JP2013191929A - 電力増幅器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本実施形態に係る電力増幅器装置は、高周波電力増幅用のFET3と、FETcのドレイン電流を検出する電流検出回路4と、FET3のゲート電圧を可変する電子ボリューム1と、周囲温度を取得する取得し、周囲温度に依存するFET3のアイドル電流とゲート電圧との関係に基づいてアイドル電流の設定目標値を設定し、電流検出回路4で検出されるドレイン電流が設定目標値になるまで電子ボリューム1を制御する制御回路5とを具備する。
【選択図】図1
Description
電力増幅用のFETには、ゲート電圧(Vgs)がある一定の値以上になると電流が流れ出すエンハンスメント型と呼ばれるものと、ゲート電圧が0Vでもドレイン電流(Ids)が流れるディプレッション型の2種類がある。それぞれの種類のFETのIds-Vgs特性グラフの一例を図2に示す。
Claims (4)
- 電力増幅用のFETと、
前記FETのドレイン電流を検出する電流検出手段と、
前記FETのゲート電圧を可変する電圧可変手段と、
周囲温度を取得する取得手段と、
前記周囲温度に依存する前記FETのアイドル電流と前記ゲート電圧との関係に基づいて前記アイドル電流の設定目標値を設定する設定手段と、
前記電流検出手段で検出されるドレイン電流が前記設定目標値になるまで前記電圧可変手段を制御する制御手段と
を具備することを特徴とする電力増幅器。 - 前記設定手段は、前記FETの発熱による前記アイドル電流の変化量を見越して前記設定目標値を設定することをさらに特徴とする請求項1に記載の電力増幅器。
- 前記設定手段は、前記FETの材料毎に前記設定目標値を設定することをさらに特徴とする請求項1に記載の電力増幅器。
- 前記設定手段は、前記周囲温度と前記アイドル電流の設定完了値とをパラメータにして前記設定目標値を設定することをさらに特徴とする請求項1に記載の電力増幅器。
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