JP2013208587A

JP2013208587A - 分離装置、および分離方法

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Publication number: JP2013208587A
Application number: JP2012081265A
Authority: JP
Inventors: Yohei Jinno; 洋平神野; Shinya Sato; 晋哉佐藤; Toshihiro Kametani; 敏博亀谷
Original assignee: Pan Pacific Copper Co Ltd
Current assignee: Pan Pacific Copper Co Ltd
Priority date: 2012-03-30
Filing date: 2012-03-30
Publication date: 2013-10-10

Abstract

【課題】複数の成分を含む混合物から所望の成分を分離することができる分離装置および分離方法を提供する。
【解決手段】分離装置は、沈降速度の異なる成分を含むスラリーが導入される分離槽と、前記分離槽に滞留するスラリーを排出するための排出口を開閉する開閉手段と、前記開閉手段からの送液先を切り替える切替手段と、を備える。分離方法は、沈降速度の異なる成分を含むスラリーを分離槽に導入する工程と、前記分離槽の下部に滞留するスラリーを排出するための排出口を開く工程と、前記排出口からの送液先を切り替える工程と、を含む。
【選択図】図２

Description

本発明は、分離装置、および分離方法に関する。

銅製錬の過程で排出される製錬ダストには、銅が５ｍａｓｓ％〜２５ｍａｓｓ％程度含まれている。製錬ダストから銅を回収する場合、例えばこのダストを酸で浸出し、浸出しない硫化銅やメタル銅は、重力による沈降を利用した湿式の分級装置で分離し（例えば、特許文献１参照）、浸出する硫酸銅は、中和もしくは硫化するなどして、鉛、ビスマスなどの不純物と分離され、回収する方法などが取られる。回収された銅は、製錬工程へ繰り返される。

特開２００７−２３１３３３号公報

しかしながら、特許文献１の技術では、銅分が鉛を主成分とする未溶解残滓に混入することがある。そこで、希硫酸を用いて銅分を溶解させる方法が考えられる。この場合、希硫酸濃度、温度、時間などの各条件を選択することによって、更なる溶解・回収が可能である。しかしながら、薬剤コストが増加し、大規模設備が必要となってしまう。このように、複数の成分を含む混合物から所望の成分を分離するのは困難である。

本発明は、上記課題に鑑み、複数の成分を含む混合物から所望の成分を分離することができる分離装置および分離方法を提供することを目的とする。

本発明に係る分離装置は、沈降速度の異なる成分を含むスラリーが導入される分離槽と、前記分離槽に滞留するスラリーを排出するための排出口を開閉する開閉手段と、前記開閉手段からの送液先を切り替える切替手段と、を備えることを特徴とする。本発明に係る分離装置によれば、複数の成分を含む混合物から所望の成分を分離することができる。

前記切替手段は、前記開閉手段から排出されるスラリーの成分に応じて送液先を切り替えてもよい。前記切替手段は、前記開閉手段からスラリーが排出される際に、経過時間に応じて前記スラリーの送液先を切り替えてもよい。前記開閉手段は、所定期間「閉」の状態を維持した後に開いてもよい。

前記分離槽内のスラリーに上昇流を生じさせる上昇流発生装置を備えていてもよい。前記上昇流発生装置は、前記スラリーを攪拌することによって上昇させる攪拌装置であってもよい。前記排出口は、前記攪拌装置の攪拌羽根よりも下方に設けられていてもよい。

前記分離槽に導入されるスラリーは、製錬ダストを浸出液に導入することによって得られるスラリーであってもよい。前記上昇流発生装置によって生じる上昇流の上昇速度は、前記スラリーに含まれるＢｉ化合物の最小粒径および比重から求まる沈降速度以上であってもよい。前記上昇流発生装置によって生じる上昇流の上昇速度は、前記スラリーに含まれるＢｉ化合物の平均粒径および比重から求まる沈降速度以上であってもよい。

前記上昇流発生装置によって生じる上昇流の上昇速度は、前記スラリーに含まれるＰｂ化合物の最小粒径および比重から求まる沈降速度以上であってもよい。前記上昇流発生装置によって生じる上昇流の上昇速度は、前記スラリーに含まれるＰｂ化合物の平均粒径および比重から求まる沈降速度以上であってもよい。

前記上昇流発生装置によって生じる上昇流の上昇速度は、前記スラリーに含まれるＣｕまたはＣｕ化合物の最大粒径および比重から求まる沈降速度以下であることを特徴とする請求項９記載の分離装置。前記上昇流発生装置によって生じる上昇流の上昇速度は、前記スラリーに含まれるＣｕまたはＣｕ化合物の平均粒径および比重から求まる沈降速度以下であってもよい。前記開閉手段からの各送液先は、ろ過装置としてもよい。前記製錬ダストは、銅製錬工程の転炉から排出されるガスに含まれていてもよい。

本発明に係る分離方法は、沈降速度の異なる成分を含むスラリーを分離槽に導入する工程と、前記分離槽の下部に滞留するスラリーを排出するための排出口を開く工程と、前記排出口からの送液先を切り替える工程と、を含むことを特徴とする。本発明に係る分離方法によれば、複数の成分を含む混合物から所望の成分を分離することができる。

本発明によれば、複数の成分を含む混合物から所望の成分を分離することができる分離装置および分離方法を提供することができる。

銅の製錬炉の１つである転炉の排ガス処理工程を示す図である。製錬ダストから不純物成分を分離するための分離システムの全体構成を示す模式図である。分離装置の詳細を示す模式図である。具体的な制御について説明するためのフローチャートである。分離システムの他の例を示す図である。分級装置の詳細図である。（ａ）および（ｂ）は実験１の結果を示す図である。（ａ）および（ｂ）は実験２の結果を示す図である。（ａ）および（ｂ）は実験３の結果を示す図である。

以下、本発明を実施するための実施形態について説明する。

（実施の形態）
まず、本実施形態における分離対象について説明する。本実施形態においては、分離対象として、沈降速度の異なる複数の成分を含む混合物を用いる。当該混合物として、製錬ダストを用いることができる。一例として、製錬ダストのうち、銅製錬工程において排出されるダストについて説明する。図１は、銅の製錬炉の１つである転炉１の排ガス処理工程を示す図である。転炉１で排出された排気ガスは、廃熱ボイラー２で熱を回収した後、サイクロン、乾式電気集塵機などの集塵機３に送られる。集塵機３は、排気ガスに含まれるダストを回収する。集塵機３を通過したガスは、ガス洗浄冷却設備４に送られる。ガス洗浄冷却設備４は、スクラバー、湿式電気集塵機によりガスを洗浄および冷却し、硫酸製造設備に送る。製錬炉の種類によっては、排気ガスの温度に依存して、廃熱ボイラを経由しない場合もある。このように、製錬炉から排出される排気ガスに含まれ、集塵機にて回収されるダストを、製錬ダストと称する。

転炉ダストは、製錬ダストの１種である。転炉の排気ガスから電気集じん機（ＥＰ）で捕集されるダストには、銅成分および不純物成分が含まれる。銅成分には、硫化銅Ｃｕ_２Ｓ、硫酸銅ＣｕＳＯ_４などの銅化合物、および、メタル銅が含まれる。不純物成分には、硫酸ＢｉなどのＢｉ化合物、硫酸ＰｂなどのＰｂ化合物などが含まれる。銅化合物、Ｂｉ化合物、Ｐｂ化合物など製錬ダストに含まれる成分は比重や粒径が異なるため、沈降速度の異なる粒子を形成する。

製錬ダストは、その処理工程へと導入される。図２は、製錬ダストから不純物成分を分離するための分離システム１００の全体構成を示す模式図である。図２に示すように、分離システム１００は、ダストビン１０、浸出槽２０、分離装置３０、ポンプ４０ａ，４０ｂ、バルブ５０ａ，５０ｂ、貯液槽６０、フィルタープレス７０ａ，７０ｂ、制御部８０などを備える。

ダストビン１０は、回収された製錬ダストの導出口である。製錬ダストは、ダストビン１０を介して浸出槽２０に導入される。浸出槽２０では、希硫酸などの浸出液が貯留している。製錬ダストは、浸出槽２０の浸出液で浸出処理される。浸出処理された製錬ダストは、スラリーとして分離装置３０に導入される。

図３は、分離装置３０の詳細を示す模式図である。分離装置３０は、上昇流を利用して、沈降速度の高い成分と沈降速度の低い成分とを分離する装置である。図３に示すように、分離装置３０は、略円柱状の分離槽３１を備える。分離槽３１には、スラリー導入管３２が設けられている。スラリー導入管３２の配置箇所は特に限定されるものではない。一例として、スラリー導入管３２は、分離槽３１の上面から分離槽３１内部まで延びている。スラリー導入管３２の出口の向きも特に限定されるものではない。一例として、スラリー導入管３２の出口は、鉛直下側に向かっている。それにより、スラリーは、鉛直下側に向かって分離槽３１に導入される。

ここで、下記のＳｔｏｋｅｓの式によれば、流体中の粒子の粒径が大きいほど沈降速度が高く、比重が高いほど沈降速度が高くなる。スラリー中の硫酸ＢｉなどのＢｉ化合物および硫酸ＰｂなどのＰｂ化合物は、他の粒子に比べて比重はほとんど変わらないが、比較的小さい粒径を有している。一方で、スラリー中の銅または銅化合物（例えば硫化銅）は、他の粒子に比べて比重はほとんど変わらないが、比較的大きい粒径を有している。それにより、分離槽３１では、スラリーは、不純物成分（Ｂｉ化合物およびＰｂ化合物）と、銅成分とにおおまかに分離される。

ｖ_ｓ：粒子の終端速度（ｍ／ｓ）
Ｄ_ｐ：粒子径（ｍ）
ρ_ｐ：粒子の密度（ｋｇ／ｍ^３）
ρ_ｆ：流体の密度（ｋｇ／ｍ^３）
ｇ：重力加速度（ｍ／ｓ^２）
η：流体の粘度（Ｐａ・ｓ）

分離槽３１内には、撹拌機３３が設けられている。撹拌機３３は、攪拌力を利用して、分離槽３１内のスラリーの上昇流を生じさせる装置である。分離槽３１の底面は、鉛直下に向かって半径が小さくなる円錐の形状に形成されている。それにより、分離装置３０において、沈降速度の高い成分（銅分）が底面の中心部に向かって沈降する。攪拌機３３の攪拌羽根よりも下方の排出口に排出配管３４が接続されている。排出配管３４の接続部は底面でも側面でもよく、図３の例では、排出配管３４は、分離槽３１の底面中心部の排出口に接続されている。排出配管３４には、排出弁３５が設けられている。排出弁３５は、制御部８０の指示に従って動作する。排出弁３５は、所定期間閉状態を維持し、その後開状態となる開閉手段として機能する。それにより、分離槽３１の下部において銅成分を濃縮させてから排出させることができる。なお、分離槽３１の下部形状は特に限定されるものではない。例えば、分離槽３１の下部形状は、円柱状などであってもよい。

撹拌機３３は、モータなどの動力を利用してスラリーを攪拌する。分離槽３１内のスラリーは、撹拌機３３によって上昇する。この場合、沈降速度の低い成分（不純物成分）が分離槽３１の上部に滞留しやすくなる。したがって、有価物（本実施形態ではＣｕ）の回収率を下げずに不純物成分の回収率を向上させることができる。その結果、不純物成分の銅製錬炉への繰返し量が減少し、銅製錬で製造される銅アノードの品質が向上する。また、攪拌によって、銅成分と不純物成分とが効率よく分離されるので、上記銅アノードの品質が向上する点に加えて、分離されたＢｉ化合物、Ｐｂ化合物からＢｉ，Ｐｂ等の金属精製を行うことで外販可能有価金属を製造できる。

撹拌機３３によって生じる上昇流速度よりも沈降速度の高い成分は、分離槽３１の底面側に沈降しやすくなる。一方、撹拌機３３によって生じる上昇流速度よりも沈降速度の低い成分は、分離槽３１の上部に滞留しやすくなる。したがって、Ｂｉ分離の観点から、撹拌機３３によって生じる上昇流の上昇速度は、スラリーに含まれるＢｉ化合物の最小粒径および比重から求まる沈降速度以上であることが好ましく、スラリーに含まれるＢｉ化合物の平均粒径および比重から求まる沈降速度以上であることがより好ましい。

また、Ｐｂ分離の観点から、撹拌機３３によって生じる上昇流の上昇速度は、スラリーに含まれるＰｂ化合物の最小粒径および比重から求まる沈降速度以上であることが好ましく、スラリーに含まれるＰｂ化合物の平均粒径および比重から求まる沈降速度以上であることがより好ましい。さらに、Ｃｕ回収の観点から、撹拌機３３によって生じる上昇流の上昇速度は、スラリーに含まれるＣｕまたはＣｕ化合物の最大粒径および比重から求まる沈降速度以下であることが好ましく、スラリーに含まれるＣｕまたはＣｕ化合物の平均粒径および比重から求まる沈降速度以下であることがより好ましい。

ここで、スラリー中の硫酸Ｂｉ（ＢｉＳＯ_４）の粒径１μｍ〜１０μｍ（平均粒径が２．７５μｍ）であるとする。硫酸Ｂｉ（ＢｉＳＯ_４）の比重は５．０８である。したがって、上記のＳｔｏｋｅｓの式によれば、硫酸Ｂｉ（ＢｉＳＯ_４）の沈降速度は、０．００８〜０．７８０ｍ／ｈｒ＝０．１３〜１３ｍｍ／ｍｉｎ（平均沈降速度＝０．９８ｍｍ／ｍｉｎ）となる。

スラリー中の硫酸Ｐｂ（ＰｂＳＯ_４）の粒径１μｍ〜１０μｍ（平均粒径が２．７５μｍ）であるとする。硫酸Ｐｂ（ＰｂＳＯ_４）の比重は６．２である。したがって、上記のＳｔｏｋｅｓの式によれば、硫酸Pb（ＰｂＳＯ_４）の沈降速度は、０．０１〜１．００ｍ／ｈｒ＝０．１７〜１６．７ｍｍ／ｍｉｎ（平均沈降速度＝１．２７ｍｍ／ｍｉｎ）となる。

スラリー中の硫化Ｃｕ（Ｃｕ_２Ｓ）の粒径１０μｍ以上（平均粒径が４０μｍ）であるとする。硫化Ｃｕ（Ｃｕ_２Ｓ）の比重は５．６０である。したがって、上記のＳｔｏｋｅｓの式によれば、硫化Ｃｕ（Ｃｕ_２Ｓ）の沈降速度は、０．８８２ｍ／ｈｒ＝１５ｍｍ／ｍｉｎ以上（平均沈降速度＝２３５ｍｍ／ｍｉｎ）となる。なお、スラリー中のＣｕの比重は硫化Ｃｕ（Ｃｕ_２Ｓ）の比重よりも高いため、撹拌機３３によって生じる上昇流の上昇速度は、スラリーに含まれる硫化Ｃｕ（Ｃｕ_２Ｓ）の平均粒径および比重から求まる沈降速度以下であることが好ましい。

再度図２を参照して、排出配管３４の排出弁３５よりも下流側には、ポンプ４０ａが配置されている。ポンプ４０ａよりも下流において、配管が第１配管Ａと第２配管Ｂとに分岐している。第１配管Ａには、バルブ５０ａ、貯液槽６０、ポンプ４０ｂおよびフィルタープレス７０ａがこの順に配置されている。第２配管Ｂには、バルブ５０ｂおよびフィルタープレス７０ｂがこの順に配置されている。

バルブ５０ａ，５０ｂは、制御部８０の指示に従って、開閉を行う。ポンプ４０ａは、バルブ５０ａが「開」に制御されると、排出弁３５から排出されたスラリーを貯液槽６０に送液する。貯液槽６０は、スラリーを中和する中和器である。ポンプ４０ｂは、貯液槽６０に貯液されたスラリーをフィルタープレス７０ａに送液する。フィルタープレス７０ａは、スラリーに対して加圧ろ過を行う装置である。ポンプ４０ａは、バルブ５０ｂが「開」に制御されると、排出弁３５から排出されたスラリーをフィルタープレス７０ｂに送液する。フィルタープレス７０ｂは、スラリーに対して加圧ろ過を行う。このように、バルブ５０ａ，５０ｂは、排出弁３５から排出されたスラリーの送液先を切り替える切替手段として機能する。

ここで、分離装置３０の下部に滞留するスラリーの詳細について説明する。上述したように、分離槽３１においては、沈降速度の高い銅成分が不純物成分と比較して優先して分離槽３１の底面側に沈降する。すなわち、下部に滞留するスラリーは、主として銅成分を含む。

沈降速度の高い銅成分が不純物成分と比較して優先して沈降することから、排出弁３５を所定期間「閉」にした後に「開」にすると、銅成分が優先して排出弁３５から排出される。そこで、本実施形態においては、排出弁３５を「開」にしてから所望の成分が排出された後に送液先を切り替える。それにより、沈降速度の高い銅成分と沈降速度の低い不純物成分とを分離することができる。この場合、排出弁３５を「開」にしてから所定期間が経過するまでの間の送液先と、所定期間が経過した後の送液先とを切り替えるように制御してもよい。

図４は、具体的な制御について説明するためのフローチャートである。まず、制御部８０は、分離槽３１に一定量のスラリーが貯留されるまで排出弁３５を所定期間「閉」に制御する（ステップＳ１）。次に、制御部８０は、排出弁３５を「開」に制御するとともに、バルブ５０ａを「開」に制御して第１配管Ａを開通させ、バルブ５０ｂを「閉」に制御して第２配管Ｂを閉じる（ステップＳ２）。それにより、排出弁３５から排出されたスラリーがフィルタープレス７０ａに送液される。次に、制御部８０は、所定期間が経過したか否かを判定する（ステップＳ３）。

ステップＳ３において「Ｎｏ」と判定された場合、制御部８０は、ステップＳ３を再度実行する。ステップＳ３において「Ｙｅｓ」と判定された場合、制御部８０は、バルブ５０ａを「閉」に制御して第１配管Ａを閉じ、バルブ５０ｂを「開」に制御して第２配管Ｂを開通させる（ステップＳ４）。それにより、排出弁３５から排出されたスラリーがフィルタープレス７０ｂに送液される。すなわち、スラリーの送液先が切り替わる。次に、制御部８０は、所定期間が経過したか否かを判定する（ステップＳ５）。ステップＳ５において「Ｎｏ」と判定された場合、制御部８０は、ステップＳ５を再度実行する。ステップＳ５において「Ｙｅｓ」と判定された場合、制御部８０は、排出弁３５を「閉」に制御する（ステップＳ６）。その後、フローチャートの実行が終了する。

このように、排出弁３５を「開」にしてから所定期間が経過するまでの間の送液先と、所定期間が経過した後の送液先とを切り替えることによって、銅成分を多く含むスラリーと不純物成分を多く含むスラリーとに分離することができる。フィルタープレス７０ａで得られる脱水ケーキは、銅製錬工程に繰り返すことができる。それにより、銅成分の回収率を向上させることができる。フィルタープレス７０ｂで得られる脱水ケーキは、不純物回収工程に供することができる。

（他の例）
図５は、分離システム１００の他の例（分離システム１００ａ）を示す図である。図５に示すように、分離システム１００ａにおいては、浸出槽２０と分離装置３０との間に、ポンプ４０ｃおよび分級装置９０がこの順に設けられている。本例においては、浸出槽２０で浸出処理された製錬ダストは、スラリーとして分級装置９０に導入される。スラリーは、ポンプ４０ｃの圧送力で分級装置９０に導入される。

図６は、分級装置９０の詳細図である。分級装置９０は、重力を利用して、沈降速度の高い成分と沈降速度の低い成分とを分離する湿式の分級装置である。図６に示すように、分級装置９０は、略円柱状の分級槽９１を備える。分級槽９１の側面から内部へスラリー導入管９２が設けられている。スラリー導入管９２から分級槽９１に導入されるスラリーは、重力によって底面側へと沈降する。この場合、沈降速度の高い成分が優先的に分級槽９１の底面側に沈降する。沈降速度の低い成分は、分級槽９１において、主として上部に滞留するようになる。

分級槽９１の底面は、鉛直下に向かって半径が小さくなる円錐の形状に形成されている。それにより、分級装置９０において、沈降速度の高い成分が底面の中心部に向かって沈降する。分級槽９１の底面中心部には、排出配管９３が接続されている。分級槽９１の下部に滞留する成分は、排出配管９３から排出される。分級槽９１の側面上部には、排出配管９４が接続されている。分級槽９１の上部に滞留する成分は、排出配管９４から排出され、分離装置３０に導入される。

本例においては、浸出槽２０から排出されるスラリーに含まれる沈降成分を事前に低減しておくことができる。それにより、浸出槽２０から排出されるスラリーに沈降成分が多く含まれていても、分離装置３０の排出弁３５における詰まりを抑制することができる。

なお、上記各形態においては、上昇流発生装置として撹拌機３３を用いたが、それに限られない。スラリーを攪拌しなくても上昇させることができる装置であれば用いることができる。また、上昇流発生装置を設けなくてもよい。上昇流を発生させなくても、沈降速度の高い成分と沈降速度の低い成分とを分離することができるからである。また、上記各形態においては製錬ダストの一例として転炉からのダストを用いたが、沈降速度の異なる複数の成分を含む混合物であれば用いることができる。例えば、自溶炉からのダストを用いてもよい。また、フィルタープレスの代わりに他のろ過装置を使用してもよい。また、上記各形態においては制御部８０が自動的に送液先を切り替えているが、ユーザの手動によって送液先を切り替えてもよい。上記形態においては貯液槽６０が中和器としての機能を有しているが、他の機能を有していてもよい。また、上記各形態においては第１経路Ａに貯液槽６０が配置されているが、貯液槽６０は設けられていなくてもよい。

（実験例）
以下、実験例について説明する。実験例においては、分離システム１００ａにおいてバルブ５０ａを「閉」とし、バルブ５０ｂを「開」とした場合において、フィルタープレス７０ｂに送られるスラリー成分の経時変化について測定した。実験１においては、排出弁３５の「開」から３０秒ごとにサンプルを抜き出し、成分測定を行った。実験２においては、排出弁３５の「開」から３分後までは３０秒ごと、それ以降は３分ごとにサンプルを抜き出し、成分測定を行った。実験３においては、排出弁３５の「開」から３分ごとにサンプルを抜き出し、成分測定を行った。図７（ａ）および図７（ｂ）は、実験１の結果を示す。図８（ａ）および図８（ｂ）は、実験２の結果を示す。図９（ａ）および図９（ｂ）は、実験３の結果を示す。各含有率（％）は、ｍａｓｓ％を示す。

図７（ａ）〜図９（ｂ）の各図に示すように、排出弁３５の「開」の直後において、銅濃度が大きくなっている。当該銅濃度は、時間の経過とともに、増減を繰り返しつつ低下していく。これに対して、ビスマス、鉛などの不純物濃度は、排出弁３５の「開」の直後において、小さくなっている。当該不純物濃度は、時間の経過とともに漸増する。以上の結果から、排出弁３５を「開」にしてから所定期間が経過するまでの間の送液先と、所定期間が経過した後の送液先とを切り替えることによって、銅成分と不純物成分とを分離できることがわかる。

１０ダストビン
２０浸出槽
３０分離装置
３１分離槽
３２スラリー導入管
３３撹拌機
３４排出配管
３５排出弁
４０ａ〜４０ｃポンプ
５０ａ，５０ｂバルブ
６０貯液槽
７０ａ，７０ｂフィルタープレス
８０制御部
９０分級装置
１００分離システム

Claims

沈降速度の異なる成分を含むスラリーが導入される分離槽と、
前記分離槽に滞留するスラリーを排出するための排出口を開閉する開閉手段と、
前記開閉手段からの送液先を切り替える切替手段と、を備えることを特徴とする分離装置。
前記切替手段は、前記開閉手段から排出されるスラリーの成分に応じて送液先を切り替えることを特徴とする請求項１記載の分離装置。
前記切替手段は、前記開閉手段からスラリーが排出される際に、経過時間に応じて前記スラリーの送液先を切り替えることを特徴とする請求項１記載の分離装置。
前記開閉手段は、所定期間「閉」の状態を維持した後に開くことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の分離装置。
前記分離槽内のスラリーに上昇流を生じさせる上昇流発生装置を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の分離装置。
前記上昇流発生装置は、前記スラリーを攪拌することによって上昇させる攪拌装置であることを特徴とする請求項５記載の分離装置。
前記排出口は、前記攪拌装置の攪拌羽根よりも下方に設けられていることを特徴とする請求項６記載の分離装置。
前記分離槽に導入されるスラリーは、製錬ダストを浸出液に導入することによって得られるスラリーであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の分離装置。
前記上昇流発生装置によって生じる上昇流の上昇速度は、前記スラリーに含まれるＢｉ化合物の最小粒径および比重から求まる沈降速度以上であることを特徴とする請求項８記載の分離装置。
前記上昇流発生装置によって生じる上昇流の上昇速度は、前記スラリーに含まれるＢｉ化合物の平均粒径および比重から求まる沈降速度以上であることを特徴とする請求項８記載の分離装置。
前記上昇流発生装置によって生じる上昇流の上昇速度は、前記スラリーに含まれるＰｂ化合物の最小粒径および比重から求まる沈降速度以上であることを特徴とする請求項８記載の分離装置。
前記上昇流発生装置によって生じる上昇流の上昇速度は、前記スラリーに含まれるＰｂ化合物の平均粒径および比重から求まる沈降速度以上であることを特徴とする請求項８記載の分離装置。
前記上昇流発生装置によって生じる上昇流の上昇速度は、前記スラリーに含まれるＣｕまたはＣｕ化合物の最大粒径および比重から求まる沈降速度以下であることを特徴とする請求項８記載の分離装置。
前記上昇流発生装置によって生じる上昇流の上昇速度は、前記スラリーに含まれるＣｕまたはＣｕ化合物の平均粒径および比重から求まる沈降速度以下であることを特徴とする請求項８記載の分離装置。
前記開閉手段からの各送液先は、ろ過装置であることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項に記載の分離装置。
前記製錬ダストは、銅製錬工程の転炉から排出されるガスに含まれていることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか一項に記載の製錬ダストの分離装置。
沈降速度の異なる成分を含むスラリーを分離槽に導入する工程と、
前記分離槽の下部に滞留するスラリーを排出するための排出口を開く工程と、
前記排出口からの送液先を切り替える工程と、を含むことを特徴とする分離方法。