JP2013225492A - 凹凸パターンを有する基板を備えたデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 デバイスを製造する方法は、ゾルゲル材料を基板上に塗布し、塗布されたゾルゲル材料に所定の凹凸パターンを転写する基板形成工程P1と、凹凸パターンが形成された基板を洗浄する洗浄工程P2と、洗浄された基板上に第1電極をパターニングにより形成する第1電極形成工程P3と、第1電極が形成された基板をアニールするアニール工程P4と、アニールされた基板上に薄膜を形成する薄膜形成工程P5と、薄膜上に第2電極を形成する第2電極形成工程P6を含む。ゾルゲル材料を用いているのでデバイスの製造プロセスに耐性を有する。
【選択図】 図1
Description
ゾルゲル材料を基板上に塗布し、塗布されたゾルゲル材料に所定の凹凸パターンを転写することで凹凸パターンが形成された基板を形成する基板形成工程と、
前記凹凸パターンが形成された基板を洗浄する洗浄工程と、
洗浄された基板上に第1電極をパターニングにより形成する第1電極形成工程と、
第1電極が形成された基板をアニールするアニール工程と、
第1電極上に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜上に第2電極を形成する第2電極形成工程とを含むデバイスの製造方法が提供される。
最初に、凹凸パターンを形成したゾルゲル材料層42を有する基板40を製造する方法について説明する。図2に示すように、主に、フィルム状モールドを用意する工程S0、ゾルゲル材料を調製する溶液調製工程S1、調製されたゾルゲル材料を基板に塗布する塗布工程S2、基板に塗布されたゾルゲル材料の塗膜を乾燥する乾燥工程S3、乾燥した塗膜に、フィルム状モールドを押し付ける転写工程S4、モールドを塗膜から剥離する剥離工程S5、及び塗膜を本焼成する本焼成工程S6を有する。以下、各工程について順に説明する。
本発明の光学部材の製造に用いるフィルム状モールドは、長尺で可撓性のあるフィルムまたはシート状であり、表面に凹凸の転写パターンを有するモールドである。例えば、シリコーン樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンテレナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、シクロオレフィンポリマー(COP)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリスチレン(PS)、ポリイミド(PI)、ポリアリレートのような有機材料で形成される。また、凹凸パターンは、上記材料に直接形成されていてもよいし、上記材料を基材(基板シート)として、その上に被覆された凹凸形成材料に形成してもよい。凹凸形成材料としては、光硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が使用できる。
光学基板の製造方法において、ゾルゲル法によりパターンを転写する塗膜を形成するために用いるゾルゲル材料(ゾル溶液)を調製する(図2の工程S1)。例えば、基板上に、シリカをゾルゲル法で合成する場合は、金属アルコキシド(シリカ前駆体)のゾルゲル材料を調製する。シリカの前駆体として、テトラメトキシシラン(MTES)、テトラエトキシシラン(TEOS)、テトラ-i-プロポキシシラン、テトラ-n-プロポキシシラン、テトラ-i-ブトキシシラン、テトラ-n-ブトキシシラン、テトラ-sec-ブトキシシラン、テトラ-t-ブトキシシラン等のテトラアルコキシドモノマーや、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、イソプロピルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、エチルトリプロポキシシラン、プロピルトリプロポキシシラン、イソプロピルトリプロポキシシラン、フェニルトリプロポキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、プロピルトリイソプロポキシシラン、イソプロピルトリイソプロポキシシラン、フェニルトリイソプロポキシシラン等のトリアルコキシドモノマーや、これらモノマーを少量重合したポリマー、前記材料の一部に官能基やポリマーを導入したことを特徴とする複合材料などの金属アルコキシドが挙げられる。さらに、金属アセチルアセトネート、金属カルボキシレート、オキシ塩化物、塩化物や、それらの混合物などが挙げられるが、これらに限定されない。また、金属種としては、Si以外にTi、Sn、Al、Zn、Zr、Inなどや、これらの混合物などが挙げられるが、これらに限定されない。上記酸化金属の前駆体を適宜混合したものを用いることもできる。
上記のように調製したゾルゲル材料を基板上に塗布する(図2の工程S2)。量産性の観点から、複数の基板を連続的に搬送させながら所定位置でゾルゲル材料を基板に塗布することが好ましい。塗布方法として、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法などの任意の塗布方法を使用することができるが、比較的大面積の基板にゾルゲル材料を均一に塗布可能であること、ゾルゲル材料がゲル化する前に素早く塗布を完了させることができることからすれば、ダイコート法、バーコート法及びスピンコート法が好ましい。
塗布工程後、塗膜(以下、適宜、「ゾルゲル材料層」とも言う)中の溶媒を蒸発させるために基板を大気中もしくは減圧下で保持して乾燥する(図2の工程S3)。この保持時間が短いと塗膜の粘度が低すぎて後続の転写工程にてパターン転写ができず、保持時間が長すぎると前駆体の重合反応が進みすぎて転写工程にて転写ができなくなる。光学基板を量産する場合には、この保持時間は、ゾルゲル材料の塗布から後続のフィルム状モールドによる転写工程に付されるまでの基板の搬送時間で管理することができる。この乾燥工程における基板の保持温度として、10〜100℃の範囲で一定温度が望ましく、10〜30℃の範囲で一定温度がより望ましい。保持温度がこの範囲より高いと、転写工程前に塗膜のゲル化反応が急速に進行するために好ましくなく、保持温度がこの範囲より低いと、転写工程前の塗膜のゲル化反応が遅く、生産性が低下し好ましくない。ゾルゲル材料を塗布後、溶媒の蒸発が進むとともに前駆体の重合反応も進行し、ゾルゲル材料の粘度などの物性も短時間で変化する。溶媒の蒸発量は、ゾルゲル材料調製時に使用する溶媒量(ゾルゲル材料の濃度)にも依存する。例えば、ゾルゲル材料がシリカ前駆体である場合には、ゲル化反応としてシリカ前駆体の加水分解・縮重合反応が起こり、脱アルコール反応を通じてゾルゲル材料中にアルコールが生成する。一方、ゾルゲル材料中には溶媒としてアルコールのような揮発性溶媒が使用されている。つまり、ゾルゲル材料中には、加水分解過程に生成したアルコールと、溶媒として存在したアルコールが含まれ、それらを乾燥工程で除去することでゾルゲル反応が進行する。それゆえ、ゲル化反応と用いる溶媒も考慮して保持時間や保持温度を調整することが望ましい。なお、乾燥工程では、基板をそのまま保持するだけでゾルゲル材料中の溶媒が蒸発するので、必ずしも加熱や送風などの積極的な乾燥操作を行う必要がなく、塗膜を形成した基板をそのまま所定時間だけ放置したり、後続の工程のために所定時間の間に搬送するだけでも足りる。すなわち、基板形成工程において乾燥工程は必須ではない。
上記のようにして設定された経過時間後に、前述の工程S0で用意したフィルム状モールドを押圧ロール(ラミネートロール)により塗膜に押し付けることでフィルム状モールドの凹凸パターンを基板上の塗膜に転写する(図2の工程S4)。例えば、図4に示すように押圧ロール22とその直下に搬送されている基板40との間にフィルム状モールド80aを送り込むことでフィルム状モールド80aの凹凸パターンを基板40上の塗膜(ゾルゲル材料)42に転写することができる。すなわち、フィルム状モールド80aを押圧ロール22により塗膜42に押し付ける際に、フィルム状モールド80aと基板40を同期して搬送しながらフィルム状モールド80aを基板40の塗膜42の表面に被覆する。この際、押圧ロール22をフィルム状モールド80aの裏面(凹凸パターンが形成された面と反対側の面)に押しつけながら回転させることで、フィルム状モールド80aと基板40が進行しながら密着する。なお、長尺のフィルム状モールド80aを押圧ロール22に向かって送り込むには、工程S0にて長尺のフィルム状モールド80aが巻き取られたフィルム巻き取りロール87(図3参照)からそのままフィルム状モールド80aを繰り出して用いるのが有利である。
転写工程または仮焼成工程後の塗膜(ゾルゲル材料層)からモールドを剥離する(工程S5)。前述のようにロールプロセスを使用するので、プレス式で用いるプレート状モールドに比べて剥離力は小さくてよく、塗膜がモールドに残留することなく容易にモールドを塗膜から剥離することができる。特に、塗膜を加熱しながら押圧するので反応が進行し易く、押圧直後にモールドは塗膜から剥離し易くなる。さらに、モールドの剥離性の向上のために、剥離ロールを使用してもよい。図4に示すように剥離ロール23を押圧ロール22の下流側に設け、剥離ロール23によりフィルム状モールド80aを塗膜42に付勢しながら回転支持することで、フィルム状モールド80aが塗膜に付着された状態を押圧ロール22と剥離ロール23の間の距離だけ(一定時間)維持することができる。そして、剥離ロール23の下流側でフィルム状モールド80aを剥離ロール23の上方に引き上げるようにフィルム状モールド80aの進路を変更することでフィルム状モールド80aが塗膜42から引き剥がされる。なお、フィルム状モールド80aが塗膜に付着されている期間に前述の塗膜の仮焼成や加熱を行ってもよい。なお、剥離ロール23を使用する場合には、例えば40〜150℃に加熱しながら剥離することにより塗膜の剥離を一層容易にすることができる。
基板40の塗膜(ゾルゲル材料層)42からモールドが剥離された後、塗膜を本焼成する(図2の工程S6)。本焼成により塗膜を構成するシリカのようなゾルゲル材料層中に含まれている水酸基などが脱離して塗膜がより強固となる。本焼成は、200〜1200℃の温度で、5分〜6時間程度行うのが良い。こうして塗膜は硬化してモールドの凹凸パターンに対応する凹凸パターン膜を有する基板、すなわち、平坦な基板上に凹凸パターンを有するゾルゲル材料層が直接形成された基板が得られる。この時、ゾルゲル材料層がシリカである場合は、焼成温度、焼成時間に応じて非晶質または結晶質、または非晶質と結晶質の混合状態となる。
上記のようにして凹凸パターンが形成されたゾルゲル材料層42が形成された基板40(光取り出し基板)を洗浄する。洗浄は、基板に付着している異物などを除去するために行うものであり、例えば、純水中で線状又は短冊状に加工されたポリプロピレンや塩化ビニールなどを回転シャフトの周囲に植えつけて構成されるロールブラシのようなブラシを用いて基板を機械的に洗浄し、次いで、アルカリ性洗浄剤および有機溶剤で有機物等を除去することが行われる。アルカリ洗浄剤として、例えば、セミコクリーンの商品名で市販されているアルカリ性有機化合物溶液、エチルアミン、ジエチルアミン、エタノールアミン、水酸化2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウム(コリン)などを用い得る。有機溶剤として、例えば、アセトン、イソプロピルアルコール(IPA)等を使用することができる。
次いで、洗浄された基板40のゾルゲル材料層42上に、第1電極としての透明電極92を、図6に示すようにゾルゲル材料層42の表面に形成されている凹凸構造が維持されるようにして積層する(図1の第1電極形成工程P2)。この透明電極92の形成プロセスを、図5を参照しながら説明する。最初に、図5(a)に示すように、基板40上に、透明電極92を形成する電極材料層32を成膜する。成膜方法としては、蒸着法、スパッタ法、CVD法、スプレー法等の公知の方法を適宜採用することができる。これらの方法の中でも、密着性を上げるという観点から、スパッタ法が好ましい。電極材料としては、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド(ITO)、金、白金、銀、銅が用いられる。これらの中でも、透明性と導電性の観点から、ITOが好ましい。電極材料層32(ひいては透明電極92)の厚みは20〜500nmの範囲であることが好ましい。厚みが前記下限未満では、導電性が不十分となり易く、前記上限を超えると、透明性が不十分となり発光したEL光を十分に外部に取り出せなくなる可能性がある。
上記のフォトリソグラフィプロセスの後、パターン化した透明電極は、結晶性を上げることで抵抗値を下げ、透過率を向上させる目的でアニールされる(図1のアニール工程P4)。アニールは一般に通常、加熱炉内で10分〜3時間ほど行われ、アニール温度は、通常、160〜360℃、例えば250℃である。アニール工程において、光学基板は250度ほどの高温のアニール処理に曝されるが、一般にゾルゲル材料層42は無機材料から形成されており耐熱性を有するので、アニール処理により影響を受けることはない。最後に、アニールされた基板を洗浄する。洗浄は、先の光学基板と同様の洗浄方法が用いられ、例えば、ブラシ洗浄とUV/O3処理を用い得る。
次に、透明電極92上に、図6に示すような有機層94を積層する(図1の薄膜形成工程P5)。このような有機層94は、有機EL素子の有機層に用いることが可能なものであれば特に制限されず、公知の有機層を適宜利用することができる。また、このような有機層94は、種々の有機薄膜の積層体であってもよく、例えば、図6に示すような正孔輸送層95、発光層96、及び電子輸送層97からなる積層体であってもよい。ここで、正孔輸送層95の材料としては、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(TPD)や4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)等の芳香族ジアミン化合物、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、ポリアリールアルカン、ブタジエン、4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
有機EL素子形成工程においては、次いで、図6に示すように有機層94上に第2電極としての金属電極98を積層する(図1の第2電極形成工程P6)。金属電極98の材料としては、仕事関数の小さな物質を適宜用いることができ、特に限定されないが、例えば、アルミニウム、MgAg、MgIn、AlLiが挙げられる。また、金属電極98の厚みは50〜500nmの範囲であることが好ましい。厚みが前記下限未満では、導電性が低下し易く、前記上限を超えると、電極間の短絡が発生した際に、修復が困難となる可能性がある。金属電極98は、蒸着法、スパッタ法等の公知の方法を採用して積層することができる。こうして、図6に示すような構造の有機EL素子200が得られる。
この実施例では、最初に回折格子基板を作製し、次いでこの回折格子基板を用いて有機EL素子を製造する。最初に回折格子基板を作製するために、BCP法を用いて凹凸表面を有するモールドを作製する。
下記のようなポリスチレン(以下、適宜「PS」と略する)とポリメチルメタクリレート(以下、適宜「PMMA」と略する)とからなるPolymer Source社製のブロック共重合体を用意した。
PSセグメントのMn=868,000
PMMAセグメントのMn=857,000
ブロック共重合体のMn=1,725,000
PSセグメントとPMMAセグメントの体積比(PS:PMMA)=53:47
分子量分布(Mw/Mn)=1.30、PSセグメントのTg=96℃
PMMAセグメントのTg=110℃
エタノール24.3g、水2.16g及び濃塩酸0.0094gを混合した液に、テトラエトキシシラン(TEOS)2.5gとメチルトリエトキシシラン(MTES)2.1gを滴下して加え、23℃、湿度45%で2時間攪拌してゾルゲル材料を得た。このゾルゲル材料を、15×15×0.11cmのソーダライム製ガラス板上にバーコートした。バーコーターとしてドクターブレード(YOSHIMITSU SEIKI社製)を用いた。このドクターブレードは塗膜の膜厚が5μmとなるような設計であったがドクターブレードに35μmの厚みのイミドテープを張り付けて塗膜の膜厚が40μmとなるように調整した。ゾルゲル材料の塗布60秒後に、塗膜に上記のようにして作製した回折格子モールドを、80℃に加熱した押圧ロールを用いてガラス板上の塗膜に押し付けながら回転移動した。塗膜の押圧が終了後、モールドを手作業で剥離し、次いでオーブンを用いて300℃で60分加熱して本焼成を行った。こうして回折格子モールドのパターンがゾルゲル材料に転写された回折格子基板を得た。なお、押圧ロールは、内部にヒータを備え、外周が4mm厚の耐熱シリコーンが被覆されたロールであり、ロール径φが50mm、軸方向長さが350mmのものを用いた。
測定モード:ダイナミックフォースモード
カンチレバー:SI−DF40(材質:Si、レバー幅:40μm、チップ先端の直径:10nm)
測定雰囲気:大気中
測定温度:25℃
上記のようにして得られた回折格子としてのゾルゲル材料層よりなるパターンが形成されたガラス基板について、付着している異物などを除去するために、純水中でブラシで洗浄した。次いで、アルカリ性洗浄剤としてのセミコクリーンおよび有機溶剤であるIPAを用いて超音波洗浄することでガラス基板に付着している有機物等を除去した。こうして洗浄した前記基板上に、透明電極を以下のようにしてパターニングにより形成した(図5参照)。まず、ITOをスパッタ法で300℃にて厚み120nmで成膜した。次いで、フォトレジスト(東京応化工業製:TFR−H)をスピンコート法で塗布して透明電極用マスクパターンを介して波長365nmの光で露光した。その後、現像液として2.5%濃度のTMAH水溶液を用いてフォトレジストの露光部をエッチング除去してITOの一部を露出した。次いで、エッチング液として18%濃度の塩酸を用いて露出したITOの領域を除去した。最後に剥離液としてDMSOとNMPの1:1混合溶液を用いて残留するフォトレジストを除去した。こうして所定のパターンの透明電極を得た。得られた透明電極付き基板をブラシで洗浄し、有機溶剤(IPA)を用いて超音波洗浄することで基板に付着している有機物等を除去した後、UV/O3処理し、予め250℃にした加熱炉に基板を入れて大気雰囲気中で20分間アニール処理を行った。
150℃に加熱した押圧ロールを用いた以外は実施例1と同様にして、回折格子基板を作製した。その結果、実施例1と同様にパターン転写でき、回折格子基板の凹凸パターンの深さ分布の平均値は56nm、平均ピッチは420nmであることを確認した。
この実施例では、凹凸パターンがゾルゲル材料で形成された回折格子基板(以下、「ゾルゲルパターン基板」と呼ぶ)と、同じ凹凸パターンが樹脂で形成された回折格子基板(以下、「樹脂パターン基板」という)をそれぞれ用意し、有機EL素子製造過程における回折格子基板の耐洗浄性、耐薬品性及び耐熱性について比較して検証した。「ゾルゲルパターン基板」として、実施例1において作製した回折格子基板を用いた。「樹脂パターン基板」は以下のようにして作製した。15×15×0.11cmのソーダライムガラス基板上にフッ素系UV硬化性樹脂を塗布し、実施例1にて作製した回折格子モールドを押し付けながら、紫外線を600mJ/cm2で照射することでフッ素系UV硬化性樹脂を硬化させた。樹脂が硬化後、回折格子モールドを硬化した樹脂から剥離した。こうして回折格子モールドの表面形状が転写された樹脂パターン基板を得た。
薄膜形成工程前の洗浄工程における回折格子基板の耐性を評価するために、ゾルゲルパターン基板と樹脂パターン基板について、以下の3種類の洗浄実験を行った。
超音波洗浄機(株式会社国際電気エレテック社製)にイソプロピルアルコール(IPA)を充填し、ゾルゲルパターン基板と樹脂パターン基板をそれぞれ浸漬して、出力200Wにて20分間、室温下で洗浄した。次に、洗浄液としてイソプロピルアルコールをアセトンに代えて、ゾルゲルパターン基板と樹脂パターン基板をイソプロピルアルコールの場合と同様の条件で超音波洗浄した。さらに、洗浄液としてイソプロピルアルコールをセミコクリーン56に代えて、ゾルゲルパターン基板と樹脂パターン基板をそれぞれ浸漬して、出力200Wにて10分間、室温下で超音波洗浄した。
ゾルゲルパターン基板と樹脂パターン基板を、小型枚様式ブラシ洗浄機(株式会社今井製作所製)を用いて洗浄した。ブラシには100μm径のナイロンをロール表面に植え込んだロールブラシを用いた。ロールブラシの回転数500rpm、基板へのロールブラシの押圧0.2MPa、基板搬送速度1m/分の条件でブラシ洗浄した。洗浄水には純水を用い、ロールブラシは2本用いた。
ゾルゲルパターン基板と樹脂パターン基板をUV/O3洗浄機(PL16−110:セン特殊光源株式会社)に収容し、低圧水銀灯によるUV光(波長184.9nm、253.7nm)によりオゾンを発生させ15mW/cm2で10分間照射した。
フォトリソグラフィ工程における耐性を調べるために、フォトレジストに含まれる乳酸エチルをビーカーに充填し、ゾルゲルパターン基板と樹脂パターン基板をそれぞれ乳酸エチルに室温にて20分間浸漬した。また、同様の実験を乳酸エチルに代えてPGMEAを用いて行った。また、フォトレジストの現像液に対する耐性を調べるために、現像液としての2.5%のTMAHにゾルゲルパターン基板と樹脂パターン基板をそれぞれ室温にて20分間浸漬した。
ITO電極材料をエッチングしてパターニングする工程における基板の耐性を調べるために、ゾルゲルパターン基板と樹脂パターン基板を、18%の塩酸に常温で20分間浸漬した。
リソグラフィ工程で残留したフォトレジストを剥離する工程に使用される剥離液に対する基板の耐性を調べるために、ゾルゲルパターン基板と樹脂パターン基板をそれぞれNMP中に常温で20分間浸漬した。同様の実験をNMPに代えてDMSOを用いて行った。
透明電極のパターニング後に行われるアニール工程における基板の耐性を調べるために、ゾルゲルパターン基板と樹脂パターン基板をそれぞれ大気雰囲気中で250℃の加熱炉内に20分間設置した。
上記5つの工程の処理によるゾルゲルパターン基板と樹脂パターン基板の耐性を評価するために、それらの処理前後における基板についてムラ検査とSPM検査を行った。ムラ検査は、実験前後の基板表面の凹凸パターンの全体状態を観察するために以下のような方法を採用した。
カメラ:Canon EOS Kiss X3
レンズ:EF−S18−55mm F3.5−5.6 IS
シャッター速度:1/100秒
ISO感度:3200
絞り値:F5.6
ホワイトバランス:スタンダード
ピクチャースタイル:スタンダード
ピクセル値 0〜255
実施例3で作製した樹脂パターン基板を、回折格子基板として用いて実施例1と同様にして有機EL素子を製造した。
実施例1及び比較例1で得られた有機EL素子の発光効率を以下の方法で測定した。得られた有機EL素子に電圧を印加し、印加電圧V及び有機EL素子に流れる電流Iを印加測定器(株式会社エーディーシー社製、R6244)にて、また全光束量Lをスペクトラ・コープ社製の全光束測定装置にて測定した。このようにして得られた印加電圧V、電流I及び全光束量Lの測定値から輝度値L’を算出し、電流効率については、下記計算式(F1):
電流効率=(L’/I)×S・・・(F1)
電力効率については、下記計算式(F2):
電力効率=(L’/I/V)×S・・・(F2)
をそれぞれ用いて、有機EL素子の電流効率及び電力効率を算出した。上記式において、Sは素子の発光面積である。
なお、輝度L’の値は、有機EL素子の配光特性がランバート則にしたがうものと仮定し、下記計算式(F3):
L’=L/π/S・・・(F3)
で換算した。
34 フォトレジスト、40 基板、 42 塗膜(ゾルゲル材料層)、
44 マスク、 70 ロールプロセス装置
72 フィルム繰り出しロール、74 ニップロール、
76 剥離ロール、 78、搬送ロール、 80 基板フィルム、80a フィルム状モールド、
82 ダイコータ、85 UV照射光源、86 基板フィルム搬送系
87 フィルム巻き取りロール、90 転写ロール、
92 透明電極、94 有機層、95 正孔輸送層
96 発光層、97 電子輸送層、98 金属電極
100 回折格子基板、102 ブロック、104 ステージ装置
122 LEDバー照明、124 デジタルカメラ
126 画像処理装置、200 有機EL素子
300 検査装置
Claims (11)
- 凹凸パターンを有する基板を備えたデバイスの製造方法であって、
ゾルゲル材料を基板上に塗布し、塗布されたゾルゲル材料に所定の凹凸パターンを転写することで凹凸パターンが形成された基板を形成する基板形成工程と、
前記凹凸パターンが形成された基板を洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄された基板上に第1電極をパターニングにより形成する第1電極形成工程と、
第1電極が形成された前記基板をアニールするアニール工程と、
第1電極上に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜上に第2電極を形成する第2電極形成工程を含むデバイスの製造方法。 - 前記基板が、光学基板であることを特徴とする請求項1に記載のデバイスの製造方法。
- 前記塗布されたゾルゲル材料に、可撓性の基材および該基材の一方の面に形成された凹凸層を有するフィルム状モールドを押し付けて凹凸パターンを形成することを特徴とする請求項1または2に記載のデバイスの製造方法。
- 前記洗浄工程において、超音波洗浄、ブラシ洗浄及びUV/O3洗浄の少なくとも一つを行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のデバイスの製造方法。
- 前記パターニングが、酸またはアルカリ溶剤を用いて行うものであって、第1電極層の形成、レジスト塗布、露光及び現像、第1電極層のエッチング及びレジストの剥離を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のデバイスの製造方法。
- 前記アニールの温度が、160℃〜360℃であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のデバイスの製造方法。
- 前記デバイスが有機EL素子であり、第1電極が透明電極であり、前記薄膜層が有機層を含み、第2電極が金属電極であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のデバイスの製造方法。
- 前記デバイスが太陽電池であり、第1電極が透明電極であり、前記薄膜層が半導体層を含み、第2電極が金属電極であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のデバイスの製造方法。
- 前記凹凸パターンが光の回折または散乱のために用いられる不規則な凹凸パターンであり、凹凸の平均ピッチが100〜1500nmの範囲であり、凹凸の深さ分布の平均値が20〜200nmの範囲であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載のデバイスの製造方法。
- 前記基板がガラス基板であり、前記ゾルゲル材料がシリカ前駆体を含むことを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載のデバイスの製造方法。
- 前記ゾルゲル材料を基板上に塗布し、塗布されたゾルゲル材料に所定の凹凸パターンを転写した後に、前記ゾルゲル材料を300℃以上で焼成すること含むことを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載のデバイスの製造方法。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150069871A (ko) * | 2013-12-16 | 2015-06-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP2015158537A (ja) * | 2014-02-21 | 2015-09-03 | 旭硝子株式会社 | 防眩膜付き物品、その製造方法および画像表示装置 |
JP2015181979A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | 帯状のフィルム基材の長手方向及び幅方向において不連続な塗膜を形成できる塗布装置及び塗膜形成方法 |
JP2015181981A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | 帯状のフィルム基材上に不連続なパターンを有する塗膜を形成するための塗布装置及び塗膜形成方法 |
JP2015181978A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | 帯状のフィルム基材上に不連続な塗膜を形成するための塗布装置及び塗布方法 |
WO2016068143A1 (ja) * | 2014-10-28 | 2016-05-06 | 大日本印刷株式会社 | 凹凸構造体及びセキュリティ媒体 |
JP2017001333A (ja) * | 2015-06-12 | 2017-01-05 | Jxエネルギー株式会社 | 凹凸パターンを転写するための転写ロール、及びその転写ロールを有するフィルム部材の製造装置 |
JP6404436B1 (ja) * | 2017-10-25 | 2018-10-10 | 東芝機械株式会社 | 転写装置および転写方法 |
JP2022510671A (ja) * | 2018-12-03 | 2022-01-27 | ラトーレ, イエズス フランシスコ バルベラン | 板状材での浮き出し模様を得るための方法及び装置 |
US11801629B2 (en) | 2017-10-25 | 2023-10-31 | Shibaura Machine Co., Ltd. | Transfer apparatus |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006269163A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2009259805A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-11-05 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2010097883A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Suiko Yoshihara | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
WO2010090142A1 (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-12 | 株式会社カネカ | 透明導電膜付き基板および薄膜光電変換装置 |
JP2011014361A (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Canon Inc | 発光素子及びそれを利用した発光装置 |
JP2011255603A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Toray Ind Inc | 凹凸基板およびその製造方法 |
-
2013
- 2013-03-06 JP JP2013043784A patent/JP6013945B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006269163A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2009259805A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-11-05 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2010097883A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Suiko Yoshihara | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
WO2010090142A1 (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-12 | 株式会社カネカ | 透明導電膜付き基板および薄膜光電変換装置 |
US20110290322A1 (en) * | 2009-02-03 | 2011-12-01 | Kaneka Corporation | Substrate with transparent conductive film and thin film photoelectric conversion device |
JP2011014361A (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Canon Inc | 発光素子及びそれを利用した発光装置 |
JP2011255603A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Toray Ind Inc | 凹凸基板およびその製造方法 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150069871A (ko) * | 2013-12-16 | 2015-06-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102117395B1 (ko) | 2013-12-16 | 2020-06-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP2015158537A (ja) * | 2014-02-21 | 2015-09-03 | 旭硝子株式会社 | 防眩膜付き物品、その製造方法および画像表示装置 |
JP2015181979A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | 帯状のフィルム基材の長手方向及び幅方向において不連続な塗膜を形成できる塗布装置及び塗膜形成方法 |
JP2015181981A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | 帯状のフィルム基材上に不連続なパターンを有する塗膜を形成するための塗布装置及び塗膜形成方法 |
JP2015181978A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | 帯状のフィルム基材上に不連続な塗膜を形成するための塗布装置及び塗布方法 |
JPWO2016068143A1 (ja) * | 2014-10-28 | 2017-04-27 | 大日本印刷株式会社 | 凹凸構造体及びセキュリティ媒体 |
JP6044815B2 (ja) * | 2014-10-28 | 2016-12-14 | 大日本印刷株式会社 | 凹凸構造体及びセキュリティ媒体 |
CN107111019A (zh) * | 2014-10-28 | 2017-08-29 | 大日本印刷株式会社 | 凹凸构造体及安全介质 |
WO2016068143A1 (ja) * | 2014-10-28 | 2016-05-06 | 大日本印刷株式会社 | 凹凸構造体及びセキュリティ媒体 |
CN107111019B (zh) * | 2014-10-28 | 2020-11-20 | 大日本印刷株式会社 | 凹凸构造体及安全介质 |
JP2017001333A (ja) * | 2015-06-12 | 2017-01-05 | Jxエネルギー株式会社 | 凹凸パターンを転写するための転写ロール、及びその転写ロールを有するフィルム部材の製造装置 |
JP6404436B1 (ja) * | 2017-10-25 | 2018-10-10 | 東芝機械株式会社 | 転写装置および転写方法 |
US11801629B2 (en) | 2017-10-25 | 2023-10-31 | Shibaura Machine Co., Ltd. | Transfer apparatus |
JP2022510671A (ja) * | 2018-12-03 | 2022-01-27 | ラトーレ, イエズス フランシスコ バルベラン | 板状材での浮き出し模様を得るための方法及び装置 |
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