JP2013195204A - 試料分析基板および検出装置 - Google Patents

試料分析基板および検出装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2013195204A
JP2013195204A JP2012062012A JP2012062012A JP2013195204A JP 2013195204 A JP2013195204 A JP 2013195204A JP 2012062012 A JP2012062012 A JP 2012062012A JP 2012062012 A JP2012062012 A JP 2012062012A JP 2013195204 A JP2013195204 A JP 2013195204A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
sample analysis
analysis substrate
light
microstructure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2012062012A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2013195204A5 (enExample
Inventor
Tatsunori Miyazawa
達徳 宮澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2012062012A priority Critical patent/JP2013195204A/ja
Publication of JP2013195204A publication Critical patent/JP2013195204A/ja
Publication of JP2013195204A5 publication Critical patent/JP2013195204A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
JP2012062012A 2012-03-19 2012-03-19 試料分析基板および検出装置 Withdrawn JP2013195204A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012062012A JP2013195204A (ja) 2012-03-19 2012-03-19 試料分析基板および検出装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012062012A JP2013195204A (ja) 2012-03-19 2012-03-19 試料分析基板および検出装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013195204A true JP2013195204A (ja) 2013-09-30
JP2013195204A5 JP2013195204A5 (enExample) 2015-04-23

Family

ID=49394340

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012062012A Withdrawn JP2013195204A (ja) 2012-03-19 2012-03-19 試料分析基板および検出装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2013195204A (enExample)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109929905A (zh) * 2019-04-01 2019-06-25 天津国科医工科技发展有限公司 用于细菌快速鉴定的三维拉曼增强膜及其方法和系统
WO2019221298A1 (ja) * 2018-05-18 2019-11-21 Ｓｃｉｖａｘ株式会社 電磁波増強素子およびその製造方法並びに電磁波増強素子を用いた検出方法およびアミノ酸配列決定方法
JP2021006841A (ja) * 2019-06-27 2021-01-21 コニカミノルタ株式会社 薄膜の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003511666A (ja) * 1999-10-06 2003-03-25 サーロメッド・インコーポレーテッド 新規な表面強化されたラマン散乱（ｓｅｒｓ）−活性基体及びラマン分光とキャピラリー電気泳動（ｃｅ）を接続する方法
JP2006089788A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 Fuji Photo Film Co Ltd 微細構造体およびその製造方法
WO2006098446A1 (ja) * 2005-03-18 2006-09-21 National University Corporation Hokkaido University センシングデバイス、センシング装置およびセンシング方法
JP2007508536A (ja) * 2003-10-09 2007-04-05 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 化学種又は生物種用の表面プラズモンマイクロセンサ及びナノセンサ
JP2009109395A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Fujifilm Corp 微細構造体の作製方法、微細構造体、ラマン分光用デバイス、ラマン分光装置、分析装置、検出装置、および質量分析装置
WO2012086586A1 (ja) * 2010-12-22 2012-06-28 国立大学法人京都大学 ラマン散乱光増強素子

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003511666A (ja) * 1999-10-06 2003-03-25 サーロメッド・インコーポレーテッド 新規な表面強化されたラマン散乱（ｓｅｒｓ）−活性基体及びラマン分光とキャピラリー電気泳動（ｃｅ）を接続する方法
JP2007508536A (ja) * 2003-10-09 2007-04-05 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 化学種又は生物種用の表面プラズモンマイクロセンサ及びナノセンサ
JP2006089788A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 Fuji Photo Film Co Ltd 微細構造体およびその製造方法
WO2006098446A1 (ja) * 2005-03-18 2006-09-21 National University Corporation Hokkaido University センシングデバイス、センシング装置およびセンシング方法
JP2009109395A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Fujifilm Corp 微細構造体の作製方法、微細構造体、ラマン分光用デバイス、ラマン分光装置、分析装置、検出装置、および質量分析装置
WO2012086586A1 (ja) * 2010-12-22 2012-06-28 国立大学法人京都大学 ラマン散乱光増強素子

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019221298A1 (ja) * 2018-05-18 2019-11-21 Ｓｃｉｖａｘ株式会社 電磁波増強素子およびその製造方法並びに電磁波増強素子を用いた検出方法およびアミノ酸配列決定方法
CN109929905A (zh) * 2019-04-01 2019-06-25 天津国科医工科技发展有限公司 用于细菌快速鉴定的三维拉曼增强膜及其方法和系统
JP2021006841A (ja) * 2019-06-27 2021-01-21 コニカミノルタ株式会社 薄膜の製造方法
JP7310360B2 (ja) 2019-06-27 2023-07-19 コニカミノルタ株式会社 薄膜の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5500571B2 (ja) 試験片，該試験片の製造方法
US8358407B2 (en) Enhancing signals in Surface Enhanced Raman Spectroscopy (SERS)
EP2618134B1 (en) Light measurement method and measurement device using optical-electric field enhancement device
JP5069497B2 (ja) 質量分析用デバイス及びそれを用いた質量分析装置
JP5552007B2 (ja) 光電場増強デバイス
JP5848013B2 (ja) 光電場増強デバイスおよび該デバイスを備えた測定装置
US20130100436A1 (en) Molecular filters
JP6134975B2 (ja) 測定用デバイス、測定装置および方法
EP2491372A1 (en) Surface enhanced raman scattering substrates consumables for raman spectroscopy
US20150098085A1 (en) Sensor chip, sensor cartridge, and detection apparatus
CN103492861B (zh) 光电场增强器件的制造方法
Wang et al. Multiscale visualization of colloidal particle lens array mediated plasma dynamics for dielectric nanoparticle enhanced femtosecond laser-induced breakdown spectroscopy
CN103926231B (zh) 光学感测芯片
US9204803B2 (en) Optical device, detecting apparatus, and electronic apparatus
US20140242573A1 (en) Optical element, analysis device, analysis method and electronic apparatus
CN102401793A (zh) 光器件单元及检测装置
US9304087B2 (en) Raman spectroscopic apparatus, raman spectroscopic method, and electronic apparatus
JP5928026B2 (ja) センサーチップおよびその製造方法並びに検出装置
JP2013195204A (ja) 試料分析基板および検出装置
JP4659018B2 (ja) 表面プラズモンセンサ
JP5796395B2 (ja) 光学デバイス、検出装置及び検出方法
JP2016004018A (ja) ラマン分光装置および電子機器
US20100053623A1 (en) Membrane and fabrication method thereof
KR20160037852A (ko) 무기물-금속 구조체가 형성된 기판 및 이의 제조방법
CN114280028A (zh) 一种介质增强拉曼散射芯片及其制备方法与应用

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20150107

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150310

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150310

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151222

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20151224

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160219

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160329

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20160519