JP2013197361A - 発光装置及び発光装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板上の発光素子を搭載する位置に施された銀メッキが樹脂層で保護される発光装置であって、効率的に製造でき、かつ、信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】シリコーン系樹脂やアクリル系樹脂等の透明樹脂で成形された殻16aの中に、シリコーン系樹脂やアクリル系樹脂等の液状の接着剤16bを封入し、これをダイボンド剤16として、基板11に施された銀メッキ15の表面のLEDチップ17を搭載する箇所に供給する。その後、このダイボンド剤16の上にLEDチップ17を搭載し、その搭載と同時に殻16aを破り、中の液状の接着剤16bを銀メッキ15の表面全体に流出させて銀メッキ15の全面又は一部に成膜し、同時にLEDチップ17の固着を行う。
【選択図】図2
【解決手段】シリコーン系樹脂やアクリル系樹脂等の透明樹脂で成形された殻16aの中に、シリコーン系樹脂やアクリル系樹脂等の液状の接着剤16bを封入し、これをダイボンド剤16として、基板11に施された銀メッキ15の表面のLEDチップ17を搭載する箇所に供給する。その後、このダイボンド剤16の上にLEDチップ17を搭載し、その搭載と同時に殻16aを破り、中の液状の接着剤16bを銀メッキ15の表面全体に流出させて銀メッキ15の全面又は一部に成膜し、同時にLEDチップ17の固着を行う。
【選択図】図2
Description
本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関するものである。本発明は、特に、LED(発光ダイオード)デバイス及びLEDデバイスの製造方法に関するものである。
LEDデバイスが発した光を効率よく取り出すため、LEDデバイスを実装する基板の表面に銀メッキを施し、光の取り出し効率を向上させる技術がある。しかし、硫化による銀メッキ部の変色により、LEDデバイスから発せられる光の取り出し効率が低減してしまう問題があった。
こうした問題に対し、基板表面の銀メッキ部の変色を抑える方法として、銀メッキ部に保護皮膜を形成することが知られている。この保護皮膜が施されたLEDデバイスの製造方法としては、主に以下の2通りがある。
1つ目の製造方法(例えば、特許文献1参照)では、まず、銀メッキが施された基板の表面にLEDチップをはんだや樹脂製の接着剤を用いてダイボンディングして実装する。次に、LEDチップと基板表面の配線パターンとの間の電気的な導通をとるために、LEDチップの上面に形成されたP型及びN型の電極パッドと、基板の配線パターンとを、導電性のワイヤを用いてワイヤボンディングする。そして、基板側の電極部やLEDチップを覆うように、エポキシ系樹脂等を用いて薄膜を形成する。その後、熱処理を施すことで薄膜を硬化させる。この薄膜により、基板の表面に施された銀メッキ部の硫化による変色が抑えられる。
2つ目の製造方法(例えば、特許文献2参照)では、LEDチップを実装する前に、銀メッキ部に金属の薄膜を形成する。そして、その上から上記1つ目の製造方法と同様、LEDチップをはんだや樹脂製の接着剤を用いてダイボンディングして実装する。その後、ワイヤボンディングを行い、LEDチップを樹脂封止する。この製造方法でも、薄膜により、基板の表面に施された銀メッキ部の硫化による変色が抑えられる。
上記1つ目の製造方法では、LEDチップを実装するためのはんだや樹脂製の接着剤を硬化させるための熱処理工程と、その後、薄膜を形成してからベーキングを行うための熱処理工程を実施する必要がある。このように計2回の熱処理工程を実施すると、周辺部材や基板、基板に施されている配線部分、またLEDデバイスそのものへ熱負荷を掛けてしまうことになり、製品の寿命を短くしてしまう危険性がある。また、基板に施される白色レジストが熱による変色を起こす可能性もある。
上記2つ目の製造方法では、予め表面に金属超薄膜を形成した基板を用いている。しかし、成膜には熱処理工程が必要である。さらに、LEDチップの搭載後にはんだや接着剤を硬化させるために熱処理工程を実施するため、計2回の熱処理工程が必要となる。なお、特許文献2には、1回目の熱処理工程を施さずに、そのままLEDチップの実装と配線、樹脂封止を行う方法が記載されているが、この場合でも基板表面の銀メッキ部へ成膜するための成膜工程が必要となる。
特許文献2では、特定の箇所にのみ成膜する場合は、マスクを用いることが述べられている。しかしながら、LEDチップを実装する箇所の周辺に電子部品等が存在する場合、その電子部品が障害となり、マスクでの成膜が容易ではなくなる。さらに、特定のマスクを用いてLEDデバイスを製造する場合は、このマスクの開口部に合わせた基板の設計が必要となり制約が生じる。逆に自由な基板の設計に合わせて成膜する場合は、マスクをその都度変更する必要があり、生産コストや生産性に影響を及ぼす可能性がある。
本発明は、例えば、基板上の発光素子を搭載する位置に施された銀メッキが樹脂層で保護される発光装置であって、効率的に製造でき、かつ、信頼性の高い発光装置を提供することを目的とする。
本発明の一の態様に係る発光装置は、
発光素子と、
前記発光素子が搭載される位置に銀メッキが施され、樹脂層を介して前記発光素子が前記位置に接着される基板とを備え、
前記発光素子が前記位置に搭載される際に、液状の樹脂を内包する殻状の樹脂が前記発光素子と前記位置に施された銀メッキとの間で押圧されて変形し前記液状の樹脂が当該銀メッキの上に流出して前記樹脂層が形成されるものである。
発光素子と、
前記発光素子が搭載される位置に銀メッキが施され、樹脂層を介して前記発光素子が前記位置に接着される基板とを備え、
前記発光素子が前記位置に搭載される際に、液状の樹脂を内包する殻状の樹脂が前記発光素子と前記位置に施された銀メッキとの間で押圧されて変形し前記液状の樹脂が当該銀メッキの上に流出して前記樹脂層が形成されるものである。
本発明の一の態様によれば、基板上の発光素子を搭載する位置に施された銀メッキが、発光素子が当該位置に搭載される際に液状の樹脂を内包する殻状の樹脂の変形によって形成される樹脂層で保護されるため、効率的に製造でき、かつ、信頼性の高い発光装置を提供することが可能となる。
以下、本発明の実施の形態について、図を用いて説明する。なお、各実施の形態の説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「前」、「後」、「表」、「裏」といった方向は、説明の便宜上、そのように記しているだけであって、装置、器具、部品等の配置や向き等を限定するものではない。
実施の形態1.
図1は、本実施の形態に係るLEDデバイス10の断面図である。
図1は、本実施の形態に係るLEDデバイス10の断面図である。
図1において、LEDデバイス10は、発光装置の例であり、少なくともLEDチップ17と基板11とを備える。
LEDチップ17は、発光素子の例であり、外部から電力を供給されることにより発光する。なお、LEDチップ17としては、青色LED、赤色LED、緑色LED、近紫外LED等、任意の発光色のLEDを使用することができる。また、LEDチップ17に代えて、有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子等、他の種類の発光素子を使用しても構わない。
基板11は、所定の位置にLEDチップ17を搭載(実装)する。なお、基板11の1箇所だけでなく、2箇所以上にLEDチップ17を搭載しても構わない。
基板11には、電気的な配線を行う導体層12が形成されており、その上に、絶縁性を有する白色レジスト14が施されている。LEDチップ17が導電性ワイヤを有するワイヤ18により導体層12と電気接続(ワイヤボンディング)される位置では、白色レジスト14が開口され、導体層12に銀メッキ13が施されている。同様に、LEDチップ17のダイパッド部が導体層12と電気接続(ダイボンディング)される位置(即ち、基板11の上のLEDチップ17が搭載される位置)でも、白色レジスト14が開口され、導体層12に銀メッキ15が施されている。LEDチップ17は、この銀メッキ15が施された部分に、ダイボンド剤16により固着されている。ダイボンド剤16は、例えば、シリコーン系樹脂やアクリル系樹脂等の透明接着材からなり、銀メッキ15の全面又は一部を覆うことで、大気中のガスを遮断し、硫化による銀メッキ15の変色を防止又は抑制する。このように、本実施の形態において、LEDチップ17は、接着剤としての機能と銀メッキ15の保護膜としての機能とを兼ね備えた樹脂層を介して、基板11の所定の位置に接着されている。
LEDチップ17は、さらに、表面の電極パッドに接続されたワイヤ18ごと封止樹脂19により封止される。封止樹脂19は、例えば、シリコーン等の透明樹脂からなる。封止樹脂19は、蛍光体等、LEDチップ17から発せられる光を異なる波長の光に変換する物質を含んでいてもよい。例えば、LEDチップ17が青色光を発するものであれば、青色光により励起されて黄色光を発する蛍光体を封止樹脂19に混合させることにより、LEDデバイス10の発光色を白色とすることができる。
図2は、LEDデバイス10の製造方法を示す図である。
図2において、(a)は、ダイボンド剤16を基板11へ供給する工程を示す断面図である。(b)は、LEDチップ17を基板11に搭載し、銀メッキ15の表面に成膜する工程を示す断面図である。(c)は、LEDチップ17を樹脂封止するまでの工程を示す断面図である。なお、図2の(c)は、図1と同じLEDデバイス10の断面図である。
前述したように、基板11には、導体層12が形成されており、その上に白色レジスト14が施されている。また、LEDチップ17がワイヤボンディングされる位置及びダイボンディングされる位置では、白色レジスト14が開口され、導体層12に銀メッキ13,15が施されている。
まず、図2の(a)に示すように、LEDチップ17が搭載される位置に施された銀メッキ15の上にダイボンド剤16を載置する。このとき、ダイボンド剤16は、シリコーン系樹脂やアクリル系樹脂等の透明樹脂で成形された殻16aの中に、同じくシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂等の透明樹脂である液状の接着剤16bを封入して形成されたものである。即ち、ダイボンド剤16は、液状の樹脂を内包する殻状の樹脂である。このダイボンド剤16の製造方法については後述する。なお、ダイボンド剤16を効率的に製造するため、殻16aと液状の接着剤16bに用いられる材料は同一であることが望ましい。
銀メッキ15の上にダイボンド剤16を載置した後、図2の(b)に示すように、その上からLEDチップ17を搭載する。LEDチップ17を搭載する際に、LEDチップ17で殻16aを押し潰して破り、その中の液状の接着剤16bを流出させる。銀メッキ15の上に流れ出た液状の接着剤16bは、銀メッキ15の表面に濡れ拡がり、銀メッキ15の全面又は一部を覆う。
LEDチップ17を基板11に搭載し、銀メッキ15の表面を液状の接着剤16bで覆った後、図2の(c)に示すように、ダイボンド剤16によるLEDチップ17の固着と保護膜の形成とを同時に行う熱処理工程を実施する。熱処理工程を通過したダイボンド剤16(銀メッキ15の上に流出した液状の接着剤16bだけでなく、LEDチップ17により潰された殻16aも含む)は、硬化してLEDチップ17を接着するとともに銀メッキ15を保護する樹脂層を形成する。その後、LEDチップ17の表面にある電極と基板11側の導体層12とをワイヤ18により電気接続する(ワイヤボンディングを行う)。さらに、LEDチップ17とワイヤ18とを封止樹脂19により覆うことで、LEDデバイス10を製造する。
上記のように、本実施の形態では、LEDチップ17が基板11に搭載される際に、液状の接着剤16bを内包する殻16aがLEDチップ17と基板11上のLEDチップ17が搭載される位置に施された銀メッキ15との間で押圧されて変形し、液状の接着剤16bがその銀メッキ15の上に流出して樹脂層(ダイボンド剤16)が形成される。本実施の形態では、基板11の上のLEDチップ17を搭載する位置に施された銀メッキ15が、LEDチップ17が当該位置に搭載される際に形成される樹脂層で保護される。このため、熱処理工程が1回で済み、LEDデバイス10の製造の効率性とLEDデバイス10の信頼性との両方が向上する。
図3は、ダイボンド剤16の製造方法を示す図である。なお、図3の(a)〜(c)は断面図であるが、断面を示すハッチングは省略している。
図3において、(a)は、スティック22の先端に取り付けた円柱状のブロック21に液状の接着剤16bを付ける工程を示す断面図である。(b)は、ブロック21を硬化した接着剤16dで覆う工程を示す断面図である。(c)は、殻16aを成形する工程を示す断面図である。(d)は、殻16aの中に液状の接着剤16bを注入する工程を示す断面図である。(e)は、液状の接着剤16bを注入した殻16aに蓋16cを取り付ける工程を示す断面図である。なお、図3の(e)は、図2の(a)に示したダイボンド剤16の断面図である。
まず、図3の(a)に示すように、スティック22の先端に取り付けた円柱状のブロック21を液状の接着剤16b(溶液)の中に浸漬する。これにより、スティック22の先端のブロック21に液状の接着剤16bが付く。
次に、図3の(b)に示すように、液状の接着剤16bからスティック22を取り出し、スティック22を上下反転(180°回転)させる。そして、ブロック21の表面に液状の接着剤16bが薄く残るように、スティック22をスピンさせて液状の接着剤16bを適度に飛散させる。その後、ブロック21を加熱し、飛散しなかった液状の接着剤16bを硬化させる。これにより、ブロック21が硬化した接着剤16dで覆われる。
次に、図3の(c)に示すように、ブロック21の直径より広く、ブロック21の高さより長い穴の空いた金型23の中に、ブロック21を挿入する。金型23に挿入後、ブロック21のスティック22側の面と、金型23の上面の高さを合わせて、ブロック21のスティック22側に付いている硬化した接着剤16dを小型カッター24で削り取る。ブロック21に付いたままの硬化した接着剤16dは殻16aとなる。
次に、図3(d)に示すように、スティック22を金型23から取り出し、ブロック21の先端の硬化した接着剤16dを剥がしてできた殻16aの中に、液状の接着剤16bを注入(充填)する。このように、殻16aを成形した後、液状の接着剤16bを殻16aに充填することにより、液状の接着剤16bを内包する殻16aが得られる。
最後に、図3(e)に示すように、液状の接着剤16bを注入した殻16aに、液状の接着剤16bと同じ材料で成形した蓋16cを取り付けることで、略円柱状のダイボンド剤16を製造する。蓋16cは、例えば、単体で成形したものを殻16aに貼り付けてもよいし、ヒータブロック等による局部加熱で液状の接着剤16bの一部を硬化させて形成してもよい。
なお、本実施の形態では、ブロック21が円柱状であるため、ダイボンド剤16も略円柱状に成形されるが、ダイボンド剤16の形状は、多角柱状、半球状等、他の形状であってもよい。例えば、ブロック21の形状・大きさを変更することで、基板11の表面に成膜する面積や量の変更に対応した形状・大きさのダイボンド剤16を作製することが可能となる。
また、本実施の形態では、ダイボンド剤16に蓋16cが付いているが、蓋16cはなくてもよい。即ち、ダイボンド剤16は、密閉されていなくてもよい。ダイボンド剤16が密閉されていない場合、図2の(a)に示した工程では、殻16aの開口部(液状の接着剤16bが露出する部分)を上に向けた状態でダイボンド剤16を銀メッキ15の上に載置するのが望ましい。これにより、図2の(b)に示した工程で殻16aがLEDチップ17により押し潰される前に液状の接着剤16bが流出する(漏れる)のを防ぐことができる。
以上説明したように、本実施の形態では、シリコーン系樹脂やアクリル系樹脂等の透明樹脂で成形された殻16aの中に、シリコーン系樹脂やアクリル系樹脂等の液状の接着剤16bを封入し、これをダイボンド剤16として、銀メッキ15の表面のLEDチップ17を搭載する箇所に供給する。その後、このダイボンド剤16の上にLEDチップ17を搭載し、その搭載と同時に殻16aを破り、中の液状の接着剤16bを銀メッキ15の表面全体に流出させて銀メッキ15の全面又は一部に成膜し、同時にLEDチップ17の固着を行う。
本実施の形態によれば、LEDチップ17を基板11の所定の箇所へ固着するとともに、基板11の表面に施された銀メッキ15の変色を防止するための成膜を同時に行うことができる。さらに、ダイボンド剤16を硬化させてLEDチップ17を固着するための熱処理工程と、銀メッキ15に成膜するための熱処理工程とを同時に行う(1回で済ませる)ことができる。これにより、部品や基板11への熱ストレスを低減することができるため、製品(LEDデバイス10)の寿命が短くなるのを抑制できる。また、成膜する工程を短縮することができるため、生産性も向上する。さらに、基板11の表面に施されている銀メッキ15に成膜することで、銀メッキ15が硫化によって変色することを防止でき、LEDデバイス10からの光の取り出し効率が高まる。
本実施の形態では、LEDデバイス10の成膜工程が、LEDチップ17の実装後ではなく、LEDチップ17の実装と同時に実施され、このとき、LEDチップ17の表面への成膜はないため、LEDチップ17の表面から直接光を取り出すことができる。そのため、LEDデバイス10からの光の取り出し効率が一層高まる。また、成膜時の膜厚のばらつきによる光の取り出し効率の低下を懸念する必要がなくなる。
本実施の形態では、特定のサイズの殻16aに覆われた液状の接着剤16bを使用することで、ダイボンド剤16の供給量を管理することができる。また、ダイボンド剤16は、LEDチップ17の周辺に部材がある場合でも自由に供給することができる。さらに、ダイボンド剤16を供給する際に、マスクは必要なく、ダイボンド剤16のサイズを変更することで、基板11の設計変更にも柔軟に対応することができるため、生産コストを低減することができる。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能である。
10 LEDデバイス、11 基板、12 導体層、13 銀メッキ、14 白色レジスト、15 銀メッキ、16 ダイボンド剤、16a 殻、16b 液状の接着剤、16c 蓋、16d 硬化した接着剤、17 LEDチップ、18 ワイヤ、19 封止樹脂、21 ブロック、22 スティック、23 金型、24 小型カッター。
Claims (9)
- 発光素子と、
前記発光素子が搭載される位置に銀メッキが施され、樹脂層を介して前記発光素子が前記位置に接着される基板と
を備え、
前記発光素子が前記位置に搭載される際に、液状の樹脂を内包する殻状の樹脂が前記発光素子と前記位置に施された銀メッキとの間で押圧されて変形し前記液状の樹脂が当該銀メッキの上に流出して前記樹脂層が形成されることを特徴とする発光装置。 - 前記発光装置は、
前記液状の樹脂を内包する前記殻状の樹脂が前記位置に施された銀メッキの上に載置され、その上から前記発光素子が搭載されて前記殻状の樹脂が破れ前記液状の樹脂が当該銀メッキの上に流出して前記樹脂層が形成されることを特徴とする請求項1の発光装置。 - 前記液状の樹脂を内包する前記殻状の樹脂は、略円柱状又は多角柱状であることを特徴とする請求項1又は2の発光装置。
- 前記液状の樹脂と前記殻状の樹脂とは、シリコーン系樹脂であることを特徴とする請求項1から3のいずれかの発光装置。
- 前記液状の樹脂と前記殻状の樹脂とは、アクリル系樹脂であることを特徴とする請求項1から3のいずれかの発光装置。
- 前記発光素子は、LED(発光ダイオード)チップであることを特徴とする請求項1から5のいずれかの発光装置。
- 発光素子を基板に搭載する際に、液状の樹脂を内包する殻状の樹脂を前記発光素子と前記基板上の前記発光素子が搭載される位置に施された銀メッキとの間で押圧して変形させ前記液状の樹脂を当該銀メッキの上に流出させて樹脂層を形成し、前記樹脂層を介して前記発光素子を前記位置に接着することを特徴とする発光装置の製造方法。
- 前記発光装置の製造方法は、さらに、前記殻状の樹脂を成形した後、前記液状の樹脂を前記殻状の樹脂に充填することにより、前記液状の樹脂を内包する前記殻状の樹脂を得ることを特徴とする請求項7の発光装置の製造方法。
- 前記液状の樹脂を内包する前記殻状の樹脂を前記位置に施された銀メッキの上に載置し、その上から前記発光素子を搭載して前記殻状の樹脂を破り前記液状の樹脂を当該銀メッキの上に流出させて前記樹脂層を形成することを特徴とする請求項7又は8の発光装置の製造方法。
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