JP2013191620A - Component built-in substrate manufacturing method and component built-in substrate - Google Patents

Component built-in substrate manufacturing method and component built-in substrate Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for efficient manufacturing of a highly reliable substrate with built-in component.SOLUTION: A manufacturing method for component built-in substrate comprises the steps of: (i) a step for preparing a core layer having a component mounting face forming a land thereon; (ii) a step of disposing bonding material including flux, a solder particle, and a granular material with a higher melting point than the solder particle and with particle diameter 5-50 μm in particle distribution d90; (iii) a step of mounting an electronic component on the core layer; (iv) a step of forming a solder joint part by heating the core layer having the electronic component thereon with higher temperature than a melting point of the solder and lower temperature than a melting point of the granular material, and controlling an interval between the land and a terminal in 20-50 μm using the granular material; (v) a step of laminating a prepreg on the core layer surrounding the electronic component with the prepreg; (vi) a step of applying pressure and heat on the laminate in a lamination direction so that the hardened material of the prepreg is filled between the electronic component and the core layer.

Description

本発明は、金属箔の配線パターンが形成された部品搭載面を有するコア層と、部品搭載面に実装された電子部品と、電子部品を封止する樹脂層と、を具備する部品内蔵基板に関し、特にその製造方法に関する。   The present invention relates to a component-embedded substrate comprising a core layer having a component mounting surface on which a metal foil wiring pattern is formed, an electronic component mounted on the component mounting surface, and a resin layer for sealing the electronic component. In particular, it relates to a manufacturing method thereof.

半導体素子などの電子部品の多くは、電子部品モジュールの形で電子機器に組み込まれている。電子部品モジュールは、一般に、金属箔の配線パターンが形成された基板に電子部品を実装し、その後、電子部品を樹脂層により封止することで形成される。電子部品モジュールの実装密度の高度化が求められる中、複数の配線パターンが積層され、かつ内層の配線パターンに電子部品が実装された形態の部品内蔵基板が用いられるようになってきている(例えば特許文献1、2)。   Many electronic components such as semiconductor elements are incorporated in electronic devices in the form of electronic component modules. An electronic component module is generally formed by mounting an electronic component on a substrate on which a metal foil wiring pattern is formed, and then sealing the electronic component with a resin layer. While a higher mounting density of electronic component modules is required, a component-embedded substrate in which a plurality of wiring patterns are stacked and an electronic component is mounted on an inner layer wiring pattern has been used (for example, Patent Documents 1 and 2).

特許文献1、2の部品内蔵基板においては、まず、コア層の配線パターンのランド(電極)にクリームはんだが供給される。クリームはんだは、フラックスと、フラックスに分散させたはんだ粒子とを含んでおり、フラックスは、はんだ表面の酸化膜を除去する作用を有する。その後、クリームはんだを介して電子部品をコア層に搭載した後、コア層を加熱することにより、電子部品の端子とランドとを接続するはんだ接合部が形成される。   In the component-embedded substrates of Patent Documents 1 and 2, first, cream solder is supplied to the land (electrode) of the wiring pattern of the core layer. Cream solder contains a flux and solder particles dispersed in the flux, and the flux has an action of removing an oxide film on the solder surface. Thereafter, the electronic component is mounted on the core layer via cream solder, and then the core layer is heated to form a solder joint that connects the terminal of the electronic component and the land.

次に、フラックスの残渣を除去する洗浄工程が行われ、その後、コア層の配線パターンの表面に、電子部品を囲むようにプリプレグが配置される(特許文献2)。そして、プリプレグを介してコア層と対向するように別の配線層もしくは金属箔が配置され、得られた積層体を積層方向に加圧するとともに加熱することにより、部品内蔵基板が形成される。   Next, a cleaning process for removing the flux residue is performed, and then a prepreg is disposed on the surface of the wiring pattern of the core layer so as to surround the electronic component (Patent Document 2). And another wiring layer or metal foil is arrange | positioned so that a core layer may be opposed via a prepreg, and a component built-in board | substrate is formed by pressing and heating the obtained laminated body in the lamination direction.

特開2009−110992号公報JP 2009-110992 A 特開2006−59952号公報JP 2006-59952 A

しかし、特許文献1、2の製造方法では、電子部品を搭載したコア層を加熱する際に、以下のような問題が生じ得る。   However, in the manufacturing methods of Patent Documents 1 and 2, the following problems may occur when heating the core layer on which the electronic component is mounted.

図6(A)に、電子部品7の端子7aを、フラックス6aとこれに分散させたはんだ粒子6bとを含むクリームはんだ6を介してコア層1の配線パターン3のランド3aに着地させた状態を示す。この段階では、クリームはんだ6の厚みは比較的大きく、電子部品7の下面とコア層1との間には、クリームはんだ6の厚みに応じた隙間8が形成されている。   6A, the terminal 7a of the electronic component 7 is landed on the land 3a of the wiring pattern 3 of the core layer 1 through the cream solder 6 including the flux 6a and the solder particles 6b dispersed therein. Indicates. At this stage, the cream solder 6 has a relatively large thickness, and a gap 8 corresponding to the thickness of the cream solder 6 is formed between the lower surface of the electronic component 7 and the core layer 1.

しかし、コア層1を加熱すると、クリームはんだ6に含まれるフラックス6aの粘度が低下するとともに、はんだ粒子6bが溶融して端子7aの表面に這い上がるため、電子部品7は重力方向に移動する。そのため、図6(B)に示すように、はんだ接合部6xの厚さは小さくなり、電子部品7の下面とコア層1との隙間8bは狭小化する。   However, when the core layer 1 is heated, the viscosity of the flux 6a contained in the cream solder 6 is reduced, and the solder particles 6b are melted and crawl up to the surface of the terminal 7a, so that the electronic component 7 moves in the direction of gravity. Therefore, as shown in FIG. 6B, the thickness of the solder joint 6x is reduced, and the gap 8b between the lower surface of the electronic component 7 and the core layer 1 is narrowed.

一方、電子部品7の下面とコア層1との隙間8bは、プリプレグに由来する樹脂材料で完全に封止することが望ましい。しかし、上記のように、隙間8bが狭小化すると、プリプレグが隙間8bに侵入することが困難となる。   On the other hand, it is desirable that the gap 8b between the lower surface of the electronic component 7 and the core layer 1 is completely sealed with a resin material derived from the prepreg. However, as described above, when the gap 8b is narrowed, it becomes difficult for the prepreg to enter the gap 8b.

プリプレグの硬化物(封止樹脂)により、電子部品7とコア層1との隙間8bが中途半端に封止されると、部品内蔵基板を加熱する再リフローの際に、はんだ接合部6xから、溶融はんだが、毛細管現象に促されて狭小化した隙間8bに侵入し、はんだ接合部6xの信頼性が損なわれる。時には、はんだフラッシュにより、端子7a間の短絡が発生することもある。   When the gap 8b between the electronic component 7 and the core layer 1 is sealed halfway by the cured product of prepreg (sealing resin), during re-flow for heating the component-embedded substrate, from the solder joint 6x, Molten solder enters the gap 8b that is narrowed by the capillary phenomenon, and the reliability of the solder joint 6x is impaired. Sometimes, the solder flash may cause a short circuit between the terminals 7a.

電子部品7とコア層1との隙間8bにプリプレグを侵入させることは、電子部品の高密度実装化が進み、狭いピッチで多くの電子部品が搭載されるほど困難になる。ピッチが狭くなるほど、溶融したプリプレグの移動経路となり得る空間が小さくなるためである。特に、図7(A)に平面図で示すように、複数の電子部品7が狭いピッチで密集してコア層1に搭載されている場合、図7(B)に側面図で示すように、その中心付近の電子部品(例えば電子部品7C、7D)の下面とコア層1との隙間に侵入するプリプレグ10の流入経路は、ほぼ電子部品間の隙間に限定される。   It is more difficult for the prepreg to enter the gap 8b between the electronic component 7 and the core layer 1 as the electronic components are mounted at higher density and more electronic components are mounted at a narrow pitch. This is because the narrower the pitch, the smaller the space that can serve as a movement path for the molten prepreg. In particular, as shown in a plan view in FIG. 7A, when a plurality of electronic components 7 are densely mounted on the core layer 1 with a narrow pitch, as shown in a side view in FIG. The inflow path of the prepreg 10 that enters the gap between the lower surface of the electronic component (for example, the electronic components 7C and 7D) near the center and the core layer 1 is almost limited to the gap between the electronic components.

しかし、例えば電子部品7Cと電子部品7Dとの隙間では、プリプレグ10は、上方からコア層の部品搭載面に向かう方向(矢印Yの方向)には流動できるが、部品搭載面の面方向(矢印Xの方向)への流動が困難である。X方向へのプリプレグ10の流動は、電子部品の密集領域の周縁部から中心に向かうほど困難になる。従って、周縁部に位置する電子部品7Aや電子部品7Fにおいては、電子部品7の下面とコア層1との隙間にプリプレグを侵入させることができたとしても、中心付近に位置する電子部品7Cや電子部品7Dにおいては、電子部品7の下面とコア層1との隙間にプリプレグを侵入させることが困難になる。なお、図7(B)は、プリプレグ10を介して金属箔11(配線層)をコア層1に貼り合せる場合を想定している。   However, for example, in the gap between the electronic component 7C and the electronic component 7D, the prepreg 10 can flow in the direction from the top toward the component mounting surface of the core layer (the direction of the arrow Y), but the surface direction of the component mounting surface (the arrow) It is difficult to flow in the direction of X). The flow of the prepreg 10 in the X direction becomes more difficult as it goes from the periphery of the dense region of the electronic component toward the center. Therefore, in the electronic component 7A and the electronic component 7F located at the peripheral edge, even if the prepreg can be penetrated into the gap between the lower surface of the electronic component 7 and the core layer 1, the electronic component 7C located near the center In the electronic component 7 </ b> D, it becomes difficult to allow the prepreg to enter the gap between the lower surface of the electronic component 7 and the core layer 1. 7B assumes a case where the metal foil 11 (wiring layer) is bonded to the core layer 1 through the prepreg 10. FIG.

そこで、本発明の一局面は、(i)電子部品接続用のランドを含む第1配線パターンが形成された部品搭載面を有するコア層を準備する工程と、(ii)前記第1配線パターンの少なくとも前記ランドを覆う部分に、フラックスと、前記フラックスに分散させたはんだ粒子と、前記はんだ粒子の融点よりも高い融点を有し、かつ粒度分布d90における粒子径が5μm〜50μmの粒状物と、を含む接合材を配置する工程と、(iii)端子を有する電子部品を準備し、前記端子を、前記接合材を介して前記ランドに着地させて、前記電子部品を前記部品搭載面に搭載する工程と、(iv)前記電子部品を搭載した前記コア層を、前記はんだの融点より高く、前記粒状物の融点よりも低い温度で第1加熱して、前記はんだを溶融させて前記ランドおよび前記端子に付着させた後、凝固させることにより、前記端子と前記ランドとを接合するはんだ接合部を形成するとともに、前記ランドと前記端子との距離を、前記粒状物により、20μm〜50μmに制御する工程と、(v)前記部品搭載面に実装された前記電子部品がプリプレグで囲われるように、前記コア層に前記プリプレグを積層する工程と、(vi)前記コア層と前記プリプレグとの積層体を、積層方向に加圧するとともに、第2加熱することにより、前記プリプレグの硬化物が前記電子部品と前記コア層との隙間に充填されるように、前記硬化物により前記電子部品を封止する工程と、を含む部品内蔵基板の製造方法に関する。   Accordingly, one aspect of the present invention is: (i) a step of preparing a core layer having a component mounting surface on which a first wiring pattern including a land for connecting electronic components is formed; and (ii) the first wiring pattern At least a portion covering the land, a flux, solder particles dispersed in the flux, and a granular material having a melting point higher than the melting point of the solder particles and having a particle size in a particle size distribution d90 of 5 μm to 50 μm, And (iii) preparing an electronic component having a terminal, landing the terminal on the land via the bonding material, and mounting the electronic component on the component mounting surface And (iv) first heating the core layer on which the electronic component is mounted at a temperature higher than the melting point of the solder and lower than the melting point of the granular material to melt the solder, After being attached to the terminal, the solder is solidified to form a solder joint for joining the terminal and the land, and the distance between the land and the terminal is controlled to 20 μm to 50 μm by the granular material. And (v) a step of laminating the prepreg on the core layer so that the electronic component mounted on the component mounting surface is surrounded by the prepreg, and (vi) a laminate of the core layer and the prepreg Are pressed in the laminating direction and second heated to seal the electronic component with the cured product so that the cured product of the prepreg is filled in the gap between the electronic component and the core layer. And a method of manufacturing a component-embedded substrate including a process.

本発明の他の局面は、ランドを含む第1配線パターンが形成された部品搭載面を有するコア層と、前記ランドと対向する端子を有する電子部品と、前記ランドと前記端子とを接続するはんだ接合部と、前記電子部品および前記はんだ接合部とともに前記部品搭載面を封止する封止樹脂と、を具備し、前記はんだ接合部が、粒度分布d90における粒子径が5μm〜50μmの粒状物を含む第一領域と、前記第一領域の少なくとも一部を覆う第二領域(マトリックス領域)とを含み、少なくとも前記第二領域は前記ランドと前記端子とを電気的に接続する金属領域であり、前記ランドと前記端子との距離が、20μm〜50μmであり、前記電子部品と前記コア層との隙間が、前記封止樹脂により封止されている、部品内蔵基板に関する。   According to another aspect of the present invention, there is provided a core layer having a component mounting surface on which a first wiring pattern including lands is formed, an electronic component having terminals facing the lands, and solder for connecting the lands and the terminals. And a sealing resin that seals the component mounting surface together with the electronic component and the solder joint, and the solder joint is a granular material having a particle size distribution of 5 μm to 50 μm in a particle size distribution d90. Including a first region and a second region (matrix region) covering at least a part of the first region, at least the second region is a metal region that electrically connects the land and the terminal, The present invention relates to a component-embedded substrate in which a distance between the land and the terminal is 20 μm to 50 μm, and a gap between the electronic component and the core layer is sealed with the sealing resin.

本発明によれば、コア層のランドと電子部品の端子とを接合する接合材が、はんだ粒子の融点では溶融しない粒状物を含むことから、電子部品を搭載したコア層を加熱する際に、粒状物がスペーサとなり、電子部品の下面とコア層との隙間の狭小化が抑制される。従って、プリプレグにより電子部品を封止する際に、電子部品の下面とコア層との間にプリプレグが侵入しやすくなり、信頼性の高い封止が達成される。従って、部品内蔵基板を加熱する再リフローの際に、溶融はんだが毛細管現象に促されて狭小化した隙間に侵入するという問題も低減される。   According to the present invention, since the bonding material for bonding the land of the core layer and the terminal of the electronic component includes a granular material that does not melt at the melting point of the solder particles, when heating the core layer on which the electronic component is mounted, The granular material serves as a spacer, and the narrowing of the gap between the lower surface of the electronic component and the core layer is suppressed. Therefore, when the electronic component is sealed with the prepreg, the prepreg is likely to enter between the lower surface of the electronic component and the core layer, thereby achieving highly reliable sealing. Therefore, the problem that the molten solder enters the narrowed gap as a result of the capillary phenomenon during re-flow for heating the component-embedded substrate is also reduced.

また、複数の電子部品が狭いピッチで密集してコア層に搭載されている場合でも、その中心付近の電子部品とコア層との隙間に侵入するプリプレグの流入経路は、電子部品の上方からコア層の部品搭載面に向かう電子部品間の隙間だけでなく、隣接する電子部品の下面とコア層との隙間もプリプレグの流入経路になる。従って、電子部品の実装密度が高い場合でも、信頼性の高い封止が達成される。   Even when a plurality of electronic components are densely mounted on the core layer at a narrow pitch, the inflow path of the prepreg that enters the gap between the electronic component near the center and the core layer is the core from above the electronic component. Not only the gap between the electronic components facing the component mounting surface of the layer, but also the gap between the lower surface of the adjacent electronic component and the core layer becomes an inflow path of the prepreg. Therefore, even when the mounting density of electronic components is high, highly reliable sealing is achieved.

本発明の一実施形態に係る部品内蔵基板の製造工程のうち、コア層の部品搭載面に接合材を介して電子部品を搭載するまでの工程((A)〜(C))を示す説明図である。Explanatory drawing which shows the process ((A)-(C)) until it mounts an electronic component in the component mounting surface of a core layer through a bonding material among the manufacturing processes of the component built-in board which concerns on one Embodiment of this invention. It is. 本発明の一実施形態に係る部品内蔵基板の製造工程のうち、リフロー工程によりはんだ接合部を形成してからプリプレグを配置するまでの工程((D)〜(F))を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the process ((D)-(F)) until it arrange | positions a prepreg after forming a solder joint part by a reflow process among the manufacturing processes of the component built-in board which concerns on one Embodiment of this invention. . 本発明の一実施形態に係る部品内蔵基板の製造工程のうち、コア層とプリプレグとの積層体から複数の配線パターンが積層された部品内蔵基板を完成させるまでの工程((G)〜(I))を示す説明図である。Among the manufacturing steps of the component built-in substrate according to the embodiment of the present invention, the steps ((G) to (I) until the component built-in substrate in which a plurality of wiring patterns are laminated from the laminated body of the core layer and the prepreg are completed. It is explanatory drawing which shows)). 本発明の一実施形態に係る部品内蔵基板の要部構造を概念的に示す拡大図である。It is an enlarged view which shows notionally the principal part structure of the component built-in board which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の別の実施形態に係る部品内蔵基板の要部構造を概念的に示す拡大図である。It is an enlarged view which shows notionally the principal part structure of the component built-in board | substrate which concerns on another embodiment of this invention. 従来の部品内蔵基板の製造工程のうち、コア層の部品搭載面に接合材を介して電子部品を搭載してからリフロー工程によりはんだ接合部を形成するまでの工程((A)〜(B))を示す説明図である。Among conventional manufacturing processes of component-embedded substrates, steps from mounting an electronic component on a component mounting surface of a core layer via a bonding material to forming a solder joint by a reflow process ((A) to (B) FIG. 複数の電子部品が狭いピッチで密集して搭載されたコア層を概念的に示す平面図(A)と、密集して搭載された電子部品間の隙間または電子部品とコア層との隙間におけるプリプレグの流動方向を概念的に示す側面図(B)である。A plan view (A) conceptually showing a core layer on which a plurality of electronic components are densely mounted at a narrow pitch, and a prepreg in the gap between the electronic components densely mounted or in the gap between the electronic component and the core layer It is a side view (B) which shows notionally a flow direction.

まず、部品内蔵基板の基本的な構造について説明する。
部品内蔵基板は、ベース層を中心に、複数の配線層もしくは配線パターン(金属箔)を積層した構造を有する。ベース層は、配線パターンが形成された部品搭載面を有するコア層と、部品搭載面にはんだ接合部により実装された電子部品とを具備する。
First, the basic structure of the component built-in substrate will be described.
The component-embedded substrate has a structure in which a plurality of wiring layers or wiring patterns (metal foils) are stacked around a base layer. The base layer includes a core layer having a component mounting surface on which a wiring pattern is formed, and an electronic component mounted on the component mounting surface by a solder joint.

コア層の部品搭載面に実装される電子部品としては、チップコンデンサ、チップ抵抗など、両端に接続用端子が形成されたチップ型の小型電子部品や、下面に接続用端子となる金属バンプが形成された半導体を含む電子部品が挙げられるが、特に限定されない。   Electronic components mounted on the component mounting surface of the core layer include chip-type small electronic components with connection terminals formed at both ends, such as chip capacitors and chip resistors, and metal bumps that serve as connection terminals on the bottom surface Examples thereof include, but are not particularly limited to, an electronic component including the prepared semiconductor.

隣り合う配線パターン間には、プリプレグの硬化物からなる封止樹脂(樹脂層)が配置されている。封止樹脂は、互いに隣接する配線パターン同士を貼り合わせる機能を有する。コア層の配線パターンには、チップ部品などの電子部品が実装されているので、封止樹脂は電子部品とともに部品搭載面を保護する機能を有する。   A sealing resin (resin layer) made of a cured prepreg is disposed between adjacent wiring patterns. The sealing resin has a function of bonding the wiring patterns adjacent to each other. Since an electronic component such as a chip component is mounted on the wiring pattern of the core layer, the sealing resin has a function of protecting the component mounting surface together with the electronic component.

電子部品の端子と配線パターンのランドとの接続には、クリームはんだを用いることが一般的である。従って、部品内蔵基板の製造の際には、電子部品を配線パターンに実装するための加熱、さらには配線パターン同士を貼り合わせるための加熱等が繰り返される。   Cream solder is generally used to connect the terminals of the electronic component and the land of the wiring pattern. Therefore, when manufacturing the component-embedded substrate, heating for mounting the electronic component on the wiring pattern, and heating for bonding the wiring patterns together are repeated.

コア層は、例えば30μm〜100μm程度の厚さを有する薄い樹脂基板を有し、その一方または両方の面に配線パターン(第1配線パターン)が形成されている。配線パターンの形状は様々であり、配線パターンのうち電子部品の端子と接続される部分はランドと称される。このようなコア層は、樹脂基板に銅箔などの金属箔を貼り合わせた後、金属箔にパターニングを施すことにより形成される。   The core layer has a thin resin substrate having a thickness of about 30 μm to 100 μm, for example, and a wiring pattern (first wiring pattern) is formed on one or both surfaces thereof. The shape of the wiring pattern varies, and the portion of the wiring pattern that is connected to the terminal of the electronic component is called a land. Such a core layer is formed by attaching a metal foil such as a copper foil to a resin substrate and then patterning the metal foil.

次に、本発明の部品内蔵基板の製造方法について説明する。
部品内蔵基板の製造方法は、(i)電子部品接続用のランドを含む第1配線パターンが形成された部品搭載面を有するコア層を準備する工程と、(ii)前記第1配線パターンの少なくとも前記ランドを覆う部分に、フラックスと、前記フラックスに分散させたはんだ粒子と、前記はんだ粒子の融点よりも高い融点を有し、かつ粒度分布d90における粒子径が5μm〜50μmの粒状物と、を含む接合材を配置する工程と、(iii)端子を有する電子部品を準備し、前記端子を、前記接合材を介して前記ランドに着地させて、前記電子部品を前記部品搭載面に搭載する工程と、(iv)前記電子部品を搭載した前記コア層を、前記はんだの融点より高く、前記粒状物の融点よりも低い温度で第1加熱して、前記はんだを溶融させて前記ランドおよび前記端子に付着させた後、凝固させることにより、前記端子と前記ランドとを接合するはんだ接合部を形成するとともに、前記ランドと前記端子との距離を、前記粒状物により、20μm〜50μmに制御する工程と、(v)前記部品搭載面に実装された前記電子部品がプリプレグで囲われるように、前記コア層に前記プリプレグを積層する工程と、(vi)前記コア層と前記プリプレグとの積層体を、積層方向に加圧するとともに、第2加熱することにより、前記プリプレグの硬化物が前記電子部品と前記コア層との隙間に充填されるように、前記硬化物により前記電子部品を封止する工程と、を含む。
Next, the manufacturing method of the component built-in substrate of this invention is demonstrated.
The component-embedded substrate manufacturing method includes: (i) preparing a core layer having a component mounting surface on which a first wiring pattern including lands for connecting electronic components is formed; and (ii) at least one of the first wiring patterns. In the portion covering the land, a flux, solder particles dispersed in the flux, and a granular material having a melting point higher than the melting point of the solder particles and having a particle size in a particle size distribution d90 of 5 μm to 50 μm, And (iii) preparing an electronic component having a terminal, landing the terminal on the land via the bonding material, and mounting the electronic component on the component mounting surface. And (iv) first heating the core layer on which the electronic component is mounted at a temperature higher than the melting point of the solder and lower than the melting point of the granular material to melt the solder, After being attached to the terminal, the solder is solidified to form a solder joint for joining the terminal and the land, and the distance between the land and the terminal is controlled to 20 μm to 50 μm by the granular material. And (v) a step of laminating the prepreg on the core layer so that the electronic component mounted on the component mounting surface is surrounded by the prepreg, and (vi) a laminate of the core layer and the prepreg Are pressed in the laminating direction and second heated to seal the electronic component with the cured product so that the cured product of the prepreg is filled in the gap between the electronic component and the core layer. And a process.

なお、前記積層体を加圧するとともに第2加熱する前に、プリプレグを介してコア層と対向するように、銅箔などの金属箔を配置してもよい。この場合、第2加熱の後、複数の配線パターン間を接続するビア導体を形成したり、金属箔をパターニングして当該金属箔に由来する第2、さらには第3の配線パターンを形成したりすることができる。同様の操作を繰り返すことで、複数の配線パターンが積層された実装密度の高い部品内蔵基板を得ることができる。   In addition, before pressurizing the said laminated body and carrying out 2nd heating, you may arrange | position metal foil, such as copper foil, so that a core layer may be opposed via a prepreg. In this case, after the second heating, via conductors connecting the plurality of wiring patterns are formed, or the metal foil is patterned to form second and third wiring patterns derived from the metal foil. can do. By repeating the same operation, it is possible to obtain a component-embedded substrate having a high mounting density in which a plurality of wiring patterns are stacked.

以下、図面を参照しながら、各工程について説明する。
図1〜3は、本発明の一実施形態に係る部品内蔵基板の製造方法の各工程を示す説明図である。
Hereinafter, each process will be described with reference to the drawings.
1-3 is explanatory drawing which shows each process of the manufacturing method of the component built-in board | substrate which concerns on one Embodiment of this invention.

まず、電子部品接続用のランドを含む第1配線パターンが形成された部品搭載面を有するコア層を準備する(工程(i))。
図1(A)において、コア層1は、絶縁性の樹脂基板2と、樹脂基板2の上面に配置された第1配線パターン3と、樹脂基板2の下面に配置された第1配線パターン4とで構成されている。各配線パターンは、金属薄膜(例えば銅箔などの金属箔)によって形成されている。コア層1の上面は、部品搭載面となっており、第1配線パターン3の一部は、電子部品の端子と接続するための電極、すなわちランド3aとして機能する。ランド3aには、例えば、チップ抵抗、チップコンデンサなどの電子部品が実装される。
First, a core layer having a component mounting surface on which a first wiring pattern including lands for connecting electronic components is formed is prepared (step (i)).
In FIG. 1A, the core layer 1 includes an insulating resin substrate 2, a first wiring pattern 3 disposed on the upper surface of the resin substrate 2, and a first wiring pattern 4 disposed on the lower surface of the resin substrate 2. It consists of and. Each wiring pattern is formed of a metal thin film (for example, a metal foil such as a copper foil). The upper surface of the core layer 1 is a component mounting surface, and a part of the first wiring pattern 3 functions as an electrode for connecting with a terminal of an electronic component, that is, a land 3a. For example, electronic components such as a chip resistor and a chip capacitor are mounted on the land 3a.

電子部品の大きさは、特に限定されないが、高密度実装化を可能にする観点から、部品搭載面に実装された状態で、ランドからの高さが0.5mm以下、さらには0.05mm〜0.2mmの電子部品を用いることが好ましい。このような小型の電子部品は、コア層1との間に形成される隙間も小さく、隙間の狭小化を抑制することに対する要請も高いといえる。   The size of the electronic component is not particularly limited, but from the viewpoint of enabling high-density mounting, the height from the land is 0.5 mm or less, and further 0.05 mm to It is preferable to use a 0.2 mm electronic component. Such a small electronic component has a small gap formed between the core layer 1 and the demand for suppressing the narrowing of the gap is high.

なお、配線パターン3、4には、実際に配線回路としての機能を有する部分以外に、パターニングの後にコア層1の表面に残置され、配線回路としての機能を有さない部分も含まれる。このような部分は、例えばコア層1の強度を確保する機能を有する。   Note that the wiring patterns 3 and 4 include not only a part that actually functions as a wiring circuit but also a part that remains on the surface of the core layer 1 after patterning and does not have a function as a wiring circuit. Such a portion has a function of ensuring the strength of the core layer 1, for example.

次に、図1(B)に示すように、配線パターン3の少なくともランド3aを覆う部分に、クリームはんだを接合材6として配置する(工程(ii))。
接合材6をコア層1の表面に配置する方法としては、スクリーン印刷法、ディスペンサによる塗布方法などを挙げることができる。接合材6を配置する部位の形状や範囲に応じて、各種の方法を選択することができる。
Next, as shown in FIG. 1B, cream solder is disposed as a bonding material 6 in a portion covering at least the land 3a of the wiring pattern 3 (step (ii)).
Examples of the method for arranging the bonding material 6 on the surface of the core layer 1 include a screen printing method and a coating method using a dispenser. Various methods can be selected according to the shape and range of the part where the bonding material 6 is disposed.

接合材6は、少なくともランド3aを覆う部分に配置されるが、ランド3aの表面のみならず、第1配線パターン3が全体的に覆われるように配置してもよい。例えば、樹脂基板2の上面において第1配線パターン3が形成された全範囲に接合材6を配置してもよい。   The bonding material 6 is disposed at least in a portion covering the land 3a. However, the bonding material 6 may be disposed so that not only the surface of the land 3a but also the first wiring pattern 3 is entirely covered. For example, the bonding material 6 may be disposed over the entire area where the first wiring pattern 3 is formed on the upper surface of the resin substrate 2.

接合材6として用いられる一般的なクリームはんだは、フラックス6aと、フラックス6aに分散させたはんだ粒子6bとを含むペーストであるが、本発明で用いるクリームはんだは、更に、はんだ粒子6bの融点では溶融しない粒状物6Aを含んでいる。粒状物6Aは、リフロー工程により、はんだ粒子6bが溶融する際にも溶融しないことから、コア層1のランド3aと電子部品7の端子7aとの間に一定の距離を確保するためのスペーサとして機能する。   A general cream solder used as the bonding material 6 is a paste including a flux 6a and solder particles 6b dispersed in the flux 6a. However, the cream solder used in the present invention further has a melting point of the solder particles 6b. The granular material 6A that does not melt is included. Since the granular material 6A does not melt even when the solder particles 6b are melted by the reflow process, the granular material 6A serves as a spacer for securing a certain distance between the land 3a of the core layer 1 and the terminal 7a of the electronic component 7. Function.

上記のようなスペーサの機能を確保する観点から、粒状物6Aの粒径は、所望する電子部品とコア層との隙間の大きさに応じて決定される。接合材6に含まれる粒状物6Aの量にもよるが、粒状物6Aの粒度分布d90における粒子径は5μm〜50μmの範囲から選択される。このような範囲の粒子径を有する粒状物を用いることで、部品搭載面に搭載された状態の電子部品とランドとの距離を20μm〜50μmの範囲に制御することが容易となる。なお、「粒度分布d90における粒子径」とは、累積粒度分布における粒子径の小さい順からの累積数が90%になる粒子径である。   From the viewpoint of securing the function of the spacer as described above, the particle size of the granular material 6A is determined according to the size of the gap between the desired electronic component and the core layer. Depending on the amount of the granular material 6A contained in the bonding material 6, the particle diameter in the particle size distribution d90 of the granular material 6A is selected from the range of 5 μm to 50 μm. By using a granular material having a particle diameter in such a range, it becomes easy to control the distance between the electronic component mounted on the component mounting surface and the land to a range of 20 μm to 50 μm. The “particle size in the particle size distribution d90” is a particle size in which the cumulative number from the smallest particle size in the cumulative particle size distribution becomes 90%.

粒状物6Aの融点は、はんだ粒子6bを溶融させるリフロー温度よりも高ければよい。ただし、はんだ粒子6bの溶融時における粒状物6Aの溶融を抑制する観点からは、はんだ粒子6bの融点と粒状物6Aの融点との差は、30℃以上であることが好ましい。   The melting point of the granular material 6A may be higher than the reflow temperature at which the solder particles 6b are melted. However, from the viewpoint of suppressing melting of the granular material 6A when the solder particles 6b are melted, the difference between the melting point of the solder particles 6b and the melting point of the granular material 6A is preferably 30 ° C. or higher.

接合材6に含まれるフラックス6aの組成は、特に限定されないが、例えば、ロジンのようなベース剤、活性剤、溶剤、チキソ性付与剤などを含む。活性剤は、はんだ粒子の表面の酸化膜を除去する作用を有する成分である。活性剤としては、例えば、有機酸、アミン類およびハロゲン化物よりなる群から選択される少なくとも1種を用いることができる。これらの材料は、1種を単独で用いてもよく、複数種を組み合わせて用いてもよい。ハロゲン化物(例えばハロゲン化水素酸塩)に含まれるハロゲンとしては、臭素や塩素が挙げられる。また、ホウ素系の活性剤も用いるこができる。   The composition of the flux 6a included in the bonding material 6 is not particularly limited, but includes, for example, a base agent such as rosin, an activator, a solvent, a thixotropic agent, and the like. The activator is a component having an action of removing an oxide film on the surface of the solder particles. As the activator, for example, at least one selected from the group consisting of organic acids, amines, and halides can be used. These materials may be used individually by 1 type, and may be used in combination of multiple types. Examples of the halogen contained in the halide (for example, hydrohalide) include bromine and chlorine. Boron based activators can also be used.

はんだ粒子6bとしては、特に限定されないが、後で行うプリプレグをコア層1に貼り合わせるための加熱工程において、溶融しない組成を有することが好ましい。例えば、Sn−Cu合金、Sn−Ag合金、Sn−Ag−Cu合金、Sn−Bi合金、Sn−Zn合金などのはんだを用いることができる。各合金には、第三または第四の元素として、In、Zn、Biなどの少なくとも1種を更に添加してもよい。はんだ粒子6bの粒子径は、電子部品やランドの大きさに応じて適宜選択すればよいが、例えば粒度分布d50における粒子径が15〜25μmのはんだ粒子を用いることができる。なお、「粒度分布d50における粒子径」とは、累積粒度分布における粒子径の小さい順からの累積数が50%になる粒子径である。   Although it does not specifically limit as solder particle 6b, It is preferable to have a composition which does not melt | dissolve in the heating process for bonding the prepreg performed later to the core layer 1. FIG. For example, a solder such as a Sn—Cu alloy, a Sn—Ag alloy, a Sn—Ag—Cu alloy, a Sn—Bi alloy, or a Sn—Zn alloy can be used. Each alloy may further include at least one of In, Zn, Bi and the like as the third or fourth element. The particle diameter of the solder particles 6b may be appropriately selected according to the size of the electronic component or the land. For example, solder particles having a particle diameter of 15 to 25 μm in the particle size distribution d50 can be used. The “particle size in the particle size distribution d50” is a particle size in which the cumulative number from the smallest particle size in the cumulative particle size distribution becomes 50%.

次に、端子7aを有する電子部品7を準備し、図1(C)に示すように、端子7aを、接合材6を介してランド3aに着地させて、電子部品7を部品搭載面に搭載する(工程(iii))。図1(C)では、電子部品7として両端に端子7aを有するチップ部品を搭載しているが、電子部品はこれに限定されない。   Next, an electronic component 7 having a terminal 7a is prepared. As shown in FIG. 1C, the terminal 7a is landed on the land 3a through the bonding material 6, and the electronic component 7 is mounted on the component mounting surface. (Step (iii)). In FIG. 1C, a chip component having terminals 7a at both ends is mounted as the electronic component 7, but the electronic component is not limited to this.

電子部品7の搭載には、様々な電子部品搭載装置を用いることができる。一般的に、電子部品搭載装置は、吸引ノズルを備えた搭載ヘッドを有し、搭載ヘッドは3次元方向に自在に移動可能となっている。電子部品7は、テープフィーダなどにより、電子部品搭載装置の部品供給部に供給される。部品供給部では、搭載ヘッドが電子部品7をピックアップし、コア層1の部品搭載面の上方に移動させる。そして、電子部品7の端子7aと、第1配線パターン3のランド3aとの位置合わせが自動的に行われる。引き続き、端子7aが、接合材6を介してランド3aに着地するように、電子部品7の搭載が行われる。   Various electronic component mounting apparatuses can be used for mounting the electronic component 7. Generally, an electronic component mounting apparatus has a mounting head provided with a suction nozzle, and the mounting head can freely move in a three-dimensional direction. The electronic component 7 is supplied to the component supply unit of the electronic component mounting apparatus by a tape feeder or the like. In the component supply unit, the mounting head picks up the electronic component 7 and moves it above the component mounting surface of the core layer 1. Then, the alignment between the terminal 7a of the electronic component 7 and the land 3a of the first wiring pattern 3 is automatically performed. Subsequently, the electronic component 7 is mounted so that the terminal 7 a is landed on the land 3 a via the bonding material 6.

これにより、電子部品7は、粘着性の接合材6を介してコア層1によって保持される。このとき、図1(C)に示すように、コア層1の上面と電子部品7の下面との間には、接合材6の塗布高さに応じた隙間8が形成されている。このときの隙間8の距離Lは、接合材6(クリームはんだ)の塗布厚みに依存する。   Thereby, the electronic component 7 is held by the core layer 1 through the adhesive bonding material 6. At this time, as shown in FIG. 1C, a gap 8 corresponding to the coating height of the bonding material 6 is formed between the upper surface of the core layer 1 and the lower surface of the electronic component 7. The distance L of the gap 8 at this time depends on the coating thickness of the bonding material 6 (cream solder).

次に、図2(D)に示すように、電子部品7を搭載したコア層1を加熱(第1加熱)して、接合材6に含まれているはんだにより、電子部品7の端子7aをランド3aに接合する。加熱により、はんだ粒子6bは溶融し、凝集しながら、ランド3aと端子7aに濡れ広がる。その後、はんだの温度が下がると、はんだは凝固し、端子7aとランド3aとを接合するはんだ接合部6xを形成する(工程(iv))。   Next, as shown in FIG. 2D, the core layer 1 on which the electronic component 7 is mounted is heated (first heating), and the terminals 7 a of the electronic component 7 are connected by solder contained in the bonding material 6. Bonded to the land 3a. By heating, the solder particles 6b are melted and agglomerated while spreading on the lands 3a and the terminals 7a. Thereafter, when the temperature of the solder is lowered, the solder is solidified to form a solder joint 6x that joins the terminal 7a and the land 3a (step (iv)).

上記のように、第1加熱では、接合材6に含まれているはんだ粒子6bを溶融させる必要があるため、はんだの融点よりも高い温度でコア層1を加熱する必要がある。このような状況で、はんだの融点では溶融しない粒状物6Aが存在しない場合には、接合材6は電子部品7を支えることができなくなり、電子部品7が重力方向に移動する。また、ランド3aと端子7aに濡れ広がる際の溶融はんだの表面張力により、電子部品7の端子7aはランド3aに引き寄せられる。従って、電子部品7の下面とコア層1の上面との隙間は、かなりの程度で狭小化する。   As described above, in the first heating, since it is necessary to melt the solder particles 6b included in the bonding material 6, it is necessary to heat the core layer 1 at a temperature higher than the melting point of the solder. In such a situation, when there is no granular material 6A that does not melt at the melting point of the solder, the bonding material 6 cannot support the electronic component 7, and the electronic component 7 moves in the direction of gravity. Further, the terminal 7a of the electronic component 7 is attracted to the land 3a by the surface tension of the molten solder when the land 3a and the terminal 7a are spread. Therefore, the gap between the lower surface of the electronic component 7 and the upper surface of the core layer 1 is narrowed to a considerable extent.

一方、接合材6が、はんだの融点では溶融しない粒状物6Aを含む場合には、図2(D)に示すように、粒状物6Aがスペーサとなって、電子部品7の重力方向への移動(沈み込み)を抑制する。従って、電子部品7の下面とコア層1の上面との隙間8aは、ある程度は狭小化するものの、その程度は小さくなる。すなわち、第1加熱後においても、電子部品7の下面とコア層1との間には一定の空間が保持される。狭小化した隙間8aの距離Sは、粒状物6Aの最大径や接合材6に含まれる粒状物Aの量に依存する。   On the other hand, when the bonding material 6 includes a granular material 6A that does not melt at the melting point of the solder, the granular material 6A serves as a spacer and the electronic component 7 moves in the direction of gravity as shown in FIG. (Subduction) is suppressed. Therefore, although the gap 8a between the lower surface of the electronic component 7 and the upper surface of the core layer 1 is narrowed to some extent, the degree is small. That is, a fixed space is maintained between the lower surface of the electronic component 7 and the core layer 1 even after the first heating. The distance S of the narrowed gap 8a depends on the maximum diameter of the granular material 6A and the amount of the granular material A included in the bonding material 6.

このとき、ランド3aと電子部品7の端子7aとの距離は、少なくとも粒状物6Aの最大径以上となる。ただし、粒状物の複数の粒子が凝集した状態でスペーサとして機能する場合には、粒状物の最大径は、確保しようとする隙間の距離Sよりも充分に小さくてもよい。   At this time, the distance between the land 3a and the terminal 7a of the electronic component 7 is at least the maximum diameter of the granular material 6A. However, when functioning as a spacer in a state where a plurality of particles of the granular material are aggregated, the maximum diameter of the granular material may be sufficiently smaller than the distance S of the gap to be secured.

後の工程で、プリプレグの隙間8aへの侵入を容易にする観点から、第1加熱後におけるランド3aと電子部品7の端子7aとの距離は、少なくとも20μm以上とする必要がある。ただし、ランド3aと電子部品7の端子7aとの距離が50μmを超えると、実装密度の高い部品内蔵基板を得ることが困難になる。従って、当該距離は、20〜50μmに制御する必要があり、30μm〜50μmに制御することが望ましい。なお、ランド3aと電子部品7の端子7aとの距離とは、コア層1の部品搭載面に対して垂直な方向に沿う距離を意味する。   From the viewpoint of facilitating entry of the prepreg into the gap 8a in a later step, the distance between the land 3a and the terminal 7a of the electronic component 7 after the first heating needs to be at least 20 μm or more. However, if the distance between the land 3a and the terminal 7a of the electronic component 7 exceeds 50 μm, it is difficult to obtain a component-embedded substrate having a high mounting density. Therefore, the distance needs to be controlled to 20 to 50 μm, and is preferably controlled to 30 to 50 μm. The distance between the land 3a and the terminal 7a of the electronic component 7 means a distance along a direction perpendicular to the component mounting surface of the core layer 1.

はんだが凝固すると、電子部品7の端子7aとランド3aとの間に、フィレット状のはんだ接合部6xが形成される。ここで、はんだ接合部6xには、少なくとも2つの領域が含まれている。一方は、粒状物6Aを含む第一領域であり、他方は、当該第一領域の少なくとも一部を覆う第二領域である。このうち、第二領域は、はんだ粒子6bの構成成分が溶融後、凝固して形成する領域であり、ランド3aと電子部品7の端子7aとを電気的に接続する金属領域である。粒状物6Aが金属である場合には、第一領域もランド3aと電子部品7の端子7aとを電気的に接続する金属領域を形成する。   When the solder is solidified, a fillet-shaped solder joint 6x is formed between the terminal 7a of the electronic component 7 and the land 3a. Here, the solder joint portion 6x includes at least two regions. One is a first region including the granular material 6A, and the other is a second region that covers at least a part of the first region. Among these, the second region is a region formed by solidifying the constituent components of the solder particles 6b after melting, and is a metal region that electrically connects the land 3a and the terminal 7a of the electronic component 7. When the granular material 6A is a metal, the first region also forms a metal region that electrically connects the land 3a and the terminal 7a of the electronic component 7.

はんだ粒子6bの融点より高い融点を有する粒状物6Aとしては、特に限定されないが、金属粉、セラミックス粉、樹脂粉などを用いることができる。これらのうちでは、金属領域である上記第二領域との親和性が高く、はんだ接合部6xに分布しやすいことから、金属粉が特に好ましい。金属粉としては、例えば、Cu、Ag、Niなどを用いることができる。セラミックス粉としては、Al23、SiO2などを用いることができる。また、樹脂粉としては、フッ素樹脂、ジビニルベンゼン架橋重合体、PEK(ポリエーテルケトン)などを用いることができる。 Although it does not specifically limit as granular material 6A which has melting | fusing point higher than melting | fusing point of solder particle 6b, Metal powder, ceramic powder, resin powder, etc. can be used. Among these, metal powder is particularly preferable because of its high affinity with the second region, which is a metal region, and easy distribution in the solder joints 6x. For example, Cu, Ag, Ni, or the like can be used as the metal powder. As the ceramic powder, Al 2 O 3 , SiO 2 or the like can be used. Moreover, as resin powder, a fluororesin, a divinylbenzene crosslinked polymer, PEK (polyetherketone), etc. can be used.

金属粉は、はんだと合金を形成する成分を含むことが好ましい。このような金属粉の表層部は、加熱によるはんだ接合の際に、はんだ粒子に含まれる成分と合金を形成する。この場合、はんだ接合部6xには、粒状物6Aを含む第一領域、第一領域の少なくとも一部を覆う第二領域および第一領域と第二領域との間に介在する第三領域からなる3つの領域が含まれている。第三領域は、金属粉に由来する第一領域に含まれる成分と、はんだに由来する第二領域に含まれる成分との合金を含んでいる。例えば金属粉がCuであり、はんだがSn−Bi合金である場合、第三領域として、Cu−Sn金属間化合物が形成される。このような第三領域が形成されることにより、金属粉(第一領域)とはんだ(第二領域)との間に空隙が生じにくくなり、はんだ接合部6xの強度や信頼性が更に向上する。   The metal powder preferably contains a component that forms an alloy with the solder. Such a surface layer portion of the metal powder forms an alloy with the components contained in the solder particles during solder joining by heating. In this case, the solder joint portion 6x includes a first region including the particulate matter 6A, a second region covering at least a part of the first region, and a third region interposed between the first region and the second region. Three areas are included. The third region includes an alloy of a component contained in the first region derived from the metal powder and a component contained in the second region derived from the solder. For example, when the metal powder is Cu and the solder is a Sn—Bi alloy, a Cu—Sn intermetallic compound is formed as the third region. By forming such a third region, it becomes difficult to generate a gap between the metal powder (first region) and the solder (second region), and the strength and reliability of the solder joint 6x are further improved. .

第1加熱後に、クリームはんだに含まれていたフラックス6aの残渣を洗浄する工程を行ってもよい。フラックス6aの残渣を洗浄することにより、部品内蔵基板の再リフローの際に、溶融したはんだの流動が抑制される。従って、はんだ接合部6xの形状が崩れるような不具合を防止することができる。粒状物6Aの作用により、電子部品7の下面とコア層1との隙間の狭小化は、ある程度は抑制されているものの、当該隙間に侵入しているフラックスの残渣を充分に除去する観点からは、入念な洗浄を行うことが望ましい。   You may perform the process of wash | cleaning the residue of the flux 6a contained in the cream solder after 1st heating. By washing the residue of the flux 6a, the flow of the molten solder is suppressed when the component-embedded substrate is reflowed. Therefore, it is possible to prevent a problem that the shape of the solder joint portion 6x is broken. Although the narrowing of the gap between the lower surface of the electronic component 7 and the core layer 1 is suppressed to some extent by the action of the granular material 6A, from the viewpoint of sufficiently removing the flux residue entering the gap. It is desirable to perform careful cleaning.

更に、必要に応じて、配線パターン3、4の表面の粗化が行われる。
粗化処理は、後の工程で、プリプレグと各配線パターンとの密着性を向上させるために行われる。粗化処理により、各配線パターンの表面に微細な凹凸が形成され、プリプレグに含まれる熱硬化性樹脂と配線パターンとの密着性が向上する。粗化処理の方法は、特に限定されないが、金属表面を化学的に浸食する作用を有する処理液(強酸性溶液や強アルカリ性溶液)にコア層を浸漬することで行うことができる。処理液により粗化された配線パターンの表面3b、4bは、図2(E)に概念的に示すように変色し、黒色またはこれに近い色彩になることから、粗化処理は黒化処理とも称される。
なお、粗化処理の方法としては、処理液を用いる湿式の黒化処理の外に、プラズマ処理などを行ってもよい。
Furthermore, the surface of the wiring patterns 3 and 4 is roughened as necessary.
The roughening treatment is performed in a later step in order to improve the adhesion between the prepreg and each wiring pattern. By the roughening treatment, fine irregularities are formed on the surface of each wiring pattern, and the adhesion between the thermosetting resin contained in the prepreg and the wiring pattern is improved. The method of the roughening treatment is not particularly limited, but can be performed by immersing the core layer in a treatment solution (strongly acidic solution or strongly alkaline solution) having an action of chemically eroding the metal surface. The surfaces 3b and 4b of the wiring pattern roughened by the treatment liquid change color as conceptually shown in FIG. 2E and become black or a color close thereto. Called.
Note that as a roughening treatment method, plasma treatment or the like may be performed in addition to the wet blackening treatment using a treatment liquid.

あるいは、粗化処理は、必ずしも第1加熱の後で行う必要はなく、例えば、上記工程(ii)の前に、接合材を配置する前の第1配線パターンの表面を粗化してもよい。この場合、第1加熱により形成されたはんだ接合部6xのフィレットが粗化処理の処理液で侵食されることがないため、はんだ接合部6xの信頼性を高めることができる。   Alternatively, the roughening treatment is not necessarily performed after the first heating. For example, the surface of the first wiring pattern before the bonding material is disposed may be roughened before the step (ii). In this case, since the fillet of the solder joint portion 6x formed by the first heating is not eroded by the roughening treatment liquid, the reliability of the solder joint portion 6x can be improved.

次に、図2(F)に示すように、部品搭載面に実装された電子部品7が囲われるように、コア層1にプリプレグ9を積層する(工程(v))。   Next, as shown in FIG. 2F, the prepreg 9 is laminated on the core layer 1 so as to surround the electronic component 7 mounted on the component mounting surface (step (v)).

プリプレグ9を積層配置する際には、できるだけ電子部品7とプリプレグ9との間に隙間が生じないように配置することが望ましい。また、プリプレグ9は、電子部品7のみならず、第1配線パターン3が全体的に封止されるように配置する。このようにすることで、電子部品7とともにコア層1の部品搭載面を全体的にプリプレグの硬化物で封止することができる。   When the prepregs 9 are stacked and arranged, it is desirable that the prepregs 9 be arranged so that no gap is generated between the electronic component 7 and the prepreg 9 as much as possible. The prepreg 9 is arranged so that not only the electronic component 7 but also the first wiring pattern 3 is entirely sealed. By doing in this way, the component mounting surface of the core layer 1 with the electronic component 7 can be sealed entirely with the cured product of the prepreg.

図2(F)では、コア層1の上面および電子部品7に密着するように、かつ電子部品7を囲むように、電子部品7に対応する開口部を有するプリプレグ9が配置されている。更に、コア層1を両面から挟み込むように、一対のプリプレグ10a、10bが配置され、プリプレグ10a、10bのコア層1の側とは反対側の面には、金属箔11a、11bがそれぞれ貼り付けられている。このような構成とすることで、コア層1の両面を完全にプリプレグに由来する封止樹脂で保護することができる。また、後の工程において、金属箔11a、11bには、それぞれ所望の配線パターンを形成することができる。   In FIG. 2F, a prepreg 9 having an opening corresponding to the electronic component 7 is disposed so as to be in close contact with the upper surface of the core layer 1 and the electronic component 7 and to surround the electronic component 7. Further, a pair of prepregs 10a and 10b are arranged so as to sandwich the core layer 1 from both sides, and metal foils 11a and 11b are respectively attached to the surfaces of the prepregs 10a and 10b opposite to the core layer 1 side. It has been. By setting it as such a structure, both surfaces of the core layer 1 can be completely protected by sealing resin derived from a prepreg. In a later step, desired wiring patterns can be formed on the metal foils 11a and 11b, respectively.

ただし、図7に示すように、複数の電子部品7が狭いピッチで密集してコア層1に搭載されている場合には、図2(F)に示すように電子部品7をそれぞれ1個ずつ、または少数の複数個ずつ囲む必要はない。そのような場合には、密集領域に対応する開口部を有するプリプレグを準備し、当該開口を密集領域に嵌め込むようにして、プリプレグをコア層に配置してもよい。隣接する一対の電子部品間の最短距離が0.3mm以下(例えば80μm〜0.3mm)である場合には、電子部品7をそれぞれ1個ずつ、または少数の複数個ずつプリプレグで囲むことは困難である。そして、このような場合には、粒状物6Aにより電子部品7の下面とコア層1との隙間の狭小化を抑制することの要請は特に高くなる。   However, when a plurality of electronic components 7 are densely mounted at a narrow pitch and mounted on the core layer 1 as shown in FIG. 7, one electronic component 7 is respectively provided as shown in FIG. Or it is not necessary to enclose a small number. In such a case, a prepreg having an opening corresponding to the dense region may be prepared, and the prepreg may be arranged in the core layer so that the opening is fitted into the dense region. When the shortest distance between a pair of adjacent electronic components is 0.3 mm or less (for example, 80 μm to 0.3 mm), it is difficult to surround the electronic components 7 one by one or a small number by a prepreg. It is. And in such a case, the request | requirement of suppressing narrowing of the clearance gap between the lower surface of the electronic component 7 and the core layer 1 by the granular material 6A becomes high especially.

次に、図3(G)に示すように、コア層1とプリプレグ9、10a、10bとの積層体を、積層方向に加圧するとともに、加熱(第2加熱)する。これにより、プリプレグ9、10aの硬化物である封止樹脂12により、電子部品7が封止される(工程(vi))。このとき、電子部品7の下面とコア層1の上面との隙間8aには、一定の空間が保持されているため、当該隙間にプリプレグの一部が容易に侵入することができる。従って、当該隙間にもプリプレグの硬化物による隙間充填部12aが形成され、信頼性の高い封止が達成される。また、上記のように、隣接する一対の電子部品間の最短距離が0.3mm以下であるような電子部品の密集領域においても、各電子部品の下面とコア層との隙間がプリプレグの流入経路となる結果、信頼性の高い封止が達成される。   Next, as shown in FIG. 3G, the laminated body of the core layer 1 and the prepregs 9, 10a, and 10b is pressurized in the laminating direction and heated (second heating). Thereby, the electronic component 7 is sealed with the sealing resin 12 which is a cured product of the prepregs 9 and 10a (step (vi)). At this time, since a certain space is held in the gap 8a between the lower surface of the electronic component 7 and the upper surface of the core layer 1, a part of the prepreg can easily enter the gap. Accordingly, a gap filling portion 12a made of a cured product of the prepreg is also formed in the gap, and highly reliable sealing is achieved. Further, as described above, even in a dense region of electronic components where the shortest distance between a pair of adjacent electronic components is 0.3 mm or less, the gap between the lower surface of each electronic component and the core layer is the inflow path of the prepreg. As a result, highly reliable sealing is achieved.

電子部品7の下面とコア層1の上面との隙間に、効率よくプリプレグを侵入させる観点から、積層体の積層方向への加圧は、減圧雰囲気中で行うことが好ましい。減圧雰囲気の圧力は、例えば13.3kPa(100Torr)以下であればよい。   From the viewpoint of efficiently allowing the prepreg to penetrate into the gap between the lower surface of the electronic component 7 and the upper surface of the core layer 1, it is preferable that the pressurization in the stacking direction of the stacked body is performed in a reduced pressure atmosphere. The pressure of the reduced pressure atmosphere may be, for example, 13.3 kPa (100 Torr) or less.

積層体の加熱は、一般的なプレス装置により、例えば30kgf/cm2程度の圧力で行えばよい。このとき、第2加熱の温度は、プリプレグに含まれている熱硬化性樹脂の硬化反応が進行する温度であればよい。
ただし、はんだ接合部6xにズレが生じないように、はんだ接合部の組成は、第2加熱の温度以上(例えば第2加熱温度より20℃以上高い温度)の溶融温度を有するようにしておくことが望ましい。例えば第2加熱温度が150〜175℃程度である場合、はんだ接合部の組成をSn:Bi=92:8程度(溶融温度195℃程度)になるようにすればよい。
The laminated body may be heated with a general press device at a pressure of about 30 kgf / cm 2 , for example. At this time, the temperature of the second heating may be a temperature at which the curing reaction of the thermosetting resin contained in the prepreg proceeds.
However, the composition of the solder joint portion should have a melting temperature that is higher than the temperature of the second heating (for example, a temperature that is 20 ° C. higher than the second heating temperature) so that no deviation occurs in the solder joint portion 6x. Is desirable. For example, when the second heating temperature is about 150 to 175 ° C., the composition of the solder joint may be set to Sn: Bi = 92: 8 (melting temperature about 195 ° C.).

第2加熱により、図3(G)に示すように、第1配線パターン3および電子部品7は、隣接するプリプレグと密着する。同様に、コア層1の下面の配線パターン4と隣接するプリプレグ10bは、配線パターン4と密着した樹脂層13を形成する。配線パターン3、4の表面に、粗化処理により微細な凹凸が形成されている場合、配線パターン3、4と封止樹脂もしくは樹脂層との良好な密着性が達成される。   By the second heating, as shown in FIG. 3G, the first wiring pattern 3 and the electronic component 7 are in close contact with the adjacent prepreg. Similarly, the prepreg 10 b adjacent to the wiring pattern 4 on the lower surface of the core layer 1 forms a resin layer 13 in close contact with the wiring pattern 4. When fine irregularities are formed on the surfaces of the wiring patterns 3 and 4 by the roughening treatment, good adhesion between the wiring patterns 3 and 4 and the sealing resin or the resin layer is achieved.

次に、図3(H)に示すように、得られた部品内蔵基板14に、これを厚さ方向に貫通するビアホールを形成し、ホールの内面にメッキ層15を形成する。これにより、コア層1の第1配線パターン3と、部品内蔵基板14の両面にそれぞれ配置されている金属箔11a、11bとを接続するビア導体(層間配線)が形成される。   Next, as shown in FIG. 3H, via holes are formed in the obtained component-embedded substrate 14 in the thickness direction, and a plated layer 15 is formed on the inner surface of the holes. As a result, via conductors (interlayer wiring) connecting the first wiring pattern 3 of the core layer 1 and the metal foils 11a and 11b respectively disposed on both surfaces of the component-embedded substrate 14 are formed.

ビアホールの形成には、例えば、コンフォーマル工法を用いることができる。まず、フォトリソグラフィ等により、ビアホール形成部の表面に存在する金属箔のみをエッチングにより除去する。次に、金属箔が除去された箇所に、レーザを照射すると、残存している周囲の金属箔がコンフォーマルマスクとなり、金属箔が除去された箇所にビアホールを形成することができる。レーザ加工には、炭酸ガスレーザ、YAGレーザ等を用いることができる。   For example, a conformal method can be used for forming the via hole. First, only the metal foil present on the surface of the via hole forming portion is removed by etching by photolithography or the like. Next, when the portion where the metal foil is removed is irradiated with a laser, the remaining surrounding metal foil becomes a conformal mask, and a via hole can be formed in the portion where the metal foil is removed. For the laser processing, a carbon dioxide laser, a YAG laser, or the like can be used.

次に、レーザ加工ではスミア(樹脂の残渣)が発生するため、ビアホール内のデスミア処理を行う。デスミア処理の薬品としては、例えば、酸化剤水溶液等を用いることができる。具体的には、過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムのアルカリ水溶液、クロム酸や重クロム酸ナトリウムの硫酸水溶液等を用いることができる。これらの薬品で処理する前に、アルカリ膨潤液を用いてビアホール内の前処理を行っても良い。   Next, since smear (resin residue) is generated in laser processing, desmear processing in the via hole is performed. As the chemical for desmear treatment, for example, an oxidizing agent aqueous solution or the like can be used. Specifically, an alkaline aqueous solution of potassium permanganate or sodium permanganate, an aqueous sulfuric acid solution of chromic acid or sodium dichromate, or the like can be used. Prior to treatment with these chemicals, pretreatment in the via hole may be performed using an alkali swelling liquid.

デスミア処理後、所定の中和液で中和した後、デスミアしたビアホールの内面にメッキ層15を形成し、導通処理を施す。このとき、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式工法による処理を施してもよいが、無電解メッキ、電解メッキ等の湿式工法による処理が、量産性等も考慮すると好ましい。
なお、ビア導体の形成方法は上記に限られない。
After the desmear process, after neutralizing with a predetermined neutralizing solution, a plating layer 15 is formed on the inner surface of the desmeared via hole, and a conduction process is performed. At this time, treatment by a dry method such as vapor deposition, sputtering, or ion plating may be performed, but treatment by a wet method such as electroless plating or electrolytic plating is preferable in consideration of mass productivity.
The method for forming the via conductor is not limited to the above.

その後、図3(I)に示すように、一方の金属箔11aにパターニングを施すことにより、第2の配線パターン16が形成される。他方の金属箔11bにも当然パターニングを施してもよく、その場合は第3の配線パターン17が形成される。このように形成された第2および第3の配線パターンは、さらに電子部品を実装するための対象となる。同様の操作を更に繰り返すことで、より多くの配線パターンが積層された実装密度の高い部品内蔵基板を得ることができる。   Thereafter, as shown in FIG. 3I, the second wiring pattern 16 is formed by patterning the one metal foil 11a. Of course, the other metal foil 11b may be patterned, and in this case, the third wiring pattern 17 is formed. The second and third wiring patterns formed in this way are further targets for mounting electronic components. By repeating the same operation, it is possible to obtain a component-embedded substrate with a higher mounting density in which more wiring patterns are stacked.

図4は、完成した部品内蔵基板の要部構造を拡大図で概念的に示している。
コア層1の部品搭載面に形成されたランド3aと、電子部品7の端子7aとの間には、これらを電気的に接続するはんだ接合部6xが形成されている。電子部品7を搭載した部品搭載面は、封止樹脂(図示せず)により封止されており、コア層1と電子部品7の下面との隙間も、プリプレグに由来する隙間充填部12aにより封止されている。このような構造であれば、部品内蔵基板14を加熱する再リフローの際に、はんだフラッシュが発生することがなく、電子部品7の端子7a間の短絡が発生することもない。
FIG. 4 conceptually shows an essential part structure of the completed component-embedded substrate.
Between the land 3a formed on the component mounting surface of the core layer 1 and the terminal 7a of the electronic component 7, a solder joint portion 6x that electrically connects them is formed. The component mounting surface on which the electronic component 7 is mounted is sealed with a sealing resin (not shown), and the gap between the core layer 1 and the lower surface of the electronic component 7 is also sealed with a gap filling portion 12a derived from the prepreg. It has been stopped. With such a structure, a solder flash does not occur during reflow for heating the component-embedded substrate 14, and a short circuit between the terminals 7a of the electronic component 7 does not occur.

はんだ接合部6xは、粒状物(例えばCu粒子)6Aを含む第一領域と、はんだ(例えばSn−Bi合金)に由来する第二領域とを有しており、第一領域は第二領域により覆われている。このようなはんだと粒状物6Aとの組み合わせにおいては、通常、第一領域と第二領域との間には、合金または金属間化合物(例えばCu6Sn5)からなる第三領域6zが介在している。図4には第三領域6zの範囲を概念的に破線で示している。 The solder joint portion 6x has a first region containing particulate matter (for example, Cu particles) 6A and a second region derived from solder (for example, Sn—Bi alloy), and the first region is formed by the second region. Covered. In such a combination of solder and granular material 6A, a third region 6z made of an alloy or an intermetallic compound (for example, Cu 6 Sn 5 ) is usually interposed between the first region and the second region. ing. In FIG. 4, the range of the third region 6z is conceptually indicated by a broken line.

図4では、粒状物6Aの最大径が、ランド3aと電子部品7の端子7aとの距離に一致しているが、粒状物6Aの最大径と上記距離とが一致する必要はない。例えば、図5に示すように、複数の粒状物6Bの粒子が凝集した状態でスペーサとして機能する場合には、ランド3aと電子部品7の端子7aとの距離は、粒状物6Bの凝集体の大きさに依存する。   In FIG. 4, the maximum diameter of the granular material 6A matches the distance between the land 3a and the terminal 7a of the electronic component 7, but the maximum diameter of the granular material 6A does not need to match the distance. For example, as shown in FIG. 5, when the particles function as a spacer in a state in which the particles of the plurality of granular materials 6B are aggregated, the distance between the land 3a and the terminal 7a of the electronic component 7 is the aggregate of the granular materials 6B. Depends on size.

ただし、接合材6に含まれる粒状物の量が少ないほど、ランド3aと電子部品7の端子7aとの間に介在する粒状物の粒子数は、確率的に減少する。従って、接合材6に含まれる粒状物の量が少ないほど、粒状物の粒子径は大きいことが望ましい。   However, the smaller the amount of particulate matter contained in the bonding material 6, the more the number of particulate matter interposed between the land 3a and the terminal 7a of the electronic component 7 is reduced probabilistically. Therefore, it is desirable that the particle size of the granular material is larger as the amount of the granular material contained in the bonding material 6 is smaller.

以下、接合材6の好ましい組成について例示する。
接合材6に含まれるはんだ粒子と、はんだの融点より高い融点を有する粒状物との合計量は、40〜65体積%であることが好ましい。この場合、接合材6に含まれるはんだ粒子と粒状物以外の成分、すなわちフラックスの量は60〜35体積%となる。
Hereinafter, the preferable composition of the bonding material 6 will be exemplified.
The total amount of the solder particles contained in the bonding material 6 and the particulate matter having a melting point higher than the melting point of the solder is preferably 40 to 65% by volume. In this case, components other than the solder particles and the particulates contained in the bonding material 6, that is, the amount of flux is 60 to 35% by volume.

はんだ粒子と粒状物との合計量に占める粒状物の量(体積割合)は、上記のように、粒状物の粒子径によって好ましい範囲が相違する。
具体的には、粒度分布d90における粒子径が5〜15μmである場合には、はんだ粒子と粒状物との合計量に対する粒状物の体積割合は15〜40体積%(はんだ粒子は60〜85体積%)であることが好ましく(条件A)、粒度分布d90における粒子径が10〜30μmである場合には、はんだ粒子と粒状物との合計量に対する粒状物の体積割合は5〜20体積%(はんだ粒子は80〜95体積%)であることが好ましく(条件B)、粒度分布d90における粒子径が20〜40μmである場合には、はんだ粒子と粒状物との合計量に対する粒状物の体積割合は3〜10体積%(はんだ粒子は90〜97体積%)であることが好ましく(条件C)、粒度分布d90における粒子径が30〜50μmである場合には、はんだ粒子と粒状物との合計量に対する粒状物の体積割合は1〜5体積%(はんだ粒子は95〜99体積%)であることが好ましい(条件D)。
As described above, the preferable range of the amount (volume ratio) of the particulate matter in the total amount of the solder particles and the particulate matter varies depending on the particle diameter of the particulate matter.
Specifically, when the particle size in the particle size distribution d90 is 5 to 15 μm, the volume ratio of the granular material to the total amount of the solder particles and the granular material is 15 to 40 vol% (the solder particles are 60 to 85 vol. (Condition A), and when the particle size in the particle size distribution d90 is 10 to 30 μm, the volume ratio of the granular material to the total amount of the solder particles and the granular material is 5 to 20% by volume ( It is preferable that the solder particles are 80 to 95% by volume) (Condition B). When the particle size in the particle size distribution d90 is 20 to 40 μm, the volume ratio of the particles to the total amount of the solder particles and the particles Is preferably 3 to 10% by volume (the solder particles are 90 to 97% by volume) (Condition C). When the particle size in the particle size distribution d90 is 30 to 50 μm, 1-5% by volume is the volume fraction of the particulate matter to the total amount is preferably (solder particles 95 to 99 vol%) is (condition D).

上記条件A〜Dを満たす好ましい組成を表1にまとめて示す。
また、はんだ粒子と粒状物との好ましい材料の組み合わせを表2に例示する。
Preferred compositions that satisfy the above conditions A to D are summarized in Table 1.
Table 2 shows preferable combinations of solder particles and granular materials.

Figure 2013191620
Figure 2013191620

Figure 2013191620
Figure 2013191620

本発明は、金属箔の配線パターンが形成された部品搭載面を有するコア層と、部品搭載面に実装された電子部品と、電子部品を封止する樹脂層とを具備するとともに、複数の配線パターンを積層した部品内蔵基板の分野において有用であり、特に複数の小型の電子部品を狭いピッチで密集させてコア層に搭載する場合に有用である。   The present invention comprises a core layer having a component mounting surface on which a metal foil wiring pattern is formed, an electronic component mounted on the component mounting surface, a resin layer for sealing the electronic component, and a plurality of wirings This is useful in the field of component-embedded substrates in which patterns are stacked, and is particularly useful when a plurality of small electronic components are densely packed at a narrow pitch and mounted on the core layer.

1:コア層、2:樹脂基板、3,4:配線パターン、3a:ランド、6:接合材、6a:フラックス、6b:はんだ粒子、6A,6B:粒状物、6x:はんだ接合部、7:電子部品、7a:端子、8,8a:隙間、9,10a,10b:プリプレグ、11a,11b:金属箔、12:封止樹脂、12a:隙間充填部、13:樹脂層、14:部品内蔵基板、15:メッキ層、16:第2配線パターン、17:第3配線パターン   1: Core layer, 2: Resin substrate, 3, 4: Wiring pattern, 3a: Land, 6: Joining material, 6a: Flux, 6b: Solder particles, 6A, 6B: Granular material, 6x: Solder joint, 7: Electronic component, 7a: terminal, 8, 8a: gap, 9, 10a, 10b: prepreg, 11a, 11b: metal foil, 12: sealing resin, 12a: gap filling part, 13: resin layer, 14: component built-in substrate , 15: plating layer, 16: second wiring pattern, 17: third wiring pattern

Claims (11)

(i)電子部品接続用のランドを含む第1配線パターンが形成された部品搭載面を有するコア層を準備する工程と、
(ii)前記第1配線パターンの少なくとも前記ランドを覆う部分に、
フラックスと、
前記フラックスに分散させたはんだ粒子と、
前記はんだ粒子の融点よりも高い融点を有し、かつ粒度分布d90における粒子径が5μm〜50μmの粒状物と、を含む接合材を配置する工程と、
(iii)端子を有する電子部品を準備し、前記端子を、前記接合材を介して前記ランドに着地させて、前記電子部品を前記部品搭載面に搭載する工程と、
(iv)前記電子部品を搭載した前記コア層を、前記はんだの融点より高く、前記粒状物の融点よりも低い温度で第1加熱して、前記はんだを溶融させて前記ランドおよび前記端子に付着させた後、凝固させることにより、前記端子と前記ランドとを接合するはんだ接合部を形成するとともに、前記ランドと前記端子との距離を、前記粒状物により、20μm〜50μmに制御する工程と、
(v)前記部品搭載面に実装された前記電子部品がプリプレグで囲われるように、前記コア層に前記プリプレグを積層する工程と、
(vi)前記コア層と前記プリプレグとの積層体を、積層方向に加圧するとともに、第2加熱することにより、前記プリプレグの硬化物が前記電子部品と前記コア層との隙間に充填されるように、前記硬化物により前記電子部品を封止する工程と、を含む、部品内蔵基板の製造方法。
(I) preparing a core layer having a component mounting surface on which a first wiring pattern including lands for connecting electronic components is formed;
(Ii) In a portion covering at least the land of the first wiring pattern,
With flux,
Solder particles dispersed in the flux;
A step of disposing a bonding material including a granular material having a melting point higher than the melting point of the solder particles and having a particle size of 5 μm to 50 μm in the particle size distribution d90;
(Iii) preparing an electronic component having a terminal, landing the terminal on the land via the bonding material, and mounting the electronic component on the component mounting surface;
(Iv) The core layer on which the electronic component is mounted is first heated at a temperature higher than the melting point of the solder and lower than the melting point of the granular material to melt the solder and adhere to the land and the terminal. And then solidifying to form a solder joint for joining the terminal and the land, and controlling the distance between the land and the terminal to 20 μm to 50 μm with the granular material;
(V) laminating the prepreg on the core layer so that the electronic component mounted on the component mounting surface is surrounded by the prepreg;
(Vi) Pressurizing the laminated body of the core layer and the prepreg in the laminating direction and performing the second heating so that the cured product of the prepreg is filled in the gap between the electronic component and the core layer. And a step of sealing the electronic component with the cured product.
前記工程(iii)が、複数の前記電子部品を前記部品搭載面に搭載する工程であり、隣接する一対の前記電子部品間の最短距離が0.3mm以下である、請求項1記載の部品内蔵基板の製造方法。   The component built-in according to claim 1, wherein the step (iii) is a step of mounting a plurality of the electronic components on the component mounting surface, and a shortest distance between a pair of adjacent electronic components is 0.3 mm or less. A method for manufacturing a substrate. 前記工程(iv)の後、前記フラックスの残渣を洗浄により除去する工程を更に有する、請求項1または2記載の部品内蔵基板の製造方法。   The method for manufacturing a component-embedded board according to claim 1, further comprising a step of removing the flux residue by washing after the step (iv). 前記接合材において、前記はんだ粒子と前記粒状物との合計量に対する前記粒状物の体積割合と、前記粒状物の粒度分布d90における粒子径が、
条件A:前記体積割合が15〜40体積%かつ前記粒度分布d90における粒子径が5〜15μm、
条件B:前記体積割合が5〜20体積%かつ前記粒度分布d90における粒子径が10〜30μm、
条件C:前記体積割合が3〜10体積%かつ前記粒度分布d90における粒子径が20〜40μm、
条件D:前記体積割合が1〜5体積%かつ前記粒度分布d90における粒子径が30〜50μm、のいずれかを満たす、請求項1〜3のいずれか1項に記載の部品内蔵基板の製造方法。
In the bonding material, the volume ratio of the granular material to the total amount of the solder particles and the granular material, and the particle diameter in the particle size distribution d90 of the granular material are:
Condition A: the volume ratio is 15 to 40% by volume and the particle size in the particle size distribution d90 is 5 to 15 μm,
Condition B: the volume ratio is 5 to 20% by volume and the particle size in the particle size distribution d90 is 10 to 30 μm,
Condition C: the volume ratio is 3 to 10% by volume and the particle size in the particle size distribution d90 is 20 to 40 μm,
Condition D: The method for manufacturing a component-embedded substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein the volume ratio is 1 to 5% by volume and the particle size in the particle size distribution d90 is 30 to 50 µm. .
前記はんだの融点と、前記粒状物の融点との差が、30℃以上である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の部品内蔵基板の製造方法。   The manufacturing method of the component built-in board according to any one of claims 1 to 4, wherein a difference between the melting point of the solder and the melting point of the granular material is 30 ° C or higher. 前記粒状物が、金属粉であり、かつ前記金属粉は前記はんだに含まれる成分と合金を形成可能な成分を含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載の部品内蔵基板の製造方法。   The method for manufacturing a component built-in substrate according to claim 1, wherein the granular material is a metal powder, and the metal powder includes a component capable of forming an alloy with a component contained in the solder. . 前記第1加熱の後、前記コア層に前記プリプレグを積層する前に、前記第1配線パターンの表面を粗化する工程を更に有する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の部品内蔵基板の製造方法。   The component built-in according to claim 1, further comprising a step of roughening a surface of the first wiring pattern after the first heating and before laminating the prepreg on the core layer. A method for manufacturing a substrate. 前記第2加熱の温度が、前記はんだの融点未満である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の部品内蔵基板の製造方法。   The method for manufacturing a component built-in substrate according to claim 1, wherein a temperature of the second heating is lower than a melting point of the solder. ランドを含む第1配線パターンが形成された部品搭載面を有するコア層と、
前記ランドと対向する端子を有する電子部品と、
前記ランドと前記端子とを接続するはんだ接合部と、
前記電子部品および前記はんだ接合部とともに前記部品搭載面を封止する封止樹脂と、を具備し、
前記はんだ接合部が、粒度分布d90における粒子径が5μm〜50μmの粒状物を含む第一領域と、前記第一領域の少なくとも一部を覆う第二領域とを含み、少なくとも前記第二領域は前記ランドと前記端子とを電気的に接続する金属領域であり、
前記ランドと前記端子との距離が、20μm〜50μmであり、
前記電子部品と前記コア層との隙間が、前記封止樹脂により封止されている、部品内蔵基板。
A core layer having a component mounting surface on which a first wiring pattern including lands is formed;
An electronic component having a terminal facing the land;
A solder joint for connecting the land and the terminal;
A sealing resin for sealing the component mounting surface together with the electronic component and the solder joint portion;
The solder joint includes a first region including a granular material having a particle size of 5 μm to 50 μm in a particle size distribution d90, and a second region covering at least a part of the first region, and at least the second region is the A metal region that electrically connects the land and the terminal;
The distance between the land and the terminal is 20 μm to 50 μm,
A component-embedded substrate in which a gap between the electronic component and the core layer is sealed with the sealing resin.
前記第一領域が金属領域であり、前記第一領域と前記第二領域との間に、第三領域が介在しており、前記第三領域が、前記第一領域に含まれる成分と前記第二領域に含まれる成分との合金を含む、請求項9記載の部品内蔵基板。   The first region is a metal region, a third region is interposed between the first region and the second region, and the third region includes a component contained in the first region and the first region. The component built-in board according to claim 9, comprising an alloy with a component contained in two regions. 前記部品搭載面が複数の前記電子部品を搭載しており、隣接する一対の前記電子部品間の最短距離が0.3mm以下である、請求項9または10記載の部品内蔵基板。   The component-embedded substrate according to claim 9 or 10, wherein the component mounting surface has a plurality of the electronic components mounted thereon, and a shortest distance between a pair of adjacent electronic components is 0.3 mm or less.
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