JP2013191753A - 半導体装置及びその使用方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】積層された複数の半導体チップ1a,1b,1cと、各半導体チップ1a,1b,1cに設けられた貫通電極14a,15a,16aと、半導体チップ1aの外表面で貫通電極14aと電気的に接続された第1の接続電極17aと、半導体チップ1cの外表面で貫通電極16aと電気的に接続された第2の接続電極18aと、隣接する半導体チップ1b,1c間に設けられており、双方の半導体チップ1b,1cの貫通電極15a,16aと電気的に接続された第3の接続電極19aとを含み半導体装置が構成されており、貫通電極14a,15aと貫通電極16aとが互いに反対導電型の半導体材料を有する。
【選択図】図1
Description
特許文献1では、半導体チップを貫通する貫通孔にペルチェ素子を形成し、半導体チップを冷却する方式が提案されている。しかしながらこの技術では、構造上、放熱面が一面のみである。そのため、放熱面積が小さく、熱放出の効率が限定される。
図1は、第1の実施形態によるペルチェ素子を利用した半導体装置の構成を示す概略断面図である。
本実施形態による半導体装置は、複数、ここでは3つの半導体チップ1a,1b,1cが張り合わされてなる積層構造1において、複数のペルチェ素子、ここでは2種の冷却構造体2a,2bが設けられて構成されている。
図2は、貫通孔の形成された半導体チップを示す模式図であり、(a)が概略平面図、(b)が(a)の破線I−I'に沿った概略断面図である。図3は、貫通電極の形成された半導体チップを示す模式図であり、(a)が概略平面図、(b)が(a)の破線I−I'に沿った概略断面図である。
半導体チップ1aには、機能素子の形成領域以外の所定部位に半導体基板11及び素子層12を貫通する所定数の貫通孔、ここでは2つの貫通孔13a,13bが形成されている。
半導体チップ1cには、半導体チップ1aと同様に半導体基板及び素子層を貫通する貫通孔13a,13bが形成され、貫通孔13a,13bを何れもp型半導体材料で充填するp型貫通電極16a,16bが形成されている。
積層構造1の右側において、第1の接続電極17b、n型貫通電極14b、第3の接続電極19b、p型貫通電極15b,16b、及び第2の接続電極18bが直列に接続されて、冷却構造体2bが構成される。
冷却構造体2bには、その第1の接続電極17bと第2の接続電極18bとの間に電源3bが接続される。
冷却構造体2bでは、電源3bによる直流電流の印加により、ホットスポット20bと熱的に接続された第3の接続電極19bでホットスポット20bから発生する熱を吸熱し、第1の接続電極17b及び第2の接続電極18bの双方で放熱する。
本実施形態では、第1の実施形態と同様にペルチェ素子を利用した半導体装置を開示するが、電流印加の形態等が異なる点で第1の実施形態と相違する。なお、第1の実施形態による半導体装置に対応する構成部材等については、同符号を付す。
図4は、第2の実施形態によるペルチェ素子を利用した半導体装置の構成を示す概略断面図である。
半導体チップ1bには、半導体チップ1aと同様に半導体基板及び素子層を貫通する貫通孔13a,13bが形成され、貫通孔13a,13bを何れもn型半導体材料で充填するn型貫通電極15a,23が形成されている。
半導体チップ1cには、半導体チップ1aと同様に半導体基板及び素子層を貫通する貫通孔13a,13bが形成され、貫通孔13aをp型半導体材料で充填するp型貫通電極16aと、貫通孔13bをn型半導体材料で充填するn型貫通電極24とが形成されている。
本実施形態による半導体装置では、その冷却を行う際には、電源29により、冷却構造体21に第1の接続電極19aから第1の接続電極25へ向かう方向(図4中の矢印A1,A2の方向)に直流電流が印加される。
本実施形態では、第1の実施形態と同様にペルチェ素子を利用した半導体装置を開示するが、一部の貫通電極の形成位置を変える点で第1の実施形態と相違する。なお、第1の実施形態による半導体装置に対応する構成部材等については、同符号を付す。
図5は、第3の実施形態によるペルチェ素子を利用した半導体装置の構成を示す概略断面図である。
半導体チップ1bには、半導体チップ1aと同様に半導体基板及び素子層を貫通する貫通孔13a,32が形成され、貫通孔13aをn型半導体材料で充填するn型貫通電極15aと、貫通孔32をp型半導体材料で充填するp型貫通電極33とが形成されている。p型貫通電極33は、半導体チップ1aのn型貫通電極14bとは不整合な位置に形成されている。
半導体チップ1cには、半導体チップ1aと同様に半導体基板及び素子層を貫通する貫通孔13a,34が形成され、貫通孔13a,34を何れもp型半導体材料で充填するp型貫通電極16a,35が形成されている。p型貫通電極35は、半導体チップ1bのp型貫通電極33と整合する位置に形成されている。
積層構造1の右側において、第1の接続電極17b、n型貫通電極14b、第3の接続電極37、p型貫通電極33,35、及び第2の接続電極36が直列に接続されて、冷却構造体31が構成される。
冷却構造体31には、その第1の接続電極17bと第2の接続電極36との間に電源3bが接続される。
冷却構造体31では、電源3bによる直流電流の印加により、ホットスポット38bと熱的に接続された第3の接続電極37でホットスポット38bから発生する熱を吸熱し、第1の接続電極17b及び第2の接続電極36の双方で放熱する。
前記各半導体チップに設けられた貫通電極と、
最外に位置する一方の前記半導体チップの外表面で前記貫通電極と電気的に接続された第1の接続電極と、
最外に位置する他方の前記半導体チップの外表面で前記貫通電極と電気的に接続された第2の接続電極と、
隣接する前記半導体チップ間に設けられており、双方の前記半導体チップの前記貫通電極と電気的に接続された第3の接続電極と
を含み、
前記第3の接続電極と前記第1の接続電極との間を接続する前記貫通電極と、前記第3の接続電極と前記第2の接続電極との間を接続する前記貫通電極とが、互いに反対導電型の半導体材料を有することを特徴とする半導体装置。
前記各半導体チップに設けられた貫通電極と、
最外に位置する一方の前記半導体チップの外表面で前記貫通電極と電気的に接続された第1の接続電極と、
最外に位置する他方の前記半導体チップの外表面で前記貫通電極と電気的に接続された第2の接続電極と、
隣接する前記半導体チップ間に設けられており、双方の前記半導体チップの前記貫通電極と電気的に接続された第3の接続電極と
を含み、
前記第3の接続電極と前記第1の接続電極との間を接続する前記貫通電極と、前記第3の接続電極と前記第2の接続電極との間を接続する前記貫通電極とが、互いに反対導電型の半導体材料を有する半導体装置を用いて、
前記第1の接続電極と前記第2の接続電極との間に電流を印加し、前記第3の接続電極において吸熱して、前記第1の接続電極及び前記第2の接続電極において夫々放熱することを特徴とする半導体装置の使用方法。
1a,1b,1c 半導体チップ
2a,2b,21,31 冷却構造体
3a,3b,29 電源
11 半導体基板
12 素子層
13a,13b,32,34 貫通孔
14a,14b,15a,23,24 n型貫通電極
15b,16a,16b,22,33,35 p型貫通電極
17a,17b,25 第1の接続電極
18a,18b,26,36 第2の接続電極
19a,19b,27,37 第3の接続電極
20a,20b、28a,28b,38a,38b ホットスポット
Claims (6)
- 積層された複数の半導体チップと、
前記各半導体チップに設けられた貫通電極と、
最外に位置する一方の前記半導体チップの外表面で前記貫通電極と電気的に接続された第1の接続電極と、
最外に位置する他方の前記半導体チップの外表面で前記貫通電極と電気的に接続された第2の接続電極と、
隣接する前記半導体チップ間に設けられており、双方の前記半導体チップの前記貫通電極と電気的に接続された第3の接続電極と
を含み、
前記第3の接続電極と前記第1の接続電極との間を接続する前記貫通電極と、前記第3の接続電極と前記第2の接続電極との間を接続する前記貫通電極とが、互いに反対導電型の半導体材料を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第3の接続電極と前記第1の接続電極との間を接続する前記貫通電極と、前記第3の接続電極と前記第2の接続電極との間を接続する前記貫通電極とが、前記第3の接続電極に対して互いに不整合な位置で接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 積層された複数の前記半導体チップに、前記各貫通電極、前記第1の接続電極、前記第2の接続電極、及び前記第3の接続電極を含む構造体が複数並設されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記第3の接続電極は、前記半導体チップにおける発熱点の近傍に設けられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 積層された複数の半導体チップと、
前記各半導体チップに設けられた貫通電極と、
最外に位置する一方の前記半導体チップの外表面で前記貫通電極と電気的に接続された第1の接続電極と、
最外に位置する他方の前記半導体チップの外表面で前記貫通電極と電気的に接続された第2の接続電極と、
隣接する前記半導体チップ間に設けられており、双方の前記半導体チップの前記貫通電極と電気的に接続された第3の接続電極と
を含み、
前記第3の接続電極と前記第1の接続電極との間を接続する前記貫通電極と、前記第3の接続電極と前記第2の接続電極との間を接続する前記貫通電極とが、互いに反対導電型の半導体材料を有する半導体装置を用いて、
前記第1の接続電極と前記第2の接続電極との間に電流を印加し、前記第3の接続電極において吸熱して、前記第1の接続電極及び前記第2の接続電極において夫々放熱することを特徴とする半導体装置の使用方法。 - 前記第3の接続電極と前記第1の接続電極との間を接続する前記貫通電極と、前記第3の接続電極と前記第2の接続電極との間を接続する前記貫通電極とが、前記第3の接続電極に対して互いに不整合な位置で接続されていることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の使用方法。
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