電素子は、前記圧電基板の下面側に環状に配列され、前記接合部材が接合された複数の素子パッドを有し、前記基板パッドは、前記素子パッドに対して環の外側へずれて配置されている。   Preferably, the support member is annularly arranged on the upper surface side of the insulating base, and has a plurality of substrate pads to which the bonding member is bonded, and the piezoelectric element is annularly formed on the lower surface side of the piezoelectric substrate. A plurality of element pads are arranged and the bonding members are bonded to each other, and the substrate pads are arranged so as to be shifted to the outside of the ring with respect to the element pads.

本発明の一態様に係るモジュール部品は、絶縁基体を有する回路基板と、前記絶縁基体の上面に下面を対向させた圧電基板と、該圧電基板の下面側に設けられ、対向空間を介して前記回路基板と対向する励振電極とを有する圧電素子と、前記回路基板と前記圧電素子との間に介在してこれらを接続する接合部材と、前記回路基板上において前記圧電素子の外周に設けられた封止材と、前記回路基板上に実装され、前記封止材に覆われた電子素子と、を有し、前記絶縁基体の上面及び前記圧電基板の下面の少なくとも一方にはキャビティが設けられており、前記接合部材は前記キャビティ内に少なくとも一部が収納されている。   A module component according to an aspect of the present invention is provided with a circuit board having an insulating base, a piezoelectric substrate having a lower surface facing the upper surface of the insulating base, and a lower surface side of the piezoelectric substrate. A piezoelectric element having an excitation electrode facing the circuit board; a bonding member interposed between and connecting the circuit board and the piezoelectric element; and provided on an outer periphery of the piezoelectric element on the circuit board And an electronic element mounted on the circuit board and covered with the sealing material, and a cavity is provided on at least one of the upper surface of the insulating base and the lower surface of the piezoelectric substrate. The joining member is at least partially housed in the cavity.

上記の構成によれば、封止材の対向空間への流入を好適に抑制できる。   According to said structure, the inflow to the opposing space of a sealing material can be suppressed suitably.

図1(a)及び図1(b)は本発明の実施形態に係る圧電デバイスの外観を示す斜視図。FIG. 1A and FIG. 1B are perspective views showing the appearance of a piezoelectric device according to an embodiment of the present invention. 図1の圧電デバイスの分解斜視図。The disassembled perspective view of the piezoelectric device of FIG. 図2のIII−III線に対応する圧電デバイスの断面図。Sectional drawing of the piezoelectric device corresponding to the III-III line of FIG. 図4(a)〜図4(e)は図1の圧電デバイスの製造方法を説明する断面図。4A to 4E are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the piezoelectric device of FIG. 第2の実施形態に係る圧電デバイスを示す断面図。Sectional drawing which shows the piezoelectric device which concerns on 2nd Embodiment. 第3の実施形態に係る圧電デバイスを示す断面図。Sectional drawing which shows the piezoelectric device which concerns on 3rd Embodiment. 第4の実施形態に係る圧電デバイスの支持部材を示す斜視図。The perspective view which shows the supporting member of the piezoelectric device which concerns on 4th Embodiment. 第5の実施形態に係る圧電デバイスのSAW素子を示す斜視図。The perspective view which shows the SAW element of the piezoelectric device which concerns on 5th Embodiment. 第6の実施形態に係るモジュール部品の構成を示す断面図。Sectional drawing which shows the structure of the module component which concerns on 6th Embodiment. 第7の実施形態に係るモジュール部品の構成を示す断面図。Sectional drawing which shows the structure of the module component which concerns on 7th Embodiment. 図11(a)〜図11(c)はパッド位置の好適な例を示す断面図。FIG. 11A to FIG. 11C are cross-sectional views showing suitable examples of pad positions. 図12はキャビティ周囲の突部の好適な形状の例を示す断面図。FIG. 12 is a cross-sectional view showing an example of a preferable shape of the protrusion around the cavity.

以下、本発明の実施形態に係る圧電デバイスについて、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、第2の実施形態以降の説明においては、既に説明された実施形態の構成と同様若しくは類似の構成について、既に説明された実施形態の符号を付すことがあり、また、説明を省略することがある。   Hereinafter, a piezoelectric device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings used in the following description are schematic, and the dimensional ratios and the like on the drawings do not necessarily match the actual ones. Further, in the description after the second embodiment, the same or similar configuration as the configuration of the already described embodiment may be denoted by the reference numeral of the already described embodiment, and the description will be omitted. There is.

(第1の実施形態)
図1(a)は、本発明の第1の実施形態に係る圧電デバイス1の外観を示す上面1a側から見た斜視図であり、図1(b)は、圧電デバイス1の外観を示す下面1b側から見た斜視図である。
(First embodiment)
FIG. 1A is a perspective view of the appearance of the piezoelectric device 1 according to the first embodiment of the present invention as seen from the upper surface 1a side, and FIG. 1B is a bottom view of the appearance of the piezoelectric device 1. It is the perspective view seen from the 1b side.

なお、圧電デバイス1は、いずれの方向が上方若しくは下方とされてもよいものであるが、便宜的に、直交座標系xyzを定義するとともに、z方向の正側を上方として、上面若しくは下面の語を用いるものとする。   The piezoelectric device 1 may have either direction upward or downward, but for convenience, the orthogonal coordinate system xyz is defined and the positive side in the z direction is upward, and the upper or lower surface of the piezoelectric device 1 is defined. Words shall be used.

圧電デバイス1は、例えば、概ね直方体状に形成されており、その下面1bには、複数の外部端子3が適宜な形状及び適宜な数で露出している。圧電デバイス1の大きさは適宜な大きさとされてよいが、例えば、1辺の長さが1mm〜数mmである。   The piezoelectric device 1 is formed, for example, in a substantially rectangular parallelepiped shape, and a plurality of external terminals 3 are exposed in an appropriate shape and an appropriate number on the lower surface 1b. Although the magnitude | size of the piezoelectric device 1 may be made into an appropriate magnitude | size, the length of 1 side is 1 mm-several mm, for example.

圧電デバイス1は、不図示の実装基板に対して下面1bを対向させて配置され、実装基板に設けられたパッドと複数の外部端子3とがバンプ等を介して接合されることにより実装基板に実装される。そして、圧電デバイス1は、例えば、複数の外部端子3のいずれかを介して信号が入力され、入力された信号に所定の処理を施して複数の外部端子3のいずれかから出力する。   The piezoelectric device 1 is disposed with the lower surface 1b facing a mounting board (not shown), and a pad provided on the mounting board and a plurality of external terminals 3 are bonded to each other through bumps or the like. Implemented. The piezoelectric device 1 receives, for example, a signal from any of the plurality of external terminals 3, performs a predetermined process on the input signal, and outputs the signal from any of the plurality of external terminals 3.

なお、複数の外部端子3の数、位置及び役割は、圧電デバイス1内部の構成等に応じて適宜に設定されてよい。本実施形態では、4つの外部端子3が下面1bの4隅に設けられている場合を例示している。   Note that the number, position, and role of the plurality of external terminals 3 may be appropriately set according to the internal configuration of the piezoelectric device 1 and the like. In this embodiment, the case where the four external terminals 3 are provided in the four corners of the lower surface 1b is illustrated.

図2は、圧電デバイス1の分解斜視図である。図3は、図2のIII−III線に対応する圧電デバイス1の断面図である。   FIG. 2 is an exploded perspective view of the piezoelectric device 1. FIG. 3 is a cross-sectional view of the piezoelectric device 1 corresponding to line III-III in FIG.

圧電デバイス1は、図2に示すように、大きくは3つの部材を含んでいる。すなわち、圧電デバイス1は、支持部材5と、当該支持部材5上に実装されたSAW素子7と、SAW素子7を封止する封止部9とを有している。また、圧電デバイス1は、図3に示すように、支持部材5とSAW素子7との間に、これらの電気的接続を行うためのバンプ8を有している。   As shown in FIG. 2, the piezoelectric device 1 generally includes three members. That is, the piezoelectric device 1 includes a support member 5, a SAW element 7 mounted on the support member 5, and a sealing portion 9 that seals the SAW element 7. In addition, as shown in FIG. 3, the piezoelectric device 1 has bumps 8 for performing electrical connection between the support member 5 and the SAW element 7.

支持部材5は、例えば、リジッド式のプリント配線板によって構成されており、絶縁基体11と、絶縁基体11のSAW素子7側の面に形成された上面導電層13A(図3)と、絶縁基体11の内部に該絶縁基体11に平行に形成された内部導電層13B(図3)と、絶縁基体11の全部又は一部を上下方向に貫通するビア導体15(図3)と、絶縁基体11の下面11bに形成された既述の外部端子3とを有している。なお、支持部材5は、内部導電層13Bが設けられないものであってもよい。   The support member 5 is composed of, for example, a rigid printed wiring board, and includes an insulating base 11, an upper surface conductive layer 13A (FIG. 3) formed on the surface of the insulating base 11 on the SAW element 7 side, and an insulating base. 11, an internal conductive layer 13B (FIG. 3) formed parallel to the insulating base 11, a via conductor 15 (FIG. 3) penetrating all or part of the insulating base 11 in the vertical direction, and the insulating base 11 And the above-described external terminal 3 formed on the lower surface 11b. The support member 5 may not be provided with the internal conductive layer 13B.

絶縁基体11は、例えば、概ね薄型の直方体状に形成されている。ただし、絶縁基体11の上面11aには、SAW素子7と対向する領域のうち中央側部分に、キャビティ11v(凹部、図3)が設けられている。キャビティ11vの平面形状は、円形、矩形若しくは多角形など、適宜な形状とされてよく、また、寸法も適宜に設定されてよい。   The insulating base 11 is formed in, for example, a generally thin rectangular parallelepiped shape. However, on the upper surface 11a of the insulating base 11, a cavity 11v (recessed portion, FIG. 3) is provided in the central portion of the region facing the SAW element 7. The planar shape of the cavity 11v may be an appropriate shape such as a circle, a rectangle, or a polygon, and the dimensions may be set as appropriate.

また、絶縁基体11は、例えば、樹脂、セラミック及び/又はアモルファス状態の無機材料を含んで形成されている。絶縁基体11は、単一の材料からなるものであってもよいし、基材に樹脂を含浸させた基板のように複合材料からなるものであってもよい。   The insulating base 11 is formed including, for example, a resin, a ceramic, and / or an amorphous inorganic material. The insulating substrate 11 may be made of a single material, or may be made of a composite material such as a substrate in which a base material is impregnated with a resin.

上面導電層13Aは、キャビティ11vの底面に設けられ、バンプ8が接合される基板パッド17(図3)を含んでいる。ビア導体15及び内部導電層13Bは、基板パッド17と外部端子3とを接続する配線を含んでいる。なお、上面導電層13A、内部導電層13B及びビア導体15は、インダクタ、コンデンサ若しくは適宜な処理を実行する回路を含んでいてもよい。これら導電層等は、例えば、Cu等の金属により構成されている。基板パッド17においては、バンプ8との接合性向上のために、Ni,Au等のめっきが施されていてもよい。   The upper conductive layer 13A is provided on the bottom surface of the cavity 11v and includes a substrate pad 17 (FIG. 3) to which the bumps 8 are bonded. The via conductor 15 and the internal conductive layer 13 </ b> B include wiring that connects the substrate pad 17 and the external terminal 3. The top conductive layer 13A, the internal conductive layer 13B, and the via conductor 15 may include an inductor, a capacitor, or a circuit that performs appropriate processing. These conductive layers and the like are made of a metal such as Cu, for example. The substrate pad 17 may be plated with Ni, Au or the like in order to improve the bondability with the bumps 8.

SAW素子7は、圧電基板19と、圧電基板19の下面19aに設けられた素子導電層20とを有している。なお、SAW素子7は、この他、圧電基板19の上面19bを覆う電極及び/又は保護層等の適宜な部材を有していてよい。   The SAW element 7 includes a piezoelectric substrate 19 and an element conductive layer 20 provided on the lower surface 19 a of the piezoelectric substrate 19. In addition, the SAW element 7 may have an appropriate member such as an electrode and / or a protective layer that covers the upper surface 19 b of the piezoelectric substrate 19.

圧電基板19は、例えば、概ね薄型の直方体状に形成されている。その寸法は適宜に設定されてよいが、例えば、平面視における1辺は0.6〜0.8mmである。圧電基板19の平面視における大きさは、支持部材5の平面視における大きさよりも小さい。圧電基板19の表面は、側面19cにおける粗さが、下面19aにおける粗さよりも大きくなっている。圧電基板19は、例えば、タンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板により構成されている。   The piezoelectric substrate 19 is formed in, for example, a generally thin rectangular parallelepiped shape. Although the dimension may be set appropriately, for example, one side in a plan view is 0.6 to 0.8 mm. The size of the piezoelectric substrate 19 in plan view is smaller than the size of the support member 5 in plan view. As for the surface of the piezoelectric substrate 19, the roughness in the side surface 19c is larger than the roughness in the lower surface 19a. The piezoelectric substrate 19 is composed of a single crystal substrate having piezoelectricity, such as a lithium tantalate single crystal or a lithium niobate single crystal.

素子導電層20は、SAWを励起するための励振電極21と、バンプ8が接合される素子パッド25と、これらを接続する不図示の配線とを有している。素子導電層20は、例えば、Al−Cu合金等の金属により構成されている。素子パッド25においては、バンプ8との接合性向上のために、Ni,Au等のめっきが施されていてもよい。   The element conductive layer 20 includes an excitation electrode 21 for exciting SAW, an element pad 25 to which the bump 8 is bonded, and a wiring (not shown) that connects them. The element conductive layer 20 is made of, for example, a metal such as an Al—Cu alloy. The element pad 25 may be plated with Ni, Au or the like in order to improve the bondability with the bump 8.

励振電極21は、いわゆるIDT(InterDigital transducer)であり、図2に示すように、一対の櫛歯電極23を含んでいる。各櫛歯電極23は、バスバー23aと、バスバー23aから延びる複数の電極指23bとを有しており、一対の櫛歯電極23は、互いに噛み合うように(複数の電極指23bが互いに交差するように)配置されている。なお、図2等は模式図であることから、複数本の電極指23bを有する櫛歯電極23が1対のみ図示されているが、実際には、これよりも多くの電極指23bを有する複数対の櫛歯電極23が設けられていてよい。励振電極21は、例えば、SAWフィルタ、SAW共振器及び/又はデュプレクサを構成している。   The excitation electrode 21 is a so-called IDT (InterDigital transducer) and includes a pair of comb electrodes 23 as shown in FIG. Each comb electrode 23 includes a bus bar 23a and a plurality of electrode fingers 23b extending from the bus bar 23a, and the pair of comb electrodes 23 are engaged with each other (a plurality of electrode fingers 23b intersect each other). Is arranged). Since FIG. 2 and the like are schematic diagrams, only one pair of comb-tooth electrodes 23 having a plurality of electrode fingers 23b is illustrated, but actually, a plurality of electrode fingers 23b having more electrode fingers 23b than this are illustrated. A pair of comb electrodes 23 may be provided. The excitation electrode 21 constitutes, for example, a SAW filter, a SAW resonator, and / or a duplexer.

一対の櫛歯電極23の一方に信号が入力されると、当該信号はSAWに変換されて下面19aを電極指23bに直交する方向(x方向)に伝搬し、再度信号に変換されて一対の櫛歯電極23の他方から出力される。その過程において、信号はフィルタリング等がなされる。   When a signal is input to one of the pair of comb electrodes 23, the signal is converted into SAW, propagates in the direction (x direction) perpendicular to the electrode finger 23b through the lower surface 19a, and is converted into a signal again. Output from the other of the comb electrodes 23. In the process, the signal is filtered.

素子パッド25は、例えば、励振電極21を囲むように圧電基板19の外周側に環状に配列されており、下面19aに形成された不図示の配線を介して励振電極21に接続されている。一対の櫛歯電極23の一方は、複数の素子パッド25のいずれかを介して信号が入力され、一対の櫛歯電極23の他方は、複数の素子パッド25のいずれかを介して信号を出力する。   For example, the element pads 25 are annularly arranged on the outer peripheral side of the piezoelectric substrate 19 so as to surround the excitation electrode 21, and are connected to the excitation electrode 21 via a wiring (not shown) formed on the lower surface 19 a. One of the pair of comb electrodes 23 receives a signal through one of the plurality of element pads 25, and the other of the pair of comb electrodes 23 outputs a signal through one of the plurality of element pads 25. To do.

バンプ8は、素子パッド25と基板パッド17との間に介在して、これらパッドを接合している。バンプ8は、例えばはんだにより構成されている。はんだは、Pb−Sn合金はんだ等の鉛を用いたはんだであってもよいし、Au−Sn合金はんだ、Au−Ge合金はんだ、Sn−Ag合金はんだ、Sn−Cu合金はんだ等の鉛フリーはんだであってもよい。なお、バンプ8は、導電性樹脂によって構成されていてもよい。   The bump 8 is interposed between the element pad 25 and the substrate pad 17 to bond these pads. The bump 8 is made of, for example, solder. The solder may be a solder using lead such as Pb—Sn alloy solder, or lead-free solder such as Au—Sn alloy solder, Au—Ge alloy solder, Sn—Ag alloy solder, Sn—Cu alloy solder, etc. It may be. The bumps 8 may be made of a conductive resin.

封止部9は、SAW素子7を覆っている。具体的には、封止部9は、SAW素子7の上面19b上に位置するとともに支持部材5の上面11a上においてSAW素子7の外周に位置している。封止部9の外形は、例えば、概ね直方体状になるように形成されている。その平面視における形状及び大きさは、例えば、支持部材5の平面形状と同様であり、封止部9の側面9cは支持部材5(絶縁基体11)の側面11cと面一になっている。封止部9の厚みは、SAW素子7の保護の観点等の種々の観点から適宜な大きさとされてよい。   The sealing portion 9 covers the SAW element 7. Specifically, the sealing portion 9 is located on the upper surface 19 b of the SAW element 7 and is located on the outer periphery of the SAW element 7 on the upper surface 11 a of the support member 5. The outer shape of the sealing part 9 is formed so as to have a substantially rectangular parallelepiped shape, for example. The shape and size in plan view are the same as, for example, the planar shape of the support member 5, and the side surface 9 c of the sealing portion 9 is flush with the side surface 11 c of the support member 5 (insulating base 11). The thickness of the sealing portion 9 may be set to an appropriate size from various viewpoints such as the viewpoint of protecting the SAW element 7.

封止部9は、例えば、樹脂を含んで構成されている。当該樹脂は、好ましくは熱硬化性樹脂であり、熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂若しくはフェノール樹脂である。樹脂には、当該樹脂よりも熱膨張係数が低い材料により形成された絶縁性粒子からなるフィラーが混入されていてもよい。絶縁性粒子の材料は、例えば、シリカ、アルミナ、フェノール、ポリエチレン、グラスファイバー、グラファイトフィラーである。なお、封止部9は、樹脂以外の材料、例えば、アモルファス状態の無機材料によって構成されていてもよい。   The sealing part 9 is comprised including resin, for example. The resin is preferably a thermosetting resin, and the thermosetting resin is, for example, an epoxy resin or a phenol resin. In the resin, a filler made of insulating particles formed of a material having a lower thermal expansion coefficient than that of the resin may be mixed. Examples of the material of the insulating particles include silica, alumina, phenol, polyethylene, glass fiber, and graphite filler. In addition, the sealing part 9 may be comprised with materials other than resin, for example, the inorganic material of an amorphous state.

図3に示すように、支持部材5(絶縁基体11)のキャビティ11vは、xy平面において、SAW素子7の励振電極21及び素子パッド25が設けられている範囲よりも広く、且つ、SAW素子7の下面19aよりも狭く形成されている。そして、SAW素子7は、励振電極21及び素子パッド25をキャビティ11vに対向させるように支持部材5に対して配置されている。   As shown in FIG. 3, the cavity 11v of the support member 5 (insulating base 11) is wider than the range where the excitation electrode 21 and the element pad 25 of the SAW element 7 are provided in the xy plane, and the SAW element 7 It is formed narrower than the lower surface 19a. The SAW element 7 is disposed with respect to the support member 5 so that the excitation electrode 21 and the element pad 25 face the cavity 11v.

従って、支持部材5の上面11aのうち、キャビティ11vの周囲部分は、圧電基板19の下面19aに当接し、キャビティ11vの底面と圧電基板19の下面19aとの間には、キャビティ11vの深さで、励振電極21及び素子パッド25を収容する隙間が形成されている。すなわち、励振電極21の下方(z方向の負側)には、SAWの伝搬(下面19aの振動)を容易化させる対向空間Sが構成されている。また、バンプ8も、キャビティ11vに収容されており、その厚みは、キャビティ11vの深さと同等となっている。   Accordingly, a portion of the upper surface 11 a of the support member 5 surrounding the cavity 11 v is in contact with the lower surface 19 a of the piezoelectric substrate 19, and the depth of the cavity 11 v is between the bottom surface of the cavity 11 v and the lower surface 19 a of the piezoelectric substrate 19. Thus, a gap for accommodating the excitation electrode 21 and the element pad 25 is formed. That is, an opposing space S that facilitates SAW propagation (vibration of the lower surface 19a) is formed below the excitation electrode 21 (on the negative side in the z direction). The bump 8 is also accommodated in the cavity 11v, and the thickness thereof is equal to the depth of the cavity 11v.

対向空間Sの高さ(キャビティ11vの深さ)は、例えば、20μm程度である。キャビティ11vの周囲における、支持部材5の上面11aとSAW素子7の下面19aとの重複部分の幅は、例えば、50μm程度である。   The height of the facing space S (depth of the cavity 11v) is, for example, about 20 μm. The width of the overlapping portion between the upper surface 11a of the support member 5 and the lower surface 19a of the SAW element 7 around the cavity 11v is, for example, about 50 μm.

対向空間Sは、封止部9によって密閉されている。対向空間S内は、真空となっていてもよいし、空気等の気体が封入されていてもよい。気体が封入されている場合、その圧力は、対向空間S内の温度が大気の温度と同等のときに、大気圧よりも高くてもよいし、同等でもよいし、大気圧よりも低くてもよい。   The facing space S is sealed by the sealing portion 9. The facing space S may be in a vacuum, or a gas such as air may be enclosed. When the gas is sealed, the pressure may be higher, equal, or lower than the atmospheric pressure when the temperature in the facing space S is equal to the atmospheric temperature. Good.

図4(a)〜図4(e)は、圧電デバイス1の製造方法を説明する、図3に対応する断面図である。製造工程は、図4(a)から図4(e)へ順に進んでいく。   FIG. 4A to FIG. 4E are cross-sectional views corresponding to FIG. 3 for explaining the method for manufacturing the piezoelectric device 1. The manufacturing process proceeds from FIG. 4A to FIG. 4E in order.

まず、図4(a)に示すように、SAW素子7が用意されるとともに、図4(b)に示すように、支持部材5が用意される。   First, as shown in FIG. 4A, the SAW element 7 is prepared, and as shown in FIG. 4B, the support member 5 is prepared.

SAW素子7は、例えば、分割されることによって圧電基板19となる母基板を対象に素子導電層20が形成され、その後、ダイシングが行われることによって作製される。素子導電層20は、例えば、スパッタリング法若しくはCVD(Chemical Vapor Deposition)等の薄膜形成法により、下面19a上に金属層を形成し、次に、金属層に対してフォトリソグラフィー法等によりパターニングを行うことによって形成される。ダイシングの前において、母基板の主面は研磨されている。従って、当該主面によって構成される下面19aは、ダイシングによって形成された側面19cに比較して、表面粗さが小さくなる。   The SAW element 7 is manufactured, for example, by forming the element conductive layer 20 on the mother substrate that becomes the piezoelectric substrate 19 by being divided, and then performing dicing. The element conductive layer 20 is formed by forming a metal layer on the lower surface 19a by a thin film forming method such as sputtering or CVD (Chemical Vapor Deposition), and then patterning the metal layer by photolithography or the like. Formed by. Prior to dicing, the main surface of the mother substrate is polished. Therefore, the lower surface 19a constituted by the main surface has a smaller surface roughness than the side surface 19c formed by dicing.

支持部材5は、例えば、一般的なプリント配線板と概ね同様に作製される。なお、図4(b)〜図4(e)に示す工程において、支持部材5は、分割されることによって支持部材5となる母基板の状態であるが、図4(b)〜図4(e)では、一の圧電デバイス1に対応する部分のみを示している。   The support member 5 is produced, for example, in substantially the same manner as a general printed wiring board. In the steps shown in FIGS. 4B to 4E, the support member 5 is in the state of the mother substrate that becomes the support member 5 by being divided, but FIG. 4B to FIG. In e), only the part corresponding to one piezoelectric device 1 is shown.

支持部材5のキャビティ11vは、適宜に形成されてよい。例えば、キャビティ11vは、多層基板において特定の層にビア(穴)を形成する方法と同様の方法で形成されてよい。例えば、支持部材5が、導電ペーストが配置された複数のセラミックグリーンシートが積層されて焼成されることによって形成されるものである場合、積層される前において、上面11aを構成するセラミックグリーンシートに対して打ち抜き加工等によってキャビティ11vとなる空所を形成すればよい。   The cavity 11v of the support member 5 may be appropriately formed. For example, the cavity 11v may be formed by a method similar to a method of forming a via (hole) in a specific layer in a multilayer substrate. For example, when the support member 5 is formed by laminating and firing a plurality of ceramic green sheets on which conductive paste is disposed, the ceramic green sheets constituting the upper surface 11a are laminated before being laminated. On the other hand, a cavity that becomes the cavity 11v may be formed by punching or the like.

支持部材5が用意されると、図4(c)に示すように、バンプ8が形成される。具体的には、例えば、スクリーン印刷法若しくはディスペンサ法等の適宜な方法により、バンプ8となるはんだペーストを基板パッド17上に塗布する。なお、その後、溶剤を蒸発させるとともに形状を整えるための加熱処理など、適宜な処理が行われてもよい。   When the support member 5 is prepared, bumps 8 are formed as shown in FIG. Specifically, for example, a solder paste to be the bumps 8 is applied onto the substrate pad 17 by an appropriate method such as a screen printing method or a dispenser method. Thereafter, an appropriate process such as a heat process for evaporating the solvent and adjusting the shape may be performed.

バンプ8が形成されると、図4(d)に示すように、SAW素子7を支持部材5に実装する。具体的には、SAW素子7を支持部材5上に載置し、リフロー炉等によってバンプ8を溶融し、その後、冷却によって溶融したバンプ8を固化させる。   When the bumps 8 are formed, the SAW element 7 is mounted on the support member 5 as shown in FIG. Specifically, the SAW element 7 is placed on the support member 5, the bumps 8 are melted by a reflow furnace or the like, and then the melted bumps 8 are solidified by cooling.

この際、溶融したはんだは、その濡れ性によって基板パッド17及び素子パッド25に広がり、SAW素子7を支持部材5に引きつける。これにより、キャビティ11vの周囲において、SAW素子7の下面19aは、支持部材5の上面11aに当接する。なお、適宜な方法によって、SAW素子7を支持部材5側へ押圧してもよい。   At this time, the melted solder spreads on the substrate pad 17 and the element pad 25 due to its wettability, and attracts the SAW element 7 to the support member 5. Thereby, the lower surface 19a of the SAW element 7 abuts on the upper surface 11a of the support member 5 around the cavity 11v. Note that the SAW element 7 may be pressed toward the support member 5 by an appropriate method.

SAW素子7が支持部材5に実装されると、図4(e)に示すように、封止部9となる液状の樹脂47が供給される。樹脂47の供給は、例えば、スクリーン印刷によって行われる。樹脂47の供給は、大気圧下で行われてもよいし、真空雰囲気下で行われてもよい。供給された樹脂47は、キャビティ11vの周囲において上面11aと下面19aとが当接していることによって、対向空間S(キャビティ11v)への流入が抑制される。   When the SAW element 7 is mounted on the support member 5, as shown in FIG. 4E, a liquid resin 47 that becomes the sealing portion 9 is supplied. The supply of the resin 47 is performed by screen printing, for example. The supply of the resin 47 may be performed under atmospheric pressure or in a vacuum atmosphere. The supplied resin 47 is prevented from flowing into the facing space S (cavity 11v) because the upper surface 11a and the lower surface 19a are in contact with each other around the cavity 11v.

その後、樹脂47は、加熱されて硬化する。そして、硬化した樹脂47及び複数の支持部材5からなる母基板はダイシングされ、個片化された圧電デバイス1が作製される。   Thereafter, the resin 47 is heated and cured. Then, the mother substrate composed of the cured resin 47 and the plurality of support members 5 is diced, and the piezo-electric device 1 is manufactured.

以上のとおり、本実施形態では、圧電デバイス1は、支持部材5と、SAW素子7と、支持部材5とSAW素子7との間に介在してこれらを接続するバンプ8と、支持部材5上においてSAW素子7の外周に設けられた封止部9とを有している。支持部材5は、絶縁基体11を有している。SAW素子7は、支持部材5の上面11aに下面19aを対向させた圧電基板19と、該圧電基板19の下面19a側に設けられ、対向空間Sを介して支持部材5と対向する励振電極21とを有する。そして、絶縁基体11の上面11aにはキャビティ11vが設けられており、バンプ8はキャビティ11v内に収納されている。   As described above, in this embodiment, the piezoelectric device 1 includes the support member 5, the SAW element 7, the bumps 8 interposed between the support member 5 and the SAW element 7, and the support member 5. And a sealing portion 9 provided on the outer periphery of the SAW element 7. The support member 5 has an insulating base 11. The SAW element 7 is provided on the side of the lower surface 19a of the piezoelectric substrate 19 with the lower surface 19a facing the upper surface 11a of the support member 5, and the excitation electrode 21 facing the support member 5 via the facing space S. And have. A cavity 11v is provided on the upper surface 11a of the insulating substrate 11, and the bumps 8 are accommodated in the cavity 11v.

従って、従来のように、バンプ8の厚みに相当する距離で上面11aと下面19aとが対向するのではなく、バンプ8の厚みよりも小さい距離で上面11aと下面19aとを対向させることができる。その結果、例えば、圧電デバイス1の薄型化を図ることができる。また、製造工程においては、液状の樹脂47が上面11aと下面19aとの隙間(対向空間S)へ流入することが抑制される。しかも、絶縁基体11自体が堰として機能することから、堰となる部材を設ける必要が無い。   Therefore, the upper surface 11a and the lower surface 19a do not face each other at a distance corresponding to the thickness of the bump 8 as in the prior art, but the upper surface 11a and the lower surface 19a can face each other at a distance smaller than the thickness of the bump 8. . As a result, for example, the piezoelectric device 1 can be thinned. Further, in the manufacturing process, the liquid resin 47 is prevented from flowing into the gap (opposed space S) between the upper surface 11a and the lower surface 19a. In addition, since the insulating substrate 11 itself functions as a weir, there is no need to provide a member that serves as a weir.

また、キャビティ11vは、支持部材5の上面11aに設けられており、励振電極21はキャビティ11vに対向する位置に設けられている。従って、励振電極21によるSAWの伝搬(圧電基板19の下面19aにおける振動)を容易化するための対向空間Sの高さを確保しつつ、その周囲における下面19aと上面11aとの距離を極力小さくすることができる。その結果、上述した薄型化及び樹脂47の流入抑制の効果が向上する。また、支持部材5にキャビティ11vが設けられることによって、基板パッド17と外部端子3との距離が短くなり、配線長さを短くすることができる。   The cavity 11v is provided on the upper surface 11a of the support member 5, and the excitation electrode 21 is provided at a position facing the cavity 11v. Therefore, the distance between the lower surface 19a and the upper surface 11a in the periphery is made as small as possible while ensuring the height of the facing space S for facilitating SAW propagation (vibration on the lower surface 19a of the piezoelectric substrate 19) by the excitation electrode 21. can do. As a result, the effects of the above-described thinning and suppression of the inflow of the resin 47 are improved. Further, since the cavity 11v is provided in the support member 5, the distance between the substrate pad 17 and the external terminal 3 can be shortened, and the wiring length can be shortened.

また、支持部材5の上面11aと圧電基板19の下面19aとはキャビティ11vの周囲において当接している。従って、より確実に樹脂47の流入が抑制される。また、圧電基板19の全周に圧電基板19を支持する力が分散されるから、SAWが伝搬する下面19aの撓みが抑制され、ひいては、圧電デバイス1の電気特性の安定が期待される。   The upper surface 11a of the support member 5 and the lower surface 19a of the piezoelectric substrate 19 are in contact with each other around the cavity 11v. Therefore, the inflow of the resin 47 is more reliably suppressed. Further, since the force for supporting the piezoelectric substrate 19 is dispersed around the entire circumference of the piezoelectric substrate 19, the bending of the lower surface 19a through which the SAW propagates is suppressed, and as a result, the electrical characteristics of the piezoelectric device 1 are expected to be stable.

また、圧電基板19の側面19cは、下面19aに比較して表面粗さが大きい。従って、樹脂47は、側面19cに留まり易く、且つ、下面19aと支持部材5の上面11aとの間に染み込みにくい。   Further, the side surface 19c of the piezoelectric substrate 19 has a larger surface roughness than the lower surface 19a. Therefore, the resin 47 tends to stay on the side surface 19 c and does not easily penetrate between the lower surface 19 a and the upper surface 11 a of the support member 5.

(第2の実施形態)
図5は、第2の実施形態に係る圧電デバイス201を示す図3と同様の断面図である。
(Second Embodiment)
FIG. 5 is a cross-sectional view similar to FIG. 3 showing the piezoelectric device 201 according to the second embodiment.

第1の実施形態においては、支持部材5にキャビティ11vが形成された。一方、第2の実施形態においては、支持部材205にはキャビティは形成されておらず、SAW素子207にキャビティ219vが形成されている。それ以外は、第1の実施形態と概ね同様である。   In the first embodiment, the cavity 11 v is formed in the support member 5. On the other hand, in the second embodiment, the support member 205 has no cavity and the SAW element 207 has a cavity 219v. Other than that, it is almost the same as the first embodiment.

SAW素子207の励振電極21、素子パッド25並びに不図示の配線は、キャビティ219vの底面に設けられている。そして、第1の実施形態と同様に、バンプ8はキャビティ219vに収容され、また、圧電基板219の下面219aと絶縁基体211の上面211aとは、キャビティ219vの周囲において当接している。これにより、励振電極21の下方に対向空間Sが形成されている。   The excitation electrode 21, the element pad 25, and the wiring (not shown) of the SAW element 207 are provided on the bottom surface of the cavity 219v. As in the first embodiment, the bump 8 is accommodated in the cavity 219v, and the lower surface 219a of the piezoelectric substrate 219 and the upper surface 211a of the insulating base 211 are in contact with each other around the cavity 219v. Thereby, the opposing space S is formed below the excitation electrode 21.

キャビティ219vの大きさ及び形状は、第1の実施形態のキャビティ11vと同様でよい。例えば、対向空間Sの高さ(キャビティ219vの深さ)は、20μm程度である。キャビティ219vの外周における、支持部材205の上面211aとSAW素子207の下面219aとの重複部分の幅は、例えば、50μm程度である(圧電基板219の1辺は0.6〜0.8mm)。   The size and shape of the cavity 219v may be the same as the cavity 11v of the first embodiment. For example, the height of the opposing space S (depth of the cavity 219v) is about 20 μm. The width of the overlapping portion of the upper surface 211a of the support member 205 and the lower surface 219a of the SAW element 207 on the outer periphery of the cavity 219v is, for example, about 50 μm (one side of the piezoelectric substrate 219 is 0.6 to 0.8 mm).

圧電デバイス201の製造方法は、第1の実施形態と概ね同様でよい。ただし、SAW素子207を作製する工程においては、圧電基板219にキャビティ219vが形成され、支持部材205を作製する工程においては、絶縁基体211にキャビティは形成されない。圧電基板219にキャビティ219vを形成する方法は、ドライエッチング、イオンエッチング、切削加工、レーザ加工など、適宜な方法とされてよい。   The method for manufacturing the piezoelectric device 201 may be substantially the same as in the first embodiment. However, the cavity 219v is formed in the piezoelectric substrate 219 in the process of manufacturing the SAW element 207, and the cavity is not formed in the insulating substrate 211 in the process of manufacturing the support member 205. A method of forming the cavity 219v in the piezoelectric substrate 219 may be an appropriate method such as dry etching, ion etching, cutting, or laser processing.

第2の実施形態においても、キャビティ219vが設けられ、バンプ8がキャビティ219vに収容されていることによって、第1の実施形態と同様の効果が奏される。すなわち、支持部材205の上面211aとSAW素子207の下面219aとの距離をバンプ8の厚みよりも小さくすることができ、その結果、圧電デバイス1の薄型化、液状の樹脂47の対向空間Sへの流入抑制等の効果が奏される。   Also in the second embodiment, since the cavity 219v is provided and the bump 8 is accommodated in the cavity 219v, the same effect as in the first embodiment can be obtained. That is, the distance between the upper surface 211a of the support member 205 and the lower surface 219a of the SAW element 207 can be made smaller than the thickness of the bumps 8. As a result, the piezoelectric device 1 can be made thinner and the liquid resin 47 can be opposed to the opposing space S. The effect of suppressing the inflow of water is exerted.

また、第2の実施形態では、キャビティ219vは、圧電基板219の下面219aに設けられており、励振電極21はキャビティ219v内に設けられている。従って、第1の実施形態と同様に、対向空間Sの高さを確保しつつ、その周囲における下面219aと上面211aとの距離を極力小さくすることができる。   In the second embodiment, the cavity 219v is provided on the lower surface 219a of the piezoelectric substrate 219, and the excitation electrode 21 is provided in the cavity 219v. Therefore, as in the first embodiment, the distance between the lower surface 219a and the upper surface 211a in the periphery can be made as small as possible while ensuring the height of the facing space S.

さらに、キャビティ219vが支持部材5ではなく圧電基板219に設けられることによって、第1の実施形態では奏されない効果も奏される。具体的には、以下のとおりである。   Further, by providing the cavity 219v not on the support member 5 but on the piezoelectric substrate 219, an effect that is not achieved in the first embodiment is also achieved. Specifically, it is as follows.

圧電基板219は、従来の直方体状の圧電基板において、その外周部に支持部材205側へ突出する突部219w(突条)が設けられたと捉えることもできる。この場合、従来に比較して、支持部材205の上面211aから圧電基板219の上面219bまでの距離を変えずに、圧電基板219の断面2次モーメントを大きくし、キャビティ219vの底面(機能面)の撓みを抑制することができたことになる。そして、機能面の撓みが抑制されることにより、当該撓みがSAWの伝搬に及ぼす影響も縮小され、圧電デバイス201の電気特性が安定する。   The piezoelectric substrate 219 can also be regarded as a protrusion 219w (protrusion) that protrudes toward the support member 205 on the outer periphery of a conventional rectangular parallelepiped piezoelectric substrate. In this case, compared to the conventional case, the sectional moment of the piezoelectric substrate 219 is increased without changing the distance from the upper surface 211a of the support member 205 to the upper surface 219b of the piezoelectric substrate 219, and the bottom surface (functional surface) of the cavity 219v. That is, it was possible to suppress the bending of. Further, by suppressing the bending of the functional surface, the influence of the bending on the propagation of the SAW is reduced, and the electrical characteristics of the piezoelectric device 201 are stabilized.

また、圧電基板219にキャビティ219vが形成されると、圧電基板219の下面219aの縁部(側面219cとの角部)から励振電極21までの圧電基板219の表面に沿う経路は、第1の実施形態に比較して長くなり、また、下方から上方への方向となる部分(キャビティ219vの側面)を含むことになる。従って、樹脂47が圧電基板219の上面を伝って励振電極21へ到達する蓋然性が低くなる。   Further, when the cavity 219v is formed in the piezoelectric substrate 219, the path along the surface of the piezoelectric substrate 219 from the edge portion (corner portion with the side surface 219c) of the lower surface 219a of the piezoelectric substrate 219 to the excitation electrode 21 is the first path. It is longer than that of the embodiment, and includes a portion (side surface of the cavity 219v) that is directed from the lower side to the upper side. Therefore, the probability that the resin 47 reaches the excitation electrode 21 along the upper surface of the piezoelectric substrate 219 is reduced.

(第3の実施形態)
図6は、第3の実施形態に係る圧電デバイス301を示す図3と同様の断面図である。
(Third embodiment)
FIG. 6 is a cross-sectional view similar to FIG. 3 illustrating a piezoelectric device 301 according to the third embodiment.

第1の実施形態においては、キャビティ11vは、バンプ8及び励振電極21の配置範囲に亘って形成された。一方、第3の実施形態においては、キャビティ311vは、励振電極21の配置範囲においては形成されておらず、バンプ8の配置範囲のみにおいて形成されている。   In the first embodiment, the cavity 11 v is formed over the arrangement range of the bumps 8 and the excitation electrodes 21. On the other hand, in the third embodiment, the cavity 311v is not formed in the arrangement range of the excitation electrodes 21, but is formed only in the arrangement range of the bumps 8.

また、キャビティ311vは、バンプ8、基板パッド17及び素子パッド25の合計の厚みよりも小さい。従って、支持部材305(絶縁基体311)の上面311aと、SAW素子7の下面19aとは所定の間隔で離間しており、これにより、励振電極21の下方に対向空間Sが構成されている。対向空間Sの高さは、第1及び第2の実施形態における対向空間Sの高さよりも小さく、例えば、7〜8μmである。   The cavity 311v is smaller than the total thickness of the bump 8, the substrate pad 17, and the element pad 25. Accordingly, the upper surface 311a of the support member 305 (insulating base 311) and the lower surface 19a of the SAW element 7 are spaced apart from each other by a predetermined distance, thereby forming a facing space S below the excitation electrode 21. The height of the facing space S is smaller than the height of the facing space S in the first and second embodiments, and is, for example, 7 to 8 μm.

封止部9は、第1の実施形態と同様に、液状の樹脂47が支持部材305に実装されたSAW素子7の周囲に供給されることによって形成される。ただし、樹脂47としては、ある程度の粘度(例えば120Pa・s)を有するものが用いられ、これにより、樹脂47は、比較的狭く形成された上面311aと下面19aとの隙間に流入することが抑制される。なお、樹脂47の粘度は、樹脂47の組成、効果促進剤の含有量、硬化温度によって調整される。   The sealing portion 9 is formed by supplying a liquid resin 47 around the SAW element 7 mounted on the support member 305, as in the first embodiment. However, as the resin 47, a resin having a certain degree of viscosity (for example, 120 Pa · s) is used, thereby suppressing the resin 47 from flowing into the gap between the upper surface 311 a and the lower surface 19 a formed relatively narrow. Is done. The viscosity of the resin 47 is adjusted by the composition of the resin 47, the content of the effect accelerator, and the curing temperature.

第3の実施形態においても、キャビティ311vが設けられ、バンプ8の一部がキャビティ311vに収容されていることによって、第1の実施形態と同様の効果が奏される。すなわち、支持部材305の上面311aとSAW素子7の下面19aとの距離をバンプ8の厚みよりも小さくすることができ、その結果、圧電デバイス1の薄型化及び液状の樹脂47の対向空間Sへの流入抑制が期待される。   Also in the third embodiment, since the cavity 311v is provided and a part of the bump 8 is accommodated in the cavity 311v, the same effect as in the first embodiment can be obtained. That is, the distance between the upper surface 311a of the support member 305 and the lower surface 19a of the SAW element 7 can be made smaller than the thickness of the bumps 8. As a result, the piezoelectric device 1 can be made thinner and the liquid resin 47 can be opposed to the opposing space S. Is expected to be suppressed.

(第4の実施形態)
図7は、第4の実施形態に係る圧電デバイスの支持部材405を示す斜視図である。
(Fourth embodiment)
FIG. 7 is a perspective view showing a support member 405 of the piezoelectric device according to the fourth embodiment.

第4の実施形態の圧電デバイスは、支持部材405の絶縁基体411の形状のみが第1の実施形態と相違する。なお、それ以外の部材については、第1の実施形態と同様であり、以下の説明では、図1〜図4の符号を参照することがある。   The piezoelectric device according to the fourth embodiment is different from the first embodiment only in the shape of the insulating base 411 of the support member 405. In addition, about other members, it is the same as that of 1st Embodiment, and the code | symbol of FIGS. 1-4 may be referred in the following description.

支持部材405は、第1の実施形態と同様に、平面透視において励振電極21及び基板パッド17に亘る範囲にキャビティ411vが形成されている。ただし、キャビティ411v内には、その底面から上方(SAW素子7側)に突出する突部411pが形成されている。   As in the first embodiment, the support member 405 has a cavity 411v formed in a range extending from the excitation electrode 21 and the substrate pad 17 in a plan view. However, a protrusion 411p is formed in the cavity 411v so as to protrude upward (on the SAW element 7 side) from the bottom surface thereof.

突部411pの高さは、例えば、キャビティ411vの深さと同等である。従って、特に図示しないが、SAW素子7の下面19aは、支持部材405の上面411aに対して、キャビティ411vの周囲において当接するとともに、突部411pにおいても当接する。   For example, the height of the protrusion 411p is equal to the depth of the cavity 411v. Accordingly, although not particularly illustrated, the lower surface 19a of the SAW element 7 is in contact with the upper surface 411a of the support member 405 around the cavity 411v and also in the protrusion 411p.

突部411pの位置はキャビティ411v内の適宜な位置とされてよく、好ましくは、複数の基板パッド17よりもキャビティ411vの中央側(励振電極21側)に位置している。突部411pの平面形状は、柱状若しくは壁状等、適宜な形状とされてよい。図7においては、基板パッド17よりも内側において、励振電極21に対向する領域を囲む壁状に形成された突部411pを例示している。   The position of the protrusion 411p may be an appropriate position in the cavity 411v, and is preferably located closer to the center side (excitation electrode 21 side) of the cavity 411v than the plurality of substrate pads 17. The planar shape of the protrusion 411p may be an appropriate shape such as a column shape or a wall shape. In FIG. 7, a protrusion 411 p formed in a wall shape surrounding a region facing the excitation electrode 21 inside the substrate pad 17 is illustrated.

第4の実施形態においても、キャビティ411vが設けられ、バンプ8がキャビティ411vに収納されることによって、第1の実施形態と同様の効果が奏される。すなわち、圧電デバイス1の薄型化及び液状の樹脂47の対向空間Sへの流入抑制等が期待される。   Also in the fourth embodiment, the cavity 411v is provided, and the bump 8 is accommodated in the cavity 411v, so that the same effect as that of the first embodiment is obtained. That is, it is expected that the piezoelectric device 1 is thinned and the inflow of the liquid resin 47 into the facing space S is suppressed.

さらに、キャビティ411v内に設けられた突部411pがSAW素子7の下面19aに当接することによって、下面19a(機能面)の撓みが抑制される。その結果、SAW素子7の特性が安定する。また、図7に例示したように、突部411pが励振電極21を囲むように設けられることによって、液状の樹脂47が励振電極21へ到達することがより確実に抑制される。   Furthermore, the protrusion 411p provided in the cavity 411v abuts on the lower surface 19a of the SAW element 7, so that the bending of the lower surface 19a (functional surface) is suppressed. As a result, the characteristics of the SAW element 7 are stabilized. Further, as illustrated in FIG. 7, the protrusion 411 p is provided so as to surround the excitation electrode 21, so that the liquid resin 47 can be more reliably suppressed from reaching the excitation electrode 21.

(第5の実施形態)
図8は、第5の実施形態に係る圧電デバイスのSAW素子507を示す斜視図である。
(Fifth embodiment)
FIG. 8 is a perspective view showing the SAW element 507 of the piezoelectric device according to the fifth embodiment.

第5の実施形態の圧電デバイスは、SAW素子507の圧電基板519の形状のみが第2の実施形態と相違する。なお、それ以外の部材については、第2の実施形態と同様であり、以下の説明では、図5の符号を参照することがある。   The piezoelectric device of the fifth embodiment is different from the second embodiment only in the shape of the piezoelectric substrate 519 of the SAW element 507. Other members are the same as those in the second embodiment, and the reference numerals in FIG. 5 may be referred to in the following description.

圧電基板519は、第2の実施形態と同様に、励振電極21及び素子パッド25に亘る範囲にキャビティ519vが形成されている。ただし、キャビティ519v内には、第4の実施形態と同様に、その底面から下方(支持部材205側)に突出する突部519pが形成されている。   As in the second embodiment, the piezoelectric substrate 519 has a cavity 519v formed in a range extending over the excitation electrode 21 and the element pad 25. However, similarly to the fourth embodiment, a protrusion 519p is formed in the cavity 519v so as to protrude downward (on the support member 205 side) from its bottom surface.

突部519pの高さは、例えば、キャビティ519vの深さと同等である。従って、特に図示しないが、支持部材205の上面211aは、圧電基板519の下面519aに対して、キャビティ519vの周囲において当接するとともに、突部519pにおいても当接する。   The height of the protrusion 519p is equal to the depth of the cavity 519v, for example. Therefore, although not particularly illustrated, the upper surface 211a of the support member 205 is in contact with the lower surface 519a of the piezoelectric substrate 519 around the cavity 519v and also in the protrusion 519p.

突部519pの位置及び平面形状は、第4の実施形態の突部411pと同様に、適宜に設定されてよい。ただし、励振電極21と素子パッド25とを接続する不図示の配線は、突部411p(段差)を跨がないことが好ましいから、突部519pは、当該配線の配置位置を避けて形成されることが好ましい(図7に例示したような、素子パッド25の内側において励振電極21を囲む環状の壁は避けることが好ましい。)。   The position and planar shape of the protrusion 519p may be set appropriately as in the protrusion 411p of the fourth embodiment. However, since the wiring (not shown) that connects the excitation electrode 21 and the element pad 25 preferably does not straddle the protrusion 411p (step), the protrusion 519p is formed avoiding the arrangement position of the wiring. (It is preferable to avoid an annular wall surrounding the excitation electrode 21 inside the element pad 25 as illustrated in FIG. 7).

第5の実施形態においても、キャビティ519vが設けられ、バンプ8がキャビティ519vに収納されることによって、第1及び第2の実施形態と同様の効果が奏される。すなわち、圧電デバイス1の薄型化及び液状の樹脂47の対向空間Sへの流入抑制等が期待される。さらに、突部519pが設けられることによって、第4の実施形態と同様に、圧電基板519の機能面の撓みが抑制され、また、液状の樹脂47が励振電極21へ到達することがより確実に抑制される。   Also in the fifth embodiment, the cavity 519v is provided, and the bump 8 is accommodated in the cavity 519v, so that the same effect as in the first and second embodiments can be obtained. That is, it is expected that the piezoelectric device 1 is thinned and the inflow of the liquid resin 47 into the facing space S is suppressed. Further, by providing the protrusion 519p, the functional surface of the piezoelectric substrate 519 is suppressed from being bent as in the fourth embodiment, and the liquid resin 47 can more reliably reach the excitation electrode 21. It is suppressed.

(第6の実施形態)
図9は、第6の実施形態に係るモジュール部品600を示す断面図である。
(Sixth embodiment)
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a module component 600 according to the sixth embodiment.

第6の実施形態は、SAW素子7の他に、電子部品31が支持部材605(回路基板)に実装され、SAW素子7及び電子部品31が封止部609によって共に封止されている点のみが第1の実施形態と相違する。   In the sixth embodiment, in addition to the SAW element 7, the electronic component 31 is mounted on the support member 605 (circuit board), and only the SAW element 7 and the electronic component 31 are sealed together by the sealing portion 609. Is different from the first embodiment.

電子部品31は、例えば、IC、抵抗、コンデンサ若しくはインダクタであり、支持部材605に表面実装されている。電子部品31は、支持部材605を介してSAW素子7若しくは他の電子部品31と接続されていてもよいし、第1の実施形態のSAW素子7と同様に、単に外部端子に接続されているだけでもよい。   The electronic component 31 is, for example, an IC, a resistor, a capacitor, or an inductor, and is surface-mounted on the support member 605. The electronic component 31 may be connected to the SAW element 7 or another electronic component 31 via the support member 605, or is simply connected to an external terminal, like the SAW element 7 of the first embodiment. Just be fine.

SAW素子7及び支持部材605の基本的な構成は第1の実施形態と概ね同様である。すなわち、支持部材605(絶縁基体611)にはキャビティ611vが形成され、バンプ8はキャビティ611vに収納されている。   The basic configurations of the SAW element 7 and the support member 605 are substantially the same as those in the first embodiment. That is, a cavity 611v is formed in the support member 605 (insulating base 611), and the bumps 8 are accommodated in the cavity 611v.

なお、モジュール部品600及び後述するモジュール部品700は、その全体が圧電デバイスと捉えられてもよいし、圧電デバイスを一部に含むものと捉えられてもよい。   Note that the module component 600 and the module component 700 described later may be regarded as a piezoelectric device as a whole, or may be regarded as including a piezoelectric device in part.

第6の実施形態においても、第1の実施形態と同様の効果が奏される。すなわち、モジュール部品600の薄型化、圧電基板19の機能面の撓み抑制、液状の樹脂47の対向空間Sへの流入抑制、支持部材605内部を貫通する配線の短小化等が期待される。   In the sixth embodiment, the same effect as that of the first embodiment is achieved. That is, it is expected that the module component 600 is thinned, the functional surface of the piezoelectric substrate 19 is prevented from being bent, the liquid resin 47 is prevented from flowing into the facing space S, and the wiring penetrating through the support member 605 is shortened.

(第7の実施形態)
図10は、第7の実施形態に係るモジュール部品700を示す断面図である。
(Seventh embodiment)
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a module component 700 according to the seventh embodiment.

第7の実施形態は、SAW素子7の他に、電子部品31が支持部材705に実装され、SAW素子207及び電子部品31が封止部709によって共に封止されている点のみが第2の実施形態と相違する。   In the seventh embodiment, in addition to the SAW element 7, the electronic component 31 is mounted on the support member 705, and only the second point is that the SAW element 207 and the electronic component 31 are sealed together by the sealing portion 709. It is different from the embodiment.

SAW素子207及び支持部材705の基本的な構成は第2の実施形態と概ね同様である。すなわち、SAW素子207(圧電基板219)にはキャビティ219vが形成され、バンプ8はキャビティ219vに収納されている。   The basic configuration of the SAW element 207 and the support member 705 is substantially the same as in the second embodiment. That is, the cavity 219v is formed in the SAW element 207 (piezoelectric substrate 219), and the bumps 8 are accommodated in the cavity 219v.

第7の実施形態においても、第2の実施形態と同様の効果が奏される。すなわち、モジュール部品700の薄型化、圧電基板219の機能面の撓み抑制、液状の樹脂47の対向空間Sへの流入抑制等が期待される。   In the seventh embodiment, the same effects as those of the second embodiment are achieved. That is, it is expected to reduce the thickness of the module component 700, suppress the bending of the functional surface of the piezoelectric substrate 219, suppress the inflow of the liquid resin 47 into the facing space S, and the like.

(細部の位置、大きさ若しくは形状等)
図11(a)〜図11(c)は、基板パッド17及び素子パッド25の位置及び大きさ等について好適な例を示す断面図である。なお、これらの図においては、紙面左側がキャビティ(11v等)の外側であるものとする。また、これらの図においては、第1の実施形態の符号を用いるが、他の実施形態においても同様である。
(Position, size or shape of details)
FIG. 11A to FIG. 11C are cross-sectional views showing preferable examples of the positions and sizes of the substrate pads 17 and the element pads 25. In these drawings, it is assumed that the left side of the drawing is the outside of the cavity (11v, etc.). In these drawings, the reference numerals of the first embodiment are used, but the same applies to other embodiments.

図11(a)の例では、基板パッド17は、素子パッド25よりも広く、且つ、全体として(例えば平面視における図心の位置同士を比較したときに)素子パッド25に対してキャビティ11vの外側へずれている。   In the example of FIG. 11A, the substrate pad 17 is wider than the element pad 25, and as a whole (for example, when the positions of centroids in a plan view are compared), the cavity 11v is located with respect to the element pad 25. It is shifted outward.

従って、バンプ8となる溶融したはんだは、基板パッド17及び素子パッド25を濡らすためにキャビティ11vの内外の方向に延び、その一方で、表面積を小さくするために収縮しようとするから、基板パッド17と素子パッド25とを近づける引張力を生じる。   Accordingly, the molten solder that becomes the bumps 8 extends in and out of the cavity 11v in order to wet the substrate pads 17 and the element pads 25, while trying to shrink to reduce the surface area. And a tensile force that brings the element pad 25 closer.

ここで、図2に示したように、基板パッド17及び素子パッド25は、複数設けられ、圧電基板19の外周側に環状に配列されている。従って、上記の引張力は、xy平面に沿う方向においては複数の基板パッド17及び素子パッド25間において相殺される一方で、z方向においては、SAW素子7を支持部材5側へ引きつける力として作用する。   Here, as shown in FIG. 2, a plurality of substrate pads 17 and element pads 25 are provided, and are arranged annularly on the outer peripheral side of the piezoelectric substrate 19. Therefore, the tensile force is canceled out between the plurality of substrate pads 17 and the element pads 25 in the direction along the xy plane, while acting as a force for attracting the SAW element 7 toward the support member 5 in the z direction. To do.

このように、環状に配列された複数の基板パッド17及び素子パッド25において、基板パッド17を素子パッド25に対して環の外側にずらして配置することによって、SAW素子7と支持部材5との隙間を小さくしたり、これらを互いに当接させたりすることが容易化される。なお、素子パッド25を基板パッド17に対して環の外側にずらすことによって上記の効果を得ることも可能である。   In this manner, among the plurality of substrate pads 17 and element pads 25 arranged in an annular shape, the substrate pad 17 is arranged so as to be shifted to the outside of the ring with respect to the element pad 25, whereby the SAW element 7 and the support member 5 are arranged. It is easy to make the gap small or to bring them into contact with each other. The above effect can be obtained by shifting the element pad 25 to the outside of the ring with respect to the substrate pad 17.

図11(b)の例では、基板パッド17は、素子パッド25と同等の面積であるが、図11(a)と同様に、全体として素子パッド25に対してキャビティ11vの外側へずれている。従って、図11(a)と同様に、SAW素子7は、バンプ8によって支持部材5に引きつけられやすくなる。   In the example of FIG. 11B, the substrate pad 17 has the same area as the element pad 25, but as a whole, the substrate pad 17 is shifted to the outside of the cavity 11v with respect to the element pad 25. . Accordingly, as in FIG. 11A, the SAW element 7 is easily attracted to the support member 5 by the bumps 8.

図11(c)の例では、基板パッド17は、図11(a)及び図11(b)と同様に、全体として素子パッド25に対してキャビティ11vの外側へずれ、且つ、キャビティ11vの内壁にまで設けられている。従って、図11(a)及び図11(b)と同様の効果がより一層期待される。   In the example of FIG. 11C, the substrate pad 17 is displaced to the outside of the cavity 11v as a whole with respect to the element pad 25 and the inner wall of the cavity 11v, as in FIGS. 11A and 11B. It is provided up to. Therefore, the same effect as in FIGS. 11A and 11B is further expected.

図12は、第2の実施形態のように、圧電基板にキャビティが形成される場合におけるキャビティ(キャビティ周囲の突部)の好適な形状の例を示す断面図である。なお、当該図においては、第2の実施形態の符号を用いるが、圧電基板にキャビティが形成される他の実施形態においても同様である。   FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating an example of a preferable shape of a cavity (a protrusion around the cavity) when the cavity is formed on the piezoelectric substrate as in the second embodiment. In the figure, the reference numerals of the second embodiment are used, but the same applies to other embodiments in which a cavity is formed in the piezoelectric substrate.

キャビティ219vの内壁は、突部219wが先端ほど細くなるように傾斜して形成されている。このような傾斜面は、例えば、反応性イオンエッチング等のエッチングによってキャビティ219vを形成するときにおいて、エッチングガスの組成比や印加電圧等のエッチングの条件を適宜に設定することによって形成される。   The inner wall of the cavity 219v is formed so as to be inclined so that the protrusion 219w becomes thinner toward the tip. Such an inclined surface is formed, for example, by appropriately setting etching conditions such as a composition ratio of etching gas and an applied voltage when the cavity 219v is formed by etching such as reactive ion etching.

このように突部219wが先端ほど細くなると、圧電基板219に上方から下方への荷重が加えられたときに、その荷重を突部219wの変形によって吸収しやすくなり、圧電基板219の機能面の撓みが抑制される。その結果、SAW素子の特性が安定する。   When the protrusion 219w becomes thinner toward the tip in this manner, when a load from above to below is applied to the piezoelectric substrate 219, the load is easily absorbed by the deformation of the protrusion 219w, and the functional surface of the piezoelectric substrate 219 is improved. Deflection is suppressed. As a result, the characteristics of the SAW element are stabilized.

本発明は、以上の実施形態及び変形例に限定されず、種々の態様で実施されてよい。   The present invention is not limited to the above embodiments and modifications, and may be implemented in various aspects.

圧電素子は、SAW素子に限定されない。圧電素子は、弾性波を利用しないものであってもよいし、圧電薄膜共振器等のSAW以外の弾性波を利用するものであってもよい。SAW素子の具体的な構成は、実施形態において例示したものに限定されない。例えば、SAW素子は、励振電極を覆うSiO等からなる保護層を有していてもよい。 The piezoelectric element is not limited to a SAW element. The piezoelectric element may be one that does not use elastic waves, or one that uses elastic waves other than SAW, such as a piezoelectric thin film resonator. The specific configuration of the SAW element is not limited to that exemplified in the embodiment. For example, the SAW element may have a protective layer made of SiO 2 or the like that covers the excitation electrode.

キャビティは、支持部材及び圧電素子のいずれか一方のみにではなく、支持部材及び圧電素子の双方に設けられていてもよい。この場合において、支持部材に設けられたキャビティと圧電素子に設けられたキャビティとは、一部若しくは全部が重なってもよいし、重ならなくてもよい。   The cavity may be provided not only in one of the support member and the piezoelectric element but also in both the support member and the piezoelectric element. In this case, the cavity provided in the support member and the cavity provided in the piezoelectric element may or may not partially overlap each other.

キャビティ内に位置する突部は、支持部材及び圧電素子のうちキャビティが形成された側の部材に設けられるものに限定されず、他方の部材に設けられ、キャビティに挿入されて荷重を支持するものであってもよい。   The protrusion located in the cavity is not limited to the support member and the piezoelectric element provided on the member on the side where the cavity is formed, but provided on the other member and inserted into the cavity to support the load. It may be.

キャビティによって対向空間が形成される場合(第1及び第2の実施形態等)において、キャビティの周囲において、支持部材の上面と圧電素子の下面とは当接していなくてもよい。すなわち、キャビティが設けられる場合においても、第3の実施形態のように、上面と下面との間に隙間が形成され、樹脂の粘性によって流入が抑制されてもよい。   When the opposing space is formed by the cavity (the first and second embodiments and the like), the upper surface of the support member and the lower surface of the piezoelectric element do not have to be in contact with each other around the cavity. That is, even when the cavity is provided, a gap may be formed between the upper surface and the lower surface as in the third embodiment, and the inflow may be suppressed by the viscosity of the resin.

1…圧電デバイス、5…支持部材、11…絶縁基体、11a…上面、7…SAW素子(圧電素子)、8…バンプ(接合部材)、9…封止部(封止材)、11v…キャビティ、19…圧電基板、19a…下面、21…励振電極。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Piezoelectric device, 5 ... Support member, 11 ... Insulating base | substrate, 11a ... Upper surface, 7 ... SAW element (piezoelectric element), 8 ... Bump (joining member), 9 ... Sealing part (sealing material), 11v ... Cavity 19 ... Piezoelectric substrate, 19a ... lower surface, 21 ... excitation electrode.

Claims (7)

絶縁基体を有する支持部材と、
前記絶縁基体の上面に下面を対向させた圧電基板と、該圧電基板の下面側に設けられ、対向空間を介して前記支持部材と対向する励振電極とを有する圧電素子と、
前記支持部材と前記圧電素子との間に介在してこれらを接続する接合部材と、
前記支持部材上において前記圧電素子の外周に設けられた封止材と、
を有し、
前記絶縁基体の上面及び前記圧電基板の下面の少なくとも一方にはキャビティが設けられており、
前記接合部材は前記キャビティ内に少なくとも一部が収納されている
圧電デバイス。
A support member having an insulating substrate;
A piezoelectric substrate having a piezoelectric substrate having a lower surface opposed to the upper surface of the insulating substrate, and an excitation electrode provided on the lower surface side of the piezoelectric substrate and opposed to the support member via a facing space;
A joining member interposed between the support member and the piezoelectric element to connect them;
A sealing material provided on an outer periphery of the piezoelectric element on the support member;
Have
A cavity is provided in at least one of the upper surface of the insulating base and the lower surface of the piezoelectric substrate,
At least a part of the joining member is accommodated in the cavity. Piezoelectric device.
前記キャビティは、前記絶縁基体の上面に設けられ、
前記励振電極は、前記キャビティに対向する位置に設けられている
請求項1に記載の圧電デバイス。
The cavity is provided on an upper surface of the insulating substrate;
The piezoelectric device according to claim 1, wherein the excitation electrode is provided at a position facing the cavity.
前記キャビティは、前記圧電基板の下面に設けられ、
前記励振電極は、前記キャビティ内に設けられている
請求項1に記載の圧電デバイス。
The cavity is provided on a lower surface of the piezoelectric substrate;
The piezoelectric device according to claim 1, wherein the excitation electrode is provided in the cavity.
前記絶縁基体の上面と前記圧電基板の下面とが前記キャビティの周囲において当接している
請求項2又は3に記載の圧電デバイス。
The piezoelectric device according to claim 2, wherein an upper surface of the insulating base and a lower surface of the piezoelectric substrate are in contact with each other around the cavity.
前記絶縁基体及び前記圧電基板の少なくとも一方は、前記キャビティ内に位置して他方に当接する突部を有する
請求項4に記載の圧電デバイス。
The piezoelectric device according to claim 4, wherein at least one of the insulating base and the piezoelectric substrate has a protrusion that is located in the cavity and contacts the other.
前記支持部材は、前記絶縁基体の上面側に環状に配列され、前記接合部材が接合された複数の基板パッドを有し、
前記圧電素子は、前記圧電基板の下面側に環状に配列され、前記接合部材が接合された複数の素子パッドを有し、
前記基板パッドは、前記素子パッドに対して環の外側へずれて配置されている
請求項4又は5に記載の圧電デバイス。
The support member is annularly arranged on the upper surface side of the insulating base, and has a plurality of substrate pads to which the bonding member is bonded,
The piezoelectric element has a plurality of element pads that are annularly arranged on the lower surface side of the piezoelectric substrate and to which the bonding member is bonded.
The piezoelectric device according to claim 4, wherein the substrate pad is arranged so as to be shifted to the outside of the ring with respect to the element pad.
絶縁基体を有する回路基板と、
前記絶縁基体の上面に下面を対向させた圧電基板と、該圧電基板の下面側に設けられ、対向空間を介して前記回路基板と対向する励振電極とを有する圧電素子と、
前記回路基板と前記圧電素子との間に介在してこれらを接続する接合部材と、
前記回路基板上において前記圧電素子の外周に設けられた封止材と、
前記回路基板上に実装され、前記封止材に覆われた電子素子と、
を有し、
前記絶縁基体の上面及び前記圧電基板の下面の少なくとも一方にはキャビティが設けられており、
前記接合部材は前記キャビティ内に少なくとも一部が収納されている
モジュール部品。
A circuit board having an insulating substrate;
A piezoelectric substrate having a piezoelectric substrate having a lower surface opposed to the upper surface of the insulating substrate, and an excitation electrode provided on the lower surface side of the piezoelectric substrate and opposed to the circuit substrate via a facing space;
A bonding member interposed between the circuit board and the piezoelectric element to connect them;
A sealing material provided on an outer periphery of the piezoelectric element on the circuit board;
An electronic element mounted on the circuit board and covered with the sealing material;
Have
A cavity is provided in at least one of the upper surface of the insulating base and the lower surface of the piezoelectric substrate,
A module component in which at least a part of the joining member is housed in the cavity.
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