JP2013200919A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2013200919A5
JP2013200919A5 JP2012068748A JP2012068748A JP2013200919A5 JP 2013200919 A5 JP2013200919 A5 JP 2013200919A5 JP 2012068748 A JP2012068748 A JP 2012068748A JP 2012068748 A JP2012068748 A JP 2012068748A JP 2013200919 A5 JP2013200919 A5 JP 2013200919A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
state
setting
semiconductor memory
switch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012068748A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2013200919A (ja
JP5929398B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2012068748A priority Critical patent/JP5929398B2/ja
Priority claimed from JP2012068748A external-priority patent/JP5929398B2/ja
Publication of JP2013200919A publication Critical patent/JP2013200919A/ja
Publication of JP2013200919A5 publication Critical patent/JP2013200919A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5929398B2 publication Critical patent/JP5929398B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2012068748A 2012-03-26 2012-03-26 不揮発性半導体メモリ装置、及び、その制御方法 Active JP5929398B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012068748A JP5929398B2 (ja) 2012-03-26 2012-03-26 不揮発性半導体メモリ装置、及び、その制御方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012068748A JP5929398B2 (ja) 2012-03-26 2012-03-26 不揮発性半導体メモリ装置、及び、その制御方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013200919A JP2013200919A (ja) 2013-10-03
JP2013200919A5 true JP2013200919A5 (enExample) 2015-01-15
JP5929398B2 JP5929398B2 (ja) 2016-06-08

Family

ID=49521049

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012068748A Active JP5929398B2 (ja) 2012-03-26 2012-03-26 不揮発性半導体メモリ装置、及び、その制御方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5929398B2 (enExample)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102250423B1 (ko) 2015-01-13 2021-05-12 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법
WO2018163258A1 (ja) * 2017-03-06 2018-09-13 株式会社日立製作所 フラッシュメモリモジュール、ストレージシステム、及びフラッシュメモリの制御方法
CN115410641B (zh) * 2022-11-02 2023-03-14 合肥康芯威存储技术有限公司 一种存储系统及其测试方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09204367A (ja) * 1996-01-25 1997-08-05 Mitsubishi Electric Corp フラッシュディスクカードにおけるフラッシュメモリデータのリフレッシュ方法
JP4775969B2 (ja) * 2007-09-03 2011-09-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 不揮発性記憶装置
WO2009110142A1 (en) * 2008-03-07 2009-09-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Information processing apparatus and non-volatile semiconductor memory drive
JP2012048770A (ja) * 2010-08-24 2012-03-08 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及び、メモリシステム

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2522122A1 (en) System and method for automatically saving memory contents of a data processing device on power failure
JP2014182832A5 (ja) 格納装置、不揮発性格納装置及びその運営体系イメージプログラム方法
JP2012198811A5 (ja) メモリシステム、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶装置の制御方法、及びプログラム
CN109767804B (zh) 数据储存装置及其电压保护方法
JP2008192267A5 (enExample)
JP2008192266A5 (enExample)
US9268487B2 (en) Method and apparatus for restricting writes to solid state memory when an end-of life condition is reached
JP2010282252A5 (enExample)
WO2008117520A1 (ja) メモリコントローラ、不揮発性メモリシステムおよびホスト装置
JP2012104110A5 (enExample)
CN112700815B (zh) 用于管理针对临时操作条件的块引退的方法和系统
JP2014130587A5 (enExample)
JP2015035247A5 (ja) 書き込み時の欠落の緩和
JP2009533770A5 (enExample)
JP2013502647A5 (enExample)
JP2008181399A5 (enExample)
JP2008033788A5 (enExample)
JP2017058438A5 (enExample)
JP2013228909A5 (ja) 媒体処理装置、媒体処理装置の制御方法、及び、プログラム
JP2014154166A5 (enExample)
KR102735599B1 (ko) 메모리 시스템 및 이를 이용한 웨어-레벨링 방법
US20130145082A1 (en) Memory access control apparatus and memory access control method
JP2016186828A5 (ja) 記憶装置および記憶制御方法
TW200943060A (en) Data writing method for non-volatile memory, storage system and controller thereof
JP2013200919A5 (enExample)