JP2013191776A - 窒化物半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1と、基板1上に積層されたn型窒化物半導体層2及びp型窒化物半導体層4と、を少なくとも備える窒化物半導体素子10であって、n型窒化物半導体層2は複数層で構成され、n型窒化物半導体層2を構成する各層中の炭素濃度が1.20×1018atoms/cm3以下であることを特徴とする。また、n型窒化物半導体層2は、nキャリアドープ層とnキャリアドープレス層とからなる多層構造を備えるものであることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
このような窒化物半導体素子として、例えば特許文献1には、基板上にアンドープの第1の窒化物半導体層と、カーボン、又はカーボンとn型不純物とを含有するn導電型の第2の窒化物半導体層とを少なくとも積層し、第2の窒化物半導体層にn電極が形成され、p側コンタクト層にp電極が形成された窒化物半導体発光素子が開示されている。
窒化物半導体素子においては、程度の差はあるものの、半導体層中に炭素等の不純物を含んでいる。半導体層中の炭素が過剰であると、発光素子に不要な特性であるサイリスタ特性(PNPN接合のサイリスタ)が生じてしまうことがある。サイリスタ特性とは、印加電流の増加に反して電圧が降下する特性である。このサイリスタ特性は、簡単な表示用LEDでは特に問題にならない特性であるが、その他の製品によっては、微小電流では非発光となってしまう問題があり、また高速で点滅させるような応用製品等では発光速度の遅れが問題となる。このような不良を検査工程において検出する必要があるが、この検査のために長時間を要するため、製造効率を悪化させることになる。
また、nキャリアドープ層に酸素を含むことで、n型にするために、扱いが不便なガスであるシランガス(SiH4)を使わなくてよい。
このような構成によれば、層を構成する結晶内に取り込まれた炭素原子が他の原子サイトにさらに置換されにくく、ホールの生成がさらに抑制される。
このような構成によれば、炭素以外の不純物をドーピングしないnキャリアドープレス層においても、炭素濃度を抑制することで、層を構成する結晶内に取り込まれた炭素原子が他の原子サイトに置換されにくく、ホールの生成が抑制される。これにより、半導体層のn型伝導が弱くならず、n型窒化物半導体層中にp型窒化物半導体層が発生しにくくなる。
本発明の窒化物半導体素子は、基板と、前記基板上に積層されたn型窒化物半導体層及びp型窒化物半導体層と、を少なくとも備えるものである。具体的には、例えば、n型窒化物半導体層と、このn型窒化物半導体層に積層されたp型窒化物半導体層と、このp型窒化物半導体層上に形成された透光性電極と、この透光性電極上の一部の領域に形成されたp側パッド電極と、前記n型窒化物半導体層上に形成されたn側パッド電極と、を備える窒化物半導体素子が挙げられる。
基板1は、窒化物半導体をエピタキシャル成長させることができる基板材料であればよく、大きさや厚さ等は特に限定されない。このような基板材料としては、C面、R面、A面のいずれかを主面とするサファイアやスピネル(MgA12O4)のような絶縁性基板、また炭化ケイ素(SiC)、ZnS、ZnO、Si、GaAs、ダイヤモンド、GaN、および窒化物半導体と格子接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジウム等の酸化物基板が挙げられる。
n型窒化物半導体層2、活性層3、およびp型窒化物半導体層4としては、特に限定されるものではないが、例えばInXAlYGa1-X-YN(0≦X、0≦Y、X+Y<1)等の窒化ガリウム系化合物半導体が好適に用いられる。n型窒化物半導体層2、活性層3、およびp型窒化物半導体層4(適宜まとめて窒化物半導体層2,3,4という)は、それぞれ単層構造でもよいが、組成および膜厚の異なる層の積層構造、超格子構造等であってもよい。特に発光層である活性層3は、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸または多重量子井戸構造であることが好ましく、さらに井戸層がInを含む窒化物半導体であることが好ましい。なお、基板1上に、任意に基板1との格子定数の不整合を緩和させるためのバッファ層等の下地層(図2参照)を介してn型窒化物半導体層2を形成してもよい。
なお、n型窒化物半導体層2は、キャリアドープ層とnキャリアドープレス層とからなる多層構造のみからなるものでもよく、その他の層を含むものであってもよい。
後記するように、Siがドーピングされていることで、半導体層のn型伝導が弱くなりにくく、n型窒化物半導体層2中におけるP型半導体層の発生が抑制されやすくなる。
SiやO等の不純物をドーピングする方法や濃度の制御方法は一般的な方法でよく、例えばn型窒化物半導体層2の成膜時に流すガスにSiやO等を含有させ、このSiやO等の濃度を制御することにより行えばよい。
nキャリアドープ層の各膜厚は特に規定されるものではないが、例えば0.003μm〜10.000μmである。
nキャリアドープレス層の各膜厚は特に規定されるものではないが、例えば0.002μm〜2μmが好ましい。
また、n型窒化物半導体層2を構成する各層の積層数は複数層で構成されていればよく、例えば2層〜20層である。
すなわち、図2においては、1つのnキャリアドープ層において、1.20×1018atoms/cm3以下に抑制するとともに、1つのnキャリアドープレス層において、1.20×1018atoms/cm3以下に抑制する。
nキャリアドープ層におけるSiは、炭素の影響を低減させる作用がある。よって、nキャリアドープ層中に炭素が1.20×1018atoms/cm3以下の範囲である程度含有されていても、Siが存在することで、半導体層のn型がより強くなりやすくなる。
nキャリア濃度と炭素濃度との比率(nキャリア濃度/炭素濃度)が0.3以上であれば、半導体層のn型がより強くなりやすい。したがって、nキャリアドープ層において、炭素以外の不純物は、ある程度含まれていることが好ましい。より好ましくは、0.4以上である。なお、好ましい上限値としては、100である。また、SiあるいはOの濃度としては、2.5×1017atoms/cm3〜5.00×1019atoms/cm3が好ましい。
また、nキャリアドープレス層の炭素濃度が1.20×1018atoms/cm3以下とした場合には、炭素以外の不純物がドーピングされていないnキャリアドープレス層においても、炭素濃度を抑制することで、層を構成する結晶内に取り込まれた炭素原子が他の原子サイトに置換されにくく、ホールの生成が抑制される。これにより、半導体層のn型が弱くならず、n型窒化物半導体層中におけるp型半導体層の発生が抑制される。
n側電極7nはn型窒化物半導体層2に、p側電極5はp型窒化物半導体層4に、それぞれ電気的に接続して外部から電流を供給するものである。
p側電極5およびn側電極7nは、構造や接続位置等を特に限定されず、当該分野で公知のものを採用することができる。本実施形態に係る窒化物半導体素子10は、p型窒化物半導体層4の側に両電極5,7nを設け、かつ光の取出し側とする。そのため、図1に示すように、n側電極7nは、一部の領域においてp型窒化物半導体層4および活性層3を除去して露出させたn型窒化物半導体層2に、金属電極材料からなるパッド電極として接続される。一方、p側電極5は、p型窒化物半導体層4上の略全面に設けられた透光性電極6と、透光性電極6上のp側パッド電極7pとからなる。
p側電極5における透光性電極6は、導電性酸化物からなる。透光性電極として金属薄膜を用いることもできるが、導電性酸化物は金属薄膜に比べて透光性に優れるため、窒化物半導体素子10を発光効率の高い発光素子とすることができる。導電性酸化物としては、Zn,In,Sn,Mgからなる群から選択された少なくとも一種を含む酸化物、具体的にはZnO,In2O3,SnO2,ITOが挙げられる。特にITOは可視光(可視領域)において高い光透過性を有し、また導電率の比較的高い材料であることから好適に用いることができる。透光性電極6の形状は、一体の矩形等のp型窒化物半導体層4の平面視形状に合わせた形状でもよいが、例えば、格子状、メッシュ形状、ドット状、ストライプ形状、網目状等にパターン形成することで、光の取り出し効率を向上させてもよい。
本実施形態に係る窒化物半導体素子10において、n側パッド電極7nとp側パッド電極7pとは同じ積層構造であり、適宜まとめてパッド電極7と称する。
パッド電極7の構造としては特に限定されるものではなく、一般的なものであればよい。例えば、透光性電極6の上面に、Ti層、Rh層、W層、Au層の順に積層された構造(「Ti/Rh/W/Au」と記載する。以下同じ)が挙げられる。
保護層9は、窒化物半導体素子10における窒化物半導体層2,3,4の露出した表面(上面および側壁)や透光性電極6の表面等を被覆して、窒化物半導体素子10の保護膜および帯電防止膜とするものである。具体的にはパッド電極7n,7pの上面の周縁部を除いた領域をボンディングのための領域(ボンディング部)とし、このボンディング部の領域を除いた全表面に保護層9が形成される。保護層9は透光性の絶縁膜であるSi,Ti,Ta等の酸化物からなり、蒸着法、スパッタ法等の公知の方法によって成膜することができる。また、その膜厚は特に限定するものではないが、100nm〜1000nmとすることが好ましい。
次に、本発明に係る半導体素子の製造方法の一例について、前記実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法を例にして説明する。
そして窒化物半導体の各層を成長させた基板1(以下、ウェハという)を装置の処理室内にて窒素雰囲気で、600℃〜700℃程度のアニールを行って、p型窒化物半導体層4を低抵抗化する。
基板上に、MOCVD反応装置にて、図4に示す各層を構成するそれぞれの窒化物半導体を順次成長させて図4に示す構造のサンプルを作製した。
ここで、各サンプルにおいて、窒化物半導体の成長時の原料(トリメチルガリウム:TMG)濃度を変更した。なお、その他の温度、GaNのN源のNH3流量等は一定である。なお、その他の温度としては、具体的にはn層形成時:1100〜1250℃程度、発光層(活性層)形成時:800〜900℃程度、p層形成時:800〜1000℃程度である。そして、各サンプルのSi−doped GaN層(300nm)における、TMG濃度とC濃度を、二次イオン質量分析装置(AMETEK社製 SIMS4550)を用いて測定した。
TMG濃度とC濃度の関係を図5に示す。図5に示すように、TMG濃度が高いほど、C濃度が上昇していることがわかる。これにより、TMG濃度によりC濃度を制御できることがわかる。
第1実施例と同一のサンプルを第1実施例と同様の方法で作製し、印加電流(順電流(If))を増加させたときの順電圧(Vf)を確認した。IfとVfの関係を図6、7に示す。なお、図7のY軸は、図6の矢印のラインのVf値をプロットしたものである(0.05mA時)。また、サイリスタ発生ラインは、図6のデータ、および図7の近似曲線から予測したものである。そして、近似曲線がこのラインとほぼ重複する箇所である、C濃度(atoms/cm3)が「1.20E+18」では、サイリスタの発生が抑制できているといえる。
すなわち、図6に示すように、C濃度(atoms/cm3)が「1.20×1018」以下、つまり「1.20E+18」以下である、「8.50E+17」、「1.10E+18」のサンプルでは、印加電流の増加に伴い、電圧も上昇している。一方、「1.72E+18」、「1.92E+18」のサンプルでは、Ifが所定の値では、印加電流の増加に反して電圧が降下している。具体的には、「1.72E+18」では約0.05mA以上0.5mA以下、「1.92E+18」では約0.1mA以上となると、Ifの増加に伴い、Vfの値が小さくなっている。すなわち、「1.10E+18」まではサイリスタが発生せず、それ以上になると発生する可能性が出てくるということを示している。
また、図7に示すように、C濃度が「1.20E+18」以下であれば、サイリスタの発生が抑制できることがわかる。
基板上に、MOCVD反応装置にて、図4に示す各層を構成するそれぞれの窒化物半導体を順次成長させて図4に示す構造のサンプルを作製した。
ここで、各サンプルにおいて、窒化物半導体の成長時の温度を変更した。なお、その他の原料濃度、GaNのN源のNH3流量等は一定である。なお、原料濃度としては、TMG 150〜200μmol/sec程度である。
これらのサンプルについて、印加電流(順電流(If))を増加させたときの順電圧(Vf)を確認した。IfとVfの関係を図8に示す。なお、図8において、「1130⇒1120℃」、「1130⇒1110℃」は、それぞれ、成長時に1130℃から1120℃まで温度を下げたもの、1130℃から1110℃まで温度を下げたものである。
図8に示すように、成長温度が低いほど、サイリスタ特性が強い傾向が見られた。すなわち、「1130℃」と「1130⇒1120℃」とでは、サイリスタ特性について大差はないが、「1130⇒1110℃」では、サイリスタ特性が悪化する傾向にあった。そして、C濃度の評価はしていないが、成長温度が低いほどC濃度が高いと思われる。
例えば、窒化物半導体層を構成する層としては、AlGaNよりなるバッファ層、ドープレスGaN層、Siドープn型GaNよりなるn側コンタクト層、GaN層とInGaN層とを交互に積層させた超格子層、GaN層とInGaN層とを交互に積層させた多重量子井戸構造の活性層、MgドープAlGaN層とMgドープInGaN層とを交互に積層させた超格子層、MgドープGaNよりなるp側コンタクト層、等としてもよい。
1 基板
2 n型窒化物半導体層
3 活性層
4 p型窒化物半導体層
5 p側電極
6 透光性電極
7p p側パッド電極
7n n側電極(n側パッド電極)
7 パッド電極
9 保護層
Claims (5)
- 基板と、前記基板上に積層されたn型窒化物半導体層及びp型窒化物半導体層と、を少なくとも備える窒化物半導体素子であって、
前記n型窒化物半導体層は複数層で構成され、前記n型窒化物半導体層を構成する各層中の炭素濃度が1.20×1018atoms/cm3以下であることを特徴とする窒化物半導体素子。 - 前記n型窒化物半導体層は、nキャリアドープ層とnキャリアドープレス層とからなる多層構造を備えることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。
- 前記nキャリアドープ層のドーピング材料は、シリコンもしくは酸素であることを特徴とする請求項2に記載の窒化物半導体素子。
- 前記nキャリアドープ層における、nキャリア濃度と炭素濃度との比率(nキャリア濃度/炭素濃度)が0.3以上であることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の窒化物半導体素子。
- 前記nキャリアドープレス層の炭素濃度が1.20×1018atoms/cm3以下であることを特徴とする請求項2から請求項4のいずれか一項に記載の窒化物半導体素子。
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