JP2013191740A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】フラットセル構造のゲート構造を備えるものであって、選択ゲートトランジスタを別作りすることなく、選択ゲートトランジスタの閾値を容易に制御する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ一対の選択ゲートトランジスタが形成された第1の領域と、前記半導体基板上の前記一対の選択ゲートトランジスタ間に設けられ複数のメモリセルトランジスタが形成された第2の領域とを備える。そして、前記第2の領域上に第1の絶縁膜を介して形成され、電荷蓄積層、中間絶縁膜、および、制御ゲート電極膜が積層形成された前記メモリセルトランジスタのゲート電極と、前記第1の領域上に前記半導体基板の側壁を露出させるように形成された溝とを備える。更に、前記半導体基板の側壁上に第2の絶縁膜を介して形成された前記制御ゲート電極膜を有する前記選択ゲートトランジスタのゲート電極を備える。
【選択図】図3
【解決手段】本実施形態の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ一対の選択ゲートトランジスタが形成された第1の領域と、前記半導体基板上の前記一対の選択ゲートトランジスタ間に設けられ複数のメモリセルトランジスタが形成された第2の領域とを備える。そして、前記第2の領域上に第1の絶縁膜を介して形成され、電荷蓄積層、中間絶縁膜、および、制御ゲート電極膜が積層形成された前記メモリセルトランジスタのゲート電極と、前記第1の領域上に前記半導体基板の側壁を露出させるように形成された溝とを備える。更に、前記半導体基板の側壁上に第2の絶縁膜を介して形成された前記制御ゲート電極膜を有する前記選択ゲートトランジスタのゲート電極を備える。
【選択図】図3
Description
本発明の実施形態は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
NAND型不揮発性メモリ装置としては、いろいろな構造のものが考えられており、例えばコンベンショナル(Conventional)構造のものとフラット(FLAT)セル構造のものとがある。現在、微細化を進めるに当って、微細化の限界は加工のアスペクトによるところが大きい。コンベンショナル構造のものは、高いカップリング比を実現することができるが、エッチバックプロセスを利用するため、プロセスのバラツキが大きくなる。フラットセル構造のものは、加工のアスペクトを最小限に押さえ、コンベンショナル構造に存在するエッチバックというバラツキの大きいプロセスを省略することができる。そこで、微細化を更に進めるために、フラットセル構造のものが注目されている。
しかし、フラットセル構造の場合、加工のアスペクト比を下げるためにトラップ膜(電荷蓄積層、浮遊ゲート電極膜)を薄く形成する必要があり、この薄いトラップ膜をトンネル絶縁膜と電極間絶縁膜とで挟む構造であるため、トラップ膜にコンタクトを加工するときに、加工オーバーによってトラップ膜を突き抜けてトンネル絶縁膜にまでダメージを与えてしまうことがあった。
このため、フラットセル構造の場合、選択ゲートを形成する方法として、メモリセルと別作りする方法と、トラップ膜を挟んだまま、トンネル絶縁膜、トラップ膜及び電極間絶縁膜の3層をゲート絶縁膜として利用する方法とがある。前者の方法は、製造コストが高くなる。後者の方法は、ゲート絶縁膜がトラップ膜を挟む3層構造であることから、トラップ膜中の電荷の影響により閾値のバラツキが大きくなり、選択ゲートの閾値の制御が難しくなる。
そこで、フラットセル構造のゲート構造を備えるものであって、選択ゲートトランジスタを別作りすることなく、選択ゲートトランジスタの閾値を容易に制御することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
本実施形態の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ一対の選択ゲートトランジスタが形成された第1の領域と、前記半導体基板上の前記一対の選択ゲートトランジスタ間に設けられ複数のメモリセルトランジスタが形成された第2の領域とを備える。そして、前記第2の領域上に第1の絶縁膜を介して形成され、電荷蓄積層、中間絶縁膜、および、制御ゲート電極膜が積層形成された前記メモリセルトランジスタのゲート電極と、前記第1の領域上に前記半導体基板の側壁を露出させるように形成された溝とを備える。更に、前記半導体基板の側壁上に第2の絶縁膜を介して形成された前記制御ゲート電極膜を有する前記選択ゲートトランジスタのゲート電極を備える。
本実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に電荷蓄積層を形成する工程と、前記電荷蓄積層、前記第1の絶縁膜および前記半導体基板を加工して素子分離溝を形成する工程と、前記素子分離溝に素子分離絶縁膜を埋め込み平坦化する工程とを備える。そして、メモリセルトランジスタの形成領域の前記素子分離絶縁膜および前記電荷蓄積層をレジストでマスクした状態で、選択ゲートトランジスタの形成領域の前記素子分離絶縁膜をエッチバックし、前記半導体基板の側壁を露出させる工程と、前記選択ゲートトランジスタの形成領域の前記半導体基板の表層部にイオン注入法を用いて不純物をドーピングする工程とを備える。さらに、前記素子分離絶縁膜の上面および前記半導体基板の側壁の上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に制御ゲート電極膜を形成する工程と、前記選択ゲートトランジスタのゲート電極および前記メモリセルトランジスタのゲート電極を分離加工する工程とを備えたところに特徴を有する。
以下、複数の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、各実施形態において、実質的に同一の構成部位には同一の符号を付し、説明を省略する。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なる。
(第1実施形態)
まず、図1は、第1実施形態のNAND型のフラッシュメモリ装置のメモリセル領域に形成されるメモリセルアレイの一部を示す等価回路図である。この図1に示すように、NAND型フラッシュメモリ装置のメモリセルアレイは、2個の選択ゲートトランジスタTrs1、Trs2と、当該選択ゲートトランジスタTrs1、Trs2間に対して直列接続された複数個(例えば64個)のメモリセルトランジスタTrmとを有するNANDセルユニットSUが行列状に形成される。NANDセルユニットSU内において、複数個のメモリセルトランジスタTrmは隣接するもの同士でソース/ドレイン領域を共用して形成されている。
まず、図1は、第1実施形態のNAND型のフラッシュメモリ装置のメモリセル領域に形成されるメモリセルアレイの一部を示す等価回路図である。この図1に示すように、NAND型フラッシュメモリ装置のメモリセルアレイは、2個の選択ゲートトランジスタTrs1、Trs2と、当該選択ゲートトランジスタTrs1、Trs2間に対して直列接続された複数個(例えば64個)のメモリセルトランジスタTrmとを有するNANDセルユニットSUが行列状に形成される。NANDセルユニットSU内において、複数個のメモリセルトランジスタTrmは隣接するもの同士でソース/ドレイン領域を共用して形成されている。
図1中X方向(ワード線方向、ゲート幅方向に相当)に配列されたメモリセルトランジスタTrmは、ワード線WLにより共通接続されている。また、図1中X方向に配列された選択ゲートトランジスタTrs1は選択ゲート線SGL1で共通接続され、選択ゲートトランジスタTrs2は選択ゲート線SGL2で共通接続されている。選択ゲートトランジスタTrs1のドレイン領域にはビット線コンタクトCBが接続されている。このビット線コンタクトCBは、図1中X方向に直交するY方向(ゲート長方向、ビット線方向に相当)に延びるビット線BLに接続されている。また、選択ゲートトランジスタTrs2はソース領域を介して図1中X方向に延びるソース線SLに接続されている。
図2はメモリセル領域およびワード線の引き出し領域の一部のレイアウトパターンを示す平面図である。まず、メモリセル領域において、半導体基板としてのシリコン基板1に、図2中Y方向に沿って延びる素子分離領域としてのSTI(shallow trench isolation)2が図2中X方向に所定間隔で複数本形成されている。これによって、図2中Y方向に沿って延びる活性領域3が図2中X方向に分離形成されている。メモリセルトランジスタのワード線WLは、活性領域3と直交する方向(図2中X方向)に沿って延びるように形成されると共に、図2中Y方向に所定間隔で複数本形成されている。
また、一対の選択ゲートトランジスタの選択ゲート線SGL1が図2中X方向に沿って延びるように形成されている。一対の選択ゲート線SGL1間の活性領域3にはビット線コンタクトCBがそれぞれ形成されている。ワード線WLと交差する活性領域3上にはメモリセルトランジスタのゲート電極MGが、選択ゲート線SGL1と交差する活性領域3上には選択ゲートトランジスタのゲート電極SGが形成されている。
次に、本実施形態のメモリセル領域におけるゲート電極構造について、図3を参照しながら説明する。図3(a)は、図2のA−A線(ワード線方向、X方向)に沿う断面を模式的に示す図であり、図3(b)は、図2のB−B線(ワード線方向、X方向)に沿う断面を模式的に示す図であり、図3(c)は、図2のC−C線(ビット線方向、Y方向)に沿う断面を模式的に示す図である。
図3(a)、(b)、(c)に示すように、p型のシリコン基板1の上部には、素子分離溝4がX方向に離間して複数形成されている。これら素子分離溝4は、活性領域3を図2中のX方向に分離している。素子分離溝4内には、素子分離絶縁膜5が形成されており、素子分離領域(STI)2として機能する。
メモリセルトランジスタのゲート電極MGは、シリコン基板1上に形成されたゲート絶縁膜(第1の絶縁膜、トンネル絶縁膜)7の上に設けられている。シリコン基板1の表層部におけるゲート電極MGの両脇に位置してソース/ドレイン領域が形成されている。ゲート電極MGは、電荷蓄積層となる浮遊ゲート電極膜FGと、浮遊ゲート電極膜FG上に形成された電極間絶縁膜(中間絶縁膜)9と、電極間絶縁膜9上に形成された制御ゲート電極膜CGとを有する。この構成の場合、メモリセルトランジスタは、フラットセル構造となっている。
図3(b)に示すように、選択ゲートトランジスタの形成領域(第1の領域)の素子分離絶縁膜5は、シリコン基板1の側壁1aが露出するようにエッチバックされており、選択ゲートトランジスタのゲート電極SGは、シリコン基板1の側壁1aの上に形成された電極間絶縁膜(第2の絶縁膜、ゲート絶縁膜)9の上に設けられる。シリコン基板1の表層部における2つのゲート電極SGの間の領域には、LDD(Lightly Doped Drain)構造またはDDD(Double Diffused Drain)構造のソース/ドレイン領域が形成される。ゲート電極SGは、電極間絶縁膜9上に形成された制御ゲート電極膜CGを有する。この構成の場合、選択ゲートトランジスタは、シリコン基板1の側壁1aの上に形成された電極間絶縁膜9をゲート絶縁膜とし、シリコン基板1の側壁1aの表層部にチャネルを形成する。また、シリコン基板1の上面上にはゲート絶縁膜(トンネル絶縁膜)7と浮遊ゲート電極膜(電荷蓄積層)FGとが積層されており、ゲート絶縁膜7の側面、浮遊ゲート電極膜FGの側面および上面は、電極間絶縁膜9と後述するメモリセル間絶縁膜12で覆われる。この構成の場合、浮遊ゲート電極膜FGにトラップされた電子により選択ゲートトランジスタの閾値が上がる。
ゲート絶縁膜7は、シリコン基板1(活性領域3)上に形成されており、該ゲート絶縁膜7としては例えばシリコン酸化膜を用いる。浮遊ゲート電極膜FGとしては、例えばリン等の不純物がドープされた多結晶シリコン層(導電層)8やシリコン窒化膜(絶縁膜)、酸化ハフニウム(絶縁膜)またはこれらの組合せを用いる。電極間絶縁膜9は、メモリセルトランジスタの形成領域(第2の領域)では、素子分離絶縁膜5の上面および浮遊ゲート電極膜FGの上面に沿って形成されており、インターポリ絶縁膜、導電層間絶縁膜、電極間の絶縁膜として機能する。また、電極間絶縁膜9は、選択ゲートトランジスタの形成領域(第1の領域)では、素子分離絶縁膜5の上面、シリコン基板1の側壁1a、ゲート絶縁膜7の側面、浮遊ゲート電極膜FGの側面および上面に沿って形成されており、ゲート絶縁膜(第2の絶縁膜)として機能する。
上記電極間絶縁膜9としては、例えばシリコン酸化膜/シリコン窒化膜/シリコン酸化膜の積層構造(それぞれの膜厚が、例えばいずれも3nmから10nmである)の膜、即ち、いわゆるONO膜を用いる。尚、電極間絶縁膜9として、例えばNONON膜やNONO膜を用いても良い。
制御ゲート電極膜CGは、メモリセルトランジスタのワード線WLとして機能する導電層10を備える。導電層10は、例えばリン等の不純物がドープされた多結晶シリコン層と、この多結晶シリコン層の直上に形成されたタングステン(W)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)などの何れかの金属によってシリサイド化されたシリサイド層との積層構造を有する。尚、導電層10すべてにシリサイド層(即ち、シリサイド層単体)やタングステン(W)、銅(Cu)などの何れかの金属層(即ち、金属層単体)を用いても良い。
また、図3(c)に示すように、メモリセルトランジスタのゲート電極MGは、Y方向に並設されており、各ゲート電極MGは電極分離用の溝11によって互いに電気的に分離さる。この溝11内にはメモリセル間絶縁膜12が形成される。このメモリセル間絶縁膜12としては、例えばTEOS(tetraethyl orthosilicate)を用いたシリコン酸化膜または低誘電率絶縁膜を用いる。
次に、本実施形態によるNAND型フラッシュメモリ装置の製造方法の一例を、図4〜図11に示す工程断面図を参照して説明する。尚、図4(a)〜図11(a)は図3(aに対応する断面構造の製造段階を模式的に示し、図4(b)〜図11(b)は図3(b)に対応する断面構造の製造段階を模式的に示し、図4(c)〜図11(c)は図3(c)に対応する断面構造の製造段階を模式的に示す。
まず、図4に示すように、p型のシリコン基板1の表面に、ゲート絶縁膜7として例えばシリコン酸化膜を周知の熱酸化法で形成する。この後、浮遊ゲート電極FGとなる例えばドープト多結晶シリコン層8を減圧化学気相成長法により成膜する。ドープト多結晶シリコン層8の不純物としては、例えばリン(P)を用いる。ドープト多結晶シリコン層8の膜厚は、例えば10nm程度である。
次に、図5に示すように、ドープト多結晶シリコン層8上に化学気相成長法によってシリコン窒化膜13を形成し、続いて、シリコン窒化膜13上に化学気相成長法を用いてシリコン酸化膜14を形成する。この後、シリコン酸化膜14上にフォトレジスト(図示せず)を塗布し、露光現像によりレジストをパターンニングし、当該レジストをマスクとしてシリコン酸化膜14をRIE(reactive ion etching)法によりエッチング処理する。エッチング後に、フォトレジストを除去し、シリコン酸化膜14をマスクにしてシリコン窒化膜13をエッチングし、次いで、多結晶シリコン層8(浮遊ゲート電極膜FG)、ゲート絶縁膜7およびシリコン基板1をエッチングすることにより、素子分離のための溝4を形成する(図6(a)、(b)参照)。
この後、化学気相成長法あるいは塗布技術を用いて例えばシリコン酸化膜5を加工後の溝4に埋め込んだ後、図7に示すように、CMP(chemical mechanical polishing)を用いて多結晶シリコン層8が露出するまで平坦化を行うことにより、素子分離絶縁膜5を形成する。
次いで、図8に示すように、素子分離絶縁膜5および多結晶シリコン層8の上にレジスト15を形成し、露光現像することにより、上記レジスト15における選択ゲートトランジスタの形成領域に開口部15a(図8(b)、(c)参照)を形成する。続いて、図9に示すように、選択ゲートトランジスタの形成領域においてシリコン基板1の側壁1aが露出するようにSTI2の素子分離絶縁膜5をエッチバックする。この場合、図9(b)、(c)に示すように、選択ゲートトランジスタのゲート電極SGについては、浮遊ゲート電極膜FG(多結晶シリコン層8)の上面が若干削れるように、エッチングされる。そして、必要に応じて選択ゲートトランジスタの閾値制御のために、イオン注入法を用いてリン等の不純物を上記開口部15aを通してシリコン基板1の表層部にドーピングする(図9(c)中の矢印参照)。
次に、レジスト15を除去した後、図10に示すように、電極間絶縁膜9を形成する。この場合、メモリセルトランジスタの形成領域では、素子分離絶縁膜5の上面および浮遊ゲート電極膜FGの上面に沿って電極間絶縁膜9が形成される(図10(a)参照)。また、選択ゲートトランジスタの形成領域では、素子分離絶縁膜5の上面、シリコン基板1の側壁1a、ゲート絶縁膜7の側面、浮遊ゲート電極膜FGの側面および上面に沿って電極間絶縁膜9が形成される(図10(b)参照)。上記電極間絶縁膜9としては、シリコン酸化膜/シリコン窒化膜/シリコン酸化膜の積層構造の膜、即ち、いわゆるONO膜を周知のプロセスにより形成する。尚、電極間絶縁膜9として、単体の高誘電率絶縁膜を、または、シリコン酸化膜/高誘電率絶縁膜/シリコン酸化膜の積層構造の膜、または、シリコン窒化膜/シリコン酸化膜/シリコン窒化膜/シリコン酸化膜/シリコン窒化膜の積層構造の膜(NONON膜)を形成しても良い。
続いて、電極間絶縁膜9上に化学気相成長法を用いて導電層10(制御ゲート電極膜CG)となるドープト多結晶シリコン層を形成する。尚、ドープト多結晶シリコン層10の不純物としては、例えばリン(P)を用いる。
次に、ゲート加工を行って、即ち、電極分離用の溝11を形成して、メモリセルトランジスタのゲート電極MG、選択ゲートトランジスタのゲート電極SGあるいは他のゲート電極などを分離形成する(図11(c)参照)。
この後、溝11の内底部のシリコン基板1の表面に、イオン注入法を用いて不純物をドーピングし、ソース/ドレイン領域を形成する。次いで、溝11内に、セルゲート間絶縁膜としてメモリセル間絶縁膜12を形成する(図3(c)参照)。更に、多結晶シリコン層(導電層)10の上部にニッケルシリサイド(NiSi)層を形成する。この後、コンタクトの形成や配線層の形成などの工程を経てNAND型フラッシュメモリ装置のチップが形成される。
このような構成の本実施形態によれば、選択ゲートトランジスタの形成領域では、電極間絶縁膜9が、素子分離絶縁膜5の上面、シリコン基板1の側壁1a、ゲート絶縁膜7の側面、浮遊ゲート電極膜FGの側面および上面に沿って形成されており、該電極間絶縁膜9を選択ゲートトランジスタのゲート絶縁膜として機能させる構成としたので、選択ゲートトランジスタの閾値を容易に制御することができる。また、本実施形態では、選択ゲートトランジスタの形成領域では、シリコン基板1の上面上にゲート絶縁膜(トンネル絶縁膜)7と浮遊ゲート電極膜FGとが積層され、ゲート絶縁膜7の側面、浮遊ゲート電極膜FGの側面および上面が電極間絶縁膜9で覆われるように構成されているので、浮遊ゲート電極膜FGにトラップされた電子により選択ゲートトランジスタの閾値が上がる。このため、選択ゲートトランジスタのゲート電圧が0V(カットオフ)のときのオフリーク電流を減少させることができる。
(第2実施形態)
図12ないし図14は、第2実施形態を示すものである。尚、第1の実施例と同一構成には、同一符号を付している。第2実施形態では、選択ゲートトランジスタのゲート電極SGに電子をトラップする浮遊ゲート電極膜FG(多結晶シリコン層8)を残さないように構成したものである。
図12ないし図14は、第2実施形態を示すものである。尚、第1の実施例と同一構成には、同一符号を付している。第2実施形態では、選択ゲートトランジスタのゲート電極SGに電子をトラップする浮遊ゲート電極膜FG(多結晶シリコン層8)を残さないように構成したものである。
具体的には、第1実施形態の製造工程の図4から図8までは、第2実施形態においても同様に実行する。この後、第2実施形態では、図12(b)に示すように、シリコン基板1の側壁1aが露出するようにSTI2の素子分離絶縁膜5をエッチバックする。この場合、図12(c)に示すように、選択ゲートトランジスタのゲート電極SGについては、ゲート絶縁膜7が露出するまで、即ち、浮遊ゲート電極膜FG(多結晶シリコン層8)が除去されて、ゲート絶縁膜7の上面が若干削れるエッチングを加えるようにする。そして、必要に応じて選択ゲートトランジスタの閾値制御のために、イオン注入法を用いてリン等の不純物をレジスト15の開口部15aを通してシリコン基板1の表層部にドーピングする。
次に、レジスト15を除去した後、図13に示すように、電極間絶縁膜9を形成する。この場合、メモリセルトランジスタの形成領域では、素子分離絶縁膜5の上面および浮遊ゲート電極膜FG(多結晶シリコン層8)の上面に沿って電極間絶縁膜9が形成される(図13(a)参照)。また、選択ゲートトランジスタの形成領域では、素子分離絶縁膜5の上面、シリコン基板1の側壁1a、ゲート絶縁膜7の側面および上面に沿って電極間絶縁膜9が形成される(図13(b)参照)。続いて、電極間絶縁膜9上に化学気相成長法を用いて導電層10(制御ゲート電極膜CG)となるドープト多結晶シリコン層を形成する。
次に、ゲート加工を行って、即ち、電極分離用の溝11を形成して、メモリセルトランジスタのゲート電極MG、選択ゲートトランジスタのゲート電極SGあるいは他のゲート電極などを分離形成する(図14(c)参照)。
尚、上述した以外の第2実施形態の構成は、第1実施形態と同じ構成となっている。従って、第2実施形態においても、選択ゲートトランジスタの閾値を容易に制御することができる。
(第3実施形態)
図15ないし図17は、第3実施形態を示すものである。尚、第1の実施例と同一構成には、同一符号を付している。第3実施形態では、選択ゲートトランジスタのゲート電極SGにおいて、浮遊ゲート電極膜FG(多結晶シリコン層8)およびゲート絶縁膜7を除去し、電極間絶縁膜9をゲート絶縁膜として機能させるように構成したものである。
図15ないし図17は、第3実施形態を示すものである。尚、第1の実施例と同一構成には、同一符号を付している。第3実施形態では、選択ゲートトランジスタのゲート電極SGにおいて、浮遊ゲート電極膜FG(多結晶シリコン層8)およびゲート絶縁膜7を除去し、電極間絶縁膜9をゲート絶縁膜として機能させるように構成したものである。
具体的には、第1実施形態の製造工程の図4から図8までは、第3実施形態においても同様に実行する。この後、第3実施形態では、図15(b)、(c)に示すように、シリコン基板1の上面が露出するようにSTI2の素子分離絶縁膜5をエッチバックする。この場合、図15(b)、(c)に示すように、選択ゲートトランジスタのゲート電極SGについては、シリコン基板1が露出するまで、即ち、浮遊ゲート電極膜FG(多結晶シリコン層8)およびゲート絶縁膜7が除去されて、シリコン基板1の上面が若干削れるようにエッチングする。そして、必要に応じて選択ゲートトランジスタの閾値制御のために、イオン注入法を用いてリン等の不純物をレジスト15の開口部15aを通してシリコン基板1の表層部にドーピングする。
次に、レジスト15を除去した後、図16に示すように、電極間絶縁膜9を形成する。この場合、メモリセルトランジスタの形成領域では、素子分離絶縁膜5の上面および浮遊ゲート電極膜FG(多結晶シリコン層8)の上面に沿って電極間絶縁膜9が形成される。また、選択ゲートトランジスタの形成領域では、素子分離絶縁膜5の上面およびシリコン基板1の上面に沿って電極間絶縁膜9が形成される。続いて、電極間絶縁膜9上に化学気相成長法を用いて導電層10(制御ゲート電極膜CG)となるドープト多結晶シリコン層を形成する。
次に、ゲート加工を行って、即ち、電極分離用の溝11を形成して、メモリセルトランジスタのゲート電極MG、選択ゲートトランジスタのゲート電極SGあるいは他のゲート電極などを分離形成する(図17(c)参照)。
尚、上述した以外の第3実施形態の構成は、第1実施形態と同じ構成となっている。従って、第3実施形態においても、選択ゲートトランジスタの閾値を容易に制御することができる。特に、第3実施形態によれば、選択ゲートトランジスタの形成領域では、シリコン基板1の上面上の浮遊ゲート電極膜FG(多結晶シリコン層8)およびゲート絶縁膜7を除去し、シリコン基板1の上面上に形成した電極間絶縁膜9をゲート絶縁膜として機能させるように構成したので、選択ゲートトランジスタの閾値を容易に制御することができる。
(第4実施形態)
図18ないし図22は、第4実施形態を示すものである。尚、第1の実施例と同一構成には、同一符号を付している。第4実施形態では、電極間絶縁膜9をNONON膜で構成すると共に、該電極間絶縁膜9の一部(NON膜)を素子分離絶縁膜5をエッチバックする前に形成し、電極間絶縁膜9の残り(ON膜)を素子分離絶縁膜5をエッチバックした後で形成するように構成したものである。
図18ないし図22は、第4実施形態を示すものである。尚、第1の実施例と同一構成には、同一符号を付している。第4実施形態では、電極間絶縁膜9をNONON膜で構成すると共に、該電極間絶縁膜9の一部(NON膜)を素子分離絶縁膜5をエッチバックする前に形成し、電極間絶縁膜9の残り(ON膜)を素子分離絶縁膜5をエッチバックした後で形成するように構成したものである。
具体的には、第1実施形態の製造工程の図4から図8までは、第4実施形態においても同様に実行する。この後、第4実施形態では、図18に示すように、素子分離絶縁膜5および浮遊ゲート電極膜FG(多結晶シリコン層8)の上に電極間絶縁膜(NONON膜)9の一部(NON膜)9aを形成する。この電極間絶縁膜(NONON膜)9の一部(NON膜)9aの膜厚は、例えば10nm程度とする。
続いて、図19に示すように、電極間絶縁膜9の一部(NON膜)の上にレジスト15を形成し、露光現像することにより、上記レジスト15における選択ゲートトランジスタの形成領域に開口部15aを形成する。更に、シリコン基板1の側壁1aが露出するようにSTI2の素子分離絶縁膜5をエッチバックする。この場合、図19(c)に示すように、選択ゲートトランジスタのゲート電極SGについては、浮遊ゲート電極膜FG(多結晶シリコン層8)が露出するまで、即ち、浮遊ゲート電極膜FG(多結晶シリコン層8)の上面が若干削れるようにエッチングする。そして、必要に応じて選択ゲートトランジスタの閾値制御のために、イオン注入法を用いてリン等の不純物をレジスト15の開口部15aを通してシリコン基板1の表層部にドーピングする。
次に、レジスト15を除去した後、図20に示すように、電極間絶縁膜9の残り(ON膜)9bを形成する。この電極間絶縁膜9の残り(ON膜)9bの膜厚は、例えば5nm程度とする。この構成の場合、メモリセルトランジスタの形成領域では、電極間絶縁膜9の一部(NON膜)9aの上面に沿って電極間絶縁膜9の残り(ON膜)9bが形成される(図20(a)、(c)参照)。また、選択ゲートトランジスタの形成領域では、素子分離絶縁膜5の上面、シリコン基板1の側壁1a、ゲート絶縁膜7の側面、浮遊ゲート電極膜FG(多結晶シリコン層8)の側面および上面に沿って電極間絶縁膜9の残り(ON膜)9bが形成される(図20(b)、(c)参照)。続いて、電極間絶縁膜9上に化学気相成長法を用いて導電層10(制御ゲート電極膜CG)となるドープト多結晶シリコン層を形成する。
次に、ゲート加工を行って、即ち、電極分離用の溝11を形成して、メモリセルトランジスタのゲート電極MG、選択ゲートトランジスタのゲート電極SGあるいは他のゲート電極などを分離形成する(図21(c)参照)。
尚、上述した以外の第4実施形態の構成は、第1実施形態と同じ構成となっている。従って、第4実施形態においても、第1実施形態とほぼ同じ作用効果を得ることができる。特に、第4実施形態によれば、電極間絶縁膜(NONON膜)9を2回に分けて成膜するように構成したので、シリコン基板1の側壁1a上に形成するゲート絶縁膜9bの膜厚を薄く制御することができる。これにより、選択ゲートトランジスタの閾値の制御が容易になる。
(第5実施形態)
図22ないし図25は、第5実施形態を示すものである。尚、第1の実施例と同一構成には、同一符号を付している。第5実施形態では、選択ゲートトランジスタのゲート絶縁膜を、電極間絶縁膜9を使用せずに、シリコン基板1を酸化することによって形成するように構成した。
図22ないし図25は、第5実施形態を示すものである。尚、第1の実施例と同一構成には、同一符号を付している。第5実施形態では、選択ゲートトランジスタのゲート絶縁膜を、電極間絶縁膜9を使用せずに、シリコン基板1を酸化することによって形成するように構成した。
具体的には、第1実施形態の製造工程の図4から図8までは、第5実施形態においても同様に実行する。この後、第5実施形態では、図22に示すように、素子分離絶縁膜5および浮遊ゲート電極膜FG(多結晶シリコン層8)の上に電極間絶縁膜9を形成する。
続いて、図23に示すように、電極間絶縁膜9の上にレジスト15を形成し、露光現像することにより、上記レジスト15における選択ゲートトランジスタの形成領域に開口部15aを形成する。更に、シリコン基板1の側壁1aが露出するようにSTI2の素子分離絶縁膜5をエッチバックする。この場合、図23(c)に示すように、選択ゲートトランジスタのゲート電極SGについては、浮遊ゲート電極膜FG(多結晶シリコン層8)が露出するまで、即ち、浮遊ゲート電極膜FG(多結晶シリコン層8)の上面が若干削れるようにエッチングする。そして、必要に応じて選択ゲートトランジスタの閾値制御のために、イオン注入法を用いてリン等の不純物をレジスト15の開口部15aを通してシリコン基板1の表層部にドーピングする。
次に、選択ゲートトランジスタのゲート電極SGについては、シリコン基板1の側壁1a、浮遊ゲート電極膜FG(多結晶シリコン層8)をSPA(Slot Plane Antenna)酸化法を用いて酸化し、シリコン酸化膜16を形成する(図24(b)、(c)参照)。
続いて、レジスト15を除去した後、図24に示すように、電極間絶縁膜9およびシリコン酸化膜16上に化学気相成長法を用いて導電層10(制御ゲート電極膜CG)となるドープト多結晶シリコン層を形成する。次に、ゲート加工を行って、即ち、電極分離用の溝11を形成して、メモリセルトランジスタのゲート電極MG、選択ゲートトランジスタのゲート電極SGあるいは他のゲート電極などを分離形成する(図25(c)参照)。
尚、上述した以外の第5実施形態の構成は、第1実施形態と同じ構成となっている。従って、第5実施形態においても、選択ゲートトランジスタの閾値を容易に制御することができる。特に、第5実施形態によれば、選択ゲートトランジスタのゲート絶縁膜(シリコン酸化膜16)を、電極間絶縁膜9を使用せずに、シリコン基板1を酸化することによって形成したので、第1実施形態等に比べて、選択ゲートトランジスタのシリコン基板1(活性領域3)のゲート幅方向の寸法を細く構成することができる。このため、制御ゲート電極膜CG(多結晶シリコン層10)の埋め込み性を向上させることができる。また、第5実施形態では、シリコン基板1をSPA酸化する構成であるので、SPA酸化により電極間絶縁膜9の改質効果が得られる。
(その他の実施形態)
以上説明した複数の実施形態に加えて以下のような構成を採用しても良い。
上記第4実施形態では、電極間絶縁膜(NONON膜)9をNON膜9aとON膜9bとに分けて成膜するように構成したが、これに限られるものではなく、他の積層構造の電極間絶縁膜を適宜2つに分けて成膜するように構成しても良い。また、上記第5実施形態では、シリコン基板1をSPA酸化するように構成したが、これに限られるものではなく、他の酸化方法で酸化しても良い。
以上説明した複数の実施形態に加えて以下のような構成を採用しても良い。
上記第4実施形態では、電極間絶縁膜(NONON膜)9をNON膜9aとON膜9bとに分けて成膜するように構成したが、これに限られるものではなく、他の積層構造の電極間絶縁膜を適宜2つに分けて成膜するように構成しても良い。また、上記第5実施形態では、シリコン基板1をSPA酸化するように構成したが、これに限られるものではなく、他の酸化方法で酸化しても良い。
以上のように、本実施形態の半導体装置によると、フラットセル構造のゲート構造を備えるものであって、選択ゲートトランジスタを別作りすることなく、選択ゲートトランジスタの閾値を容易に制御することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
図面中、1はシリコン基板、2はSTI、3は活性領域、4は素子分離溝、5は素子分離絶縁膜、7はゲート絶縁膜、8は多結晶シリコン層、9は電極間絶縁膜、10は導電層である。
Claims (5)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられ一対の選択ゲートトランジスタが形成された第1の領域と、
前記半導体基板上の前記一対の選択ゲートトランジスタ間に設けられ複数のメモリセルトランジスタが形成された第2の領域と、
前記第2の領域上に第1の絶縁膜を介して形成され、電荷蓄積層、中間絶縁膜、および、制御ゲート電極膜が積層形成された前記メモリセルトランジスタのゲート電極と、
前記第1の領域上に前記半導体基板の側壁を露出させるように形成された溝と、
前記半導体基板の側壁上に第2の絶縁膜を介して形成された前記制御ゲート電極膜を有する前記選択ゲートトランジスタのゲート電極とを備え、
前記第1の領域において、前記第2の絶縁膜の下面が前記半導体基板の上面よりも下方に位置し、
前記中間絶縁膜と前記第2の絶縁膜が少なくとも一部共通し、
前記第1の領域において、前記半導体基板の上面上に前記第1の絶縁膜および前記電荷蓄積層が積層形成され、前記第1の絶縁膜の側面、前記電荷蓄積層の側面および上面の上に前記第2の絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられ一対の選択ゲートトランジスタが形成された第1の領域と、
前記半導体基板上の前記一対の選択ゲートトランジスタ間に設けられ複数のメモリセルトランジスタが形成された第2の領域と、
前記第2の領域上に第1の絶縁膜を介して形成され、電荷蓄積層、中間絶縁膜、および、制御ゲート電極膜が積層形成された前記メモリセルトランジスタのゲート電極と、
前記第1の領域上に前記半導体基板の側壁を露出させるように形成された溝と、
前記半導体基板の側壁上に第2の絶縁膜を介して形成された前記制御ゲート電極膜を有する前記選択ゲートトランジスタのゲート電極と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の領域において、前記第2の絶縁膜の下面が前記半導体基板の上面よりも下方に位置することを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 前記第1の領域における前記選択ゲートトランジスタの前記半導体基板の活性領域のゲート幅方向の寸法を細く構成したことを特徴とする請求項2または3記載の半導体装置。
- 半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に電荷蓄積層を形成する工程と、
前記電荷蓄積層、前記第1の絶縁膜および前記半導体基板を加工して素子分離溝を形成する工程と、
前記素子分離溝に素子分離絶縁膜を埋め込み平坦化する工程と、
メモリセルトランジスタの形成領域の前記素子分離絶縁膜および前記電荷蓄積層をレジストでマスクした状態で、選択ゲートトランジスタの形成領域の前記素子分離絶縁膜をエッチバックし、前記半導体基板の側壁を露出させる工程と、
前記選択ゲートトランジスタの形成領域の前記半導体基板の表層部にイオン注入法を用いて不純物をドーピングする工程と、
前記素子分離絶縁膜の上面および前記半導体基板の側壁の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に制御ゲート電極膜を形成する工程と、
前記選択ゲートトランジスタのゲート電極および前記メモリセルトランジスタのゲート電極を分離加工する工程と
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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