JP2013189698A - 成膜装置および成膜方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】アークの発生を抑制することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置1では、AC電源6が、一対のターゲット3,4間の電位差を所定期間B2,B4の間、放電電圧V1,−V1の絶対値よりも絶対値が小さい電位差(0V)に維持する。このように放電電圧V1,−V1の絶対値よりも絶対値が小さい電位差に維持する期間B2,B4を設けることで、プラズマが発生しない期間を生じさせ、これにより、異常放電を防ぎ、アークの発生を防止する。
【選択図】図1
【解決手段】成膜装置1では、AC電源6が、一対のターゲット3,4間の電位差を所定期間B2,B4の間、放電電圧V1,−V1の絶対値よりも絶対値が小さい電位差(0V)に維持する。このように放電電圧V1,−V1の絶対値よりも絶対値が小さい電位差に維持する期間B2,B4を設けることで、プラズマが発生しない期間を生じさせ、これにより、異常放電を防ぎ、アークの発生を防止する。
【選択図】図1
Description
本発明は、成膜装置および成膜方法に関する。
従来、下記特許文献1に記載されるように、真空チャンバ内に一対のターゲットを配置し、この一対のターゲットに交流電圧を印加することにより、基板上にスパッタ膜を形成する成膜装置が知られている。このように一対のターゲットに交流電圧を印加する装置は、デュアルカソード型の成膜装置として知られている。
デュアルカソード型の成膜装置では、矩形波や正弦波などの交流電圧を一対のターゲットに印加する。この際、負の電圧が印加された一方のターゲットはカソードとなり、正の電圧が印加された他方のターゲットはアノードとなる。下記特許文献1に記載の装置では、所定の周波数にて矩形波の交流電圧を印加するにあたり、各ターゲットに印加する交流電圧の位相を互いに180度ずらすようにしている。
しかしながら、上記特許文献1に記載の装置では、アークが発生しやすいという問題があった。アークが発生すると、大粒のパーティクルが飛散してしまうため、不良品の発生を招くこととなり、それに伴い経済性が悪化する。また、アークの発生は、電源を痛める原因にもなる。
そこで本発明は、アークの発生を抑制することができる成膜装置および成膜方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決した成膜装置は、真空チャンバと、真空チャンバ内に設けられ、成膜対象物に対向して配置された少なくとも一対のターゲットと、一対のターゲットにおいてカソード及びアノードが交互に入れ替わるように一対のターゲット間に周期的な電位差を与える交流電源と、を備え、交流電源は、周期的な電位差の周期内における所定期間、一対のターゲット間の電位差を放電電圧の絶対値よりも絶対値が小さい電位差に維持することを特徴とする。
この成膜装置によれば、交流電源によって、一対のターゲット間の電位差が、所定期間、放電電圧の絶対値よりも絶対値が小さい電位差に維持される。このように放電電圧の絶対値よりも絶対値が小さい電位差に維持される期間を設けることにより、プラズマが発生しない期間を生じさせることができる。これにより、異常放電を防ぎ、アークの発生を抑制することができる。
また、上記成膜装置において、交流電源は、周期内における所定期間、一対のターゲット間の電位差をゼロに維持する。一対のターゲット間の電位差がゼロに維持されると、その間プラズマを確実に無くすことができ、その結果としてアークの発生をより確実に抑制することができる。
また、上記成膜装置において、交流電源は、一対のターゲット間の電位差が放電電圧からゼロになった後、周期内における所定期間、一対のターゲット間の電位差を放電電圧とは逆符号の電位差に維持する。この場合、電位差がプラスからマイナスに、もしくはマイナスからプラスに切り替わった直後に発生し得るオーバーシュート現象を緩和することができる。よって、アークの発生を抑制することができる。
また、上記課題を解決した成膜方法は、真空チャンバと、真空チャンバ内に設けられ、成膜対象物に対向して配置された少なくとも一対のターゲットと、を備えた成膜装置において、一対のターゲットにおいてカソード及びアノードが交互に入れ替わるように一対のターゲット間に周期的な電位差を与える際、その周期内における所定期間、一対のターゲット間の電位差を放電電圧の絶対値よりも絶対値が小さい電位差に維持することを特徴とする。
この成膜方法によれば、一対のターゲット間の電位差が、所定期間、放電電圧の絶対値よりも絶対値が小さい電位差に維持される。このように放電電圧の絶対値よりも絶対値が小さい電位差に維持される期間を設けることにより、プラズマが発生しない期間を生じさせることができる。これにより、異常放電を防ぎ、アークの発生を抑制することができる。
本発明によれば、アークの発生を抑制することができる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図面の説明において同一要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
図1に示されるように、本実施形態に係る成膜装置1は、いわゆるデュアルカソード型のスパッタリング装置である。成膜装置1は、真空チャンバ2と、真空チャンバ2内に設けられた一対のターゲット3,4と、一対のターゲット3,4に交流電圧を印加するAC電源(交流電源)6と、を備えている。
真空チャンバ2は、スパッタリングが行われるスパッタ室7と、スパッタ室7の前段側に隣接する排気室8と、スパッタ室7の後段側に隣接するベント室9とを有する。真空チャンバ2内には、成膜対象物である基板10が収容される。基板10は、搬送ローラ11上に載置されると共に、搬送ローラ11により搬送方向Aに搬送される。基板10の表面に成膜される材料としては、例えば酸化亜鉛(ZnO)、ITO等の半導体層、種々の金属又は誘電体等が挙げられる。
ターゲット3,4は、上記したような成膜材料又は成膜材料の一部(組成材料)から成る平板状の部材である。なお、ターゲット3,4として、円筒状の部材を用いることもできる。ターゲット3,4は、スパッタ室7内において基板10に対向して配置されており、基板10の成膜対象面10aに沿った方向、すなわち搬送方向Aに並んで設置されている。ターゲット3,4と基板10との間には、スパッタリング空間Cが形成される。
また、成膜装置1は、スパッタ室7、排気室8、およびベント室9の各室に接続されて、各室内を真空引きするためのターボ分子ポンプ(Turbo Molecular Pump;TMP)12と、スパッタ室7、排気室8、およびベント室9の各室間、排気室8の入口部、およびベント室9の出口部に設けられたゲートバルブ13と、排気室8およびベント室9のそれぞれに接続されたドライポンプ14と、を備えている。
さらに、成膜装置1は、不活性ガスとしてのアルゴン(Ar)ガスを内部に充填したアルゴンボンベ16と、アルゴンボンベ16に接続された導入ラインL1と、導入ラインL1に設けられてアルゴンボンベ16内のアルゴンガスを所定の流量でスパッタ室7内に供給するガス流量制御器であるマスフローコントローラ(MFC;Mass Flow Controller)17とを備えている。導入ラインL1の出口端部は、ターゲット3,4の近傍に配置されている。真空チャンバ2内であって成膜対象物10の下方(成膜対象面10aの裏面側)には、ヒーター18が搬送方向Aに並設されている。
AC電源6は、一対のターゲット3,4のそれぞれと電気的に接続されている。AC電源6は、一対のターゲット3,4においてカソード及びアノードが交互に入れ替わるように、各ターゲット3,4に交流電圧を印加する。AC電源6は、非接地配線方式を採用したフローティング電源であり、ターゲット3,4間に所定の電位差を与える。なお、デュアルカソード型を採用した成膜装置1では、移動度の高い膜をつくることができる。移動度の高い膜をつくることにより、太陽電池の発電層上への成膜に適用した場合に高い発電効率を得ることができる。
AC電源6は、以下に説明するような周期的な出力パターンでターゲット3,4間に電位差を与えることができる制御回路を有している。AC電源6によってターゲット3,4に印加される電圧の周波数は、たとえば、1〜80kHz程度である。
図2は、AC電源6における出力電圧の時間変化の一例を示す図である。図2において、0Vは仮想アースを意味する。図2に示されるように、AC電源6は、一定の周期を有する矩形波状の電圧をターゲット3,4に印加する。すなわち、AC電源6による電圧の印加では、電圧の絶対値が最大となる放電電圧(或いは放電維持電圧)が一定の周期で印加される。図2に示される例では、正の放電電圧V1と、負の放電電圧−V1との間で電圧が変化する。ターゲット3に正の電圧が印加された場合、ターゲット3はアノードとして作用し、ターゲット4はカソードとして作用する。ターゲット3に負の電圧が印加された場合、ターゲット3はカソードとして作用し、ターゲット4はアノードとして作用する。
ここで、本実施形態の成膜装置1にあっては、AC電源6は、1周期内における所定期間、ターゲット3,4間の電位差を放電電圧V1,−V1の絶対値よりも絶対値が小さい電位差に維持する。図2に示されるように、AC電源6は、期間B1の間、正の放電電圧V1を維持する。その後、AC電源6は、期間B1に続く期間B2の間、電圧0Vを維持する。その後、AC電源6は、期間B2に続く期間B3の間、負の放電電圧−V1を維持する。その後、AC電源6は、期間B3に続く期間B4の間、電圧0Vを維持する。その後、AC電源6は、同じ出力パターンを繰り返す。言い換えれば、AC電源6では、周期的に印加される交流電圧のその1周期の間に、2回の定電圧維持期間が設けられている。
このように、AC電源6では、放電電圧V1,−V1の絶対値よりも絶対値の小さい電位差に維持される期間B2,B4およびその際の電圧(本実施形態では0V)があらかじめ設定されている。たとえば、期間B2,B4のそれぞれの長さは、1〜100μs(μsは百万分の1秒)とすることができる。期間B2,B4の長さは、周波数に応じて変更することもできる。たとえば、周波数が5kHz(周期は200μs)である場合、期間B2,B4のそれぞれの長さを20〜30μs程度とし、周波数が10kHz(周期は100μs)である場合、期間B2,B4のそれぞれの長さを10〜20μs程度とし、周波数が40kHz(周期は25μs)である場合、期間B2,B4のそれぞれの長さを5〜10μs程度とすることができる。周期に対する期間B2,B4の各比率は、10〜30%とすることが好ましく、15〜20%とすることがより好ましい。なお、周波数に関係なく、期間B2,B4の長さを一定にすることもできる。
AC電源6は、印加する電圧を上記のように制御することにより、所定期間、プラズマの発生を無くし、アークの発生を抑制する。言い換えれば、AC電源6は、プラズマを消失させるのに必要な最低時間だけ、電圧を0Vに維持する。
このAC電源6では、AC出力波形を発生させているIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor;絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)のゲート信号におけるデューティーを調整することにより、AC出力電圧を所定期間B2,B4の間グランド電位(0V)に保つ制御回路が構成される。
以上の構成を有する成膜装置1および成膜方法によれば、AC電源6によって、一対のターゲット3,4間の電位差が、所定期間B2,B4の間、放電電圧V1,−V1の絶対値よりも絶対値が小さい電位差(本実施形態では0V)に維持される。このように放電電圧V1,−V1の絶対値よりも絶対値が小さい電位差に維持される期間B2,B4を設けることにより、プラズマが発生しない期間が生じる。これにより、異常放電を防ぎ、アークの発生が防止される。これにより、アークに伴う不良品の発生を劇的に低減し、経済性に大きく貢献することができる。
また、一対のターゲット3,4間の電位差が0Vに維持されるため、その間プラズマを確実に無くすことができ、その結果としてアークの発生がより確実に防止されている。
図5および図6は、従来の成膜装置における出力電圧の時間変化の例を示す図である。従来の成膜装置では、電圧の正負が入れ替わる際に電圧のオーバーシュート現象が発生し、アークが発生しやすかった。たとえば、図5に示されるような連続した矩形波では、電圧の正負が入れ替わる際、アークが発生してしまい、その結果、大粒のパーティクルが基板10に付着して不良品を生じるという問題があった。また、図6に示されるような連続した正弦波でも同様の問題があった。なお、図6では、図5の場合と実効電圧が等しい場合を示している。従来は、一部でアークが発生していても、正常なグロー放電に対してアークの割合が低い場合には、アークの検出が難しかった。すなわち、投入したエネルギーに対し、アークによって消費されるエネルギーの割合が低いいわゆるマイクロアークを検出することは難しかった。また、アークを検出できたとしても、アークを衰化させるための専用の回路が必要であった。本実施形態の成膜装置1では、アークの発生そのものが防止されているため、上記の問題が解決されている。
AC電源6による電圧の出力パターンは、図2に示したパターン以外にも種々の態様を採ることができる。図3は、AC電源6における出力電圧の時間変化の他の例を示す図である。図3に示されるように、AC電源6は、放電電圧V1から0Vになった後、所定期間B2の間、放電電圧V1とは逆符号である負の電圧−Vaに維持し、放電電圧−V1から0Vになった後、所定期間B4の間、放電電圧−V1とは逆符号である正の電圧Vaに維持してもよい。
電圧Va,−Vaの絶対値は、0Vよりも絶対値は高いが、プラズマを発生させない程度に絶対値の小さい電位である。たとえば、電圧Va,−Vaの絶対値は、30〜70Vとすることが好ましく、40〜60Vとすることがより好ましい。電圧Va,−Vaは、放電電圧V1,−V1とは関係なく、基板10の材質や基板10の表面に成膜される材料に応じて適宜設定される。なお、電圧Va,−Vaは、放電電圧V1,−V1に応じて変更することもできる。
図3に示される電圧の出力パターンによれば、電圧がプラスからマイナスに、もしくはマイナスからプラスに切り替わった直後に発生し得るオーバーシュート現象が緩和され、アークの発生が防止される。これにより、アークに伴う不良品の発生を劇的に低減し、経済性に大きく貢献することができる。
また、更に他の例として、図4に示されるように、AC電源6は、放電電圧V1から0Vになる前に、所定期間B2の間、放電電圧V1と同符号である正の電圧Vbに維持し、放電電圧−V1から0Vになる前に、所定期間B4の間、放電電圧−V1と同符号である負の電圧−Vbに維持してもよい。電圧Vb,−Vbは、図3の例における電圧Va,−Vaと同様に設定することができる。このように、プラズマが発生しない電位で維持する時間を設けるにあたり、0Vを越える前で、所定時間の間、電圧が維持されるように設定してもよい。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限られるものではない。ターゲットは、二対以上設けられてもよい。ターゲットの配置は適宜変更してもよい。
1…成膜装置、2…真空チャンバ、3,4…一対のターゲット、6…AC電源(交流電源)、B2,B4…所定期間。
Claims (4)
- 真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に設けられ、成膜対象物に対向して配置された少なくとも一対のターゲットと、
前記一対のターゲットにおいてカソード及びアノードが交互に入れ替わるように前記一対のターゲット間に周期的な電位差を与える交流電源と、を備え、
前記交流電源は、前記周期的な電位差の周期内における所定期間、前記一対のターゲット間の電位差を放電電圧の絶対値よりも絶対値が小さい電位差に維持する
ことを特徴とする成膜装置。 - 前記交流電源は、前記周期内における所定期間、前記一対のターゲット間の電位差をゼロに維持する
ことを特徴とする請求項1記載の成膜装置。 - 前記交流電源は、前記一対のターゲット間の電位差が前記放電電圧からゼロになった後、前記周期内における所定期間、前記一対のターゲット間の電位差を前記放電電圧とは逆符号の電位差に維持する
ことを特徴とする請求項1記載の成膜装置。 - 真空チャンバと、前記真空チャンバ内に設けられ、成膜対象物に対向して配置された少なくとも一対のターゲットと、を備えた成膜装置において、
前記一対のターゲットにおいてカソード及びアノードが交互に入れ替わるように前記一対のターゲット間に周期的な電位差を与える際、その周期内における所定期間、前記一対のターゲット間の電位差を放電電圧の絶対値よりも絶対値が小さい電位差に維持する
ことを特徴とする成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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