JP2013217806A - 湿度センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板(20)と、互いに対向するように、基板の共通する一面(20a)に配置された一対の電極(31,32)、電極を覆うように一面上に配置され、水分による腐食から電極を保護する保護膜(33)、保護膜上に配置された感湿膜(34)、を有する湿度検出部(30)と、を備える。全ての電極は、一面に対して膜が多層に配置された多層構造を有するとともに、最上層は導電材料を用いて形成され、且つ、保護膜に接触する層のうち、少なくとも1層は水分に対する腐食性を有する導電材料を用いて形成されている。また、基板の一面に膜が1層分配置されてなる下地部(38)と、該下地部上に膜が少なくとも1層分配置されてなる上地部(39)と、をそれぞれ有している。さらに、一面に直交する断面形状がそれぞれ独立して凸形状をなしている。
【選択図】図8
Description
図1は、本実施形態の湿度センサチップ10を備えた湿度検出装置100を示している。この湿度検出装置100は、合成樹脂等を用いて有底角筒状に形成されたケース110と、該ケース110の底部内面に固定されたリードフレームのアイランド111,112と、アイランド111にダイマウントされた湿度センサチップ10と、アイランド112にダイマウントされた回路チップ113と、一端がケース110の内部に露出し、他端がケース110外に延出されたリード114を備えている。
本実施形態では、電極31,32を構成する膜が、全ての層において同一の導電材料(アルミ系材料)からなる例を示した。しかしながら、互いに異なる導電材料を用いて複数の層が形成されても良い。例えば、図4に示した構成において、不純物がドープされたポリシリコンを用いて下地部38が形成され、アルミニウム系材料を用いて上地部39が形成されても良い。
本実施形態において、上記実施形態に示した湿度センサチップ10と共通する部分についての説明は割愛する。
本実施形態では、電極31,32において、不純物がドープされたポリシリコンを用いて下地部38が形成され、アルミニウム系材料を用いて上地部39が形成される例を示した。しかしながら、アルミニウム系材料を用いて下地部38が形成され、不純物がドープされたポリシリコンを用いて上地部39が形成されても良い。
20・・・基板
20a・・・一面
30・・・湿度検出部
31,32・・・電極(一対の電極)
33・・・保護膜
33a・・・段差部
34・・・感湿膜
38・・・下地部
39・・・上地部
70・・・隙間
Claims (11)
- 基板(20)と、
互いに対向するように、前記基板の共通する一面(20a)に配置された一対の電極(31,32)と、該電極を覆うように前記一面上に配置され、水分による腐食から前記電極を保護する保護膜(33)と、前記電極及び前記電極間を覆うように、前記保護膜上に配置された感湿膜(34)と、を有する湿度検出部(30)と、を備え、
全ての前記電極は、
前記一面に対して膜が多層に配置された多層構造を有するとともに、最上層は導電材料を用いて形成され、且つ、前記保護膜に接触する層のうち、少なくとも1層は水分に対する腐食性を有する導電材料を用いて形成されており、
前記基板の一面に前記膜が1層分配置されてなる下地部(38)と、該下地部上に前記膜が少なくとも1層分配置されてなる上地部(39)と、をそれぞれ有し、
前記一面に直交する断面形状がそれぞれ独立して凸形状をなしていることを特徴とする湿度センサ。 - 前記電極(31,32)において、前記上地部(39)を形成する任意の層は、該任意の層よりも下側に位置する層を包むように配置されており、前記下側に位置する層の上方に位置する中央部(39a)と、前記基板(20)の一面(20a)に配置された周辺部(39b)と、前記中央部(39a)と前記周辺部(39b)とを繋ぐ繋ぎ部(39c)と、を有することを特徴とする請求項1に記載の湿度センサ。
- 前記電極(31,32)において、全ての層は、水分に対する腐食性を有する同一の導電材料を用いて形成されていることを特徴とする請求項2に記載の湿度センサ。
- 前記電極(31,32)は、電気絶縁材料を用いて形成された層を含むことを特徴とする請求項2に記載の湿度センサ。
- 前記電極(31,32)において、前記上地部(39)を形成する任意の層は、該任意の層に下側で隣接する層の表面のうち、上面の一部のみを覆うように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の湿度センサ。
- 前記電極(31,32)において、各層は、互いに異なる導電材料を用いて形成されていることを特徴とする請求項5に記載の湿度センサ。
- 前記電極(31,32)は、電気絶縁材料を用いて形成された層を含むことを特徴とする請求項5に記載の湿度センサ。
- 前記一対の電極(31,32)はそれぞれ櫛歯形状をなし、互いの櫛歯が噛みあって対向するように配置されていることを特徴とする請求項1〜7いずれか1項に記載の湿度センサ。
- 前記感湿膜(34)は、水分の吸着により比誘電率が変化するものであり、
前記湿度検出部(30)は、雰囲気の湿度変化を一対の前記電極(31、32)間の静電容量の変化として検出することを特徴とする請求項1〜8いずれか1項に記載の湿度センサ。 - 前記感湿膜(34)は、水分の吸着によりインピーダンスが変化するものであり、
前記湿度検出部(30)は、雰囲気の湿度変化を前記感湿膜(34)のインピーダンスの変化として検出することを特徴とする請求項1〜8いずれか1項に記載の湿度センサ。 - 前記基板(20)は、半導体基板(21)と、該半導体基板(21)の主面に形成された絶縁膜(23)を有し、
前記電極(31,32)は、前記基板(20)の絶縁膜(23)上に配置されていることを特徴とする請求項1〜10いずれか1項に記載の湿度センサ。
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2012
- 2012-04-10 JP JP2012089549A patent/JP5849836B2/ja not_active Expired - Fee Related
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