JP2013216949A

JP2013216949A - プラズマｃｖｄ装置

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Publication number: JP2013216949A
Application number: JP2012088993A
Authority: JP
Inventors: Yuji Kano; 裕治加納; Yuji Watanabe; 祐二渡邉
Original assignee: Kojima Press Industry Co Ltd
Current assignee: Kojima Industries Corp
Priority date: 2012-04-10
Filing date: 2012-04-10
Publication date: 2013-10-24
Anticipated expiration: 2032-04-10
Also published as: JP5819768B2

Abstract

【課題】基板表面以外へのプラズマＣＶＤ層の付着を有利に抑制しつつ、プラズマＣＶＤ層を基板の表面に均一な厚さで積層形成可能なプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】環状乃至は筒状のコイル７６を、吹出口５６を通じてプラズマ発生部２４から反応室２２内に吹き出されるプラズマが内孔７８を通過するように、反応室２２内に配置すると共に、コイル７６の内孔７８へのプラズマの通過可能な状態を維持しながら、コイル７６の中心軸が任意の方向に任意の角度で傾けられるコイル７６の傾動を許容するように、コイル７６を支持手段６８にて支持させ、更に、コイル７６を傾動させるための傾動手段８６とコイル７６に給電するための電源手段７７とを設けて、構成した。
【選択図】図２

Description

本発明は、プラズマＣＶＤ装置に係り、特に、基板の表面上に、プラズマＣＶＤ層をプラズマＣＶＤ法によって積層形成するのに使用されるプラズマＣＶＤ装置の改良に関するものである。

従来から、各種の材質からなる基材の表面上に薄膜を形成する手法の一つとして、プラズマを利用するプラズマＣＶＤ法が知られている。そして、このプラズマＣＶＤ法を実施して、基材表面に薄膜状のプラズマＣＶＤ層を形成する装置も、様々な構造のものがある。例えば、特開２００９−１２０８８１号公報（特許文献１）等に開示される平行平板型のプラズマＣＶＤ装置や、特開２００５−２４８３２７号公報等に明らかにされる誘導結合型のプラズマＣＶＤ装置等が、それである。

よく知られているように、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置は、基材が収容される反応室と、かかる反応室内に、互いに平行に延びるように対向配置された一対の平板状のプラズマ発生電極とを有して、構成されている。一方、誘導結合型のプラズマＣＶＤ装置は、基材が収容される反応室と、その反応室の外部に配置された高周波誘導用のアンテナとを有して、構成されている。そして、それら平行平板型のプラズマＣＶＤ装置と誘導結合型のプラズマＣＶＤ装置は、成膜用ガスが反応室内に供給された状態下で、一対のプラズマ発生電極間や高周波誘導用のアンテナに高周波電源からの電力を印加することにより、反応室内で、成膜用ガスに含まれる原料ガスのプラズマと反応ガスのプラズマを発生させ、更に、それらのプラズマを反応させることで、所定の生成物を生成し、それを基材の表面上に堆積させることによって、かかる生成物からなるプラズマＣＶＤ層を積層形成するようになっている。

このような平行平板型のプラズマＣＶＤ装置と誘導結合型のプラズマＣＶＤ装置にあっては、プラズマ化された成膜用ガス（原料ガスと反応ガス）が、反応室内の全体に分散されるため、プラズマＣＶＤ層を、大面積の基材の表面の全体に対して、一度の成膜工程で積層形成することができるといった利点がある。しかしながら、その反面、成膜用ガスのプラズマのプラズマＣＶＤ法による反応によって生成された生成物が、反応室の内面や、反応室内に配置された電極、或いは基材を支持する支持部材に付着することが避けられず、それ故、それらを除去するための余分な作業を行う必要があった。

かかる状況下、例えば、特開２００１−２２０６８０号公報（特許文献３）には、基材表面以外の生成物（プラズマＣＶＤ層）の付着を抑制可能なプラズマＣＶＤ装置が、明らかにされている。

このプラズマＣＶＤ装置は、基材を収容する反応室と、プラズマを発生させるプラズマ発生部と、プラズマ発生部で発生したプラズマを反応室内に吹き出させる吹出口とを有して、構成されている。このようなプラズマＣＶＤ装置を用いて、基材の表面にプラズマＣＶＤ層を形成する際には、例えば、先ず、基材を収容する反応室内を真空状態とする一方、アルゴンガス等の不活性ガスや、プラズマ状態で成膜用ガスと反応しないガスをプラズマ発生部に導入して、プラズマ発生部でプラズマを発生させる。そして、かかるプラズマを、プラズマ発生部から吹出口を通じて、真空状態とされた反応室内に吹き出させる一方、プラズマＣＶＤ層を形成するための成膜用ガスを反応室内に供給して、成膜用ガスをプラズマに接触させる。これにより、成膜用ガスに含まれる原料ガスや反応ガスをプラズマ化して、それら原料ガスのプラズマと反応ガスのプラズマとをプラズマＣＶＤ法により反応させる。そうして、かかるプラズマＣＶＤ法による反応により生成した生成物を基材の表面上に堆積させて、基材表面にプラズマＣＶＤ層を積層形成するのである。

また、そのようなプラズマＣＶＤ装置を用いて、プラズマＣＶＤ層を形成する際には、プラズマ発生部に、不活性ガスや成膜用ガスと反応しないガスに代えて、成膜用ガスに含まれる一部のガス成分を導入する場合もある。この場合には、成膜用ガスに含まれる一部のガス成分を、プラズマ発生部にてプラズマ化して、かかるプラズマを、プラズマ発生部から吹出口を通じて反応室内に吹き出させる一方、反応室内に供給される成膜用ガスのうちの他のガス成分を供給し、そのような他のガス成分をプラズマと接触させることにより、プラズマ化する。そして、それらプラズマ化されたガス成分同士をプラズマＣＶＤ法によって反応させて、反応室内の基材の表面上にプラズマＣＶＤ層を形成するのである。

このように、前記公報に開示される従来のプラズマＣＶＤ装置は、吹出口を通じて、プラズマ発生部から反応室内に吹き出されるプラズマ（不活性ガスや成膜用ガスと反応しないガスのプラズマ、或いは成膜用ガスに含まれるガス成分のプラズマ等）を利用して、反応室内に収容される基材の表面上に、プラズマＣＶＤ層を形成するようになっている。そして、そのようなプラズマＣＶＤ装置では、プラズマが、吹出口から基材表面に向かって吹き出されるため、成膜用ガスのプラズマの反応室内での分散が有利に抑制されて、プラズマＣＶＤ法による反応により生成した生成物が、基材表面に集中的に堆積するようになる。その結果、反応室の内面や基材を支持する支持部材等への生成物の付着が可及的に防止され得ることとなるのである。

ところが、かくの如き構造とされた、プラズマ発生部からプラズマを吹き出させる、所謂プラズマ吹出型プラズマＣＶＤ装置の成膜性能に関して、本発明者が、様々な角度から検討を加えたところ、かかる装置には、以下の如き問題が内在していることが判明した。

すなわち、従来のプラズマ吹出型プラズマＣＶＤ装置では、プラズマが、通常、吹出口から基材表面の中央部に向かって集中的に吹き出されるようになっている。そのため、そのようなプラズマ吹出型プラズマＣＶＤ装置を用いて、大面積の基材の表面にプラズマＣＶＤ層を積層形成しようとすると、基材表面の中央部と外周部との間で、プラズマＣＶＤ法による反応で生成される生成物の堆積量にバラツキが生じ、それによって、基材表面のプラズマＣＶＤ層の厚さが不均一となってしまう可能性があることが、本発明者の研究によって明らかとなったのである。なお、そのような大面積の基材表面に形成されるプラズマＣＶＤ層の膜厚のバラツキを抑えるには、基材を移動させたり、複数のプラズマ発生部を用いたり、或いは基材表面への成膜操作を複数回に分けたりして実施することも考えられる。しかしながら、そうした場合には、プラズマＣＶＤ装置の構造が複雑化するだけでなく、プラズマＣＶＤ装置の製造コスト、ひいては基材表面にプラズマＣＶＤ層が形成されてなる積層構造体の製造コストが高騰するといった問題が生ずることとなる。

特開２００９−１２０８８１号公報特開２００５−２４８３２７号公報特開２００１−２２０６８０号公報

ここにおいて、本発明は、上述せる如き事情を背景にして為されたものであって、その解決課題とするところは、基材表面以外へのプラズマＣＶＤ層の付着を有利に抑制しつつ、基材の表面に、その面積の大小に拘わらず、プラズマＣＶＤ層を満遍なく均一な厚さで経済的に有利に積層形成することができる簡略な構造のプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。

そして、本発明にあっては、かかる課題の解決のために、基材を収容する反応室と、プラズマを発生させるプラズマ発生部と、該プラズマ発生部で発生したプラズマを該反応室内に吹き出させる吹出口とを備え、該吹出口を通じて、該プラズマ発生部から該反応室内に吹き出されるプラズマを利用して、前記基材の表面にプラズマＣＶＤ層を形成するプラズマＣＶＤ装置であって、（ａ）前記吹出口から前記反応室内に吹き出されたプラズマが内孔を通過するように、該反応室内に配置された、通電により磁束を発生する環状乃至は筒状のコイルと、（ｂ）前記コイルの内孔へのプラズマの通過可能な状態を維持しながら、該コイルの中心軸が任意の方向に任意の角度で傾けられる該コイルの傾動を許容するように、該コイルを支持する支持手段と、（ｃ）前記コイルに給電する電源手段と、（ｄ）前記コイルを傾動させるための傾動手段とを含むことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置を、その要旨とするものである。

なお、本発明の好ましい態様の一つによれば、前記コイルが、リング状のコアの外周面に対して、該リング状コアの中心軸回りに巻装されていると共に、前記プラズマが、該リング状コアの中心孔を通過するように構成される。

また、本発明の有利な態様の一つによれば、前記コイルの中心軸の傾斜方向及び傾斜角度が任意の方向及び角度となるように、前記傾動手段による該コイルの傾動を制御する第一の制御手段を更に含んで構成される。

さらに、本発明の望ましい態様の一つによれば、前記電源手段から前記コイルへの給電量を任意の量に制御する第二の制御手段を更に含んで構成される。

本発明に従うプラズマＣＶＤ装置では、電源手段から給電されている状態のコイルを、その中心軸が任意の方向に任意の角度で傾けられるように、傾動手段にて傾動させることによって、コイルで発生する磁束の向きを、コイルの中心軸の傾斜方向や傾斜角度に応じた方向や角度で自由に変化させることができる。このとき、コイルの内孔を通過して、反応室内に吹き出されるプラズマは、その吹出方向が、磁束の向きの変化に追従して、方向や角度が変化した磁束と同じ方向に同じ角度で変化させられる。このため、かかるプラズマＣＶＤ装置においては、傾動手段によりコイルを傾動させることによって、反応室内へのプラズマの吹出方向を任意の方向に任意の角度で変化させることができるのである。

それ故、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置においては、基材表面が大面積とされていても、傾動手段によりコイルを傾動させることによって、プラズマを、吹出口から基材表面の中央部と外周部の両方に向かって、つまり、基材表面の略全面に向かって、満遍なく吹き出させることができる。そして、それによって、プラズマＣＶＤ法による反応で生成される生成物を、反応室内の全体に分散させることなく、基材表面の全面に、可及的に均一な量で堆積させることができ、しかも、それが、１個のプラズマ発生部だけを用いて、１回の成膜操作により、基材を移動させることもなしに、有利に実施できる。

従って、かくの如き本発明に従うプラズマＣＶＤ装置を用いれば、プラズマＣＶＤ層の基材表面以外への付着を有利に抑制しつつ、基材の表面に、その面積の大小に拘わらず、プラズマＣＶＤ層を満遍なく均一な厚さで積層形成することができる。しかも、そのような基材表面に対するプラズマＣＶＤ層の均一な厚さでの積層形成が、装置構造の複雑化を伴うことなく、経済的に有利に実現され得るのである。

本発明に従う構造を有するプラズマＣＶＤ装置を用いて得られた樹脂製品の一例を示す部分縦断面説明図である。本発明に従う構造を有するプラズマＣＶＤ装置の一実施形態を示す縦断面説明図である。図２に示されたプラズマＣＶＤ装置の部分拡大説明図であって、かかるプラズマＣＶＤ装置に設けられた吹出方向変更装置の構造を示している。図３のIV矢視における部分説明図である。

以下、本発明を更に具体的に明らかにするために、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ、詳細に説明することとする。

先ず、図１には、本発明に従う構造を有するプラズマＣＶＤ装置を用いて得られた樹脂製品として、自動車のリヤウインドウ用の樹脂ガラス１０が、その部分縦断面形態において示されている。かかる図１から明らかなように、樹脂ガラス１０は、基材としての基板１２を有し、この基板１２の表面（図１での上面）には、アンダーコート層１４が積層形成されている。また、かかるアンダーコート層１４の基板１２側とは反対側の面上には、トップコート層１６が、積層形成されている。なお、以下からは、便宜上、図１での上面を表面と言い、図１での下面を裏面と言うこととする。

基板１２は、透明な平板形態を呈し、ポリカーボネートを用いて射出成形された樹脂成形品にて構成されている。なお、基板１２は、射出成形以外の手法で成形されたものであっても良い。

アンダーコート層１４は、樹脂ガラス１０に対して、紫外線耐性等に基づいた耐候性を付与すること等を目的として、基板１２の表面に対して、その全面を被覆するように、それぞれ直接に積層形成されるもので、薄膜形態を呈している。このようなアンダーコート層１４は、一般に、液状のアクリル樹脂やポリウレタン樹脂を基板１２表面上に塗布して、塗膜を成膜した後、加熱操作や紫外線照射を行って、かかる塗膜を硬化させることにより形成される。なお、かかるアンダーコート層１４は、形成工程の簡略化や迅速化、更には形成に要する設備コストの低減等を図る上において、紫外線硬化膜にて構成されていることが、望ましい。また、アンダーコート層１４は、耐候性を有するものであれば、上記例示以外の樹脂材料や硬化手法を採用して、形成することもできる。更に、かかるアンダーコート層１４は、単層構造であっても、複数層が積層された複層構造であっても良い。

トップコート層１６は、樹脂ガラス１０に対して、耐摩傷性（耐摩耗性と耐擦傷性）を付与するために、アンダーコート層１４の基板１２側とは反対側の面に、その全面を覆うように積層形成されるもので、薄膜形態を呈している。そして、ここでは、かかるトップコート層１６が、優れた耐摩傷性を発揮するＳiＯ₂のプラズマＣＶＤ層にて構成されている。なお、トップコート層１６の形成材料は、樹脂ガラス１０に対して十分な耐摩傷性を付与し得るものであれば、特に限定されるものではないものの、一般に、ＳiＯ₂の他、ＳiＯＮやＳi₃Ｎ₄ 等の珪素化合物が用いられる。また、トップコート層１６は、単層構造であっても、複数層が積層された複層構造であっても良い。

そして、かくの如き優れた特徴を有する樹脂ガラス１０は、例えば、以下の手順に従って製造される。

すなわち、先ず、ポリカーボネート製の基板１２を射出成形等により成形して、準備する。この基板１２の成形方法は、射出成形に限定されるものではなく、公知の方法が適宜に採用可能である。

その後、準備された基板１２の表面に、アクリル樹脂やポリウレタン樹脂等の塗膜層を、公知のスプレー塗装やディッピング等により形成した後、かかる塗膜層を加熱したり、或いは紫外線に当てたりして硬化させる。これによって、基板１２の表面にアンダーコート層１４を積層形成して、中間製品１８（図２参照）を得る。

次いで、中間製品１８におけるアンダーコート層１４の表面上に、トップコート層１６を、プラズマＣＶＤ法を利用して、積層形成する。そして、その際に、本発明に従う構造を有するプラズマＣＶＤ装置が用いられるのである。

図２には、トップコート層１６の形成工程に用いられる、本発明に従う構造を備えたプラズマＣＶＤ装置の一実施形態が示されている。かかる図２から明らかなように、プラズマＣＶＤ装置２０は、反応室としての真空チャンバ２２と、この真空チャンバ２２に固設された、プラズマ発生部としてのプラズマ発生装置２４とを有している。そして、かかるプラズマＣＶＤ装置２０にあっては、プラズマ発生装置２４にて発生させられて、真空チャンバ２２内に供給されるプラズマを利用して、真空チャンバ２２に収容された中間製品１８のアンダーコート層１４上に、プラズマＣＶＤ層を積層形成するようになっている。

より具体的には、真空チャンバ２２は、チャンバ本体２６と蓋体２８とを更に有している。チャンバ本体２６は、筒状の側壁部３０と、かかる側壁部３０の下側開口部を閉塞する下側底壁部３２とを備えた有底筒状乃至は筐体状を呈している。蓋体２８は、チャンバ本体２６の上側開口部３４の全体を覆蓋可能な大きさを有する平板にて構成されている。そして、かかる蓋体２８が、チャンバ本体２６の上側開口部３４を覆蓋した状態で、図示しないロック機構にてロックされることによって、チャンバ本体２６内が気密に密閉されるようになっている。

チャンバ本体２６の下側底壁部３２の内面には、基板ホルダ３６が配設されている。この基板ホルダ３６は、全体として、平板形状を呈し、下側底壁部３２の内面に対して、一方の板面を重ね合わせて配置された状態で固設されている。また、かかる基板ホルダ３６の他方の板面からなる上面が、支持面３８とされている。

そして、本実施形態では、基板ホルダ３６の支持面３８に対して、中間製品１８が、基板１２のアンダーコート層１４の形成側とは反対側の裏面を重ね合わせた状態で支持されるようになっている。即ち、基板１２が、アンダーコート層１４の基板１２側とは反対側の面を上側に向けて、チャンバ本体２６内に露呈させた状態で、基板ホルダ３６にて保持されるようになっているのである。

チャンバ本体２６の側壁部３０の下端部における周上の一箇所には、排気パイプ４０が、チャンバ本体２６の内外を連通するように側壁部３０を貫通して、設置されている。また、かかる排気パイプ４０上には、真空ポンプ４２が設けられている。そして、この真空ポンプ４２の作動によって、チャンバ本体２６内の気体が排気パイプ４０を通じて外部に排出されて、チャンバ本体２６内が減圧されるようになっている。

また、側壁部３０の高さ方向中間部には、第一及び第二の２個の導入パイプ４４ａ，４４ｂが、側壁部３０を貫通して、設置されている。それら第一及び第二導入パイプ４４ａ，４４ｂにおいては、チャンバ本体２６内に突入して開口する一端側開口部が、それぞれ、第一及び第二ガス導入口４６ａ，４６ｂとされている。また、第一導入パイプ４４ａと第二導入パイプ４４ｂのチャンバ本体２６外への延出側の他端部には、第一ボンベ４８ａと第二ボンベ４８ｂとが、それぞれ接続されている。更に、第一及び第二ボンベ４８ａ，４８ｂの第一及び第二導入パイプ４４ａ，４４ｂとの接続部には、第一及び第二開閉バルブ５０ａ，５０ｂが、それぞれ設けられている。

そして、ここでは、第一ボンベ４８ａ内に、モノシラン（ＳiＨ₄）ガスが、また、第二ボンベ４８ｂ内に、酸素ガスが、大気圧を超える圧力で、それぞれ収容されている。第一ボンベ４８ａ内に収容されるモノシランガスは、ＳiＯ₂ のプラズマＣＶＤ層からなるトップコート層１６を形成するための成膜用ガスに含まれる原料ガスとして利用されるものである。第二ボンベ４８ｂ内に収容される酸素ガスは、かかる成膜用ガスに含まれる反応ガスとして利用されるものである。

なお、第一ボンベ４８ａ内に収容される成膜用ガスの原料ガスや、第二ボンベ４８ｂ内に収容される成膜用ガスの反応ガスは、トップコート層１６を構成する化合物に応じて、適宜に変更可能である。そして、ここでは、トップコート層１６が珪素化合物にて構成されているため、かかるトップコート層１６を形成するための成膜用ガスの原料ガスとしては、モノシランガス以外に、例えば、ジシラン（Ｓi₂Ｈ₆ ）ガス等の無機珪素化合物ガスや、テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン等のシロキサン類や、メトキシトリメチルシラン、エトキシトリメチルシラン、ジメトキシジメチルシラン、ジメトキシジエチルシラン、ジメトキシジフェニルシラン、トリメトキシシラン、トリメトキシメチルシラン、トリメトキシエチルシラン、トリメトキシプロピルシラン、トリエトキシメチルシラン、トリエトキシジメチルシラン、トリエトキシエチルシラン、トリエトキシフェニルシラン、テトラメチルシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン等のシラン類、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン等のシラザン類等の有機珪素化合物のガス等が、それぞれ単独で、或いはそれらが適宜に組み合わされて使用される。２種類以上の珪素化合物ガスを用いる場合には、それら複数種類の珪素化合物ガスを混合した状態で、一つの第一ボンベ４８ａ内に収容しても良く、或いは２種類以上の珪素化合物ガスを、複数の第一ボンベ４８ａ内に、それぞれ別個に収容しても良い。また、珪素化合物からなるトップコート層１６を形成するための成膜用ガスの反応ガスとしては、酸素ガス以外に、例えば、窒素ガスやアンモニアガス等が使用され得る。

そして、かくの如き構造とされた真空チャンバ２２の蓋体２８に対して、プラズマ発生装置２４が固定されている。このプラズマ発生装置２４は、例えば、特開２００１−２２０６８０号公報に開示されるプラズマＣＶＤ装置に設けられるプラズマ生成室と同様な公知の構造を有している。

すなわち、図２に明示されてはいないものの、プラズマ発生装置２４内には、平板状を呈する一対のプラズマ発生電極が、互いに所定距離を隔てて対向配置されている。そして、図２に示されるように、プラズマ発生装置２４には、高周波電源５２が接続されており、この高周波電源５２が、プラズマ発生装置に内蔵された一対のプラズマ発生電極（図示せず）のうちの一方に対して電気的に接続されている。また、プラズマ発生装置２４には、一対のプラズマ発生電極間に、例えば、アルゴンガス等の不活性ガスを供給するガス供給パイプ５４が取り付けられている。更に、プラズマ発生装置２４の下端部には、プラズマ発生装置２４にて発生させられたプラズマを下方に向かって吹き出す吹出口５６が設けられている。

そのようなプラズマ発生装置２４は、真空チャンバ２２の蓋体２８の中央部に穿設された挿通孔５８に挿通されて、吹出口５６を有する下端側部分をチャンバ本体２６内に突入させた状態で、配置されている。そして、そのような配置状態下で、蓋体２８に固着された取付用ブラケット６０によって、プラズマ発生装置２４が、蓋体２８に取り付けられている。かかるプラズマ発生装置２４の蓋体２８への取付下では、吹出口５６が、チャンバ本体２６の下側底壁部３２に固設された基板ホルダ３６の支持面３８の略中央部の上方に、それと所定距離を隔てた位置において、下方に向かって開口するように配置されている。

かくして、かかるプラズマ発生装置２４にあっては、ガス供給パイプ５４を通じて、一対のプラズマ発生電極間に、ここでは、アルゴンガスが供給されると共に、それら一対のプラズマ発生電極間に、高周波電源５２からの電力が印加されることにより、アルゴンのプラズマガスを発生させ得るようになっている。また、そのようにして発生させたアルゴンのプラズマガスを、吹出口５６から、チャンバ本体２６内における基板ホルダ３６の支持面３８の略中央部に向かって吹き出させるようになっている。

ところで、本実施形態のプラズマＣＶＤ装置２０においては、特に、チャンバ本体２６内に突入配置されたプラズマ発生装置２４の下端部に対して、吹出口５６から吹き出されるアルゴンのプラズマガスの吹出方向を変更するための吹出方向変更装置６２が装着されている。

かかる吹出方向変更装置６２は、プラズマ発生装置２４の下端部に固定された状態で、真空チャンバ２２内に配置された取付板６４と、真空チャンバ２２内において、この取付板６４の下方に所定距離を隔てて配置されたコイル装置６６と、かかるコイル装置６６を支持する４個の支持装置６８，６８，６８，６８（図２には２個のみを示す）とを有している。

より詳細には、図３及び図４に示されるように、取付板６４は、厚肉の円板形状を呈し、高い耐熱性を有する材料、例えば無機ガラスを用いて形成されている。そして、かかる取付板６４の中心部には、厚さ方向に貫通する大径の中心孔７０が設けられており、また、その外周部には、小径の４個の貫通孔７２，７２，７２，７２が、互いに周方向に等間隔を隔てて位置するように形成されている。そして、このような取付板６４が、中心孔７０内にプラズマ発生装置２４の下端部を挿通させた状態で、かかるプラズマ発生装置２４に固定されている。これにより、取付板６４が、真空チャンバ２２（チャンバ本体２６）内の中心部に、水平に広がるように配置されている。

コイル装置６６は、リング状コア７４と、それに巻装されたコイル７６とを有している。リング状コア７４は、ソレノイドのコアを形成する際に一般に用いられる公知の材料からなり、プラズマ発生装置２４の吹出口５６よりも大径の内孔７８を備えた円筒部８０と、この円筒部８０の軸方向一端部と他端部とに対して、それぞれ径方向外方に突出し且つ周方向に連続して延びるように一体形成された円環板状の外フランジ部８２，８２とを有している。そして、そのようなリング状コア７４の円筒部８０の外周面に対して、コイル７６が、円筒部８０の中心軸回りに幾重にも巻回されている。これにより、コイル７６が、筒状の全体形状をもって、リング状コア７４に対して同軸的に装着されており、以て、そのようなリング状コア７４とコイル７６とにて、コイル装置６６が形成されている。

また、図２及び図３に示されるように、コイル装置６６のコイル７６は、２本の給電線７５，７５によって、電源手段としての電源装置７７に接続されている。そうして、コイル７６が、電源装置７７に内蔵の給電部７９からの給電により、コイル７６の軸方向：Ｐに沿った向きに磁束を発生するようになっている。なお、このコイル７６の軸方向：Ｐに沿った磁束の向きは、コイル７６を流れる電流の向きに応じて、上向きか又は下向きとなる。

コイル７６に給電する電源装置７７は、電源装置７７の作動を操作する操作部８１と、この操作部８１の操作に基づいて、給電部７９からコイル７６への給電量を任意の量に制御する制御部８３を有している。かくして、ここでは、電源装置７７の出力が大きくなるように、電源装置７７が操作部８１にて操作されたときに、制御部８３による給電制御の下で、電源装置７７の出力の増加量に応じて、給電部７９からコイル７６への給電量が増やされ、それによって、コイル７６で生ずる磁束が増大させられるようになっている。また、電源装置７７の出力が小さくなるように、電源装置７７が操作部８１にて操作されたときには、制御部８３による給電制御の下で、電源装置７７の出力の減少量に応じて、給電部７９からコイル７６への給電量が減らされ、それによって、コイル７６で生ずる磁束が減少させられるようになっている。このことから明らかなように、本実施形態では、電源装置７７の制御部８３によって、第二の制御手段が構成されている。

そして、そのようなコイル装置６６は、真空チャンバ２２内における取付板６４の下方において、取付板６４と所定距離を隔てた箇所に、内孔７８を、取付板６４の中心孔７０及びプラズマ発生装置２４の吹出口５６と同軸的に位置するように配置されている。これにより、プラズマ発生装置２４にて発生させられて、吹出口５６から吹き出されたアルゴンプラズマが、コイル装置６６の内孔７８を通過して、真空チャンバ２２内に吹き出されるようになっている。

また、コイル装置６６は、上記の如き真空チャンバ２２内への配置状態下において、４個の支持装置６８，６８，６８，６８（図２及び図３には２個のみを示す）により、コイル７６の中心軸：Ｐが任意の方向に任意の角度で傾けられ得るように支持されて、取付板６４に取り付けられている。

図２乃至図４に示されるように、４個の支持装置６８，６８，６８，６８は、全て同一の構造を有し、それぞれ、可動バー８４を備えている。それら４個の可動バー８４，８４，８４，８４は、長手の棒状体からなり、取付板６４の外周部に形成された４個の貫通孔７２，７２，７２，７２内に、それぞれ上下方向に移動可能に挿通配置されている。そして、それら４個の可動バー８４，８４，８４，８４が、取付板６４の上面の外周部に周方向に等間隔を隔てて固設された４個の可動ユニット８６，８６，８６，８６に対して、それぞれ取り付けられている。

それら４個の可動ユニット８６，８６，８６，８６は、それぞれ、ケーシング８８と駆動モータ９０と長手のねじ軸９２と雌ねじ部材９４とを有している。ケーシング８８は、長手矩形の筐体からなり、取付板６４の上面における４個の貫通孔７２，７２，７２，７２よりも外周側において、各貫通孔７２と径方向に隣り合う位置に、それぞれ、上下方向に延びるように立設されている。また、このケーシング８８には、取付板６４の中心部に固定されたプラズマ発生装置２４側に向かって開口して、上下方向に延びる開口部９６が形成されている。駆動モータ９０は、正逆方向に所望の回転角度だけ回転可能な、例えばサーボモータからなっており、ケーシング８８の上端部に、図示しない駆動軸を下方に突出させた状態で固設されている。ねじ軸９２は、ケーシング８８内に上下方向に延びるように配置されている。そして、このねじ軸９２が、その上端部において、駆動モータ９０の駆動軸（図示せず）に固定されている一方、下端部において、ケーシング８８の下端部に対して、中心軸回りに回転可能に且つ中心軸方向に移動不能に支持されている。雌ねじ部材９４は、ねじ軸９２に螺合して、配置されている。また、かかる配置状態下で、ケーシング８８の開口部９６の内周面のうち、水平方向に対向して、上下方向に延びる二つの内周面部分に摺動可能に接触し、且つ一部が、かかる開口部９６を通じて、ケーシング８８の側方に突出している。これにより、ねじ軸９２の軸方向に移動可能であるものの、回転不能とされている。

そして、かかる可動ユニット８６にあっては、駆動モータ９０の正逆方向への回転駆動に伴って、ねじ軸９２が、正逆方向に回転するようになっている。また、そのようなねじ軸９２の正逆方向への回転により、雌ねじ部材９４が、ねじ軸９２の軸方向両側に向かって移動するようになっている。即ち、可動ユニット８６が、駆動モータ９０とねじ軸９２と雌ねじ部材９４とからなるねじ送り機構を有して構成されている。そして、かくの如き構造を有する４個の可動ユニット８６，８６，８６，８６のそれぞれの雌ねじ部材９４のケーシング８８から側方への突出部分に対して、４個の可動バー８４，８４，８４，８４が、取付板６４の貫通孔７２から上方に突出した上端部において、それぞれ取り付けられているのである。

これによって、４個の可動バー８４，８４，８４，８４が、各可動ユニット８６の駆動モータ９０の正逆方向への回転駆動による雌ねじ部材９４の軸方向への移動に伴って、上下方向に移動するようになっている。そして、そのような各可動バー８４の上下方向への移動によって、取付板６４の各貫通孔７２の下側開口部からの各可動バー８４の突出量が変化させられるようになっているのである。

また、ここでは、図３に二点鎖線で示されるように、雌ねじ部材９４が、ねじ軸９２の上端にまで移動させられたときに、各可動バー８４の各貫通孔７２からの下方への突出量が最小とされて、各可動バー８４の上下方向での移動位置が、上側限度位置とされるようになっている。一方、雌ねじ部材９４が、ねじ軸９２の下端にまで移動させられたときには、各可動バー８４の各貫通孔７２からの下方への突出量が最大とされて、各可動バー８４の上下方向での移動位置が、下側限度位置とされるようになっている。また、図３に実線で示されるように、雌ねじ部材９４が、ねじ軸９２の軸方向中央部に配置されたときに、各可動バー８４の上下方向での移動位置が、中間位置とされるようになっている。

そして、図２に示されるように、４個の可動ユニット８６，８６，８６，８６の各駆動モータ９０は、前記電源装置７７に、給電線７５によって接続されている。従って、ここでは、電源装置７７の操作部８１を操作することにより、各駆動モータ９０の回転駆動が制御部８３によって制御されて、取付板６４の各貫通孔７２の下側開口部からの各可動バー８４の突出量、即ち、各可動バー８４の上下方向での移動位置が、任意に調節され得るようになっている。

また、図３及び図４から明らかなように、４個の可動バー８４，８４，８４，８４の下端部には、スライドバー９８が、それぞれ１個ずつ取り付けられている。それら４個のスライドバー９８，９８，９８，９８は、コイル装置６６の中心軸：Ｐに向かって水平方向に延びるように、つまり、かかる中心軸：Ｐから放射状に延びるように配置されて、可動バー８４の下端部に水平方向に延びるように穿設されたスライド孔１００内に遊挿されている。

これによって、スライドバー９８が、可動バー８４のスライド孔１００の内周面に案内されつつ、水平方向にスライド移動可能とされ、また、そのようなスライド移動に伴って、各スライドバー９８のコイル装置６６側の先端部が、コイル装置６６の中心軸：Ｐに対して接近／離隔させられるようになっている。

また、可動バー８４には、コイルスプリング９９が水平方向に延びるように配置された状態で装着されており、このコイルスプリング９９によって、各スライドバー９８に対して、コイル６６の中心軸：Ｐに接近する方向への付勢力が付与されるようになっている。そして、そのような４個のスライドバー９８，９８，９８，９８が、コイル装置６６側の先端部において、コイル装置６６の周方向に等間隔を隔てた４箇所に対して、従来より公知の構造を有する４個のボールジョイント１０２，１０２，１０２，１０２を介して、各々連結されている。なお、コイル装置６６は、各支持装置６８と絶縁されていることが望ましく、そのため、ここでは、例えば、各ボールジョイント１０２のボールの表面等に絶縁物質からなるコーティングが施される。

かくして、４個の支持装置６８，６８，６８，６８が、コイルスプリング９９にて付勢された４個のスライドバー９８，９８，９８，９８により、コイル装置６６を、コイル７６の互いに直交する二つの径方向の内側に、常時、押圧しつつ、４個のボールジョイント１０２，１０２，１０２，１０２を介して支持するようになっている。

従って、吹出方向変更装置６２においては、４個の支持装置６８，６８，６８，６８のうちの少なくとも１個の支持装置６８の可動バー８４とそれに取り付けられるスライドバー９８とが、可動ユニット８６にて上方又は下方に一体移動させられることにより、コイル装置６６が、コイル７６の中心軸：Ｐを傾けつつ、傾動させられるようになっている。このとき、スライドバー９８は、コイルスプリング９９にて付勢されつつ、コイル装置６６の傾動状態に応じて、コイル装置６６に対して接近／離隔移動するようになっている。

そして、かかる吹出方向変更装置６２では、４個の支持装置６８，６８，６８，６８のうちから、可動バー８４が上方や下方に移動させられる支持装置６８を任意に選択することによって、コイル７６の中心軸：Ｐが任意に方向に傾けられるように、コイル装置６６を傾動させることが可能となっている。また、上方や下方に移動させられる可動バー８４の移動量を適宜に調節することによって、コイル７６の中心軸：Ｐが鉛直線に対して任意の角度で傾けられるように、コイル装置６６を傾動させることが可能となっている。即ち、吹出方向変更装置６２においては、４個の可動バー８４，８４，８４，８４のうちの任意のものを任意の量だけ上方又は下方に移動させることによって、コイル装置６６を所望の方向に所望の量だけ自由に傾動させ得るようになっている。このことから明らかなように、本実施形態では、支持装置６８によって、支持手段が構成されていると共に、かかる支持装置の可動ユニット８６によって、傾動手段が構成されている。

なお、コイル装置６６の傾動は、４個の支持装置６８，６８，６８，６８の全てのものの可動バー８４を上方や下方に移動させることによっても実施されるが、４個の支持装置６８，６８，６８，６８のうちの１個の支持装置６８の可動バー８４を、或いは取付板６４の周方向に隣り合う２個の支持装置６８，６８の可動バー８４，８４を、それぞれ、上下動させることなく、固定的に配置した状態で、残りの支持装置６８の可動バー８４のみを上下動させることによっても実施される。

そして、そのような吹出方向変更装置６２を有する本実施形態のプラズマＣＶＤ装置２０では、コイル装置６６が吹出方向変更装置６２にて任意の方向に任意の角度で傾動させられた際に、コイル装置６６の内孔７８を通過して、真空チャンバ２２内に吹き出されるアルゴンプラズマの吹出方向が、コイル７６の中心軸：Ｐの傾斜に追従するように変化して、任意の方向に任意の角度で自由に曲げられるようになっているのである。

なお、本実施形態では、図２及び図３に二点鎖線で示されるように、コイル７６の径方向の両側に位置する２個の支持装置６８，６８のうちの一方の支持装置６８の可動バー８４を上側限度位置に位置させる一方、それらのうちの他方の支持装置６８の可動バー８４を下側限度位置に位置させたときに、コイル装置６６の傾動位置が、コイル７６の中心軸：Ｐを、下側限度位置に位置する可動バー８４側の方向に、鉛直線に対して最大の傾斜角度（図３にθ₁ 及びθ₂ にて示される角度）で傾けて位置させた傾動限度位置となるように構成されている。

そして、コイル装置６６の傾動位置が、コイル７６の中心軸：Ｐを、図２及び図３の左方向に、鉛直線に対して最大の傾斜角度：θ₁ で傾けて位置させた左側傾動限度位置とされているときに、コイル装置６６の内孔７８を通過して、真空チャンバ２２内に吹き出されるアルゴンプラズマの吹出方向が、図２に二点鎖線の矢印で示されるように、左側に最も大きく曲げられるようになっている。また、コイル装置６６の傾動位置が、コイル７６の中心軸：Ｐを、図２及び図３の右方向に、鉛直線に対して最大の傾斜角度：θ₂ で傾けて位置させた右側傾動限度位置とされているときに、アルゴンプラズマの吹出方向が、図２に二点鎖線の矢印で示されるように、右側にもっと大きく曲げられるようになっている。また、コイル装置６６が傾動することなく、水平に配置されているときには、アルゴンプラズマの吹出方向が、何等曲げられることなく、鉛直方向とされるようになっているのである。

また、前記したように、可動バー８４の上下方向の移動は、電源装置７７の操作部８１の操作に基づいて、可動ユニット８６の駆動モータ９０の回転駆動が制御部８３にて制御されることによって、調節されるようになっている。従って、本実施形態では、可動バー８４の上下方向の移動が、電源装置７７の操作部８１の操作に基づいて、制御部８３にて制御されることによって、コイル７６の中心軸：Ｐの傾斜方向及び傾斜角度が任意の方向及び角度となるように、コイル装置６６が傾動させられるようになっている。このことから明らかなように、本実施形態では、電源装置７７の制御部８３によって、第一の制御手段が構成されている。

従って、本実施形態のプラズマＣＶＤ装置２０では、コイル装置６６の傾斜方向及び傾斜角度（コイル７６の中心軸：Ｐの傾斜方向及び傾斜角度）とが所望の方向及び角度となるように、操作部８１の図示しない操作摘み等を操作することにより、４個の可動ユニット８６，８６，８６，８６の作動が、制御部８３によって自動的に制御されて、アルゴンプラズマの吹出方向が、所望の向き（所望の方向及び角度）に変化させられるようになっているのである。

ところで、かくの如き構造とされたプラズマＣＶＤ装置２０を用いて、中間製品１８のアンダーコート層１４上にプラズマＣＶＤ層からなるトップコート層１６を形成する際には、例えば、以下のようにして、その操作が進められる。

すなわち、先ず、図２に示されるように、中間製品１８を、基板ホルダ３６の支持面３８上に支持させた状態で、基板ホルダ３６にて保持する。このとき、中間製品１８は、アンダーコート層１４の表面を上側に向けた状態で配置される。

次いで、上側開口部３４を蓋体２８にて覆蓋した後、図示しないロック機構にて、蓋体２８をチャンバ本体２６にロックする。これにより、真空チャンバ２２内を気密に密閉する。そして、その後、真空ポンプ４２を作動させて、真空チャンバ２２内を減圧する。この減圧操作によって、真空チャンバ２２内の圧力は、例えば１０^-5〜１０^-3Ｐａ程度とされる。

そして、真空チャンバ２２内の圧力が所定の値となったら、真空ポンプ４２を作動させたままで、プラズマ発生装置２４内に、ガス供給パイプ５４を通じて、アルゴンガス等を供給する。なお、ガス供給パイプ５４を通じてプラズマ発生装置２４内に供給されるガスは、アルゴンガスに限定されるものではない。アルゴンの他に、例えば、ヘリウムやネオン、キセノン、クリプトン等の不活性ガスや、不活性ガス以外のガスであって、プラズマ状態で成膜用ガスのプラズマと反応しないガス等が、適宜に用いられる。また、プラズマ発生装置２４内に導入されるガスは、成膜用ガスに含まれる一部のガス成分であっても良い。

そして、プラズマ発生装置２４内にアルゴンガスを供給する一方で、プラズマ発生装置２４に接続された高周波電源５２をＯＮ作動する。これにより、プラズマ発生装置２４内で、アルゴンガスをプラズマ化して、アルゴンプラズマを発生させて、プラズマ発生装置２４の吹出口５６とコイル装置６６の内孔７８とを通じて、かかるアルゴンプラズマを真空チャンバ２２内に吹き出させる。

このとき、電源装置７７の操作部８１を操作して、コイル装置６６を、左側傾動限度位置から右側傾動限度位置までの範囲内で左右に傾動させる。これによって、プラズマ発生装置２４から真空チャンバ２２内に鉛直下方に向かって吹き出されたアルゴンプラズマの吹出方向を、図２の左右方向に変化させる。そうして、アルゴンプラズマを、中間製品１８のアンダーコート層１４の表面の全面に、満遍なく吹き出させる。

なお、かかるコイル装置６６の傾動範囲と傾動量は、電源装置７７の操作部８１の操作に基づく制御部８３の給電制御によって、容易に調節できる。また、そのような制御部８３による給電制御により、コイル７６への給電量を増やして、コイル７６で発生する磁束を増大させ、それによって、コイル装置６６の内孔７８を通過するアルゴンプラズマの曲がり量を大きくしたり、或いはコイル７６への給電量を減らして、コイル７６で発生する磁束を減少させることにより、コイル装置６６の内孔７８を通過するアルゴンプラズマの曲がり量を小さくしたりして、アルゴンプラズマの曲がり量を調節することもできる。そして、そのようなコイル装置６６の傾動操作を実施する際には、好ましくは、制御部８３によって、コイル装置６６の傾動範囲や傾動速度が制御される。また、コイル装置６６の傾動を、連続的に或いは間欠的に実施しても良い。また、前記したように、４個の支持装置６８，６８，６８，６８の各可動バー８４の上方又は下方への移動量を適宜に調節することによって、コイル装置６６を、図２の左右方向以外の方向にも傾動させることができる。

そして、上記のようにして、アルゴンプラズマを中間製品１８のアンダーコート層１４に向かって吹き出させる一方で、第一導入パイプ４４ａと第二導入パイプ４４ｂとにそれぞれ接続された第一ボンベ４８ａの第一開閉バルブ５０ａと第二ボンベ４８ｂの第二開閉バルブ５０ｂとを各々開作動して、第一ボンベ４８ａ内のモノシランガスと第二ボンベ４８ｂ内の酸素ガスとを、第一及び第二ガス導入口４６ａ，４６ｂを通じて、真空チャンバ２２内に導入する。

これにより、真空チャンバ２２内で、モノシランガスと酸素ガスとをアルゴンプラズマに接触させて、それらをプラズマ化する。そして、それらモノシランガスのプラズマと酸素ガスのプラズマとを反応させて、ＳiＯ₂を生成し、かかる生成物ＳiＯ₂を、中間製品１８のアンダーコート層１４上に積層させる。

このとき、アルゴンプラズマが、中間製品１８のアンダーコート層１４に向かって吹き出されるところから、モノシランガスのプラズマと酸素ガスのプラズマとの反応が、真空チャンバ２２内における中間製品１８のアンダーコート層１４上の空間において、局所的に進行する。それによって、かかる反応によって生成されるＳiＯ₂の大部分が、アンダーコート層１４の表面上に堆積するようになる。

しかも、アルゴンプラズマが、コイル装置６６の傾動によって、中間製品１８のアンダーコート層１４の全表面に満遍なく吹き出されるようになっているため、モノシランガスのプラズマと酸素ガスのプラズマとの反応によって生成されたＳiＯ₂が、アンダーコート層１４の表面の全面に、略均等な厚さで堆積するようなる。

かくして、中間製品１８のアンダーコート層１４の全表面上に、ＳiＯ₂のプラズマＣＶＤ層からなるトップコート層を積層形成する。そうして、図１に示される如き構造を備えた、目的とする樹脂ガラス１０を得るのである。

以上の説明から明らかなように、本実施形態のプラズマＣＶＤ装置２０を用いれば、真空チャンバ２２内でのモノシランガスのプラズマと酸素ガスのプラズマとの反応によって生成されるＳiＯ₂の大部分を、中間製品１８のアンダーコート層１４の表面上に堆積させることができる。このため、真空チャンバ２２の内面や基板ホルダ３６等のアンダーコート層１４の表面以外へのＳiＯ₂の付着を、効果的に抑制することができる。それ故、真空チャンバ２２内の不要な部位に付着したＳiＯ₂を除去するための余分な作業から有利に開放されるか、或いはそのような作業の実施回数を飛躍的に減少させることができる。その結果、トップコート層１６の形成工程、ひいては樹脂ガラス１０の製造工程の簡略化及び効率化を、極めて効果的に達成することが可能となる。

そして、本実施形態のプラズマＣＶＤ装置２０によれば、特に、中間製品１８のアンダーコート層１４の表面の大小に拘わらず、かかるアンダーコート層１４の表面の全面に対して、プラズマＣＶＤ層からなるトップコート層１６を、満遍なく均一な厚さで積層形成することができる。しかも、そのようなアンダーコート層１４の全表面へのトップコート層１６の均一な厚さでの積層形成が、１個のプラズマ発生装置２４だけを用いて、１回の成膜操作により、中間製品１８を移動させることもなしに有利に実施できる。従って、アンダーコート層１４の全表面上に、均一な厚さのトップコート層１６を、プラズマＣＶＤ装置２０の構造の複雑化を招くことなく、低コストに積層形成することが可能となるのである。

また、かかるプラズマＣＶＤ装置２０では、コイル７６が、リング状コア７４の円筒部８０の外周面に対して、その中心軸回りに巻装されてなるコイル装置６６として用いられ、このコイル装置（円筒部８０）の内孔７８内を、アルゴンプラズマが通過するようになっている。それ故、コイル装置６６におけるコイル７６の巻数を増加させることによって、コイル装置６６で発生する磁束の密度を容易に増大させることができる。そして、それにより、アルゴンプラズマの吹出方向を、コイル装置６６の傾動に基づいて、更に一層確実に変化させることが可能となる。

以上、本発明の具体的な構成について詳述してきたが、これはあくまでも例示に過ぎないのであって、本発明は、上記の記載によって、何等の制約をも受けるものではない。

例えば、前記実施形態では、コイル７６が、リング状コア７４の円筒部８０の外周面に、その中心軸回りに巻装されてなるコイル装置６６として用いられていたが、環状乃至は筒状のコイル７６を、リング状コア７４等に何等巻装することなく、空芯コイル形態を呈する単独部材として、用いることもできる。そのような空芯コイル形態を呈するコイルとしては、例えば、電線を幾重にも重ねながら環状乃至は円筒に巻回してなる形態や、コイルスプリングのようにつるまき状に巻回してなる形態、或いはコイルスプリングを丸めて、軸方向両端を突き合わせてなる如き形態等のものが、適宜に用いられる。

また、コイルを所定のコアに巻回してなるコイル装置として用いる場合にあっても、例えば、コイルを、ドーナッツ状のコアに対して、その周方向につるまき状に巻き付けてなるコイル装置、つまり、コイルスプリングを丸めて、軸方向両端を突き合わせてなる如き形態のコイルの巻線の内側にドーナッツ状コアを挿入させた構造のコイル装置を用いても良い。

さらに、コイル装置６６、或いは空芯コイル形態を呈するコイル７６を支持する支持部材の構造や支持位置は、コイル装置６６やコイル７６を傾動可能に支持し得るものであれば、適宜に変更可能である。

更にまた、コイル装置６６やコイル７６を傾動させるための傾動手段の構造も、公知の種々の構造が採用され得る。例えば、例示したねじ送り機構に代えて、ラックとピニオンからなるギヤ機構やシリンダ機構等を利用して、傾動手段を構成することも可能である。

また、例えば、長尺な基材が巻き付けられたロールから巻き出された基材部分を巻き掛ける成膜用ローラが、真空チャンバ２２内に設けられて、かかる成膜用ローラに巻き掛けられた基材部分の表面に対して、プラズマＣＶＤ層を連続的に形成するようにした構造をもって、プラズマＣＶＤ装置を構成することも可能である。

加えて、前記実施形態では、本発明を、樹脂ガラスの表面に、プラズマＣＶＤ層からなるトップコート層を形成するのに用いられるプラズマＣＶＤ装置に適用したものの具体例を示したが、本発明は、基材の表面上にプラズマＣＶＤ層を形成するのに用いられるプラズマＣＶＤ装置の何れに対しても、有利に適用され得るものであることは、勿論である。

その他、一々列挙はしないが、本発明は、当業者の知識に基づいて種々なる変更、修正、改良等を加えた態様において実施され得るものであり、また、そのような実施態様が、本発明の趣旨を逸脱しない限り、何れも、本発明の範囲内に含まれるものであることは、言うまでもないところである。

１０樹脂ガラス１２基板
１４アンダーコート層１６トップコート層
１８中間製品２０プラズマＣＶＤ装置
２２真空チャンバ２４プラズマ発生装置
５６吹出口６２吹出方向変更装置
６４取付板６６コイル装置
６８支持装置７４リング状コア
７６コイル７７電源装置
７８内孔８１操作部
８３制御部８４可動バー
８６可動ユニット９８スライドバー
１０２ボールジョイント

Claims

基材を収容する反応室と、プラズマを発生させるプラズマ発生部と、該プラズマ発生部で発生したプラズマを該反応室内に吹き出させる吹出口とを備え、該吹出口を通じて、該プラズマ発生部から該反応室内に吹き出されるプラズマを利用して、前記基材の表面にプラズマＣＶＤ層を形成するプラズマＣＶＤ装置であって、
前記吹出口から前記反応室内に吹き出されたプラズマが内孔を通過するように、該反応室内に配置された、通電により磁束を発生する環状乃至は筒状のコイルと、
前記コイルの内孔へのプラズマの通過可能な状態を維持しながら、該コイルの中心軸が任意の方向に任意の角度で傾けられる該コイルの傾動を許容するように、該コイルを支持する支持手段と、
前記コイルに給電する電源手段と、
前記コイルを傾動させるための傾動手段と、
を含むことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
前記コイルが、リング状のコアの外周面に対して、該リング状コアの中心軸回りに巻装されていると共に、前記プラズマが、該リング状コアの中心孔を通過するようになっている請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置。
前記コイルの中心軸の傾斜方向及び傾斜角度が任意の方向及び角度となるように、前記傾動手段による該コイルの傾動を制御する第一の制御手段を更に含んで構成されている請求項１又は請求項２に記載のプラズマＣＶＤ装置。
前記電源手段から前記コイルへの給電量を任意の量に制御する第二の制御手段を更に含んで構成されている請求項１乃至請求項３のうちの何れか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置。